TW202227534A - 聚合物組成物、液晶配向劑、樹脂膜、液晶配向膜、液晶顯示元件之製造方法以及液晶顯示元件 - Google Patents

Abstract

一種聚合物組成物，含有：聚合物(A)，具有式(i-1)～(i-3)中任一者表示之次結構且主鏈具有從次結構取走R而成之結構。

Description

聚合物組成物、液晶配向劑、樹脂膜、液晶配向膜、液晶顯示元件之製造方法以及液晶顯示元件

本發明係關於聚合物組成物、液晶配向劑、樹脂膜、液晶配向膜、液晶顯示元件之製造方法及液晶顯示元件。

液晶顯示元件廣泛使用於作為個人電腦、行動電話、智慧手機、電視等的顯示部。液晶顯示元件，例如具備：夾持在元件基板與彩色濾光片基板之間之液晶層、對於液晶層施加電場之畫素電極及共通電極、控制液晶層之液晶分子之配向性之配向膜、切換對於畫素電極供給之電訊號之薄膜電晶體(TFT)等。液晶分子之驅動方式已知有TN(扭轉向列，Twisted Nematic)方式、VA(垂直配向，Vertical Alignment)方式等縱電場方式、IPS(平面切換，In-Plane Switching)方式、FFS(邊緣電場切換，Fringe Field Switching)方式等橫電場方式。僅在基板的單側形成電極，並對於和基板平行之方向施加電場的橫電場方式，相較於以往之對於在上下基板形成之電極施加電壓而使液晶驅動之縱電場方式，具有廣視野角特性，且作為能呈現高品質顯示之液晶顯示元件而被知悉。

針對液晶顯示元件等中使用的液晶配向膜，廣泛使用聚醯亞胺系之樹脂膜。此聚醯亞胺系之液晶配向膜，係藉由將以聚醯胺酸(也稱為聚醯胺酸)、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺等聚合物及溶劑作為主成分之液晶配向劑塗佈於基板而製作。

視野角特性優異之橫電場方式，主要廣泛採用在行動電話、平板型的終端。對於最近急速高精細化的面板，高顯示品質被重視，針對如所謂「殘影現象」或簡稱「殘影」之顯示不良的規格也日益變得嚴格。殘影之其中一個原因，已知是因驅動產生之正負非對稱電壓之施加導致液晶胞內之電荷蓄積，已有一些使此蓄積高速緩和的技術提出(專利文獻1～3)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2004/021076號公報 [專利文獻2]國際公開第2018/062440號公報 [專利文獻3]國際公開第2018/110354號公報

(發明欲解決之課題)

但是，使蓄積電荷之緩和速度加快的方法所知不多。 本發明之目的為提供對於能獲得蓄積電荷之緩和速度快而殘影少之液晶顯示元件的液晶配向劑為合適的新穎聚合物組成物。 (解決課題之方式)

本案發明人努力研究，結果發現藉由使用特定之摻合組成之聚合物組成物來形成樹脂膜，能解決上述課題，乃完成本發明。具體而言以下列作為要旨。

一種聚合物組成物，含有聚合物(A)，該聚合物(A)具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構且主鏈具有從該次結構取走R而得之結構， 該聚合物(A)係藉由使含有具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構之二胺(c)的二胺成分與四羧酸衍生物成分反應而獲得之聚合物； [化1]

該式(i-1)～(i-3)中，R係具有2個芳香族烴環及氮原子(A)之1價有機基； 該1價有機基中，該2個芳香族烴環各符合下列條件(I)及(II)中之至少一者； 條件(I)：芳香族烴環之碳原子中之一者與前述氮原子(A)直接鍵結； 條件(II)：前述氮原子(A)含於芳香族雜環時，芳香族烴環與該芳香族雜環形成縮合環； 該2個芳香族烴環中之一者與標註＊1之氮原子(B)共軛； ＊表示原子鍵。 (發明之效果)

依照本發明，能夠提供對於能獲得蓄積電荷之緩和速度快而殘影少之液晶顯示元件的液晶配向劑為合適的新穎聚合物組成物。

本說明書中，鹵素原子可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

＜聚合物(A)＞ 本發明之聚合物組成物含有聚合物(A)。 上述聚合物(A)具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構。 又，上述聚合物(A)係主鏈具有從上述次結構取走R而得之結構。 又，上述聚合物(A)，係藉由使含有具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構之二胺(c)之二胺成分、與四羧酸成分反應而獲得之聚合物。 [化2]

式(i-1)～(i-3)中，R係具有2個芳香族烴環及氮原子(A)之1價有機基。 1價有機基中，該2個芳香族烴環各符合下列條件(I)及(II)中之至少一者。 條件(I)：芳香族烴環之碳原子中之一者和氮原子(A)直接鍵結。 條件(II)：氮原子(A)含於芳香族雜環時，芳香族烴環與該芳香族雜環形成縮合環。 該2個芳香族烴環中之一者與標註＊1之氮原子(B)共軛。 ＊表示原子鍵。 又，以下，有時將由符合條件(I)及(II)中之至少一者之芳香族烴與氮原子(A)構成的結構稱為「特定之芳香族胺結構」。

上述聚合物(A)之主骨架，可列舉例如由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯等聚醯亞胺前驅物、係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化合物的聚醯亞胺、聚醯胺及聚脲等構成的骨架。上述聚合物(A)，可因應聚合物組成物之用途等而將從它們中選擇之聚合物之1種或2種以上予以適當選擇使用。聚合物(A)之主骨架之中，選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺構成之群中之至少一種較佳。

本發明中，聚合物之「主鏈」係指由聚合物當中最長的原子鏈構成的「幹」的部分。故「主鏈具有從式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構取走R而得之結構」，係指從該次結構取走R而得之結構構成聚合物之主鏈之一部分之情事。 另外，本發明中，R係該當於側鏈。在此，以下有時稱R為側鏈R。

在此，本發明中，針對上式(i-1)～(i-3)中規定R時之芳香族烴環，係指單環(例：苯環)或縮合環(例：萘環)之芳香族烴環。例如：R也可以有聯苯結構，但R具有聯苯結構時，係認為規定R時之芳香族烴環中，聯苯結構由2個芳香族烴環構成。 具體而言，R為下式(r2)表示之1價有機基時，當標註＊3之氮原子為氮原子(A)時，也可認為標註＊4的苯環、及標註＊5的苯環成為一體而構成聯苯結構，但是本發明中，標註＊4的苯環、及標註＊5的苯環各該當於規定R之1個芳香族烴環。所以，即使下式(r2)表示之1價有機基中，R ₂不是芳香族烴環時，下式(r2)表示之1價有機基仍是具有2個芳香族烴環與氮原子(A)之1價有機基，該2個芳香族烴環各符合上述條件(I)。所以，從下式(r2)表示之1價有機基取走R ₂而得的結構，該當於特定之芳香族胺結構。 [化3]

R ₂為氫原子或1價有機基。＊表示和氮原子(B)之原子鍵。

R擁有之2個芳香族烴環上之氫原子，各自獨立地亦可被羥基、鹵素原子、或1價有機基取代。 該等之中，考量有效率地獲得本發明之效果之觀點，2個芳香族烴環各自獨立地為苯環、或萘環較佳。 1價有機基，可列舉例如1價烴基、1價烴基中在碳-碳鍵間導入了-O-、-COO-、-CO-、-NHCO-、-S-等官能基而成之1價基等。

上式(i-1)～(i-3)中之R擁有之氮原子之數目為1或2個以上，考量合成容易的觀點，較佳為1或2～4個，又更佳為1或2個。又，R之碳數不特別限定，R之理想碳數為12～40，更佳的碳數為12～30。 上式(i-1)～(i-3)中，R也可具有3個以上之芳香族烴環。此時3個以上之芳香族烴環中之至少2個符合上述條件(I)及(II)中之至少一者即可。如此的R，亦該當於本發明中之上式(i-1)～(i-3)之R。 R擁有之芳香族烴環之數目無特殊限制。 又，R中，可不是僅2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)共軛，也可2個芳香族烴環中2個皆和氮原子(B)共軛。

藉由在上式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構中，R中之2個芳香族烴環符合上述條件(I)及(II)中之至少一者，及該2個芳香族烴環中之一者和標註＊1之氮原子(B)共軛，HOMO(最高被占分子軌道、Highest Occupied Molecular Orbital)從聚合物(A)之主鏈延伸到側鏈R之特定之芳香族胺結構之至少一部分，可發揮將主鏈上產生或蓄積之電荷有效率地移動到側鏈R上之特定之芳香族胺結構，並且蓄積電荷之緩和特性高速化的效果。 本案發明人發現：上式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構中，R之2個芳香族烴環符合上述條件(I)及(II)中之至少一者時，氮原子(A)之Mulliken電荷之絕對值會成為0.550以上。又，藉由Mulliken電荷之絕對值為0.550以上，進而上式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構中之2個芳香族烴環中之一者和標註＊1之氮原子(B)共軛，據認為電荷會以良好效率從主鏈向側鏈R移動。 在此，Mulliken電荷係從依分子軌道計算算出之電子密度分布求算的電荷，電荷之絕對值越大，意指電荷越易向算出對象之原子進行電荷移動。Mulliken電荷，例如可藉由使用作為泛函數之B3LYP、作為基底函數之6-31G＊來算出計算對象分子在真空下之基底狀態的最安定結構以求得。 分子軌道計算使用之分子軌道計算用軟體，可利用例如美國Gaussian公司製之Gaussian09(RevisionC. 01, M. J. Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.)。惟進行分子軌道計算之手法不限於此。

上述R符合特定之芳香族胺結構中之2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)共軛之關係。 符合如此的關係的一態樣，可列舉例如：以下之(i)、(ii)等。 (i)藉由該2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)直接鍵結，而該2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)共軛。 (ii)藉由該2個芳香族烴環中之一者介隔1個芳香族烴環而和氮原子(B)共軛，該2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)共軛。 針對上述(ii)中介隔的1個芳香族烴環，只要是2價之芳香族烴環即不特別限定，可列舉例如：伸苯基等。該伸苯基之氫原子，各自獨立地，也可被羥基、鹵素原子、或1價有機基取代。1價有機基，可列舉例如1價烴基、1價烴基中之碳-碳鍵間導入了-O-、-COO-、-CO-、-NHCO-、-S-等官能基而成之1價基等。 考量獲得本發明之效果之觀點，藉由該2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)直接鍵結而該2個芳香族烴環中之一者和氮原子(B)共軛較佳。

上式(i-1)～(i-3)中，R宜為下式(r1)～(r3)中之任一者表示之1價有機基較佳。更理想者為(r2)表示之1價有機基。 [化4]

R ₁、R ₂為氫原子或1價有機基。R ₃為1價有機基。n表示1～3之整數。惟n為1時，R ₃係和標註＊2之喹啉環之吡啶環直接鍵結之具有芳香族烴基的有機基，n為2或3時，R ₃中之至少一者係和標註＊2之喹啉環之吡啶環直接鍵結之具有芳香族烴基之有機基。＊表示原子鍵，式(r3)中之＊和構成喹啉環之苯環鍵結。苯環上之氫原子，也可被羥基、鹵素原子、或1價有機基取代。

上述R ₁、R ₂、及R ₃之1價有機基，可列舉例如1價烴基、1價烴基中之碳-碳鍵間導入了-O-、-COO-、-CO-、-NHCO-、-S-、-NH-等官能基而成之1價基、1價芳香族雜環基、及胺基之保護基等。又，R ₁、R ₂、及R ₃中，和上述烴基及芳香族雜環基之碳原子鍵結之氫原子，也可被鹵素原子、羥基等取代。1價芳香族雜環基，可列舉例如：吡啶基等1價含氮芳香族雜環基。 R ₃中之和標註＊2之喹啉環之吡啶環直接鍵結之具有芳香族烴基之有機基，可列舉例如：苯基、萘基等芳基。芳基也可以具有取代基。該取代基，可列舉例如：1價烴基、1價烴基中之碳-碳鍵間導入了-O-、-COO-、-CO-、-NHCO-、-S-、-NH-等官能基而成的1價基、1價芳香族雜環基、及胺基之保護基等。1價芳香族雜環基，可列舉例如：吡啶基等1價含氮芳香族雜環基。 上述胺基之保護基之具體例，可列舉例如第三丁氧基羰基、苄氧基羰基、1,1-二甲基-2-鹵乙氧基羰基、1,1-二甲基-2-氰基乙氧基羰基、9-茀基甲氧基羰基、烯丙氧基羰基、2-(三甲基矽基)乙氧基羰基等，較佳為第三丁氧基羰基。 又，針對亦可替換苯環上之氫原子之1價有機基，可列舉例如1價烴基、1價烴基中之碳-碳鍵間導入了-O-、-COO-、-CO-、-NHCO-、-S-等官能基而成之1價基等。

本說明書中之烴基可列舉鏈狀烴基、脂環族烴基及芳香族烴基。鏈狀烴基可列舉例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等碳數1～30之烷基；乙烯基、丙烯基、丁烯基等碳數2～30之烯基；乙炔基、丙炔基等碳數2～30之炔基等，它們可為直鏈狀也可為分支狀。又，脂環族烴基，可列舉例如環戊基、環己基等；芳香族烴基，可列舉例如苯基、甲苯基、苄基、苯乙基等。1價烴基，係指從上述烴基取走1個氫原子而得的基。

上述(r2)表示之1價有機基之具體例，可列舉下式(r2-1)～(r2-2)表示之1價有機基。 [化5]

＜二胺(c)＞  二胺(c)宜具有可將上式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構導入到聚合物(A)之主鏈中之結構較佳，具有1個或2個以上之上式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構中之至少一者。更具體而言，下式(d1-1)～(d1-3)中之任一者表示之化合物較佳。 [化6]

式(d1-1)中，n為1時，R和上式(i-1)中之R為同義，n為2或3時，n個R各自獨立地表示氫原子、碳數1～6之烴基、或表示和上式(i-1)之R為相同的1價有機基，n個R中之至少一者表示和上式(i-1)中之R為相同之1價有機基。又，R中之至少一者為和上式(i-1)中之R為相同之1價有機基時，R之理想態樣和上式(i-1)中之R為同樣。 式(d1-2)～(d1-3)中，R和上式(i-2)～(i-3)中之R相同。(d1-2)～(d1-3)中之R之理想態樣，和上式(i-2)～(i-3)之R為同樣。 L ₂、及L ₃，表示單鍵、-NR’-、-O-、-NR’-CO-、-CO-NR’-、-O-CO-、或-CO-O-，R’表示氫原子或1價有機基。R’之1價有機基之具體例可列舉上式(r1)～(r2)之R ₁、R ₂例示之結構。Ar ₂、及Ar ₃，表示芳香族環基。該芳香族環基之具體例，可列舉從苯環、萘環、蒽環、吡啶環、嘧啶環、吡𠯤環、嗒𠯤環、三𠯤環、吡咯環、咪唑環、吡唑環、喹啉環、異喹啉環、咔唑環、苯并咪唑環、吲哚環、喹㗁啉環、吖啶環等芳香族環之環部分取走了2個氫原子而成之基。該芳香族環上之氫原子也可被羥基、鹵素原子、碳數1～5之烷基、或碳數1～5之烷氧基取代。其中，苯環、萘環、蒽環、吡啶環、嘧啶環、吡𠯤環、嗒𠯤環、咔唑環更理想。 式(d1-1)中，n為2或3時n個m2可相同也可不同。 式(d1-2)中，Ar ₂有2個以上時，2個以上之Ar ₂可相同也可不同。 式(d1-2)中，L ₂有2個以上時，2個以上之L ₂可相同也可不同。 式(d1-3)中，2個以上之Ar ₃可相同也可不同。 式(d1-3)中，2個以上之L ₃可相同也可不同。

二胺(c)之中，上式(d1-1)中，n為1時，式(d1-1)之R表示上式(r2)表示之1價有機基，n為2或3時，上式(d1-1)之n個R各自獨立地表示氫原子、碳數1～6之烴基、或上式(r2)表示之1價有機基，n個R中之至少一者表示上式(r2)表示之1價有機基時較理想，上式(d1-2)～(d1-3)中，上式(d1-2)～(d1-3)中之R為上式(r2)表示之1價有機基時較佳。更佳為二胺(c)中，後述最高被占分子軌道之上式(r2)擁有之氮原子(A)之軌道係數未達0.01較佳。

伴隨液晶面板的高精細化，顯示區的面積變窄，故有時會對於液晶配向膜要求比迄今更高的透明性。針對使液晶配向膜高透明化的方法，有人提出使芳胺為3級結構(國際公開第2020/166623號公報)、導入直鏈狀之間亞芳基(metaarylene)結構(國際公開第2019/093037號公報)之方案。 但是本案發明人等探討的結果，發現如國際公開第2019/093037號公報記載之使主鏈方向之結構變化之方法，相較於專利文獻1～專利文獻3記載之技術，會有蓄積電荷之緩和特性降低的缺點。又，國際公開第2020/166623號公報記載之方法亦有效，但就提高蓄積電荷之緩和速度且獲得高透明性之觀點，尚有改善空間。 為了提高蓄積電荷的緩和速度並獲得高透明性，本發明使用之二胺(c)中，進一步，最高被占分子軌道之氮原子(A)之軌道係數宜未達0.01較佳。此軌道係數未達0.005更佳，未達0.0025又更佳。 藉由成為如此的構成，來自共軛之側鏈R上之氮原子(A)之吸收強度受抑制，故會發揮從聚合物組成物之獲得之樹脂膜之透射率提高的效果。在此，軌道係數，可從藉由針對對象分子(例如：二胺(c))之分子軌道計算獲得之結構予以最適化時之對象分子之電子密度分布求出。具體而言，軌道係數，從在進行結構最適化及電子密度解析之分子軌道計算中，使用B3LYP作為汎函數、6-31G＊作為基底函數所導出。分子軌道計算用軟體，可利用例如：美國Gaussian公司製之Gaussian09(RevisionC. 01, M. J. Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.)。惟進行分子軌道計算之手法不限於此。

在此，氮原子之軌道係數，係對象分子之HOMO之軌道係數中之該當氮原子之展開係數之平方和。 以下展示最高被占分子軌道中之計算對象原子之軌道係數之計算方法。 將第i號之分子軌道Ψ _i依下列方式展開。 [數1]

式中，Ψ _iは表示i號之分子軌道，C _{μ i}表示展開係數，Φ _μ表示基底函數，K表示基底函數之總數。 6-31G＊基底函數的情形，第1周期元素使用2個、第2周期元素使用15個基底函數。 例如：以下之二胺的情形，使用15×35+2×26＝577個基底函數將分子軌道予以展開。 [化7]

若設HOMO之氮原子之軌道係數為C _HOMO,N，則C _HOMO,N能以下式計算。 [數2]

式中，左邊的C _HOMO,N為軌道係數，右邊的C _μ,HOMO,N，為求簡便，稱為展開係數。 例如：上述二胺時HOMO之577個展開係數當中，針對重視的氮原子的基底函數的15個展開係數算出平方和，可求出氮原子的軌道係數C _{HOMO ， N}。

針對二胺(c)，考量獲得本發明之效果之觀點，宜為下式(d-1)～(d-8)中之任一者表示之化合物較佳。又，各化合物之軌道係數，為d-1(0.0023)、d-3(0.0018)、d-4(0.0016)、d-5(0.0009)、d-6(0.0013)、d-7(0.0018)、d-8(0.0007)。 [化8]

＜二胺成分＞  上述聚合物(A)為聚醯亞胺前驅物時(以下也稱為聚醯亞胺前驅物(A)。)，上述聚合物(A)可藉由含有上述二胺(c)之二胺成分與四羧酸衍生物成分之聚合反應獲得。上述聚合物(A)之中，較宜為能由含有選自下列構成之群組中之至少1種化合物之二胺成分與四羧酸衍生物成分之聚合反應獲得之聚醯亞胺前驅物為較佳，該群組係：上式(d1-1)中，n為1時，式(d1-1)之R係表示上式(r2)表示之1價有機基之化合物；n為2或3時，上式(d1-1)之n個R各自獨立地表示氫原子、碳數1～6之烴基、或上式(r2)表示之1價有機基，且n個R中之至少一者為表示上式(r2)表示之1價有機基之化合物；及上式(d1-2)～(d1-3)中，式(d1-2)～(d1-3)之R為上式(r2)表示之1價有機基之化合物。為了提高蓄積電荷之緩和速度且獲得高透明性，最高被占分子軌道中之上式(r2)之咔唑骨架擁有之氮原子的軌道係數為未達0.01較佳。更佳為能由含有選自由上式(d-1)～(d-8)中之任一者表示之化合物構成之群組中之至少1種化合物之二胺成分與四羧酸衍生物成分之聚合反應獲得之聚醯亞胺前驅物。上述任一情形，二胺(c)之使用量相對於和四羧酸衍生物成分反應之二胺成分，為1～100莫耳%較理想，1～99莫耳%更佳，5～95莫耳%又更佳。

上述聚醯亞胺前驅物(A)之製造中使用的二胺成分，也可含有二胺(c)以外之二胺(以下也稱為其他二胺)。以下列舉其他二胺之例，但本發明不限於此等。

可列舉4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯基酮、3,3’-二胺基二苯基酮、1-(4-(2-(2,4-二胺基苯氧基)乙氧基)苯基)-2-羥基-2-甲基丙酮、2-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苯氧基)乙基3,5-二胺基苯甲酸酯、1,4-雙(4-胺基苄基)苯、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯；下式(g-1)～(g-9)表示之二胺等具有光配向性基之二胺；下式(u-1)～(u-3)表示之二胺等具有脲鍵之二胺；下式(u-4)～(u-6)表示之二胺等具有醯胺鍵之二胺；2,6-二胺基吡啶、3,4-二胺基吡啶、2,4-二胺基嘧啶、3,6-二胺基咔唑、N-甲基-3,6-二胺基咔唑、N-乙基-3,6-二胺基咔唑、N-苯基-3,6-二胺基咔唑、1,4-雙-(4-胺基苯基)-哌𠯤、3,6-二胺基吖啶、下式(Dp-1)～(Dp-8)表示之二胺、下式(z-1)～式(z-28)表示之二胺；2,4-二胺基苯酚、3,5-二胺基苯酚、3,5-二胺基苯甲醇、2,4-二胺基苯甲醇、4,6-二胺基間苯二酚；2,4-二胺基苯甲酸、2,5-二胺基苯甲酸、3,5-二胺基苯甲酸及下式(3b-1)～式(3b-4)表示之二胺化合物等具有羧基之二胺；4-(2-(甲胺基)乙基)苯胺、4-(2-胺基乙基)苯胺、4,4’-二胺基二苯基酮、1-(4-胺基苯基)-1,3,3-三甲基-1H-二氫茚-5-胺、1-(4-胺基苯基)-2,3-二氫-1,3,3-三甲基-1H-茚-6-胺；甲基丙烯酸2-(2,4-二胺基苯氧基)乙酯及2,4-二胺基-N,N-二烯丙基苯胺等末端具有光聚合性基之二胺；下式(Ra-1)～(Ra-5)等具有自由基起始功能之二胺、9,9-雙(4-胺基苯基)茀等因光照射而顯示增感作用之具光增感功能之二胺；膽甾烷基氧-3,5-二胺基苯、膽固醇基氧-3,5-二胺基苯、膽甾烷基氧-2,4-二胺基苯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷酯、3,5-二胺基苯甲酸膽固醇酯、3,5-二胺基苯甲酸羊毛甾烷酯及3,6-雙(4-胺基苯甲醯氧基)膽甾烷等具有類固醇骨架之二胺；下式(V-1)～(V-6)表示之二胺；1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等具有矽氧烷鍵之二胺；下式(Ox-1)～(Ox-2)等具有㗁唑啉環結構之二胺、下式(5-1)～(5-10)表示之具有基「-N(D)-」(D表示因加熱而脫離並被氫原子取代之保護基，較佳為第三丁氧基羰基。)之二胺、下式(2)或式(2i)表示之二胺、WO2018/117239號公報記載之式(Y-1)～(Y-167)中之任一者表示之基鍵結了2個胺基的二胺。

[化9]

[化10]

[化11]

[化12]

[化13]

[化14]

式中，Py表示吡啶環或嘧啶環。 [化15]

n為1～6之整數。 [化16]

上述(3b-1)中，A ¹表示單鍵、-CH ₂-、-C ₂H ₄-、-C(CH ₃) ₂-、-CF ₂-、-C(CF ₃) ₂-、-O-、-CO-、-NH-、-N(CH ₃)-、-CONH-、-NHCO-、-CH ₂O-、-OCH ₂-、-COO-、-OCO-、-CON(CH ₃)-或-N(CH ₃)CO-，m1及m2各自獨立地表示0～4之整數，且m1+m2表示1～4之整數。式(3b-2)中，m3及m4各自獨立地表示1～5之整數。式(3b-3)中，A ²表示碳數1～5之直鏈或分支烷基，m5表示1～5之整數。式(3b-4)中，A ³及A ⁴各自獨立地表示單鍵、-CH ₂-、-C ₂H ₄-、-C(CH ₃) ₂-、-CF ₂-、-C(CF ₃) ₂-、-O-、-CO-、-NH-、-N(CH ₃)-、-CONH-、-NHCO-、-CH ₂O-、-OCH ₂-、-COO-、-OCO-、-CON(CH ₃)-或-N(CH ₃)CO-，m6表示1～4之整數。

[化17]

上式(V-1)～(V-6)中，X ^v1～X ^v4、及X ^p1～X ^p2各自獨立地表示-(CH ₂) _a-(a為1～15之整數。)、-CONH-、-NHCO-、-CON(CH ₃)-、-NH-、-O-、-CH ₂O-、-CH ₂OCO-、-COO-、或-OCO-，X ^v5表示-O-、-CH ₂O-、-CH ₂OCO-、-COO-、或-OCO-。X _a表示單鍵、-O-、-NH-、-O-(CH ₂) _m-O-(m表示1～6之整數。)、-C(CH ₃) ₂-、-CO-、-(CH ₂) _m-、-SO ₂-、-O-C(CH ₃) ₂-、-CO-(CH ₂) _m-(m表示1～6之整數。)、-NH-(CH ₂) _m-(m表示1～6之整數。)、-SO ₂-(CH ₂) _m-(m表示1～6之整數。)、-CONH-(CH ₂) _m-(m表示1～6之整數。)、-CONH-(CH ₂) _m-NHCO-(m表示1～6之整數。)、-COO-(CH ₂) _m-OCO-(m表示1～6之整數。)、-CONH-、-NH-(CH ₂) _m-NH-(m表示1～6之整數。)、或-SO ₂-(CH ₂) _m-SO ₂-(m表示1～6之整數。)，R ^v1～R ^v4、及R ^1a～R ^1b各自獨立地表示碳數1～20之烷基、碳數1～20之烷氧基或碳數2～20之烷氧基烷基。

[化18]

[化19]

Boc表示第三丁氧基羰基。

[化20]

Y ₂表示下式(O)表示之2價有機基。R表示氫原子或碳數1～6之烷基。Y _2i表示下式(O’)表示之2價有機基。 [化21]

Ar表示2價苯環、聯苯結構、或萘環。2個Ar可相同也可不同，Ar擁有之苯環或萘環上之任意氫原子也可被1價取代基取代。p為0或1之整數。Q ₂表示-(CH ₂) _n-(n為2～18之整數)、或該-(CH ₂) _n-之-CH ₂-之至少一部分被-O-、-C(＝O)-或-O-C(＝O)-中之任一者取代成的基。＊表示原子鍵。 [化22]

Ar’表示2價苯環、或聯苯結構。2個Ar’可相同也可不同，Ar’擁有之苯環上之任意氫原子也可被1價取代基取代。p’為0或1之整數。Q _2’表示-(CH ₂) _n-(n為2～18之整數。)、或上述-(CH ₂) _n-之-CH ₂-之至少一部分被-O-、-C(＝O)-或-O-C(＝O)-中之任一者取代成之基。＊表示原子鍵。

上式(O)、及(O’)中之苯環、或萘環之取代基，可列舉例如：鹵素原子、碳數1～10之烷基、碳數2～10之烯基、碳數1～10之烷氧基、碳數1～10之氟烷基、碳數2～10之氟烯基、碳數1～10之氟烷氧基、羧基、羥基、碳數1～10之烷氧基羰基、氰基、硝基等。

針對上式(2)或式(2i)表示之二胺，當使用聚合物組成物作為液晶配向劑時，考量提高液晶配向膜之液晶配向性之觀點，宜為對苯二胺、間苯二胺、4-(2-(甲胺基)乙基)苯胺、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯基)丁烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,2-雙(4-胺基-2-甲基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、4-(2-(4-胺基苯氧基)乙氧基)-3-氟苯胺、雙(2-(4-胺基苯氧基)乙基)醚、4-胺基-4’-(2-(4-胺基苯氧基)乙氧基)聯苯、2,2’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基聯苯、4,4’-二胺基-2,2’-雙(三氟甲基)聯苯、下式(nh-1)～(nh-8)中之任一者表示之二胺為較佳。 [化23]

上述其他二胺之中，考量理想地獲得本發明之效果之觀點，宜為對苯二胺、間苯二胺、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯醚、具有羧基之二胺、具有脲鍵之二胺、具有醯胺鍵之二胺、上式(Dp-1)～(Dp-8)表示之二胺、上式(z-1)～(z-28)表示之二胺較佳。

除了上述二胺(c)更使用其他二胺時，其他二胺之使用量相對於使用之全部二胺成分，較佳為1～99莫耳%，更佳為5～95莫耳%。

＜四羧酸衍生物成分＞  當製造上述聚醯亞胺前驅物(A)時，和二胺成分反應之四羧酸衍生物成分，不僅是使用四羧酸二酐，也能使用四羧醯二鹵化物、四羧酸二烷酯、或四羧酸二烷酯二鹵化物等四羧酸二酐之衍生物。

上述四羧酸二酐或其衍生物可列舉芳香族、脂肪族或脂環族四羧酸二酐、或該等之衍生物。在此，芳香族四羧酸二酐，係藉由將包括鍵結於芳香族環之至少1個羧基在內的4個羧基予以分子內脫水而獲得之酸二酐。脂肪族四羧酸二酐，係藉由將鍵結於鏈狀烴結構之4個羧基予以分子內脫水而獲得之酸二酐。惟不需僅以鏈狀烴結構構成，亦可其一部分具有脂環族結構、芳香族環結構。

又，脂環族四羧酸二酐，係藉由將包括鍵結於脂環族結構之至少1個羧基在內的4個羧基予以分子內脫水而獲得之酸二酐。惟此等4個羧基皆不鍵結於芳香族環。又，無需僅以脂環族結構構成，其一部分也可具有鏈狀烴結構、芳香族環結構。

本發明中，考量能獲得高透射率且蓄積電荷之緩和特性高速化之觀點，四羧酸衍生物成分宜使用脂肪族或脂環族四羧酸二酐、或該等之衍生物較佳。其中，含有具有選自由環丁烷環結構、環戊烷環結構及環己烷環結構構成之群組中之至少一種次結構之四羧酸二酐或該等之衍生物更佳。又，其使用量相對於使用之全部四羧酸衍生物成分1莫耳為1莫耳%以上較理想，5莫耳%以上更佳，10莫耳%以上又更佳。上述四羧酸衍生物含有脂肪族或脂環族四羧酸二酐、及該等之衍生物以外之四羧酸二酐、或該等之衍生物時，其上限值為95莫耳%以下較理想，90莫耳%以下更理想。

其中，上述四羧酸二酐或其衍生物宜為下式(T)表示者較佳。 [化24]

惟式(T)中，X表示選自由下列(x-1)～(x-13)構成之群組中之結構。

[化25]

上式(x-1)～(x-13)中，R ¹～R ⁴各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、碳數1～6之烷基、碳數2～6之烯基、碳數2～6之炔基、含有氟原子之碳數1～6之1價有機基、或苯基。R ⁵及R ⁶各自獨立地表示氫原子或甲基。j及k為0或1之整數，A ₁及A ₂各自獨立地表示單鍵、醚(-O-)、羰基(-CO-)、酯(-COO-)、伸苯基、磺醯基(-SO ₂-)或醯胺基(-CONH-)。＊1係鍵結於其中之一之酸酐基的原子鍵，＊2係鍵結於另一酸酐基之原子鍵。前述式(x-13)中，2個A ₂彼此可相同也可不同。

前述式(x-1)之更理想的具體例可列舉下式(X1-1)～(X1-6)。式中，＊表示原子鍵。 [化26]

上式(x-12)、(x-13)之理想具體例可列舉下式(x-14)～(x-29)。＊表示原子鍵。 [化27]

[化28]

針對上式(T)表示之四羧酸二酐或其衍生物，考量能獲得高透射率且蓄積電荷之緩和特性高速化之觀點，X宜選自(x-1)～(x-11)較理想，選自(x-1)～(x-7)更理想。又，考量蓄積電荷之緩和特性高速化之觀點，選自(x-11)～(x-13)較佳。

上式(T)表示之四羧酸二酐或其衍生物之使用比例，相對於使用之全部四羧酸衍生物成分1莫耳為1莫耳%以上較理想，5莫耳%以上更佳，10莫耳%以上又更佳。 聚醯亞胺前驅物(A)之製造時使用的四羧酸二酐及其衍生物，也可含有上式(T)以外之四羧酸二酐或其衍生物。

係聚醯亞胺前驅物之聚醯胺酸之製造，例如：可藉由使上述二胺成分與四羧酸二酐於溶劑中進行(縮聚合)反應以進行。溶劑只要會溶解生成之聚合物者即無特殊限制。 上述溶劑之具體例可列舉N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮。又，聚合物之溶劑溶解性高時，可使用甲乙酮、環己酮、環戊酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、或下列式[D-1]～式[D-3]表示之溶劑。

[化29]

式[D-1]中，D ¹表示碳數1～3之烷基，式[D-2]中，D ²表示碳數1～3之烷基，式[D-3]中，D ³表示碳數1～4之烷基。

上述此等溶劑可單獨使用亦可混合使用。再者，即使是聚合物不溶解之溶劑，亦能在生成之聚合物不析出之範圍內和上述溶劑混合使用。 使二胺成分與四羧酸二酐在溶劑中反應時，反應可於任意濃度進行，較佳為1～50質量%，更佳為5～30質量%。反應初期於高濃度進行，之後可追加溶劑。 反應時，二胺成分之合計莫耳數與四羧酸二酐之合計莫耳數之比為0.8～1.2較佳。和通常的縮聚反應同樣，此莫耳比越接近1.0則生成之聚合物之分子量會變得越大。

係聚醯亞胺前驅物之聚醯胺酸酯，例如可依下列等既知之方法獲得：[I]使依上述合成反應獲得之聚醯胺酸與酯化劑反應之方法、[II]使四羧酸二酯與二胺反應之方法、[III]使四羧酸二酯二鹵化物與二胺反應之方法。

[聚醯亞胺] 本發明之聚合物組成物中使用的聚醯亞胺，係將上述聚醯亞胺前驅物(A)予以閉環而獲得之聚醯亞胺。聚醯亞胺中，醯胺酸基之閉環率(閉環之重複單元相對於聚醯亞胺前驅物擁有之全部重複單元之比例。也稱為醯亞胺化率)無需為100%，可因應用途、目的而予以任意調整。

針對將聚醯亞胺前驅物予以醯亞胺化而獲得聚醯亞胺之方法，可列舉將聚醯亞胺前驅物之溶液直接加熱之熱醯亞胺化、或在聚醯亞胺前驅物之溶液添加觸媒之觸媒醯亞胺化。使聚醯亞胺前驅物在溶液中進行熱醯亞胺化時之溫度，通常100～400℃，較佳為120～250℃，宜邊將因醯亞胺化反應生成之水排出到系外邊進行較佳。

聚醯亞胺前驅物之觸媒醯亞胺化，可藉由在聚醯亞胺前驅物之溶液中添加鹼性觸媒及酸酐，通常於-20℃～250℃，較佳為0～180℃進行攪拌以實施。鹼性觸媒之量通常為醯胺酸基之0.5～30莫耳倍，較佳為2～20莫耳倍，酸酐之量通常為醯胺酸基之1～50莫耳倍，較佳為3～30莫耳倍。鹼性觸媒可列舉吡啶、三乙胺、三甲胺、三丁胺、三辛胺等，其中，吡啶帶有為了使反應進行之適度鹼性，故較理想。針對酸酐，可列舉乙酸酐、偏苯三甲酸酐、苯均四酸酐等，其中，若使用乙酸酐，則反應結束後之精製變得容易，故較理想。利用觸媒醯亞胺化所為之醯亞胺化率，可藉由調節觸媒量及反應溫度、反應時間而予以控制。

當從聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化之反應溶液回收生成之聚醯亞胺時，將反應溶液投入到溶劑而使其沉澱即可。沉澱使用之溶劑可列舉甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、己烷、丁基賽珞蘇、庚烷、甲乙酮、甲基異丁基酮、甲苯、苯、水等。將投入到溶劑而沉澱之聚合物予以過濾回收後，可於常壓或減壓下，於常溫或加熱而乾燥。又，若沉澱回收的聚合物再溶解於溶劑並進行再沉澱回收，重複此操作2～10次的話，則能夠減少聚合物中之雜質。此時之溶劑可列舉例如：醇類、酮類烴等。若使用該等之中選出的3種以上之溶劑，能更提高精製之效率，故為理想。

將該依以上方式獲得之聚醯亞胺前驅物(A)及其醯亞胺化合物即聚醯亞胺製成濃度10質量%之溶液時，宜帶有10～800mPa・s之溶液黏度較佳，帶有15～500mPa・s之溶液黏度更佳。又，聚醯亞胺前驅物(A)及其醯亞胺化合物即聚醯亞胺之溶液黏度(mPa・s)，係就使用此等聚合物之良溶劑(例如γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮等)製備之濃度10質量%之聚合物溶液，使用E型旋轉黏度計於25℃測定之值。

＜封端劑＞ 本發明中，聚合物(A)在其製造時，亦可和上述四羧酸衍生物成分、及二胺成分一起使用適當的封端劑製成末端密封型的聚合物。末端密封型之聚合物，具有使獲得之樹脂膜之膜硬度更好、密封劑與樹脂膜之密合特性更好的效果。 本發明中，聚合物(A)之末端可列舉胺基、羧基、酸酐基或該等之衍生物。胺基、羧基、酸酐基或該等之衍生物，可使用通常之縮合反應或以下之封端劑獲得，前述衍生物例如可使用以下之封端劑獲得。

封端劑，例如：乙酸酐、馬來酸酐、奈地酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐、1,2-環己烷二羧酸酐、3-羥基鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、下式(m-1)～(m-6)中之任一者表示之化合物、3-(3-三甲氧基矽基)丙基)-3,4-二氫呋喃-2,5-二酮、4,5,6,7-四氟異苯并呋喃-1,3-二酮、4-乙炔基鄰苯二甲酸酐等酸酐；

[化30]

可列舉二碳酸二第三丁酯、二碳酸二烯丙酯等二碳酸二酯化合物；丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯、菸鹼醯氯等氯羰基化合物；苯胺、2-胺基苯酚、3-胺基苯酚、4-胺基水楊酸、5-胺基水楊酸、6-胺基水楊酸、2-胺基苯甲酸、3-胺基苯甲酸、4-胺基苯甲酸、環己胺、正丁胺、正戊基胺、正己胺、正庚基胺、正辛胺等單胺化合物；異氰酸乙酯、異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。

封端劑之使用比例相對於使用之二胺成分之合計100莫耳份設為0.01～20莫耳份較佳，0.01～10莫耳份更佳。

本發明之聚合物組成物亦可含有聚合物(A)以外之其他聚合物。若舉其他聚合物之具體例，可列舉選自由使用四羧酸衍生物成分與不含上述二胺(c)之二胺成分而獲得之聚醯亞胺前驅物、使用係該聚醯亞胺前驅物之醯亞胺化物的聚醯亞胺、聚矽氧烷、聚酯、使用不含上述二胺(c)之二胺成分而獲得之聚醯胺、使用不含上述二胺(c)之二胺成分而獲得之聚脲、聚有機矽氧烷、纖維素衍生物、聚縮醛、聚苯乙烯衍生物、聚(苯乙烯-苯基馬來醯亞胺)衍生物、聚(甲基)丙烯酸酯構成之群組中之聚合物。上述聚醯亞胺前驅物之具體例可列舉聚醯胺酸、聚醯胺酸酯等。其他聚合物可單獨使用一種也可將二種以上予以組合使用。其他聚合物之含有比例，相對於聚合物組成物中含有的聚合物之合計100質量份為90質量份以下較理想，10～90質量份更佳，20～80質量份更理想。

本發明之聚合物組成物宜為上述聚合物(A)溶解或分散於有機溶劑中而成之液狀組成物較佳。具體而言，上述聚合物組成物含有之有機溶劑，只要是聚合物成分會均勻溶解者即不特別限定，可列舉N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基乳醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、二甲基亞碸、γ-丁內酯、γ-戊內酯、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、甲乙酮、環己酮、環戊酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、N-(正丙基)-2-吡咯烷酮、N-異丙基-2-吡咯烷酮、N-(正丁基)-2-吡咯烷酮、N-(第三丁基)-2-吡咯烷酮、N-(正戊基)-2-吡咯烷酮、N-甲氧基丙基-2-吡咯烷酮、N-乙氧基乙基-2-吡咯烷酮、N-甲氧基丁基-2-吡咯烷酮、N-環己基-2-吡咯烷酮(也將它們總稱為「良溶劑」)。其中，N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙烷醯胺或γ-丁內酯為較佳。良溶劑之含量宜為聚合物組成物中含有的溶劑全體之20～99質量%較佳，20～90質量%更佳，尤其理想者為30～80質量%。

又，聚合物組成物含有之有機溶劑，宜使用除了上述溶劑更併用了使塗佈聚合物組成物時之塗佈性、塗膜之表面平滑性提升之溶劑(亦稱為不良溶劑。)之混合溶劑較佳。併用之不良溶劑之具體例如下但不限定於此等。不良溶劑之含量為聚合物組成物中含有的溶劑全體之1～80質量%較理想，10～80質量%更佳，20～70質量%尤佳。不良溶劑之種類及含量可因應液晶配向劑之塗佈裝置、塗佈條件、塗佈環境等而適當選擇。

例如：二異丙醚、二異丁醚、二異丁基甲醇(2,6-二甲基-4-庚醇)、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丁醚、1,2-二丁氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、二乙二醇甲基乙醚、二乙二醇二丁醚、3-乙氧基丁基乙酸酯、1-甲基戊基乙酸酯、2-乙基丁基乙酸酯、2-乙基己基乙酸酯、乙二醇單乙酸酯、乙二醇二乙酸酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸乙酯、乙二醇單丁醚、乙二醇單異戊醚、乙二醇單己醚、丙二醇單丁醚、1-(2-丁氧基乙氧基)-2-丙醇、2-(2-丁氧基乙氧基)-1-丙醇、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇二甲醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基乙酸酯、二乙二醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、乙酸正丁酯、乙酸丙二醇單乙醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、乳酸正丁酯、乳酸異戊酯、二乙二醇單乙醚、二異丁基酮(2,6-二甲基-4-庚酮)等。

其中，二異丁基甲醇、丙二醇單丁醚、丙二醇二乙酸酯、二乙二醇二乙醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、或二異丁基酮為較佳。

良溶劑與不良溶劑之理想溶劑之組合，可列舉N-甲基-2-吡咯烷酮與乙二醇單丁醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與乙二醇單丁醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與丙二醇單丁醚、N-乙基-2-吡咯烷酮與丙二醇單丁醚、N-乙基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮、N-乙基-2-吡咯烷酮與丙二醇二乙酸酯、N,N-二甲基乳醯胺與二異丁基酮、N-甲基-2-吡咯烷酮與3-乙氧基丙酸乙酯、N-乙基-2-吡咯烷酮與3-乙氧基丙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮與乙二醇單丁醚乙酸酯、N-乙基-2-吡咯烷酮與二丙二醇二甲醚、N,N-二甲基乳醯胺與乙二醇單丁醚、N,N-二甲基乳醯胺與丙二醇二乙酸酯、N-乙基-2-吡咯烷酮與二乙二醇二乙醚、N,N-二甲基乳醯胺與二乙二醇二乙醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與二乙二醇二乙醚、N-乙基-2-吡咯烷酮與N-甲基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮、N-乙基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與丙二醇單丁醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與二異丁基酮、N-甲基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與二丙二醇單甲醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與丙二醇單丁醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與丙二醇二乙酸酯、γ-丁內酯與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與二異丁基酮、γ-丁內酯與4-羥基-4-甲基-2-戊酮與丙二醇二乙酸酯、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與丙二醇單丁醚與二異丁基酮、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與丙二醇單丁醚與二異丙醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與丙二醇單丁醚與二異丁基甲醇、N-甲基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與二丙二醇二甲醚、N-甲基-2-吡咯烷酮與丙二醇單丁醚與二丙二醇二甲醚、N-乙基-2-吡咯烷酮與丙二醇單丁醚與二丙二醇單甲醚、N-乙基-2-吡咯烷酮與丙二醇單丁醚與丙二醇二乙酸酯、N-乙基-2-吡咯烷酮與丙二醇單丁醚與二異丁基酮、N-乙基-2-吡咯烷酮與γ-丁內酯與二異丁基酮、N-乙基-2-吡咯烷酮與N,N-二甲基乳醯胺與二異丁基酮等。

本發明之聚合物組成物，亦可追加地含有聚合物成分及有機溶劑以外之成分(以下也稱為添加劑成分)。此添加劑成分，可列舉例如：選自由具有選自環氧基、異氰酸酯基、氧雜環丁烷基、環碳酸酯基、封端異氰酸酯基、羥基及烷氧基中之至少1種取代基之交聯性化合物、及具有聚合性不飽和基之交聯性化合物構成之群組中之至少1種化合物、官能性矽烷化合物、金屬螯合物化合物、硬化促進劑、界面活性劑、抗氧化劑、增感劑、防腐劑、用以調整樹脂膜之介電常數、電阻之化合物等。

上述交聯性化合物之理想具體例可列舉下式(CL-1)～(CL-11)中之任一者表示之化合物。 [化31]

上述用以調整樹脂膜之介電常數、電阻之化合物，可列舉3-吡啶甲基胺等具有含氮芳香族雜環之單胺。使用具有含氮之芳香族雜環之單胺時，相對於聚合物組成物中含有的聚合物成分100質量份為0.1～30質量份較佳，更佳為0.1～20質量份。

官能性矽烷化合物之理想具體例可列舉：3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基二乙氧基甲基矽烷、2-胺基丙基三甲氧基矽烷、2-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-脲丙基三甲氧基矽烷、3-脲丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、參(3-三甲氧基矽基丙基)異氰尿酸酯、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等。使用官能性矽烷化合物時，其使用量相對於聚合物組成物中含有的聚合物成分100質量份為0.1～30質量份較佳，更佳為0.1～20質量份。

聚合物組成物中之固體成分濃度(聚合物組成物之溶劑以外之成分之合計質量佔聚合物組成物之全部質量之比例)可考量黏性、揮發性等而適當選擇，較佳為1～10質量%之範圍。亦即，可藉由將聚合物組成物依後述方式塗佈在基板表面，較佳為加熱，以形成樹脂膜。

特別理想的固體成分濃度之範圍，取決於在基板塗佈聚合物組成物時使用之方法而異。例如使用旋塗法時，固體成分濃度為1.5～4.5質量%之範圍尤佳。利用印刷法時，將固體成分濃度設為3～9質量%之範圍，藉此使溶液黏度設為12～50mPa・s之範圍尤佳。利用噴墨法時，將固體成分濃度設為1～5質量%之範圍，藉此使溶液黏度成為3～15mPa・s之範圍尤佳。製備聚合物組成物時之溫度較佳為10～50℃，更佳為20～30℃。

＜用途及樹脂膜＞  上述說明之聚合物組成物，可藉由例如塗佈在基板上，較佳為加熱處理以使溶劑成分揮發，而形成樹脂膜。本發明之聚合物組成物及樹脂膜，可有效地應用在各種技術用途，例如可應用在配向膜材料、電子電路材料、半導體材料、電氣絕緣材料、電線被覆材料、照明用途、成形材料等各種用途。具體而言，可應用在顯示元件、半導體元件、馬達等的致動器、壓電感應器、焦電感應器等各種感應器類等具備的各種樹脂膜，可列舉液晶配向膜、保護膜、間隔膜、層間絕緣膜、抗反射膜、配線被覆膜、抗靜電薄膜、電動機絕緣膜等。該等之中，本發明之聚合物組成物可適合應用於作為液晶配向劑。

＜液晶配向劑＞ 本發明之液晶配向劑含有上述聚合物(A)。又，含有其他聚合物、有機溶劑及添加劑成分中之至少一者較佳。針對上述聚合物(A)、其他聚合物、有機溶劑、及添加劑成分之具體例、摻合比例、固體成分濃度等的詳情，可採用上述聚合物組成物之說明。

[液晶配向膜及液晶顯示元件] 藉由使用上述聚合物組成物或上述液晶配向劑，能製造作為樹脂膜之液晶配向膜。又，本發明之液晶顯示元件具備使用上述聚合物組成物或上述液晶配向劑而形成之液晶配向膜。本發明之液晶顯示元件之動作模式無特殊限制，例如可採用於TN型、STN(Super Twisted Nematic)型、垂直配向型(包括VA-MVA型、VA-PVA型等。)、面內切換型(IPS型)、FFS型、光學補償彎曲型(OCB型)等各種動作模式。

本發明之液晶顯示元件，例如可依包括以下之步驟(1)～(4)之方法、包括步驟(1)～(2)及(4)之方法、包括步驟(1)～(3)、(4-2)及(4-4)之方法、或包括步驟(1)～(3)、(4-3)及(4-4)之方法來製造。

＜步驟(1)：在基板上塗佈液晶配向劑之步驟＞ 步驟(1)，係將本發明之液晶配向劑塗佈在基板上之步驟。步驟(1)之具體例如下。 在設有經圖案化之透明導電膜之基板之一面，使用例如輥塗法、旋塗法、印刷法、噴墨法等適當的塗佈方法來塗佈本發明之液晶配向劑。在此，基板只要是透明性高的基板即不特別限定，也可將玻璃基板、氮化矽基板和壓克力基板、聚碳酸酯基板等塑膠基板等一起使用。又，反射型之液晶顯示元件，若是僅在單側基板，則也可使用矽晶圓等不透明之物，此情形之電極也可使用鋁等會反射光的材料。又，當製造IPS型或FFS型之液晶顯示元件時，係使用設有由圖案化為梳齒型之透明導電膜或金屬膜構成的電極的基板、與未設有電極之對向基板。

針對將液晶配向劑塗佈於基板並成膜之方法，可列舉網版印刷、平版印刷、柔版印刷、噴墨法、或噴塗法等。其中，可理想地使用利用噴墨法所為之塗佈、成膜法。

＜步驟(2)：將已塗佈之液晶配向劑予以煅燒之步驟＞ 步驟(2)，係將已塗佈於基板上之液晶配向劑予以煅燒並形成膜之步驟。步驟(2)之具體例如下。 在步驟(1)將液晶配向劑塗佈在基板上後，能利用熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段，使溶劑蒸發、或進行聚醯胺酸或聚醯胺酸酯之熱醯亞胺化。塗佈本發明之液晶配向劑後之乾燥、煅燒步驟，可選擇任意溫度及時間，也可進行多次。針對減少液晶配向劑之溶劑之溫度，例如可於40～180℃進行。考量減省處理之觀點，可於40～150℃進行。煅燒時間不特別限定，可列舉1～10分鐘或1～5分鐘。進行聚醯胺酸或聚醯胺酸酯之熱醯亞胺化時，於上述步驟後，可追加於例如150～300℃、或150～250℃之溫度範圍煅燒之步驟。煅燒時間不特別限定，可列舉5～40分鐘、或5～30分鐘之煅燒時間。 煅燒後之膜狀物若過薄，則液晶顯示元件之可靠性會有降低的情形，故5～300nm較理想，10～200nm更理想。

＜步驟(3)：對於步驟(2)獲得之膜進行配向處理之步驟＞ 步驟(3)係視情形對於步驟(2)獲得之膜進行配向處理之步驟。亦即於IPS方式或FFS方式等水平配向型之液晶顯示元件，對於該塗膜實施配向能力賦予處理。另一方面，VA方式或PSA模式等垂直配向型之液晶顯示元件，則已形成之塗膜可直接使用於作為液晶配向膜，但亦可對於該塗膜實施配向能力賦予處理。液晶配向膜之配向處理方法可列舉摩擦處理法、光配向處理法。針對光配向處理法，可列舉對於上述膜狀物之表面照射沿一定方向偏向的放射線，並視情形，較佳為於150～250℃之溫度進行加熱處理，賦予液晶配向性(亦稱為液晶配向能力)之方法。放射線可使用具有100～800nm之波長之紫外線或可見光線。其中，較佳為具有100～400nm，更佳為200～400nm之波長之紫外線。

上述放射線之照射量為1～10,000mJ/cm ²較佳。其中，100～5,000mJ/cm ²較佳。又，照射放射線時，為了改善液晶配向性，可邊將上述具有膜狀物之基板於50～250℃加熱邊照射。依如此的方式製作之上述液晶配向膜，能夠使液晶分子沿一定的方向安定地配向。 又，也可對於按上述方法照射了經偏光之放射線的液晶配向膜使用水、溶劑進行接觸處理、或對於經放射線照射之液晶配向膜進行加熱處理。

上述接觸處理使用之溶劑只要是會將因放射線之照射而從膜狀物生成之分解物予以溶解的溶劑則無特殊限制。具體例可列舉水、甲醇、乙醇、2-丙醇、丙酮、甲乙酮、1-甲氧基-2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基賽珞蘇、乳酸乙酯、乳酸甲酯、二丙酮醇、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸環己酯等。其中，考量泛用性、溶劑之安全性之觀點，水、2-丙醇、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯較理想，水、1-甲氧基-2-丙醇或乳酸乙酯更理想。溶劑可為1種也可將2種以上組合。

對於上述經放射線照射之塗膜進行加熱處理之溫度為50～300℃更佳，120～250℃又更佳。加熱處理之時間各為1～30分鐘較佳。

＜步驟(4)：製作液晶胞之步驟＞ 準備2片如上述方式形成了液晶配向膜之基板，並在對向配置的2片基板間配置液晶。具體而言可列舉以下之2種方法。 第一種方法，首先以各液晶配向膜對向的方式，隔著間隙(cell gap)將2片基板予以對向配置。然後，將2片基板就周邊部使用密封劑予以貼合，並在由基板表面及密封劑區隔出的晶胞隙內注入填充液晶組成物，使其接觸膜面後，將注入孔予以密封。

又，第二種方法，係稱為ODF(One Drop Fill)方式之方法。在已形成液晶配向膜之2片基板中之其中一基板上之預定處，塗佈例如紫外光硬化性之密封劑，再對於液晶配向膜面上之預定之數處滴加液晶組成物。之後以液晶配向膜對向的方式，貼合另一基板，將液晶組成物推壓在基板整面，使其接觸膜面。然後，對於基板整面照射紫外光，將密封劑予以硬化。在利用任一方法時，皆宜進一步加熱直到使用之液晶組成物成為採等向相之溫度後，緩慢冷卻到室溫，以去除液晶填充時之流動配向。 又，當對於塗膜實施摩擦處理時，係將2片基板以各塗膜之摩擦方向互相成為預定角度，例如直交或逆平行的方式，予以對向配置。 針對密封劑，例如可使用作為硬化劑及間隔件的含有氧化鋁球的環氧樹脂等。針對液晶可列舉向列型液晶及層列型液晶，其中，向列型液晶為較佳。

本發明之液晶配向劑，也宜使用於在具備電極之一對基板間具有液晶層，且在一對基板之間配置含有因活性能量射線及熱中之至少一者予以聚合之聚合性化合物的液晶組成物，經過對於電極間施加電壓且利用活性能量射線之照射及加熱中之至少一者使聚合性化合物聚合之步驟而製造之液晶顯示元件(PSA型液晶顯示元件)。 又，本發明之液晶配向劑，也宜使用於在具備電極之一對基板之間具有液晶層，且在上述一對基板之間配置含有因活性能量射線及熱中之至少一者而聚合之聚合性基的液晶配向膜，經過對於電極間施加電壓之步驟而製造之液晶顯示元件(SC-PVA模式型之液晶顯示元件)。

(4-2)PSA型液晶顯示元件之情形 除了注入或滴加含有聚合性化合物之液晶組成物之點以外和上述(4)同樣進行。聚合性化合物，可列舉例如下式(M-1)～(M-7)表示之聚合性化合物。

[化32]

(4-3)SC-PVA模式型之液晶顯示元件之情形 也可在依和上述(4)同樣進行後，採用經後述照射紫外線之步驟而製造液晶顯示元件之方法。若依此方法，則和製造上述PSA型液晶顯示元件時同樣，能獲得以少光照射量獲得響應速度優異之液晶顯示元件。具有聚合性基之化合物，可為在分子內有1個以上之如上式(M-1)～(M-7)表示之丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等聚合性不飽和基之化合物，其含量相對於全部聚合物成分100質量份為0.1～30質量份較佳，更佳為1～20質量份。又，上述聚合性基可於液晶配向劑使用之聚合物中具有，如此的聚合物，可列舉例如將含有末端具有上述光聚合性基之二胺之二胺成分使用於反應中而獲得之聚合物。

步驟(4-4)：照射紫外線之步驟 以對於上述(4-2)或(4-3)獲得之一對基板所具有之導電膜間施加電壓之狀態對於液晶胞照光。在此，施加之電壓，可為例如5～50V之直流或交流。又，照射之光，可使用含有例如波長150～800nm之光之紫外線及可見光線，但含有波長300～400nm之光之紫外線較佳。照射光之光源，例如可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、氘燈、金屬鹵化物燈、氬氣共振燈、氙燈、準分子雷射等。光之照射量較佳為1,000～200,000J/m ²，更佳為1,000～100,000J/m ²。

並且，視需要可於液晶胞之外側表面貼合偏光板以獲得液晶顯示元件。在液晶胞之外表面貼合之偏光板可列舉：將邊使聚乙烯醇延伸配向邊吸收碘之稱為「H膜」之偏光薄膜以乙酸纖維素保護膜予以夾持而得之偏光板或由H膜本身構成的偏光板。

圖1係顯示本發明之液晶顯示元件之一例之概略剖面圖，係IPS模式液晶顯示元件之例。 圖1例示之橫電場液晶顯示元件1中，在具備液晶配向膜2c之梳齒電極基板2與具備配向膜4a之對向基板4之間，係夾持了液晶3。梳齒電極基板2，具備：基材2a；形成在基材2a上且配置成梳齒狀之多個線狀電極2b；及在基材2a上以被覆線狀電極2b之方式形成的液晶配向膜2c。對向基板4，具備：基材4b；及形成在基材4b上之液晶配向膜4a。液晶配向膜2c，例如為本發明之液晶配向膜。液晶配向膜4c也同樣為本發明之液晶配向膜。 此橫電場液晶顯示元件1中，若對於線狀電極2b施加電壓，則如電力線L所示，於線狀電極2b間會產生電場。

圖2係顯示本發明之液晶顯示元件之其他例之概略剖面圖，為FFS模式液晶顯示元件之例。 圖2例示之橫電場液晶顯示元件1中，在具備液晶配向膜2h之梳齒電極基板2與具備液晶配向膜4a之對向基板4之間，夾持了液晶3。梳齒電極基板2，具有：基材2d；形成在基材2d上之面電極2e；形成在面電極2e上之絕緣膜2f；形成在絕緣膜2f上且配置成梳齒狀之多個線狀電極2g；及在絕緣膜2f上以被覆線狀電極2g之方式形成之液晶配向膜2h。對向基板4，具有：基材4b；及形成在基材4b上之液晶配向膜4a。液晶配向膜2h，例如為本發明之液晶配向膜。液晶配向膜4a也同樣為本發明之液晶配向膜。 此橫電場液晶顯示元件1中，若對於面電極2e及線狀電極2g施加電壓，則如電力線L所示，於面電極2e及線狀電極2g間會產生電場。

本發明的液晶顯示元件可以有效地應用於各種裝置，例如可使用於鐘錶、可攜式遊戲機、文字處理器、筆記本電腦、汽車導航系統、攝錄像機、PDA、數位相機、手機、智慧手機等，各種顯示器、液晶電視、訊息顯示器等各種顯示裝置。上述液晶配向劑中所含的聚合物組合物也可用於相位差薄膜用液晶配向膜、掃描天線或液晶陣列天線用液晶配向膜、或透射散射型之液晶調光元件用之液晶配向膜、或者例如彩色濾光片的保護膜、可撓性顯示器的閘絕緣膜、基板材料等其他用途。 [實施例]

以下舉實施例，對於本發明更詳細說明，但本發明不限於此等。使用之化合物之簡稱及各物性之測定方法如下。又，後述二胺之量子化學計算中，係算出化學結構式中以箭號表示之氮原子上之Mulliken電荷與軌道係數。

(二胺) 該當於上述二胺(c)之化合物，為下列二胺(WA-1)～(WA-15)、(WB-1)～(WB-3)、及(WD-5)。又，二胺(WB-4)、(WC-1)～(WC-8)、及(WD-1)～(WD-4)為比較例。二胺(WA-16)～(WA-17)為參考例。 WA-1～WA-17：各為下式(WA-1)～(WA-17)表示之化合物

[化33]

[化34]

WB-1～WB-4：各為下式(WB-1)～(WB-4)表示之化合物

[化35]

WC-1～WC-8：各為下式(WC-1)～(WC-8)表示之化合物

[化36]

WD-1～WD-5：各為下式(WD-1)～(WD-5)表示之化合物

[化37]

(其他二胺) DA-1～DA-2：各為下式(DA-1)～(DA-2)表示之化合物

[化38]

(四羧酸二酐) CA-1：下式(CA-1)表示之化合物

[化39]

(溶劑) NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮 BCS：乙二醇單丁醚

(黏度之測定) 溶液之黏度，係使用E型黏度計TVE-22H(東機產業公司製)，以樣本量1.1mL，使用錐形轉子TE-1(1°34’、R24)，於溫度25℃測定。

＜利用分子軌道計算所為之二胺之物性評價＞ 針對二胺，藉由進行分子軌道計算來評價物性。分子軌道計算用軟體使用美國Gaussian公司製之Gaussian09(RevisionC.01, M. J. Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.)，算出結構最適化時之電子密度分布。

(1)Mulliken電荷 針對二胺於真空下之基底狀態之最安定結構，使用B3LYP作為汎函數、6-31G＊作為基底函數來計算。此最安定結構中，針對表1記載之二胺，算出上述以箭號表示之氮原子上之Mulliken電荷。將符合側鏈上之氮原子與主鏈內之二胺部位共軛，且Mulliken電荷之絕對值為0.550以上者，判定為「電荷以良好效率從主鏈向側鏈R移動」。又，將側鏈上之氮原子與主鏈內之二胺部位共軛但Mulliken電荷之絕對值未達0.550者，判定為「電荷不易從主鏈向側鏈R移動」。其結果，和對象氮原子直接鍵結之芳香族環數為2或3之二胺WA-1～WA-15、WB-1～WB-3、及WD-5，判定為電荷從主鏈向側鏈R以良好效率移動。

(2)軌道係數 以(1)獲得之最安定結構，使用B3LYP作為汎函數、6-31G＊作為基底函數，進行一點能量計算，求得最高被占分子軌道(HOMO軌道)之分布。二胺之側鏈上之芳胺或芳香族雜環中含有的氮原子上之HOMO之分布狀態，可從該當之氮原子的軌道係數予以數值化。該當之氮原子的軌道係數，係HOMO的軌道係數中之該當氮原子之展開係數之平方和。軌道係數未達0.0025者判定為「◎」、0.0025以上且未達0.005者判定為「〇」、0.005以上且未達0.01者判定為「△」、0.01以上者判定為「×」。側鏈R之氮原子和芳香族環形成環且介隔主鏈內之氮原子與芳香族環而成為間亞芳基配置的二胺，可說透明性特別優異。

[表1]

＊1)：符合條件(I)及(II)中之至少一者之芳香族烴環之數目。 ＊2)：顯示主鏈內之胺部位(-NH ₂)、與化學結構式中以箭號表示之氮原子是否有共軛。

在此，本實施例中，從上述二胺之中挑選幾個並將分子中之氮原子的軌道係數如下所示。[1]～[8]所示之氮原子的軌道係數，成為大幅超過0.01之值。 [化40]

[單體之合成] ＜ ¹H-NMR之測定＞ 裝置：傅利葉變換型超傳導核磁共振裝置(FT-NMR)「AVANCE　III」(BRUKER製)500MHz。 溶劑：氘化二甲基亞碸([D ₆]-DMSO)。標準物質：四甲基矽烷(TMS)。

＜單體合成例1(實施例A)＞ [WA-3a之合成] 依下列所示路徑合成WA-3a。 [化41]

於氮氣環境下，對於雙-(4-硝基苯基)胺(7.56g、29.1mmol)加入9-苄基-2-溴-9H-咔唑(10.8g、32.1mmol)、Pd ₂(dba) ₃(Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)) (0.534g、0.583mmol)、及t-BuXPhos(2-二-第三丁基膦基-2’,4’,6’-三異丙基聯苯)(0.991g、2.33mmol)後，加入利用吹入氮氣以脫氧而得之甲苯(226g)，再於減壓下進行氧氣脫氣-氮氣復壓，嚴格地去除氧後，加入t-BuONa(第三丁醇鈉)(4.20g、43.7mmol)，再度於減壓下進行氧氣脫氣-氮氣復壓，於氮氣環境下以回流溫度條件開始反應。反應72小時後停止反應，於此時點移到後處理。 於反應液中加入1N鹽酸(200g)而中和後，進行分液操作，將獲得之有機層以1N鹽酸(200g)再度洗淨，以分液操作獲得有機層。於獲得之有機層中加入特製白鷺活性碳(1.60g)，攪拌30分鐘，之後以過濾去除活性碳，將獲得之溶液濃縮，獲得黑色油。將此黑色油以乙酸乙酯：庚烷＝1：6(體積比)之展開溶劑進行管柱精製後，將獲得之結晶以甲苯進行再結晶，獲得橙色固體之目的物(WA-3a)(4.87g、9.46mmol、產率：32.5%)。

[WA-3之合成] 依下列所示路徑合成WA-3。 [化42]

對於WA-3a(4.74g、9.21mmol)加入四氫呋喃(THF)(100g)，加入Pd-C(鈀-碳)(N.E.Chemcat製，50%含水品)(0.970g)，於氫氣環境下於室溫進行硝基還原。反應後以過濾過濾Pd-C，將濾液濃縮，將獲得之粗製物以異丙醇予以再結晶，獲得黃綠色固體之目的物(WA-3)(3.52g、7.74mmol、產率：84.0%)。 從以下所示之 ¹H-NMR之結果，確認此固體為WA-3。 ¹H-NMR(500MHz，[D ₆]-DMSO)：δ(ppm)＝7.91(d,1H,J＝7.7Hz)，7.79(d,1H,J＝8.6Hz)，7.51(d,1H,J＝8.2Hz)，7.27-7.20(m,4H)，7.11-7.06(m,3H)，6.80(d,4H,J＝8.6Hz)，6.76(d,1H,J＝1.8Hz)，6.57-6.52(m,5H)，5.32(s,2H)，4.95(s,4H)

＜聚合物之合成＞ (比較合成例1) 於附攪拌裝置及附氮氣導入管之50mL四口燒瓶中加入DA-1(0.638g、3.20mmol)、DA-2(0.239g、0.801mmol)及NMP(10.0g)，於室溫攪拌，使其溶解。之後冷卻至室溫後，加入CA-1(0.737g、3.76mmol)及NMP(4.66g)，於室溫攪拌4小時，獲得濃度10%之聚醯胺酸溶液(PAA-R1)(黏度：204.8mPa・s)。

(比較合成例2、參考合成例1、合成例1～2(實施例B、及C)) 將二胺化合物及四羧酸二酐之種類及量分別如下列表2之記載變更，除此以外和比較合成例1同樣進行，分別獲得具有表2記載之黏度之聚醯胺酸溶液(PAA-R2、PAA-S1、PAA-1～PAA-2)。

[表2]

＜液晶配向劑之製備＞ (實施例1) 於合成例1獲得之聚醯胺酸溶液(PAA-1)(5.00g)中加入NMP(3.00g)、及BCS(2.00g)，於室溫攪拌2小時，獲得液晶配向劑(V-1)。此液晶配向劑未觀察到混濁、析出等異常，確認係均勻的溶液。

(實施例2、比較例1～2、參考例1) 聚醯胺酸溶液變更為PAA-2、PAA-R1～PAA-R2、或PAA-S1，除此以外和實施例1同樣實施，以獲得表3記載之液晶配向劑V-2、VR-1～VR-2、及VS-1。

[表3]

＜FFS型液晶顯示元件之製作＞ 製作具備邊緣場切換(Fringe Field Switching：FFS)模式液晶顯示元件之構成之液晶胞。 先準備附電極之基板。基板，係使用大小30mm×35mm、厚度0.7mm之玻璃基板。在基板上形成作為第1層之構成對向電極之有整面狀之圖案之ITO電極，在第1層之對向電極之上形成作為第2層之以CVD(化學蒸鍍)法成膜之SiN(氮化矽)膜。第2層之SiN膜，係使用作為層間絕緣膜作用之膜厚500nm者。在第2層之SiN膜之上，配置作為第3層之ITO膜圖案化而形成之梳齒狀之畫素電極，形成第1畫素及第2畫素之2個畫素，各畫素之尺寸，係縱10mm且橫約5mm。此時第1層之對向電極與第3層之畫素電極，係利用第2層之SiN膜之作用而電絕緣。

第3層之畫素電極，具有中央部分以內角160°彎曲之寬3μm之電極元件有多個以隔6μm之間隔成平行的方式排列而得的梳齒形狀，1個畫素以連接多個電極元件之彎曲部之線為界而具有第1區及第2區。

若將各畫素之第1區與第2區比較，構成它們的畫素電極的電極元件的形成方向係不同。亦即，當以後述液晶配向膜之摩擦方向為基準時，在畫素之第1區，畫素電極之電極元件係以順時針成10°之角度的方式形成，在畫素之第2區，畫素電極之電極元件係以逆時針成10°之角度的方式形成。亦即，在各畫素之第1區與第2區，係構成為藉由對於畫素電極與對向電極之間施加電壓而誘發之液晶在基板面內的旋轉動作(面內切換)的方向乃互相成為逆方向。

然後，將實施例1獲得之液晶配向劑以孔徑1.0μm之濾器過濾後，以旋塗塗佈法各塗佈在所準備之上述附電極之基板及背面已成膜ITO膜之有高度4μm之柱狀間隔件之玻璃基板。於80℃之熱板上使其進行2分鐘乾燥後，以230℃之熱風循環式烘箱進行20分鐘煅燒，獲得膜厚100nm之聚醯亞胺膜。將此聚醯亞胺膜以嫘縈布摩擦(輥直徑：120mm、輥轉速：1000rpm、移動速度：20mm/sec、推入長：0.4mm、摩擦方向：相對於第3層之ITO梳齒電極傾斜10°的方向)後，於純水中照射1分鐘超音波，進行洗淨，以吹風機去除水滴。之後，於80℃進行15分鐘乾燥，獲得附液晶配向膜之基板。以此等2片附液晶配向膜之基板為1組，在基板上以保留液晶注入口之形態印刷密封劑，再將另1片基板，以液晶配向膜面互相面對，摩擦方向成為逆平行的方式貼合。之後，使密封劑硬化，製作晶胞隙4μm之空晶胞。對於此空晶胞利用減壓注入法注入正型液晶MLC-3019(默克公司製)，將注入口密封，獲得FFS方式之液晶胞。之後將獲得之液晶胞於120℃加熱1小時，於23℃放置一晩後，使用於液晶配向性之評價。

＜蓄積電荷之緩和速度測定＞ 將上述製作之液晶胞，設置在以偏光軸直交之方式配置之2片偏光板之間，於畫素電極與對向電極短路而成為同電位的狀態，從2片偏光板之下照射LED背光，並以在2片偏光板之上測定之LED背光透射光之亮度成為最小的方式，調整液晶胞之角度。本評價係於液晶胞之溫度為23℃之狀態之溫度條件下進行。 然後，邊對於此液晶胞施加頻率30Hz之交流電壓，邊測定V-T曲線(電壓-透射率曲線)，將相對透射率成為23%之交流電壓作為驅動電壓來計算。然後，對於液晶胞，於23℃以頻率1kHz施加20mV的矩形波10分鐘。 然後，施加相對透射率成為23%之交流電壓且頻率30Hz之矩形波5分鐘後，重疊+1.0V之直流電壓並使其驅動30分鐘。之後，切斷直流電壓，再僅施加以相對透射率成為23%之交流電壓且頻率30Hz之矩形波30分鐘。 蓄積之電荷之緩和越快，則重疊直流電壓時對於液晶胞之電荷蓄積也越快，故蓄積電荷之緩和特性，係以剛重疊直流電壓時之相對透射率從超過30%之狀態下降至30%所需花費之時間來評價。此時間越短則可說蓄積電荷之緩和特性越良好。具體而言，將從開始施加直流電壓之時點至經過30分鐘為止，相對透射率降低至30%以下的時間予以數值化。4分鐘以內相對透射率降低到30%以下時評為「◎」、超過4分鐘且8分鐘以內降低到30%以下時評為「○」、超過8分鐘且30分鐘以內降低到30%以下時評為「△」、30分鐘時相對透射率未降低到30%以下時評為「×」。

＜光學特性(液晶配向膜之透明性)之評價＞ 準備大小40mm×40mm、厚度為1.0mm之石英基板。然後，將液晶配向劑以孔徑1.0μm之過濾器過濾後，旋塗在上述石英基板。然後，在80℃之熱板上進行2分鐘乾燥後，於230℃進行20分鐘煅燒，於各基板上獲得膜厚100nm之聚醯亞胺膜。 透明性之評價係藉由測定前述方法獲得之基板之透射率以進行。具體而言，測定裝置使用UV-3600(島津製作所公司製)，以溫度25℃、掃描波長300～800nm之條件測定透射率。此時，參考(參照例)係使用什麼都未塗佈之石英基板來進行。評價係算出波長400～800nm之平均透射率，透射率越高則透明性越優異。

針對使用上述實施例1～2、比較例1～2、及參考例1之各液晶配向劑的液晶顯示元件，如上述實施之蓄積電荷之緩和特性、光學特性之評價結果示於下列表4。

[表4]

由上述結果可知，由使用了具有特定之芳香族胺結構之二胺(c)之液晶配向劑獲得之液晶配向膜，相較於由未使用具有特定之芳香族胺結構之二胺之液晶配向劑獲得之液晶配向膜，顯示同等以上之透明性且會使蓄積電荷之緩和速度高速化。具體而言，如表4顯示之實施例1及實施例2與比較例1之比較所示。又，透射率之0.5%之差係2對該技術領域為顯著之差異。 又，由比較例2與比較例1之比較，由使用了不具特定之芳香族胺結構之二胺之液晶配向劑獲得之液晶配向膜，透明性提升但蓄積電荷之緩和速度惡化。 由參考例1與比較例1之比較，由使用了二胺WB-4之液晶配向劑獲得之液晶配向膜，蓄積電荷之緩和速度高速化但透明性惡化。 若將使用了算出對象之氮原子的軌道係數為0.01以上的二胺的參考例1、與使用了算出對象之氮原子的軌道係數未達0.01且具有特定之芳香族胺結構之二胺(c)之實施例1及2予以比較，實施例1及2之液晶配向膜比起參考例1之液晶配向膜，透明性較優異。 [產業利用性]

藉由使用本發明之聚合物組成物作為液晶配向劑，能獲得蓄積電荷之緩和速度快而殘影少的液晶顯示元件。所以，能期待在要求高顯示品質之液晶顯示元件的利用。

L:電力線 1:橫電場液晶顯示元件 2:梳齒電極基板 2a:基材 2b:線狀電極 2c:液晶配向膜 2d:基材 2e:面電極 2f:絕緣膜 2g:線狀電極 2h:液晶配向膜 3:液晶 4:對向基板 4a:液晶配向膜 4b:基材

圖1顯示本發明之液晶顯示元件之一例之概略剖面圖。 圖2顯示本發明之液晶顯示元件之其他例之概略剖面圖。

L:電力線

1:橫電場液晶顯示元件

2:梳齒電極基板

2a:基材

2b:線狀電極

2c:液晶配向膜

3:液晶

4:對向基板

4a:液晶配向膜

4b:基材

Claims (16)

1. 一種聚合物組成物，含有聚合物(A)，該聚合物(A)具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構且主鏈具有從該次結構取走R而得之結構， 該聚合物(A)係藉由使含有具有下式(i-1)～(i-3)中之任一者表示之次結構之二胺(c)的二胺成分與四羧酸衍生物成分反應而獲得之聚合物；

   

   該式(i-1)～(i-3)中，R係具有2個芳香族烴環及氮原子(A)之1價有機基； 該1價有機基中，該2個芳香族烴環各符合下列條件(I)及(II)中之至少一者； 條件(I)：芳香族烴環之碳原子中之一者與該氮原子(A)直接鍵結； 條件(II)：該氮原子(A)含於芳香族雜環時，芳香族烴環與該芳香族雜環形成縮合環； 該2個芳香族烴環中之一者與標註＊1之氮原子(B)共軛； ＊表示原子鍵。
2. 如請求項1之聚合物組成物，其中， 藉由該2個芳香族烴環中之一者和該氮原子(B)直接鍵結，該2個芳香族烴環中之一者和該氮原子(B)共軛，或 藉由該2個芳香族烴環中之一者介隔1個芳香族烴環而和該氮原子(B)共軛，該2個芳香族烴環中之一者和該氮原子(B)共軛。
3. 如請求項1之聚合物組成物，其中，該二胺(c)之最高被占分子軌道中，該氮原子(A)之軌道係數未達0.01。
4. 如請求項1之聚合性組成物，其中，該R係下式(r1)～(r3)中之任一者表示之1價有機基；

   

   R ₁、及R ₂為氫原子或1價有機基； R ₃為1價有機基；n表示1～3之整數；惟n為1時，R ₃係和標註＊2之喹啉環之吡啶環直接鍵結之具有芳香族烴基之有機基，n為2或3時R ₃中之至少一者為和標註＊2之喹啉環之吡啶環直接鍵結之具有芳香族烴基之有機基； ＊表示原子鍵，式(r3)中之＊係和構成喹啉環之苯環鍵結； 苯環上之氫原子也可被羥基、鹵素原子、或1價有機基取代。
5. 如請求項4之聚合性組成物，其中，該式(r1)～(r3)中之任一者表示之1價有機基，係利用＊表示之原子鍵而和該氮原子(B)直接鍵結。
6. 如請求項1之聚合物組成物，其中，該四羧酸衍生物成分包括脂肪族或脂環族四羧酸二酐、或該等之衍生物。
7. 一種液晶配向劑，含有如請求項1至6中任一項之聚合物組成物。
8. 一種樹脂膜，係使用如請求項1至6中任一項之聚合物組成物獲得。
9. 一種液晶配向膜，係由如請求項7之液晶配向劑獲得。
10. 一種液晶顯示元件，具備如請求項9之液晶配向膜。
11. 一種液晶顯示元件之製造方法，包括下列步驟(1)～(3)： 步驟(1)：將如請求項7之液晶配向劑塗佈在基板上， 步驟(2)：將已塗佈之該液晶配向劑進行煅燒並獲得膜， 步驟(3)：對於步驟(2)獲得之該膜進行配向處理。
12. 一種液晶顯示元件，係依照如請求項11之液晶顯示元件之製造方法獲得。
13. 一種化合物，係以下式(d1-1)～(d1-3)中之任一者表示：

    

    式(d1-1)中，n為1時，R為下式(r2)表示之1價有機基，n為2或3時，n個R各自獨立地表示氫原子、碳數1～6之烴基、或下式(r2)表示之1價有機基，n個R中之至少一者表示下式(r2)表示之1價有機基； 式(d1-2)～(d1-3)中，R為下式(r2)表示之1價有機基； L ₂、及L ₃表示單鍵、-NR’-、-O-、-NR’-CO-、-CO-NR’-、-O-CO-、或-CO-O-， R’表示氫原子或1價有機基； Ar ₂、及Ar ₃表示芳香族環基，該芳香族環上之氫原子也可被羥基、鹵素原子、碳數1～5之烷基、或碳數1～5之烷氧基取代， 式(d1-1)中，n為2或3時，n個m2可相同也可不同； 式(d1-2)中，Ar ₂有2個以上時，2個以上之Ar ₂可相同也可不同； 式(d1-2)中，L ₂有2個以上時，2個以上之L ₂可相同也可不同； 式(d1-3)中，2個以上之Ar ₃可相同也可不同； 式(d1-3)中，2個以上之L ₃可相同也可不同；

    

    R ₂為氫原子或1價有機基，惟最高被占分子軌道中之式(r2)之咔唑骨架擁有之氮原子之軌道係數未達0.01； ＊表示原子鍵。
14. 一種化合物，係以下式(d-1)～(d-8)中之任一者表示；

    

    。
15. 一種聚醯亞胺前驅物，係可藉由含有選自由如請求項13之該式(d1-1)～(d1-3)中之任一者表示之化合物構成之群組中之至少1種化合物之二胺成分、與四羧酸衍生物成分之聚合反應獲得。
16. 一種聚醯亞胺前驅物，係可藉由含有選自由如請求項14之該式(d-1)～(d-8)中之任一者表示之化合物構成之群組中之至少1種化合物之二胺成分、與四羧酸衍生物成分之聚合反應獲得。

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