JP2502744B2 - 薄膜超電動体の製造方法 - Google Patents
薄膜超電動体の製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、液体窒素の弗点以上の高臨界温度が期待さ
れるビスマスと（ストロンチウム＋カルシウム）と銅を
2:3:2のモル比で含む酸化物薄膜超電導体の製造方法に
関するものである。
れるビスマスと（ストロンチウム＋カルシウム）と銅を
2:3:2のモル比で含む酸化物薄膜超電導体の製造方法に
関するものである。
従来の技術 高温超電導体として、A15型２元系化合物として窒化
ニオブ（NbN）やゲルマニウムニオブ（Nb3Ge）などが知
られていたが、これらの材料の臨界温度はたかだか24K
であった。一方、ペロブスカイト系３元化合物は、さら
に高い臨界温度が期待され、Ba−La−Cu−Ｏ系の高温超
電導体が提案された［ジェイ・ジー・デンドルツ アン
ド ケー・エー・ミュラー、（ツァイト シュリフト
フェアフィジーク べー）−コンデンスト マター（J.
G.Dendorz and K.A.Muller,（Zetshrift Furphysik B）
−Condensed Matter 64,189−193（1986））］。
ニオブ（NbN）やゲルマニウムニオブ（Nb3Ge）などが知
られていたが、これらの材料の臨界温度はたかだか24K
であった。一方、ペロブスカイト系３元化合物は、さら
に高い臨界温度が期待され、Ba−La−Cu−Ｏ系の高温超
電導体が提案された［ジェイ・ジー・デンドルツ アン
ド ケー・エー・ミュラー、（ツァイト シュリフト
フェアフィジーク べー）−コンデンスト マター（J.
G.Dendorz and K.A.Muller,（Zetshrift Furphysik B）
−Condensed Matter 64,189−193（1986））］。
さらに、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系の材料が77K以上の臨
界温度を示すことも発見された。Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系
では80Kと105Kの超電導相が存在することが知られてい
る［エイチ・マエダ、ワイ・タナカ、エム・フクトミ
アンド ティー・アサノ、（ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス）H.Maeda,Y.Tanak
a,M.Fukutomi and T.Asano,（Japanese Journal of App
−lied Physics）Vol.27,L209−210（1988）］。この種
の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが、臨界温
度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超電導体と
して従来の２元系化合物より、より有望な特性が期待さ
れる。Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系の80Kの超電導相は105Kの
超電導相に比べてより安定であり、また薄膜としたとき
の表面状態がより平滑である等の理由から超電導を利用
した薄膜デバイス作成において極めて有望な材料と考え
られている。
界温度を示すことも発見された。Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系
では80Kと105Kの超電導相が存在することが知られてい
る［エイチ・マエダ、ワイ・タナカ、エム・フクトミ
アンド ティー・アサノ、（ジャパニーズ・ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス）H.Maeda,Y.Tanak
a,M.Fukutomi and T.Asano,（Japanese Journal of App
−lied Physics）Vol.27,L209−210（1988）］。この種
の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが、臨界温
度が室温以上に高くなる可能性があり、高温超電導体と
して従来の２元系化合物より、より有望な特性が期待さ
れる。Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系の80Kの超電導相は105Kの
超電導相に比べてより安定であり、また薄膜としたとき
の表面状態がより平滑である等の理由から超電導を利用
した薄膜デバイス作成において極めて有望な材料と考え
られている。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系の材料は、現在
の技術では主として焼結という過程でしか形成できない
ため、セラミックの粉末あるいはブロックの形状でしか
得られない。一方、この種の材料を実用化する場合、薄
膜状に加工することが強く要望されているが、従来の技
術では、良好な表面平滑性と安定な超電導特性を有する
薄膜作製は難しいものであった。すなわち、Bi−Sr−Ca
−Cu−Ｏ系には臨界温度の異なるいくつかの相が存在す
ることが知られているが、特に80Kの臨界温度をもつ相
だけ、100K以上の臨界温度を持つ相だけを個別に、再現
性良く薄膜の形態で作製し安定な超電導特性を達成する
のは非常に困難とされていた。また、従来このBi系にお
いて良好な超電導特性を示す薄膜を形成するためには少
なくとも700℃以上の熱処理あるいは形成時の加熱が必
要であり表面の平滑性は良好なものではなく集積化デバ
イスを構成することはたいへん困難であるとされてい
た。超電導を利用した薄膜デバイスの作成においては表
面状態がより平滑でありその超電導特性が安定している
ことが必要である。
の技術では主として焼結という過程でしか形成できない
ため、セラミックの粉末あるいはブロックの形状でしか
得られない。一方、この種の材料を実用化する場合、薄
膜状に加工することが強く要望されているが、従来の技
術では、良好な表面平滑性と安定な超電導特性を有する
薄膜作製は難しいものであった。すなわち、Bi−Sr−Ca
−Cu−Ｏ系には臨界温度の異なるいくつかの相が存在す
ることが知られているが、特に80Kの臨界温度をもつ相
だけ、100K以上の臨界温度を持つ相だけを個別に、再現
性良く薄膜の形態で作製し安定な超電導特性を達成する
のは非常に困難とされていた。また、従来このBi系にお
いて良好な超電導特性を示す薄膜を形成するためには少
なくとも700℃以上の熱処理あるいは形成時の加熱が必
要であり表面の平滑性は良好なものではなく集積化デバ
イスを構成することはたいへん困難であるとされてい
た。超電導を利用した薄膜デバイスの作成においては表
面状態がより平滑でありその超電導特性が安定している
ことが必要である。
本発明は良好な表面平滑性を有し、安定な超電導特性
を与える超電導薄膜を低温のプロセスで作製することを
目的とするものであり、80Kの臨界温度をもつ安定な相
だけを低温で選択的に薄膜化するものである。
を与える超電導薄膜を低温のプロセスで作製することを
目的とするものであり、80Kの臨界温度をもつ安定な相
だけを低温で選択的に薄膜化するものである。
課題を解決するための手段 本発明の超電導体の製造方法は、基体上に、少なくと
もビスマスを含む酸化物を２層、ストロンチウムおよび
カルシウムを含む酸化物を３層、銅を含む酸化物を２層
周期的に積層させて得るものであり、その積層構造の中
でストロンチウムの一部をカルシウムで、そして／また
はカルシウムの一部をストロンチウムで置換することに
より低温のブロセスで高い再現性を実現するものであ
る。
もビスマスを含む酸化物を２層、ストロンチウムおよび
カルシウムを含む酸化物を３層、銅を含む酸化物を２層
周期的に積層させて得るものであり、その積層構造の中
でストロンチウムの一部をカルシウムで、そして／また
はカルシウムの一部をストロンチウムで置換することに
より低温のブロセスで高い再現性を実現するものであ
る。
作用 異なる物質を周期的に積層させて新しい薄膜を作る方
法は金属薄膜、酸化物薄膜でいくつか試みられている
が、基体温度を高くすると層間拡散のため周期構造が消
失してしまうことが常識であった。このため通常は周期
構造を作る場合は基体の冷却を行なうこともある。
法は金属薄膜、酸化物薄膜でいくつか試みられている
が、基体温度を高くすると層間拡散のため周期構造が消
失してしまうことが常識であった。このため通常は周期
構造を作る場合は基体の冷却を行なうこともある。
本発明者らはこのBiを含む酸化物超電導体に対し、例
えば、異なる２つ以上のターゲットをもちいたスパッタ
リングによりストロンチウムの一部をカルシウムで、そ
して／またはカルシウムの一部をストロンチウムで置換
し、超電導薄膜の臨界温度と薄膜の周期的結晶構造中で
の原子配列が関係することを発見した。ストロンチウム
をカルシウムで、そしてカルシウムをストロンチウムで
置換した場合、置換量を零からだんだんと増やして行く
ことにより臨界温度の上昇がみられた。ストロンチウム
の40％をカルシウムで、そしてカルシウムの40％をスト
ロンチウムで置換した場合80Kの臨界温度が再現性良く
得られた。
えば、異なる２つ以上のターゲットをもちいたスパッタ
リングによりストロンチウムの一部をカルシウムで、そ
して／またはカルシウムの一部をストロンチウムで置換
し、超電導薄膜の臨界温度と薄膜の周期的結晶構造中で
の原子配列が関係することを発見した。ストロンチウム
をカルシウムで、そしてカルシウムをストロンチウムで
置換した場合、置換量を零からだんだんと増やして行く
ことにより臨界温度の上昇がみられた。ストロンチウム
の40％をカルシウムで、そしてカルシウムの40％をスト
ロンチウムで置換した場合80Kの臨界温度が再現性良く
得られた。
50％以上置換すると薄膜の結晶性が減少し、また臨界
温度も低下する。本発明により良質で高性能な薄膜超電
導体を低温プロセスで再現性良く得ることが可能となっ
た。
温度も低下する。本発明により良質で高性能な薄膜超電
導体を低温プロセスで再現性良く得ることが可能となっ
た。
実施例 以下に、本発明の実施例につい図面を参照しながら説
明する。
明する。
まず、本発明者らの検討例を述べる。
すなわち、たとえばビスマスのターゲットと適当に組
成比を変化させたストロンチウムとカルシウムの第１の
合金ターゲットと銅のターゲットそして適当に組成比を
変化させたカルシウムとストロンチウムの第２の合金タ
ーゲットをアルゴンと酸素混合ガス中で交互にスパッタ
リングし、MgO（100）基体上に周期的に積層させた。ス
トロンチウムの40％をカルシウムで、そしてカルシウム
の40％をストロンチウムで置換した場合600℃以下の基
体温度でも80Kの臨界温度を持つ相を安定に作製し得る
ことを発見した。
成比を変化させたストロンチウムとカルシウムの第１の
合金ターゲットと銅のターゲットそして適当に組成比を
変化させたカルシウムとストロンチウムの第２の合金タ
ーゲットをアルゴンと酸素混合ガス中で交互にスパッタ
リングし、MgO（100）基体上に周期的に積層させた。ス
トロンチウムの40％をカルシウムで、そしてカルシウム
の40％をストロンチウムで置換した場合600℃以下の基
体温度でも80Kの臨界温度を持つ相を安定に作製し得る
ことを発見した。
第１図は得られた薄膜のＸ線回折パタンであり、これ
までセラミック超電導体において得られている80Kの臨
界温度をもつ相の結晶系、格子常数と一致する。第２図
（ａ），（ｂ）は得られた薄膜のＸ線光電子スペクトル
である。Ｘ線により励起され固体中から飛び出した光電
子の束縛エネルギはその電子が固体中で存在していた原
子の電子状態を反映している。例えばストロンチウムの
同じ内殻準位の電子でもその電子が存在していたストロ
ンチウム原子の結晶中での位置が異なるとそれぞれの電
子が置かれていた電場の大きさの違いが束縛エネルギに
反映される。つまり結晶中での配位子の距離や数そして
その種類の違いをこの電子スペクトルから知ることが出
来る。配位子との距離が大きく、その数が多い方が束縛
エネルギが小さくなる。ここではストロンチウムとカル
シウムの3d、2p電子のスペクトルを示している。スペク
トルの分離を3d,2pの電子スペクトルについておこなっ
た。ストロンチウムとカルシウムが結晶中で局在してい
るならば、それぞれの内殻電子スペクトルは単一成分か
らなる。
までセラミック超電導体において得られている80Kの臨
界温度をもつ相の結晶系、格子常数と一致する。第２図
（ａ），（ｂ）は得られた薄膜のＸ線光電子スペクトル
である。Ｘ線により励起され固体中から飛び出した光電
子の束縛エネルギはその電子が固体中で存在していた原
子の電子状態を反映している。例えばストロンチウムの
同じ内殻準位の電子でもその電子が存在していたストロ
ンチウム原子の結晶中での位置が異なるとそれぞれの電
子が置かれていた電場の大きさの違いが束縛エネルギに
反映される。つまり結晶中での配位子の距離や数そして
その種類の違いをこの電子スペクトルから知ることが出
来る。配位子との距離が大きく、その数が多い方が束縛
エネルギが小さくなる。ここではストロンチウムとカル
シウムの3d、2p電子のスペクトルを示している。スペク
トルの分離を3d,2pの電子スペクトルについておこなっ
た。ストロンチウムとカルシウムが結晶中で局在してい
るならば、それぞれの内殻電子スペクトルは単一成分か
らなる。
この図からはそれぞれのスペクトルが２成分よりなる
ことが分かる。つまり結晶中でストロンチウムとカルシ
ウムの40％が互いに原子位置を置換していることになる
（これはストロンチウムの層：第４図層Ａとカルシウム
の層：第４図層Ｂの各々の層においてストロンチウムの
20％とカルシウムの40％が互いに置換していることにな
る）。従来の単一元素ターゲットを用いた場合には基体
温度を700℃以上としなければ80Kの相を実現することは
できなかった。この方法では、高温を利用し拡散を用い
るため温度変化に敏感であり特性の再現性に問題があっ
た。発明者らは例えばストロンチウムの20％をカルシウ
ムで、そしてカルシウムの40％をストロンチウムで置換
した場合、基体温度400−600℃でビスマスとストロンチ
ウムの合金ターゲットそしてストロンチウムとカルシウ
ムの合金ターゲットのスパッタレートを適宜に調整する
と、積層周期に対応して80Kの相が出現し、薄膜で80Kの
臨界温度も得られ、超電導特性の良好な再現性も得られ
た。また積層を周期的ではなく同時に行なった場合には
80Kの臨界温度を持つ相の再現性は良好ではなかった。
作製した薄膜はそのままの状態でも臨界温度を示すが、
酸素中500−700℃程度で熱処理を行なうとより確実に80
Kの臨界温度を示した。
ことが分かる。つまり結晶中でストロンチウムとカルシ
ウムの40％が互いに原子位置を置換していることになる
（これはストロンチウムの層：第４図層Ａとカルシウム
の層：第４図層Ｂの各々の層においてストロンチウムの
20％とカルシウムの40％が互いに置換していることにな
る）。従来の単一元素ターゲットを用いた場合には基体
温度を700℃以上としなければ80Kの相を実現することは
できなかった。この方法では、高温を利用し拡散を用い
るため温度変化に敏感であり特性の再現性に問題があっ
た。発明者らは例えばストロンチウムの20％をカルシウ
ムで、そしてカルシウムの40％をストロンチウムで置換
した場合、基体温度400−600℃でビスマスとストロンチ
ウムの合金ターゲットそしてストロンチウムとカルシウ
ムの合金ターゲットのスパッタレートを適宜に調整する
と、積層周期に対応して80Kの相が出現し、薄膜で80Kの
臨界温度も得られ、超電導特性の良好な再現性も得られ
た。また積層を周期的ではなく同時に行なった場合には
80Kの臨界温度を持つ相の再現性は良好ではなかった。
作製した薄膜はそのままの状態でも臨界温度を示すが、
酸素中500−700℃程度で熱処理を行なうとより確実に80
Kの臨界温度を示した。
ビスマスおよびストロンチウム、カルシウム、銅を含
む酸化物とを周期的に積層させる方法としては、いくつ
か考えられる。一般に、MBE装置あるいは多元のEB蒸着
装置で蒸発源の前を開閉シャッターで制御したり、気相
成長法で作製する際にガスの種類を切り替えたりするこ
とにより、周期的積層を達成することができる。しかし
この種の非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸
着は不向きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧
の高さに起因する不純物の混入およびエネルギーの高い
粒子によるダメージと考えられている。
む酸化物とを周期的に積層させる方法としては、いくつ
か考えられる。一般に、MBE装置あるいは多元のEB蒸着
装置で蒸発源の前を開閉シャッターで制御したり、気相
成長法で作製する際にガスの種類を切り替えたりするこ
とにより、周期的積層を達成することができる。しかし
この種の非常に薄い層の積層には従来スパッタリング蒸
着は不向きとされていた。この理由は、成膜中のガス圧
の高さに起因する不純物の混入およびエネルギーの高い
粒子によるダメージと考えられている。
しかしながら、本発明者らは、このBi系酸化物超電導
体に対してスパッタリングにより異なる薄い層の積層を
行なったところ、以外にも良好な積層膜作製が可能なこ
とを発見した。スパッタ中の高い酸素ガス圧およびスパ
ッタ放電が、Bi系の80Kの臨界温度を持つ相の形成に都
合がよいためではなかろうかと考えられる。特にストロ
ンチウムの層（：第４図層Ａ）のストロンチウムの20％
をカルシウムで、そしてカルシウムの層（：第４図層
Ｂ）のカルシウムの40％をストロンチウムで置換した場
合、特に低い温度で安定な膜が再現性よく得られること
が分かった。
体に対してスパッタリングにより異なる薄い層の積層を
行なったところ、以外にも良好な積層膜作製が可能なこ
とを発見した。スパッタ中の高い酸素ガス圧およびスパ
ッタ放電が、Bi系の80Kの臨界温度を持つ相の形成に都
合がよいためではなかろうかと考えられる。特にストロ
ンチウムの層（：第４図層Ａ）のストロンチウムの20％
をカルシウムで、そしてカルシウムの層（：第４図層
Ｂ）のカルシウムの40％をストロンチウムで置換した場
合、特に低い温度で安定な膜が再現性よく得られること
が分かった。
スパッタ蒸着で異なる物質を積層させる他の方法とし
ては、組成分布を設けた１ケのスパッタリングターゲッ
トの放電位置を周期的に制御するという方法があるが、
組成の異なる複数個のターゲットのスパッタリングとい
う方法を用いると比較的簡単に達成することができる。
この場合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周
期的に制御したり、あるいはターゲットの前にシャッタ
ーを設けて周期的に開閉したりして、周期的積層膜を作
製することができる。また基板を周期的に運動させて各
々ターゲットの上を移動させる方法でも作製が可能であ
る。レーザースパッタあるいはイオンビームスパッタを
用いた場合には、複数個のターゲットを周期運動させて
ビームの照射するターゲットを周期的に変えれば、周期
的積層膜が実現される。
ては、組成分布を設けた１ケのスパッタリングターゲッ
トの放電位置を周期的に制御するという方法があるが、
組成の異なる複数個のターゲットのスパッタリングとい
う方法を用いると比較的簡単に達成することができる。
この場合、複数個のターゲットの各々のスパッタ量を周
期的に制御したり、あるいはターゲットの前にシャッタ
ーを設けて周期的に開閉したりして、周期的積層膜を作
製することができる。また基板を周期的に運動させて各
々ターゲットの上を移動させる方法でも作製が可能であ
る。レーザースパッタあるいはイオンビームスパッタを
用いた場合には、複数個のターゲットを周期運動させて
ビームの照射するターゲットを周期的に変えれば、周期
的積層膜が実現される。
このように複数個のターゲットを用いたスパッタリン
グにより比較的簡単にBi系酸化物の周期的積層が作製可
能となる。
グにより比較的簡単にBi系酸化物の周期的積層が作製可
能となる。
以下本発明の内容をさらに深く理解されるために、具
体的な実施例を示す。
体的な実施例を示す。
（実施例１） BiおよびSrCa合金、Cu,CaSr合金の計４個のターゲッ
トを用い、第３図に示すように配置した。すなわち、Mg
O（100）基体31に焦点を結ぶように各ターゲットが約30
度傾いて設置されている。ターゲットの前方には回転す
るシャッター32があり、その中に設けれたスリット33の
回転によりBi→SrCa合金→Cu→CaSr合金→Cu→SrCa合金
→Biというサイクルでスパッタ蒸着が行われる。基体31
をヒーター34で約600℃に加熱し、アルゴン：酸素（5:
1）混合雰囲気3Paのカス中で各ターゲットのスパッタリ
ングをおこなった。各ターゲットのスパッタ電流を、B
i:30mA,SrCa合金:50mA,Cu:250mA,CaSr合金50mAとし、シ
ャッター32の回転周期を10分間として周期的積層を行っ
たところ、基体温度600℃で80Kの臨界温度を持つ相を作
製することができた。約10時間の蒸着により100nm程度
の薄膜が作製された。組成はBi:Sr:Ca:Cu＝2:2:1:2であ
った。このままの状態でもこの薄膜は80Kの臨界温度を
示したが、さらに酸素中で650℃、１時間の熱処理を行
うと再現性が非常に良くなった。80Kの臨界温度を持つ
相の構造を今回の検討結果も含めて整理すると第４図に
示す様になる。
トを用い、第３図に示すように配置した。すなわち、Mg
O（100）基体31に焦点を結ぶように各ターゲットが約30
度傾いて設置されている。ターゲットの前方には回転す
るシャッター32があり、その中に設けれたスリット33の
回転によりBi→SrCa合金→Cu→CaSr合金→Cu→SrCa合金
→Biというサイクルでスパッタ蒸着が行われる。基体31
をヒーター34で約600℃に加熱し、アルゴン：酸素（5:
1）混合雰囲気3Paのカス中で各ターゲットのスパッタリ
ングをおこなった。各ターゲットのスパッタ電流を、B
i:30mA,SrCa合金:50mA,Cu:250mA,CaSr合金50mAとし、シ
ャッター32の回転周期を10分間として周期的積層を行っ
たところ、基体温度600℃で80Kの臨界温度を持つ相を作
製することができた。約10時間の蒸着により100nm程度
の薄膜が作製された。組成はBi:Sr:Ca:Cu＝2:2:1:2であ
った。このままの状態でもこの薄膜は80Kの臨界温度を
示したが、さらに酸素中で650℃、１時間の熱処理を行
うと再現性が非常に良くなった。80Kの臨界温度を持つ
相の構造を今回の検討結果も含めて整理すると第４図に
示す様になる。
基本的には、金属元素がBi→Sr→Cu→Ca→Cu→Sr→Bi
の順序で並んだ酸化物の層から成り立っており、Cu酸化
物の層にホールを供給するのにつごうが良いように、第
１表に示すようにCaより＋１価だけ価数の大きいSrが一
部のCaを置換している。
の順序で並んだ酸化物の層から成り立っており、Cu酸化
物の層にホールを供給するのにつごうが良いように、第
１表に示すようにCaより＋１価だけ価数の大きいSrが一
部のCaを置換している。
Srの酸化物層は一部Caにより置換されている。これは
結晶全体としての電気的中性を保ち、また構造の周期性
を保つために役立っているものとかんがえられる。本発
明の製造方法は、この構造を作るのに非常に有効と考え
られる。また従来に比べて低温で形成されるようになっ
た。これは従来と異なり蒸着中または蒸着後の各元素間
の拡散を用いるのではなく、蒸着時点からの元素置換の
効果である。また、ここではターゲットの例として合金
を用いる場合を示したが混合酸化物でも高周波スパッタ
法を用いれば可能である。
結晶全体としての電気的中性を保ち、また構造の周期性
を保つために役立っているものとかんがえられる。本発
明の製造方法は、この構造を作るのに非常に有効と考え
られる。また従来に比べて低温で形成されるようになっ
た。これは従来と異なり蒸着中または蒸着後の各元素間
の拡散を用いるのではなく、蒸着時点からの元素置換の
効果である。また、ここではターゲットの例として合金
を用いる場合を示したが混合酸化物でも高周波スパッタ
法を用いれば可能である。
発明の効果 以上のように本発明の薄膜超電導体の製造方法は、そ
の安定性、表面平滑性などから超電導デバイス材料とし
て最有力の80Kの臨界温度をもつBi系酸化物超電導薄膜
の再現性の良い低温プロセスを提供するものであり、デ
バイスなどの応用には必須である低温でのプロセスを確
立したものである。それゆえ本発明の工業的価値は大で
ある。
の安定性、表面平滑性などから超電導デバイス材料とし
て最有力の80Kの臨界温度をもつBi系酸化物超電導薄膜
の再現性の良い低温プロセスを提供するものであり、デ
バイスなどの応用には必須である低温でのプロセスを確
立したものである。それゆえ本発明の工業的価値は大で
ある。
第１図は本発明の実施例に於ける薄膜のＸ線回折パタン
グラフ、第２図は本発明の実施例に於ける薄膜のＸ線光
電子分光スペクトルグラフ、第３図は本発明の実施例に
於ける薄膜の製造装置の斜視図、第４図は本発明の実施
例に於ける薄膜の結晶中の原子配列を示す構造図であ
る。 31……MgO基体、32……シャッター、33……スリット、3
4……ヒーター。
グラフ、第２図は本発明の実施例に於ける薄膜のＸ線光
電子分光スペクトルグラフ、第３図は本発明の実施例に
於ける薄膜の製造装置の斜視図、第４図は本発明の実施
例に於ける薄膜の結晶中の原子配列を示す構造図であ
る。 31……MgO基体、32……シャッター、33……スリット、3
4……ヒーター。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡＢ // Ｃ０４Ｂ 41/87 ＺＡＡ Ｃ０４Ｂ 41/87 ＺＡＡＦ Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ (56)参考文献 特開 昭63−169375（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−120229（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−157406（ＪＰ，Ａ) 日経超電導第５号（昭63−３−７) Ｐ．７.
Claims (3)
- 【請求項１】基体上に、少なくともビスマスを含む酸化
物を２層、ストロンチウムを含む酸化物を２層、カルシ
ウムを含む酸化物層、銅を含む酸化物を２層周期的に積
層させることを特徴とする薄膜超電導体において、前記
ストロンチウムを含む酸化物の一部をカルシウム酸化物
で、あるいは前記カルシウムを含む酸化物の一部をスト
ロンチウム酸化物で置換して形成したことを特徴とする
薄膜超電導体の製造方法。 - 【請求項２】積層物質の蒸発を、スッパタリングで行う
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜超電導体の製造方
法。 - 【請求項３】積層物質の蒸発を、少なくとも二種類以上
の組成の複数個のターゲットのスパッタリングで行うこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜超電導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118981A JP2502744B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電動体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118981A JP2502744B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電動体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296731A JPH02296731A (ja) | 1990-12-07 |
| JP2502744B2 true JP2502744B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=14750059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118981A Expired - Fee Related JP2502744B2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 薄膜超電動体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502744B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0776418B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1995-08-16 | 東洋紡績株式会社 | スパツタリング方法 |
| JP2577061B2 (ja) * | 1987-08-24 | 1997-01-29 | 住友電気工業株式会社 | 複合酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
| JPH02120229A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-08 | Nec Corp | 酸化物超伝導薄膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1118981A patent/JP2502744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 日経超電導第５号（昭６３−３−７）Ｐ．７． |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02296731A (ja) | 1990-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |