CN111969102B - 一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善超导钛‑铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。本发明在超导钛‑铌薄膜之间沉积一层缓冲层钛薄膜，可有效阻隔铌薄膜内的杂质分子向超导钛薄膜扩散，进而保持超导钛薄膜的超导特性稳定。
Description
技术领域
本发明属于超导电子器件技术领域，涉及一种超导电子器件的制备方法，尤其涉及一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法。
背景技术
超导相变边缘探测器在毫米波到高能射线的广阔电磁波段均展现出超高的灵敏度，已广泛应用于天文观测、量子信息和生物成像等领域。超导测温体是超导相变边缘探测器中的核心元件，用于吸收外来辐射信号，一般由一块厚度几十纳米，面积几十到几百平方微米的超导薄膜构成；为了读取超导测温体的输出信号，还需要引线连接测温体，用于测量输出信号。
在实际应用中，受到探测器工作机制和制冷技术的限制，超导钛薄膜成为为数不多的超导测温体候选材料之一，而测温体的信号引线一般采用工艺成熟、性能稳定的超导铌薄膜。但是钛和铌都是吸附性材料，特别是钛的化学性质活泼，对氢、氧、氮、一氧化碳等分子具有很强的吸附作用(很强的结合能)，当钛薄膜与引线层铌薄膜直接接触时，由于钛薄膜具有更强的吸附性，铌薄膜中的氢、氧、水、一氧化碳和二氧化碳等分子会逐渐扩散到钛薄膜中，影响钛薄膜的纯度、微结构，导致钛膜的超导转变温度降低，转变宽度增加，进而恶化器件的性能，之前已有多个研究组发现了该问题(Ding et al.,IEEETrans.Appl.Supercond.27(4),2100204,2017和Boris S.Karasik et al.,IEEETransactions on Terahertz Science and Technology,25(1),16,2015)。因此开发一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的方法具有实际应用价值。
发明内容
针对以上现有技术的缺点，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备,用于解决现有技术中由于钛的强吸附性，而导致钛-铌接触电极内铌薄膜中的杂质分子扩散到钛薄膜中，进而恶化钛薄膜超导特性和探测器性能的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：
步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。具体的，光刻胶形成在超导钛薄膜上面以及衬底上面，形成的光刻胶反转图形包括钛-铌接触电极图形，即位于超导钛薄膜上、未被光刻胶覆盖的区域。当然，光刻胶反转图形还包括周围的引线电路图形，即由衬底上面的光刻胶所围成的区域。
步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。
步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。超导钛薄膜图形与钛铌双层膜的图形构成具有超导钛薄膜-缓冲层钛薄膜-超导铌薄膜结构的钛-铌薄膜接触电极。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，步骤S2包括以下步骤：S21、将步骤S1处理后的衬底载入镀膜真空腔，对镀膜真空腔抽真空至背景压力；S22、沉积缓冲层钛薄膜；S23、不破坏上述镀膜真空腔的真空环境，并对镀膜真空腔抽真空至S21的背景压力，再沉积超导铌薄膜。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，衬底为硅衬底、石英衬底、蓝宝石衬底或氧化镁衬底。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，光刻胶为用于剥离工艺的单层光刻胶或者双层光刻胶。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，缓冲层钛薄膜的厚度为50-100埃。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，超导铌薄膜的厚度为600-2000埃。
进一步，本发明提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，还可以具有这样的特征：其中，镀膜真空腔的背景压力小于等于E-8Torr量级。
本发明的有益效果在于：
一、本发明在超导钛-铌薄膜接触电极之间沉积一层缓冲层钛薄膜，缓冲层钛薄膜可吸附铌薄膜内的杂质分子，阻隔杂质分子向下层的超导钛薄膜扩散，进而保持下层超导钛薄膜的超导特性稳定，而缓冲层钛薄膜的电性并不影响探测器的工作机制和性能。
二、由于缓冲层钛薄膜的材料特性与超导钛薄膜一致，因此缓冲层不会影响其下层超导钛薄膜的特性。
三、由于缓冲层钛薄膜的厚度很薄(50-100埃)，因此缓冲层对引线层超导铌薄膜的影响可以忽略。
附图说明
图1是本发明提供的一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法中各工艺步骤对应的剖面结构示意图；
图2是实施例1制备的超导相变边缘探测器的RT曲线；
图3是常见的传统工艺制备的超导钛转变边缘探测器的RT曲线。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本实施例提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，包括步骤如下：
步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。
具体的，如图1a所示，取一厚度为0.3mm直径为2英寸的单晶硅衬底1，在该衬底1上利用光刻-剥离工艺和电子束蒸镀制备所需图形的超导钛薄膜2，其中超导钛薄膜2厚度为383埃。然后采用反转光刻胶AZ5214E和常规光刻工艺在该衬底(含超导钛薄膜2)上形成光刻胶，包括形成在超导钛薄膜2上面中部的光刻胶31以及衬底上面的光刻胶32，从而制作引线层超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。其中，光刻胶反转图形包括钛-铌接触电极图形，即位于超导钛薄膜2上方、未被光刻胶31覆盖的区域。此外，光刻胶反转图形还包括周围的引线电路图形，即由衬底上面的光刻胶32所围成的区域。
其中，衬底还可以替换为石英衬底、蓝宝石衬底或氧化镁衬底。光刻胶还可以为用于剥离工艺的其他单层光刻胶或者双层光刻胶。
步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，再原位沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。
步骤S2具体包括以下步骤：S21、将步骤S1处理后的衬底载入镀膜真空腔，对镀膜真空腔抽真空至背景压力；S22、沉积缓冲层钛薄膜；S23、不破坏上述镀膜真空腔的真空环境，并对镀膜真空腔抽真空至S21的背景压力，再沉积超导铌薄膜。
具体的，如图1b所示，将衬底载入磁控溅射真空腔，抽真空至背景压力5E-8Torr，沉积缓冲层钛薄膜4。不破坏上述真空腔的真空环境，并对该腔抽真空至5E-8Torr，沉积引线层超导铌薄膜5。经过两次沉积，光刻胶上面也沉积有钛铌双层膜6
其中，缓冲层钛薄膜厚度为100埃，超导铌薄膜为891埃。
步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。
具体的，利用丙酮去除光刻胶及光刻胶上的钛铌双层膜6，形成所需的钛铌双层膜图形。导钛薄膜图形与钛铌双层膜的图形共同构成具有超导钛薄膜2-缓冲层钛薄膜4-超导铌薄膜5结构的钛-铌薄膜接触电极，如图1c所示。
对本实施例制备出的钛-铌薄膜接触电极(超导钛相变边缘探测器)进行测试，其电阻-温度(R-T)曲线如图2所示，其超导转变温度为262mK，转变宽度为5mK，展现出优良的超导电性。作为对比，图3显示了常见的传统工艺(直接在超导钛薄膜上沉积引线层铌薄膜)制备的超导钛转变边缘探测器的RT曲线，由曲线可知，超导钛薄膜经常失去超导特性。
实施例2
本实施例提供一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形，其中包括钛-铌接触电极图形。
具体的，如图1a所示，取一厚度为0.3mm直径为2英寸的单晶石英衬底1，在该衬底1上利用光刻-剥离工艺和电子束蒸镀制备所需图形的超导钛薄膜2，其中超导钛薄膜2厚度为303埃。然后采用反转光刻胶AZ5214E和常规光刻工艺在该衬底(含超导钛薄膜2)上形成光刻胶，制作引线层超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形，其中包括钛-铌接触电极图形。
其中，衬底还可以替换为硅衬底、蓝宝石衬底或氧化镁衬底。光刻胶还可以为用于剥离工艺的其他单层光刻胶或者双层光刻胶。
步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，再原位沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。
具体的，将衬底载入磁控溅射真空腔，抽真空至背景压力2E-8Torr，沉积缓冲层钛薄膜4。不破坏上述真空腔的真空环境，并对该腔抽真空至3E-8Torr，沉积引线层超导铌薄膜5。
其中，缓冲层钛薄膜厚度为80埃，引线层超导铌薄膜为904埃。
步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。
具体的，利用丙酮去除光刻胶及光刻胶上的钛铌双层膜6，形成所需的钛铌双层膜图形。
本实施例中，缓冲层钛薄膜厚度也可以为50埃，引线层超导铌薄膜也可以为600或200埃。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，本发明要求保护范围由所附的权利要求书、说明书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
包括步骤如下：
步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形；光刻胶反转图形包括钛-铌接触电极图形，即位于超导钛薄膜上方、未被光刻胶覆盖的区域；还包括周围的引线电路图形，即由衬底上面的光刻胶所围成的区域；
步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜；
步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。
2.根据权利要求1所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述步骤S2包括以下步骤：
S21、将步骤S1处理后的衬底载入镀膜真空腔，对镀膜真空腔抽真空至背景压力；
S22、沉积缓冲层钛薄膜；
S23、不破坏上述镀膜真空腔的真空环境，并对镀膜真空腔抽真空至S21所述的背景压力，再沉积超导铌薄膜。
3.根据权利要求1所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述衬底为硅衬底、石英衬底、蓝宝石衬底或氧化镁衬底。
4.根据权利要求1所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述光刻胶为用于剥离工艺的单层光刻胶或者双层光刻胶。
5.根据权利要求1所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述缓冲层钛薄膜的厚度为50-100埃。
6.根据权利要求1所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述超导铌薄膜的厚度为600-2000埃。
7.根据权利要求2所述的改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法，其特征在于：
其中，所述镀膜真空腔的背景压力小于等于E-8Torr量级。
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Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160186A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路の端子電極 |
| JPS6135574A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 超電導ホトトランジスタ |
| JPS62131588A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Hitachi Ltd | 超伝導トランジスタの製法 |
| JPS63300579A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン回路の製造方法 |
| JPH01128481A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン接合素子 |
| JPH05183206A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 超電導体用電極の製造方法 |
| US5286336A (en) * | 1991-07-23 | 1994-02-15 | Trw Inc. | Submicron Josephson junction and method for its fabrication |
| US5567673A (en) * | 1994-10-17 | 1996-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming multilayered Tl-containing superconducting composites |
| KR20010057687A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | 황인길 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
| JP2001257392A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 超電導素子およびその製造方法 |
| CN101385097A (zh) * | 2006-02-16 | 2009-03-11 | 住友电气工业株式会社 | 超导薄膜材料的制造方法，超导装置和超导薄膜材料 |
| CN101449340A (zh) * | 2006-05-18 | 2009-06-03 | 住友电气工业株式会社 | 超导薄膜材料以及超导薄膜材料的制造方法 |
| CN103824647A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-05-28 | 住友电气工业株式会社 | 前体的制造方法、超导线材的制造方法、前体和超导线材 |
| CN107267928A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 中国科学院紫金山天文台 | 利用蒸镀法在光阻掩膜衬底上制备超导钛薄膜的方法 |
| CN110444658A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-12 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法 |
-
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- 2020-09-11 CN CN202010952813.6A patent/CN111969102B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160186A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-21 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路の端子電極 |
| JPS6135574A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Hitachi Ltd | 超電導ホトトランジスタ |
| JPS62131588A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Hitachi Ltd | 超伝導トランジスタの製法 |
| JPS63300579A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン回路の製造方法 |
| JPH01128481A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Fujitsu Ltd | ジョセフソン接合素子 |
| US5286336A (en) * | 1991-07-23 | 1994-02-15 | Trw Inc. | Submicron Josephson junction and method for its fabrication |
| JPH05183206A (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-23 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 超電導体用電極の製造方法 |
| US5567673A (en) * | 1994-10-17 | 1996-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming multilayered Tl-containing superconducting composites |
| KR20010057687A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-05 | 황인길 | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 |
| JP2001257392A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 超電導素子およびその製造方法 |
| CN101385097A (zh) * | 2006-02-16 | 2009-03-11 | 住友电气工业株式会社 | 超导薄膜材料的制造方法，超导装置和超导薄膜材料 |
| CN101449340A (zh) * | 2006-05-18 | 2009-06-03 | 住友电气工业株式会社 | 超导薄膜材料以及超导薄膜材料的制造方法 |
| CN103824647A (zh) * | 2008-11-28 | 2014-05-28 | 住友电气工业株式会社 | 前体的制造方法、超导线材的制造方法、前体和超导线材 |
| CN107267928A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-10-20 | 中国科学院紫金山天文台 | 利用蒸镀法在光阻掩膜衬底上制备超导钛薄膜的方法 |
| CN110444658A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-12 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于AlMn合金超导薄膜的TES微量能器及制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Baba S, Sailer J, Deacon R S, et al. .Superconducting transport in single and parallel double InAs quantum dot Josephson junctions with Nb-based superconducting electrodes.《Applied Physics Letters》.2015,第107卷(第22期),全文. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111969102A (zh) | 2020-11-20 |
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