JP2001111123A - Ｓｑｕｉｄ素子 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ素子Info
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- JP2001111123A JP2001111123A JP28975199A JP28975199A JP2001111123A JP 2001111123 A JP2001111123 A JP 2001111123A JP 28975199 A JP28975199 A JP 28975199A JP 28975199 A JP28975199 A JP 28975199A JP 2001111123 A JP2001111123 A JP 2001111123A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/035—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using superconductive devices
- G01R33/0354—SQUIDS
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ
素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、
大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子を提
供する。 【解決手段】 段差部１１を有するサファイア基板１０
上にＣｅＯ2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜から
なる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口
部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部
位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パ
ターン２０を構成する。このとき、段差部１１が横断し
ている部位において段差型ジョセフソン接合部２６、２
７が形成されて、ＳＱＵＩＤが得られる。サファイア基
板は比較的低価格であり、大面積の基板を用いることが
できる。
素子について、素子の低価格化が可能であるとともに、
大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子を提
供する。 【解決手段】 段差部１１を有するサファイア基板１０
上にＣｅＯ2バッファ層を介して酸化物超電導薄膜から
なる超電導薄膜パターン２０を形成し、中心部分に開口
部２３を有する正方形状の薄膜パターン２２の所定の部
位を段差部１１が横断するように段差部１１及び薄膜パ
ターン２０を構成する。このとき、段差部１１が横断し
ている部位において段差型ジョセフソン接合部２６、２
７が形成されて、ＳＱＵＩＤが得られる。サファイア基
板は比較的低価格であり、大面積の基板を用いることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＱＵＩＤ（Supe
rconducting QUantum Interference Device、超電導量
子干渉素子）を備えるＳＱＵＩＤ素子に関するものであ
る。
rconducting QUantum Interference Device、超電導量
子干渉素子）を備えるＳＱＵＩＤ素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＳＱＵＩＤは、超電導ループ中に１個以
上のジョセフソン接合を形成したものであり、非常に高
い精度で磁場を測定することができる磁気センサ等に利
用される。
上のジョセフソン接合を形成したものであり、非常に高
い精度で磁場を測定することができる磁気センサ等に利
用される。
【０００３】超電導ループ中のジョセフソン接合につい
ては、いくつかの形成方法によるものが用いられている
が、その１つとして段差型のジョセフソン接合がある。
段差型ジョセフソン接合では、超電導薄膜パターンによ
って超電導ループが作製される基板上に所定の段差を形
成する。そして、その段差部分が超電導薄膜による超電
導ループの所定位置を横断するように基板上の超電導薄
膜パターンを形成し、段差部分上の超電導薄膜パターン
部分に形成される弱結合を利用してジョセフソン接合を
得る。
ては、いくつかの形成方法によるものが用いられている
が、その１つとして段差型のジョセフソン接合がある。
段差型ジョセフソン接合では、超電導薄膜パターンによ
って超電導ループが作製される基板上に所定の段差を形
成する。そして、その段差部分が超電導薄膜による超電
導ループの所定位置を横断するように基板上の超電導薄
膜パターンを形成し、段差部分上の超電導薄膜パターン
部分に形成される弱結合を利用してジョセフソン接合を
得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】酸化物超電導薄膜によ
る薄膜パターンを用いて上記した段差型ジョセフソン接
合を形成する場合、その基板としては良好な酸化物超電
導薄膜を形成可能であるなどの理由からＳｒＴｉＯ3基
板が一般的に用いられている（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.32 (1993) pp.662-664）。しかしながら、ＳｒＴｉＯ
3基板は高価格である上、基板サイズの大きいＳｒＴｉ
Ｏ3基板を入手することができない。このとき、単一ウ
エハ基板から製造できるＳＱＵＩＤの数が減少して製造
効率が低下してしまうという問題を生じる。
る薄膜パターンを用いて上記した段差型ジョセフソン接
合を形成する場合、その基板としては良好な酸化物超電
導薄膜を形成可能であるなどの理由からＳｒＴｉＯ3基
板が一般的に用いられている（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.32 (1993) pp.662-664）。しかしながら、ＳｒＴｉＯ
3基板は高価格である上、基板サイズの大きいＳｒＴｉ
Ｏ3基板を入手することができない。このとき、単一ウ
エハ基板から製造できるＳＱＵＩＤの数が減少して製造
効率が低下してしまうという問題を生じる。
【０００５】また、ＳＱＵＩＤ磁気センサにおいては、
磁場の検出感度を高めるためにＳＱＵＩＤの寸法を大き
くして磁束捕獲面積を増加させるなど、ＳＱＵＩＤ素子
を大面積化することが求められる場合があるが、上記し
たＳＱＵＩＤ素子によってはこのような大面積化に対応
することが難しい。
磁場の検出感度を高めるためにＳＱＵＩＤの寸法を大き
くして磁束捕獲面積を増加させるなど、ＳＱＵＩＤ素子
を大面積化することが求められる場合があるが、上記し
たＳＱＵＩＤ素子によってはこのような大面積化に対応
することが難しい。
【０００６】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩ
Ｄ素子について、素子の低価格化が可能であるととも
に、大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子
を提供することを目的とする。
ものであり、段差型ジョセフソン接合を有するＳＱＵＩ
Ｄ素子について、素子の低価格化が可能であるととも
に、大面積の基板を用いることができるＳＱＵＩＤ素子
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明によるＳＱＵＩＤ素子は、サファイア
基板と、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介し
て形成された酸化物超電導薄膜からなり、ＳＱＵＩＤを
含む超電導薄膜パターンと、を有し、ＳＱＵＩＤのジョ
セフソン接合部は、サファイア基板上に形成された段差
部の上に形成される段差型ジョセフソン接合であること
を特徴とする。
るために、本発明によるＳＱＵＩＤ素子は、サファイア
基板と、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介し
て形成された酸化物超電導薄膜からなり、ＳＱＵＩＤを
含む超電導薄膜パターンと、を有し、ＳＱＵＩＤのジョ
セフソン接合部は、サファイア基板上に形成された段差
部の上に形成される段差型ジョセフソン接合であること
を特徴とする。
【０００８】上記したＳＱＵＩＤ素子に用いられている
サファイア基板は、比較的低価格で入手でき、基板サイ
ズを大きくすることが可能な基板である。しかしなが
ら、サファイア基板を用いて超電導薄膜パターンを形成
する場合に、段差型ジョセフソン接合を形成してＳＱＵ
ＩＤを作製する技術は確立されていなかった。
サファイア基板は、比較的低価格で入手でき、基板サイ
ズを大きくすることが可能な基板である。しかしなが
ら、サファイア基板を用いて超電導薄膜パターンを形成
する場合に、段差型ジョセフソン接合を形成してＳＱＵ
ＩＤを作製する技術は確立されていなかった。
【０００９】これに対して、本願発明者は鋭意検討を重
ねた結果、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介
して酸化物超電導薄膜による超電導薄膜パターンを形成
するとともに、サファイア基板に設けられた段差が薄膜
パターンの所定の部位を横断するように構成することに
よって、素子をＳＱＵＩＤ動作させることができる段差
型ジョセフソン接合を得ることが可能であることを見出
し、本発明を完成するに至った。これにより、段差型ジ
ョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子の低価格化が可
能になる。また、大面積のサファイア基板を使用するこ
とができるので、ＳＱＵＩＤの大面積化や、製造効率の
向上を実現することができる。
ねた結果、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介
して酸化物超電導薄膜による超電導薄膜パターンを形成
するとともに、サファイア基板に設けられた段差が薄膜
パターンの所定の部位を横断するように構成することに
よって、素子をＳＱＵＩＤ動作させることができる段差
型ジョセフソン接合を得ることが可能であることを見出
し、本発明を完成するに至った。これにより、段差型ジ
ョセフソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子の低価格化が可
能になる。また、大面積のサファイア基板を使用するこ
とができるので、ＳＱＵＩＤの大面積化や、製造効率の
向上を実現することができる。
【００１０】また、酸化物超電導薄膜は、ＨｏＢａＣｕ
Ｏ系の酸化物超電導体からなることを特徴とする。これ
によって、特に結晶状態及び特性が良好な超電導薄膜パ
ターンを得ることができる。
Ｏ系の酸化物超電導体からなることを特徴とする。これ
によって、特に結晶状態及び特性が良好な超電導薄膜パ
ターンを得ることができる。
【００１１】また、上記したＳＱＵＩＤ及びその段差型
ジョセフソン接合について充分な特性を得るための構成
条件としては、サファイア基板上に形成された段差部
は、その角度が１５度以上４５度未満であることを特徴
とすることが好ましい。
ジョセフソン接合について充分な特性を得るための構成
条件としては、サファイア基板上に形成された段差部
は、その角度が１５度以上４５度未満であることを特徴
とすることが好ましい。
【００１２】さらに、ＣｅＯ2バッファ層は、その厚さ
が１０ｎｍ以上６０ｎｍ未満であることを特徴とするこ
とが好ましい。
が１０ｎｍ以上６０ｎｍ未満であることを特徴とするこ
とが好ましい。
【００１３】さらに、酸化物超電導薄膜は、その厚さが
１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする
ことが好ましい。
１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする
ことが好ましい。
【００１４】さらに、サファイア基板上に形成された段
差部は、その高さが１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であ
ることを特徴とすることが好ましい。
差部は、その高さが１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であ
ることを特徴とすることが好ましい。
【００１５】上記した各構成条件、あるいはそれらを組
み合わせた構成条件を用いることによって、形成される
超電導薄膜パターンの結晶状態及び超電導特性を特に向
上させるとともに、素子を良好にＳＱＵＩＤ動作させる
ことが可能な段差型ジョセフソン接合を得ることができ
る。
み合わせた構成条件を用いることによって、形成される
超電導薄膜パターンの結晶状態及び超電導特性を特に向
上させるとともに、素子を良好にＳＱＵＩＤ動作させる
ことが可能な段差型ジョセフソン接合を得ることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明によるＳ
ＱＵＩＤ素子の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
ＱＵＩＤ素子の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１７】図１は、本発明によるＳＱＵＩＤ素子の一
実施形態を示す平面図である。なお、図１においては、
ＳＱＵＩＤ素子のうちＳＱＵＩＤが形成されているパタ
ーン部分を拡大して図示し、それ以外のパターン部分に
ついては図示していない。
実施形態を示す平面図である。なお、図１においては、
ＳＱＵＩＤ素子のうちＳＱＵＩＤが形成されているパタ
ーン部分を拡大して図示し、それ以外のパターン部分に
ついては図示していない。
【００１８】ＳＱＵＩＤ素子１は、サファイア基板１０
と、サファイア基板１０上に形成された超電導薄膜パタ
ーン２０とを有して構成されている。サファイア基板１
０には図中に破線で示した線に沿って、所定の角度及び
高さを有して形成された段差からなる段差部１１が設け
られている。
と、サファイア基板１０上に形成された超電導薄膜パタ
ーン２０とを有して構成されている。サファイア基板１
０には図中に破線で示した線に沿って、所定の角度及び
高さを有して形成された段差からなる段差部１１が設け
られている。
【００１９】図１に示した超電導薄膜パターン２０にお
いては、図中の縦方向に伸びる薄膜パターン２１の所定
の位置に、外形寸法が５ｍｍ×５ｍｍである正方形状の
薄膜パターン２２が形成されている。また、薄膜パター
ン２２の中心部分には、薄膜パターン２１の伸びる方向
を長手方向とする幅５μｍ、長さ１００μｍの開口部２
３が形成されている。
いては、図中の縦方向に伸びる薄膜パターン２１の所定
の位置に、外形寸法が５ｍｍ×５ｍｍである正方形状の
薄膜パターン２２が形成されている。また、薄膜パター
ン２２の中心部分には、薄膜パターン２１の伸びる方向
を長手方向とする幅５μｍ、長さ１００μｍの開口部２
３が形成されている。
【００２０】また、正方形状の薄膜パターン２２の下辺
側には、薄膜パターン２１を挟む左右の所定の位置に、
それぞれ凹状パターン部２４及び２５が設けられてい
る。これらの凹状パターン部２４、２５は、それぞれの
内側の辺、すなわち縦方向に伸びる薄膜パターン２１の
中心線側の辺のうち、パターン部先端にある一部分が開
口部２３に面する形状とされている。
側には、薄膜パターン２１を挟む左右の所定の位置に、
それぞれ凹状パターン部２４及び２５が設けられてい
る。これらの凹状パターン部２４、２５は、それぞれの
内側の辺、すなわち縦方向に伸びる薄膜パターン２１の
中心線側の辺のうち、パターン部先端にある一部分が開
口部２３に面する形状とされている。
【００２１】ここで、サファイア基板１０の段差部１１
は、凹状パターン部２４、２５内の超電導薄膜パターン
２０が形成されていない領域を通り、かつ、開口部２３
内の位置を通過するように凹状パターン部２４及び２５
の間の薄膜パターン２２を横断する線に沿って形成され
ている。
は、凹状パターン部２４、２５内の超電導薄膜パターン
２０が形成されていない領域を通り、かつ、開口部２３
内の位置を通過するように凹状パターン部２４及び２５
の間の薄膜パターン２２を横断する線に沿って形成され
ている。
【００２２】このとき、この段差部１１は、凹状パター
ン部２４と開口部２３とによって挟まれた薄膜パターン
部分、及び凹状パターン部２５と開口部２３とによって
挟まれた薄膜パターン部分を横断している。これによっ
て、段差部１１が横断しているこれら２つの部位にそれ
ぞれ段差型ジョセフソン接合部２６及び２７が形成され
る。本実施形態におけるＳＱＵＩＤ２は、以上に述べた
正方形状の薄膜パターン２２、開口部２３、及び段差型
ジョセフソン接合部２６、２７を有して構成されてい
る。
ン部２４と開口部２３とによって挟まれた薄膜パターン
部分、及び凹状パターン部２５と開口部２３とによって
挟まれた薄膜パターン部分を横断している。これによっ
て、段差部１１が横断しているこれら２つの部位にそれ
ぞれ段差型ジョセフソン接合部２６及び２７が形成され
る。本実施形態におけるＳＱＵＩＤ２は、以上に述べた
正方形状の薄膜パターン２２、開口部２３、及び段差型
ジョセフソン接合部２６、２７を有して構成されてい
る。
【００２３】図２は、図１に示したＳＱＵＩＤ素子１の
Ｉ−Ｉ矢印断面図であり、段差型ジョセフソン接合部２
６近傍を拡大して、その断面構造を示している。
Ｉ−Ｉ矢印断面図であり、段差型ジョセフソン接合部２
６近傍を拡大して、その断面構造を示している。
【００２４】本実施形態における超電導薄膜パターン２
０は、サファイア基板１０上に、ＣｅＯ2（酸化セリウ
ム）薄膜からなるバッファ層１２及び酸化物超電導薄膜
１３を順次成膜することによって形成されている。さら
に、サファイア基板１０には、図２に示すように所定の
段差角度θ及び段差高さｈを有する段差部１１が設けら
れている。
０は、サファイア基板１０上に、ＣｅＯ2（酸化セリウ
ム）薄膜からなるバッファ層１２及び酸化物超電導薄膜
１３を順次成膜することによって形成されている。さら
に、サファイア基板１０には、図２に示すように所定の
段差角度θ及び段差高さｈを有する段差部１１が設けら
れている。
【００２５】そして、この段差部１１が超電導薄膜パタ
ーン２０の所定の部位を横断するように超電導薄膜パタ
ーン２０をサファイア基板１０上に形成することによっ
て、上述したように段差型ジョセフソン接合部２６が得
られる。すなわち、段差部１１が、ＣｅＯ2バッファ層
１２を介して形成された酸化物超電導薄膜１３からなる
超電導薄膜パターン２０を横断することによって、段差
部１１を覆っている超電導薄膜部分において弱結合が形
成され、これによって段差型ジョセフソン接合が得られ
る。なお、段差部１１の段差角度θ及び段差高さｈは、
段差型ジョセフソン接合２６及び２７に対して同一とさ
れている。
ーン２０の所定の部位を横断するように超電導薄膜パタ
ーン２０をサファイア基板１０上に形成することによっ
て、上述したように段差型ジョセフソン接合部２６が得
られる。すなわち、段差部１１が、ＣｅＯ2バッファ層
１２を介して形成された酸化物超電導薄膜１３からなる
超電導薄膜パターン２０を横断することによって、段差
部１１を覆っている超電導薄膜部分において弱結合が形
成され、これによって段差型ジョセフソン接合が得られ
る。なお、段差部１１の段差角度θ及び段差高さｈは、
段差型ジョセフソン接合２６及び２７に対して同一とさ
れている。
【００２６】上記した実施形態によるＳＱＵＩＤ素子の
効果、及びその好適な構成条件について説明する。
効果、及びその好適な構成条件について説明する。
【００２７】本実施形態においては、酸化物超電導体の
薄膜パターンを用いた段差型ジョセフソン接合を有する
ＳＱＵＩＤにおいて、一般的に用いられているＳｒＴｉ
Ｏ3基板ではなく、サファイア基板１０を用いている。
サファイア基板は比較的低価格であり、また、基板サイ
ズの大きいものを利用することが可能である。
薄膜パターンを用いた段差型ジョセフソン接合を有する
ＳＱＵＩＤにおいて、一般的に用いられているＳｒＴｉ
Ｏ3基板ではなく、サファイア基板１０を用いている。
サファイア基板は比較的低価格であり、また、基板サイ
ズの大きいものを利用することが可能である。
【００２８】さらに、このサファイア基板１０上に、Ｃ
ｅＯ2バッファ層１２及び酸化物超電導薄膜１３を順次
成膜し、これらから超電導薄膜パターン２０を形成して
いる。これによって、サファイア基板１０の段差部１１
が超電導薄膜パターン２０を横断する部位に、素子をＳ
ＱＵＩＤ動作させることが可能な段差型ジョセフソン接
合が形成されたＳＱＵＩＤを得ることが可能となる。な
お、通常のサファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介
して酸化物超電導薄膜を形成することについては、例え
ば文献 J. Appl. Phys. 70 (1991) pp.3986-3988 に記
載されている。
ｅＯ2バッファ層１２及び酸化物超電導薄膜１３を順次
成膜し、これらから超電導薄膜パターン２０を形成して
いる。これによって、サファイア基板１０の段差部１１
が超電導薄膜パターン２０を横断する部位に、素子をＳ
ＱＵＩＤ動作させることが可能な段差型ジョセフソン接
合が形成されたＳＱＵＩＤを得ることが可能となる。な
お、通常のサファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介
して酸化物超電導薄膜を形成することについては、例え
ば文献 J. Appl. Phys. 70 (1991) pp.3986-3988 に記
載されている。
【００２９】このようにＣｅＯ2薄膜をバッファ層とし
て用いることによって、サファイア基板上に良好な結晶
状態を有する酸化物超電導薄膜を成膜することができ
る。しかしながら、この構成において段差型ジョセフソ
ン接合を形成してＳＱＵＩＤを得る作製技術は確立され
ていなかった。これに対して、本願発明者が検討及び実
験を重ねた結果、上記した構成を用いてサファイア基板
上でＳＱＵＩＤ動作可能な段差型ジョセフソン接合を形
成することが可能であるとの知見を得て、本発明による
ＳＱＵＩＤ素子に到達したものである。
て用いることによって、サファイア基板上に良好な結晶
状態を有する酸化物超電導薄膜を成膜することができ
る。しかしながら、この構成において段差型ジョセフソ
ン接合を形成してＳＱＵＩＤを得る作製技術は確立され
ていなかった。これに対して、本願発明者が検討及び実
験を重ねた結果、上記した構成を用いてサファイア基板
上でＳＱＵＩＤ動作可能な段差型ジョセフソン接合を形
成することが可能であるとの知見を得て、本発明による
ＳＱＵＩＤ素子に到達したものである。
【００３０】サファイア基板を用いたＳＱＵＩＤの作製
については、基板上に急峻な段差を形成するとともにＭ
ｇＯバッファ層を介して酸化物超電導薄膜を形成するこ
とが文献 Appl. Phys. Lett. 60 (1992) pp.2552-2554
に記載されている。また、ＭｇＯ基板上に酸化物超電導
薄膜を形成して、段差角度が３０度程度のＳＱＵＩＤを
作製することが文献 Appl. Phys. Lett. 60 (1992) pp.
2433-2435 に記載されている。しかしながら、ＭｇＯバ
ッファ層またはＭｇＯ基板では、得られる酸化物超電導
薄膜の結晶状態や特性を充分に向上させることができな
い。
については、基板上に急峻な段差を形成するとともにＭ
ｇＯバッファ層を介して酸化物超電導薄膜を形成するこ
とが文献 Appl. Phys. Lett. 60 (1992) pp.2552-2554
に記載されている。また、ＭｇＯ基板上に酸化物超電導
薄膜を形成して、段差角度が３０度程度のＳＱＵＩＤを
作製することが文献 Appl. Phys. Lett. 60 (1992) pp.
2433-2435 に記載されている。しかしながら、ＭｇＯバ
ッファ層またはＭｇＯ基板では、得られる酸化物超電導
薄膜の結晶状態や特性を充分に向上させることができな
い。
【００３１】これに対して、上記した実施形態のＳＱＵ
ＩＤ素子では、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層
を介して酸化物超電導薄膜を成膜した構成を用いて段差
型ジョセフソン接合を形成することによって、ＳＱＵＩ
Ｄ素子を低価格化し、また、大面積のサファイア基板を
使用可能として、ＳＱＵＩＤの大面積化や製造効率の向
上を実現している。さらに、ＣｅＯ2薄膜をバッファ層
に用いることによって、超伝導薄膜パターンを構成する
酸化物超電導薄膜の結晶状態及び特性を向上させて、良
好な超電導特性及びＳＱＵＩＤ動作が得られるＳＱＵＩ
Ｄ素子としている。
ＩＤ素子では、サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層
を介して酸化物超電導薄膜を成膜した構成を用いて段差
型ジョセフソン接合を形成することによって、ＳＱＵＩ
Ｄ素子を低価格化し、また、大面積のサファイア基板を
使用可能として、ＳＱＵＩＤの大面積化や製造効率の向
上を実現している。さらに、ＣｅＯ2薄膜をバッファ層
に用いることによって、超伝導薄膜パターンを構成する
酸化物超電導薄膜の結晶状態及び特性を向上させて、良
好な超電導特性及びＳＱＵＩＤ動作が得られるＳＱＵＩ
Ｄ素子としている。
【００３２】このとき、酸化物超電導薄膜としては、Ｈ
ｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜などＨｏＢａＣｕＯ系の酸化物
超電導体を用いることが好ましい。これによって、特に
結晶状態及び特性が良好な超電導薄膜パターンを形成す
ることができる。
ｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜などＨｏＢａＣｕＯ系の酸化物
超電導体を用いることが好ましい。これによって、特に
結晶状態及び特性が良好な超電導薄膜パターンを形成す
ることができる。
【００３３】また、本願発明者による実験の結果によれ
ば、サファイア基板１０の段差部１１や、ＣｅＯ2バッ
ファ層１２及び酸化物超電導薄膜１３などの構成条件と
して、段差部１１については、段差角度θを１５度以上
４５度未満とすることが好ましく、また、段差高さｈを
１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることが好ましい。
ば、サファイア基板１０の段差部１１や、ＣｅＯ2バッ
ファ層１２及び酸化物超電導薄膜１３などの構成条件と
して、段差部１１については、段差角度θを１５度以上
４５度未満とすることが好ましく、また、段差高さｈを
１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３４】さらに、ＣｅＯ2バッファ層１２について
は、厚さを１０ｎｍ以上６０ｎｍ未満とすることが好ま
しく、一方、酸化物超電導薄膜１３については、厚さを
１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが好ましい。
は、厚さを１０ｎｍ以上６０ｎｍ未満とすることが好ま
しく、一方、酸化物超電導薄膜１３については、厚さを
１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３５】これらの条件を適用することによって、特
にＳＱＵＩＤ素子の特性を向上させることができる。
にＳＱＵＩＤ素子の特性を向上させることができる。
【００３６】以下に、上記した実施形態によるＳＱＵＩ
Ｄ素子１の特性、及びその好適な構成条件について、実
施例及び比較例を示してさらに具体的に説明する。な
お、各実施例及び比較例での超電導薄膜パターン２０、
及びそれによって形成されるＳＱＵＩＤ２の構成等につ
いては、いずれも図１及び図２に示したものを用いてい
る。
Ｄ素子１の特性、及びその好適な構成条件について、実
施例及び比較例を示してさらに具体的に説明する。な
お、各実施例及び比較例での超電導薄膜パターン２０、
及びそれによって形成されるＳＱＵＩＤ２の構成等につ
いては、いずれも図１及び図２に示したものを用いてい
る。
【００３７】（実施例１）まず、サファイア基板１０上
に、フォトリソグラフィ及びイオンミリングエッチング
によって段差部１１を形成した。このとき、段差部１１
の段差高さはｈ＝２５０ｎｍ、段差角度はθ＝３０度と
した。この基板１０上に、レーザ蒸着法によって、Ｃｅ
Ｏ2バッファ層１２、及びＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xからな
る酸化物超電導薄膜１３を図２に示したように順次成膜
した。ＣｅＯ2バッファ層１２の厚さは３０ｎｍ、Ｈｏ1
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜１３の厚さは１２０ｎｍに形成し
た。その後、フォトリソグラフィによるパターニングに
よって、ＳＱＵＩＤ２を含む図１に示した超電導薄膜パ
ターン２０を形成した。段差型ジョセフソン接合部２
６、２７の幅はそれぞれ３μｍとした。ＳＱＵＩＤイン
ダクタンスは３０ｐＨであった。
に、フォトリソグラフィ及びイオンミリングエッチング
によって段差部１１を形成した。このとき、段差部１１
の段差高さはｈ＝２５０ｎｍ、段差角度はθ＝３０度と
した。この基板１０上に、レーザ蒸着法によって、Ｃｅ
Ｏ2バッファ層１２、及びＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xからな
る酸化物超電導薄膜１３を図２に示したように順次成膜
した。ＣｅＯ2バッファ層１２の厚さは３０ｎｍ、Ｈｏ1
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜１３の厚さは１２０ｎｍに形成し
た。その後、フォトリソグラフィによるパターニングに
よって、ＳＱＵＩＤ２を含む図１に示した超電導薄膜パ
ターン２０を形成した。段差型ジョセフソン接合部２
６、２７の幅はそれぞれ３μｍとした。ＳＱＵＩＤイン
ダクタンスは３０ｐＨであった。
【００３８】このようにして作製されたＳＱＵＩＤ素子
を液体窒素中に浸し、その特性についての計測を行った
ところ、良好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱ
ＵＩＤの変調電圧はＶｐｐ＝１０μＶであった。
を液体窒素中に浸し、その特性についての計測を行った
ところ、良好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱ
ＵＩＤの変調電圧はＶｐｐ＝１０μＶであった。
【００３９】（実施例２）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝１５度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったところ、良好なＳＱＵＩ
Ｄ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変調電圧はＶｐ
ｐ＝１μＶであった。
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝１５度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったところ、良好なＳＱＵＩ
Ｄ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変調電圧はＶｐ
ｐ＝１μＶであった。
【００４０】（実施例３）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝４０度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったところ、良好なＳＱＵＩ
Ｄ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変調電圧はＶｐ
ｐ＝５μＶであった。
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝４０度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったところ、良好なＳＱＵＩ
Ｄ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変調電圧はＶｐ
ｐ＝５μＶであった。
【００４１】（実施例４）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
１０ｎｍとした。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素
中に浸し、その特性についての計測を行ったところ、良
好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変
調電圧はＶｐｐ＝２μＶであった。
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
１０ｎｍとした。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素
中に浸し、その特性についての計測を行ったところ、良
好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変
調電圧はＶｐｐ＝２μＶであった。
【００４２】（実施例５）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
５５ｎｍとした。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素
中に浸し、その特性についての計測を行ったところ、良
好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変
調電圧はＶｐｐ＝４μＶであった。
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
５５ｎｍとした。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素
中に浸し、その特性についての計測を行ったところ、良
好なＳＱＵＩＤ動作が得られた。また、ＳＱＵＩＤの変
調電圧はＶｐｐ＝４μＶであった。
【００４３】（比較例１）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝１０度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったが、臨界電流値が１ｍＡ
を超えて、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝１０度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったが、臨界電流値が１ｍＡ
を超えて、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
【００４４】（比較例２）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝４５度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったが、臨界電流値が０で超
電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
ＩＤを作製した。ただし、段差角度をθ＝４５度とし
た。作製されたＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、そ
の特性についての計測を行ったが、臨界電流値が０で超
電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
【００４５】（比較例３）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
９ｎｍとした。このとき、段差部上においてＨｏ1Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜が良好に成長していなかった。作製され
たＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、その特性につい
ての計測を行ったが、超電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ
動作しなかった。
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
９ｎｍとした。このとき、段差部上においてＨｏ1Ｂａ2
Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜が良好に成長していなかった。作製され
たＳＱＵＩＤ素子を液体窒素中に浸し、その特性につい
ての計測を行ったが、超電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ
動作しなかった。
【００４６】（比較例４）実施例１と同様にしてＳＱＵ
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
６０ｎｍとした。このとき、ＣｅＯ2バッファ層表面の
平滑性が悪化し、全体的にＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜が
良好に成長していなかった。作製されたＳＱＵＩＤ素子
を液体窒素中に浸し、その特性についての計測を行った
が、超電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
ＩＤを作製した。ただし、ＣｅＯ2バッファ層の厚さを
６０ｎｍとした。このとき、ＣｅＯ2バッファ層表面の
平滑性が悪化し、全体的にＨｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜が
良好に成長していなかった。作製されたＳＱＵＩＤ素子
を液体窒素中に浸し、その特性についての計測を行った
が、超電導特性を示さず、ＳＱＵＩＤ動作しなかった。
【００４７】（実施例及び比較例について）上記した実
施例１〜５においては、いずれも良好な特性によるＳＱ
ＵＩＤ動作が得られ、本発明によるＳＱＵＩＤ素子の構
成において、良好に機能する段差型ジョセフソン接合を
有するＳＱＵＩＤが得られていることがわかる。
施例１〜５においては、いずれも良好な特性によるＳＱ
ＵＩＤ動作が得られ、本発明によるＳＱＵＩＤ素子の構
成において、良好に機能する段差型ジョセフソン接合を
有するＳＱＵＩＤが得られていることがわかる。
【００４８】一方、段差部の段差角度θ、またはＣｅＯ
2バッファ層の膜厚をさらに変化させた比較例１〜４に
おいては、超電導特性またはＳＱＵＩＤ動作が得られて
いない。また、上記した実施例及び比較例においては示
していないが、段差高さｈ及び酸化物超電導薄膜１３の
膜厚についても同様である。このように、サファイア基
板１０に形成する段差部１１の形状や、ＣｅＯ2バッフ
ァ層１２及び酸化物超電導薄膜１３の膜厚などを、実施
形態に関して上述した好適な数値範囲内の値に設定し
て、充分な特性が得られるように段差型ジョセフソン接
合部を形成することが好ましい。
2バッファ層の膜厚をさらに変化させた比較例１〜４に
おいては、超電導特性またはＳＱＵＩＤ動作が得られて
いない。また、上記した実施例及び比較例においては示
していないが、段差高さｈ及び酸化物超電導薄膜１３の
膜厚についても同様である。このように、サファイア基
板１０に形成する段差部１１の形状や、ＣｅＯ2バッフ
ァ層１２及び酸化物超電導薄膜１３の膜厚などを、実施
形態に関して上述した好適な数値範囲内の値に設定し
て、充分な特性が得られるように段差型ジョセフソン接
合部を形成することが好ましい。
【００４９】なお、酸化物超電導薄膜１３についてはＨ
ｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜に限られず他の酸化物高温超電
導材料を用いても良い。また、角度や膜厚などの構成条
件についての好適な数値範囲は、用いる超電導材料や、
ジョセフソン接合部の幅などのパターン形状、あるいは
それぞれの構成条件の相関などによって変化する場合が
あると考えられる。したがって、それぞれのＳＱＵＩＤ
素子の構成に基づいてＳＱＵＩＤを作製する好適な構成
条件を決定することが望ましい。
ｏ1Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-x薄膜に限られず他の酸化物高温超電
導材料を用いても良い。また、角度や膜厚などの構成条
件についての好適な数値範囲は、用いる超電導材料や、
ジョセフソン接合部の幅などのパターン形状、あるいは
それぞれの構成条件の相関などによって変化する場合が
あると考えられる。したがって、それぞれのＳＱＵＩＤ
素子の構成に基づいてＳＱＵＩＤを作製する好適な構成
条件を決定することが望ましい。
【００５０】
【発明の効果】本発明によるＳＱＵＩＤ素子は、以上詳
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターンに対
して、基板上の段差を用いて形成された段差型ジョセフ
ソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子において、酸化物超電
導薄膜によるパターンを形成する基板としてサファイア
基板を用いる。サファイア基板は比較的低価格で入手が
可能であり、したがって、ＳＱＵＩＤ素子を低価格化す
ることができる。
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、酸化物超電導薄膜からなる超電導薄膜パターンに対
して、基板上の段差を用いて形成された段差型ジョセフ
ソン接合を有するＳＱＵＩＤ素子において、酸化物超電
導薄膜によるパターンを形成する基板としてサファイア
基板を用いる。サファイア基板は比較的低価格で入手が
可能であり、したがって、ＳＱＵＩＤ素子を低価格化す
ることができる。
【００５１】さらに、大面積のサファイア基板を入手し
て使用することが可能であるので、単一ウエハ基板から
製造できるＳＱＵＩＤ数を増加させて製造効率を向上さ
せることができ、また、作製されるＳＱＵＩＤの寸法を
大きくして、磁場検出感度が向上された磁気センサとな
るＳＱＵＩＤ素子を得ることができる。
て使用することが可能であるので、単一ウエハ基板から
製造できるＳＱＵＩＤ数を増加させて製造効率を向上さ
せることができ、また、作製されるＳＱＵＩＤの寸法を
大きくして、磁場検出感度が向上された磁気センサとな
るＳＱＵＩＤ素子を得ることができる。
【００５２】また、サファイア基板上での酸化物超電導
薄膜の形成について、ＣｅＯ2薄膜をバッファ層として
用いている。これによって、酸化物超電導薄膜の結晶状
態及び特性が向上されるとともに、それらの構成条件を
調整して、良好な特性を有してＳＱＵＩＤ動作する段差
型ジョセフソン接合を得ることができる。
薄膜の形成について、ＣｅＯ2薄膜をバッファ層として
用いている。これによって、酸化物超電導薄膜の結晶状
態及び特性が向上されるとともに、それらの構成条件を
調整して、良好な特性を有してＳＱＵＩＤ動作する段差
型ジョセフソン接合を得ることができる。
【００５３】このようなＳＱＵＩＤ素子によれば、サフ
ァイア基板を用いることによって上記したようにＳＱＵ
ＩＤの大面積化が可能となるなど、作製するＳＱＵＩＤ
の構成についての自由度が大きくなるので、様々な用途
及び性能のＳＱＵＩＤ素子を作製することができ、特に
磁気センサとしての感度などのＳＱＵＩＤの諸性能を向
上させることが可能となる。
ァイア基板を用いることによって上記したようにＳＱＵ
ＩＤの大面積化が可能となるなど、作製するＳＱＵＩＤ
の構成についての自由度が大きくなるので、様々な用途
及び性能のＳＱＵＩＤ素子を作製することができ、特に
磁気センサとしての感度などのＳＱＵＩＤの諸性能を向
上させることが可能となる。
【図１】本発明によるＳＱＵＩＤ素子の一実施形態を一
部拡大して示す平面図である。
部拡大して示す平面図である。
【図２】図１に示したＳＱＵＩＤ素子のＩ−Ｉ矢印断面
図である。
図である。
１…ＳＱＵＩＤ素子、１０…サファイア基板、１１…段
差部、１２…ＣｅＯ2バッファ層、１３…酸化物超電導
薄膜、２…ＳＱＵＩＤ、２０…超電導薄膜パターン、２
１、２２…薄膜パターン、２３…開口部、２４、２５…
凹状パターン部、２６、２７…段差型ジョセフソン接合
部。
差部、１２…ＣｅＯ2バッファ層、１３…酸化物超電導
薄膜、２…ＳＱＵＩＤ、２０…超電導薄膜パターン、２
１、２２…薄膜パターン、２３…開口部、２４、２５…
凹状パターン部、２６、２７…段差型ジョセフソン接合
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永石 竜起 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 糸▲崎▼ 秀夫 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 2G017 AD32 AD33 AD36 4M113 AA53 AC08 AD35 AD36 AD68 BA01 BC04 CA34 CA44
Claims (6)
- 【請求項１】 サファイア基板と、 前記サファイア基板上にＣｅＯ2バッファ層を介して形
成された酸化物超電導薄膜からなり、ＳＱＵＩＤを含む
超電導薄膜パターンと、を有し、 前記ＳＱＵＩＤのジョセフソン接合部は、前記サファイ
ア基板上に形成された段差部の上に形成される段差型ジ
ョセフソン接合であることを特徴とするＳＱＵＩＤ素
子。 - 【請求項２】 前記酸化物超電導薄膜は、ＨｏＢａＣｕ
Ｏ系の酸化物超電導体からなることを特徴とする請求項
１記載のＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項３】 前記サファイア基板上に形成された前記
段差部は、その角度が１５度以上４５度未満であること
を特徴とする請求項１または２記載のＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項４】 前記ＣｅＯ2バッファ層は、その厚さが
１０ｎｍ以上６０ｎｍ未満であることを特徴とする請求
項１〜３のいずれか一項記載のＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項５】 前記酸化物超電導薄膜は、その厚さが１
００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請
求項１〜４のいずれか一項記載のＳＱＵＩＤ素子。 - 【請求項６】 前記サファイア基板上に形成された前記
段差部は、その高さが１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載
のＳＱＵＩＤ素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28975199A JP2001111123A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
| CA002323128A CA2323128A1 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-11 | Squid |
| US09/686,386 US6384424B1 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-11 | Squid |
| KR1020000059697A KR20010050950A (ko) | 1999-10-12 | 2000-10-11 | Ｓｑｕｉｄ 소자 |
| EP00402826A EP1092984A3 (en) | 1999-10-12 | 2000-10-12 | Squid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28975199A JP2001111123A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001111123A true JP2001111123A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17747301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28975199A Withdrawn JP2001111123A (ja) | 1999-10-12 | 1999-10-12 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6384424B1 (ja) |
| EP (1) | EP1092984A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001111123A (ja) |
| KR (1) | KR20010050950A (ja) |
| CA (1) | CA2323128A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015514322A (ja) * | 2012-04-04 | 2015-05-18 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 再現可能なステップエッジ型ジョセフソン接合 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4132720B2 (ja) * | 2001-05-07 | 2008-08-13 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 量子干渉型磁束計の製造方法 |
| WO2003019686A2 (en) * | 2001-08-29 | 2003-03-06 | D-Wave Systems, Inc. | Submicron closed-form josephson junctions |
| JP6326379B2 (ja) | 2012-03-08 | 2018-05-16 | ディー−ウェイブ システムズ，インコーポレイテッド | 超伝導集積回路の製作のためのシステムおよび方法 |
| WO2018144601A1 (en) | 2017-02-01 | 2018-08-09 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| WO2019117929A1 (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | Intel Corporation | Wafer-scale manufacturing of josephson junctions for qubits |
| US20200152851A1 (en) | 2018-11-13 | 2020-05-14 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4212028C2 (de) * | 1991-05-08 | 1994-06-16 | Siemens Ag | Korngrenzen-Josephsonelement mit metalloxidischem Hochtemperatursupraleiter-Material, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung des Elementes |
| WO1994007270A1 (en) * | 1992-09-14 | 1994-03-31 | Conductus, Inc. | Improved barrier layers for oxide superconductor devices and circuits |
| US5567673A (en) * | 1994-10-17 | 1996-10-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming multilayered Tl-containing superconducting composites |
| AU7458796A (en) * | 1995-10-24 | 1997-05-15 | Regents Of The University Of California, The | High temperature superconducting josephson junctions and squids |
| US5742073A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Superconducting weak link array switch |
| JPH11274586A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | サファイア基板を用いたｓｑｕｉｄとその製造方法 |
-
1999
- 1999-10-12 JP JP28975199A patent/JP2001111123A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-10-11 US US09/686,386 patent/US6384424B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-11 KR KR1020000059697A patent/KR20010050950A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-11 CA CA002323128A patent/CA2323128A1/en not_active Abandoned
- 2000-10-12 EP EP00402826A patent/EP1092984A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015514322A (ja) * | 2012-04-04 | 2015-05-18 | フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 再現可能なステップエッジ型ジョセフソン接合 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2323128A1 (en) | 2001-04-12 |
| US6384424B1 (en) | 2002-05-07 |
| EP1092984A2 (en) | 2001-04-18 |
| KR20010050950A (ko) | 2001-06-25 |
| EP1092984A3 (en) | 2009-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060425 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070731 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20100113 |