JPH08186300A - 酸化物ｓｑｕｉｄ用ピックアップコイル - Google Patents
酸化物ｓｑｕｉｄ用ピックアップコイルInfo
- Publication number
- JPH08186300A JPH08186300A JP6326728A JP32672894A JPH08186300A JP H08186300 A JPH08186300 A JP H08186300A JP 6326728 A JP6326728 A JP 6326728A JP 32672894 A JP32672894 A JP 32672894A JP H08186300 A JPH08186300 A JP H08186300A
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- Japan
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- coil
- squid
- pickup coil
- superconducting
- pickup
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Abstract
(57)【要約】
【構成】可撓性の基体上に酸化物超伝導膜を作製し、パ
ターニングを行い、その後、基体を切断・曲げ加工する
ことでピックアップコイルを形成する。入力コイルの接
続端子とピックアップコイルの接続端子の間は、入力コ
イル側に凹部もしくは突起を有する超伝導接続端子に可
撓性のピックアップコイル側の超伝導面を押しつける。 【効果】脆弱な酸化物超伝導体で一次および二次微分型
ピックアップコイルが作製でき、ピックアップコイルと
ＳＱＵＩＤの入力コイルの間で超電導接続を冷却・昇温
を繰り返した後も実現し、高温でのグラジオメータとし
てのＳＱＵＩＤ利用が可能となる。
ターニングを行い、その後、基体を切断・曲げ加工する
ことでピックアップコイルを形成する。入力コイルの接
続端子とピックアップコイルの接続端子の間は、入力コ
イル側に凹部もしくは突起を有する超伝導接続端子に可
撓性のピックアップコイル側の超伝導面を押しつける。 【効果】脆弱な酸化物超伝導体で一次および二次微分型
ピックアップコイルが作製でき、ピックアップコイルと
ＳＱＵＩＤの入力コイルの間で超電導接続を冷却・昇温
を繰り返した後も実現し、高温でのグラジオメータとし
てのＳＱＵＩＤ利用が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は酸化物超電導体を用いた
磁気センサ（超電導量子干渉素子：SQUID)に係り、特
に、磁気検出に必要な微分型ピックアップコイルに関す
る。
磁気センサ（超電導量子干渉素子：SQUID)に係り、特
に、磁気検出に必要な微分型ピックアップコイルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】超電導体からなるエレクトロニクス素子
の中で、超電導量子干渉素子：SQUIDは極めて微弱な磁
気を検出する素子であり、心臓や脳の活動を調べるため
の生体磁気測定や材料欠陥検出などの評価に用いられて
いる。これまでのＳＱＵＩＤは、使用温度が低いニオブ
や鉛などの金属系超電導材料を用いてきたため、液体ヘ
リウムを使用しなければならず、高感度磁気センサとし
ての性能は有しているにもかかわらず利用分野が限られ
ていた。
の中で、超電導量子干渉素子：SQUIDは極めて微弱な磁
気を検出する素子であり、心臓や脳の活動を調べるため
の生体磁気測定や材料欠陥検出などの評価に用いられて
いる。これまでのＳＱＵＩＤは、使用温度が低いニオブ
や鉛などの金属系超電導材料を用いてきたため、液体ヘ
リウムを使用しなければならず、高感度磁気センサとし
ての性能は有しているにもかかわらず利用分野が限られ
ていた。
【０００３】しかし、近年発見された超電導転移温度が
液体窒素温度を超える酸化物超電導体をＳＱＵＩＤに用
いることができれば、幅広い応用分野が開けるものと期
待されている。基板の段差を利用した弱結合型ジョセフ
ソン接合作製技術などの新しい技術の開発により、ＳＱ
ＵＩＤそのものの性能は心臓活動に伴う磁場を容易に検
出できるレベルに到っている。一方、実際にＳＱＵＩＤ
を使用する場合、磁気シールド室内の磁気遮蔽された環
境で使用する場合を除いて、多くの応用は静磁場が存在
する環境で材料などの磁化の変化を検出する例が多い。
液体窒素温度を超える酸化物超電導体をＳＱＵＩＤに用
いることができれば、幅広い応用分野が開けるものと期
待されている。基板の段差を利用した弱結合型ジョセフ
ソン接合作製技術などの新しい技術の開発により、ＳＱ
ＵＩＤそのものの性能は心臓活動に伴う磁場を容易に検
出できるレベルに到っている。一方、実際にＳＱＵＩＤ
を使用する場合、磁気シールド室内の磁気遮蔽された環
境で使用する場合を除いて、多くの応用は静磁場が存在
する環境で材料などの磁化の変化を検出する例が多い。
【０００４】この場合、静磁場をキャンセルし、磁化の
空間的変化を検出するために図５に示すように微分型ピ
ックアップコイル５１を用いる。このピックアップコイ
ル及びSQUID52 に信号を伝達する入力コイル５３は磁気
検出感度を高めるために超伝導材料で作製し、その接続
も超伝導接続ができている必要がある。また、高温で動
作させるにはピックアップコイル５１および入力コイル
５３全てを高温超伝導体で作製する必要がある。極低温
で使用する金属系超電導材料の場合は金属線で微分型ピ
ックアップコイルを比較的容易に作製でき、超伝導接続
もニオブや鉛などの金属細線によるボンディングで可能
であるが、酸化物の場合には大きな問題がある。
空間的変化を検出するために図５に示すように微分型ピ
ックアップコイル５１を用いる。このピックアップコイ
ル及びSQUID52 に信号を伝達する入力コイル５３は磁気
検出感度を高めるために超伝導材料で作製し、その接続
も超伝導接続ができている必要がある。また、高温で動
作させるにはピックアップコイル５１および入力コイル
５３全てを高温超伝導体で作製する必要がある。極低温
で使用する金属系超電導材料の場合は金属線で微分型ピ
ックアップコイルを比較的容易に作製でき、超伝導接続
もニオブや鉛などの金属細線によるボンディングで可能
であるが、酸化物の場合には大きな問題がある。
【０００５】すなわち、脆弱な酸化物超伝導体で細いコ
イルを作ることは難しい。現在、金属シース線が作られ
ているが、直径１mm以下の線が全部にわたって均一な超
伝導特性を示し、さらに金属シース線と、酸化マグネシ
ウムやチタン酸ストロンチウム基板上のＳＱＵＩＤチッ
プをシース材料の常伝導金属を介して超伝導状態で接続
しなければならない。線状のピックアップコイルを用い
ないでコイルをSQUIDと同じ基板上に設ける方法は、ア
プライド・フィジックス・レター，５７巻１９９０年４
０６ページ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５
７ （１９９０） ４０６）ジャーナルに報告されてい
る。しかし、材料評価のための計測のように励磁場状態
で測定する場合にはこの方法は向かない。一方、ガラス
円筒上に形成した超伝導薄膜をホトリソグラフィ技術を
使って加工し、コイル形状にする例がアイトリプルイー
・エレクトロン・デバイス・レター１９９４年１５巻１
号１９ページ（IEEE Electron Devicelett. 15 (1994)1
9.）に報告されている。しかし、これはニオブを加工し
たもので、接続などでは金属系超伝導体の技術を適用し
ており、酸化物を対象にすることはできない。
イルを作ることは難しい。現在、金属シース線が作られ
ているが、直径１mm以下の線が全部にわたって均一な超
伝導特性を示し、さらに金属シース線と、酸化マグネシ
ウムやチタン酸ストロンチウム基板上のＳＱＵＩＤチッ
プをシース材料の常伝導金属を介して超伝導状態で接続
しなければならない。線状のピックアップコイルを用い
ないでコイルをSQUIDと同じ基板上に設ける方法は、ア
プライド・フィジックス・レター，５７巻１９９０年４
０６ページ（Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ５
７ （１９９０） ４０６）ジャーナルに報告されてい
る。しかし、材料評価のための計測のように励磁場状態
で測定する場合にはこの方法は向かない。一方、ガラス
円筒上に形成した超伝導薄膜をホトリソグラフィ技術を
使って加工し、コイル形状にする例がアイトリプルイー
・エレクトロン・デバイス・レター１９９４年１５巻１
号１９ページ（IEEE Electron Devicelett. 15 (1994)1
9.）に報告されている。しかし、これはニオブを加工し
たもので、接続などでは金属系超伝導体の技術を適用し
ており、酸化物を対象にすることはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５に示したピックア
ップコイルは直径が３０mm，ＳＱＵＩＤからの距離が１
００mm以上ある。一方、ＳＱＵＩＤおよび入力コイルは
１mm以下の寸法であるため、同じ薄膜形成技術を両者に
適用することはできない。
ップコイルは直径が３０mm，ＳＱＵＩＤからの距離が１
００mm以上ある。一方、ＳＱＵＩＤおよび入力コイルは
１mm以下の寸法であるため、同じ薄膜形成技術を両者に
適用することはできない。
【０００７】本発明の目的は薄膜技術を利用して酸化物
超伝導体のピックアップコイルを作製し、これをＳＱＵ
ＩＤの入力コイルに超伝導状態で接続することにある。
超伝導体のピックアップコイルを作製し、これをＳＱＵ
ＩＤの入力コイルに超伝導状態で接続することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では先ず、広面積の膜を形成するのに適した
方法で、可撓性の基体上に酸化物超伝導膜を作製する。
薄膜にホトリソグラフィとエッチング技術によってパタ
ーニングを行い、その後、基体を切断・曲げ加工するこ
とでピックアップコイルの形状を実現する。入力コイル
はＳＱＵＩＤ本体と同じ、もしくは別の単結晶基板上に
積層構造で作製する。入力コイルの接続端子とピックア
ップコイルの接続端子の間は、入力コイル側に凹部もし
くは突起を有する超伝導接続端子に可撓性のピックアッ
プコイル側の超伝導面を押しつけることで、超伝導接続
を実現した。
に、本発明では先ず、広面積の膜を形成するのに適した
方法で、可撓性の基体上に酸化物超伝導膜を作製する。
薄膜にホトリソグラフィとエッチング技術によってパタ
ーニングを行い、その後、基体を切断・曲げ加工するこ
とでピックアップコイルの形状を実現する。入力コイル
はＳＱＵＩＤ本体と同じ、もしくは別の単結晶基板上に
積層構造で作製する。入力コイルの接続端子とピックア
ップコイルの接続端子の間は、入力コイル側に凹部もし
くは突起を有する超伝導接続端子に可撓性のピックアッ
プコイル側の超伝導面を押しつけることで、超伝導接続
を実現した。
【０００９】
【作用】加工可能な可撓性の基体を使用することで、一
枚の基体から一次および二次微分型ピックアップコイル
を作製することができる。また、超伝導面間の接続は一
方を変形させることで、接触面積を大きくでき、かつ、
位置ずれを防止することが可能になる。これは低温に冷
却した際の熱収縮に起因した位置ずれが防げることを意
味している。
枚の基体から一次および二次微分型ピックアップコイル
を作製することができる。また、超伝導面間の接続は一
方を変形させることで、接触面積を大きくでき、かつ、
位置ずれを防止することが可能になる。これは低温に冷
却した際の熱収縮に起因した位置ずれが防げることを意
味している。
【００１０】
（実施例 １）本発明に使用したＳＱＵＩＤは面方位
（１００），厚さ０.７mm ，１０mm角のチタン酸ストロ
ンチウム(ＳｒＴｉＯ3：ＳＴＯ）基板上に作製した。図
１の工程図に示すように（ａ）（ｂ）チタン酸ストロン
チウム基板１にホトリソグラフィとイオンビームエッチ
ングにより、２００ｎｍの段差２を設けた。（ｃ)(ｄ）
この上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X(ＹＢＣＯ）薄膜３をパルス
レーザ蒸着法で３００ｎｍ形成し、段差部分が接合部に
なるようにホトリソグラフィとイオンビームエッチング
により、ケッツェン型のＳＱＵＩＤパターンを形成し
た。ワッシャー型リング４の中央ホールの大きさは２０
μｍである。（ｅ）（ｆ）ワッシャー型リング４の上部
を覆うようにＳＴＯ薄膜５を１００ｎｍ，ＹＢＣＯ薄膜
６を３００ｎｍパルスレーザ蒸着法で形成、微細加工技
術で入力コイルの形状を作製した。(ｇ)再びＳＴＯ薄膜
７を１００ｎｍ，ＹＢＣＯ薄膜を３００ｎｍパルスレー
ザ蒸着法で形成し、入力コイルの配線８とした。ＳＱＵ
ＩＤのバイアス電流端子，出力端子の接続部９は１００
μｍ角の大きさである。一方、入力コイルの端子部１０
は１mm角とし、ＹＢＣＯ薄膜を形成する度に積層を重
ね、膜厚は９００ｎｍになっている。（ｈ）各接続部に
金を１０ｎｍ蒸着した。
（１００），厚さ０.７mm ，１０mm角のチタン酸ストロ
ンチウム(ＳｒＴｉＯ3：ＳＴＯ）基板上に作製した。図
１の工程図に示すように（ａ）（ｂ）チタン酸ストロン
チウム基板１にホトリソグラフィとイオンビームエッチ
ングにより、２００ｎｍの段差２を設けた。（ｃ)(ｄ）
この上にＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X(ＹＢＣＯ）薄膜３をパルス
レーザ蒸着法で３００ｎｍ形成し、段差部分が接合部に
なるようにホトリソグラフィとイオンビームエッチング
により、ケッツェン型のＳＱＵＩＤパターンを形成し
た。ワッシャー型リング４の中央ホールの大きさは２０
μｍである。（ｅ）（ｆ）ワッシャー型リング４の上部
を覆うようにＳＴＯ薄膜５を１００ｎｍ，ＹＢＣＯ薄膜
６を３００ｎｍパルスレーザ蒸着法で形成、微細加工技
術で入力コイルの形状を作製した。(ｇ)再びＳＴＯ薄膜
７を１００ｎｍ，ＹＢＣＯ薄膜を３００ｎｍパルスレー
ザ蒸着法で形成し、入力コイルの配線８とした。ＳＱＵ
ＩＤのバイアス電流端子，出力端子の接続部９は１００
μｍ角の大きさである。一方、入力コイルの端子部１０
は１mm角とし、ＹＢＣＯ薄膜を形成する度に積層を重
ね、膜厚は９００ｎｍになっている。（ｈ）各接続部に
金を１０ｎｍ蒸着した。
【００１１】なお、入力コイルの端子部に該当する個所
の基板には深さ１００μｍ，直径０.８mm の窪み１１を
予め形成した。図１（ｈ）のＡ−Ａ′の個所の断面図を
図１（ｉ）に示す。なお、図１の大きさは実際の寸法を
反映したものではない。
の基板には深さ１００μｍ，直径０.８mm の窪み１１を
予め形成した。図１（ｈ）のＡ−Ａ′の個所の断面図を
図１（ｉ）に示す。なお、図１の大きさは実際の寸法を
反映したものではない。
【００１２】次にピックアップコイルの作製方法につい
て図２で説明する。６００℃に加熱した厚さ４０μｍの
銀テープ２１にスプレーパイロリシス法により、先ず、
ＳＴＯ膜２２を厚さ０．５μｍ に形成し、８００℃に
加熱して結晶性と絶縁性を高めた。次にＹＢＣＯ薄膜２
３を１μｍ形成した。成膜後、酸素気流中で８００℃に
加熱し、超伝導転移温度が８０Ｋの比較的平坦な膜を得
ることができた。
て図２で説明する。６００℃に加熱した厚さ４０μｍの
銀テープ２１にスプレーパイロリシス法により、先ず、
ＳＴＯ膜２２を厚さ０．５μｍ に形成し、８００℃に
加熱して結晶性と絶縁性を高めた。次にＹＢＣＯ薄膜２
３を１μｍ形成した。成膜後、酸素気流中で８００℃に
加熱し、超伝導転移温度が８０Ｋの比較的平坦な膜を得
ることができた。
【００１３】銀テープの大きさは幅１０cm，長さ３０cm
で、成膜は銀テープを移動させ連続的に行うものであ
る。
で、成膜は銀テープを移動させ連続的に行うものであ
る。
【００１４】このＹＢＣＯ薄膜２３に写真露光と酸によ
るエッチングを行い、ＳＴＯ膜２２を残して幅１mmの線
状パターンを形成し、図２に示す一次微分コイルのため
のパターン２４を作製した。また、ピックアップコイル
の端子部２５に金を１０ｎｍ蒸着した。その後、銀テー
プ２１を円筒状に曲げることにより、一次微分コイル２
６とした。
るエッチングを行い、ＳＴＯ膜２２を残して幅１mmの線
状パターンを形成し、図２に示す一次微分コイルのため
のパターン２４を作製した。また、ピックアップコイル
の端子部２５に金を１０ｎｍ蒸着した。その後、銀テー
プ２１を円筒状に曲げることにより、一次微分コイル２
６とした。
【００１５】ＳＱＵＩＤチップ３１を図３に示すように
銅製のホルダ３２に固定し、この上に一次微分ピックア
ップコイル２６の端子部２５が入力コイルの端子部１０
に重なるように、ピックアップコイルを固定する。その
後、ピックアップコイルの銀の面から押さえ治具３３で
端子部を押さえ、銀テープが変形した状態で両者を接触
させた。これにより、ＳＱＵＩＤの入力コイルとピック
アップコイルの超伝導接続をとることができた。
銅製のホルダ３２に固定し、この上に一次微分ピックア
ップコイル２６の端子部２５が入力コイルの端子部１０
に重なるように、ピックアップコイルを固定する。その
後、ピックアップコイルの銀の面から押さえ治具３３で
端子部を押さえ、銀テープが変形した状態で両者を接触
させた。これにより、ＳＱＵＩＤの入力コイルとピック
アップコイルの超伝導接続をとることができた。
【００１６】この状態でＳＱＵＩＤ計を液体窒素中に入
れ、磁場計測を行った。ＳＱＵＩＤには１／２Φ0 の入
力磁束の変化に対応して、出力電圧が約１０μＶから約
６０μＶの間で変化するようにＳＱＵＩＤのバイアス電
流を設定した。その結果、ＳＱＵＩＤへの磁束伝達率は
２×１０3 になっており、材料評価に十分使用できるこ
とが明らかになった。
れ、磁場計測を行った。ＳＱＵＩＤには１／２Φ0 の入
力磁束の変化に対応して、出力電圧が約１０μＶから約
６０μＶの間で変化するようにＳＱＵＩＤのバイアス電
流を設定した。その結果、ＳＱＵＩＤへの磁束伝達率は
２×１０3 になっており、材料評価に十分使用できるこ
とが明らかになった。
【００１７】（実施例 ２）実施例１に用いたＳＱＵＩ
Ｄを使用し、二次微分型ピックアップコイルとの接続を
図った。二次微分型ピックアップコイルの作製法を図４
に示す。二次微分型コイルを一枚の超電導膜で作製する
場合は、リード線４１の一方を逆方向に曲げ、ＳＱＵＩ
Ｄと接続するために１８０°捩じる必要がある。
Ｄを使用し、二次微分型ピックアップコイルとの接続を
図った。二次微分型ピックアップコイルの作製法を図４
に示す。二次微分型コイルを一枚の超電導膜で作製する
場合は、リード線４１の一方を逆方向に曲げ、ＳＱＵＩ
Ｄと接続するために１８０°捩じる必要がある。
【００１８】（実施例 ３）実施例１の場合とは異な
り、一次微分型ピックアップコイルの曲げ方向を逆に
し、超電導膜が筒の内側になるようにした。この場合、
図６に示すようにSQUID61 が筒６２の内側になるので磁
束計を小さく組み立てることができた。
り、一次微分型ピックアップコイルの曲げ方向を逆に
し、超電導膜が筒の内側になるようにした。この場合、
図６に示すようにSQUID61 が筒６２の内側になるので磁
束計を小さく組み立てることができた。
【００１９】実施例ではＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X を超電導材
料として用いたが、本発明は他のＹ系，Ｂｉ系材料，Ｔ
ｌ系を含め材料を問わずに適用できることは明らかであ
る。また、ピックアップコイルとＳＱＵＩＤが同じ超電
導材料である必要はない。さらに可撓性基体に銀テー
プ，絶縁層にチタン酸ストロンチウムを用いたが、これ
らも他の耐熱性を有する可撓性材料および絶縁材料であ
れば何ら問題はない。
料として用いたが、本発明は他のＹ系，Ｂｉ系材料，Ｔ
ｌ系を含め材料を問わずに適用できることは明らかであ
る。また、ピックアップコイルとＳＱＵＩＤが同じ超電
導材料である必要はない。さらに可撓性基体に銀テー
プ，絶縁層にチタン酸ストロンチウムを用いたが、これ
らも他の耐熱性を有する可撓性材料および絶縁材料であ
れば何ら問題はない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば細線を作ることが難しい
脆弱な酸化物超伝導体で一次および二次微分型ピックア
ップコイルを作製することができる。また、可撓性の基
体を使用することで、ピックアップコイルとＳＱＵＩＤ
の入力コイルの間で超電導接続を冷却・昇温を繰り返し
た後も実現することが可能となる。
脆弱な酸化物超伝導体で一次および二次微分型ピックア
ップコイルを作製することができる。また、可撓性の基
体を使用することで、ピックアップコイルとＳＱＵＩＤ
の入力コイルの間で超電導接続を冷却・昇温を繰り返し
た後も実現することが可能となる。
【図１】本発明に用いたＳＱＵＩＤの作製工程を示す断
面図。
面図。
【図２】ピックアップコイルの作製方法を示す説明図。
【図３】ＳＱＵＩＤチップと微分ピックアップコイルの
接続を示す説明図。
接続を示す説明図。
【図４】二次微分型ピックアップコイルの作製法を示す
説明図。
説明図。
【図５】ＳＱＵＩＤの使用方法を示す説明図。
【図６】曲げ方向を逆にした一次微分型ピックアップコ
イルの作製方法を示す断面図。
イルの作製方法を示す断面図。
２６…一次微分コイル、３１…ＳＱＵＩＤチップ、３２
…銅製のホルダ、３３…押さえ治具。
…銅製のホルダ、３３…押さえ治具。
フロントページの続き (72)発明者 深沢 徳海 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 杉井 信之 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 樺沢 宇紀 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】一枚の可撓性基体上に酸化物超電導膜を形
成し、前記酸化物超電導膜にパターンを形成し、前記可
撓性基体を円筒状に曲げ、ＳＱＵＩＤ用微分コイルの形
状にし、前記ＳＱＵＩＤ用微分ピックアップコイルに接
続すべき、前記酸化物SQUIDの基板に凹部もしくは突起
部を設け、前記凹部もしくは突起部に前記ＳＱＵＩＤの
入力コイルの接続端子部を作製し、前記入力コイルの接
続端子部に前記SQUID用微分ピックアップコイルの接続
端子部を一致させ、これを機械的に変形させることで超
伝導接続を実現することを特徴とする酸化物ＳＱＵＩＤ
用ピックアップコイル。 - 【請求項２】請求項１において、前記ＳＱＵＩＤの入力
コイルが前記ＳＱＵＩＤとは別の基板上に形成されてお
り、前記基板と酸化物ＳＱＵＩＤ用ピックアップコイル
が接続されている酸化物ＳＱＵＩＤ用ピックアップコイ
ル。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記入力コイ
ルの接続端子部，前記ＳＱＵＩＤ用微分ピックアップコ
イルの接続端子部の少なくとも一方の表面に貴金属が蒸
着されている酸化物ＳＱＵＩＤ用ピックアップコイル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326728A JPH08186300A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 酸化物ｓｑｕｉｄ用ピックアップコイル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326728A JPH08186300A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 酸化物ｓｑｕｉｄ用ピックアップコイル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186300A true JPH08186300A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18191018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6326728A Pending JPH08186300A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 酸化物ｓｑｕｉｄ用ピックアップコイル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186300A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005535134A (ja) * | 2002-08-07 | 2005-11-17 | コモンウェルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガニゼーション | 超電導量子干渉装置 |
| CN1327537C (zh) * | 2001-05-07 | 2007-07-18 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 量子干涉型磁通计的制造方法 |
| JP2012026788A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Japan Oil Gas & Metals National Corp | 地下資源探査用磁気センサ |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP6326728A patent/JPH08186300A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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