TW202112640A - 基板搬送裝置及基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送裝置及基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202112640A
TW202112640A TW109120008A TW109120008A TW202112640A TW 202112640 A TW202112640 A TW 202112640A TW 109120008 A TW109120008 A TW 109120008A TW 109120008 A TW109120008 A TW 109120008A TW 202112640 A TW202112640 A TW 202112640A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
light
manipulator
unit
container
Prior art date
Application number
TW109120008A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI792004B (zh
Inventor
桒原丈二
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202112640A publication Critical patent/TW202112640A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI792004B publication Critical patent/TWI792004B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J18/00—Arms
    • B25J18/02—Arms extensible
    • B25J18/04—Arms extensible rotatable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G47/00—Article or material-handling devices associated with conveyors; Methods employing such devices
    • B65G47/74—Feeding, transfer, or discharging devices of particular kinds or types
    • B65G47/90—Devices for picking-up and depositing articles or materials
    • B65G47/91—Devices for picking-up and depositing articles or materials incorporating pneumatic, e.g. suction, grippers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2203/00—Indexing code relating to control or detection of the articles or the load carriers during conveying
    • B65G2203/02—Control or detection
    • B65G2203/0208—Control or detection relating to the transported articles
    • B65G2203/0233—Position of the article

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

本發明提供一種能高精度地檢測基板收容器內之基板於前後方向之位置的基板搬送裝置。 基板搬送裝置TID具有機械手1、進退機構31、升降機構32、移動機構33及檢測部2。進退機構31使機械手1於前後方向移動，而使機械手1對基板收容器進入及退出。升降機構32使機械手1上升，以機械手1自下方托起基板W。移動機構33使機械手移動至與基板收容器相對之位置。檢測部2與機械手1一體移動，於進退機構31使機械手1進入至基板收容器內部之進入狀態下，該檢測部2於與前後方向D1交叉之測量方向D2上設置於與基板W相鄰之位置，且在該進入狀態下檢測基板W於前後方向D1之位置。

Description

基板搬送裝置及基板搬送方法
本申請案係關於一種基板搬送裝置及基板搬送方法。
目前已提出了自收納有基板之盒體中取出基板的基板搬送裝置(例如專利文獻1～3)。基板搬送裝置包含載置基板之機械手。基板搬送裝置實施下文將說明之動作而自盒體中取出基板。即，首先，基板搬送裝置將機械手之高度位置調整至與盒體相向之位置。具體而言，基板搬送裝置調整機械手之高度位置，使其位於作為搬出對象之基板的略微下方。之後，基板搬送裝置使機械手沿前後方向朝盒體內部移動。基板搬送裝置使機械手停止在基板正下方之預定位置後，使機械手上升。藉此，機械手能托起基板。繼而，基板搬送裝置使機械手自盒體退出。藉此，能自盒體中取出基板。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2019-33220號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-287783號公報 [專利文獻3]日本專利特開2009-88222號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，於盒體內部，基板之載置位置有時會發生偏離。具體而言，基板於前後方向上之載置位置會偏離規定的基準位置。當基板之載置位置偏離基準位置時，機械手與基板之相對位置關係亦發生偏離。於是，對於機械手而言，基板並非載置於恰當的位置。亦即，機械手無法在恰當的位置托起基板，從而無法恰當地取出基板。
因此，本申請案之目的在於提供一種能高精度地檢測基板收容器內之基板於前後方向上之位置的基板搬送裝置及基板搬送方法。 [解決問題之技術手段]
基板搬送裝置之第1形態係自基板收容器中取出基板且將該基板搬送至基板保持部者，該基板收容器具有將複數個該基板以水平姿勢且於鉛垂方向空開間隔而積層之狀態予以收納之內部構造；該基板搬送裝置具備：機械手；進退機構，其使上述機械手於前後方向移動，而使上述機械手對上述基板收容器進入及退出；升降機構，其使上述機械手上升，以上述機械手自下方托起上述基板；移動機構，其使上述機械手移動至與上述基板收容器相對之位置；及檢測部，其與上述機械手一體移動，於上述進退機構使上述機械手進入至上述基板收容器內部之進入狀態下，該檢測部於與前後方向交叉之測量方向上，設置於與上述基板相鄰之位置，且在上述進入狀態下檢測上述基板於前後方向之位置。
基板搬送裝置之第2形態係如第1形態之基板搬裝置，且更具備：記憶媒體，其記憶有上述基板收容器內部的上述基板於前後方向之基準位置；及控制部，其基於由上述檢測部檢測出的上述基板於前後方向之位置、與上述記憶媒體中記憶之上述基準位置之比較，使上述進退機構調整處於上述進入狀態之上述機械手於前後方向之位置。
基板搬送裝置之第3形態係如第1或第2形態之基板搬送裝置，其中上述檢測部包括：發光部及受光部，其等於測量方向上彼此相向而配置；以及運算部；上述發光部向上述受光部照射以前後方向為寬度方向之帶狀光，上述運算部根據上述受光部接收到之光之受光量，求出上述基板於前後方向之位置。
基板搬送裝置之第4形態係如第1至第3形態中任一形態之基板搬送裝置，其中上述檢測部設置於較載置上述基板的上述機械手之載置面更為上方。
基板搬送裝置之第5形態係如第1至第4形態中任一形態之基板搬送裝置，其中於上述機械手形成有至少兩個抽吸口。
基板搬送方法之第1形態係使用第3形態之基板搬送裝置搬送基板者，且具備以下工序：在上述基板收容器內部，於與前後方向正交之左右方向上支持上述基板之兩端部；上述升降機構使上述機械手在上述進入狀態下自一高度位置開始上升，該高度位置係自上述發光部照射之光不被上述基板遮擋的位置；及上述運算部於上述機械手上升過程中，基於由上述受光部接收到之光之受光量變化了特定值以上時之上述機械手的位置，求出上述基板之撓曲量。
基板搬送方法之第2形態係如第1形態之基板搬送方法，且更具備：第1工序，其由上述進退機構使支持著上述基板之上述機械手移動至上述基板保持部之上；及交接工序，其於上述第1工序之後，當上述升降機構使上述機械手下降而要將上述基板交接至上述基板保持部時，自基於上述運算部所求出之上述基板之撓曲量得出之高度位置開始，一面使上述機械手之下降速度降低，並使上述機械手下降而將上述基板交接至上述基板保持部。 [發明之效果]
根據基板搬送裝置之第1及第4形態，檢測部係於與前後方向交叉之測量方向上與基板相鄰之狀態下，檢測基板於前後方向上之位置。由於在與前後方向交叉之方向上，易於檢測基板於前後方向上之位置，故而能夠以高檢測精度檢測基板於前後方向上之位置。
根據基板搬送裝置之第2形態，能將機械手校正至相對於基板恰當的位置。
根據基板搬送裝置之第3形態，利用簡易之發光部及受光部，便能檢測基板於前後方向上之位置。
根據基板搬送裝置之第5形態，機械手能吸附基板並予以保持。
根據基板搬送方法之第1形態，檢測部不僅能檢測基板於前後方向上之位置，還能檢測基板之撓曲。因此，無需另外設置用於檢測基板撓曲之專用檢測部。
根據基板搬送方法之第2形態，由於交接至基板保持部時降低了機械手之下降速度，因此能減小對基板產生之衝擊力。而且，當撓曲量大時，能自更高之高度位置開始降低機械手之下降速度，而當撓曲量小時，能自更低之高度位置開始降低機械手之下降速度。藉此，能根據基板之撓曲量充分地降低下降速度，而且能於達到該高度位置之前使機械手以較快之下降速度下降。因此，能提高處理量。
以下，將參照隨附之附圖說明實施形態。再者，附圖係概略圖，為了便於說明，會適當地省略或簡化構成。而且，附圖中表示之構成的大小及位置的相互關係之記載未必精確，可適當地進行變更。
而且，以下所示之說明中，對於相同的構成要素，圖中標註相同的符號，其等之名稱及功能亦相同。因此，有時為了避免重複而省略其等之詳細說明。
＜基板處理裝置的概略構成＞ 圖1係概略性表示基板處理裝置之構成之一示例的平面圖。圖1之基板處理裝置於基板(例如半導體晶圓)W上形成抗蝕膜等，且使已曝光之基板W顯影。
圖1之示例中，基板處理裝置包含傳載部110、處理部120、接口部130及控制部140。控制部140控制基板處理裝置之各種構成。
控制部140係電子電路，可具有例如資料處理裝置及記憶媒體。資料處理裝置可為例如CPU(Central Processor Unit，中央處理單元)等運算處理裝置。記憶媒體亦可具有非暫時性記憶媒體(例如ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)或硬盤)及暫時性記憶媒體(例如RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體))。非暫時性記憶媒體中亦可記憶例如規定控制部140執行之處理的程序。資料處理裝置執行該程序，藉此，控制部140能執行程序所規定的處理。當然，控制部140執行之一部分或全部處理亦可由硬件執行。
傳載部110及接口部130鄰接於處理部120之兩側而設。而且，作為與主裝置分開的外部裝置，曝光機EXP鄰接於接口部130而設。
傳載部110包含複數個(圖中為4個)收容器載置台111、及ID用搬送機構TID。複數個收容器載置台111排列成1列，各收容器載置台111上載置有1個基板收容器C。
基板收容器C可為以密閉狀態收納基板W的FOUP(Front Opening Unified Pod，前開式統集盒)，亦可為SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械接口)盒或OC(Open Cassette，開放式匣體)等。基板收容器C中之狀態為，複數個呈水平姿勢之基板W彼此隔開間隔而沿鉛垂方向積層。此處的水平姿勢係指基板W的厚度方向與鉛垂方向一致之狀態。
ID用搬送機構TID可沿基板收容器C的排列方向水平移動地設置於收容器載置台111的側方，可停止於與各基板收容器C相向的位置。ID用搬送機構TID包含保持臂，與各基板收容器C及處理部120進行基板W之交接。ID用搬送機構TID自基板收容器C中取出基板W後搬送至處理部120，且將自處理部120獲取之基板W收納至基板收容器C。
於傳載部110，設有用於檢測基板收容器C內的各層是否有基板的映射傳感器(未圖示)。映射傳感器例如包含發光部及受光部。發光部及受光部在複數個基板收容器C並排排列的方向上彼此相向而設。發光部對受光部照射光，受光部接收此光。發光部及受光部互為一體，可在水平方向及鉛垂方向上移動，能進入基板收容器C內部。具體而言，發光部及受光部進入至基板收容器C內部的、俯視時隔著一部分基板W的位置。當發光部及受光部位於與某一層相同高度的位置時，若該層載置有基板W，則發光部發出之光會被該基板W遮擋，而若該層未載置基板W，則發光部發出之光會被受光部接收。
相反，當受光部未接收到光時表示該層載置有基板W，而當受光部接收到光時則表示該層未載置基板W。藉由使發光部及受光部自基板收容器C內的最下層上升至最上層，能檢測基板收容器C內的各層是否有基板。映射傳感器的檢測結果會輸出至控制部140。控制部140根據該映射傳感器的檢測結果控制ID用搬送機構TID。
處理部120對基板W進行處理。圖1之示例中，處理部120分為單元(cell)121、122。單元121包含主搬送機構T1，單元122包含主搬送機構T2。單元121、122分別設有複數個處理組件(unit)。圖1之示例中，僅示出單元121、122，但處理部120中還可沿鉛垂方向設置複數個單元121、122。亦即，於單元121之上，亦可積層與單元121相同的單元，於單元122之上，亦可積層與單元122相同的單元。總的來說，處理部120可具有多階層構造。單元121(及其上階單元)中，於基板W上形成抗蝕膜等，於單元122(及其上階單元)中使基板W顯影。
單元121、122沿橫向並排而彼此連結，從而構成將傳載部110與接口部130之間相連的一個基板處理行。各階層中皆相同。各基板處理行大致平行於鉛垂方向而設。換句話說，處理部120係由階層構造之基板處理行構成。
接口部130配置在處理部120與曝光機EXP之間，其間供傳送基板W。
以下，為了簡化說明，省略上階單元的說明而說明單元121、122。單元121中，形成有供搬送基板W的搬送空間A1。搬送空間A1穿過單元121中央，沿平行於單元121、122的並排方向形成為帶狀。單元121之處理組件包含對基板W塗佈處理液的塗佈處理組件123、及對基板W進行熱處理的熱處理組件124。塗佈處理組件123配置在搬送空間A1的一側，而熱處理組件124配置在其另一側。
複數個塗佈處理組件123以分別面向搬送空間A1之方式並排設置。本實施形態中，複數個塗佈處理組件123亦沿鉛垂方向並排配置。例如以2列2層之方式合計配置4個塗佈處理組件123。塗佈處理組件123包含實施於基板W上形成抗反射膜的處理的抗反射膜用塗佈處理組件、及實施於基板W上形成抗蝕膜的處理的抗蝕膜用塗佈處理組件。例如，下層之2個塗佈處理組件123於基板W上形成抗反射膜，上層之2個塗佈處理組件123於基板W上形成抗蝕膜。
複數個熱處理組件124以分別面向搬送空間A1之方式並排設置。本實施形態中，複數個熱處理組件124亦沿鉛垂方向並排配置。例如，於橫向上可配置3個熱處理組件124，於鉛垂方向上可積層5個熱處理組件124。熱處理組件124分別包含載置基板W的板125等。熱處理組件124包含冷卻基板W的冷卻組件、連續進行加熱處理和冷卻處理的加熱冷卻組件、及為了提昇基板W與被膜之密接性而於六甲基二矽氮烷(HMDS)之蒸氣環境中進行熱處理的附著處理組件。再者，加熱冷卻組件具有2個板125，且具有使基板W在2個板125之間移動的省略圖示之局部搬送機構。各種熱處理組件分別有複數個，且配置在合適的位置。
於傳載部110與單元121的交界處設有載置部PASS1，於單元121、122的交界處設有載置部PASS2。載置部PASS1在傳載部110與單元121之間傳送基板W，載置部PASS2在單元121、122之間傳送基板W。載置部PASS1、PASS2包含將基板W支持為水平姿勢的複數個支持銷。此處的水平姿勢係指，基板W的厚度方向與鉛垂方向一致的姿勢。載置部PASS1例如可載置2塊基板W。載置部PASS1例如具有2層構成，各層上載置1塊基板W。一層上載置由傳載部110搬送至單元121之基板W，另一層上載置由單元121搬送至傳載部110之基板W。載置部PASS2亦同樣具有2層構成。
在搬送空間A1的大致中央，設有主搬送機構T1。主搬送機構T1與單元121之處理組件、載置部PASS1及載置部PASS2各者進行基板W之交接。圖1之示例中，主搬送機構T1包含2個保持臂H1、H2。因此，主搬送機構T1可使用一個保持臂H1自對象部(例如單元121之處理組件)中取出基板W，並使用另一保持臂H2將另一基板W交給該對象部。
於單元122中形成用於搬送基板W之搬送空間A2。搬送空間A2形成於搬送空間A1之延長線上。
單元122之處理組件包含於基板上塗佈處理液的塗佈處理組件127、對基板W進行熱處理的熱處理組件126、及將基板W之周緣部曝光的邊緣曝光組件(未圖示)。塗佈處理組件127配置在相對於搬送空間A2之一側，熱處理組件126及邊緣曝光組件配置在另一側。此處，塗佈處理組件127較佳與塗佈處理組件123配置在同一側。而且，熱處理組件126及邊緣曝光組件較佳與熱處理組件124一同並排。
本實施形態中，複數個塗佈處理組件127亦沿鉛垂方向並排配置。例如配置3排2層、合計6個塗佈處理組件127。塗佈處理組件127包含將基板W顯影的顯影處理組件、及進行於基板W上形成抗蝕劑覆蓋膜之處理的抗蝕劑覆蓋膜用塗佈處理組件。例如，下層之3個塗佈處理組件127於基板W上形成抗蝕劑覆蓋膜，上層之3個塗佈處理組件127將基板W顯影。
熱處理組件126在沿搬送空間A2的橫向上並排複數個，且在鉛垂方向上積層複數個。熱處理組件126包含加熱基板W的加熱組件、及冷卻基板W的冷卻組件。
邊緣曝光組件為單個，設置於特定位置。邊緣曝光組件包含將基板W可旋轉地加以保持的旋轉保持部(未圖示)、及將該旋轉保持部所保持之基板W周緣曝光的光照射部(未圖示)。
在單元122與接口部130的交界處，設有載置兼暫存部P-BF。在載置兼暫存部P-BF，載置要自單元122向接口部130搬送之基板W。
主搬送機構T2在俯視下設置於搬送空間A2的大致中央。主搬送機構T2與主搬送機構T1同樣地構成。而且，主搬送機構T2與載置部PASS2、塗佈處理組件127、熱處理組件126、邊緣曝光組件及載置兼暫存部P-BF各者交接基板W。
接口部130包含洗淨處理區塊131及搬出搬入區塊132。在洗淨處理區塊131與搬出搬入區塊132的交界處，設有載置部PASS3。載置部PASS3之構成之一示例與載置部PASS1、PASS2相同。於載置部PASS3的上側或下側，設有未圖示之載置兼冷卻組件。載置兼冷卻組件將基板W冷卻至適合曝光的溫度。
於搬出搬入區塊132，設有IF用搬送機構TIF。IF用搬送機構TIF自載置兼冷卻組件中將基板W搬送至曝光機EXP的搬入部LPa，且將曝光機EXP的搬出部LPb之基板W搬送至載置部PASS3。
洗淨處理區塊131包含2個洗淨處理組件133a、133b及2個搬送機構T3a、T3b。2個洗淨處理組件133a、133b隔著一組搬送機構T3a、T3b而配置。洗淨處理組件133a將曝光前之基板W洗淨後使其乾燥。複數個洗淨處理組件133a可積層多層。搬送機構T3a自載置兼暫存部P-BF中將基板W搬送至洗淨處理組件133a，將洗淨後之基板W自洗淨處理組件133a搬送至載置兼冷卻組件。
洗淨處理組件133b將曝光後之基板W洗淨後使其乾燥。複數個洗淨處理組件133b可積層多層。搬送機構T3b自載置部PASS3中將基板W搬送至洗淨乾燥處理組件133b，將洗淨後之基板W自洗淨乾燥處理組件133b搬送至載置兼暫存部P-BF。
此種基板處理系統中，基板W受到如下處理。即，已自基板收容器C取出之基板W由單元121的冷卻組件進行冷卻。冷卻後之基板W由單元121的抗反射膜用塗佈處理組件進行塗佈處理。藉此，基板W的表面上形成抗反射膜。形成有抗反射膜之基板W由加熱冷卻組件加熱後被冷卻。冷卻後之基板W由抗蝕膜用塗佈處理組件進行塗佈處理。藉此，基板W的表面上形成抗蝕膜。形成有抗蝕膜之基板W再次由加熱冷卻組件加熱後被冷卻。形成有抗蝕膜之基板W由單元122的抗蝕劑覆蓋膜用塗佈處理組件進行塗佈處理。藉此，基板W的表面上形成抗蝕劑覆蓋膜。形成有抗蝕劑覆蓋膜之基板W由單元122的加熱冷卻組件加熱後被冷卻。
冷卻後之基板W之周緣部由單元122的邊緣曝光組件曝光。周緣部已曝光之基板W在洗淨處理組件133a中進行洗淨乾燥處理。已洗淨之基板W由載置兼冷卻組件冷卻。冷卻後之基板W由外部的曝光機EXP曝光。曝光後之基板W在洗淨乾燥處理組件133b中進行洗淨乾燥處理。洗淨後之基板W由單元122的加熱冷卻組件進行曝光後烘烤處理。烘烤後之基板W由單元122的冷卻組件冷卻。冷卻後之基板W由顯影處理組件進行顯影處理。經顯影處理之基板W由加熱冷卻組件加熱後被冷卻。冷卻後之基板W被搬送至傳載部110之基板收容器C。如以上所述，基板處理裝置對基板W進行處理。
＜基板收容器＞ 圖2係概略性表示基板收容器C之構成之一示例的前視圖，圖3係表示基板收容器C之構成之一示例的側視圖。基板收容器C具有例如朝向大致水平的一個方向(圖2中為紙面近前側)開口的箱形形狀。基板收容器C以其開口部51朝ID用搬送機構TID側之方式載置於收容器載置台111之上(參照圖1)。於基板收容器C之彼此相向之兩側壁53之內側面，突設有用於支持基板W之下表面的突起支持部52。突起支持部52自各側壁53之內側面向內側突出。突起支持部52之上表面大致水平。形成於兩側壁53之突起支持部52分別支持基板W的左右方向上之端部。再者，左右方向係指基板收容器C之兩側壁53相向的方向。
突起支持部52於鉛垂方向上空開間隔設有複數個，複數個基板W分別被左右的突起支持部52支持。複數個基板W以在鉛垂方向上空開間隔積層之狀態收納於基板收容器C內。
圖3之示例中，示出基板收容器C為FOUP時之構成，基板收容器C還包含蓋54。蓋54可使開口部51開閉。傳載部110設有用於使蓋54開閉之驅動部件，當基板收容器C載置於收容器載置台111之上時，該驅動部件打開蓋54。藉此，基板收容器C向ID用搬送機構TID側打開。
＜基板＞ 基板W例如為半導體晶圓，具有大致圓板形狀。圖4概略性表示基板W之構成之一示例的立體圖。本實施形態中，作為一示例，基板W具有中央部91、及比中央部91更靠外周側之周緣部92。基板W之上表面具有於其中央部91凹陷的凹形狀。相反，基板W具有其周緣部92相對於中央部91向上方突出的形狀。俯視時，中央部91具有大致圓形狀。周緣部92具有包圍中央部91之大致圓環形狀，中央部91之周緣連結於周緣部92之內面。基板W之下表面大致平坦。因此，基板W之周緣部92比中央部91厚。
基板W之直徑例如為300 mm左右，周緣部92之寬度(徑向之寬度)例如為2 mm～3 mm左右。基板W之周緣部92之厚度例如為800 μm左右，基板W之中央部91之厚度例如為45 μm～60 μm左右。
＜ID用基板搬送機構＞ 圖5係概略性表示ID用搬送機構TID之構成之一示例的側面圖，圖6係概略性表示ID用搬送機構TID之構成之一示例的俯視圖。再者，以下，亦會將ID用搬送機構TID稱為基板搬送裝置TID。基板搬送裝置TID包含作為保持臂13之一示例的機械手1、傳感器(檢測部)2及機械手移動機構3。
機械手1係用於載置基板W之部件。圖5及圖6之示例中，機械手1包含一對指部11、及連結部件12。各指部11具有長條形狀，俯視時(亦即，沿鉛垂方向觀察時)彼此大致平行地配置。指部11之上表面大致水平。
連結部件12係連結指部11之基端彼此的部件。圖5及圖6之示例中，連結部件12具有長條狀之板狀形狀，且以其厚度方向與鉛垂方向一致之方式配置。連結部件12例如以與指部11相同的材料一體形成。兩指部11的前端彼此相離。俯視時，此種機械手1具有U字形狀。
圖5及圖6之示例中，於各指部11之上表面設有2個突起部13。突起部13自指部11之上表面向上方突出。各突起部13例如俯視時具有大致圓形狀。設於一對指部11的合計4個突起部13當俯視時分別設置於假想的四邊形的各頂點。突起部13之上表面大致水平。突起部13之上表面上載置基板W。更具體而言，各突起部13之上表面抵接於基板W之周緣部92之下表面而支持基板W。
圖6之示例中，各突起部13之上表面上形成有抽吸口13a。在各突起部13，形成有至少一個抽吸口13a。圖6之示例中，設有4個突起部13，因此，於機械手1形成有至少4個抽吸口13a。該抽吸口13a經由設置於機械手1內部的抽吸路徑而與外部的抽吸機構(未圖示)相連。抽吸機構使抽吸口13a內的氣壓成為負壓，藉此，機械手1可自下方吸附基板W。藉此，機械手1可保持基板W。
圖6之示例中，抽吸口13a位於基板W之周緣部92的正下方。因此，機械手1可對較厚之周緣部92作用抽吸力。於是，機械手1可穩定地保持基板W。
機械手移動機構3使機械手1至少於前後方向D1及鉛垂方向上移動。此處，機械手移動機構3還使機械手1在特定的旋轉軸線Q1的圓周方向移動。作為具體之一示例，機械手移動機構3包含進退機構31、升降機構32及旋動機構33。進退機構31受控制部140控制，使機械手1沿前後方向D1移動。進退機構31例如可具有複數個多關節臂，或者亦可具有滾珠螺桿構造。進退機構31例如與機械手1的連結部件12結合。
升降機構32受控制部140控制，使機械手1沿鉛垂方向移動。亦即，升降機構32使機械手1升降。升降機構32具有例如滾珠螺桿構造。圖5之示例中，升降機構32藉由使進退機構31升降而使機械手1升降。
旋動機構33受控制部140控制，使機械手1繞沿鉛垂方向延伸的旋轉軸線Q1旋動。藉此，機械手1沿旋轉軸線Q1的圓周方向移動。旋動機構33具有例如馬達。圖5之示例中，旋動機構33使進退機構31、升降機構32及機械手1一體旋動。旋動機構33可藉由使機械手1旋動而改變機械手1的方向。參照圖1，旋動機構33使機械手1在機械手1(保持臂13)與基板收容器C相對之狀態、與機械手1與載置部PASS1相對之狀態之間移動。
進退機構31由旋動機構33旋動，因此，進退機構31使機械手1移動的前後方向D1係旋轉軸線Q1的徑向。機械手1係以其指部11的長度方向與前後方向D1一致之方式配置。
此處，將對自基板收容器C取出基板W時基板搬送裝置TID之動作進行簡述。首先，旋動機構33旋動空的機械手1，使機械手1與基板收容器C相對。再者，此處的空的機械手1係指未載置基板W的機械手1。繼而，升降機構32調整機械手1之高度位置。具體而言，將作為取出對象之基板W之下表面(左右的突起支持部52之上表面連結而成的位置)作為基準高度位置，由升降機構32調整機械手1之高度位置，以使機械手1位於該基準高度位置的略微下方。圖2中，以假想線表示指部11之高度位置之一示例。繼而，進退機構31使機械手1向前方移動，而使機械手1移動至基板W正下方的預定停止位置。
圖6之示例中，示出載置於基板收容器C內之規定的基準位置上之基板W。亦即，圖6中，示出機械手1已進入基板收容器C內之進入狀態下之基板W及機械手1。圖6之示例中，示出停止在預定停止位置上的機械手1。如圖6所例示，當基板W載置於規定的基準位置上時，於機械手1停止在停止位置之狀態下，機械手1的4個突起部13與基板W之周緣部92之下表面相對。
繼而，升降機構32使機械手1上升。藉由該機械手1之上升，使機械手1的突起部13抵接並吸附於基板W之周緣部92之下表面，藉此，機械手1保持基板。之後，升降機構32進一步使機械手1略微上升，自突起支持部52托起基板W。機械手1托起基板W後，升降機構32停止上升。繼而，進退機構31使機械手1向後方移動，藉此，使載置有基板W的機械手1自基板收容器C退出。如上所述，基板搬送裝置TID能自基板收容器C取出基板W。
如上所述，當基板W載置於基板收容器C內之基準位置上時，機械手1的突起部13與基板W之周緣部92抵接。因此，機械手1能穩定地保持基板W。另一方面，當基板W之載置位置於前後方向D1上大幅偏離基準位置時，基板W與機械手1之相對位置關係亦發生偏離。例如，突起部13偏離基板W之周緣部92，機械手1無法恰當地保持基板W。
因此，本基板搬送裝置TID中設有用於檢測基板W於前後方向D1上之位置的傳感器2。該傳感器2可與機械手1一體移動地設置。圖5及圖6之示例中，傳感器2設於指部11。該傳感器2在機械手1已進入基板收容器C內部之進入狀態下，與基板收容器C中收納之基板W相鄰。更具體而言，於機械手1停止在上述停止位置之狀態下，俯視時，傳感器2在測量方向D2上與基板W的前後方向D1之端部相對。測量方向D2係與前後方向D1交叉之方向，例如為與前後方向D1正交之方向。換句話說，以傳感器2在上述狀態下在測量方向D2上與基板W之端部相對之方式，決定傳感器2對於指部11的配置位置。圖6之示例中，傳感器2設置於指部11的基端側(後方)，俯視時，於測量方向D2上與基板W後方之端部相對。
傳感器2在機械手1已進入基板收容器C內部之進入狀態下，檢測基板W於前後方向D1上之位置。亦即，傳感器2自與前後方向D1交叉之測量方向D2，測量基板W之前後方向D1上之位置。於與前後方向D1交叉之測量方向D2上，容易測量基板W於前後方向D1上之位置，因此，傳感器2能以高精度測量基板W於前後方向D1上之位置。
圖5及圖6之示例中，傳感器2包含發光部21及受光部22。發光部21及受光部22在測量方向D2上彼此相向地配置。更具體而言，於進入狀態下，發光部21及受光部22設於在測量方向D2上隔著基板W後方之端部的位置。亦即，發光部21相對於基板W的該端部而設置於受光部22的相反側。圖6之示例中，發光部21設置於一對指部11中的一個指部，受光部22設置於一對指部11中之另一個指部。
發光部21將以前後方向D1作為寬度方向之帶狀光(亦即，電磁波)朝向受光部22照射。發光部21具有例如激光光源或燈具光源等光源。發光部21照射出的光的波長並無特別限定，可採用例如紅外線。
受光部22接收發光部21照射出的光，將表示其受光量的電信號(以下，稱為檢測信號)輸出至控制部140。受光部22亦稱為光探測器。
在空的機械手1位於基板收容器C外部之狀態下，發光部21照射出的光直接被受光部22接收。此處，於進退機構31使機械手1進入基板收容器C內部並停止在特定的停止位置之狀態下，在機械手1上升之前，發光部21發出之光亦直接被受光部22接收。圖7概略性表示基板W與傳感器2之位置關係之一示例。圖7概略性表示圖6的A-A截面之一示例。圖7中，以假想線表示機械手1停止在停止位置時之傳感器2。該狀態下，發光部21及受光部22位於基板W的下方，發光部21照射出的光未被基板W遮擋，而是被受光部22接收。
若升降機構32使機械手1上升，則發光部21及受光部22亦和機械手1一同上升。因此，如圖7所例示，任一發光部21發出之一部分光都被基板W後方之端部遮擋。圖8係表示發光部21發出之一部分光被基板W遮擋之狀況的概略性之一示例的平面圖。圖8中表示基板W位於基準位置時之相應狀況之一示例。根據圖8可理解，發光部21發出之帶狀光中前方的一部分光照射至基板W後方之端部後被基板W遮擋，而帶狀光中後方的一部分光未被基板W遮擋，直接進入受光部22。因此，帶狀光的後方的一部分光被受光部22接收。
圖9係表示於基板收容器C內，基板W向後方偏離基準位置而載置時之相應狀況之一示例的平面圖。圖9中，以假想線表示載置於基準位置之基板W。根據圖8及圖9之比較可理解，受光部22接收的光之受光量會根據基板W於前後方向D1上之位置而變化。具體而言，基板W越向後方偏離，基板W遮擋的光量越大，受光部22接收的光量越小。
因此，控制部140的運算部141(參照圖5)根據受光部22之受光量，求出基板W於前後方向D1上之位置。例如，藉由模擬或實驗等，預先設置基板W於前後方向D1上之位置與受光部22之受光量的對應關係。表示該對應關係之對應關係信息例如作為查找表或函數記憶於控制部140之記憶媒體中。
受光部22將表示檢測到的受光量之檢測信號輸出至控制部140。運算部141根據檢測信號所表示之受光量、及記憶媒體中記憶之對應關係信息，求出基板W於前後方向D1上之位置。可以說，該運算部141與發光部21及受光部22一同構成傳感器2。
再者，上文所述之示例中，運算部141含在控制部140，但該運算部141亦可與控制部140分開而設。運算部141亦可為電子電路，例如具有與控制部140相同之構成。
控制部140基於由運算部141求出之基板W的位置，求出機械手1於前後方向D1上之位置的調整量。具體而言，控制部140求出機械手1之位置之調整量，以使4個突起部13抵接於基板W之周緣部92之下表面。控制部140使進退機構31以該調整量調整機械手1的位置。藉此，即便基板W在基板收容器C內於前後方向D1偏離規定的基準位置而被載置，亦根據該基板W之位置偏離而調整機械手1於前後方向D1上之位置。因此，機械手1能恰當地托起基板W。
再者，在機械手1抵接於基板W之下表面之前，必須調整機械手1之位置，因此，在機械手1抵接於基板W之下表面之前，必須檢測基板W的位置。亦即，在機械手1抵接於基板W之下表面之前，必須使基板W遮擋發光部21發出之一部分光。因此，將發光部21及受光部22設置為各自之發光面及受光面位於至少較機械手1之突起部13之上表面(亦即，載置基板W的載置面)更為上方。
＜基板搬送裝置之搬出動作＞ 圖10係表示基板搬送裝置TID對於基板收容器C之搬出動作之一示例之流程圖。最初，機械手1未載置基板W，且位於基板收容器C之外部。首先，旋動機構33使空的機械手1旋動，使機械手1與基板收容器C相對(步驟S1)。繼而，升降機構32調整機械手1之高度位置(步驟S2)。具體而言，升降機構32使機械手1移動至取出對象之基板W之下表面略為下方之高度位置。
繼而，傳感器2測量總受光量P1(步驟S3)。總受光量P1是指自傳感器2之發光部21發出之光未被基板W遮擋之狀態下受光部22接收的光之受光量。作為具體的動作，首先，控制部140向發光部21發出照射指示，發光部21根據該指示而照射光。受光部22接收該光，將表示其受光量之檢測信號輸出至控制部140。此時，自發光部21照射之光直接由受光部22接收。控制部140將其受光量作為總受光量P1而記憶於記憶媒體中。
繼而，進退機構31使機械手1向前方移動，在特定的停止位置停止(步驟S4)。於該特定的停止位置，機械手1進入基板收容器C之內部，於俯視下，發光部21及受光部22相對於基板W後方之端部彼此位於相反側(參照圖8及圖9)。此處，於機械手1上升之前，自發光部21發出之光尚未被基板W遮擋(參照圖7之假想線)。再者，此時，總受光量P1之檢測(步驟S3)可於機械手1在停止位置停止之狀態下進行。亦即，步驟S3亦可於步驟S4之後執行。
繼而，升降機構32使機械手1上升(步驟S5)。因傳感器2與機械手1一體移動，故傳感器2亦上升。繼而，運算部141根據自受光部22輸入之檢測信號，算出由受光部22接收之受光量P2與總受光量P1的比R1(＝P2/P1)(步驟S6)。當發光部21發出之光未被基板W遮擋時，比R1理想的是1.0。因傳感器2上升，發光部21發出之一部分光終究會被基板W遮擋(參照圖8及圖9)，受光部22接收的光之受光量P2大幅降低。此時，受光量P2有預先設置之第1特定值以上的變化。換句話說，比R1亦降低預先設置之第2特定值以上。
運算部141判斷比R1是否低於小於1.0之特定的基準比值(步驟S7)。該基準比值係預先設置的，且記憶於控制部140之記憶媒體中。基準比值係小於1.0之值，小於基板W在基板收容器C內位於最前方之狀態下之受光部22之受光量。基準比值係自1.0中減去第2特定值所得的值。
於發光部21發出之光尚未被基板W遮擋期間，比R1理想的是1.0，因此，運算部141反覆執行一組步驟S6、S7。當傳感器2上升而使發光部21發出之光被基板W遮擋時，比R1小於基準比值。當比R1小於基準比值時，運算部141根據比R1求出基板W於前後方向D1上之位置(步驟S8)。例如，藉由模擬或實驗等，預先設置比R1與基板W於前後方向D1上之位置的對應關係。表示該對應關係之對應關係信息例如作為查找表或函數記憶於記憶媒體中。運算部141根據求出之比R1及記憶媒體中記憶之對應關係信息，求出基板W於前後方向D1上之位置。
繼而，控制部140判斷求出之基板W之位置是否在容許範圍內(步驟S9)。容許範圍表示基板W於前後方向D1上之位置的容許範圍，若在該容許範圍內，則藉由升降機構32使機械手1上升，機械手1能在恰當的位置托起基板W。
當基板W之位置在容許範圍外時，控制部140基於基板W之位置與基板W之基準位置之比較而算出機械手1之調整量，並由進退機構31根據該調整量來調整機械手1於前後方向D1上之位置(步驟S10)。具體而言，控制部140算出求出之基板W之位置與基板W之基準位置的差作為調整量。基板W之基準位置記憶於例如控制部140之記憶媒體內。
再者，調整機械手1於前後方向D1上之位置時，升降機構32亦可暫時中斷機械手1之上升。而且，於進退機構31對機械手1進行位置調整後，升降機構32使機械手1再次上升。
另一方面，當運算部141求出之基板W之位置在容許範圍內時，不執行步驟S10，升降機構32使機械手1連續上升。
當機械手1托起基板W時，升降機構32停止機械手1之上升。繼而，進退機構31使機械手1向後方移動，而使機械手1自基板收容器C之內部退出(步驟S11)。
如上所述，根據基板搬送裝置TID，於基板W之搬出動作中，由傳感器2檢測基板W於前後方向D1上之位置。而且，基板搬送裝置TID根據該檢測位置使機械手1相對於基板W移動至恰當的位置後，使機械手1上升。因此，即便基板收容器C內之基板W於前後方向D1上發生位置偏離，基板搬送裝置TID亦能恰當地搬出基板W。
而且，上文所述之示例中，可利用簡易之發光部21及受光部22檢測基板W於前後方向D1上之位置。
再者，上文所述之示例中，基板W具有較薄之中央部91及較厚之周緣部92，作為支持對象之區域(周緣部92)較窄。因此，該基板W與機械手1之間的於前後方向D1上之位置偏離的容許量小。因此，能檢測基板W之位置並調整機械手1之位置的基板搬送裝置TID對於具有中央部91及周緣部92之基板W而言尤其有用。
＜發光部及受光部之高度位置＞ 圖7之示例中，發光部21設置於不同於受光部22之高度位置。圖7之示例中，發光部21設置於高於受光部22的位置，但亦可設置於相同高度位置。
＜基板之撓曲＞ 基板W之左右方向上之兩端部於基板收容器C之內部受突起支持部52支持。因此，基板W因自重而以其兩端部為支點撓曲。圖11概略性地表示基板收容器C中收納之基板W的形狀之一示例。圖11之示例中，基板W以其中央部相對於兩端部位於下方之方式撓曲。亦即，基板W撓曲成向下凸起之形狀。再者，於基板收容器C內，僅基板W之兩端部得到支持，因此，於自前後方向D1觀察之截面(圖11)中基板W撓曲，但在自左右方向觀察之截面中基板W幾乎不撓曲。
圖11中，還示出傳感器2。本實施形態中，機械手1及傳感器2上升之前，發光部21發出之光未被基板W遮擋。亦即，發光部21發出之光於基板W之更下方行進並直接入射至受光部22。而且，因機械手1及傳感器2上升，發光部21發出之光終究被基板W遮擋。基板W之撓曲量越大，則光開始被基板W遮擋時發光部21之高度位置越低。亦即，基板W之撓曲量越大，則受光量大幅變化時機械手1之高度位置越低。換句話說，基板W之撓曲量越大，則比R1自1.0變化為小於基準比值的值時機械手1之高度位置越低。可例如藉由模擬或實驗等，預先設置機械手1之該高度位置與基板W之撓曲量的關係。因此，將表示該高度位置與撓曲量之關係的對應關係信息預先記憶於控制部140之記憶媒體中。
當機械手1及傳感器2上升時，運算部141監視受光量P2大幅變化時機械手1之高度位置，根據該高度位置與基準高度位置的差(距離)求出基板W之撓曲量。圖12係表示基板搬送裝置TID之相應動作之一示例之流程圖。圖12中，與圖10之流程圖相比，還執行步驟S12。圖12之示例中，步驟S12係當步驟S7中判斷比R1小於基準比值時執行。步驟S12中，運算部141根據機械手1之高度位置求出基板W之撓曲量。機械手1之高度位置例如根據自機械手1及傳感器2開始上升起的經過時間及上升速度而求出。或者，還可設置用於檢測機械手1之高度位置的傳感器。例如當升降機構32具有馬達時，該傳感器亦可為檢測馬達之旋轉位置的所謂編碼器。運算部141根據求出之高度位置及記憶媒體中記憶之對應關係信息，求出基板W之撓曲量。
之後，藉由步驟S8～S11，由基板搬送裝置TID取出基板W。
如上所述，根據基板搬送裝置TID，當自基板收容器C取出基板W時，能檢測基板W之撓曲量。因此，無需另外設置用於檢測撓曲量之專用的檢測部，能以低成本檢測基板W之撓曲量。
＜向基板保持部之交接＞ 圖6之示例中，機械手1在俯視時具有U字形狀，支持基板W之周緣部92。因此，基板W之中央附近並不與機械手1相對，基板W在載置於機械手1之狀態下亦會因自重而撓曲。機械手1上之基板W之撓曲量雖可與基板收容器C中基板W之撓曲量不同，但認為基板收容器C中基板W之撓曲量越大，則機械手1上之基板W之撓曲量亦越大。亦即，當基板收容器C中基板W之撓曲量大時，該基板W比較容易撓曲，因此即便在機械手1上亦會大幅撓曲。
亦可藉由實驗或模擬等，預先設置該基板收容器C中基板W之撓曲量與機械手1上之基板W之撓曲量的對應關係。表示該對應關係之對應關係信息亦例如作為查找表或函數記憶於控制部140之記憶媒體中。因此，運算部141亦可藉由基板收容器C中基板W之撓曲量求出機械手1上之基板W之撓曲量。總的來說，運算部141可根據受光量大幅變化時機械手1之高度位置，求出機械手1上之基板W之撓曲量。
基板搬送裝置TID將基板W送至載置部PASS1時，使機械手1下降而將基板W載置至載置部PASS1之基板保持部。基板保持部例如具有複數個支持銷，該支持銷支持基板W之下表面。例如，支持銷至少支持基板W之中央部91之下表面。進行交接時，基板W之撓曲量越大，則基板W之下表面會在越高的位置抵接於基板保持部(支持銷)。
當將基板W載置於基板保持部時，為了減少其碰撞希望降低下降速度，另一方面，為了提高處理量，希望下降速度快。因此，理想的是，於基板W抵接於基板保持部之前加快下降速度，而使基板W抵接於基板保持部瞬間之下降速度降低。
因此，控制部140根據機械手1上之基板W之撓曲量，決定向載置部PASS1交接基板W時之下降速度。圖13係表示基板搬送裝置TID之動作之一示例之流程圖。圖13之示例中，示出基板W向載置部PASS1之交接動作之一示例。基板W載置於機械手1之上。首先，旋動機構33旋動機械手1，使機械手1與載置部PASS1相對(步驟S21)。繼而，升降機構32使機械手1之高度位置移動至預先設置之高度位置(步驟S22)。繼而，進退機構31使機械手1向前方移動，並使其停止在載置部PASS1之基板保持部上方的位置(步驟S23)。該位置例如預先設置。
繼而，升降機構32開始使機械手1下降(步驟S24)。藉此，機械手1之下降速度增加至目標值。繼而，控制部140根據機械手1上之基板W之撓曲量設置高度基準值(步驟S25)。基板W之撓曲量越大，該高度基準值設置得越高。可藉由例如實驗或模擬等，預先設置該高度基準值與基板W之撓曲量的對應關係。表示該對應關係之對應關係信息例如作為查找表或函數記憶於控制部140之記憶媒體中。控制部140根據基板W之撓曲量及記憶媒體中記憶之對應關係信息，設置高度基準值。
繼而，控制部140判斷機械手1當前之高度位置是否低於高度基準值(步驟S26)。再者，高度基準值的設置於該判斷處理之前進行即可，亦可在機械手1下降(步驟S24)之前進行。
控制部140根據例如自機械手1開始下降開始起的經過時間與下降速度，算出機械手1之高度位置。控制部140比較該高度位置與高度基準值，當高度位置在高度基準值以上時，再次執行步驟S26。
當機械手1之高度位置小於高度基準值時，升降機構32降低下降速度(步驟S27)。藉此，當基板W之撓曲量大時，升降機構32能自更高位置起使下降速度開始降低。因此，能在充分降低下降速度之狀態下，將基板W送至載置部PASS1之基板保持部。
而且，於機械手1之高度位置到達高度基準值之前，能使機械手1以較快之下降速度下降。因此，能以高處理量將基板W送至載置部PASS1之基板保持部。
當基板W載置於基板保持部(支持銷)之上時，升降機構32停止空的機械手1之下降，進退機構31使機械手1自載置部PASS1退出(步驟S28)。
如上所述，當撓曲量大時，能自更高之高度位置使機械手1之下降速度降低，當撓曲量小時，能自更低之高度位置使機械手1之下降速度降低。藉此，能在基板W抵接於基板載置部之前使下降速度充分降低，且在到達該高度位置之前使機械手1以較快之下降速度下降。因此，基板搬送裝置TID能以高處理量使基板W交接至載置部PASS1之基板保持部，且能使基板W載置於基板保持部瞬間之下降速度降低。
以上，說明了實施形態，但該基板搬送裝置可在不脫離其宗旨之範圍內進行上述實施形態以外的各種變更。本實施形態可於其公開之範圍內將各實施形態自由組合、或對各實施形態之任意構成要素進行變形、或省略各實施形態之任意構成要素。
例如上文所述之具體例中，傳感器2設置於機械手1之指部11之基端側(後方端側)。然而，傳感器2亦可設置於機械手1之指部11之前端側(前方側)。總的來說，於機械手1進入基板收容器C之進入狀態下，傳感器2亦可設於在測量方向D2上與基板W前方之端部相對之位置。
而且，上文所述之具體例中，傳感器2設於機械手1之指部11。然而，未必限於此。例如當指部11及連結部件12還連結有其他部件，傳感器2亦可與該其他部件連結。
而且，上文所述之示例中，為了求出基板W之撓曲量，自發光部21發出之光未被基板W遮擋之高度位置開始使機械手1上升。然而，當無需求出基板W之撓曲量時，未必限於此。例如，亦可在發光部21發出之光被基板W遮擋之高度位置，使機械手1進入至基板收容器C內。此時，於已使機械手1停止在基板收容器C內的停止位置之狀態下，傳感器2可檢測基板W於前後方向D1上之位置。
而且，上文所述之具體例中，基板搬送裝置TID將基板W載置至載置部PASS1時，根據基板W之撓曲量調整機械手1之下降速度。然而，該下降速度之調整未必在向載置部PASS1載置時進行。例如，於處理部120之各處理組件中，設有保持基板W之基板保持部。基板保持部有時包含例如形成有吸附基板W下表面之抽吸口的板狀之基板載置部、及使基板W升降之升降桿。基板載置部在基板W之至少中央附近抵接於基板W之下表面。於升降桿已上升之狀態下，升降桿於基板載置部之更上方支持基板W。當搬入基板W時，於升降桿已上升之狀態下，主搬送機構T1或主搬送機構T2將基板W載置於升降桿之上。升降桿支持著基板W並下降，將基板W載置於基板載置部之上。此時，升降桿亦可根據基板W之撓曲量調整下降速度。亦可藉由模擬或實驗等，預先設置升降桿上之基板W之撓曲量與機械手1上之基板W之撓曲量的對應關係。基板W之撓曲量越大，則升降桿自越高的位置起開始降低下降速度。藉此，能以高處理量將基板W交接至基板載置部，且能降低將基板W交接至基板載置部之時刻之下降速度。
1:機械手 2:檢測部(傳感器) 11:指部 12:連結部件 13:保持臂 13a:抽吸口 21:發光部 22:受光部 31:進退機構 32:升降機構 33:移動機構(旋動機構) 51:開口部 52:突起支持部 53:側壁 54:蓋 91:中央部 92:周緣部 110:傳載部 111:收容器載置台 120:處理部 121,122:單元 123:塗佈處理組件 124:熱處理組件 125:板 126:熱處理組件 127:塗佈處理組件 130:接口部 131:洗淨處理區塊 132:搬出搬入區塊 133a,133b:洗淨處理組件 140:控制部 141:運算部 A1:搬送空間 A2:搬送空間 C:基板收容器 H1,H2:保持臂 EXP:曝光機 LPa:搬入部 LPb:搬出部 T3a,T3b:搬送機構 TID:ID用搬送機構 TIF:IF用搬送機構 PASS1,PASS2,PASS3:載置部 P-BF:載置兼暫存部 Q1:旋轉軸線 W:基板
圖1係概略性表示基板處理裝置之構成之一示例的圖。 圖2係概略性表示基板收容器之構成之一示例的前視圖。 圖3係概略性表示基板收容器之構成之一示例的側視圖。 圖4係概略性表示基板之構成之一示例的立體圖。 圖5係概略性表示基板搬送裝置之構成之一示例的側視圖。 圖6係概略性表示基板搬送裝置之構成之一示例的俯視圖。 圖7係概略性表示基板與傳感器之位置關係之一示例的圖。 圖8係表示發光部發出之一部分光被基板遮擋之狀況之一概略示例的平面圖。 圖9係表示發光部發出之一部分光被基板遮擋之狀況之另一概略示例的平面圖。 圖10係表示基板搬送裝置之動作之一示例之流程圖。 圖11係概略性表示基板收容器內收納之基板之形狀之一示例的圖。 圖12係表示基板搬送裝置之動作之另一示例之流程圖。 圖13係表示基板搬送裝置之動作之一示例之流程圖。
1:機械手
2:檢測部
3:機械手移動機構
11:指部
12:連結部件
13:保持臂
21:發光部
31:進退機構
32:升降機構
33:移動機構(旋動機構)
140:控制部
141:運算部
TID:基板搬送裝置
Q1:旋轉軸線
W:基板

Claims (7)

  1. 一種基板搬送裝置，其係自基板收容器中取出基板且將該基板搬送至基板保持部者，該基板收容器具有將複數個基板以水平姿勢且於鉛垂方向空開間隔而積層之狀態予以收納之內部構造；該基板搬送裝置具備： 機械手； 進退機構，其使上述機械手於前後方向移動，而使上述機械手對上述基板收容器進入及退出； 升降機構，其使上述機械手上升，以上述機械手自下方托起上述基板； 移動機構，其使上述機械手移動至與上述基板收容器相對之位置；及 檢測部，其與上述機械手一體移動，於上述進退機構使上述機械手進入至上述基板收容器內部之進入狀態下，上述檢測部於與前後方向交叉之測量方向上設置於與上述基板相鄰之位置，且在上述進入狀態下檢測上述基板於前後方向之位置。
  2. 如請求項1之基板搬送裝置，其更具備： 記憶媒體，其記憶有上述基板收容器內部之上述基板於前後方向的基準位置；及 控制部，其基於由上述檢測部檢測出的上述基板於前後方向之位置、與上述記憶媒體中記憶之上述基準位置之比較，使上述進退機構調整處於上述進入狀態之上述機械手於前後方向之位置。
  3. 如請求項1或2之基板搬送裝置，其中 上述檢測部包括： 發光部及受光部，其等於測量方向上彼此相向地配置；以及 運算部； 上述發光部向上述受光部照射以前後方向為寬度方向之帶狀光， 上述運算部根據上述受光部接收到之光之受光量，求出上述基板於前後方向之位置。
  4. 如請求項1或2之基板搬送裝置，其中 上述檢測部設置於較載置上述基板之上述機械手之載置面更為上方。
  5. 如請求項1或2之基板搬送裝置，其中 於上述機械手形成有至少兩個抽吸口。
  6. 一種基板搬送方法，其係使用請求項3之基板搬送裝置搬送基板者，且具備以下工序： 在上述基板收容器內部，於與前後方向正交之左右方向上支持上述基板之兩端部； 上述升降機構使上述機械手在上述進入狀態下自一高度位置開始上升，該高度位置係自上述發光部照射之光不被上述基板遮擋的位置；及 上述運算部於上述機械手上升過程中，基於由上述受光部接收到之光之受光量變化了特定值以上時之上述機械手的位置，求出上述基板之撓曲量。
  7. 如請求項6之基板搬送方法，其更具備： 第1工序，其由上述進退機構使支持著上述基板之上述機械手移動至上述基板保持部之上；及 交接工序，其於上述第1工序之後，當上述升降機構使上述機械手下降而要將上述基板交接至上述基板保持部時，自基於上述運算部求出之上述基板之撓曲量得出之高度位置開始，一面使上述機械手之下降速度降低，並使上述機械手下降而將上述基板交接至上述基板保持部。
TW109120008A 2019-09-19 2020-06-15 基板搬送裝置及基板搬送方法 TWI792004B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019170692A JP2021048322A (ja) 2019-09-19 2019-09-19 基板搬送装置および基板搬送方法
JP2019-170692 2019-09-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202112640A true TW202112640A (zh) 2021-04-01
TWI792004B TWI792004B (zh) 2023-02-11

Family

ID=74878785

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109120008A TWI792004B (zh) 2019-09-19 2020-06-15 基板搬送裝置及基板搬送方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11302543B2 (zh)
JP (2) JP2021048322A (zh)
KR (1) KR102440092B1 (zh)
CN (1) CN112530847A (zh)
TW (1) TWI792004B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI745266B (zh) * 2021-05-31 2021-11-01 博斯科技股份有限公司 反應爐冷卻系統及其方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020116510A1 (ja) * 2018-12-07 2020-06-11 川崎重工業株式会社 基板搬送装置及びその運転方法
KR102240925B1 (ko) * 2019-07-17 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 반송 장치
CN115303796A (zh) * 2022-08-17 2022-11-08 深圳市鹏乐智能系统有限公司 一种提篮中晶圆承载铁原片的取放料机构

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW319751B (zh) * 1995-05-18 1997-11-11 Toshiba Co Ltd
US6298280B1 (en) * 1998-09-28 2001-10-02 Asyst Technologies, Inc. Method for in-cassette wafer center determination
JP2002076097A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Hirata Corp ウェハ転送装置およびウェハアライメント方法
JP4276440B2 (ja) 2003-01-06 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板検出方法及び装置並びに基板処理装置
JP4616873B2 (ja) 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
US8041450B2 (en) * 2007-10-04 2011-10-18 Asm Japan K.K. Position sensor system for substrate transfer robot
JP2010087473A (ja) * 2008-07-31 2010-04-15 Canon Anelva Corp 基板位置合わせ装置及び基板処理装置
JP5405911B2 (ja) 2009-06-12 2014-02-05 リンテック株式会社 搬送装置
JP5614326B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5447431B2 (ja) * 2011-05-09 2014-03-19 株式会社安川電機 ロボットシステム
JP5715904B2 (ja) 2011-07-29 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、及びこれに基板を搬送する基板搬送方法
JP5601331B2 (ja) * 2012-01-26 2014-10-08 株式会社安川電機 ロボットハンドおよびロボット
JP6088243B2 (ja) * 2012-12-28 2017-03-01 川崎重工業株式会社 エンドエフェクタ
US9111979B2 (en) * 2013-05-16 2015-08-18 Kevin P Fairbairn System and method for real time positioning of a substrate in a vacuum processing system
KR101462602B1 (ko) * 2013-10-01 2014-11-20 주식회사 에스에프에이 웨이퍼 맵핑 장치와 이의 동작 방법
JP5949741B2 (ja) * 2013-12-19 2016-07-13 株式会社安川電機 ロボットシステム及び検出方法
JP5929947B2 (ja) 2014-02-28 2016-06-08 株式会社安川電機 吸着パッド、ロボットハンドおよびロボット
JP6328534B2 (ja) * 2014-09-30 2018-05-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6506984B2 (ja) * 2015-02-13 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板検出装置、基板検出方法及び基板処理システム
JP6880364B2 (ja) * 2015-08-18 2021-06-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2018036235A (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置、基板処理装置、基板検査方法および基板処理方法
JP6885031B2 (ja) * 2016-11-18 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 露光装置、露光方法及び記憶媒体
US10747121B2 (en) * 2016-12-13 2020-08-18 Tokyo Electron Limited Optical processing apparatus and substrate processing apparatus
JP7088641B2 (ja) 2017-08-09 2022-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎ Ｓｐｅ テック 基板搬送装置
JP7023094B2 (ja) * 2017-12-05 2022-02-21 日本電産サンキョー株式会社 ロボット
US11004713B2 (en) * 2019-05-16 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Robot arm device and method for transferring wafer
US20200411348A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-31 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI745266B (zh) * 2021-05-31 2021-11-01 博斯科技股份有限公司 反應爐冷卻系統及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210033886A (ko) 2021-03-29
KR102440092B1 (ko) 2022-09-05
CN112530847A (zh) 2021-03-19
TWI792004B (zh) 2023-02-11
US11302543B2 (en) 2022-04-12
JP2024050968A (ja) 2024-04-10
JP2021048322A (ja) 2021-03-25
US20210090918A1 (en) 2021-03-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI792004B (zh) 基板搬送裝置及基板搬送方法
TWI425586B (zh) 基板搬送裝置及熱處理裝置
KR102119281B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5025231B2 (ja) 基板搬送処理装置
JP2011165693A (ja) 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP5875759B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP4664264B2 (ja) 検出装置及び検出方法
KR20170050061A (ko) 기판 처리 장치
JP5220517B2 (ja) 基板処理装置
JP2004342654A (ja) 基板処理装置
KR20120033226A (ko) 기판 반송 장치, 기판 반송 방법 및 그 기판 반송 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
JP5220505B2 (ja) 熱処理装置および基板処理装置
JP2006237262A (ja) 加熱処理装置
CN114551284A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2009032898A (ja) 回転式基板処理装置
JP2003203965A (ja) 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
US7431584B2 (en) Heat processing apparatus and heat processing method
JP5314461B2 (ja) 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP5995892B2 (ja) 基板を熱処理する方法、熱処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR20210003433A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102233465B1 (ko) 기판반송유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
JP4323905B2 (ja) 基板処理装置
JP7211142B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011210814A (ja) 基板処理ユニット、基板処理方法および基板処理装置
KR20100046808A (ko) 기판 처리 장치