TW206184B - - Google Patents

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TW206184B
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206184 A6 B6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（1) 〔技術領域 本發明，僳關於多層陶瓷構件之製造方法及多層陶瓷 構件。 〔背景技術〕 做為構成1 OONjHz〜3GHz程度的準微波帶或 高頻帶之機能程序塊的方法，已知由多層陶瓷基板之集成 電路方式，在要求機能構件的小型化和設法提高可靠性上 做為最有效之方法。如此的多層陶瓷基板，係為多層陶瓷 構件之一，由於在電介質的胚板（green sheet)印刷内 部導體漿，將此胚板層壓，以熱壓予以壓接成形而堆積， 將電介質和導體同時燒成而被製作。 使用多層陶瓷基板之集成電路方式雖然已被利用在各 種機能構件，但是使該電路基板具備諧振器機能，特別是 使用在頻率高的準微波電路時，在低頻領域不大會成問題 之内部導體的趨慮效應將會成為問題，高頻電阻將會變高 ，電路損失會增大，諧振器之Q值會降低。可能係由於被 使用在諧振器的内部導體為多孔質，或由於在内部導體有 所含之玻璃料殘留，而使其高頻電阻增加之故。 為了減低該内部導體的高頻電阻，減低傳輸線路之損 失，提高諧振器的Q值等之性能，已被考慮在導體漿的導 體粉使用純銀粉等電阻偽數小的金屬，或是混入鱗片狀之 銀粉等同時把玻璃料等的添加物量極力抑制，增加金屬粉 間之接觸面積等，或是代替導體漿而使用碩漿等容易熱分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂· 線. 本紙張尺度遑用中家«準(CNS)甲4規格(210x297公*) -3 - 81. 5. 20.000(H) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 206184 五、發明説明（2) 解的物質，由燒成時之熱分解形成空洞後，把熔融銀壓入 對策。然而，即使用此等方法，也不能使高頻電阻充份地 降低，同時，也不能減低傳輸線路的損失，使諧振器之Q 值等變成充份高的值，或是會使生産性明顯地降低而無法 達成當初之目的。再者，如此之所諝由於内部導體的不完 全性之電導率的降低和Q值等各種性能，如電容器，電感 器，傳輸線路之性能的降低，係為在各種構造，用途或製 法之各多層陶瓷基板等的多層陶瓷構件之共同問題，而被 期待解決者。 〔發明之掲示〕 本發明之目的，係在提供，將内部導體細密化，減低 電路的損失，提高諧振器等之Q值等各種電路性能的多層 陶瓷基板等之多層陶瓷構件和其製造方法。 如此之目的，可由下述（1)〜（23)的本發明被 逹成。 (1)主要偽，在绝緣性的陶瓷材料層形成内部導體 之圖案，並且由於將此與絶緣性陶瓷材料層層壓燒成，而 製造多層陶瓷構件時， 前述燒成，係在前述内部導體的熔化點以上被進行之 多層陶瓷構件之製造方法。 (2 )把前述内部導體的圖案以印刷含有導體粉之導 體漿而形成，和前述陶瓷材料層同時燒成的上述（1)之 多層陶瓷構件的製造方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝< 本紙張尺度逍用中國家樣罕(CNS)甲4規格(210x297公*) -4 - 81. 5. 20.000(H) A6 B6 206184 五、發明説明（3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (3) 前述導體粉偽含有90重量％以上的銀或銅之 上述（2)的多層陶瓷構件之製造方法。 (4) 前述導體漿，係對前述導體粉含30體積％以 下的玻璃料，或不含玻璃料之上述（2)或（3)的多層 陶瓷構件之製造方法。 (5) 將前述燒成，以前述導體粉的熔化點以上，熔 化點+300¾以下溫度進行的上述（2)至（4)中之 一的多層陶瓷構件之製造方法。 (6) 在前述燒成，將前述内部導體圖案密閉在前述 陶瓷材料層内，在此燒成後把燒成體予以切斷的上述（2 )至（5)中之一的多層陶瓷構件之製造方法。 象 (7 )予以切斷將端面蝕刻，把内部導體層以掃描型 電子顯微鍍觀察時，在將前述漿燒成所得的内部導體層實 質上不存在導體粒子之粒界的上述（2)至（6)中之一 的多層陶瓷構件之製造方法。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (8) 在前述導體漿未含有玻璃料，在前述内部導體 層被形成有内部導體的連續層之上述（7)的多層陶瓷構 件之製造方法。 (9) 前述導體漿會有玻璃料，在前述内部導體層被 形成有内部導體的連續層，在該連續層之外部有前述玻璃 料被排出的上述（7)之多層陶瓷構件之製造方法。 (1 0 )把前述内部導體由熔化點不同的至少2種材 料形成， 以前述内部導體中低熔點内部導體的熔點以上，且未 本紙張尺度进用中鼸家«準(CNS)甲4規格(210x297公*) -5 - 81. 5 . 20.000(H) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 2_4 Λ6 ____Β6_ 五、發明説明（4) 滿高熔點内部導體之熔點的熔點以上，且未滿高熔點内部 導體之熔點的溫度予以燒成之上述（1)至（9)中之一 的多層陶瓷構件之製造方法。 (11) 將前述低熔點及高熔點的内部導體之圖案， 分別印刷含有低熔點及高熔點的導體粉之導體漿予以形成 ，而和前述陶瓷材料層同時燒成的上述（10)之多層陶 瓷構件之製造方法。 (12) 在前述複數的陶瓷材料層形成複數之前述高 熔點内部導體層，使存在於前述低熔點内部導體的圖案和 鄰接之其他内部導體的圖案間之前述陶瓷材料層的厚度， 比存在於前述高熔點之内部導體的圖案間之前述陶瓷材料 層的厚度大之上述（10)或（1 1)的多層陶瓷構件之 製造方法。 (1 3 )將前述低熔點的内部導體之圖案導出到表面 部用的内部導體成為高熔點之内部導體的上述（10)至 (12)中之一的多層陶瓷構件之製造方法。 (14)具有陶瓷元件，和在其内部以同時燒成被形 成的内部導體層。 將之切斷把端面蝕刻而把内部導體層以掃描型電子顯 微鏡觀察時，在前述内部導體層實質上沒有導體粒子的粒 界存在之多層陶瓷構件。 (1 5 )前述同時燒成，將在前述内部導體層的内部 導體之熔點以上的溫度被進行之上述（14)的多層陶瓷 構件。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝. 訂· -線< 本紙張尺度遑用中Β國家樣準(CNS)肀4規格(210X297公*) -6 - 81. 5. 20.000(H) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 2〇6i84 A6 _ B6 五、發明説明（5) (16) 在前述内部導體層被形成有内部導體的連缠 層的上述（14)或（15)之多層陶瓷構件。 (17) 在前述内部導體層被形成有内部導體的連缠 層，在該連缠層之外部被排出被添加在前述内部導體層用 的内部導體漿中之玻璃料的上述（14)至（16)中之 一的多層陶瓷構件。 (18) 前述内部導體層，具有熔點不同的至少2種 低熔點及高熔點之内部導體層。 予以切斷把端面触刻將前述低熔點内部導體層以掃描 型電子顯徹鏡觀察時，在前述低熔點内部導體層實質上沒 有導體粒子的粒界存在之上述（14)的多層陶瓷構件。 (19) 前述同時燒成係在低熔點内部導體之熔點以 上，並且在未滿高熔點内部導體的熔點之溫度被進行的上 述（18)之多層陶瓷構件。 (20) 在前述低熔點内部導體層，被形成有内部導 體的連續層之上述（18)或（19)的多層陶瓷構件。 (21) 在前述低熔點内部導體層，被形成有内部導 體的連續層，在該連續層之外部有被添加在前述内部導體 層用的内部導體漿中之玻璃料的上述（18)或（19) 之多層陶瓷構件。 (22) 在前述陶瓷素體内具有複數的高熔點之内部 導體層，在前述低熔點的内部導體層和鄰接之其他内部導 體層間存在的前述陶瓷素體之厚度，俗比在前述高熔點的 内部導體層間存在之前述陶瓷素體的厚度大之上述（18 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝. 線· 本紙張尺度遑用中國困家樣毕(CNS)甲4規格(210X297公*) -7 - 81. 5. 20.000(H) A 6 Β6 2061^4 五、發明説明（6) )至（21)中之一的多層陶瓷構件。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (23)將前述低熔點a内部導體層導出表面部用的 内部導體為高熔點之内部導體的上述（18)至（22) 中之一的多層陶瓷構件。 〔發明之作用及效果〕 本發明中傜使絶緣性素體和内部導體同時燒成時的溫 度成為導體之熔點以上，使内部導體成為熔融狀態而細緻 化，使由所用的導體粉産生之内部導體内的粒界實質上消 滅，設法減低其傳輸線路之損失，和提高諧振器的Q值等 之性能。然後，例如由内部導體形成三片線路構造將此内 裝在基板内部，進行所需要的配線，而能得到小型，且内 藏具有高的Q值之諧振器的多層陶瓷基板等之多層陶瓷構 件。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 一方面，在同時燒成時使内部導體熔融時，將會進行 銀等向陶瓷素體中的擴散，而容易引起物性之變化或特性 的劣化。例如在使之内藏三片線路構造時，由於中心諧振 導體等將在其上下設置厚的陶瓷素體，所以，即使産生銀 等之擴散也幾乎沒有問題，將能得到由熔融的損失減低效 果和Q值增大效果。然而，由於由部配線層，將互相以薄 的陶瓷素體被熔融，所以有時會由於銀等之擴散而産生持 性劣化。因此，有時多層陶瓷構的薄型乃至小型化將會變 為困難。 因此，在如此的情況時，就使用熔點不同之内部導體 本紙張尺度逍用中鼷B家楳毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -8 - 81. 5. 20.000(H) 2〇61^4 a6 五、發明説明（7) ,使將绝緣性素體和内部導髏同時燒成時的溫度成為低焰 點内部導體之熔點以上，未滿高熔點内部導體的熔點，把 低熔點之内部導體變成熔融狀態而細緻化，使由所用的導 體粉産生之内部導體内部粒界在實質上消滅，以設法減低 其傳輸線路之損失，和提高Q值等。同時，在由銀等的擴 散而會産生特性劣化内部配線層等的内部導體，則使用高 熔點之内部導體，以防止其特性劣化。結果，將能使高熔 點的内部導體之層間空隙變薄。然後，例如由此等兩種内 部導體，形成三片線路構造使之内藏在基板内部，由進行 需要的配線，將能得到小型而具有高Q值，内藏沒有持性 劣化的諧振器之多層陶瓷基板等的多層陶瓷構件。 同時，要熔融内部導體時，依條件有時内部導體會蒸 散或噴出。然而，如果使將内部導體導出到表面部的導體 部成為高熔點之内部導體時，此等將被有效地防止。 〔為了實施發明之最佳形態〕 以下，對本發明的具體構成予以詳細說明。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 根據本發明所得之多層陶瓷構件中，例如諧振器，俗 做為在1〜3 G Η Z程度的準微波帶域被使用之諧振器很 適合。更具體而言，該諧振器等的多層陶瓷構件，傜在電 介質之胚板上形成内部導體圖案後，將該胚板層壓，以熱 壓予以壓接，其後予以燒成而被製造。除了如此的所謂胚 板法之外，也可以使用將電介質漿和内部導體漿交互地層 壓的所諝印刷層壓法。 81. 5. 20,000(H) (請先閲讀背面之注意事項再壤窝本頁) 本紙張尺度逍用中國家«準(CNS)甲4規格(210x297公釐) A 6 B6 2〇6l84 五、發明説明（8) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 在本發明中，係將後述的内部導體，和電介質等絶緣 材之胚板等的陶瓷材料層之同時燒成在内部導體的熔點以 上之溫度進行。因此，將會使内部導體變成熔融狀態，構 造會細緻化，導體的接觸狀態被改善，而能減低線路損失 ，提高做為諧振器之Q值等。 特別是，做為内部導體，以使用電阻僳數小的銀為理 一....................... 想。使用ή時，以在其熔點之96〇Ό以上的溫度，較理 想是在960〜126〇t：,更理想係在97g〜 1 1 0 0 Ό進行燒成、。再者，依情況雖然也可以使用銅，
......J 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 但是此時，以在其熔點的1 060¾以上，較理想是以 1060〜1360¾，更理想係以1070〜1200 10燒成。如此地，由於在熔點以上，熔點+ 3 0 0 1C以下 之溫度，更理想是在熔點+10°C〜熔點+140t!溫度 ，和胚板等之陶瓷材料層同時燒成，將會顯出本發明的實 效。這是由於在燒成溫度未滿熔點時將不會顯出本發明之 實效，但是過高時將會進行銀或銅向電介質中的擴散，而 會使特性劣化之故。燒成在銀的情況，傜在空氣中以上述 溫度進行1分鐘〜1小時程度，更理想是進行5〜2 0分 鐘程度。同時，在銅的倩況，通常係把氧氣分壓（Ρ〇2 )控制在1 0〃a tm以下進行。再者，燒成可以進行複 數次，此時，至少有1次為熔點以上之燒成。 在本發明中，做為内部導體使用的導體，在較理想之 形態，傺使用熔點為9 6 0 1C附近的銀，或是熔點 1060¾附近之銅。此時，以使用銀或銅的含量為90 81. 5. 20.000(H) 本紙張尺度遑用中國《家樣毕(CHS) T4規格(210x297公釐) -10 - B6 2〇6i84 五、發明説明（9) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 重量％以上者，特別是純度99重量％以上，更理想僳使 用99. 9重置％以上之純銀或純銅為理想。如此地，特 別是由於使用純銀乃至純銅將能使電阻係數和損失變為極 小，而能提高諧振器之Q值。將此等，需要在其熔點以上 燒成，使電阻僳數和損失降低，提高導體率的内部導體， 在以後稱為低熔點内部導體。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 一方面，雖然可以只將如此之低熔點内部導體做為内 部導體使用，但是在更理想的形態，也可以將高熔點内部 導體併用。做為使用於高熔點内部導髏之導體漿，只需使 用熔點此使用在低熔點内部導體的熔點高之導體即可。但 是，由於將在低熔點及高熔點的各別之内部導體的熔點之 中間溫度進行燒成，所以為了使兩者的燒成良好地進行， 在高熔點内部導體使用的導體之熔點，係以對低熔點内部 導體的熔點高出301C以上，特別是高出5 ◦〜2〇〇t： ，更且以高出50〜100Ό者為理想。再者，做為高熔 點内部導體漿，也可以使用兩種兩種金屬粉，例如Ag粉 和Pd粉，將此在燒成時不必進行Ag的熔融而使之合金 化，所以此時的熔點傺為合金之熔點。 做為使用在如此的高熔點内部導體之導體，在低熔點 内部導體的導體使用銀時，以含有3 ◦重量％以下，特別 是5〜1 0重量％之尸d的Ag — P d合金為適合。此時 ,也可以代替使用合金，而將Ag粉和Pd粉混合而使用 。使此等均勻地分散時，在燒成時將會先進行Ag和Pd 和合金化，而Ag將不會熔融。此外也可以使用對銀含有 本紙張尺度遑用中B 家樣準(CNS)甲4規格(210x297公*)
- -------- - _I -11 - 81. 5 . 20.000(H) A 6 B6 2〇6i®4 五、發明説明（ 100重量％以下，特別是含有50〜60重量％ (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 的Ag—Au合金；20重量％以下，特別是含5〜10 重量^之卩七的As—Pt合金’20重量％以下’持別 是含5〜20重量％的pd2pd合金；10重量％以下 ，待別是含5〜1 〇重置％的卩^之Aii — P t合金；金 ;銅；含25重量％以下的Au2Au_Cu合金；含 20重量％以下的Cu2Au_Cu合金；10重量％以 下，特別是含5重量％以下的Pt2Cu_Pt合金； 丁 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 2 5重量％以下，特別是含1 0重量％以下的P t之〇 u —Pt合金；25重量％以下，特別是含1〇重量％以下 的N i之Cu — N i合金等。更且，在低溶點内部導體使 用銅時，將能使用7〜3◦重量％，特別是含1〇〜20 重量炻的卩七之Ag — Pt合金丨2〜2 ◦重量％，特別 是含2〜10重量％的卩8之六11_133合金，2〜20 重量％,特別是含2〜1〇重量％的？>1:之六11_131:合 金；3 ◦重量％以下，恃別是含15〜20重量％的〇11 一 P t合金；40重量％以下，特別是含20〜30重量 %2Νί的Cu—Ni合金等。 再者，做為高熔點内部導體也可以使用2種以上，依 情況也可將低熔點内部導體使用2種以上。同時，高熔點 内部導體，也可以將其成份的一部份熔融。但是，低熔點 内部導體漿在實質上將其全部予以熔融。 做為内部導體圖案的形成方法，有特所定形狀之銀箔 等挾在電介質胚板，或是進行導體漿的印刷或複製等方法 本紙張尺度逍用中家樣準(CNS)甲4規格(210x297公釐) -12 - 81. 5. 20,000(H) A 6 B6 2〇6i84 五、發明説明（ ,但是特別以印刷法為理想。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以導體漿形成圓案時，所手的銀粉、銅粉等，或其他 低熔點，高熔點内部導體的導髏粉之平均粒徑（有異方性 時為長軸徑），係以0. 5〜20/im程度為佳，而以1 〜5 mm為更理想。粒徑過小時分散性會變差，不能增加 導體漿中的導體粉之含量，同時增加含量時粘度會變大， 而無法形成細緻的圖案。一方面，粒徑過大時，由網版印 刷。複製法等的圖案之形成將會變為困難。再者，銀粉的 形狀等雖無持別限制，但是一般係為球狀，也可以使其一 部份或全部成為鱗片狀。 低熔點内部導體漿中的導體粉之含量，以60〜95 重量％，特別是以70〜9◦重量％為理想。含量少時電 阻傜數會減少，或Q值等會降低，而在燒成後的圖案之一 部份會斷線，或是電阻係數，Q值等會參差。同時太多時 ，漿的粘度會增大，而圖案的形成會變為困難。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 燒成時熔融的低熔點内部導體，依燒成條件有時會偏 在基板内部而集合，而形成網眼構造，由此而使Q值會參 差不齊。然而，如此的現象，最好是把軟化點在導體粉熔 點附近之玻璃料添加到内部導體漿而被防止。同時，添加 玻璃料，具有防止内部導體材料的擴散之效果。但是，擴 散等不成問題時，不添加玻璃料比較好。此時，傳輸線路 的損失將更減少。 使之在低熔點内部導體漿的玻璃料，以使用在銀等導 體粉的熔點附近，特別是在700〜1100¾具有軟化 81. 5. 20.000(H) 本紙張尺度逍用中國國家樣毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -13 - A 6 Β6 ¢06184 五、發明説明（1彡 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 點之玻璃為理想。更具體而言，在使用銀粉時，使用 700〜1 〇◦〇〇，特別是在900〜980t：有軟化 點，使用銅粉時，用800〜1 1001C,特別是在 1 000〜1 080*0有軟化點的玻璃即可。由添加如此 之玻璃料，將能減少熔融後的網眼構造發生，抑制Q值之 參差不齊。 此時，所用的玻璃料之成份雖無特限制，但是，特別 以下述成份為理想。 S i Ο 2 ： 55〜75克分子％,特別是65〜70 克分子％ A又2〇3: 10〜30克分子％,特別是15〜20 克分子％ 鹼土金屬氧化物之1種以上：10〜20克分子％, 特別是5〜1 5克分子％ ,
Zr〇2: ◦〜5克分子％ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 此時，做為鹼土金屬氣化物，以SrO, CaO及 M g 0之1種〜3種為理想。玻璃料的平均粒徑雖無特別 限制，但是，通常使用0. 5〜2. Owm程度者。 添加低熔點内部導體漿中的玻璃料時，其含量以1 ◦ 重量％以下，特別是1〜10重量％。更以3〜8重量％ 為理想。同時，玻璃料偽以對導體粉含10重量％以下， 特別是2〜10重量％，尤其是4〜6重量％，在將積比 係3◦體積％以下，特別是2〜30體積％，更且以含有 5〜10體積％為理想。如前述，玻璃料的量少時，防止 81. 5. 20,000(H) 本紙張尺度遑用中國《家標準(CNS) T4規格(210x297公*) B6 2061¾4 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 網眼構造的效果會減少，有時會産生Q值之參差，但是， 所用的銀之擴散不成問題，或使用銅時，在使損失更小之 點，玻璃料量偽以0比較理想。再者，玻璃料量過多時， 電阻係數會增大Q值會減少。 更具體而言，被使用在導體漿的銀粉，通常為平均粒 徑1/im程度以下之微粉，因此在進行同時燒成時，在電 介質材料會有銀擴散，擴散程度大的部份之收縮將會比其 他部份提早發生，而將成為龜裂之原因。為了將之防止， 由於在漿中添加玻璃料，以防止銀的擴散，防止龜裂之發 生。然而，為了提高導體漿的金屬成份有率。而使用平均 粒徑5程度之較大徑的銀粉，或選擇適當之燒成條件 時，由於銀的擴散程度低，故在沒有玻璃料時也能使之不 發生龜裂而予以燒成。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 一方面，高熔點内部導體漿中的導體粉之含量，偽使 之成為6 ◦〜95重量％，特別是70〜90重量％為理 想。含量少時，電阻係數會減少，有時燒成後的圖案之一 部份會斷線，或電阻係數會參差不齊。再者，過大時漿的 蛄度會增大，圖案形成將會變為困難。 在高熔點内部導體漿可以使之含有玻璃料。該玻璃料 ，俗以使用在導體粉的熔點附近，特別是在7 0 0〜 1lOOC,尤其是在700〜1000¾具有軟化點的 玻璃為理想。由添加如此之玻璃料，將能防止導體的擴散 ，能夠使之不發生龜裂或脱層而予以燒成。但是，在Ag 一 P d糸時，可以由控制P d添加量，而抑制銀的擴散， 本紙張尺度逍用中«家«準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -15 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（ 即使是没有玻璃料也能使之不發生龜裂而予以燒成。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 此時，所使用的玻璃料之成份雖無恃別限制，但是特 別以下列的成份為理想。 S i 〇2: 55〜70克分子％ Α)?2〇3:10〜30克分子％ 鹼土金屬氣化物之1種以上：10〜20克分子％ Zr〇2: 0〜5克分子％ 此時，做為鹼土金屬氧化物，係以Sr〇, CaO及 M g Ο之1種〜3種為理想。玻璃料的平均粒徑雖無待別 限制，但是通常使用0. 5〜2. Owm程度者。 在添加高熔點内部導體漿的玻璃料時，其含量以1 0 重量％以下，特別是以1〜1◦重量％為理想。同時，玻 璃料係以對導體料1 ◦重量％以下，特別是有2〜1 ◦重 量％為理想。玻璃料量少童，將會發生龜裂或脱層等。但 是，在減少損失之點玻璃料量係以◦為理想。再者，玻璃 料量過多時，電阻係數會增大。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 在此等内部導體漿，除了銀粉等之導體粉和玻璃料外 \含有載體。做為載體有乙基纖維素（efhyl cellulose )，聚乙嫌醇縮丁薛（polyvinyl butyral),甲基丙酸 樹脂，丁基異丁稀酸鹽（butylnethacrylate)等的粘合 劑，結品醇（terpineol) , 丁基卡必醇（huty carbido-1)，醋酸丁基卡必醇（butyl carbitol acetate)，甲 苯，乙醇，二甲苯等溶劑，其他各種分散劑，活性劑，可 塑劑等，此中將依目的而被在任意選擇。載體之添加量， 本紙張尺度逍用中困國家橾準(CNS)甲4規格(210父297公龙) -16 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（ 以成為漿中之10〜20重量％程度為理想。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如此的兩種以上的内部導體漿，以燒成後之厚度會成 為10〜6〇Wm程度，特別是會變成2◦〜50wm程 度地成膜為理想。成膜方法可以用眾所周知的網膜印刷法 或複製法。 形成内部導髏漿的圖案之絶緣性電介質的陶瓷材料層 ，通常，含有玻璃和氧化物骨材。做為氧化物骨材，例如 有Αβ2〇3，石英，富鋁红柱石（mullite),董青石（ cordylite) , R2Ti2〇7(R為鑭条元素的1種以上） 經濟部中央楳準局貝工消費合作社印製 ,Ca2Nb2〇7, MgTiOa, SrZr〇3, Ti〇2 ,S η Ο 2 , T i Ο 2 , Ζ r Τ i Ο 4 , BasT isOao, Sr2Nb2〇7, CaTi〇3, SrTi〇3, SrSn〇3, BaO, R2〇3, nTi〇2(RS_)条 等之1種至2種以上。此時，所用的氧化物骨材，也可以 為從化學量論成份多少偏倚之成份，也可以為和偏倚的成 份者之混合物，或偏倚的成份者互相之混合物。同時，更 可以為把各種氣化物，如Bi2〇3, MnO, Cu ◦等添 加者。 陶瓷材料層，可以為胚板，也可以為以網販印刷等設 置之層。但是，陶瓷層偽以在低熔點内部導體漿的導體粉 之剛在熔點以下，最好是在熔點一 2 0 0 1C〜熔點，特別 是在熔點一 10 0°C〜熔點，最好是使之成為理論密度的 9 5 %以上地細緻化為理想。因此，除了上述氧化物骨材 和玻璃的混合材料之外，也可以為不含玻璃的陶瓷材料， 本紙張尺度逍用中國·家樣準(CNS)TM規格(210 x 297公釐) -17 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 例如被使用在晶片電容器或電介質諧振器等之燒成溫度為 例如80.0〜1 οοου程度的各種電介質胚板用材料之 一種。 使用玻璃混合物材料時，胚板等陶瓷材料層中的氣化 物骨材之含量，係使之對氣化物骨材和玻璃的總計，成為 20〜96體積％，特別是成為25〜95體積％為理想 。骨材多時有時燒結性會惡化。再者，太少時電介質基板 的抗析強度會降低。同時，氣化物骨材之平均粒徑係以 0 . 5〜3 W m程度為理想。平均粒徑太小時，板片形成 將變為困難，而太大時素體的強度將會不足。 做為玻璃料，做為導體粉使用銀粉時，以軟化點為 700〜900¾程度，使用銅粉時，使用軟化點為 800〜1 0〇〇1C程度之玻璃為理想。軟化點過高時， 在適合溫度的燒成將變為困難，軟化點過低時。在板片成 形時結合劑將不易脱離，而在絶緣性會有問題。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 所使用的玻璃料之成份雖無特別限制，但是在前述範 圍的範圍之燒成溫度能獲得高強度的胚板，能抑制内部導 體之擴散等而言，以下列的成份為理想。 S i 〇2: 55〜70克分子％ A52〇3: 5〜20克分子％ 鹼土金屬氧化物之1種以上：25〜45克分子％ B 2 Ο 3 ： 0〜10克分子％ 做為前述鹼土金屬氧化物，以SrO, CaO及 Mg Ο的1種以上，特別是將前述3種予以併用理想，要 本紙張尺度逍用中家標準(CNS) T4規格(210x297公龙) -18 - 81. 5. 20,000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（1今 (請先閲讀背面之注意事項再璜寫本頁) 併用3種時SrO的含量以15〜30克分子％， CaO 的含量以1〜8克分子％,MgO的含量以1〜7克分子 %為理想。 再者，玻璃之平均粒徑雖然也没有特別限制，但是通 常係考慮成形性等而使用1〜3 w m程度者。胚板中的玻 璃之含量以4〜80體積％為理想。含量太少時，有時燒 結性會惡化，太多時電介質的抗析強度會降低。 如此的電介質之陶瓷層材料，將在燒結前加入載體被 成為泥漿。做為載體有乙基纖維素，聚乙烯醇縮丁醛，甲 基丙酸樹脂，丁基異丁烯酸鹽等的粘合劑，萜品醇，丁基 卡必醇，醋酸丁基卡必醇，醋酸鹽，甲苯，乙醇，二甲苯 等的溶劑，其他各種分散劑，活性劑，可塑劑等，在此等 中任意者將依目的而被適當選擇。載體之添加量，以對於 氣化物骨材和玻璃的合計量1◦◦重量部，使之成為65 〜8 5重量％程度為理想。如此的陶瓷層材料，將被做為 胚板，有時將被印刷層壓。 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 以下，在本發明的多層陶瓷構件，使多層陶瓷基板成 為諧振器之例，依第1圖所示的合適例予以說明。在第1 圖所示之諧振器，係具有三Η線路的多層陶瓷基板，特別 構成電壓控制振盪器（VC0)。然後，具有將電介質層 21多數層壓一體化之層壓體2,至少在該層壓體2的中 央部之電介質層2 1間具有條狀線路的中心導體3。條狀 線路之形狀，尺寸，數量等並無特別限制，只要依目的等 適當地決定即可。 本紙張尺度逍用中國Β家橒準(CNS)甲4規格(210x297公釐) -19 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（1泠 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 同時，在電介質層2 1間，將被形成内部配線7。此 時，内部配線7 ,除了信號配線之外，例如，線圏的導體 或電容器之電極等，將依各種目的和用途被形成所希望之 圖案。並且，在電介質層21間及電介質層21的層壓體 之一方的面上被形成有地平面4。此時，使條狀線路之中 心導體3,位於地平面4, 4間，而被形成有三片線路， 該地平面4,4間構成諧振器。同時，在層壓髏2上將被 形成外部導髏6,或表面電極9,該外部導體6或表面電 極9,和前述條狀中心導體3,地平面4及内部配線7將 分別經由通孔5内的導體被電性地連接。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如此之諧振器，例如下述地予以製造。首先，分別製 作前述的内部導體用漿及外部導體用漿。外部導體的漿， 係會有導體粉，和對導體粉有0〜10重量％程度之玻璃 料或氧化物粉，和載體。同時，製作將成為電介質層材料 的胚板。此時，使用前述電介質材料之泥漿，例如以定厚 器槳葉法製作所定張數。接著，在胚板上使用沖孔機或模 具沖床形成通孔5 ,其後，把内部導體用漿在胚板上，例 如以網販印刷法予以印刷，形成所定圖案之内部配線7 , 條狀線路3,地平面4,同時充填在通孔5内。 此時，中心導體3係做為低熔融點内部導體，以燒成 將之熔融，將損失儘量減小。此時，為了抑制銀的擴散之 影辔，使鄰接的内部導體，此時為地平面4 , 4之間的電 介質層2 1之厚度加厚。在此情況，係使電介質層2 1多 數張介在，使其厚度加厚。中心導體3等低熔點的内部導 本紙張尺度遑用中B «家標毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -20 - 81. 5. 20.000(H) Β6 2〇6ΐβ^ 五、發明説明（1乡 體和其他内部導體之分開距離，一般係成為◦. 3〜 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 1 . 5 m m程度。 一方面，由於内部配線7,大平面4不需要如此極高 之導體性，所以做為高熔點内部導體燒成時不使之熔融。 此時，由於高熔點内部導髏不會被熔融，所以導體的擴散 小，高熔點内部導體間之離開距離，即高熔點内部導體間 的電介質層厚度，能使之成為薄到1◦〜30wm程度。 如此，將能把基板的需要最低限之厚度減薄，並且諧振器 的性能可以變為極高，結果能夠得到非常小型，薄形，高 性能之V C 0。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 再者，内部配線7, 7及地平面4等高熔點内部導體 之層間離開距離，係使之成為忠導體3等的低熔點内部導 體間或低熔點内部導體和高熔點内部導體之間的層間離開 距離之0. 01〜0. 5倍程度地小為理想。同時，如果 使充填在通孔5的導體等之低熔點内部導體導出表面部的 導髏部為高熔點内部導體時，特別是在與低熔點内部導體 連接之通孔5,將被防止燒成時的低熔點内部導體之擴散 或噴出，而可以得到理想的結果。 如此之後，把各胚板昼合，加上熱壓（約40〜 1201C，50〜lOOOkgf/cra2)成為胚板的層 壓體，依需要而進行脱粘合劑處理和切斷用溝之形成等。 其後，將胚板的層壓體在通常空氣中以前述之溫度予以燒 成，一體化，而得到在電介質層23, 25間被形成條狀 線路3的諧振器。然後，將外部導體用漿以網版印刷法等 本紙張尺度逍用中国國家橾準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -21 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（2() (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 印刷，予以燒成而形成外部導體6。此時，最好是把此等 外部導體6和電介質層21—體同時燒成而形成。將變容 二極體或解耦合電容等的所定之表面實裝構件8焊錫到外 部導體6，依需要形成絶緣被覆層，而得到第2圖所示之 電壓控制振盪器（VCO)l。 除了以上之外，也可以如前述，使用將陶瓷層和内部 導體層交互地印刷層壓的眾所周知之印刷層壓法。 在進行如此的燒成時，使内部導體不會從層壓體之端 面露出，將内部導體密封在胚板等裡内，防止在燒成時熔 融的導體揮發，或噴出較理想。然後，予以切斷而晶片化 ，同時，如圖示地使内部導體從側面部等露出，在此把外 部電極等連接即可。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 同時，使内部導體導出表面部用的導體部，例如通孔 等成為高熔點内部導髏時，將能防止如此之揮發或噴出。 第1 7圖，係將如此情況的内部予以透視之斜視圖，第 1 8圖，為顯示其中心導體3和通孔導體5 0的闊係之斜 視圖。本例，係為了構成前述VCO (電壓控制振盪器） 等高頻電路用的層壓陶瓷基板，在以陶瓷被形成之胚板 S 1上被印刷中心導體3的低熔點内部導體材料，在其上 面，做為其他的内部導體被載置形成地平面40之圖案的 胚板S2,並且，在其上被載置構成三片諧振器以外的電 路之單層或複數層的胚板S3後，以熱壓予以壓接、燒成 ，其後，下面的大平面45,側面電極E,表面電極9等 的表面電路圖案以印刷等方法被形成在層壓陶瓷基板之底 本紙張尺度迷用中困家標準(CNS)甲4規格(210X297公*) -72 - 81. 5 . 20.000(H) 206184 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ 面，側面，上面，而在上面的表面電路圖案上將被安裝表 面實裝零件8。再者，以胚板SI, S2的2層之電介質 及上下的地平面被包圍之部份相當於三片諧振器，而在胚 板S 1上被形成有其中心導體3。胚板S 1 ,可由1片胚 板被形成，也可以由複數片的胚板被層壓者被形成。 胚板S2,係在被沖穿通孔導體50的斷面部份（在 實施例圓形部份）之薄的胚板，在比其圓形部份稍大的面 積印刷通孔導體5 ◦之材料，把此等動作反覆進行而成為 所定的厚度時，胚板S2將完成。 此時，在胚板S2的最上層，將有地平面40和通孔 導體5◦—起同時被形成，以同樣的方法將被形成胚板 S3。胚板S3依情況將以複數層被形成，為了構成諧振 器以外的電路用之其他通孔，電極，配線等將在其中做為 内部導體被形成。再者，通孔導體50，係將中心導體3 和層壓陶瓷基板之電路9的圖案予以電性連接之導體。 此時，把通孔導體5 0的材料之熔點設定成比中心導 體3的熔點高，並且，把燒成溫度設定成比中心導體3的 内部導體材料之熔點高，而比通孔導體50的材料之熔點 低。如此設定時，把層壓陶瓷基板1燒成時，通孔導體 50將不會熔融，通孔導體50將會達成所諝栓的任務， 中心導體3不會從層壓陶瓷基板消失，而能防止由於中心 導體3從層壓陶瓷基板消失所引起的電持性之劣化。 在第19圖的通孔，除了由通孔本體50和表面層邊 通孔50b被構成以外，係與前述相同。通孔本體50a (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂- 線. 本紙張尺度逍用中顯家«毕(CNS)甲4規格(210X297公*) 81. 5. 20.000(H) -23 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 I - ---1 J .条… -ii 五、發明説明（2i ，偽以和中心導體3相同的材料所構成者，表面層邊通孔 50b，係構成通孔導體材料的表面層邊部份（被連接在 表面電路圖案的部份），表面層邊通孔50b之熔點成為 比通孔本體5 0 a的熔點高。 在本實施例中，以比通孔本體50 a的熔點高，且比 表面層邊通孔50b之熔點低的溫度燒成時，由於在該燒 成時表面層邊通孔50b不會熔融，所以表面層邊通孔 5 Ob將做為所諝栓之任務，中心導髏3將不會從層壓陶 瓷基板消失，而能防止由於中心導體3從層壓陶瓷基板消 失所引起的電特性之劣化。再者，把第17圖，第18圖 的例子比較時，由於通孔本體5 ◦ a佔通孔之大部份，使 該部份之電導率會提高，所以電特性將會提高。 第2 0圔所示之例的通孔5 0 ,雖和第1 8圖之例相 同，但是在中心導體3的材料中，通孔5 ◦雖和第1 8圖 之例相同，但是中心導體3的材料中，和通孔導體5 0接 觸之接觸部55係以和通孔50相同材料被構成，因此， 通孔5 0和接觸部5 5之接點，比接觸部5 5以外的中心 導體3之熔點高。在本例中，以比接觸部5 5以外的中心 導體3之熔點高，而比通孔5 ◦的熔點低之溫度燒成時， 將能防止由於中心導體3從層壓陶瓷基板被失去所引起的 電特性之劣化。並且，在本例中，由於中心導體3的熔融 時熔融導體之噴出壓力將被壓抑，故能更安定地燒成。 在第21圖，第22圖所示之例，通孔導體，僳被連 接在表面電路圖案的表面層邊通孔5◦d,和被連接在中 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂_ 線. 本紙張尺度逍用中國家«準(CNS)T 4規格(210X297公釐) 81. 5. 20.000(H) -24 - 2〇6i84 A 6 B6 經濟部中央標準局貝工消合作社印製 五、發明説明（2i 心導體3的通孔本髏5 0 a在内部導體層7 0被偏置（通 孔本體5 ◦ a之延長和表面層邊通孔5 0 d的延長不相交 ，通孔本體5 0 a和表面層邊通孔5 0 d由内部導體層 7 0被連接），通孔本體5 0 a以和中心導體3相同的材 料被構成，而表面層邊通孔50d和内部導體層70以和 通孔5 0 d相同材料被構成。在本例中，以比中心導體3 的熔點高，而比表面層邊通孔50d,内部導體層70之 熔點低的溫度予以燒成時，將能防止由於中心導體3從層 壓陶瓷基板1被失去所引起之電持性劣化。並且，在本例 中，由於在中心導體3的熔融時，熔融導體之噴出壓力將 會一旦以内部導體層70被承接，故能將噴出壓力更強力 地壓抑。 在第2 3圖所示之例，偽下面地平面4 5被形成在胚 板SO的上面，亦即，做為該多層基板之另一内部電極被 形成在基板内部，使通孔導體5 0的材料之熔點，比對向 地平面4 5和中心導體3的導體之熔點高。在本例中，在 胚板S1下面設置胚板SO,在此胚板SO上面印刷對向 地平面45,在其上載置胚板S1。在本例中，對向地平 面4 5也將提高電導率，能夠得到更良質之接地電位，所 以諧振器性能將更提高。 在第2 4圖，第2 5圔所示之例，代替側面電極E , 而被設置連接中心導體3的接地電位邊，對向地平面4 5 ，中間地平面40之第2通孔導體55,使通孔導體材料 5 0的熔點，比第2通孔導體5 5之材料的熔點高。如此 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂· 線. 本紙張尺度遑用中國囑家橾準(CNS)T4規格(210x297公龙) -25 - 81. 5. 20,000(H) 2〇6i84 Λ6 B 6_ 五、發明説明（24 ，則使上下的地面40， 45例如成為銀100%後，做 為連接其間的電極，不是用側面電極E ,而能使用例如銀 1 0 ◦ %之通孔5 5 ,故能得到更良質之接地電位，諧振 器性能將更提高。 經濟部中央標準扃员工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述地被同時燒成的低熔點内部導體具有細緻之連 缠構造。亦即，在導體層全寬及全長整體具有連缠的細緻 之構造。然後，更具體性地，一旦由於被熔融，將基板垂 直地切斷，把出現在切斷端面的内部導體蝕刻，將其蝕刻 面用掃描型電子顯微鏡（SEM)以300〜3000倍 的倍率觀察時，在細緻且連缠之内部導體層能使之實質上 没有導體粒子的粒界存在。當粒界實質上不存在時，意指 在平均lOOO/im2以上，特別是3〇0〇wm2以上， 並且在5〇00wm2,更且在100〇0am2以上之領 域由SEM觀察的粒界不會被觀察，使條件適合時，也能 使粒界完全不存在。同時，顯示多結晶狀態的三重點，也 能使之實質上不存在，三重點的存在也能夠使之在 lOOOwm2以上，特別是在3000wm2以上，更在 _5 000//1112以上，更且在10〇00"1112以上有1個 ，依條件也能使之完全沒有。 如此以S E Μ有時會被觀察的粒界，偽在原料導體粉 熔融後産生的粒子之粒界，而非結界粒界。因此把導體的 切斷端面以透過型電子顯微鏡（ΤΕΜ)在1 0000〜 1 0 ◦◦ 0 0倍程度之倍率觀察時，將被觀察到在冷卻過 程産生的微細結晶粒界。再者，SEM或ΤΕΜ之觀察時 本紙張尺度逍用中國國家樣準(CNS)甲4規格(210x297公龙) -26 _ 81. 5. 20,000(Η)
4 8 ΛC. Λ C
AB 經濟部中央標準局貝工消t合作社印製 五、發明説明（2^ 依照常法即可，但是，蝕刻傜以濃氨水5 0體積％，和 3%過氧化氫50體積％的混合液做為蝕刻液，將切斷 面以樹脂埋填後，予以鏡面完成而將試樣蝕刻即可。蝕刻 時間為30〜120秒，以常溫進行即可。 更且，由於細緻化，在使用玻璃料的低熔點内部導體 漿時之内部導體層的SEM像，將被觀察到被排出在内部 導體的連續層，和該連續層内部，或更理想者為該連續層 和素體之界面間的玻璃成份。該玻璃成份，#基於被添加 在内部導體漿中之玻璃料者，通常，將不會被擴散到素體 中，而在素體。内部導體層界面等依添加量部份地被集合 ，排出。再者，高熔點内部導體，偽如通常，具有對應於 所用的導體粒子，或對應於燒成條件中之成長的粒界。 在本發明之多層陶瓷零件中，諧振器至少能應用在電 介質層間具有TEM線路等條狀線路的高通濾波器，低通 濾波器，帶通濾波器，帶阻濾波器等各種濾波器，將此等 濾波器組合之分波濾器，收發合用器，電壓控制諧振器等 。此外，也可以為例如在100MHz〜3GHz程度的 _域被使用之各種多層陶瓷基板，或内裝電容器或電感器 的一方或雙方之多層陶瓷基板，更且為電容器（C)晶片 ，晶片電感器（L ) , L C晶片等多層陶瓷零件。 由如此的多層陶瓷基板之將被编入集體電路的諧振器 所需要之Q值，雖依被構成的電路而異，例如在前述之電 壓控制型振盪器（VCO)將需要160以上，但是在本 發明將能使之充份滿足。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ，可_ 本紙張尺度逍用中B 家樣準(CNS)T4規格(210x297公龙) -27 _ 81. 5. 20.000(H) Λ Q J - 20 A 6 B6 五、發明説明（2^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔産業上之利用領域〕 根據本發明時，能夠得到内部導體細緻，Q值等的諧 振器，電容器，電感器，傳輸線等之電路性能為高性能， 其偏差小的多層陶瓷基板。同時，能夠小型化。 〔實施例〕 以下，根據本發明之具體性實施例更詳細地說明本發 明。 實施例1 將純度99. 9%以上的銀粉（熔點960Ό)及玻 璃料及載體以三棍機予以混合分散。銀粉偽使用平均直徑 3之球狀者，做為玻璃料傜使用下述3種成份的平均 粒徑1 . 0 ju m者。 (1 )軟化點：9 6 Ο Ό 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製
Si〇2:66. 0克分子％
Sr〇:15. 0克分子％ Α^2〇3: 16. 0 克分子 ％ Ζγ〇2:3. 0克分子％
(2 )軟化點8 6 0 1C S i 〇2: 62克分子％
SrO:26克分子％ 本紙張尺度逍用中《國家楳毕(CNS)甲4規格(210x297公*) -28 - 81. 5. 20,000(H)
五、發明説明（27 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Αί2〇3: 12克分子％
Zr〇2: 0克分子％
(3 )軟化點8 2 0 C S i Or 66克分子％
Sr〇:26克分子％ AJ?2〇3: 8克分子％
Zr〇2: ◦克分子％ 在混合物添加載體，以三锟機混合攪拌而做為内部導 體漿。在載體，像做為粘合劑使用丙烯酸樹脂，做為溶劑 使用萜品醇。各成份的混合比例如下，而將銀粉+玻璃料 量之玻璃料含量（體積％)變更為如表1。 銀粉+玻璃料 90 重量％ 有機粘合劑 2. 5重量％ 有機溶劑 7. 5重量％ 另外製作含有平均粒徑1. 9/zm的玻璃粒子：70 體積％，和平均粒徑1. 5/im的Αί2〇3粒子：15體 積％，和平均徑1. Owm的Ti〇2粒子：15體積％ 之電介質材料。然後對該電介質材料100重量部，添加 載體73重量部，以球磨粉機混合而泥漿化，得到泥漿。 載體係做為粘合劑使用丙烯酸条樹脂，做為溶劑使用乙醇 及甲苯，做為可塑劑使用酞酸酯。再者，玻璃粒子的成份 ----_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)甲4規格（210 X 297公釐） 81.9.25,000 ---------------------^------# (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) A6 B6 2061¾4 五、發明説明（2邊 為，S i 〇2: 62克分子％, Αί2〇3: 8克分子％， 82〇3:3克分子％，31'0:2〇克分子％, 0&0: 4克分子％,Mg〇:3克分子％，軟化點為815t。 使用該高頻電介質材料的漿，以定厚器槳葉法製作厚 度0. 25mm之胚板。接著，在各胚板將前述Ag内部 導體漿漿以網版印刷法予以印刷，形成條狀線路及地平面 後，以熱壓將之層壓而得到胚板層壓體。然後，將此層壓 體脱脂後，在空氣中以表1所示的溫度同時燒成10分鐘 。内部導髏之厚度為3 0 //m。同時，内部導體係密封在 胚板内。 接著，切斷成定尺寸後，把地平面用Ag漿以網販印 刷法印刷，在空氣中以溫度8 5 ◦ 1C燒成1 ◦分鐘，而得 到諧振頻率約1 . 9 G Η z的三片線路諧振器。尺寸係做 為 lOmmXl 1. 7mmX2mm,製作 12 個試樣。 將如此製作的諧振器之Q值的測定結果示如表1。做 為數值1 2個試樣之平均值和誤差。 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度逡用中國國家梂準(CNS)甲4規格(210父297公釐) -30 _ 81. 5. 20,000〇〇 4186 ο2
66 AB 五、發明説明（4) 表 1 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 試樣 No. 玻璃料含有董 /vol%(wt%) 玻璃料 /V, 燒成溫度 /X： Qu Qu之 誤差 1 0 (0) 一 1000 238 0-7947 2 5.0 (1.6) 860 1000 232 1.03 3 10-0 (3.2) 860 1000 223 1.53 4 17.1 (5.3) 820 1000 225 1.88 5 16.8 (5.3) 860 1000 212 2·17 6 17.4 (5.3) 960 1000 209 2-48 7 16.8 (5.3) 860 1080 229 3-81 8 (tb 較） 16-8 (5.3) 860 940 144 3.01 9 (比較） 16-8 (5.3) 860 900 144 3.07 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂_ 本紙張尺度遑用中國國家標毕(CNS)甲4規格(210x297公龙) 81. 5. 20,000(H) Α6 Β6 2〇6i8^ 五、發明説明（ ^請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，以線路寬2mm,諧振器2min,電介質的 QF=1000GHz,線路厚度30wm,介電常數 10. 9,線路之電阻係數1. 62ΧΐΟ_βΩ/ιη (在 線路使用大量的銀時），接地面之電阻偽數3. 24Ω/ m的條件，進行QU之模擬結果，得到Qu=281. 4 。由此結果和表1的比較，可知由使用内部導體熔融法將 能得到理論值的8 5 %之Q值。 在第3圖〜第12圔被顯示試樣的剖面之掃描型電子 顯微鏡（S E Μ)照片（1000倍，500倍）。其中 ，第3圖，第4圖，第5圖，第6圖，第7圖，第8圖為 本發明的試樣No.1, 2， 4, 5, 7之照片，再者， 第9圖，第10圖為比較用試樣No. 8,第1 1圔，第 12圖為比較用試樣No. 9的照片。再者，蝕刻傜以前 述之條件進行6 0秒鐘。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 由此等可知，在本發明的内部導體，沒有銀之粒界存 在。更具體而言，在試樣No.1由於導體漿中沒有玻璃 料，所以在導體層内没有玻璃料。再者，在試樣No. 2 ，4 , 7雖有玻璃料被添加，但在導體層中並無玻璃料， 而導體層中之玻璃料已被排出。一方面，在試樣No. 5 ,6,有一部份産生玻璃料的排出，玻璃料在導體内也已 集合。在任何情況，導體層之銀係連續，而未被觀察到有 粒界。相對地，在tb較用試樣的No. 8, 9,除了被觀 察到對應於所使用的銀粉之粒界外，在畫面有白色發亮的 玻璃料被確認，同時，整體為多孔形狀而未形成連缠層， 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS)甲4規格(210父297公进） -32 - 81. 5. 20.000(H) A6 206184 五、發明説明（ 由此可知只能得到低的Qu。同時，在TEM觀察，被觀 察到有微細結晶粒界。 實施例2 在實施例1,對玻璃料16. 8vol%和玻璃料 Ονο 1 ,各進行未滿熔點的9001C, 1 〇分鐘之燒成 ，和熔點以上的10 0 Ot；，10分鐘之燒成後，如表2 所示地重覆進行1 000 °C, 10分鐘的燒成。將Qu之 結果示如表2。從表2的結果，可以顯示熔點以上之燒成 的效果。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 表 2 燒成條件 玻璃料 16.8v〇1% 玻璃料 Ονο I % 1000¾ 10分 212 238 'lOOOt： 10X2 222 235 1000¾ 10分 X 3 228 245 900Ϊ： 10分 144 153 900 °C 10分 + 10001C 10分 207 221 本紙張尺度逍用中困國家«準(CNS)T4規格(210x297公*) 81 5 . 20.000(H) _ 33 _ A 6 Β6 2〇6ΐ^4 五、發明説明（ 實施例3 (請先閱讀背面之注意事項再蜞窝本頁) 在實施例1,將銀粉+玻璃料量的玻璃量含量變更為 0重量％及4 . 6重量％。 使用實施例1的高頻電介質材料之漿，以定厚器槳葉 法製作胚板。接著，在1張胚板，把前述低熔點内部導體 漿以網販印刷法予以印刷，使之能成為線路寬度2 . 0 m m ,線路長 λ g/4-c/( ε r 7 / 2 · f r ) (c = 3X10sm,/s, er = ll, fr=2x l〇9Hz〕，厚度3〇wm地，形成條狀線路之中心導 體3。同時，在複數的胚板上形成通孔，而在通孔5内充 填内部導體。將此等以熱壓予以層壓而得到胚板層壓體。 然後，將該層壓體脱脂後，在空氣中以第13圖所示之溫 度同時燒成1 0分鐘。胚板的厚度為1 60 wm。再者， 中心導體係密封在胚板内。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 接著，切斷成所定尺寸，使具有所定線路長度的中心 導體3露出在端部後，把地平面4用Ag漿印刷在其全面 ，在空氣中以溫度850 °C燒成10分鐘，得到在第1圖 0所示的諧振器中，在兩個地平面4, 4間被形成之三片 線路諧振器。尺寸為l〇mmXl5mmX2. 0mm。 將如此製作的諧振器之Q值（Qu),和燒成溫度的關僳 示如第13圖。從第13圖所示之結果，可知由於使低熔 點内部導體熔融，而Q u將會格外地提高。 更且，把所用的胚板之層壓數變更，而得到在中心導 本紙張尺度遑用中國家«準(CHS) Y 4規格(210X297公*) -34 — 81. 5. 20.000(H) 2061^4 έβ6 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（3；^ 體3的上下具有等原之電介質層21,把金面以地平面覆 蓋的諧振器厚1〜2. 5mm之諧振器。 接著，使用上述的線路尺寸，電介質之介電常數， fr的條件，進行中心導體之電導率為1〜3X1 07s /m時Qu之模擬。再者，純銀的電導率為6. 2X 107s/m (25lC)。將諧振器與Qu之模擬結果示 如第14圖。同時在第14圖，將被標示玻璃料量為 4. 6重量％時的燒結溫度lOOOt：和940*0時之實 測值。 從第14圖所示的結果可知，以1000C之燒成將 低熔點内部導體熔融時，比進行通常94〇υ的燒成，中 心導體之電導率大約提高1 X 1 07至3Χ 1 〇7s/m, 結果，在第1 3圖所示的Q u將變成極高。 更且，在第15圖顯示燒成溫度1 000Ϊ：時，和 94 Ot：時的玻璃料量添加時之ΕΡΜΑ (電子線探針微 分析儀）的元素分析圖之照片，同時，在第16圖顯示其 特性X線的線分析強度之照片。在顯示高持性的1〇〇〇 弋燒成，雖然銀之擴散大，但是可以知道使之成為諧振器 厚2. Omm時，將幾乎不受影響。 實施例4 做為高熔點内部導體漿，把A g粉9 5重量％和P d 粉5重量％的混合粉，和玻璃料及載體以三锟機予以混合 分散。Ag粉偽使用平均粒徑lwm的球狀者，做為玻璃 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝. 訂_ 線- 本紙張尺度逍用中B 家標準(CNS)甲4規格(210x297公釐) 81. 5. 20.000(H) 35 2〇6i84 A 6 B6 五、發明説明（ 料係使用，軟化點9 6〇 成份 S i 0 2 S r 0 A i? 2 Ο 3 Z r Ο 2 6 6 . 0克分子％ 1 5 . 0克分子％ 1 6 . 0克分子％ 3 . 0克分子％ 之平均粒徑1. O/i m者。 在混合物添加載色體，以三棍機混練後做為内部導體 漿。在載色體做為粘合劑使用丙烯酸樹脂，做為溶劑使用 萜品醇。各成份的混合比例為 (請先閲讀背面之注意事項再璜窝本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A g粉 P d粉 玻璃料 有機粘合劑 有機溶劑 7 7. 4 . 4 . 3 . 1〇. 7重量％ 1重量％ 6重量％ 4重量％ 2重量％ 使用實施例1的高頻電介質材料的漿，以定厚器漿葉 法製作了胚板（燒成後之厚度160wm)。接著，在胚 板的1張，將實驗例之低熔點内部導體漿以網販印刷法予 以印刷，形成實驗例1之條狀線路的中心導體3。同時， 在形成複數通孔5的胚板上印刷高熔點内部導體漿，把導 本紙張尺度遑用中國家標毕(CNS)甲4規格(210x297公龙) -36 - 81. 5. 20,000〇〇 A6 B6 五、發明説明（ 體填充在通孔5内，同時使燒成後的厚度會成為約20 jam地，形成地平面4,内部配線7。將此等以熱壓予以 層壓而得到胚板層壓板。然後，把該層壓體脱脂後，在空 氣中以實驗例1的9601C以上之溫度同時燒成1 0分鐘 。再者，中心骞體係密封在胚板内 接著，切斷成所定尺寸，使中心導體3露出在端部， 印刷下部地平面4表面電極9及外部電極6用A g漿，在 空氣中以溫度850t：燒成10分鐘，而得到内藏第1圖 所示的三片線路諧振器之基板。尺寸像使之成為1〇mm X15mnix2. 5mm (諧振層厚 2. 0mm)。如此 製作的基板，顯示在實施例3所示之高Q值，並且，高熔 點内部導體的内部配線層雖然層間空隙薄，但是卻未産生 高熔點内部導體中之銀的擴散，而實現高性能且小型之基 板。再者，高熔點内部導體層偽成為Ag—Pd合金，而 未溶融。 實施例5 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製作3下述銅糸的内部導體漿。銅為熔點1 ◦ 8 3 t： ，電阻糸數 1. 72xi〇-sQ/crT1。 導體漿 銅粉 平均粒徑子3/im 球狀純度99.9¾ 玻璃料. S i 〇2— Α_ί?2〇3— SrO 糸 (軟化溫度8 6 0 °C ) 本紙張尺度逍用中國·家«準(CNS)甲4規格(210父297公龙) -37 - 81. 5. 20.000(H) A6 B6 2061*84 五、發明説明（3〇 有機粘合劑丙烯酸糸 有機溶劑 萜品醇 混合物比例 玻璃料+銅粉 80wt% 有機粘合劑 5.0wt% 有機溶劑 1 5 . 0 w t % 將上述各材料以三锟機混合分散。使用該漿，使燒成 時的環境氬氣中，使用密封型之燒成爐以氧氣分壓 S 1 0_6a tm進行，除了在諧振器的接地面也使用銅之 外，和實施1完全相同地製作了諧振器。把給果示如表3 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂· 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 表 3 試樣 玻璃料含有置 玻璃料軟化點 焼成溫度 Qu N 〇 . /vo1 % (w t %) /1C /X： 21(本發明） 16.8(5.3) 860 1120 226 22(比較） 16.8(5.3) 860 980 138 本紙張尺度逍用中國B家《毕(CNS) f 4規格(210X297公*) -38 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（3j (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者，模擬值為，以線路寛2/im,諧振器厚2mm ，電介質QF = 100〇GHz,線路厚度30“ιη,介 電常數10. 9,線路之電阻係數1. 72Ε — 8Ω/κι (在線路使用大量的銀時），接地面之電阻俗數3. 44 Ω/m的條件為Qu=275.4,可知根據本發明能得 到理論值之8 2 %的Q值。 實施例6 做為原料使用BaC〇3, Nd2〇3, T i 〇2, Bi2〇：>, MnC〇3, Aj2〇3,使之能得到下述組成 地予以秤量，將秤量原料和水一起放入球磨粉機，濕式混 合4小時。接著，將該物質脱水，乾燥後，以1 280*0 暫時燒2小時。 18. 2 克分子 ％’Ba〇 — 66. 7%Ti〇2-15. 1 克分子 ％Nd2〇3 B i 0 a 7 . 5 9 w t % A β 2 O 3 1 . 0 w t % 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Μ n 0 0 . 5 w t % 將該暫時燒的物質，和10wt%之玻璃，和1. 0 wt%的CuO予以濕式粉碎4小時。接著，將此粉碎物 乾燥後和有機粘合劑〔緊乙烯醇糸的P V A 1 1 7 ;吳羽 化學工業（株）製，丙烯酸糸之E L V A S I T E ;杜邦 公司製〕一起予以漿化。玻璃偽使用有Pd〇66. 9 本紙張尺度逍用中國家標準(CNS)甲4規格(210X297公*) -39 - 81. 5. 20.000(H) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 2061s4 Α6 ____Β6 _ 五、發明説明（ wt%，B2O3I4. 8wt%, ZnOll. ，Ai?2〇3〇. 41%, Si〇23. 83wt% 之成份 者。使電介質材料成為燒結體時的介電常數為73, QF = 2500GHz, re=-3· 2ppm/t：〇 一方面，導體漿傜使之成為下述成份。 銀粉 平均粒徑子3/im 球狀純度99.9% 玻璃料 Si〇2-AS2〇3 — SrO 条 (軟化點8 6 0 t：) 有機粘合劑丙烯酸糸 有機溶劑 萜品醇 混合物比例 玻璃料+銅粉 90wt% 有機粘合劑 2.5wt% 有機溶劑 7.5wt% 將上述各材料以三锟機予以混合分散。 使用此等獎，製作2. Omm四方，長度4. 6mm ，線路寬度1 . 0 m m ,接地面之導體材料也使用銀之諧 振器。將結果示如表4。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙ft尺度遑用中••家《準(CHS)甲4規格(210 x 297公釐） 81. 5 . 20.000(H) 2〇6184 Λ6 _ B6 五、發明説明（3$ 表 4 試揉 玻璃料添加置 焼成條件 谐振器之 Γλ No. /vo1 % (wt%) Q u •λ 31 15.0(5.4) 10001C 10 分達 242 41(tb 較）15.0(5.4) 9 10 1C‘ 1 〇 分鐘 147 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁} 再者，模擬值， 係以線路寬度1 mm ，諧振器厚度2 m , 電介質的Q F =2 5 0 0 G Η z , 線路厚度3 0 m , 介電常數7 3 ，線路之電阻係數1 .6 2 X 1 0 _ί / m (在線路使用大量的銀時）， 接地面的電阻係數 .4 4 Ω / m ,為 Q u = 2 9 4 . 8 , 而得到理論值的 裝. -訂· 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 實施例7 將純度9 9 . 9 %的銀粉和玻璃料及載色體以三棍機 予以混合分散。銀粉傜使用平均粒徑3wm的球狀者，做 為玻璃料係使用下列成份之平均粒徑1 . 0//rn者。該玻 璃的軟化點為8 6 0 °C。 本紙張尺度逍用中國家楳準（CNS)甲4規格(210x297公釐) -41 - 81. 5. 20.000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（4(}
Si Ο 2 ： 62克分子％ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S r Ο ： 26克分子％
Ai?2〇3: 12 克分子 ％ 在混合物添加載色髏，以三锟機混練而做為内部導體 漿。載色體係做為粘合劑使用丙烯酸樹脂，做為溶劑使用 萜品醇。各成份之混合物比例為， 銀粉 85. 22重量％ 玻璃料 4. 77重量％ 有機粘合劑 2. 5重量％ 有機溶劑 7. 5重量％ 另外製作含有平均粒徑1. 9wm的玻璃粒子：70 體積％，和平均粒徑1. 之Αί2〇3粒子：30體 經濟部中央標準局KX工消费合作社印製 積％的電介質材料。然後對此電介質材料1 ◦ 0重量部， 添加載色體7 3重量部，以球磨粉機予以泥漿化，而得到 泥漿。在載色體做為粘合劑使用丙烯酸糸樹脂，做為溶劑 使用乙醇及甲苯，做為可塑劑使用酞酸酯。同時，玻璃粒 子的成份，為S i 〇2: 62克分子％，Α52〇3: 8克 分子％ , Β 2 0 ：» : 3克分子％，S r ◦ : 2 ◦克分子％ ,
CaO:4克分子％,MgO:3克分子％，軟化點為 8 1 5 t： 〇 使用該電介質材料的漿，以定厚器槳葉法製作厚度 本紙張尺度逍用中 B家標準(CNS)甲4規格(210x297公釐） 一 42 _ 81. 5. 20,000(H) A 6 B6 206184 五、發明説明（4j 0. 25mm之胚板。接著，在4張胚板，將前述Ag内 部導體漿以網販印刷法予以印刷，形成線以寬200 ,3轉的通孔互相導通的線圏後，以熱壓予以層壓而得到 胚板層壓體。然後，把該層壓體脱脂後，在空氣中以表4 所示的溫度同時燒成30分鐘。内部導體之厚度為20 /Lt m 〇 接著，把外部電極用A g漿以網販印刷法印刷，在空 氣中以溫度8 5 0 °C燒成1 ◦分鐘而得到L晶片。尺寸僳 成為 2. OmmXl.. 2mmXlmm。 將如此製作的L晶片之Q值（100MHz)的測定 結果不如表5。再者，使用線寬2 0 0 /irn, 5轉而6層 之胚板，使之成為3. 2mmXl. 6mmXlmm外， 和上述一樣地製作的L晶片之例併記在表5。從表5所示 的結果，明白顯示本發明之效果。 請 先 閲 ti 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經 濟 部 中 央 標 準 Μ 貝 工 消 合 作 社 印 製 表 5 試樣 •No. 轉數 燒成溫度 10°C 電感 Q (100MHz) 42(比較） 3 900 10.5 17 42 3 1000 10.5 25 43(比較） 5 900 51.0 21 44 5 1000 51.0 29 本紙ft尺度遑用中B S家《準(CNS)甲4規格(210x297公货) -43 - 81. 5. 20.000(H) 五、發明説明（4^ 圖面之簡單說明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第1圖，為被顯示使本發明的多層陶瓷構件做為諧振 器内藏基板時之1例的剖面圖，第2圖，係將本發明之多 層陶瓷基板做為諧振器使用的電壓控制振盪器予以顯示之 斜視圖。第3圖〜第8圖，為本發明的多層陶瓷構件之切 斷面的蝕刻後之掃描型電子顯微鏡（SEM)照片，第9 圖〜第12圖，為比較用的多層陶瓷構件之切斷面的蝕刻 後之SEM照片。第13圖，為顯示燒成溫度和Qu的圖 傺之圖表。第14圖，為顯示諧振器厚度，和燒成溫度與 Qu的關偽之圖表。第15圖，為顯示基板内的原子，尤 其是銀元素之擴散狀態的ΕΡΜΑ (電子線探針;微分析儀 )之元素分佈圖的照片，第16圖，為顯示根據第15圖 之Ε ΡΜΑ的元素分佈圖之特性X線的線分析析強度之照 片。第17圔，為顯示諧振器内藏基板的其他例之斜視圖 ，第18圖為其部份斜視圖。第19圖〜第20圖為顯示 諧振器内藏基板的更其他例之部份斜視圖。第2 1圖為諧 振器内藏基板的其他例之部分斜視圖，第22圖為其横剖 面圖。第23圖為諧振器内藏基板的其他例之斜視圖。第 2 4圖，為顯示諧振器内藏基板的其他例之斜視圖，而第 2 5圖為其横剖面圖。 81. 5. 20.000(H) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度逍用中《國家橒毕(CNS)甲4規格(210父297公龙)

Claims (1)

  1. 公告^>4—- 本, 補 Λ： Β： C： D： ·/ 六-申14刊苑® 、 {^先閱請背V00之?±意事頊再嗔艿本頁 二··第81103863號申請專利案 中文申請專利範圍修正本 民國81年12月修正 —種多層陶瓷構件之裂造方法，主要傜在绝緣性 的陶瓷材料層形成内部導體之圖案，並且，由於將此和绝 •续性陶瓷材料層層壓燒成，而製造多層陶瓷構件時， 其特徵為，前述燒成，偽在前述内部導體之熔點以上 被進行者。 2.如申請專利範圍第1項所述的多層陶瓷構件之製 造方法，其中，把前述内部導體的圖案，以印刷含有導體 粉之導體漿而形成，和前述陶瓷材料層同時燒成者。 打. 3 .如申請專利範圍第2項所述的多層陶瓷構件之製 造方法，其中，前述導體粉傜含有9 0重置％以上的銀或 銅者。 4 .如申請專利範圍第2項或第3項所述的多層陶瓷 構件之製造方法，其中，前述導體漿，係對前述導體粉， 含有3◦體積％以下的玻璃料，或不含玻璃料者。 5.如申請專利範圍第2項所述的多層陶瓷構件之製 造方法，其中，將前述燒成，以前述導體粉的熔點以上， 熔點+ 3 0 〇 °c以上之溫度進行者。 6 .如申請專利範圍第2項所述的多層陶瓷構件之裂 造方法，其中，在前述燒成時，將前述内部導體的圖案密 封在前述陶瓷材料層内，在此燒成後將燒成體切斷者。 7 .如申請專利範圍第2項所述的多層陶瓷構件之製 AT B7 C7 D7 六、申請專刊死® 、 造方法，其中，予以切斷而將端面蝕刻，把内部導體層以 掃描型電子顯微鏡觀察時，在將前述漿燒成所得的内部導 體層，賁質上没有導體粒子之粒界存在者。 8.如申請專利範圍第7項所述的多層陶瓷構件之製 造方法，其中，前述導髏漿未含有玻璃料，而在前述内部 導體層披形成有内部導體之連鑕層者。 9·如申請專利範圍第7項所述的多層陶瓷構件之裂 造方法，其中，前述導體漿含有玻\璃料，在前述内部導體 層披形成有内部導體的連續層，而前述玻璃料被排出在該 連缜層之外部者。 1〇.如申請專利範圍第1項 所述的多層陶 瓷構件之製造方法，其中， 將前述内部導體以熔點不同的至少2種材料形成， 以前述内部導韹中.之低熔點内部導體的熔點以上，且. 未湛高熔點導證之熔點的溫度予以燒成者。 11.如申請專利範圍第10項所述的多層陶瓷構件 之製造方法，其中，把前述低熔點及高熔點的内部導體之 圖案，以印刷分別含有低熔點及高熔鲇的導韹粉之導饈漿 予以形成，而和前述陶瓷材料層同時燒成者。 1 2 .如申請專利範圍第1 ◦項所述的多層陶瓷構件 之製造方法，其中，在複數的前述陶瓷材料層形成複數之 前述高熔點内部導體層，使存在於和前述低熔點的内部導 體之圖案鄰接的其他内部導體之圖案間的前述陶瓷材料層 之厚度，比存在於前述高熔點的内部導體之圖案間的前述 206184 {猜先聞讀背面之注意事項再滇荈本百) ^4-部中夬櫺哗局員工消费合作Η印^ 木纸張尺度適川，丨，W W家榣準（CNS) Τ 4yi格（210 X 297公;^) -2 - B： Cl Ό： 206184 六、申、 陶瓷材料層之厚度大者。 {蚧先聞¾背面之注意事項再填¾本百} 13. 如申請專利範圍第1〇項所述的多層陶瓷構件 之製造方法，其中，使前述低熔點的内部導體之圖案出表 面部用的内部導體為高熔點之内部導體者。 14. 一種多層陶瓷構件，其持徵為，具有陶瓷素體 ，和在其内部由同時燒成被形成的内部導體層， 予以切斷將端面蝕刻而把内部導體層以掃描型電子顯 微鏡SI察時，在前述内部導體層沒有導體粒子的粒界實質 上存在者。 15. 如申請專利範圍第i4項所述的多層陶瓷構件 ，其中，前述同時燒成，傜以前述内部導體層之内部導體 的熔點以上之溫度被進行者。'\ .iT· · ·. 16. 如申請專利範圍第14項所述的多層陶瓷構件 ，其中，在前述内部導.體層被形成有内部導體之連續層者. 0 經济部中央樣準局員工消费合作社印¾ 17. 如申請專利範圍第14項所述的多層陶瓷構件 ，其中，在前述内部導體層被形成有内部導體之連續層， 在該連缜層的外部有被添加在前述内部導體層用之内部導 體漿中的玻璃料披排出者。 18. 如申請專利範圍第14項所述的多層陶瓷構件 ，其中，前述内部導體層，具有熔點不同的至少兩種之低 熔點及高熔點的内部導體層， 、予以切斷把端面蝕刻而將前述低熔點内部導體層以掃 描型電子顯微鏡觀察時，在前述低熔點内部導體層實質上 本紙張尺度適川*|，w W家«平（CNS)，r‘丨说格(210 X 297公祛） 經濟部中夬櫺準局8工消费合作社印皱 AT2〇6l®^ ct _____D7__ 六，申锖專h苑a 、 没有導體粒子之粒界存在者。 19.如申諳專利範圍第18項所述的多層陶瓷構件 ，其中’前述同時燒成，係在低熔點内部導體的熔點以上 ，且未滿高熔鲇内部導體之熔點的溫度被進行者。 2◦.如申請專利範圍第丨8項或第19項所述的^ 層陶瓷構件，其中，在前述低熔點内部導體層，被形成有 内部導體之建绩層者。 21.如申請專利範圍第18項或第19項所述的多 層陶瓷構件，其中，在前述低熔點内部導體層，有内部導 體的連缜層被形成，而在該連缥層之外部有被添加在前述 内部導體層用的内部導證漿中之玻璃料被排出者。 2 2.如申請專利範圍第18項所述的多層陶瓷構件 ，其中，在前述陶瓷素韹内具有複製的高熔點之内部導體 層，而在前述低熔點的.内部導謾層和鄰接之其他内部導體. 層間存在的前述陶瓷素體之厚度，傜比前述高熔點的内部 導體層間存在之前述陶瓷素體的厚度為大者。 2 3 .如申請專利範圍第1 8項所述的多層陶瓷構件 ，其中，為了將前述低熔點的内部導體層導出到表面部用 之内部導體為高熔點的内部導體者。| {搰先聞筇背面之注意事項再填艿本頁 iT---- 木紙诋尺；i通;丨H，W H SUf:準（CNS) T ‘1说格（210 X 297公ίέ) -4 **
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