TW318287B

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Publication number: TW318287B
Application number: TW084110956A
Authority: TW
Original assignee: Du Pont
Priority date: 1994-10-17
Filing date: 1995-10-18
Publication date: 1997-10-21
Also published as: CA2200185A1; US5567673A; DK0787363T3; KR100428910B1; DE69514248T2; JPH10507590A; DE69514248D1; EP0787363B1; EP0787363A1; ES2141967T3; US5736488A; GR3032460T3; ATE188313T1; WO1996012307A1; KR970707595A; PT787363E

Description

A7 B7 318287 五、發明説明（

發明範I 本發明係關於多層超導複氧化物爲基礎之複合材料，及其3 ^超導發明背景 :此項技藝中已知多層超導複合材料，可在極 =用上作爲導電裝置使用。此種多層複合材料典型上係包含超導材料及導電性材料、絕緣體兩者之一或導電性材料與絕緣體兩者之氣相沈積連續薄膜之組合。一般多層超導複合材料係作爲】。sephSGn接面使用，譬如 ^ ^ C. T. Rogers, A. Inam, M. S. Hedge, B. Dutta, X. D.

Wu 及 T. Venkatesan, Appl. PhyS. Lett.，55, 1989 年 11 月 6 日，第 2〇32·2034 頁中，及於 K Char, M s c〇ici〇ugh，丁 H. Geballe 及 Κ· E. Myers, Appl. Phys. Lett·，62，1993 年 1 月11日，第196-i98頁中之三層裝置。於典型J〇sephs〇n裝置中，此種多層基本上係包括兩個藉由正常導電層所橋接之超導層（稱爲SNS裝置），其中視情況存在之絕緣體，係限制此裝置之範圍。接面係在超導層重疊之區域上形成’ 且僅藉由正常導電性材料分隔。超導複合材料亦常作爲SIS裝置使用，其基本上包括兩個藉極薄絕緣體層所分隔之超導層，該絕緣體層係薄至足以.允许超導，霧$從一個超導層經過該絕緣體（典型上爲1至 1 0毫微米）if 另一個，其中視情況存在之厚絕緣體係限制此裝置之範圍。接面係在超導層重疊之區域上形成，且僅藉由該極薄絕緣體層分隔。 -4 Μ氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 318287 ___B7 五、發明説明（2 ) 可在Josephson裝置之製造上使用其他結構，如在美國年利4,454,522與5，134，117中所述者。於此等裝置中，僅使用一個超導層。此裝置係在步級邊緣或在自然生成之晶粒邊界處形成。晶粒邊界裝置已利用含銳之超導體製成，如在 R. H. Koch, W. J. Gallagher, B. Bumble 及 W. Y. Lee， Appl. Phys. Lett·，54，1989 年 3 月 6 日，第 95 1-953 頁中所述者。但是，當與多層裝置比較時，此等裝置具有數項缺點：1)缺乏對於臨界裝置之控制參數Icrn，其係爲接面之臨界電流I c與接面之常態電阻R_ N之乘積，及對於晶粒邊界接面之控制，2 )缺乏再現能力與製造能力，此係由於此等裝置係倚賴缺陷形成之事實所致。超導複合材料亦常用以製造裝置，譬如多匝通量變整器 ’意即天線（B. Roas，G, Friedl, F. B0mmel, G. Daalmans 及 L. Schultz, IEEE Trans, on Appl. Super., 3，1992，第 1 期’第2442-2444頁），或更一般性地使用在需要兩個超導管線交叉而不會造成電接觸之電路中。與超導量子干擾裝置（SQUID)連接之通量變壓器，係包括一種超導磁強計，其爲一種可用以偵檢極端小磁場之裝置。雖然先前之接面裝置對於許多應用而言，是可令人滿竟的’但尚不可能利用某此特別期望之含鉈超導材料，此材料可在較佳多層裝置中，允許在高於90〇κ之溫度下操作，其係由於難以在複合材料中製造具有適當化學計量之超導層以使得該層具有超導性所致。氧化鉈爲一種相對較具二發性之氧化物成份，且易於加工處理期間自已沈積之薄膜 ______-5- 本紙法尺度適用國家梂準（CNS ) Α4規格（210X297公^-------- -- -I tn ------ 1—I - - - -《r Λ, -1 - (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 訂經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -6- 318287 五、發明説明（3 蒸發，並與裝置結構中常作爲基材或絕緣體使用之某些材料，譬如Al2〇3與SrTi03，進行反應，意即形成不期望之化合物。一種用以沈積含鉈超導薄膜本身之成功方法，係描述於

Myers 等人，Appl. Phys. Lett·，65(4)，1994 年 7 月 25 曰，第490-492頁中。此方法亦詳述於共同歸屬之共待審申請案序號〇8/151，2336中。此程序係提供—種在基材上沈積單一含鉈超導薄膜之方法。一種在含鉈超導薄膜之頂部沈積單一纟a緣層之成功方法，係描述於face等人，於超導性上各進[VI，T· Fujita 與 Y. Shinohara 編著（紐約：springer-Vedag，1993年10月26-29日），第863-868頁中，但當企圖建立一種涉及沈積第二個超導層之複合材料結構時，則發生問題。Face等人所述之絕緣體，不能夠在鉈蒸氣存在下沈積，且因此必須在相對較低溫度下沈積，否則鉈會自第一個已沈積之含鉈層蒸發。絕緣體之結構係被此低沈積溫度所危害。多次嘗試在絕緣體之頂部上生長第二個含鉈超導體均失敗。發明摘述本發明係提供一種經改良之多層複合材料物件，其包括一個基材，第一個超導層，至少一個中間層，此中間層包括一個絕緣層或一個正常導電層及第二個超導層，其中所有該等層均至少部份重疊，其改良事項包括該第一個超導層、該正常導電層及該第二個超導層各獨立地基本上由至少一種含鉈氧化物所组成，且當該絕緣層同時與該第一個私紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4%格（210X297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

_237 A7 B7 五、發明説明（4 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝及第二個超導層接觸時，該絕緣層基本上係由-種冬鉈氧化物所組成。 "' ,本發明亦提供—種經改良之氣相方法，#由氣相沈積連 =層’以製備本發明之多層複合材料物件’其方式是提供弟-個相對較具揮發性之含錄氧化物之來源，冑供第二個 T揮發性氧化物之來源，將來自該第二個來源之不揮發性氧化物沈積在—個基材上，同時沈積來自該第一個來源之足量含鉈氧化物，於該基材上，以提供預定化學計量之結曰生薄膜，其中當已沈積之薄膜爲超導薄膜時，其改良事項包括將此超導薄膜加熱至溫度大於70〇。〇，但低於薄膜之刀解溫度，較佳爲7〇〇。(：至850X：，更佳爲775Ό至800X： ’於02或N2〇存在下，在約丨33 x 1〇 + 4 Pa至約1〇」χ 1〇 + 5 Pa之壓力下進行。當最上層爲超導薄膜時，必須存在足夠之鉈游氧壓，以在試樣再加熱及曝露至爲了沈積後續層所必須之相對較低氧分壓時，避免鉈自該薄膜蒸發。圖1爲在接面裝置中呈三層配置形式之多層複合材料物件之橫截面圖。圖2爲在接面裝置中呈邊緣配置形式之多層複合材料物件之橫截面圖。圖3爲在接面裝置中呈交替三層配置形式之多層複合材料物件之橫截面圖。圖4爲在接面裝置中呈另一種交替三層配置形式之多層複合材料物件之橫截面圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4*格（？l〇XW7公釐） ------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 7 fcA. 訂 32S2S7 五、發明説明（5 ) =與⑽“拾波㈣之頂部與橫本發明之多層複合材料物件。 _八中.有圖6爲根據本文實例所製成之多層化頻移對溫度之圖形。竹物忤〈正規 :7爲根據本文實例所製成之多層複合化頻移與電阻係數對溫度之圖形。 …規發明詳沭件圖二在接面水置中呈三層配置形式之多層複合材料物㈣面圖’其中基材1係支撑第-個超導層2及-部份 =常導電層3。第二個超導層4係沈積在正常導電層3上。電極5係沈積在第—個與第二個超導層上，以允許連接至電流來源。於此裝置上之有效接面區域，係存在於第一個超導層、正常導電層及第二個超導層重叠之區域處。圖2爲在接面裝置中呈邊緣配置形式之多層複合材料物件（橫截面圖，其中基材21係支撑第一個超導層Μ及一部份正常導電層23 1二個超導層24係沈積在正常導電層3上电極2 5係沈積在第一個與第二個超導層上，以使其連接至電流來源。此種配置亦具有絕緣材料2 6，其基本上不必由含鉈氧化物裨成，其係介於第一個超導層22與正常導電層23之間，以限制接面區域至第一個超導層u、正常導電層23及第二超導層24重疊之角狀邊緣處。圖3爲在接面裝置中呈交替三層配置形式之多層複合材科物件之橫截面圖，其中基材31係支撑第—個超導層，其依次支撑中間層3 3，此中間層可爲正常導電性材料或 -8 - 本紙采尺度it财國國家祿準（CNS ) ( 210X297公着 ) A7 32S287 五、發明説明（6 絕緣材料。第二個超導層34係沈積在中間層33上。電择 Μ係沈積在第一個與第二個超導層上，以使其連接至電流來源。於此裝置上之有效接面區域，係存在於第一個超導層、中間層及第二個超導層重疊之區域處。圖4爲在接面裝置中呈另一種交替三層配置形式之多層複°材料物件之橫截面圖，其中基材41係支撑第一個超導層42，其依次支撑絕緣體層43，但並未被絕緣體層43完全後蓋。正常導電層4 4係被絕緣體及被第一個超導體層支撑。第二個超導層45係沈積在正常導電層44上。電極46 係沈積在第—個與第二個超導層上，以使其連接至電流來原禾此裝置上之有效接面區域，係存在於.第一個超導層正系導％層及第二個超導層重疊之區域處，且僅被該正常導電層所分隔。圖5 a與5 b係爲個別爲多g拾波線圈之頂部與橫截面圖，其含有本發明之多層複合材料物件。在此裝置中，基材51 係支撑第-個超導層52 ’於此例中其係經造型成螺旋線。絕緣體53係沈積在第一個超導層上方，惟在想要使此裝置起作用之電接觸區域上則除外，於此例中爲5 4。第二個超導層55係沈積在絕緣體53上，及在區域54中之第一個超導層5 2上。絕緣體5 3不允許電流通過該兩個超導層之; ，惟區域5 4處除外。曰本發明多層複合材料之所有層基本上均含轮，惟絕緣體層除外，此絕緣體層可以某些幾何形狀使用，例如參閲圖 2之元件26，於此處並不必將超導薄膜直接沈積於該絕緣本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格了2_丨〇><297公着請先閱讀背之注意事項再填窝本頁 Λ 訂

飞 I 第84110956號專利申請案中文説明書倏正頁(86年2月） A7 B7 Λ 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製五、發明説明（7) 體上。於本發明之多層複合材料中，特射作爲超導層使用之含鉈超導氧化物，係包括具有下列諸式 *丨·,.〆〜。乂::科其中― ，Ca ’ Y，La ’ Pr，Nd ’ Sm ’ Eu，Gd，〜，丁卜 pb，Dy ’H〇’Er’Tn^Yb; 〇“s〇2; M2=Y La，pr Nd ，sm’Eu’Gd’Ce’T1’Pb’Dy，H〇，Er，Tmm i 0^y^〇.4 ； n~2 > 3 , 4 ；〇Sz^〇 5 ； II’ + ，其中 Ml = Sr ，Ca ’ Y，La，Pr，Nd，Sm ’ Eu，Gd，。，τ卜扑吻，Ho，Er，Tm或 Yb ; OhSO.2 ; Μ2 = γ，La，&，^ ，Sm’Eu，Gd，Ce’n’Pb’Dy’H〇，ErTm^Yb ;〇SyS〇.4; n=l’2’3’4; zs〇.5;及 III. (TUbwXSi^.xM^MCabyMVnqCw” z，·其中 0.2 含 ws0.8; Mi=Ba，Ca，Y，La，pr，Nd，sm， EU，Gd，Ce，TbPb，Dy’Ho，Er，Tn^Yb;〇as 0.3 ; M2 = Y，La，Pr ’ Nd，Sm ’ Eu，Gd，Ce，丁卜外，

Dy’H〇，Er，Tmm;0Sys06;n=2,3;hu 0.5 ；於本發明之多層複合材料中，特別可作爲正常導電層或絕緣層使用之含鉈氧化物’係包括具有下列諸式之材 f IV· T1(Bai-XMlx)2Cu05.z，其中 MUSr，Ca，γ ,^a，pr·， Nd，Sm’Eu，Gd，Ce’T1，Pb，Dy，H〇，ErTm\

Yb ; 0^xs〇.2 ; OSz^〇.5 ； .m. 本紙乐尺度逋用中國國家標準（CNS )八4規格（21〇X297公釐） (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁)

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第84110956號專利申請案中文説明書修正頁(86年2 W 五、發明説明（8) ν· (Tll-wPbwXSri-xM^^CuC^.z，其中〇 2$ wS 0.8 ; M^Ba ’ Ca ’ Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ce，T1， Pb，Dy ’ Ho，Er，Tm 或 Yb ; osuo.2 ;〇sz；s〇.5 ; 及 VI. (T1i-wPbw)(Sr1.xM1x)2(Ca1.yM2y)Cu207.z » f 〇 2s wSO.8 ; M^Ba，Ca , Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd , Ce，Ή , Pb，Dy，Ho，Er，Tm或 Yb ; OS xS 0_2 ; M2 = Y ’ La，Pr，Nd，Sm，EU，Gd，Ce，丁卜 Pb，Dy，

Ho，Er，Tm或 Yb ; 0.6 幺y S 1 ; 〇 5 ; 其他可使用之導電性材料之實例，係包括 T1o.5pb0 5Sr2Cu05-z，其中〇 s z s 〇 2，及 (Tli-wPbw)Sr2Cu〇5_z，其中〇Sws〇.5 : 〇SzS0.2。其他可使用之絕緣材料之實例，係包括 T10.5Pb0.5Sr2Cu〇5-z，其中〇_25sZ$〇5，及 Tb.sPbo.sSWCaj.y Yy)Cu207，其中〇 6 s y $ !。可使用在圖2之層26中之絕緣體，其實例包括ua1〇3 ' NdGa〇3及Ce〇2，於此處並無必要將含鉈之超導體或導電性材料直接形成在此層之頂部上。適合使用在本發明多層複合材料物件中之基材，係包括能夠抵抗沈積溫度與加工處理之無機材料，其係外延地配合相鄰之第-個超導層。較佳基料單—結晶體。基材之實例係包括LaAi〇3、NdGa〇3、具有Ce〇2緩衝層之藍寶石、MgO及經釔安定化之氧化鏠。 (紙張尺度賴ts目家標準（CNS ) A4洗格（210x297^y (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁}

.1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 -11 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 018287 A7 ____B7 五、發明説明（9 ) 依式IV、V及VI之實際化學計量而定，此材料可爲正常導體’思即在0 00 K下具有有限電阻係數低於1 〇〇c Π1，或絕緣體，意即在300οΚ下具有電阻係數大於丨〇〇 Ω cm。此等材料係爲此項技藝中所熟知者。參閲例如：s

Nakajima 等人 ’ Physica C，170，1990，第 443-447 頁，及 E. Ohshima 等人，Physica C，214，1993，第 182-186 頁。本發明進一步包括經改良之氣相沈積方法，以製備本發明之多層複合材料。此方法包括氣相沈積連續數層，其方式是提供第一個相對較具揮發性之含鉈氧化物之來源，提供第二個前述不揮發性氧化物之來源，將來自該第二個來源之不揮發性氧化物沈積在基材上，且同時將來自該第_ 個來源之足量含#2氧化物沈積在該基材上，以提供預定化學計量之結晶性薄膜。當已沈積之薄膜爲—種超導薄膜時，必須將此超導薄膜加熱至溫度大於70(TC，但低於薄膜之分解溫度，較佳爲700°C至850。(：，更佳爲775X：至800X：，於02或^0存在下，在約1.33X10 + 4 Pa至約1〇1χι〇 + 5 Pa之壓力下進行。當取上層爲一種超導薄膜時，必須存在足夠之銘祭乳壓’以在試樣再加熱及曝露至爲了沈積後續層所必須之相對較低氧分壓時，避免鉈自該薄膜蒸發。根據揭示於共同歸屬之共待審申請案序號〇8/151，2336 中之方法，其係併於本文供參考，欲被製造之薄膜，其特徵爲具有以下通式 ^ A y Β ζ 其中"y"爲氧化物A之相對莫耳數，且”z”爲氧化之相 -12 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公着） — _^------叫-Λ------訂------飞 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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發明説明 = 中氧化㈣可爲單-…份氧化物，其係爲^於八與B本身爲形成所要化學計量化合物所需要者衣些情況中’可能需要其他氧以滿足此化學計量。各 :A”與"B"均爲不揮發性氧化物時，化學計量之薄膜生：需要 [d(A)/dt] = [d(B)/dt]x(y/z)

f t[d(A)/dtm[d(B)/叫係爲八㈣之相對沈積速率以莫耳/平方公分/秒爲單位。於本文中使用之沈積速率，係意渭將氧化物沈積在基材上而未考慮自該基材再蒸發之速率，參閱例如"薄膜技術手册"，（L ! Maissel與R 编著）’ McGraw Hill,紐约，1970中之第8-14至8-26頁。當氧化物Α與氧化物β比較下爲相對較具揮發性時，其會自成長中之薄膜表面蒸發，並會造成此薄膜之實際化學計量（Ay’Bz)顯著地偏離理想AyB^t學計量。例如，在 TlBa2CaCu207薄膜之情況中，a係爲[丁12〇]，B係爲 [Ba2CaCu205]，y=i/2及z=i。爲補償此蒸發作用，該相對較具揮發性氧化物A之沈積速率，必須增加至大於 [d(B)/dt]x(y/z)之速率 d 於本發明之改良方法中，氧化物A常含有鉈且與氧化物 B比較下係相對較具揮發性。氧化物a之沈積速率係至少 1_1倍下，較佳爲兩倍大，且更佳爲超過因數二，大於 [d(B)/dt]x(y/z) ’意即氧化物B之沈積速率乘以氧化物 A對乳化物B之化學計量比例’以在所要之沈積條件（意即，對於所設定之基材溫度、背景氣體壓力及總沈積速率而 -13- 本紙張尺及適用中國國家檩準（CNS ) A4g ( 210X297公釐）

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五、發明説明（H 古）下，獲得具有組成八#2之所要化學計量薄膜。、本發明之經改良方法，需要在AyBz爲超導含錄薄膜時， 1 :將超導薄膜加熱至溫度大於700。。，但低於薄膜之分解溫度，較佳爲70(TC至850Ό，更佳爲775。〇至8〇〇^：，於〇2或心〇存在下，在約1·33Χ 10 + 4 Pa至約1〇 1χ 1〇 + 5 & 又壓力下進行。〇2或n2〇之壓力較佳爲最低2 67 χι〇4 h ，最佳爲最低6.67 xl〇4 Pa。而且，當欲將其他層塗敷至此超導層上時，此項加熱作業必須在沈積其他層之前進行〇在將材料热氣沈積於基材上期間，係採用此薄膜材料之揮發性氧化物與相對較不具揮發性氧化物之各別來源。此揮發性及/或不揮發性氧化物之來源，本身不需要含有氧 ’只要自其製成之物種可被轉化成氧化物即可，譬如在沈積氣層中經由與氧反應，或可在成長中薄膜之表面處轉化成氧化物，譬如在薄膜表面處與氧反應。揮發性氧化物於薄膜中含量之控制，係藉下述方式達成，改變基材溫度、於洛氣沈積期間所採用氣層之組成、及揮發性氧化物於基材上之沈積速率。基材溫度之控制、氣層之選擇以及揮發性氧化物之沈積速率’係依薄膜中所要之组成而定。一般而言，係將薄膜之揮發性與不揮發性氧化物成份置入惰性氣體與其他氣體成份之混合物之氣層中，以沈積於基材上。所選定之氣層係依欲在所形成之薄膜中尋求之組成而定。典型上，在欲被形成之薄膜爲一種氧化物之情況下，該其他氣體成份係 _ - 14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ---- I— ry------訂------、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製

經濟部t央標準局員工消費合作社印裂 318287 五、發明説明（12 ) 馬3氧虱體’較佳爲氧或一氧化二氮。雖然惰性氣體與其他氣成伤之百分比可以改變，但應存在足量惰性氮體，乂使知氧化物旎夠沈積在基材上。該其他氣體成份之分壓 ’係足以降低揮發性氧化物自薄膜蒸發。因此，在欲形成 ΤΙ B Ca-Cu或Tl-Pb-Sr-Ca-Y-Cu之氧化物薄膜之情況下，例如下列氧化物薄膜，T1Ba2CaCu2〇7，T1Ba2Ca2Cu3〇9，

Tl2Ba2CaCu208 » Tl2Ba2Ca2Cu3〇10 » TlBa2(Ca1.xYx)Cu207 ，-其中 X 爲 G 至 G·6，或了1。5PV5Sr2Can.lCUn〇2n + 3，其中二、2或3，則在氣層中之其他氣體成份係爲氧或-氧化氮氧或一氧化一氬在該氣層中之分壓可改變，從約3 至約Π3 Pa(〇.5毫粍至！托），較佳從約13 pa至約27 Pa(100毫托至200毫粍），以降低τ丨2〇自被沈積之薄膜蒸發仁疋’本發明需要將超導層在约丨3 3 X丨〇+4 至約m X 10 + 5 Pa之Ο〗或Νβ壓力下進行額外加熱。 *於薄膜沈積期間所採用之基材溫度，亦依欲被沈積之薄膜組成而定。一般而言，此溫度係足以造成所要组成之生長，但低於可能造成薄膜成爲缺乏揮發性氧化物物種之溫度。因此，在欲被沈積之薄膜爲T1_Ba_Ca_Cu氧化物，譬如 TlBa2Ca2Cu2〇7，T1Ba2Ca2Cu3〇9，Tl2Ba2CaCu2〇8,

Tl2Ba2Ca2Cu3〇1。’ T1Ba2(Cai xYx)Cu2〇7，其巾义爲〇至〇·6，或 Tl-Pb_Sr_Ca_Y-Cu 氧化物，譬如 T1〇 1 Cun〇2n + 3，其中η = 1、2或3之情況下，則可採用约4〇〇π 至約70(rc，較佳爲約550Χ：至約580。(：之基材溫度。欲被沈積之不揮發性氧化物’可以數種習知方式提供。

經濟部中央標隼局員Η消費合作社印裝 A7 五、發明説明（13 例如，當不揮發性氧化物之來源爲無機氧化物時.，可使用然機氧化物之射頻濺射或雷射燒蝕’以提供不揮發性氧化物。較佳係採用射頻濺射。若非揮發性氧化物之來源係爲有機金屬化合物，則此化合物會被揮發，且當此化合物被沈積在基材上時，其有機成份會被燒除。 TIBaCaCu氧化物之沈積以提供薄膜，例如T1Ba2ca(：U2〇，TlBa2Ca2Cu3〇9 ’ TlBa2CaCu2〇8，Tl2Ba2ca2Cu3〇i〇，及 T1Ba2(Cai-xYx)Cu207，其中x爲 0至0.6，係於τι2〇蒸氣存在下’自氧化物標靶藉Ba ' Ca及C U之濺射沈積而達成。 Ba、Ca及Cu在標靶中之量，係依τΐ-Ba-Ca-Cu薄膜中所尋求之組成而定。因此，係使用Ba2CaCu2〇x標靶，以形成

TlBa2CaCu207 與 TlBa2CaCu208 薄膜。使用 Ba2Ca2Cu3〇, 標靶，以形成TlBa2Ca2Cu309 與 Tl2Ba2Ca2CU3〇1〇，及使λ 用 BayCai.xYJCi^C^標乾，以產生TlBadCai.xYjCu^C^ .薄膜，其中x = 0 至 0.6。使用 Pb2Sr2(Cai.xYx)Cu2〇7 標靶，以產生（Tl，Pb)Sr2(Ca卜xYx)Cu207 薄膜，其中 x = 0至〇 6 0 由於PbO比Sr、Ca、Y及C u氧化物更具揮發性，故標乾材料必須具有過量之鉛。但是，氧化鉛具有遠低於氧化錄之揮發性’且被ί忍爲是多成份乳化物B在式A y B z中之一種成份。一般而言，且根據本發明，係將一種欲被塗覆薄膜之基材’裝載於基材板塊加熱器上。將此基材加熱器組裝置於滅射室中，室中含有供沈積用之所要氣層。基材之選擇可依欲被沈積之薄膜而改變，其條件是基材與薄膜具有接近 16- 本紙張尺度適用中國國家搮準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本貢)

318287 五、發明説明（Μ ) 之印格配δ。在沈積譬如τ 1 _ b a - C a - C u氧化物材料之情況下，適當基材包括LaA1〇3、NdGa〇3、SrTi〇3，較佳爲

LaAl〇3 與 NdGa03 〇將提供薄膜之不揮發性與揮發性氧化物之各別來源，與 4基材加熱器組裝一起置入濺射沈積室中。典型上，不揮發性氧化物之來源，係爲含有該等氧化物之標靶。將標靶藉習用方法蒸發，譬如射頻濺射或電射燒蝕，以對基材提供相對較不具揮發性之氧化物。此種相對較不具揮發性之氧化物，係包括Sr、Ca及Cu之氧化物，例如Sr0、Ca〇及 CuO。可知k被沈積在基材上之揮發性氧化物（例如〇)之各訂別來源加熱，例如在沈積室中，以使此等氧化物揮發而沈積在薄膜上。實例1 以下述方式，在[001]取向之NdGa〇3(NG〇)基材上製備 (Tl,Pb) Sr2Ca〇 8Y〇 2Cu207/(Tl,Pb) Sr2Cu2〇5/(TliPb)

Sr2Ca〇8Y()2Cu2〇7 (1212/1201/1212)之三層結構。首先在氧化鉈蒸氣存在下，藉離軸rf (射頻）濺射製備 (Tl,Pb)Sr2Cu2O5/(Tl,Pb)Sr2Ca0 8Y〇 2Cu2〇7(/12〇]/1212) 之雙層結構。將一個12毫米xl2毫米[〇〇1]取向之單晶 NdGa〇3基材浸泡在加熱之Alconox (清潔劑）溶液中過夜以使其Μ潔。然後’將此基材以去離子水沖洗並吹乾。將基材貼附至具有銀塗料之電阻加熱式鎳加熱器板塊 (LehsUbedOO’ 得自 TedPeIla公司，4595 1^__ -17- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公嫠）經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（15

Lakes Blve·’ Redding，CA 96003-1448)。然後將此基材如熱器板塊置於沈積室之内部，並連使其電連接至電阻元件。將一支熱電偶溫度探針（K型，具有英高鎳合金外殼，該合金爲一種市售鎳系合金）插入該鎳加熱器板塊中，以提供一種標準回授型可程式化溫度控制器（Eurotherm公司，

Sunset Hills Rd·，Reston，VA 22090-5286, 818P4型）用之溫度信號。濺射室裝有兩個標準7 6公分直徑之r f磁控管錢射槍（Kurt J. Lesker公司，15 15 Worthington Ave.: Clairton，PA 15025, TRS-5M型），其係位於對立位置，分開約13公分。一支槍固定住組成pbi 6Sr2Cu〇x(12〇1)之標靶，而另一支則固定住組成Pb2Sr2CaCu2 ι〇χ(1212)之標乾。將機械式斷路器放置在各支槍之前方，以避免當其中一個標靶被使用時，會沈積在另一個標靶上或被蝕刻。此基材板塊係位於兩支槍之中間，高於標靶中心3 5公分。位於基材板塊正下方約6公分處之乾來源，係爲一種電阻式加熱之鎳板塊。此板塊於中央具有孔穴，於每次沈積開始時，均在其中充填Τ 12 0 3粉末。一種石英晶體速率監測器（Leybold Inficon, 6500 Fly Rd·，East Syracuse, ΝΥ 13057, IC6000型）係用以測定及控制τΐ2〇χ沈積速率。將沈積室排氣至低於5 X 10·5托（7,5 X 1CT3 Pa)，其係藉一系列標準化學機械泵（Alcatel眞空產品公司，40 P〇nd Rd.， South Shore Park, Hingham, ΜΑ 02 043，2020CP型）所支持之標準渦輪泵（Balzers，8 Sagamore Park Rd., Hudson NH 0305 1，TPU 330型，具有TCP 305電子驅動器）進行。使用 -18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

、1T A7 B7 318287 五、發明説明（16 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 標準質量流量控制器，以設定氬與一氧化二氮進入室中之流率。基材加熱器板塊溫度係於2〇χ： /分鐘之速率下，提升至 580X：。當基材板塊之溫度抵達ι〇〇χ：時，即已建立15 seem(每分鐘標準立方厘米）2Ar流率，及3〇sccmtN2〇流率。供渦輪泵用之電子驅動單元，係以壓力回授模式放置，以控制濺射壓力在200毫托（26.7 Pa)下。當基材板塊被激升至所要溫度時，對鉈來源之電阻加熱元件之功率係於3分鐘期間内’藉Leyblod Inficon IC6000 從0激升至7 4 %。對鉈來源之功率係在7 4 %下保持2 2分鐘，然後激降至6 0 %功率。於6 0 %功率下一秒鐘短暫停留後 ’將速率監測益轉換至T 1 2 0 χ沈積速率回授模式。錄來源之溫度，此時通常爲約450°C。位於基材板塊後之速率監測器，其速率係設定在0.22 A/s(〇.〇22毫微米/秒）。於120 1標靶上方之斷路器，係設定在關閉位置，而位於 1212標靶上方者，則設定爲打開。一旦基材板塊抵達580 °CaTl20x速率爲穩定時，將對於具有1212標靶之槍之rf 經濟部中央標準局負工消費合作社印製功率轉至高達1〇〇 W。此槍係在100 W功率下操作240分鐘，然後關閉。此時，使氣流停止並將泵關閉。於室内充填 N20至500托之壓力（5 X 10 + 4 Pa)，並將基材板塊於20°C / 分鐘之速率下加熱至800 °C，歷經60分鐘。於8 0 0。(：熱處理後，將試樣在5 °C /分鐘之速率下冷卻至 5 9 5 X。將位於1 2 1 2標靶前方之斷路器關閉’並將位於 1 2 0 1標靶前方之斷路器打開。此時，鉈來源係急回復至 _-19-_______ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明（17 ) 約400°C (當壓力很高時，丁丨2〇\速率不能夠讀取）3當試樣在595C下時，回復打開泵並將室排氣。在壓力降至過低之㈤’將軋體流量設定爲25 Sccm Ar及25 seem N2〇，並將渦輪泵之電子驅動器設定而得2〇〇毫托（26 7 pa)之壓力。此時’ T 1 2 〇 χ速率係被調整至2 X 1 〇- U米/秒。然後，將對於1201槍之rf功率轉至1〇〇 w，並操作12〇分鐘。於 120 1沈積結束時，停止氣體流動並關閉泵。於室中充填乂0至5 0 0托（6.67\10”1^)之壓力，並於2〇。(：/分鐘之速率下，使基材板塊冷卻至室溫。於試樣冷卻至室溫後，將此室排氣至空氣中，並將基材加熱板塊移除》將試樣移離加熱板塊，並將殘留銀塗料使用剃刀刀片自基材底側刮除。此時，若需要可將此雙層造型。再裝載此試樣，其中兩個邊緣係藉Haynes合金片塊覆蓋，以避免沈積及因此允許稍後造成對下方1212層之電接觸。後然，按上述私序，將單一 12 12薄膜沈積在該雙層上，惟係在8 0 0 °C加熱處理後進行，將試樣於$/分鐘之速率下冷卻至4 0 0°C，然後於20»C/分鐘之速率不冷卻至室溫。所形成之複合材料結構包括米厚（丁 IPb、 Sr2Ca〇8Y02Cu2〇7層，位於7χ10·8 米厚（Tlpb)Sr2Cu2〇5 層之頂部，後者位於1 χ 10-7米厚（Ti,Pb) Sr2c〜 8YuCu2〇7 層之頂部，後者位於（ool)取向之NdGa〇3基材之頂部，且其中上方（Tl，Pb) Si：2Ca0 8丫(} 2CU2〇7層僅部份覆蓋其下層 •20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•1T 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 丨_丨' 立、發明説明（18 ) 三層薄膜之X-射線繞射研究，顯示成功地形成1201與 1212材料。全部三個層均爲c_軸取向，意即，1201與 1212材料之<〇〇1>軸，均垂直於基材表面。再者，於12〇1 與1212之<100>軸與基材LaA103之假立方<001>軸，有強的平面上排列。雖然此等薄膜並非單一晶體，但在微觀尺度之意義上，其係爲"外延的"，有一種外延關係保持在各界面上。於圖6中所示之渦流電流度量，其中係將已正規化之頻移F以溫度之函數作圖，其証實該兩個1 2丨2層均爲超導性，並具有稍微不同之臨界溫度。此兩種度量値係使用試樣在兩個不同位置上取得：實線係爲最接近線圈之薄膜所取得之數據，且因此係爲最接近線圈之上方1 2 1 2層，而虛線係爲使用”倒置"薄膜所取得之數據，以致使該基材係最接近線圈。在"倒置"位置上，下方1 2 1 2層係較接近線圈〇實例2 按下述，在[100]取向之LaA103基材上製備（Tl,Pb) Sr2Ca0 8Y〇 2Cu2O7/(Tl，Pb)Sr2Cu2O5/(Tl，Pb)Sr2Ca0 8Y〇 2Cu207 (1212/1201/1212)之三層結構。首先’按照實例1之程序至第一次沈積結束，沈積單一 12 12薄膜。此時，停土氣體流動並關閉系。於室中充填〇2至500托之壓力，並使基材板塊於20 °C/分鐘之速率加熱至800°C，歷經6 0分鐘。接著將試樣在5 °C/分鐘之速率 ____ -21- 本紙張Xvlit用中關家標準（CNS)…胁（21Qx297公董) "" 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 經濟部中央梂準局員工消費合作杜印裝 318287 _________ 五、發明説明（19) 下冷卻至400°c，然後在20Ό /分鐘下冷卻至室溫。隔天早晨’將此室排氣至玄氣中’並移除基材加熱板塊。將試樣移離加熱板塊，並將殘留銀塗料使用剁刀刀片自基材底侧刮除。此時，吾人或許可將此單一 12 12層造型。或者，只再裝載此試樣，其中兩個邊緣係藉LaA103單晶片塊覆蓋，以避免沈積及因而允許稍後造成對下方1212層之電接觸。然後，根據實例1之程序，將1201/1212雙層沈積在π 薄膜上。惟沈積與回火之次序係按下述改變。將沈積室抽空至低於5x 10〇托（7.5x 1〇·3 Pa)。將基材加熱器板塊溫度於20X：/分鐘之速率下，提升至595。(：。當基材板塊之溫度抵達100C時’建立25 seem之A r流率，及 25 seem之hO流率。供渦輪泵用之電子驅動單元係以壓力回授模式放置，以控制濺射壓力在200毫托（26.7 Pa)下〇當基材板塊被激升至所要溫度時，對鉈來源之電阻加熱元件之功率係於3分鐘期間内，藉Leybold Inficon IC6000 從0激升至74%。對鉈來源之功率係在74°/。下保持2 2分鐘 ’然後激降至60%功率。於60%功率下一秒鐘短暫停留後，將速率監測器轉換至丁丨20X沈積速率回授模式。位於基材板塊後之速率監測器，其速率係設定在2 X 1 〇 -11来/秒 (0.02毫微米/秒）下。於12 12標靶上方之斷路器，係設定在關閉位置，而位於 12 0 1標乾上方者’則設定爲打開。一旦基材板塊抵達$ 9 5 ___-22-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -23- 五、發明説明（2〇 ) C且Tl2〇x速率爲穩定時，將對於具有1201標靶之槍之rf 功率轉至高達1 〇〇 W。此槍係在1 〇 0 W功率下操作12 0分鐘 ’然後關閉。將1201標靶前方之斷路器關閉，並將1 2 1 2 標靶前方之斷路器打開。在2〇。/分鐘之速率下，使溫度移轉至58(TC。將Tl2Ox速率調整至2_4X 10-丨】米/秒。使氣體流量調整至15 seem Ar及30 seem Ν20，並將壓力保持固定在200毫托（26.7 Pa)下。一埃此等調整已完成，將對於1212槍之1^功率轉至100^¥。將此槍在100冒下操作 2 4 0分鐘。於沈積後，停止氣體流動並關閉泵。於室中充填〇 2至 500托（6.67 X 1〇 + 4 Pa)之壓力’並將基材板塊加熱至8〇〇 °C，歷經6 0分鐘。然後在5。/分鐘之速率下，使試樣冷卻至400°C，然後在20。/分鐘下冷卻至室溫。所形成之複合材料結構包括1 X 1〇·7米厚（Tl，pb)

Sr2Ca0 8Y0 2Cu2〇7層’位於 7 X 10'8 米厚（Tl，Pb) Sr2Cu205 層之頂部，後者位於1 x i〇-7米厚（Tlpb) Sr2ca〇 2Cu2〇7 層之頂邵，後者位於（00 1)取向之LaAl〇3基材之頂部，且其中上方（Tl，Pb) Sr2Ca0 8Y0 2Cu207與（Tl,Pb) Sr2Cu2〇5 兩層僅部份覆蓋其下方（T1，Pb) Sr2Ca〇 8Y〇 2Cii207層。再一次使用渦流電流檢測，以度量兩個丨2 12層之轉移溫度。如圖7中所示，其中係將已正規化之頻移F，以溫度之函數作圖’上方層具有轉移溫度爲92〇κ (粗實線），而下方 1212層具有Tc爲90οΚ(粗虛線）。此外’亦進行上層與下層電阻係數之度量。將八個金質良紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 Β7 五、發明説明（21 ) 墊片沈積在试樣上：四個上方丨2丨2層上，位於其延伸區域I角洛處，且四個在下方1212層上，位於其範圍之角洛處（其已在第二個沈積期間被覆蓋，且因此下方丨2丨2層係馬外露）。上万（較淡實線）與下方（較淡虛線）1212層藉 vanderPauw技術所度^之電阻係數Q )，作爲溫度之函數’亦7F於圖7中。冑阻係數度量對於超導性之開始是較敏感的，因此超導轉移係在稍微較高溫度下見及。再者，此兩個1212層確實具有不同轉移溫度，證實此兩層係各獨立地爲超導性。本發明之其他具體實施例，在考量本文中所揭示之專利説明書或本發明之實作後，對熟請此藝者將顯而易見。所期望的是，此專利説明書與實例僅被認爲是舉例而已，其中本發明之範圍與精神係藉下述申請專利範圍指出。 24- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims

' ·; yij 六經濟部中夬橾準局員工消费合作社印製第8·Π 10956號專利申請案 % 中文申請專利範圍修正本(86年2月)C8 " D8 申請專利範圍 ^ —種經改良之多層複合材料物件，其包括丨）一個基材 ’ 2)第一個超導層，3)至少一個中間層，其包括一個絕緣層或一個正常導電層，及4)第二個超導層，其中所有上述諸層係至少部份重疊，其改良事項包括該第一個超導層、該正常導電性層及該第二個超導層，各獨立地基本上由至少一種含鉈氧化物所組成，且當該絕緣層同時與該第一個及第二個超導層接觸時，該絕緣層基本上係由一種含鉈氧化物所組成。 2.根據申請專利範圍第1項之物件，其中該中間層係包括至少一個絕緣層與至少一個導電層。 3-根據申請專利範圍第丨項之物件，其中該超導層係各獨立地選自包括 1' Tl(Bai.xM1x)2(Ca1.yM2y)n.lCun〇2n + 3- z ，其中 Ml 爲 Sr，Ca，Y，La，Pr，Nd，Sm， E u，G d，C e，T 1，P b，D y，H 〇，E r .，T m 或 Yb ; x爲0至0.2 ; M2爲 γ，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ce，ΤΙ ’ Pb，Dy，Ho，Er，Tm 或 Yb ; y爲〇至0.4 ; n 爲 2，3，4 ;及 ζ爲0至0.5 ; Τ 1 2 ( B a 1 . χ Μ ^ X) 2 ( C a 1 . y M ^ y) η- 1 Cun〇2n + 4-z * 其中 M1 爲 Sr，Ca，Y，La，本紙張尺度適用巾gig；家縣（哪）以驗（2似所公產） -------—~-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 318287

經濟部中央標準局員工消費合作社印装六、申請專利範圍 P r，N d，S m，E u，G d，C e，T1，P b，D y， Ho，Er，Tm 或 Yb ; x爲0至0.2 ; M2爲 Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ce，ΤΙ ，Pb，Dy，Ho，Er，Tm 或 Yb ; y爲0至0.4 ; n爲2，3，或4 ;及 ζ爲0至0.5 ;及 III. (Tl1.wPbw)(Sr1.xM1x)2(Cai.yM2y)n. lCun〇2n + 3- z ’ 其中w爲 0.2 至 0.8， M1爲Ba，Ca，Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd ，C e，T 1，P b，D y，Η ο，E r，T m 或 Y b ; x爲0至0.3 ; M2爲 Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ce，ΤΙ ，Pb，Dy，Ho，Er，Tm 或 Yb ; y爲0至0.6 ; n爲2或3 ;及 ζ爲0至0.5。 4.根據申請專利範圍第3項之物件，其中該中間層係選自包括 IV. Tl(Ba1_xM1x)2Cu〇5_z，其中 Mi^Sr，Ca， Y，La，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Ce，ΤΙ，Pb ，Dy，Ho，Er，Tm 或 Yb ; 0SxS0.2 ; 0三 zS 0.5 ; _-_2_-_ 本纸乐尺度適用中國ii家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) %碑部中夬榡率局員工消費合作社印策 ψ\ π: A8 B8 C8 D8 m 或 Yb ; 〇彡xS〇.2 ; OSzSO. Vj (丁 "_wPbw)(Srl-xMlx)2(Ca y -3- I修ϋ 1 1'*：' 、

'申請專利範園 V (丁 1 1 _ w Ρ b w) ( S r 1 - χ Μ 1 χ) 2 C u Ο 5 ζ ’ 其中 Ο · 2 含 w$〇.8; M1=Ba» Ca，Υ，La’ Pr, Nd’ ，Eu，Gd，Ce’ Tl，Pb，Dy，Ho’ Er’ ;及 jvi2y)Cu2〇7-z，其中 0.2 彡 wSO.8; M1=Ba ,Ca，Y’ La’ Pr，Nd’ Sm’ Eu’ Gd’ Ce，丁1，Pb，Dy，Ho’ Er，Tm 或 Yb ; OSxS〇.2 .jyj 2 = γ，l a，P r，N d，S m，E u，G d，C e，丁1» Pb，Dy，Ho’ Er’ Tm 或 Yb ; 0_6SySl ；〇 ^ z ^ 〇 · 5 < Tl〇.5Pb〇.5Sr2Cu〇5_z，其中〇彡 zS0.2 ; (Tl uPb^SuCuOtz，其中〇 $ w S 0.5 : 〇 ^ z ^ 0.2 ； Tl〇.5pb〇.5Sr2Cu〇5-z，其中 0.25SzS〇.5 ; Tl〇.5pb0.5Sr2(Cai_yYy)Cu2〇7，其中〇.6$ y彡 1 ; LaAl〇3 ; NdGa〇3 ;及 Ce〇2。 5·报據申請專利範圍第4項之物件，其中該絕緣層係僅與〜個超導層接觸，且係選自包括LaA103、NdGa〇3或 Ce〇2。 6·根據申請專利範圍第1項之物件，其中該基材係選自包括LaAl〇3、NdGa〇3、具有Ce〇2緩衝層之藍寶石、 M g 〇及經釔安定化之氧化锆。 7·根據申請專利範圍第1項之物件，其中第一個超導層爲本紙織適用^i^T)A_2丨0X297公Ϊ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

(Tl’Pb)Sr2Ca〇 8Y0 2Cu2〇7 ,中間層爲 (Tl，Pb)Sr2Cu2〇5，第二個超導層爲 (Tl，Pb)Sr2Ca08Y0.2Cu2〇7，且該基材爲 N d G a 0 3。 8.根據申請專利範圍第！項之物件，其中第_個超導層爲 (Tl’Pb)Sr2Ca〇 8Y0 2CU2〇7，中間層爲 (Tl’Pb)Sr2Cu205，第二個超導層爲 (Tl’Pb)Sr2Ca〇 8Y0 2Cu2〇7，且該基材爲乙迁A1 〇 3 ° 9‘根據申請專利範圍第”員之物件，其係呈j〇sephs〇n接面之形式。 10·根據中請專利範圍第！項之物件，其係、呈多E拾波線圈之形式。 U.種經改良之氣相方法，其係藉氣相沈積連續數層以製備根據申請專利範圍第1項之物件，其方式是提供第一個相對較具揮發性之含鉈氧化物之來源，提供第二個不揮發性氧化物之來源，經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 ---------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 知來自该第二個來源之不揮發性氧化物沈積在基材上. ，且同時將來自該第一個來源之足量含鉈氧化物沈積在孩基材上，以提供預定化學計量之結晶性薄膜，其中當已沈積之薄膜爲一種超導薄膜時，其改良事項包括在〇2或N2〇存在下，在約ι_33Χ 1〇 + 4 pa至約 10.1 X 10 + 5〜之壓力下，將此超導薄膜加熱至溫度大於7 0 0Ό，但低於薄膜之分解溫度。 -4- 本纸張U適用中國國家標準（CNS)A4_f210X297公董） 318287 降正 A8 B8 C8 D8

六、申請專利範圍 12. 根據申請專利範圍第1 1項之方法，其中該超導薄膜係被加熱到約7 0 0 °C至約8 5 0 °C之溫度。 13. 根據申請專利範圍第1 1項之方法，其中該超導薄膜係被加熱到約7 7 5 °C至約8 0 0 °C之溫度。 14. 根據申請專利範圍第1 1項之方法，其中0 2或N 2 〇之壓力最低値爲約6.6 7 X 1 0 4 P a。 15. 根據申請專利範圍第1 1項之方法，其中0 2或N 2 〇之壓力最低値爲約2.6 7 X 1 0 4 P a。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製本纸杀尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）