JPH05171414A - 超伝導薄膜およびその製造方法 - Google Patents
超伝導薄膜およびその製造方法Info
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- JPH05171414A JPH05171414A JP3344520A JP34452091A JPH05171414A JP H05171414 A JPH05171414 A JP H05171414A JP 3344520 A JP3344520 A JP 3344520A JP 34452091 A JP34452091 A JP 34452091A JP H05171414 A JPH05171414 A JP H05171414A
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- oxide
- film
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｔｌ系組成の層状酸化物超伝導薄膜と、Ｂｉ−
Ｔａ系の層状酸化物絶縁体薄膜が交互に積層された超伝
導薄膜とすることにより、超伝導転移温度が高いかつ安
定に再現性よく得る。 【構成】基体４７上に、主成分としてＴｌを含む酸化物
と、主成分としてＣｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を
含む酸化物とをそれぞれターゲット４１と４２から飛来
させ周期的に積層させて形成する酸化物薄膜と、少なく
ともＢｉを含む酸化物と少なくともＷ含む酸化物とをそ
れぞれターゲット４３、４４から飛来させて周期的に積
層させて形成する酸化物薄膜とを交互に積層させる。こ
れにより再現性よくＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−
Ｏ薄膜との積層体を得る。
Ｔａ系の層状酸化物絶縁体薄膜が交互に積層された超伝
導薄膜とすることにより、超伝導転移温度が高いかつ安
定に再現性よく得る。 【構成】基体４７上に、主成分としてＴｌを含む酸化物
と、主成分としてＣｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を
含む酸化物とをそれぞれターゲット４１と４２から飛来
させ周期的に積層させて形成する酸化物薄膜と、少なく
ともＢｉを含む酸化物と少なくともＷ含む酸化物とをそ
れぞれターゲット４３、４４から飛来させて周期的に積
層させて形成する酸化物薄膜とを交互に積層させる。こ
れにより再現性よくＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−
Ｏ薄膜との積層体を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高性能でかつ安定に得
ることができる超伝導薄膜およびその製造方法に関す
る。
ることができる超伝導薄膜およびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、最も応用が急がれている材料のひ
とつに酸化物高温超伝導体がある。このペロブスカイト
系化合物は、金属化合物超伝導体よりさらに高い転移温
度が期待され、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導体
が提案された［Ｊ．Ｇ．ベトノルツ、Ｋ．Ａ．ミュラ
ー、ツァイトシュリフト・フュア・フィジーク(Zeitshr
ift Fur Physik B)-Condensed Matter Vol.64,189-193
(1986) ］。さらに、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ系の材料が１
００Ｋ以上の転移温度を示すことも発見された［Z.Z.Sh
eng and A.M.Hermann,ネイチャー(Nature)Vol.332,55-5
8(1988) ］。この種の材料の超伝導機構の詳細は明らか
ではないが、転移温度が室温以上に高くなる可能性があ
り、高温超伝導体として従来の２元系化合物より、電子
デバイス分野での応用が期待されている。
とつに酸化物高温超伝導体がある。このペロブスカイト
系化合物は、金属化合物超伝導体よりさらに高い転移温
度が期待され、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−Ｏ系の高温超伝導体
が提案された［Ｊ．Ｇ．ベトノルツ、Ｋ．Ａ．ミュラ
ー、ツァイトシュリフト・フュア・フィジーク(Zeitshr
ift Fur Physik B)-Condensed Matter Vol.64,189-193
(1986) ］。さらに、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ系の材料が１
００Ｋ以上の転移温度を示すことも発見された［Z.Z.Sh
eng and A.M.Hermann,ネイチャー(Nature)Vol.332,55-5
8(1988) ］。この種の材料の超伝導機構の詳細は明らか
ではないが、転移温度が室温以上に高くなる可能性があ
り、高温超伝導体として従来の２元系化合物より、電子
デバイス分野での応用が期待されている。
【０００３】そして、これらの酸化物超伝導体の開発と
あいまって、この材料を電子デバイスへの応用を考え、
酸化物超伝導体を作製する際に経る高熱過程に対しても
安定な絶縁体および絶縁薄膜の開発が行われている［市
川ら、日本応用物理学会誌(Japanese Journal of Appli
ed Physics)Vol.27,L381-L383(1988)]。
あいまって、この材料を電子デバイスへの応用を考え、
酸化物超伝導体を作製する際に経る高熱過程に対しても
安定な絶縁体および絶縁薄膜の開発が行われている［市
川ら、日本応用物理学会誌(Japanese Journal of Appli
ed Physics)Vol.27,L381-L383(1988)]。
【０００４】さらに超伝導体と絶縁体とを交互に積層す
ることにより、より高い超伝導転移温度が従来から期待
されていた［Ｍ．Ｈ．チェン、Ｄ．Ｈ．ダクラス，ジュ
ニア、フィジカル・レビュー・レターズ(Physical Revi
ew Letters)Vol.19,118-121(1967）］。
ることにより、より高い超伝導転移温度が従来から期待
されていた［Ｍ．Ｈ．チェン、Ｄ．Ｈ．ダクラス，ジュ
ニア、フィジカル・レビュー・レターズ(Physical Revi
ew Letters)Vol.19,118-121(1967）］。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化物
超伝導体の材料は、良好な超伝導特性を得るためには少
なくとも６００℃以上の熱処理あるいは形成時の加熱が
必要であり、そのため絶縁体の結晶性が崩れ、絶縁体お
よび絶縁薄膜と超伝導体との間で各元素の相互拡散が起
こり、超伝導体の特性劣化並びに絶縁体の特性劣化が起
こり、特に高温酸化物超伝導体と絶縁膜との周期的な積
層構造を得ることは極めて困難であり、ジョセフソンデ
バイスが代表応用例としてあげられるこの構造を利用し
た集積化デバイスを構成を不可能に近いものとしてい
た。
超伝導体の材料は、良好な超伝導特性を得るためには少
なくとも６００℃以上の熱処理あるいは形成時の加熱が
必要であり、そのため絶縁体の結晶性が崩れ、絶縁体お
よび絶縁薄膜と超伝導体との間で各元素の相互拡散が起
こり、超伝導体の特性劣化並びに絶縁体の特性劣化が起
こり、特に高温酸化物超伝導体と絶縁膜との周期的な積
層構造を得ることは極めて困難であり、ジョセフソンデ
バイスが代表応用例としてあげられるこの構造を利用し
た集積化デバイスを構成を不可能に近いものとしてい
た。
【０００６】さらに、高温超伝導体および薄膜にとって
最適な絶縁薄膜が得られていないため、超伝導体と絶縁
体との有効な積層構造が達成されないために、超伝導材
料そのものの超伝導転移温度の上昇は望めないのが現状
であった。
最適な絶縁薄膜が得られていないため、超伝導体と絶縁
体との有効な積層構造が達成されないために、超伝導材
料そのものの超伝導転移温度の上昇は望めないのが現状
であった。
【０００７】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
ため、超伝導転移温度が高くかつ安定して製造が可能
な、超伝導体と絶縁体との積層構造体及びその製造方法
を提供することを目的とする。
ため、超伝導転移温度が高くかつ安定して製造が可能
な、超伝導体と絶縁体との積層構造体及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の超伝導薄膜は、基体上に主体成分が少なく
ともタリウム（Ｔｌ）、銅（Ｃｕ）及びアルカリ土類
（IIａ族）から成る層状酸化物超伝導薄膜と、主体成分
が少なくともＢｉ及びタングステン（Ｗ）から成る層状
酸化物絶縁体薄膜が交互に積層されたという構成を備え
たものである。（ここでアルカリ土類は、IIａ族元素の
うちの少なくとも一種あるいは二種以上の元素を示
す。）次に本発明の超伝導薄膜の製造方法は、基体上に
積層構造の超伝導薄膜を製造する方法であって、少なく
ともＴｌを含む酸化物と少なくともＣｕおよびアルカリ
土類（IIａ族）を含む酸化物とを周期的に積層させて形
成する酸化物薄膜と、少なくともＢｉを含む酸化物と少
なくともＷ含む酸化物とを周期的に積層させて形成する
酸化物薄膜とを、交互に積層させることを特徴とする
（ここでアルカリ土類は、IIａ族元素のうちの少なくと
も一種あるいは二種以上の元素を示す）。
め、本発明の超伝導薄膜は、基体上に主体成分が少なく
ともタリウム（Ｔｌ）、銅（Ｃｕ）及びアルカリ土類
（IIａ族）から成る層状酸化物超伝導薄膜と、主体成分
が少なくともＢｉ及びタングステン（Ｗ）から成る層状
酸化物絶縁体薄膜が交互に積層されたという構成を備え
たものである。（ここでアルカリ土類は、IIａ族元素の
うちの少なくとも一種あるいは二種以上の元素を示
す。）次に本発明の超伝導薄膜の製造方法は、基体上に
積層構造の超伝導薄膜を製造する方法であって、少なく
ともＴｌを含む酸化物と少なくともＣｕおよびアルカリ
土類（IIａ族）を含む酸化物とを周期的に積層させて形
成する酸化物薄膜と、少なくともＢｉを含む酸化物と少
なくともＷ含む酸化物とを周期的に積層させて形成する
酸化物薄膜とを、交互に積層させることを特徴とする
（ここでアルカリ土類は、IIａ族元素のうちの少なくと
も一種あるいは二種以上の元素を示す）。
【０００９】前記した本発明方法においては、薄膜を形
成させる際の基体温度が６００℃以下であることが好ま
しい。また前記した本発明方法においては、薄膜形成後
少なくとも酸素を含む雰囲気中で熱処理をすることが好
ましい。
成させる際の基体温度が６００℃以下であることが好ま
しい。また前記した本発明方法においては、薄膜形成後
少なくとも酸素を含む雰囲気中で熱処理をすることが好
ましい。
【００１０】また前記した本発明方法においては、積層
物質の蒸発を少なくとも二種以上の蒸発源で行うことが
好ましい。また前記した本発明方法においては、積層物
質の蒸発をスパッタリングで行なうことが好ましい。
物質の蒸発を少なくとも二種以上の蒸発源で行うことが
好ましい。また前記した本発明方法においては、積層物
質の蒸発をスパッタリングで行なうことが好ましい。
【００１１】
【作用】前記第１の発明によれば、Ｔｌ2 Ｏ2 酸化膜層
またはこれを主体とした層により覆われた結晶構造とな
っているところのＴｌ系超伝導薄膜とＴｌ系超伝導体結
晶と格子定数がほぼ等しく、また熱的に安定なＢｉ2 Ｏ
2 酸化膜層またはこれを主体とした層に覆われた結晶構
造を有するＢi-Ｗ−Ｏ絶縁薄膜が交互に積層された構造
をとることによって、超伝導薄膜と絶縁膜との間での元
素の相互拡散のない積層が可能になり、その結果Ｔｌ系
超伝導薄膜における超伝導転移温度を安定に再現性よく
実現することができる。
またはこれを主体とした層により覆われた結晶構造とな
っているところのＴｌ系超伝導薄膜とＴｌ系超伝導体結
晶と格子定数がほぼ等しく、また熱的に安定なＢｉ2 Ｏ
2 酸化膜層またはこれを主体とした層に覆われた結晶構
造を有するＢi-Ｗ−Ｏ絶縁薄膜が交互に積層された構造
をとることによって、超伝導薄膜と絶縁膜との間での元
素の相互拡散のない積層が可能になり、その結果Ｔｌ系
超伝導薄膜における超伝導転移温度を安定に再現性よく
実現することができる。
【００１２】さらに第２の発明においては第１の発明を
極めて安定に、しかも微細スケールでの構造を達成する
ため、少なくともＴｌを含む酸化物層と、少なくともＣ
ｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物層と、少
なくともＢｉを含む酸化物層と少なくともＷを含む酸化
物層を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄
膜の作製を行うことによって、再現性よくＴｌ系超伝導
薄膜と絶縁膜との積層を実現することができる。
極めて安定に、しかも微細スケールでの構造を達成する
ため、少なくともＴｌを含む酸化物層と、少なくともＣ
ｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物層と、少
なくともＢｉを含む酸化物層と少なくともＷを含む酸化
物層を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄
膜の作製を行うことによって、再現性よくＴｌ系超伝導
薄膜と絶縁膜との積層を実現することができる。
【００１３】
【実施例】通常、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ系等の酸化物超伝
導薄膜は600 ℃以下の基体上に蒸着して得る。蒸着後、
700 〜950 ℃の熱処理を施し、超伝導特性を向上させ
る。
導薄膜は600 ℃以下の基体上に蒸着して得る。蒸着後、
700 〜950 ℃の熱処理を施し、超伝導特性を向上させ
る。
【００１４】しかしながら、基体温度が高い時に絶縁膜
を酸化物超伝導薄膜に続いて積層したり、絶縁膜を形成
後熱処理を行った場合、超伝導膜と絶縁膜との間で、元
素の相互拡散が起こり超伝導特性が大きく劣化すること
が判明した。相互拡散を起こさないためには、超伝導
膜、絶縁膜の結晶性が優れていること、超伝導膜・絶縁
膜間での格子の整合性が優れていること、絶縁膜が700
〜950 ℃の熱処理に対して安定であることが不可欠と考
えられる。
を酸化物超伝導薄膜に続いて積層したり、絶縁膜を形成
後熱処理を行った場合、超伝導膜と絶縁膜との間で、元
素の相互拡散が起こり超伝導特性が大きく劣化すること
が判明した。相互拡散を起こさないためには、超伝導
膜、絶縁膜の結晶性が優れていること、超伝導膜・絶縁
膜間での格子の整合性が優れていること、絶縁膜が700
〜950 ℃の熱処理に対して安定であることが不可欠と考
えられる。
【００１５】まず、本発明者らはＢｉ2 Ｏ2 酸化物層に
挟まれた構造を持つＢi-Ｗ−Ｏ誘電体が高温の熱処理に
対して、極めて安定であるり、さらにＴｌ系超伝導体の
結晶構造が似かよっており格子定数が近く、またその結
晶構造が単純なＢi-Ｏ層とＷ−Ｏ層の積層になっている
ことに着目し、本発明者らは、第１、第２の発明に至っ
たのである。
挟まれた構造を持つＢi-Ｗ−Ｏ誘電体が高温の熱処理に
対して、極めて安定であるり、さらにＴｌ系超伝導体の
結晶構造が似かよっており格子定数が近く、またその結
晶構造が単純なＢi-Ｏ層とＷ−Ｏ層の積層になっている
ことに着目し、本発明者らは、第１、第２の発明に至っ
たのである。
【００１６】さらに本発明をより具体的に説明するため
以下の実施例を挙げる。 実施例１ 図１に本実施例で作製した薄膜の断面図を模式的にあら
わす。すなわち、基体１上にＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜２と
Ｂi-Ｗ−Ｏ膜３を交互に積層した。本実施例で用いた薄
膜作成装置の構造概略図を図２に示す。積層の方法とし
ては、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜は２元ターゲットの高周波
マグネトロンスパッタ法で蒸着した。スパッタリングタ
ーゲットとして、空気中において850 ℃、５時間焼成し
た混合酸化物のＴｌ3 Ｂａ2 Ｃａ2 Ｃｕ2 Ｏx ディスク
ターゲット２１と、Ｂｉ2 ＷＯy ディスクターゲット２
２を用いた。２３はシャッター、２４はスリット、２５
は基体を示す。MgO(100)基体２５に焦点を結ぶように各
ターゲットが約３０°傾いて設置されている。ターゲッ
トの前方には回転するシャッター２３があり、その中に
設けられたスリット２４の回転をパルスモーターで制御
することにより、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ
薄膜を交互に基体２５上に堆積できる。ＡｒとＯ2 の混
合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝１：９、０．５Ｐa)をスパッタリ
ングガスとして用いた。ターゲット２１、２２にそれぞ
れ８０Ｗ、６０Ｗのスパッタ電力を注入してターゲット
をスパッタし、５００℃に加熱した基体２５上にＴl-Ｂ
a-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ薄膜の積層堆積をおこな
った。堆積はＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜から始めた。Ｔl-
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜の膜厚を５０ｎｍの一定にし、Ｂi-
Ｗ−Ｏ薄膜の膜厚を変化させ、４周期の堆積を行なっ
た。薄膜堆積後、酸素雰囲気中で９００℃、１０分間の
熱処理を施した。
以下の実施例を挙げる。 実施例１ 図１に本実施例で作製した薄膜の断面図を模式的にあら
わす。すなわち、基体１上にＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜２と
Ｂi-Ｗ−Ｏ膜３を交互に積層した。本実施例で用いた薄
膜作成装置の構造概略図を図２に示す。積層の方法とし
ては、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜は２元ターゲットの高周波
マグネトロンスパッタ法で蒸着した。スパッタリングタ
ーゲットとして、空気中において850 ℃、５時間焼成し
た混合酸化物のＴｌ3 Ｂａ2 Ｃａ2 Ｃｕ2 Ｏx ディスク
ターゲット２１と、Ｂｉ2 ＷＯy ディスクターゲット２
２を用いた。２３はシャッター、２４はスリット、２５
は基体を示す。MgO(100)基体２５に焦点を結ぶように各
ターゲットが約３０°傾いて設置されている。ターゲッ
トの前方には回転するシャッター２３があり、その中に
設けられたスリット２４の回転をパルスモーターで制御
することにより、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ
薄膜を交互に基体２５上に堆積できる。ＡｒとＯ2 の混
合ガス（Ａｒ：Ｏ2 ＝１：９、０．５Ｐa)をスパッタリ
ングガスとして用いた。ターゲット２１、２２にそれぞ
れ８０Ｗ、６０Ｗのスパッタ電力を注入してターゲット
をスパッタし、５００℃に加熱した基体２５上にＴl-Ｂ
a-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ薄膜の積層堆積をおこな
った。堆積はＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜から始めた。Ｔl-
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜の膜厚を５０ｎｍの一定にし、Ｂi-
Ｗ−Ｏ薄膜の膜厚を変化させ、４周期の堆積を行なっ
た。薄膜堆積後、酸素雰囲気中で９００℃、１０分間の
熱処理を施した。
【００１７】一周期あたりのＢi-Ｗ−Ｏ薄膜の膜厚変化
に対する超伝導薄膜の抵抗の温度特性を図３に示す。図
３において３１、３２、３３はＢi-Ｗ−Ｏ薄膜層の厚み
がそれぞれ３０ｎｍ、１５ｎｍ、５ｎｍのときの結果を
示す。Ｂi-Ｗ−Ｏ薄膜層の厚みが１５ｎｍのとき、最も
高い超伝導転移温度およびゼロ抵抗温度、すなわち特性
３２が得られた。特性３２の超伝導転移温度、ゼロ抵抗
温度はＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜本来のそれらの値よりも約
８Ｋ高いものであった。この効果の詳細な理由について
は未だ不明であるが、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜とＢi-Ｗ−
Ｏ膜とを周期的に積層することによって、Ｔl-Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ膜とＢi-Ｗ−Ｏ膜が互いにＢｉ2 Ｏ2 層を介して
エピタキシャル成長していることにより積層界面での元
素の相互拡散の影響がなく、かつ結晶性に優れた薄いＢ
i-Ｗ−Ｏ膜を介して同じくＢi-Ｗ−Ｏと結晶の整合性が
良いために結晶性に優れたＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜がエピ
タキシャル成長し、積層することによりＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃ
u-Ｏ膜において超伝導機構になんらかの変化が引き起こ
されたことが考えられるが、機構はまだあきらかできな
い。
に対する超伝導薄膜の抵抗の温度特性を図３に示す。図
３において３１、３２、３３はＢi-Ｗ−Ｏ薄膜層の厚み
がそれぞれ３０ｎｍ、１５ｎｍ、５ｎｍのときの結果を
示す。Ｂi-Ｗ−Ｏ薄膜層の厚みが１５ｎｍのとき、最も
高い超伝導転移温度およびゼロ抵抗温度、すなわち特性
３２が得られた。特性３２の超伝導転移温度、ゼロ抵抗
温度はＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜本来のそれらの値よりも約
８Ｋ高いものであった。この効果の詳細な理由について
は未だ不明であるが、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜とＢi-Ｗ−
Ｏ膜とを周期的に積層することによって、Ｔl-Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ膜とＢi-Ｗ−Ｏ膜が互いにＢｉ2 Ｏ2 層を介して
エピタキシャル成長していることにより積層界面での元
素の相互拡散の影響がなく、かつ結晶性に優れた薄いＢ
i-Ｗ−Ｏ膜を介して同じくＢi-Ｗ−Ｏと結晶の整合性が
良いために結晶性に優れたＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜がエピ
タキシャル成長し、積層することによりＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃ
u-Ｏ膜において超伝導機構になんらかの変化が引き起こ
されたことが考えられるが、機構はまだあきらかできな
い。
【００１８】なお、Ｔｌの蒸気圧が異常に高いことか
ら、基体２５を高い温度に加熱した薄膜からＴｌが薄膜
から再蒸発してしまい薄膜にＴｌが含まれないことがわ
かった。さらに、薄膜堆積後Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏの結晶
性を向上させるために熱処理を施すことからＴl-Ｂa-Ｃ
a-Ｃu-Ｏ層とＢi-Ｗ−Ｏ層の間で各元素の相互拡散が起
きないよう薄膜堆積時にＢi-Ｗ−Ｏ薄膜がＢｉ2 ＷＯ6
結晶になっている必要があることから、基体２５の温度
と薄膜の結晶性の関係を調べた結果、基体２５の温度は
３００℃から６００℃の間にあればよいことがわかっ
た。
ら、基体２５を高い温度に加熱した薄膜からＴｌが薄膜
から再蒸発してしまい薄膜にＴｌが含まれないことがわ
かった。さらに、薄膜堆積後Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏの結晶
性を向上させるために熱処理を施すことからＴl-Ｂa-Ｃ
a-Ｃu-Ｏ層とＢi-Ｗ−Ｏ層の間で各元素の相互拡散が起
きないよう薄膜堆積時にＢi-Ｗ−Ｏ薄膜がＢｉ2 ＷＯ6
結晶になっている必要があることから、基体２５の温度
と薄膜の結晶性の関係を調べた結果、基体２５の温度は
３００℃から６００℃の間にあればよいことがわかっ
た。
【００１９】種々の検討を行った結果、上記Ｂi-Ｗ−Ｏ
が絶縁体として優れていることもわかった。この理由と
して、この材料はＢｉ2 Ｏ2 酸化物層がＷおよび酸素の
元素からなる構造体を挟み込んだ層状ペロブスカイトを
示し、このＢｉ2 Ｏ2 層は同種の結晶構造の物質の界面
に対して高温の熱処理においても非常に安定であり、Ｔ
l-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体とその結晶におけるａ
軸、ｂ軸の長さがほぼ等しいことから、格子の整合性が
きわめて優れており、この材料を薄膜化した場合、Ｔl-
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体上へＢi-Ｗ−Ｏ、さらに
Ｂi-Ｗ−Ｏ上へのＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体の
連続エピタキシャル成長が可能であることがあげられ
る。しかし、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物高温超伝導体を
電子デバイスに応用する場合、絶縁膜の厚みは数１０ｎ
ｍ程度であることが要求されること、またこのＴl-Ｂa-
Ｃa-Ｃu-Ｏ超伝導体の結晶構造はＴl-Ｏ、Ｂa-Ｃu-Ｏ、
Ｃa-Ｃu-Ｏの各層部分を順次積層した形となっており、
一方、Ｂi-Ｗ−ＯはＢi-ＯとＷ−Ｏの各層部分を順次積
層した形となっているが確認できた。
が絶縁体として優れていることもわかった。この理由と
して、この材料はＢｉ2 Ｏ2 酸化物層がＷおよび酸素の
元素からなる構造体を挟み込んだ層状ペロブスカイトを
示し、このＢｉ2 Ｏ2 層は同種の結晶構造の物質の界面
に対して高温の熱処理においても非常に安定であり、Ｔ
l-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体とその結晶におけるａ
軸、ｂ軸の長さがほぼ等しいことから、格子の整合性が
きわめて優れており、この材料を薄膜化した場合、Ｔl-
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体上へＢi-Ｗ−Ｏ、さらに
Ｂi-Ｗ−Ｏ上へのＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物超伝導体の
連続エピタキシャル成長が可能であることがあげられ
る。しかし、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ酸化物高温超伝導体を
電子デバイスに応用する場合、絶縁膜の厚みは数１０ｎ
ｍ程度であることが要求されること、またこのＴl-Ｂa-
Ｃa-Ｃu-Ｏ超伝導体の結晶構造はＴl-Ｏ、Ｂa-Ｃu-Ｏ、
Ｃa-Ｃu-Ｏの各層部分を順次積層した形となっており、
一方、Ｂi-Ｗ−ＯはＢi-ＯとＷ−Ｏの各層部分を順次積
層した形となっているが確認できた。
【００２０】実施例２ 図４は、本実施例で用いた４元マグネトロンスパッタ装
置内部の概略図であり、４１はＴｌターゲット、４２は
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏターゲット、４３はＢｉターゲット、４
４はＷターゲット、４５はシャッター、４６はスリッ
ト、４７は基体を示す。ターゲット４１、４３、４４は
金属のターゲット、ターゲット４２は元素比率Ｂａ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝２：２：３の焼成ディスクターゲットであ
り、図４に示すように配置させた。すなわち、MgO(100)
基体４７に焦点を結ぶように各ターゲットが約３０°傾
いて設置されている。ターゲットの前方には回転するシ
ャッター４５があり、その中に設けられたスリット４６
の回転をパルスモーターで制御することにより、（Ｔｌ
→Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ→Ｔl)のサイクルと（Ｂｉ→Ｗ→Ｂi)
のサイクルでスパッタ蒸着が行なうことができる。積層
の様子を概念的に図５に示す。図５において５１はＴｌ
2 Ｏ2 層、５２はＷ−Ｏ層、５３はＢａ層、５４はＣｕ
−Ｏ層、５５はＣａ−Ｏ層である。そして、図４のター
ゲット４１、４２、４３、４４への入力電力、それぞれ
のターゲットのスパッタ時間を制御することにより、基
体４７上に蒸着するＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜、Ｂi-Ｗ−Ｏ
膜の膜厚を変えることができる。基体４７を約５００℃
に加熱し、アルゴン・酸素（１：１）混合雰囲気０．５
Ｐａのガス中で各ターゲットのスパッタリングを行なっ
た。薄膜作製後は酸素雰囲気中において、９００℃の熱
処理を１０分間施した。
置内部の概略図であり、４１はＴｌターゲット、４２は
Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏターゲット、４３はＢｉターゲット、４
４はＷターゲット、４５はシャッター、４６はスリッ
ト、４７は基体を示す。ターゲット４１、４３、４４は
金属のターゲット、ターゲット４２は元素比率Ｂａ：Ｃ
ａ：Ｃｕ＝２：２：３の焼成ディスクターゲットであ
り、図４に示すように配置させた。すなわち、MgO(100)
基体４７に焦点を結ぶように各ターゲットが約３０°傾
いて設置されている。ターゲットの前方には回転するシ
ャッター４５があり、その中に設けられたスリット４６
の回転をパルスモーターで制御することにより、（Ｔｌ
→Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ→Ｔl)のサイクルと（Ｂｉ→Ｗ→Ｂi)
のサイクルでスパッタ蒸着が行なうことができる。積層
の様子を概念的に図５に示す。図５において５１はＴｌ
2 Ｏ2 層、５２はＷ−Ｏ層、５３はＢａ層、５４はＣｕ
−Ｏ層、５５はＣａ−Ｏ層である。そして、図４のター
ゲット４１、４２、４３、４４への入力電力、それぞれ
のターゲットのスパッタ時間を制御することにより、基
体４７上に蒸着するＴl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜、Ｂi-Ｗ−Ｏ
膜の膜厚を変えることができる。基体４７を約５００℃
に加熱し、アルゴン・酸素（１：１）混合雰囲気０．５
Ｐａのガス中で各ターゲットのスパッタリングを行なっ
た。薄膜作製後は酸素雰囲気中において、９００℃の熱
処理を１０分間施した。
【００２１】本実施例では、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ膜の元
素の組成比率がＴl:Ｂa:Ｃa:Ｃu=２: ２: ２: ３、Ｂi-
Ｗ- Ｏ膜の元素の組成比率がＢi:Ｗ= ２: １になるよ
う、スパッタ時間スパッタ電流を調節した。この場合、
結晶性を維持したまま薄くできる膜厚の限界は数ｎｍで
あると思われる。絶縁膜はできるだけ薄い方が好ましい
ので、ｋ・（Ｔｌ→Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ→Ｔl)→ｌ・（Ｂｉ
→Ｗ→Ｂi)と書き表せる周期を２０周期行なった。な
お、良好な結晶構造を保ったまま作製できるＢi-Ｗ−Ｏ
膜の膜厚はｋ＝２が限度であった。
素の組成比率がＴl:Ｂa:Ｃa:Ｃu=２: ２: ２: ３、Ｂi-
Ｗ- Ｏ膜の元素の組成比率がＢi:Ｗ= ２: １になるよ
う、スパッタ時間スパッタ電流を調節した。この場合、
結晶性を維持したまま薄くできる膜厚の限界は数ｎｍで
あると思われる。絶縁膜はできるだけ薄い方が好ましい
ので、ｋ・（Ｔｌ→Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ→Ｔl)→ｌ・（Ｂｉ
→Ｗ→Ｂi)と書き表せる周期を２０周期行なった。な
お、良好な結晶構造を保ったまま作製できるＢi-Ｗ−Ｏ
膜の膜厚はｋ＝２が限度であった。
【００２２】そこで、ｋ＝２のとき、ｋを変化させて、
できあがった薄膜の抵抗率の温度変化を調べた。そのと
きの結果を図６に示す。図６において、６１はｌ＝２、
６２はｌ＝６、６３はｌ＝１０のときの結果を示す。こ
の図からわかるように、ｌ＝６のとき最も超伝導転移温
度並びにゼロ抵抗温度が絶縁膜Ｂi-Ｗ−Ｏと積層しない
場合に比べ上昇することがわかった。この物理的な原因
は、本発明の第２発明により、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜
とＢi-Ｗ−Ｏ薄膜の両方をきわめて制御性よく積層でき
たことによるものと考えられる。
できあがった薄膜の抵抗率の温度変化を調べた。そのと
きの結果を図６に示す。図６において、６１はｌ＝２、
６２はｌ＝６、６３はｌ＝１０のときの結果を示す。こ
の図からわかるように、ｌ＝６のとき最も超伝導転移温
度並びにゼロ抵抗温度が絶縁膜Ｂi-Ｗ−Ｏと積層しない
場合に比べ上昇することがわかった。この物理的な原因
は、本発明の第２発明により、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ薄膜
とＢi-Ｗ−Ｏ薄膜の両方をきわめて制御性よく積層でき
たことによるものと考えられる。
【００２３】さらにスパッタリング法に換えて、Ｔｌの
酸化物と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｗの酸化物を異な
る蒸発源から真空中で別々に蒸発させ、同様の構造を周
期的に積層させた場合、前記したスパッタリングを用い
た、積層構造作製方法と同じく制御性良く、安定した膜
質の、薄膜をうることが可能である。Ｔl-Ｏ、Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ- Ｏ、Ｂi-Ｏ、Ｗ- Ｏを周期的に積層させる方法
としては、他にもいくつか考えられる。一般に、ＭＢＥ
（モレキュラービームエピタキシャル）装置あるいは多
元のＥＢ（エレクトロンビーム）蒸着装置で蒸発源の前
を開閉シャッターで制御したり、気相成長法で作製する
際にガスの種類を切り替えたりすることにより、周期的
積層を達成することができる。しかしこの種の非常に薄
い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不向きとされ
ていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さに起因する
不純物の混入およびエネルギーの高い粒子によるダメー
ジと考えられている。
酸化物と、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｗの酸化物を異な
る蒸発源から真空中で別々に蒸発させ、同様の構造を周
期的に積層させた場合、前記したスパッタリングを用い
た、積層構造作製方法と同じく制御性良く、安定した膜
質の、薄膜をうることが可能である。Ｔl-Ｏ、Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ- Ｏ、Ｂi-Ｏ、Ｗ- Ｏを周期的に積層させる方法
としては、他にもいくつか考えられる。一般に、ＭＢＥ
（モレキュラービームエピタキシャル）装置あるいは多
元のＥＢ（エレクトロンビーム）蒸着装置で蒸発源の前
を開閉シャッターで制御したり、気相成長法で作製する
際にガスの種類を切り替えたりすることにより、周期的
積層を達成することができる。しかしこの種の非常に薄
い層の積層には従来スパッタリング蒸着は不向きとされ
ていた。この理由は、成膜中のガス圧の高さに起因する
不純物の混入およびエネルギーの高い粒子によるダメー
ジと考えられている。
【００２４】しかしながら、このＴｌ系酸化物超伝導体
と絶縁薄膜に対してスパッタリングにより異なる薄い層
の積層を行なったところ、意外にも良好な積層膜作製が
可能なことを見い出した。スパッタ中の高い酸素ガス圧
およびスパッタ放電により、膜内への酸素導入がより促
進され、超伝導特性の再現性、安定化が図られ、、Ｔｌ
系の１００Ｋ以上の臨界温度を持つ相の形成、および絶
縁薄膜の形成に都合がよいためであると考えられる。
と絶縁薄膜に対してスパッタリングにより異なる薄い層
の積層を行なったところ、意外にも良好な積層膜作製が
可能なことを見い出した。スパッタ中の高い酸素ガス圧
およびスパッタ放電により、膜内への酸素導入がより促
進され、超伝導特性の再現性、安定化が図られ、、Ｔｌ
系の１００Ｋ以上の臨界温度を持つ相の形成、および絶
縁薄膜の形成に都合がよいためであると考えられる。
【００２５】スパッタ蒸着で異なる物質を積層させる方
法としては、組成分布を設けた１ケのスパッタリングタ
ーゲットの放電位置を周期的に制御するという方法があ
るが、組成の異なる複数個のターゲットのスパッタリン
グという方法を用いると比較的簡単に達成することがで
きる。この場合、複数個のターゲットの各々のスパッタ
量を周期的に制御したり、あるいはターゲットの前にシ
ャッターを設けて周期的に開閉したりして、周期的積層
膜を作製することができる。また基板を周期的運動させ
て各々ターゲットの上を移動させる方法でも作製が可能
である。レーザースパッタあるいはイオンビームスパッ
タを用いた場合には、複数個のターゲットを周期運動さ
せてビームの照射するターゲットを周期的に変えれば、
周期的積層膜が実現される。このように複数個のターゲ
ットを用いたスパッタリングにより比較的簡単にＴｌ系
酸化物の周期的積層が作製可能となる。前記実施例２で
示したようにＴl-Ｏ、Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ−Ｏ、Ｂi-Ｏを別
々の蒸発源から蒸発させ、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ超伝導薄
膜とＢi-Ｗ−Ｏ絶縁膜を周期的に積層した時、極めて制
御性良くｍ（Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ）・ｎ（Ｂi-Ｗ−Ｏ）
の周期構造を持つ薄膜を形成できることを見いだした。
ここでｍ，ｎは正の整数を示す。また、蒸発源としてＴ
l-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ、Ｂi-Ｗ−Ｏの複合酸化物を用いて
も、簡単な方法で薄膜を作製できる。別々の蒸発源を用
いると、より結晶性が優れ、組成制御性がきわめて良
い、作製方法となる。また、超伝導転移温度、臨界電流
密度等の特性に勝っていることも併せて見いだした。さ
らに本発明者らは、上記の方法で作製したＴl-Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ超伝導薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ絶縁膜はともに薄膜表面
が極めて平坦であることを見いだした。これは、それぞ
れ層状構造を構成する異なる元素を別々に順次積層して
いくことにより、基体表面に対し平行な面内だけで積層
された蒸着元素が動くだけで、基体表面に対し垂直方向
への元素の移動がないことによるものと考えられる。さ
らに、この組成の絶縁薄膜は層状ペロブスカイト構造の
結晶であり、ａ軸の長さは、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏのそれ
とほぼ等しく、連続的にエピタキシャル成長が可能であ
ることによるものと考えられる。
法としては、組成分布を設けた１ケのスパッタリングタ
ーゲットの放電位置を周期的に制御するという方法があ
るが、組成の異なる複数個のターゲットのスパッタリン
グという方法を用いると比較的簡単に達成することがで
きる。この場合、複数個のターゲットの各々のスパッタ
量を周期的に制御したり、あるいはターゲットの前にシ
ャッターを設けて周期的に開閉したりして、周期的積層
膜を作製することができる。また基板を周期的運動させ
て各々ターゲットの上を移動させる方法でも作製が可能
である。レーザースパッタあるいはイオンビームスパッ
タを用いた場合には、複数個のターゲットを周期運動さ
せてビームの照射するターゲットを周期的に変えれば、
周期的積層膜が実現される。このように複数個のターゲ
ットを用いたスパッタリングにより比較的簡単にＴｌ系
酸化物の周期的積層が作製可能となる。前記実施例２で
示したようにＴl-Ｏ、Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ−Ｏ、Ｂi-Ｏを別
々の蒸発源から蒸発させ、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ超伝導薄
膜とＢi-Ｗ−Ｏ絶縁膜を周期的に積層した時、極めて制
御性良くｍ（Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ）・ｎ（Ｂi-Ｗ−Ｏ）
の周期構造を持つ薄膜を形成できることを見いだした。
ここでｍ，ｎは正の整数を示す。また、蒸発源としてＴ
l-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏ、Ｂi-Ｗ−Ｏの複合酸化物を用いて
も、簡単な方法で薄膜を作製できる。別々の蒸発源を用
いると、より結晶性が優れ、組成制御性がきわめて良
い、作製方法となる。また、超伝導転移温度、臨界電流
密度等の特性に勝っていることも併せて見いだした。さ
らに本発明者らは、上記の方法で作製したＴl-Ｂa-Ｃa-
Ｃu-Ｏ超伝導薄膜とＢi-Ｗ−Ｏ絶縁膜はともに薄膜表面
が極めて平坦であることを見いだした。これは、それぞ
れ層状構造を構成する異なる元素を別々に順次積層して
いくことにより、基体表面に対し平行な面内だけで積層
された蒸着元素が動くだけで、基体表面に対し垂直方向
への元素の移動がないことによるものと考えられる。さ
らに、この組成の絶縁薄膜は層状ペロブスカイト構造の
結晶であり、ａ軸の長さは、Ｔl-Ｂa-Ｃa-Ｃu-Ｏのそれ
とほぼ等しく、連続的にエピタキシャル成長が可能であ
ることによるものと考えられる。
【００２６】さらに以外にも、良好な超伝導特性を得る
に必要な基体の温度、熱処理温度も、従来より低いこと
を見いだした。
に必要な基体の温度、熱処理温度も、従来より低いこと
を見いだした。
【００２７】
【発明の効果】前記したように本発明の第１の発明によ
れば、Ｔｌ2 Ｏ2 酸化膜層またはこれを主体とした層に
より覆われた結晶構造となっているところのＴｌ系超伝
導薄膜とＴｌ系超伝導体結晶と格子定数がほぼ等しく、
また熱的に安定なＢｉ2 Ｏ2 酸化膜層またはこれを主体
とした層に覆われた結晶構造を有するＢi-Ｗ−Ｏ絶縁薄
膜が交互に積層された構造をとることによって、超伝導
薄膜と絶縁膜との間での元素の相互拡散のない積層が可
能になり、その結果Ｔｌ系超伝導薄膜における超伝導転
移温度を安定に再現性よく実現することができる。
れば、Ｔｌ2 Ｏ2 酸化膜層またはこれを主体とした層に
より覆われた結晶構造となっているところのＴｌ系超伝
導薄膜とＴｌ系超伝導体結晶と格子定数がほぼ等しく、
また熱的に安定なＢｉ2 Ｏ2 酸化膜層またはこれを主体
とした層に覆われた結晶構造を有するＢi-Ｗ−Ｏ絶縁薄
膜が交互に積層された構造をとることによって、超伝導
薄膜と絶縁膜との間での元素の相互拡散のない積層が可
能になり、その結果Ｔｌ系超伝導薄膜における超伝導転
移温度を安定に再現性よく実現することができる。
【００２８】さらに第２の発明においては第１の発明を
極めて安定に、しかも微細スケールでの構造を達成する
ため、少なくともＴｌを含む酸化物層と、少なくともＣ
ｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物層と、少
なくともＢｉを含む酸化物層と少なくともＷを含む酸化
物層を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄
膜の作製を行うことによって、再現性よくＴｌ系超伝導
薄膜と絶縁膜との積層を実現することができる。
極めて安定に、しかも微細スケールでの構造を達成する
ため、少なくともＴｌを含む酸化物層と、少なくともＣ
ｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物層と、少
なくともＢｉを含む酸化物層と少なくともＷを含む酸化
物層を、周期的に積層させて分子レベルの制御による薄
膜の作製を行うことによって、再現性よくＴｌ系超伝導
薄膜と絶縁膜との積層を実現することができる。
【図１】本発明の実施例１によって得られた薄膜断面の
構造概念図である。
構造概念図である。
【図２】本発明の実施例１で用いた装置の概略図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例１によって得られた超伝導薄膜
の抵抗の温度依存性である。
の抵抗の温度依存性である。
【図４】本発明の実施例２で用いた装置の概略図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例２によって得られた薄膜の構造
概念図である。
概念図である。
【図６】本発明の実施例２で得られた薄膜の抵抗率の温
度特性である。
度特性である。
２１，２２，４１，４２，４３，４４ スパッタリング
ターゲット ２３，２５ シャッター ２４，４６ スリット ２５，４７ ＭｇＯ基体 ３１，３２，３３，６１，６２，６３ 薄膜の抵抗の温
度特性
ターゲット ２３，２５ シャッター ２４，４６ スリット ２５，４７ ＭｇＯ基体 ３１，３２，３３，６１，６２，６３ 薄膜の抵抗の温
度特性
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 8728−4Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 基体上に、主体成分が少なくともタリウ
ム（Ｔｌ）、銅（Ｃｕ）及びアルカリ土類（IIａ族）か
ら成る層状酸化物超伝導薄膜と、主体成分が少なくとも
Ｂｉ及びタングステン（Ｗ）から成る層状酸化物絶縁体
薄膜が交互に積層された超伝導薄膜。（ここでアルカリ
土類は、IIａ族元素のうちの少なくとも一種あるいは二
種以上の元素を示す。） - 【請求項２】 基体上に積層構造の超伝導薄膜を製造す
る方法であって、少なくともＴｌを含む酸化物と少なく
ともＣｕおよびアルカリ土類（IIａ族）を含む酸化物と
を周期的に積層させて形成する酸化物薄膜と、少なくと
もＢｉを含む酸化物と少なくともＷ含む酸化物とを周期
的に積層させて形成する酸化物薄膜とを、交互に積層さ
せることを特徴とする超伝導薄膜の製造方法。（ここで
アルカリ土類は、IIａ族元素のうちの少なくとも一種あ
るいは二種以上の元素を示す。） - 【請求項３】 薄膜を形成させる際の基体温度が６００
℃以下である請求項２に記載の超伝導薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 薄膜形成後、少なくとも酸素を含む雰囲
気中で熱処理をする請求項３に記載の超伝導薄膜の製造
方法。 - 【請求項５】 積層物質の蒸発を少なくとも二種以上の
蒸発源で行う請求項２に記載の超伝導薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 積層物質の蒸発をスパッタリングで行な
う請求項２に記載の超伝導薄膜の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344520A JPH05171414A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 超伝導薄膜およびその製造方法 |
| DE69209145T DE69209145T2 (de) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilmisolationsschicht mit Bi-W-Sauerstoff |
| EP92109241A EP0517148B1 (en) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Method of making a thin film insulating layer with Bi-W-Oxygen |
| EP94116681A EP0643400B1 (en) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Method for making a superconductor thin film |
| DE69224214T DE69224214T2 (de) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Herstellungsverfahren für Dünnschicht-Supraleiter |
| EP94116712A EP0640994B1 (en) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Superconductor thin film and manufacturing method |
| DE69219623T DE69219623T2 (de) | 1991-06-04 | 1992-06-02 | Dünnfilmsupraleiter und Herstellungsmethode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3344520A JPH05171414A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | 超伝導薄膜およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05171414A true JPH05171414A (ja) | 1993-07-09 |
Family
ID=18369915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3344520A Pending JPH05171414A (ja) | 1991-06-04 | 1991-12-26 | 超伝導薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05171414A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624804B2 (en) | 1998-04-06 | 2003-09-23 | Ethertouch Limited Of Brumby House | Positioning a cursor on the display screen of a computer |
| KR100830380B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2008-05-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 진공 증착 장치 및 전기 광학 장치의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3344520A patent/JPH05171414A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624804B2 (en) | 1998-04-06 | 2003-09-23 | Ethertouch Limited Of Brumby House | Positioning a cursor on the display screen of a computer |
| KR100830380B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2008-05-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 진공 증착 장치 및 전기 광학 장치의 제조 방법 |
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