TW317634B - - Google Patents

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五、發明说明（1 ) 1. 發明領域 本«明有醑一種半専《記德元件•尤其與配備有冗餘 霣路的半導«紀憧元件相u,該冗餘霣路可用於補充冗 餘晶胞陣列中的缺陷。 2. 相μ技術m明 當漬«密度播加時將使得半導《中的記憶《不動作的 風除上升。尤其是此類型的缺陷通常發生在皤存元件® ,如果欲將此種缺陷除去的括，則無可避免地必霈使用 冗餘霣路。下文中將拥要地說明冗餘電路。檢視已完成 的半導艚記憶體，以決定記憧«晶胞中是否有缺陷存在 。當β察的方法顯示紀憶Η晶胞中存在缺陷時，提供另 一記憶ϋ晶胞以在缺陷匾中搡作。此另一記憶髖晶胞為 一冗餘《路；即：_重„移為一備份記憶體晶胞，其用於 取代具有缺陷部份的記憶«晶胞（下文中稱為冗餘晶胞） ---------装-- ».* (锖先閱讀背而之注$項《寫本頁) •位 絲陷 熔缺 置取 配存 胞求 晶請 «當 憧此 記因 主。 當嫌 作的 搡Μ 下相 路址 霣位 餘陷 冗缺 在與 了嬈 為燃 。 且 而 胞 晶 路 霣 的 當 相 取 存 由 經 可 0 憶 記 主 取。 存陷 法缺 無此 時腹 址克 f 線 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印«. 憶感 記 3 術.2 技 2 知列 習陣 之胞 路晶 霣常 餘正 冗涸 有多 置含 配包 中路 術霣 技的 知示 罾所 為 β 醒路 8 電 第的 β 大 33放 列测 ,2陣感 21胞的 列晶33 陣餘列 胞冗陣 晶供胞 餘提晶 冗23餘 應1,冗 3KJ2於 在"用 二為 ,Η作 4 晶 1 1 1 - 常 ， 1 . ο 1 正 1 器於器 大用大 放。放 两方測 上 的 Τ想 ，且 器 本纸張尺度適用中國國家揉率（CNS > A4规格（210X297公釐） A7 B7 317634 五、發明説明（>·) 另外，提供成拥放大器控制器40-44用於對應的絨_放 大器，而提供正常解鷗及宇元驅動器60,61用於正常A 胞陣列21,23,且提供冗餘宇元驅ft罌53用於冗餘A膽陣 列 33. 下文中将説明該冗餘霣《的作業•作輪入存取位址ADR 畤，一正常的預先解《器及駆動器90·産生熔鋒選揮倍 轚SAMPSELECT 〇-,且同畤産生解應钃籩擇信號DECSELECT ，其決定將選擇之正常解碼器及字元驅動器•在此，於 ARD指示對鼴正常晶胞陣列23的存取之例中，選霉威瀰放 大器控制器4 3 , 4 4以回應佶猜SAMPSELECT,而蠹擇正常 解瑪器及宇元鼷動器61,以回醮倍嫌DECSELCET· 同時将信號ARD输入冗餘熔絲霣路中β冗餘熔鶬霣路 89偵测該位址與預先指定的峽陷位址是否相闻。且输.出 冗餘熔絲輪出倍號REDO-REDn。在此，但是冗餘熔絲霄 路89的"η"與正常晶胞陣列之數目有鼸，但是為了簡化 起見，中僅顯示一冗餘熔絲電路》 當輪入倍號REDO-REDn時，一冗餘判斷霣路産生冗餘 判斷侑號RDN,其冗餘判斷信號指出所邐擇以控制對鼴成 澜放大器控制器之動作及不動作的缺陷位址《

當輸入存取位址ARD不為缺陷地址時，冗餘箱錡霣路 89輸出均在低準位的倍獷REDO-REDd。為了自應信號REDO -REDn，冗餘判斷霣路70輸出低準位的信SIRDIU將倍» 輪入全部戚澜放大器控制器40-40中，在此例中，只 鼷掉用於冗餘晶胞陣列33的戚澜放大器控制薄40, 4U 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -----------裝-- ,*> (請先《讀背面之注$項「〔寫本頁) 訂 線 經濟部中央揉準局貞工消费合作社印装 A7 ._._B7_^_ 五、發明说明（3 )

在_入存取位址ARD為缺陪位址時，從冗餘熔絲電路 89输出的倍虢REDO-REDn中的一信IX轉為高準位，對應 缺陷位址，且選揮冗餘字元鼷動器53中之一方向器Μ回 應遘擇冗餘字元嬝之倍號1^〇的高準位。同時信》RED0-REDn_入琴测放大器控制器70Μ將信號RDNN至高準位。 倍號RDH輸入全部感拥放大器控制器40-44中且鼷掉全部 用於正常晶胞陣列感拥放大器控制器42-44。而且，對 應冗餘晶胞陣列33的感测放大器控制器40,41由信號RND

D 醑掉。 第9麵為第8圃中冗餘熔躲霣路89及冗餘判斷電路70 的電路說明匾。第8圄中為了簡化起見只顬示一冗餘熔 嫌«路，且只對對應"η"正常晶胞陣列之數"n"(89-0至 89-n)提供。另外，來自冗餘熔躲霣路89的_出信諕REDO -REDn輪人冗餘判蹰電路70中的霣晶體130-134的對應Μ 極及與蠔路之反或蘭連接的霣晶tt之汲極。鑲路-反或 Μ建接嬢上拉且由第二電晶鳙140與霣源Vcc建接，得到 其霣位作為輸出信號，或經由反相器125作為冗餘判鼸 倍號RDN。 經濟部中央揉準局負工消费合作社印装 ----------裝-- I V (請先閱讀背面之注意事項β寫本頁) 線- 在冗餘判斷霣路70中，_入霣晶體140之閛極的預充 «信號140動作，且全部轆人信號REDO-REDn均在起始狀 戆的低準位》结果\將鎳路-反或閜連接鎳預充電至高 準位。然後當進行動作除段時，預充霣信諕RST不動怍， 而鑲路-反成Μ連接鑲保持在高浮動狀態。當在此狀態 下偵测到缺陷位址時，因為信虢REDO-REDn中之一信號 本紙張尺度逋用中困國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 317634 Α7 Β7 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印氧 五、發明説明（4 ) 變高，鐮路-反或阐建接鑲快速地降為低準位。因此，冗 餘判鼴僂號RMD從飫準位改_為离準位。 第10_說明感测放大器控Μ器電路之部份。倍號 SAMPSELECT 0-及倍醵RDHtt人《Iff放大器控制器40-44 。依據說明的例子，當感测放大器控制器的_出為离準 位時想漘放大器不動作，而賞在低準位時則動作。因此 ,當信虢SAMPSELECT為高準位時蠼揮感测放大器。 如上所述，想和放大器1卜14當存取位址不為缺陷位 址時，則必霱動作。因此，因為RDN變低，HAHDM檯202 -20 5通邊感_放大器選揮信號以動作選擇的感拥放大器 。另外，當存取位址為缺陷位址畤•因此倍號RDH變高， 則因此NAND閛極202-205由於反目器208-211的出現鐮是 產生高準位輸出，所Μ倍HSAMPSELECT 0-變為無效， 因此感拥放大器不動作。因為倍號RDN同時_入反相器 206-207中，用於冗餘晶胞陣列的想測放大器動作信醵 $八£1(在低準位時_出，以酏作感测放大器1〇,11,其對應 冗餘晶胞陣列33。因此，雖然感甜放大器11,13作為用 於對應上述晶胞陣列之感拥放大器，當多優感測放大器 動作信號SAE輸入作為第10_說明之感拥放大器12時•低 準位信號SAE在前，換言之•想拥放大器動作。 當由上述作業選擇缺陷位址時·因為自動存取從對應 缺陷位址的正常晶胞陣列切換至冗餘晶胞障列，則可補 及 路 霣 躲熔 餘 冗 為 因 術 技6- 知- 習 〇 之 陷路 缺« 的餘 胞冗 晶供 «提 憧用 記應 充 (請先Μ讀背面之注$«4Γ寫本*) •裝· 訂 f 線 張 紙 本 率 梂 家 國 國 中 用 釐 公 7 9 2 X ο 11 2 經濟部中央梯率局貝工消费合作社印策 A7 __B7_I_ 五、發明说明（5 ) 冗餘宇元鼷動器置於建ft,在決定切換之後直到冗餘宇 元驅動器開始巳理通很多時間，而此延長了決定位址存 取的時間。此當然使得用於冗餘晶胞陣列之線路選揮時 與正常存取比較鏖生延g冗餘存取的缺點。另外，從•第 Θ _可看出·從對應冗餘熔躲電路至冗餘字元驅動器的 不同媒路長度可產生不同的延邏時間〇 另外，因為冗餘晶睢陣列置於最快存取的位置，當必 需包封時，以加速冗餘存取時，在同一位址结合冗餘字 元驅動器。结果，冗餘熔躲霣路及冗餘字元驅動器彼此 置於進處，且此靖加了埭路長度所產生的晶片區。另外 ，因為必需有只用於冗餘晶胞陣列的感拥放大器及應拥 放大器控制器，更增加晶片面積》 此處，因為製備冗餘晶__列以補充缺陷，因此不可 能當陣列失效時執行更換》從處理的観貼看來，靠近感 澜放大器的晶胞陣列及記憧tt晶胞較可能失效，係因為 由於步睹等而使得在晶胞陣列之终黏可能產生缺陷。 發明g沭 所以，本發明的目的係提供一冗餘熔躱電路及冗餘宇 元鼷動器的半導髓記憧H,此冗餘熔絲電路及冗餘字元 鼷動器之配置使其間具有最癯當的位置Η係，以加速冗 餘存取。 本發明之另一目的為提供一面積較小的半辱Η記憶鱷 ，此可炷由消除只用於冗餘晶胞陣列之感拥放大器及慼 拥放大器控制器達到。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4规格（210X297公釐） ---------裝-- J- (請先閱讀背面之注$項^駡本頁) 訂 線 呼Hi, . _ A7 B7 317634 五、發明説明（6 ) 本發明之又一目的即提供冗餘晶胞陣列之肤陷為最小 之半導艚記憧體。 本發明之再一目的為經由滅少存取控制而提供一面積 減小的半辱靄β憧«•此係由顯示正常晶胞陣列堪擇霣 路而達成•因此亦可作為冗餘晶胞陣列選擇電路。 式簡單說明 第1為根鐮本發明之第一實施例的方壤圏； 第2為第1圓中所示之冗餘熔絲霣路的霣路鼷； 第3鼷為第1 中所示之冗餘判断霣路的霣路臞； 第4為第1中所示之想测放大器控制器霣路的霄 路鼷； 第5臞為根據本發明之第二實胞例的方塊圓； -第6圈為根據本發明之第三實施例的方塊圔； 第7(a)及（b)圓示本發明第一實施例（習知技術）及第 三實胞例之解碣器及字元睡動器的方塊圖； 第8圓為具有根據習知技術之冗餘電路的半専級脯存 1C(積fi霣路）之說明用方塊麵； 第9匾為第8鼷中所示之冗餘判斷霣路的霣路圖：Μ 及 第10鼷為第8圓中所示之感測放大器控制器的電路匾。 發明詳細說明 t 下文中將說明根據本發明之作業。本發明滅少由於方 塊間的線路之延埋，且配置冗餘熔躲霣路成冗餘控制霣 路及冗餘字元11動器，而在其間產生最短的媒路長度而 使得埭路面積為最小（最好在霣路閜達成線性線路）。 本紙伕尺度迷用中國·家橾率（CNS ) A4此格（2丨OX297公釐） (請先Μ讀背面之注$項再本旯)

經濟部中夬揉準局貝工消費合作社印裝 317634 A7 B7 經濟部中央揉準j貝工消费合作杜印It 五、發明説明（7) 另外，以混用方式，在正常A胞陣列中放置冗餘晶胞 陣列以在冗餘晶胞陣列及冗餘宇元驅動器陬建立上述位 置鼷係，可願示想涮放大器使得其可用於正常晶胞陣列 及冗餘晶胞陣列。^應不需要提供只用於冗餘晶胞陣列 的感湎放大器，晶片面積因而降低。 »住奮Ife例註怵 下文將說明本發明之資施例，並請參考附。在此， 與習知技術中相同的元件係以相同的參考數字表示，且 其說明在此省略。 第1 為本發明之資施例說明用之方癘圆。對冗餘晶 胞陣列30-32提供對應的正常畢胞陣列20-23 ,且對應的^ 冗餘晶胞陣列置於f應的正常晶胞陣列中，兩者符合，· 以允許正常晶胞陣列的感測放大器亦可用於冗餘晶胞陣 ^[。而且，冗餘字元驅動器50-53提供予對應的冗餘晶 胞陣列30-32。另外，冗餘熔躲電路80-82及用於偵测缺 陷位址的冗餘判斷霣路70的配置可使得來自對應冗餘宇 元鼷動器及對應放大器控制器的嬢路長度達到最小，以 達成媒性配媒。另言之，冗餘字元驅動器，冗餘熔躲電 路，及冗餘晶胞陣列共婊。在此，依據本實施例，因為 可取代各正常晶睢陣列的晶胞陣列只與宇完媒符合。 下文銳明此作業。當輸入存取位址ADR時，正常位址 預解碼器及鼷勳器90產生如習知技術中之感拥放大器選 擇信諕SAMPSELECT 0-n及理揮信號DECSELECT。同時，冗 餘熔躲電路81-8 2(對應正常晶胞陣列）偵拥輸入存取位 .1 MmmMmt In ·ϋ ·1_ •1 I (請先w讀背面之注$項f寫本頁.} f -訂 線 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐） 經濟部中央樣半局貝工消费合作社印製 A7 £7_^_ 五、發明説明（8 ) 址ADR是否為一缺陷位址。 \^2画為冗餘熔躲霣路之說明。位址信號ADR及其互 補倍諕（40^1>及其反向倍號）_入》1»<03電晶|| 303-308中 的相射閛極，而相對霣晶體的相對漏極均經熔躲309-314 共接對應的媒路·反珙Μ線315。另外NM0S電晶II的源極 303-308經霣晶8302接地。設計嫌路之反或閛埭315 Μ 由PM0S霣晶Η 301預充霣至高準位，且得到來自線路之 反或ffi埭315的输出信號作為冗餘熔絲输出信號RED,或 經一反相器316及鎖存器319的冗餘控制資訊。在此，用 於PM0S轚晶體318維持繚路之反或閛媒315於高準位。 開始時（當預充霣時），預充霣信號PRC變低，且霣晶 301導通，以將嬢路之反或Μ線315預充霣至一高準位。 因此HM0S霣晶體302在鼷閉（OFF)狀態。當信號PRC變离 時，PM0S霣晶《Ι301Μ閉。结果，線路之反或阐埭315成 為高準位浮動吠態，且同時當NM0S霣晶體302導通時，變 為正常吠態。 當位址ADR在正常狀態輸人時，線路之反或閛鎳315成 為低準位（由NH0S霣晶《303-308轨行）。但是，當相Η 的熔嫌電路偵澍到一缺陷位址時，線路之反或閭媒315 保持在高霄晶體浮動狀態。此可由通當選擇及燃燒熔躲 309-31 4達成。因此位址ADR被定址對應於字元媒。雖然 位址可使得不同的方法解碣，但在此，僚設位址A〇-An 與字元媒具有一對一的對應闞係以求簡化。然後，下文 中針對對應位址A1之字元鑲之記憶體晶胞所產生一缺陷 -10- 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） -m—ϋ m ammwBMm eammmt n n Hi (請先閱讀背面之注«本頁) 訂 -線 317634 Α7 Β7 «濟部中失揉準脣貝工消费合作社印製 五、發明説明（9) 位址。 在園中對應位址A1之存取位址ADR為0,1及0,分別對應 位址ΑΟ,ΑΙ及An。在此，熔躲310,311及31 4燃燒》结果， 低準位信號_ΛΝΜ03霣&艨303,306及307的Μ極•且因 此埴些霣裊黼不導通。另一方面，高準位信狄输入HM0S 霣晶Α304,305及308的蘭極，係因熔絲310,311,314巳 燃堍，埴些霣晶«最好不導通，因此維持媒路之反成閛 鎳315在高的浮動狀態。在此•雖然由反相器316將線路 之反或W媒315的準位反相，因為該準位再為一反相器 反相（謹未示），該反相器在鎖存電路319中，且輪出一 高準位信號RED。如上述者，產生對應缺陷位址之信號 REDO-REDn 〇 在此，第2 的冗餘熔嫌霣路為一熟知的洌子，且對 應霣晶《的導通型式只由範例加以說明。 ' k餘判斷霣路70產生冗餘判斷倍虢RDN,tf _入倍虢RED -REDn時，冗餘判蹰霣路RND指示缺陷位址的遘揮，Μ控 制對應感拥放大器控制器的勤作/不動作》 第3臞為冗餘判斷«路70之說明。為了將鎳路<反或 Κ嬝150 #輸出導引至相對感测放大器控制器40-44的繚 路之反或闸嬢150的_出蠼》對感拥放大器控制器提供 反相器120-124。其他配置與第9·同。 在初始狀態，霣晶驩140係由於费充霣信號RST產生， 而霣晶髓130- 134RI蹰，因此狼路之反或閛線在高準位 浮動吠《。當動作時，起先倍虢RST不動作，且嬢路之 -11- -----------裝-- Α,- (請先閱讀背面之注$項(·寫本頁) f 訂 線 本紙張尺度逋用中國®家橾隼（CNS > A4规格（210X297公釐} A7 B7 經濟部中夫橾率局貝工消费合作社印氧 五、發明説明（10 ) 反成颶鐮保持在高隼位浮動吠態》當冗餘輸出信ttREIDO-REDn中的一信虢變為對應缺陷位址的高準位，霣暴體130 -134中的一霣晶髓導通，嫌路之反戒閛鑲快速進入低準 位，且在高準位的所有信號RDH由反相器120-124輸出。 依據習知技術作業時，冗餘 判斷霣路70输出一冗除 判爾信虢，其間經由位在線咯之反或閜蠊之一蠼的輸出 反相器，而當依據疽些實豳例搡作時，將使信號k大（ 媛衡）且經由接近感测放大器控制器之反相器120-12 4输 出，因為嬢路之反或閜線及感测放大器控制器被定位平 行於同一方向中。此使得由於嬝路鼷係而降低信》RED 之延遲，且因此冗餘信號之输入及冗餘信號判醱間的存 取時間與習知技術例比較則鎺短。 對上述冗餘溶躲霣路30-82及冗餘判Μί霣路70的作業 舉例，在下文的說明中，时諭對應冗餘熔絲®硌80之缺 陷位址已輪入的情況。首先，冗餘熔躲«路80產生響應 於存取位址ADR的倍《RED 1。冗餘判躕霣路70當接收到 信被RED1時，產生信號RDN。信號RDN輸入感拥放大器控 制器40-44K暫時中斷想㈣放大器控制器，且暫時中醑 連接至其上的感測放大器及字元騮晒器。 同時，信號RED1直接输入冗输宇元驅動器51及感拥放 大器控制器41及42中，以作槊埴些感測放大器控制器》 第4匾為應拥放大器控制器«路部分之說明。當正常 存取畤信諕REDO-n及DHD在低準位，搡作信《SAMPSELECT 遘取《應的感測放大器控制器。當鏖生高準位信號RED 1 -12- 本紙張尺度逍用中國國家梂準（ CNS > A4規格（210X297公釐） ---Γ--_----^-- (請先《讀背面之注$項{";奪本買) 訂 線 317634 A7 B7 «濟部中夹揉準局負工消费合作社印製 五、發明説明（ 11 ) t 1 1 時 1 由 於信 諕 RHD之高準位而將NAND閛極10( >-103的 _ 出 • 1 1 I 固 定 在 高準 位 0 结 果， 由 於 反 相器 2Ϊ2-215出現 對N0R 1 1 Μ 110- 113的_入為低準位 〇因此， NORM 110-113的輪 請 1 I 出 成 為 高準 位 而 令 感測 放 大 器 不励 作且暫 時 中止 0 因 為 先 « 讀 1 信 虢 RED1 變 為 高 準 位· 但 是 参 信號 RED1_ 入 的 H0RIWI 112 背 Λ 1 | 之 產 生 高 準位 輪 出 而 動作 慼 測 放 大器 11以用 於 作業 對 應 的 注 1 I 冗 餘 晶 胞陣 列 30 0 此處 t 假 設 倍號 RED及信SI RDN嫌 乎 同 孝 項 本 1 1 時 輸 入 〇 1 裝 設 計 第二 實 m 例 ,以 克 眼 冗 餘晶 胞陣列 不 良的 缺 點 » 頁 1 I 該 第 二 實施 例 示 於 第5 BB 中 t 其中 與第1 相同 的 部 分 1 1 以 相 同 的參 考 數 字 表示 〇 依 據 本發 明，第 1 的 正 常 晶 1 1 胞 陣 列 21在 中 心 部 位中 粗 分 為 上及 下部份 (21A.21B), 沿 1 訂 著 字 元 擦方 向 且 冗 餘晶 胞 陣 列 30被 置於中 心 部位之 中 〇 1 即 君 Μ 設計 而 將 冗 餘晶 胞 障 列 配置 在正常 晶 胞陣 列 的 中 1 1 心 部 位 (而非冗餘晶胞陣列之- -纗） ，因此 防 止冗 餘 晶 胞 1 I 陣 列 不 良。 此 配 置 可使 得 在 其 他冗 餘晶胞 陣 列中 〇 1 1 線 I > 第 6 _示 本 發 明 第三 實 m 例 .其 中與第 1 釀相 同 的 部 位 以 相 同的 數 字 表 示0 依 據 第 1 B ，第5 匾 中的 第 一 及 1 I 第 二 實 胞例 » 以 一 對一 對 應 U 係對 所有正 常 晶胞 陣 列 提 — 1 1 供 冗 餘 晶胞 陣 列 • 而依 據 第 三 實施 例則不 對 所有 正 常 晶 1 胞 陣 列 提供 冗 餘 晶 睢陣 列 〇 規 在說 明其原 因 〇 1 根 據 第三 實 施 例 係用 於 配 置 最少 數目之 冗 餘晶 胞 m 列 1 1 〇 在 此 ，假 設 正 常 解碼 區 及 鼷 動匾 60的解 颺 匾包 含 主 字 1 I 元 解 m 器及 次 字 元 解礓 器 • 而 允許 每儼主 字 元鑲 選 擇 8 1 1 I 13 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ).A4规格（210X297公釐） 317634 A7 B7 經濟部中央揉準局工消费合作社印衷 五、發明説明（12) 個次字元鑲》另言之，在此使用分Μ解礓。在此例中， 但是8篇次字元嫌連接用於«擇之主宇元媒，各正常晶 胞陣列的冗餘晶胞》列之最小数目可少於8 。假設，冗 餘晶胞陣列的最少數對應四鰓字元嬢，此傾设應用到第 一，二，三資豳例》因此，依據第7(a)·中的第一及第 二實施例，正常主字元鑲710為8個冗餘次宇元谋712所 取代。而且，冗餘主字元鑲711或信號RED為四價冗餘次 字元媒713所取代。因此，正常次字元解碼器703需要8 儒字元鼷動器嬢路708,而一冗餘次字元解碼器704需要 四僱字元鼷動器嬝路709。结果，必需提供冗餘字元鑲 控制器706及字元臞動器繚路709,此字元鼷勳器線路709 與正常及冗餘解碼及臛斷器中對應冗餘晶胞陣列之次字 元媒的解碼704互斥。鼷於此黏，由信號RDN理擇正常及 冗餘字元線控制器。比照上，依據第7(b)画及第6圃的 本發明實施例，因為在正常晶胞陣列中提供數目符合兩 正常晶胞陣列的冗餘晶胞陣列，由8個冗餘次字元媒724 替代一冗餘主字元線722,其更換數與正常主字元烺相同 。因此冗餘次宇元解薅器717霈要8個字元驅動器繚路 720共同對一正常次宇元騮動器716。在此，字元媒控制 媒控制器718對於對應位址信號的次字元解碼器解碣一 次字元位址。（圈中沒有顯示）。结果，用於對應正常晶 胞陣列之正常次字元解礴器716之字元繚控制器718及字 元驅動器媒路720亦可用於對應冗餘晶胞的冗餘解碼器 717。另言之，可配置字元媒控制器其方式為對正常晶 -14- n··· ai-^i in nn ^^^1 nn 1·—·— 1 1 (請先聞讀背面之注$項if冩本頁) Γ 訂 •線 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4规格（210X297公釐） A7 B7 鐘濟部中央揉率局貝工消费合作社印製 五、發明説明 (13) • ? 1 1 I 睢 陣 列 的 字 元 媒 更 換 數 及 用 於 冗 餘 晶 胞 陣 列 的 字 元 m 更 1 1 I 換 數 列 式 t 且 可 減 低 晶 片 區 〇 在 此 實 腌 例 中 参 由 0R 霣 路 1 1 連 接 兩 冗 餘 堪 後 fit 路 0 但 連 接 線 路 很 短 〇 结 果 • 冗 餘 存 請 I 先 1 取 時 間 的 延 m 之 影 響 很 小 0 Η 枣： 1 1 本 發 明 的 第 一 功 效 為 降 低 存 取 時 間 9 當 理 擇 缺 陷 位 址 背 面 1 I 之- * 時 該 時 間 用 於 切 捵 至 冗 餘 位 址 0 所 使 媒 路 延 埋 達 到 * 注 | 1 I 小 多 係 因 為 冗 餘 熔 m 霣 路 及 冗 餘 字 元 鼷 動 器 置 於 其 閼 的 事 項 寫 Jr 1 1 I 最 小 m 路 長 度 〇 尤 其 是 • 配 置 冗 餘 熔 躲 霣 路 而 使 一 級 路 1 裝 具 有 冗 餘 字 元 鼷 動 器 • 因 此 在 其 閬 達 到 線 性 埭 路 〇 另 外 頁 1 I « 因 為 對 應 冗 餘 熔 嫌 霣 路 及 字 元 驅 動 器 線 路 的 嬝 路 長 度 1 1 相 同 • 產 生 無 差 異 延 邇 時 間 的 額 外 功 效 〇 1 1 本 發 明 的 第 二 項 功 效 是 減 少 晶 片 面 稹 » 因 為 t 如 上 所 1 訂 述 冗 餘 熔 换 霣 路 及 字 元 驅 動 器 媒 路 應 用 其 間 的 最 小 媒 1 路 配 置 • 而 冗 餘 判 斷 電 路 與 兩線 路 平 行 t 且 夾 在 其 間 参 1 I 線 路 面 積 的 增 加 為 最 小 0 尤 其 是 9 因 為 兩 者 所 需 要 的 線 1 1 路 X 度 及 擦 路 距 雛 約 1 i / $ 兩 狼 路 擴 充 约 4 / 1 寬 度 〇 假 Λ 1 1 線 I 設 • 霈 要 32冗 餘 輸 出 信 號 RED之 256Mb it DRAM所需要的 寬 度 約 64 U η < >依據本發明， 因為整個冗餘判騰轚路竈 1 1 1 合 該 寬 度 (閘極的最大尺寸估計約為10«· ), 晶片面積 1 1 大 大 地 降 低 0 1 I 第 三 項 功 效 為 冗 餘 晶 胞 陣 列 不 良 可 能 性 較 低 〇 此 係 因 1 1 為 冗 餘 晶 胞 陣 列 配 置 在 正 常 晶 胞 陣 列 間 而 防 止 在 晶 胞 匾 1 I 及 感 拥 放 大 器 間 可 能 步 騄所 導 致 的 不 m 作 〇 1 I 第 四 項 功 效 為 降 低 晶 片 面 稹 * 因 為 並 不 對 全 冗 餘 晶 胞 1 1 15 1 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家揉牟（CNS ) A4规格（210X297公釐) 317634 at B7 五、發明説明（14 ) 陣列板提供冗餘記憶tt晶胞陣列，且可應用正常字元驅 動器及冗餘字元鼷動器同搛地配置字元埭控制霣路。 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 -16- ----:,--：----參II (請先閲讀背面之注項if /寫本頁) 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1.一種半導艚記憧元件，包含：一正常記憶黼岛胞陣列， 此記憶黼县κ陣列含有多涸宇元媒，各宇元級在第一 方向中延伸，多β位元鑲，各位元媒在跨«该第一方 向的第二方向延伸•及多偭記憶《晶胞，各涸記憧體 晶胞配置在字元媒及位元媒的不同交叉貼上，各該位 元媒在該第二方向中延長，而提供一延長的部位；一 冗餘記憶《晶胞陣列，各陣列含有至少一冗餘字元鑲 ，此冗餘字元媒在第一方向中延伸而跨該位元線的各 價延長部位，而一冗餘記憶體晶胞，各記憶體晶胞均 配置在該至少一冗餘字元嬝及該位元嬝中延長的一位 元嬝的不同交叉酤上；一冗餘字元驅動器，耩合該至 少一冗餘字元媒）以腰動該至少冗餘宇元捸作為冗餘 控制資訊的響應；以及一冗餘控制霄路，可產生該冗 餘控制寅訊以響應外部供應的位址資訊；該冗餘字元 驅動器及該冗餘控制霣路兩者共媒配置在^第一方向 中。 ,2.如申請專利範匾第1項之半導Η記憶元件，其中尚包 含一辑合該多偭正常字元媒的正常宇元驅動器Κ匾動 該多偭正常字元埭；賅正常字元皤動器含有至少一正 常主字元線，其連接多傾正常字元線中的一部份；孩 冗餘字元鼷動器含有至少一冗餘主字元媒，此主宇元 線連接該多個冗餘控制實訊；該多個正常主字元之一 及該冗餘主字元媒之一分別地連接闻數的相對應該主 字元繚及該冗餘字元蠔。 -17- 本^張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注$項 I m I I p填寫本 訂 (·線 鐘濟部中央揉準局工消费合作社印製 ^17634 A8 B8 C8 D8 申請專利範園 植半 第一方 四«所 線•均 -方向 逢玟 紀镱髓 软位元 *2 »在 Φ ;沿 ，且對 導《記憧元件， 向中的第一及第 定義，孩記憧黼 在第一方向中延 ,多價位 元螓及該 各記憧體 中延伸 正常字 晶胞， 媒中不 該至少 著該記 位址資 同的相叉 一冗餘宇 憧《晶胞 料響應以 包含：一記憧1H晶胞形成6,為 二侧，及第二方向中的三及第 晶Η形成匾含有多僩正常字元 伸，至少一冗餘宇元嫌在該第 元《，均在第二方向中延伸而 至少一冗餘宇元镲，、多髑正常 晶胞均配置在該正常字元嫌及 點，且多涸冗餘記憧Η晶胞各 元線及孩位元嫌的不同交叉點 形成區的第三側提供冗餘霣路 經由冗餘控制寊訊·· Κ及一位 的響 間 Κ 0 三線 第元 該字 之餘 0 冗 成一 形示 胞顯 晶該 Η合 憶耦 SB且 該· 及器 路動 電臞 餘 |兀 冗字 該餘 在冗

   訂 J 冗冗 該該 中與 其中 .向 件方 元 一 憶第 記該 Η在 導路 半電 之此 項得 。3 使 訊第置 資圃配 制範被 控利路 餘專霣 冗嫌制 該申控 應如餘 經濟部中夬標率局員工消费合作社印装 器記 動體 驅導 元半 字種正 J的 嬢 共 件 元 憶 中一 向第 方的 一 中 第向 在方 置 一 配第 個該 多在 : 置 含配 包 ·， ，列 陣 胞 晶 « 憶 記 常 胞 Η 少 晶憧至 Η記有 憶餘含 記冗列 常二陣 正第胞 該及晶 得 一 Η 使第憶 •該記 列於餘 陣介冗 胞列一 晶障第 Η胞該 憶晶 ， 記 一 間 餘少之 冗至列 二中陣 第列胞 及陣晶 垂列 向陣 方胞 i 晶 第H 該憶 與記 在餘 媒冗 元二 字第 餘該 宂且 此， ，伸 鎳延 元中 字向 餘方 冗二 1 第 第的 一 直 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 線· A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 含有至少一冗 一第一冗餘字 第一冗餘記憧 少一第一冗餘 置一第二冗餘 與該第 該至少 ,配置 該冗餘 ，以響 其在第 生該第 二冗餘 一 一第一 宇元驅 應位址 二方向 二冗餘 餘字7C 元鑲鼷 II晶胞 字元線 字元皤 記憶Η 冗餘字 冗餘控 動器共 賁訊； 中與該 控制賁 媒，在該第 動器，使得 陣列同媒， ,Μ響應第 動器，使得 晶胞陣列共 元鎵，以響 制霣路，Κ 埭，且產生 及配置第二 第二冗餘字 訊，Μ響應 二方向 其在第 且相轔 一冗餘 其可在 線、，且 應第二 在第二 該第一 冗餘控 元驅動 該位址 中延伸；配置 二方向中與該 合而鼷動該至 控制賁訊；配 第二方向中， 相耦合而糴動 冗餘控制霣訊 方向中使其與 冗餘控制霣訊 制電路，Μ使 器共嬝，且產 資訊。

   訂 線 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 19 本纸張尺度適用中國國家橾準（CNS) Α4规格（210X297公釐）