TW202103240A - 蝕刻裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明關於蝕刻裝置，其包括蝕刻腔室、開閉蝕刻腔室的開閉單元及選擇性地約束開閉單元的鎖定單元。

Description

蝕刻裝置
本發明關於一種能夠提高蝕刻性能的蝕刻裝置。
氮化矽膜在半導體製程中用作代表性的絕緣膜，氮化矽膜具有與矽氧化膜、多晶矽膜、矽物件體表面等接觸的結構，藉助於CVD(Chemical vapor deposition，化學氣相沉積)製程而沉積，其透過乾法蝕刻裝置及濕法蝕刻裝置而去除。
乾法蝕刻裝置的乾法蝕刻主要加入氟類氣體和惰性氣體等，在真空狀態下進行，用於執行乾法蝕刻的裝備價格昂貴，因而在商業應用方面存在界限。因此，利用磷酸的濕法蝕刻比乾法蝕刻應用更廣泛。
濕法蝕刻裝置的濕法蝕刻是藉助於蝕刻液的化學反應而選擇性地在物件體(基板等)中蝕刻期望的物件層，可以根據要求的特性或蝕刻度等，簡便地混合組成具有與此相符的配比的蝕刻液而進行作業，提供比乾法蝕刻進一步提高的作業相容性，一次可以處理大量的物件體，裝置的價格低廉。
這種濕法蝕刻裝置由能夠開閉並在內部放置物件體的蝕刻腔室、用於向蝕刻腔室供應蝕刻液的蝕刻液供應部、用於向蝕刻腔室供應清洗液的清洗液供應部、用於使蝕刻腔室開閉的驅動部等構成。
可是，以往的濕法蝕刻裝置在蝕刻製程時，在蝕刻腔室的內部維持在加壓氣氛的情況下，高壓力作用於蝕刻腔室，因而要求堅固的封閉結構，以便蝕刻腔室的封閉狀態不變。
另外，以往的濕法蝕刻裝置在進行蝕刻時，蝕刻液的一部分氣化，物件體的溫度會因氣化熱而下降，由於蝕刻液的氣化，蝕刻液的濃度控制困難，因而發生損失，因此，為了既定地維持蝕刻液的濃度，現在正在使大量的去離子水及蝕刻液投入蝕刻槽來執行物件體的蝕刻，因大量去離子水及蝕刻液的投入導致經濟上的損失加大。
作為與本發明相關的現有文獻，有韓國授權專利第10-0691479號(2007年2月28日)，在該現有文獻中公開了一種大面積基板的蝕刻裝置。
解決的技術問題
本發明提供一種能夠提高蝕刻性能的蝕刻裝置。
技術方案
本發明的蝕刻裝置特徵在於，包括蝕刻腔室、開閉該蝕刻腔室的開閉單元及選擇性地約束該開閉單元的鎖定單元。
另外，該鎖定單元可以在約束該開閉單元移動的約束位置與解除約束的解除位置之間移動。
另外，該開閉單元可以具備：腔室開閉部，該腔室開閉部選擇性地打開該蝕刻腔室；及開閉驅動部，該開閉驅動部使該腔室開閉部驅動。
另外，可以還具備：引導該腔室開閉部的移動的第一引導部。
另外，可以還具備：將該蝕刻腔室維持在加壓氣氛的加壓維持部。
另外，該加壓維持部可以具備：加壓部，該加壓部使該蝕刻腔室維持在設置的壓力；及排氣部，該排氣部使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部。
另外，該鎖定單元可以約束該開閉單元，使得加壓氣氛的該蝕刻腔室封閉，當解除加壓氣氛時，可以解除該開閉單元的約束。
另外，可以還具備：第一約束部，該第一約束部配備於該開閉單元；及第二約束部，該第二約束部配備於該鎖定單元，與該第一約束部聯動，約束該開閉單元的移動。
另外，可以還具備：引導該第二約束部的移動的第二引導部。
另外，該加壓維持部可以將該腔室單元內的壓力維持在0.1帕至10帕。
可以還具備：向該蝕刻腔室供應蝕刻液的蝕刻液供應部。
另外，該蝕刻液可以選擇性地使用氫氟酸(HF)、硝酸(NHO3)、雙氧水(H2O2)、異丙醇(IPA)、氨水(NH4OH)、水(H2O)、磷酸(H3PO4)、硫酸(H2SO4)中至少一種或一種以上的混合物。
發明效果
本發明一個實施例的蝕刻裝置在蝕刻腔室封閉位置被約束，因而在將蝕刻腔室維持在加壓氣氛時，可以防止蝕刻腔室因高壓力而打開。
而且，使蝕刻時蝕刻腔室的內部維持在加壓氣氛，從而可以防止氣化現象，可以既定地維持蝕刻液的濃度，可以提高蝕刻選擇比。
另外，由於蝕刻液的濃度保持既定，因而不要求用於維持蝕刻液濃度的另外的去離子水及蝕刻液的追加投入，可以提高製品回收率，可以實現減少蝕刻液消耗量等，在經濟方面可以極大節省費用。
而且，在物件體浸於蝕刻液的狀態下實現蝕刻，因而可以較厚地形成蝕刻液的液膜，可以提高蝕刻性能。
下面參照圖式，詳細說明本發明的較佳實施例。
如果參照後面與圖式一同詳細敘述的實施例，本發明的優點及特徵以及達成其的方法將會明確。
但是，本發明並非限定於以下公開的實施例，可以以互不相同的多樣形態體現，不過，本實施例提供用於使本發明的公開更完整，向本發明所屬技術領域的具有通常知識者完整地告知發明的範疇，本發明只由申請專利範圍的範疇所定義。
另外，在說明本發明方面，當判斷認為相關習知技術等可能混淆本發明要旨時，省略與其相關的詳細說明。
圖1是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的立體圖，圖2是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開狀態的主視圖，圖3是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的主視圖。另外，圖4是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開狀態的側視圖，圖5是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的側視圖，圖6是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的主視剖面圖。
圖7是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室和第一噴嘴及第二噴嘴的立體圖，圖8是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室和第一噴嘴及第二噴嘴的仰視圖，圖9是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第一噴嘴和第二噴嘴的立體圖。
圖10是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的蝕刻液供應部和沖洗液供應部及清洗液供應部間的連接結構的構成圖，圖11是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的蝕刻液供應部和沖洗液供應部、清洗液供應部及加壓存儲部間的連接結構的構成圖，圖12是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的主視剖面圖。
圖13是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開後供應物件體的過程的主視剖面圖，圖14是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的托架的立體圖，圖15是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的升降部的立體圖。
如果參照圖1至15，本發明一個實施例的蝕刻裝置包括蝕刻腔室100、開閉單元200及鎖定單元300。
蝕刻腔室100能開閉地配備，可以選擇性地向內部的壓力室101供應高溫的蝕刻液(磷酸：H3PO4等) L1和常溫的沖洗液(磷酸：H3PO4等) L2及清洗液(水等) L3。壓力室101可以藉助於後述的加壓部800而保持在加壓氣氛。
在本發明一個實施例的蝕刻裝置中，蝕刻液L1及沖洗液L2並不限定，可以使用多樣的種類。本發明一個實施例的蝕刻液L1及沖洗液L2可以選擇性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一者或一者以上的混合物。
蝕刻腔室100可以具備第一腔室110及在第一腔室110的上部能開閉地配備的第二腔室120。在第一腔室110與第二腔室120之間，形成有既定面積的壓力室101，在第一腔室110的下部，可以上下貫通有第一連結部111，以便後述的旋轉軸420結合，可以上下貫通有第二連結部112，以便後述的升降銷530結合。
另外，在第一腔室110的上部可以向下部凹陷地形成有容納部123，在容納部123的上部，可以配置有用於安放物件體W的托架401、402，在容納部123的底面，可以形成有沿邊緣向下傾斜地形成的傾斜部124。
傾斜部124可以具有使落於上部的蝕刻液L1和沖洗液L2及清洗液L3能夠移動到邊緣的角度，在第一腔室110的下部可以形成有用於使容納部123中容納的蝕刻液L1和沖洗液L2及清洗液L3排出到外部的排出部125，排出部125可以與外部的存儲部(圖上未示出)連接。
第二腔室120可以在第一腔室110的上部結合及分離而開閉壓力室101，形成有蝕刻液投入口121，以便與第一腔室110結合時，蝕刻液L1供應到壓力室101內部。蝕刻液投入口121可以在第二腔室120的側部水準地貫通，連接壓力室101與外部，蝕刻液供應部600可以藉助於連接部610而連接於蝕刻液投入口121。
蝕刻液供應部600可以透過蝕刻液投入口121，以高溫狀態供應蝕刻液L1，第二腔室120藉助於開閉單元200，可以配備得能升降到下部的封閉位置和上部的打開位置。
本發明一個實施例的蝕刻液供應部600可以使供應到壓力室101內部的蝕刻液L1迴圈到外部後，透過蝕刻液投入口121重新供應。蝕刻液供應部600可以以存儲腔室、加熱器、閥門及泵等而進行配備，在蝕刻液供應部600還可以具備用於調節蝕刻液L1的溫度的溫度控制部。
蝕刻液供應部600可以供應蝕刻液L1和沖洗液L2，可以構成另外的沖洗液供應部650。此時，沖洗液供應部650可以透過蝕刻液投入口121或另外的沖洗液投入口，向壓力室101投入沖洗液L2。
存儲腔室可以以既定壓力存儲蝕刻液L1，可以藉助於連接部610而與蝕刻液投入口121連接，加熱器可以安裝於存儲腔室，將蝕刻液L1加熱到設置溫度。閥門可以安裝於連接部610，使開閉狀態可變，泵可以以連接於連接部610的狀態，傳遞抽吸壓力。
另外，第二腔室120可以形成有清洗液投入口122，以便從外部供應清洗液(標準清潔液1(SC1)、氫氟酸稀釋溶液(DHF)、異丙醇(IPA)、去離子水(DIW)等)L3。藉助於連接部710，在清洗液投入口122可以還連接有清洗液供應部700。清洗液投入口122可以在第二腔室120的側部水準地貫通，連接壓力室101與外部。
在本發明一個實施例的蝕刻腔室100，可以具備用於對壓力室101的內部加壓的加壓部800及用於使壓力室101的內部壓力排出到外部的排氣部900。
加壓部800可以在使第一腔室110和第二腔室120封閉的狀態下，向壓力室101供應經壓縮的氣體(氮氣(N2)等)，使壓力室101維持在設置壓力。加壓部800可以向壓力室101的內部供應經壓縮的氣體，在加壓部800也可以電氣連接有用於測量壓力室101的內部壓力的感知部(圖上未示出)。
排氣部900可以使壓力室101的氣體排出到外部，使得與蝕刻液供應部600的存儲腔室發生壓力差異，或在打開第二腔室120之前，使壓力室101維持在大氣壓狀態。
開閉單元200用於開閉蝕刻腔室100，開閉單元200可以具備選擇性地打開蝕刻腔室100的腔室開閉部210，及使腔室開閉部210驅動的開閉驅動部220。
腔室開閉部210能升降地配備，腔室開閉部210的上端連接於第二腔室120，開閉驅動部220與腔室開閉部210連接並傳遞升降驅動力。
其中，腔室開閉部210可以豎直地具有長度，腔室開閉部210的上端可以連接於第二腔室120的側部，腔室開閉部210可以分別配置於第二腔室120的兩側。
開閉驅動部220可以使用空壓(pneumatic)或液壓缸(Cylinder)等。此時，在開閉驅動部220的下部，能出沒地配備有連桿，開閉驅動部220的連桿的下端水準地連接於腔室開閉部210的下端。
另外，在腔室開閉部210的側面，凹陷地形成有第一約束部211，以便後述的第二約束部320掛接或解除掛接，第一約束部211可以沿著腔室開閉部210的四周連續形成。這種腔室開閉部210藉助於開閉驅動部220的驅動力而與第二腔室120一同上升到打開位置或下降到封閉位置。
另外，第一約束部211的入口部位可以以上下方向的寬度向打開方向越來越逐漸增加的方式傾斜地形成，由於第一約束部211的入口部位寬闊地形成，因而當後述第二約束部320的前端插入時可以防止干涉。
另外，在腔室開閉部210的一側，可以還配備有用於引導上下方向移動的第一引導部230。第一引導部230可以沿上下方向具有長度，在第一引導部230的一側，第一軌道231可以沿上下方向形成。即，在腔室開閉部210與第一引導部230結合的狀態下上下滑動移動，因而腔室開閉部210可以無遊動地升降。
另外，在腔室開閉部210的一側可以配備有連接部，以便能夠沿著第一引導部230的第一軌道231而滑動移動，腔室開閉部210的連接部可以與第一軌道231以凸凹方式能滑動移動地結合。
鎖定單元300用於選擇性地約束開閉單元200，鎖定單元300可以在約束開閉單元200移動的約束位置與解除約束的解除位置之間移動。
鎖定單元300用於約束開閉單元200，使得加壓氣氛的蝕刻腔室100封閉，在解除加壓氣氛時，且解除開閉單元200的約束，鎖定單元300可以具備鎖定驅動部310及與第一約束部211聯動而約束開閉單元200移動的第二約束部320。
鎖定驅動部310可以使用空壓或液壓缸(Cylinder)等。此時，在腔室開閉部210的一側能出沒地安裝有連桿，鎖定驅動部310的連桿可以在前端連接有第二約束部320。
如圖5所示，腔室開閉部210可以與第二腔室120一同下降到約束位置，第二約束部320藉助於鎖定驅動部310的驅動力而向一側前進，掛接位於第一約束部211。此時，第二約束部320的前端可以插入於第一約束部211，第一約束部211可以藉助於第二約束部320而沿上下方向掛接配置。
在第二約束部320的前端可以凹陷地形成有把持槽321，以便在插入於第一約束部211時，包圍第一約束部211的側面。把持槽321可以具有與第一約束部211對應的形狀。
另外，在鎖定單元300的一側，可以還具備用於引導第二約束部320移動的第二引導部330。第二引導部330可以向兩側具有長度，在第二引導部330的一側，第二軌道331可以沿兩側形成。即，第二約束部320在與第二引導部330結合的狀態下向兩側滑動移動，因而第二約束部320可以無遊動地移動。
另外，在第二約束部320的一側可以以能沿第二引導部330的第二軌道331滑動移動的方式配備有連接部，第二約束部320的連接部可以與第二軌道331以凸凹方式能滑動移動地結合。
另外，第一腔室110和開閉單元200及鎖定單元300可以安裝於底座部10。第一腔室110可以水準地固定於底座部10，腔室開閉部210可以透過底座部10而豎直地貫通結合，第一約束部211可以在底座部10的下部升降到約束位置和解除約束的解除位置。
另外，開閉驅動部220可以豎直地結合於底座部10的下部，開閉驅動部220的連桿可以向下部出沒，開閉驅動部220的連桿與腔室開閉部210的下端可以在側方連接。
另外，鎖定驅動部310可以水準地結合於底座部10的下部，第二約束部320可以在底座部10的下部，與第一約束部211掛接或解除掛接，第二引導部330可以以水準地結合於底座部10下部的狀態引導第二約束部320。
另一方面，本發明一個實施例的蝕刻裝置如圖10和11所示，可以包括蝕刻腔室100、蝕刻液供應部600、沖洗液供應部650、清洗液供應部700及第一加壓維持部810。
蝕刻液供應部600可以以高溫向蝕刻腔室100供應蝕刻液L1，蝕刻液供應部600在蝕刻液L1的溫度為設置溫度以下時，終止蝕刻液L1向蝕刻腔室100的供應，將蝕刻液L1加熱到設置溫度。
其中，蝕刻液供應部600可以包括存儲腔室620、抽吸部630及溫度維持部640。存儲腔室620存儲有蝕刻液L1，抽吸部630配備於後述的供應管線部21，使蝕刻液L1移動，溫度維持部640將存儲腔室620存儲的蝕刻液L1維持在設置溫度。
溫度維持部640可以具備：加熱器641，該加熱器641配備於存儲腔室620；及溫度控制部642，該溫度控制部642感知蝕刻液L1的溫度，控制加熱器641的驅動，以便蝕刻液L1維持在設置溫度。加熱器641將存儲腔室620容納的蝕刻液L1加熱到設置溫度，抽吸部630可以以連接於供應管線部21的狀態傳遞抽吸壓力。
而且，可以具備：供應管線部21，該供應管線部21連接蝕刻液供應部600與蝕刻腔室100；迴圈管線部30，該迴圈管線部30連接供應管線部21與蝕刻液供應部600；及回收管線部40，該回收管線部40將蝕刻腔室100排出的蝕刻液L1供應到蝕刻液供應部600。
另外，可以包括選擇性地開閉供應管線部21的供應開閉部22、選擇性地開閉迴圈管線部30的迴圈開閉部31及選擇性地開閉回收管線部40的回收開閉部41。
沖洗液供應部650向蝕刻腔室100供應沖洗液L2，可以具備連接沖洗液供應部650與蝕刻腔室100的沖洗液管線部70及選擇性地開閉沖洗液管線部70的沖洗開閉部71。
清洗液供應部700向蝕刻腔室100供應清洗液L3，可以還具備連接清洗液供應部700與蝕刻腔室100的清洗液管線部80及選擇性地開閉清洗液管線部80的清洗開閉部81。
第一加壓維持部810使蝕刻腔室100與蝕刻液供應部600中至少任意一個維持在加壓氣氛。此時，一個第一加壓維持部810可以統合控制蝕刻腔室100與蝕刻液供應部600，或第一加壓維持部810分別連接於蝕刻腔室100與蝕刻液供應部600，獨立地進行控制。
另外，可以還具備：加壓存儲部126，該加壓存儲部126容納從蝕刻腔室100排出的沖洗液L2與清洗液L3中至少任意一種；及第二加壓維持部820，該第二加壓維持部820將加壓存儲部126維持在加壓氣氛。
另一方面，本發明一個實施例的蝕刻裝置如圖10所示，可以還具備：排出管線部60，該排出管線部60將蝕刻腔室100排出的沖洗液L2與清洗液L3中的任意一種排出到外部；及排出開閉部61，該排出開閉部61選擇性地開閉排出管線部60。
即，透過蝕刻腔室100的排出口排出到外部的沖洗液L2與清洗液L3中的任意一種，可以在打開排出開閉部61後，透過排出管線部60排出到外部。
另一方面，本發明另一實施例的蝕刻裝置如圖11所示，可以還具備連接蝕刻腔室100與加壓存儲部126的加壓排出管線部50及選擇性地開閉加壓排出管線部50的加壓開閉部51。
即，透過蝕刻腔室100的排出口排出到外部的沖洗液L2與清洗液L3中的任意一種，可以在打開加壓開閉部51後，透過加壓排出管線部50存儲於加壓存儲部126，在使加壓存儲部126的壓力排出到外部的狀態下，可以使加壓存儲部126存儲的沖洗液L2與清洗液L3中的任意一種排出到外部。
如果說明蝕刻液供應部600的蝕刻液L1供應過程，則打開供應開閉部22與回收開閉部41，透過供應管線部21，向蝕刻腔室100的投入口供應高溫的蝕刻液L1，使從蝕刻腔室100的排出口排出的蝕刻液L1，透過回收管線部40移動到蝕刻液供應部600的存儲腔室620。
與此同時，封閉迴圈開閉部31、沖洗開閉部71和清洗開閉部81，封閉排出開閉部61或加壓開閉部51。此時，迴圈管線部30、沖洗液管線部70及清洗液管線部80封閉，排出管線部60或加壓排出管線部50封閉。
在此過程中，蝕刻液供應部600在蝕刻液L1的溫度為設置溫度以下時，終止蝕刻液L1向蝕刻腔室100的供應，將蝕刻液L1加熱到設置溫度。
在蝕刻液L1的溫度為設置溫度以下時，打開迴圈開閉部31，使蝕刻液L1沿著迴圈管線部30迴圈，使供應開閉部22與回收開閉部41封閉。
在該狀態下，蝕刻液L1只透過連接供應開閉部22與存儲腔室620的供應管線部21的一部分區間和迴圈管線部30進行連續地迴圈，蝕刻液L1藉助於加熱器641而加熱至達到設置溫度時為止。
然後，當蝕刻液L1的溫度達到設置溫度時，打開供應開閉部22和回收開閉部41，透過供應管線部21，向蝕刻腔室100的投入口供應高溫的蝕刻液L1，使透過蝕刻腔室100的排出口排出的蝕刻液L1，透過回收管線部40移動到蝕刻液供應部600的存儲腔室620。
即，在蝕刻液供應部600的蝕刻液L1供應過程中，當蝕刻液L1的溫度下降到設置溫度以下時，終止蝕刻過程，進行使蝕刻液L1迴圈而加熱到設置溫度的過程，由此，可以使蝕刻液L1維持在適合製程的溫度。
如果說明沖洗液供應部650的沖洗液L2供應過程，則打開沖洗開閉部71，透過沖洗液管線部70，向蝕刻腔室100的投入口供應常溫的沖洗液L2，打開排出開閉部61或加壓開閉部51。
與此同時，封閉供應開閉部22、回收開閉部41、迴圈開閉部31及清洗開閉部81。此時，供應管線部21、回收管線部40、迴圈管線部30及清洗液管線部80封閉。
在此過程中，透過蝕刻腔室100的排出口排出到外部的沖洗液L2，可以透過排出管線部60排出到外部，或透過加壓排出管線部50存儲於加壓存儲部126。
如果說明清洗液供應部700的清洗液L3供應過程，則打開清洗開閉部81，透過清洗液管線部80，向蝕刻腔室100的投入口供應清洗液L3，打開排出開閉部61或加壓開閉部51。
與此同時，封閉供應開閉部22、回收開閉部41、迴圈開閉部31及清洗開閉部81。此時，供應管線部21、回收管線部40、迴圈管線部30及清洗液管線部80封閉。
在此過程中，透過蝕刻腔室100的排出口排出到外部的清洗液L3，可以透過排出管線部60排出到外部，或透過加壓排出管線部50存儲於加壓存儲部126。
另一方面，本發明另一實施例的蝕刻裝置可以包括第一噴嘴130及第二噴嘴140。第一噴嘴130用於向安放於壓力室101的物件體W上部，向下噴射高溫的蝕刻液L1或常溫的沖洗液L2，第一噴嘴130的一端透過蝕刻腔室100的側部，以第一角度插入於壓力室101。
其中，第一噴嘴130可以向插入方向具有既定長度，第一噴嘴130的長度方向側一端可以透過第二腔室120的蝕刻液投入口121插入而位於壓力室101的內部，相反的一端可以露出於第二腔室120的外部。
第一噴嘴130在物件體W的蝕刻或沖洗時，從蝕刻液供應部600得到蝕刻液L1或沖洗液L2的供應，在第一噴嘴130的內部，用於使蝕刻液L1或沖洗液L2移動的流路沿長度方向形成，在第一噴嘴130的下部形成有第一吐出口131，以便蝕刻液L1或沖洗液L2向下部噴射。
此時，第一噴嘴130的長度方向側一端位於安放在後述托架401、402的物件體W的中心部W1，第一吐出口131可以在第一噴嘴130的下部排列一個，或沿長度方向，以隔開狀態排列多個。第一噴嘴130的長度方向側一端可以水準地位於壓力室101的內部，隔開位於後述托架401、402的上部，但第一噴嘴130的安裝角度可以根據需要而多樣地設置。
第二噴嘴140用於在清洗物件體W時，向安放於壓力室101的物件體W的上部向下噴射清洗液L3，第二噴嘴140的一端透過蝕刻腔室100的側部，按第二角度插入於壓力室101。第二噴嘴140可以沿插入方向具有既定長度，第二噴嘴140的長度方向側一端可以透過第二腔室120的清洗液投入口122插入，位於壓力室101的內部，相反的一端可以露出於第二腔室120的外部。
另外，第二噴嘴140在清洗物件體W時，從清洗液供應部700得到清洗液L3的供應，在第二噴嘴140的內部，用於使清洗液L3移動的流路沿長度方向形成，在第二噴嘴140的下部形成有第二吐出口141，以便清洗液L3向下部噴射。
第二噴嘴140的長度方向側一端位於安放在後述托架401、402的物件體W的中心部W1，第二吐出口141可以在第二噴嘴140的下部排列一個，或沿長度方向，以隔開狀態排列多個。第二噴嘴140的長度方向側一端可以水準地位於壓力室101的內部，隔開位於後述托架401、402的上部，但第二噴嘴140的安裝角度可以根據需要而多樣地設置。
這種第一噴嘴130在蝕刻物件體W時，可以將蝕刻液L1噴射至物件體W的中心部和邊緣，在沖洗物件體W時，可以將沖洗液L2噴射至物件體W的中心部和邊緣，第二噴嘴140在清洗物件體W時，可以將清洗液L3噴射至物件體W的中心部W1和邊緣。
第一噴嘴130和第二噴嘴140的長度方向側一端向物件體W的中心部W1延長，第一噴嘴130和第二噴嘴140越向物件體W的中心部W1延長，相互間的距離越近。此時，插入於蝕刻液投入口121的第一噴嘴130的供應方向側一端和插入於清洗液投入口122的第二噴嘴140的供應方向側一端，以寬間隔隔開配置，位於物件體W中心部W1的第一噴嘴130的噴射方向側一端與位於物件體W的中心部W1的第二噴嘴140的噴射方向側一端，以相對較窄的間隔隔開配置。
本發明一個實施例的蝕刻裝置如圖4和6所示，可以在第一腔室110的容納部123內配備有托架401。托架401可以在容納部123的內部，以豎直旋轉中心為基準而能旋轉地配置，在托架401的上部，可以安裝有用於支撐物件體W的支撐銷411。
另外，托架401可以具有圓盤形狀，在托架401的下部，形成豎直旋轉中心的旋轉軸420可以豎直地凸出，旋轉軸420可以透過第一腔室110的第一連結部111而豎直地貫通結合。
另外，旋轉驅動部440可以以機械方式連接於旋轉軸420，托架401可以藉助於從旋轉驅動部440傳遞到旋轉軸420的旋轉力而旋轉。
就本發明一個實施例的托架401而言，可以使用在使物件體W安放於支撐銷411後，利用卡盤(圖上未示出)使物件體W固定(卡緊)的構成(圖上未示出)。
另一方面，在第一連結部111可以還配備有以貼緊狀態包圍旋轉軸420的旋轉方向的環狀的第一密封構件(圖上未示出)，第一密封構件可以使用聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)等材料。
在第一密封構件的內周面可以凸出有第一肋部(圖上未示出)，第一肋部可以沿第一密封構件的內周面連續地形成。第一肋部傾斜地向上部或下部凸出，可以傾斜地貼緊旋轉軸420的半徑方向(旋轉方向)，第一肋部可以沿第一密封構件的上下方向排列一個以上。
這種第一密封構件由於第一肋部緊密地貼緊旋轉軸420的外面，因而可以確保對第一連結部111與旋轉軸420之間的氣密性能。
另外，在第一連結部111可以結合有能旋轉地支撐旋轉軸420的半徑方向的軸承(圖上未示出)，軸承可以位於第一密封構件的上部和下部，在軸承與第一密封構件之間，可以結合有包圍旋轉軸420的半徑方向的墊圈構件(圖上未示出)。
本發明一個實施例的蝕刻裝置如圖12至15所示，可以在第一腔室110的容納部123內配備有托架402。托架402可以具有圓盤形狀，在托架402的下部，形成豎直旋轉中心的旋轉軸420可以豎直地凸出，旋轉軸420可以透過第一腔室110的第一連結部111而豎直地貫通結合。旋轉驅動部440可以以機械方式連接於旋轉軸420，托架402可以藉助於從旋轉驅動部440傳遞到旋轉軸420的旋轉力而旋轉。
另一方面，在第一連結部111可以還配備有以貼緊狀態包圍旋轉軸420的旋轉方向的環狀的第一密封構件(圖上未示出)，第一密封構件可以使用聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)等材料。在第一密封構件的內周面可以凸出有第一肋部(圖上未示出)，第一肋部可以沿第一密封構件的內周面連續地形成。
第一肋部傾斜地向上部或下部凸出，可以傾斜地貼緊旋轉軸420的半徑方向(旋轉方向)，第一肋部可以沿第一密封構件的上下方向排列一個以上。這種第一密封構件由於第一肋部緊密地貼緊旋轉軸420的外面，因而可以確保對第一連結部111與旋轉軸420之間的氣密性能。
另外，在第一連結部111可以結合有能旋轉地支撐旋轉軸420的半徑方向的軸承(圖上未示出)，軸承可以位於第一密封構件的上部和下部，在軸承與第一密封構件之間，可以結合有包圍旋轉軸420的半徑方向的墊圈構件(圖上未示出)。
另一方面，本發明另一實施例的托架402可以使用與前述托架401的放置方式(卡緊)不同的放置方式。本發明一個實施例的托架402如圖12至14所示，可以使用在上部安放蝕刻物件體W的蝕刻性能提高部412。
蝕刻性能提高部412凹陷地形成，以便物件體W以插入的狀態安放，浸於蝕刻液L1中。蝕刻性能提高部412可以具備：安放面412a，該安放面412a沿邊緣形成，以便物件體W安放；及凸出部412b，該凸出部412b沿安放面412a的邊緣形成，在物件體W的上部容納蝕刻液L1。
安放面412a可以沿托架402的內周面連續形成，凸出部412b的上端高於安放面412a，凸出部412b可以沿安放面412a的邊緣連續形成。
另外，在托架402上，通道430可以上下貫通，以便空氣上下透過，通道430使空氣上下透過，因而將物件體W的邊緣安放於安放面412a時，可以防止物件體W因浮力而上升。
另外，在壓力室101的內部，可以還具備用於使物件體W在壓力室101的內部升降的升降部500。升降部500在上升時，使物件體W位於托架402的上部，在下降時，使物件體W安放於蝕刻性能提高部412。
升降部500可以具備：主體510，該主體510能在托架402的下部升降；及支撐銷520，該支撐銷520從主體510向上部凸出，能透過通道430而升降，支撐物件體W的下部。
在主體510的下部可以豎直地凸出有升降銷530，升降銷530可以透過第一腔室110的第二連結部112而豎直地貫通結合，升降驅動部540可以以機械方式連接於升降銷530。
在第二連結部112，可以還具備以貼緊狀態包圍升降銷530的寬度方向的環狀的第二密封構件(圖上未示出)，第二密封構件可以使用聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)等材料。
在第二密封構件的內周面可以凸出有第二肋部(圖上未示出)，第二肋部可以沿第二密封構件的內周面連續形成。第二肋部可以向上部或下部傾斜地凸出，傾斜地貼緊升降銷530的寬度方向，第二肋部可以沿第二密封構件的上下方向排列一個以上。這種第二密封構件由於第二肋部緊密地貼緊升降銷530的外面，因而可以確保第二連結部112與升降銷530之間的氣密性能。
另一方面，在第二連結部112可以結合有能旋轉地支撐升降銷530的寬度方向的軸承(圖上未示出)，軸承可以位於第二密封構件的上部和下部，在軸承與第二密封構件之間，可以結合有包圍升降銷530的寬度方向的墊圈構件(圖上未示出)。
另一方面，前述的升降驅動部540和旋轉驅動部440可以藉助於控制部(圖上未示出)而控制驅動，可以根據控制部的驅動控制，控制旋轉驅動部440的旋轉速度等以及升降驅動部540的升降定時及速度等。
下面參照圖16和17，說明本發明一個實施例的蝕刻裝置的運轉，對於與前述構成相同的構成，不再反復說明。
本發明一個實施例的蝕刻裝置如圖16所示，可以包括載入步驟S100、加壓步驟S200、蝕刻步驟S300、沖洗步驟S400、清洗步驟S500、乾燥步驟S600、減壓步驟S700及卸載步驟S800。
載入步驟S100是使物件體W安放於托架401、402的上部的過程。載入步驟S100在使第二腔室120打開後，使物件體W安放於托架401、402的上部。
本發明一個實施例的載入步驟S100可以使第二腔室120打開，使物件體W安放於托架401的支撐銷411。
另一方面，本發明另一實施例的載入步驟S100可以包括上升步驟S110、供應步驟S120及下降步驟S130。
上升步驟S110是使升降驅動部540驅動而使升降部500上升到物件體W支撐位置的過程。上升步驟S110是升降銷530藉助於升降驅動部540的升降驅動力而在第二連結部112的內部上升，支撐銷520的上端透過通道430而位於托架402的上部。
物件體供應步驟S120是透過打開的壓力室101而投入物件體W並使物件體W安放於支撐銷520上端的過程，安放於支撐銷520上端的物件體W隔開位於托架402的上部。
下降步驟S130是使升降部500下降，使物件體W安放於托架402的過程。在下降步驟S130中，物件體W水準地安放於托架402的蝕刻性能提高部412。
此時，支撐銷520的上端透過通道430而位於安放面412a的下部，物件體W的邊緣安放於安放面412a，安放於安放面412a的物件體W的上面處在低於凸出部412b上端的位置。
加壓步驟S200使第二腔室120結合於第一腔室110，使壓力室101封閉後，驅動加壓部800而向壓力室101供應氣體(N2等)，將壓力室101加壓為設置壓力。
蝕刻步驟S300使蝕刻液供應部600驅動，透過第一噴嘴130的第一吐出口131噴射高溫的蝕刻液L1，驅動旋轉驅動部440而使托架401、402旋轉(10~500rpm等)。
本發明一個實施例的蝕刻步驟S300可以向安放於托架401的支撐銷411的物件體W噴射蝕刻液L1，當向與托架401一同旋轉的物件體W噴射蝕刻液L1時，蝕刻液L1藉助於離心力而可以透過物件體W的邊緣脫落到外部並容納於容納部123。
另一方面，本發明另一實施例的蝕刻步驟S300可以向安放於托架402的蝕刻性能提高部412的物件體W噴射蝕刻液L1，物件體W可以以浸於凸出部412b內部容納的蝕刻液L1中的狀態實現蝕刻。
向與托架402一同旋轉的對象物W噴射蝕刻液L1時，蝕刻液L1藉助於離心力而可以透過物件物W的邊緣脫落到外部並容納於容納部123。
高溫的蝕刻液L1容易因大氣而失去溫度，當向物件體W上部噴射的蝕刻液L1因離心力而向邊緣展開時，物件體W的中心側和邊緣側的蝕刻液L1因熱損失而導致溫度差增大，物件體W的邊緣側會比中心側相對無法實現蝕刻。
即，物件體W在浸於凸出部412b內容納的蝕刻液L1的狀態下實現蝕刻，因而可以減小蝕刻液L1的溫度偏差，由此，可以均一地蝕刻物件體W的表面。
另外，在蝕刻步驟S300中，容納部123中容納的蝕刻液L1可以透過排出部125移動到外部的蝕刻液供應部600，或可以移動到另外的存儲部(圖上未示出)，蝕刻液供應部600可以將蝕刻液L1透過蝕刻液投入口121以高溫(175℃等)狀態供應，可以使供應到壓力室101內部的蝕刻液L1迴圈，透過蝕刻液投入口121重新供應。
此時，透過蝕刻液投入口121供應到壓力室101的蝕刻液L1可以藉助於蝕刻液供應部600而維持在設置溫度，蝕刻液供應部600可以調節蝕刻液L1的溫度而獲得期望的蝕刻率和選擇比。
沖洗步驟S400是用於向蝕刻腔室100內供應沖洗液L2來洗滌物件體W的過程。沖洗步驟S400驅動蝕刻液供應部600，透過第二噴嘴140的第二吐出口141來噴射常溫的沖洗液(磷酸：H3PO4等)L2，冷卻物件體W既定時間，去除物件體W存留的副產物和蝕刻液L1。
另外，沖洗步驟S400可以透過蝕刻液投入口121或另外的投入口(圖上未示出)來供應沖洗液L2，在沖洗步驟S400中，可以將壓力室101維持在加壓氣氛，或使壓力室101的內部壓力排出到外部，使壓力室101維持在大氣壓狀態。在沖洗步驟S400中，容納部123容納的沖洗液L2可以透過排出部125而排出到外部的存儲部(加壓箱、洩放箱等，圖上未示出)。
蝕刻步驟S300和沖洗步驟S400以蝕刻液L1供應方向與沖洗液L2的供應方向不同的方式供應蝕刻液L1和沖洗液L2，越向物件體W中心部W1，蝕刻液L1和沖洗液L2的噴射位置越靠近。
清洗步驟S500在透過第二腔室120的清洗液投入口122供應清洗液(水等)L3的同時，托架401、402可以藉助於旋轉驅動部440旋轉力的傳遞而旋轉。在清洗步驟S500中，容納部123容納的清洗液L3可以透過排出部125而排出到存儲部(加壓箱、洩放箱等，圖上未示出)。
乾燥步驟S600是使物件體W乾燥的過程。乾燥步驟S600的乾燥方式可以根據需要而多樣地應用，在乾燥步驟S600中，托架401、402可以藉助於旋轉驅動部440旋轉力的傳遞而旋轉。
在乾燥步驟S600和清洗步驟S500中，可以使壓力室101維持在加壓氣氛，或使壓力室101的內部壓力排放到外部，在大氣壓狀態下實施清洗及乾燥。例如可以以驅動排氣部900或打開第二腔室120的方式來排出壓力室101的內部壓力。
減壓步驟S700是使壓力室101的內部壓力排出到外部的過程。減壓步驟700驅動排氣部900而使壓力室101的壓力排出到外部，藉助於排氣部900壓力的排出，壓力室101轉換為大氣壓狀態。
卸載步驟S800是使物件體W排出到外部的過程。本發明一個實施例的卸載步驟S800可以在打開第二腔室120後，使安放於托架401的支撐銷411的物件體W排出到外部。
另一方面，本發明另一實施例的卸載步驟S800可以在使第二腔室120打開後，使升降部500上升，使物件體W排出到壓力室101的外部。
本發明一個實施例的蝕刻裝置在蝕刻腔室100封閉的位置被約束，因而在將蝕刻腔室100的壓力室101維持在加壓氣氛時，可以防止蝕刻腔室100因高壓力而打開。
而且，蝕刻時，蝕刻腔室100的內部維持在加壓氣氛，從而可以防止氣化現象，可以既定地維持蝕刻液L1的濃度，可以提高蝕刻選擇比。
另外，蝕刻液L1的濃度維持既定，因而不要求追加投入用於維持蝕刻液L1濃度的另外的去離子水及蝕刻液，可以提高製品回收率，可以達成減少蝕刻液L1消耗量等，在經濟方面可以極大節省費用，物件體W在浸於蝕刻液L1的狀態下實現蝕刻，因而可以更厚地形成蝕刻液L1的液膜，可以提高蝕刻性能。
以上就本發明的蝕刻裝置的具體實施例進行了說明，在不超出本發明範圍的限度內，可以進行多種變形實施，這是不言而喻的。
因此，本發明的範圍不得局限於說明的實施例確定，應根據後述的申請專利範圍以及與申請專利範圍等同的範圍確定。
即，前述實施例在所有方面應理解為只是示例而非限定，與詳細說明相比，本發明的範圍由後述的申請專利範圍所代表，從申請專利範圍的意義及範圍以及其等價概念匯出的所有變更或變形的形態應解釋為包括於本發明的範圍。
10:底座部 21:供應管線部 22:供應開閉部 30:迴圈管線部 31:迴圈開閉部 40:回收管線部 41:回收開閉部 50:加壓排出管線部 51:加壓開閉部 60:排出管線部 61:排出開閉部 70:沖洗液管線部 71:沖洗開閉部 80:清洗液管線部 81:清洗開閉部 100:蝕刻腔室 101:壓力室 110:第一腔室 111:第一連結部 112:第二連結部 120:第二腔室 121:蝕刻液投入口 122:清洗液投入口 123:容納部 124:傾斜部 125:排出部 126:加壓存儲部 130:第一噴嘴 131:第一吐出口 140:第二噴嘴 141:第二吐出口 200:開閉單元 210:腔室開閉部 211:第一約束部 220:開閉驅動部 230:第一引導部 231:第一軌道 300:鎖定單元 310:鎖定驅動部 320:第二約束部 321:把持槽 330:第二引導部 331:第二軌道 401、 402:托架 411:支撐銷 412:蝕刻性能提高部 412a:安放面 412b:凸出部 420:旋轉軸 430:通道 440:旋轉驅動部 500:升降部 510:主體 520:支撐銷 530:升降銷 540:升降驅動部 600:蝕刻液供應部 610:連接部 620:存儲腔室 630:抽吸部 640:溫度維持部 641:加熱器 642:溫度控制部 650:沖洗液供應部 700:清洗液供應部 710:連接部 800:加壓部 810:第一加壓維持部 820:第二加壓維持部 900:排氣部 L1:蝕刻液 L2:沖洗液 L3:清洗液 W: 物件體 W1:中心部 步驟流程：S100~S800、S110~S130。
下面結合圖式和實施例對本發明進一步說明。 圖1是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的立體圖。 圖2是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開狀態的主視圖。 圖3是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的主視圖。 圖4是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開狀態的側視圖。 圖5是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的側視圖。 圖6是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室封閉狀態的主視剖面圖。 圖7是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室和第一噴嘴及第二噴嘴的立體圖。 圖8是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第二腔室和第一噴嘴及第二噴嘴的仰視圖。 圖9是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的第一噴嘴和第二噴嘴的立體圖。 圖10是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的蝕刻液供應部和沖洗液供應部及清洗液供應部間的連接結構的構成圖。 圖11是用於顯示本發明一個實施例的蝕刻裝置的蝕刻液供應部和沖洗液供應部、清洗液供應部及加壓存儲部間的連接結構的構成圖。 圖12是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的主視剖面圖。 圖13是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的第二腔室打開後供應物件體的過程的主視剖面圖。 圖14是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的托架的立體圖。 圖15是用於顯示本發明另一實施例的蝕刻裝置的升降部的立體圖。 圖16是用於顯示本發明實施例的蝕刻裝置的運轉的框圖。 圖17是用於顯示本發明實施例的蝕刻裝置中的蝕刻過程的框圖。
10:底座部
100:蝕刻腔室
130:第一噴嘴
140:第二噴嘴
210:腔室開閉部
600:蝕刻液供應部
610:連接部
700:清洗液供應部
710:連接部
800:加壓部
900:排氣部

Claims (12)

  1. 一種蝕刻裝置，其包括： 一蝕刻腔室； 一開閉單元，該開閉單元開閉該蝕刻腔室；及 一鎖定單元，該鎖定單元選擇性地約束該開閉單元。
  2. 如請求項如請求項1所述的蝕刻裝置，其中該鎖定單元在約束該開閉單元移動的一約束位置與解除約束的一解除位置之間移動。
  3. 如請求項1所述的蝕刻裝置，其中該開閉單元包括： 一腔室開閉部，該腔室開閉部選擇性地打開該蝕刻腔室；及 一開閉驅動部，該開閉驅動部使該腔室開閉部驅動。
  4. 如請求項3所述的蝕刻裝置，其進一步包括： 一引導該腔室開閉部的移動的一第一引導部。
  5. 如請求項1所述的蝕刻裝置，其進一步包括： 將該蝕刻腔室係維持在加壓氣氛的一加壓維持部。
  6. 如請求項5所述的蝕刻裝置，其中該加壓維持部包括： 一加壓部，該加壓部使該蝕刻腔室維持在設置的壓力；及 一排氣部，該排氣部使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部。
  7. 如請求項1所述的蝕刻裝置，其中該鎖定單元約束該開閉單元，使得加壓氣氛的該蝕刻腔室封閉，當解除加壓氣時，解除該開閉單元的約束。
  8. 如請求項5所述的蝕刻裝置，其進一步包括： 一第一約束部，該第一約束部配備於該開閉單元；及 一第二約束部，該第二約束部配備於該鎖定單元，與該第一約束部聯動，約束該開閉單元的移動。
  9. 如請求項8所述的蝕刻裝置，其進一步包括： 引導該第二約束部的移動的一第二引導部。
  10. 如請求項5所述的蝕刻裝置，其中該加壓維持部將該腔室單元內的壓力維持在0.1帕至10帕。
  11. 如請求項5所述的蝕刻裝置，其進一步包括： 向該蝕刻腔室供應蝕刻液的一蝕刻液供應部。
  12. 如請求項1所述的蝕刻裝置，其中該蝕刻液選擇性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一種或一種以上的混合物。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113380918B (zh) * 2021-04-30 2024-05-17 徐州中辉光伏科技有限公司 单晶硅电池返工多道清洗优化设备
KR102389567B1 (ko) * 2021-05-04 2022-04-25 연세대학교 산학협력단 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법
CN113725130B (zh) * 2021-11-01 2021-12-28 天霖(张家港)电子科技有限公司 一种半导体结构的刻蚀装置

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273078A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Kawasaki Steel Corp ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
TW544797B (en) * 2001-04-17 2003-08-01 Kobe Steel Ltd High-pressure processing apparatus
JP3960462B2 (ja) * 2001-09-17 2007-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4861609B2 (ja) * 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック 有機物質の除去方法および除去装置
KR100757849B1 (ko) * 2006-06-21 2007-09-11 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR20080072245A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 세메스 주식회사 밀폐형 기판 세정 장치
KR101519832B1 (ko) * 2008-03-17 2015-05-13 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 개별 반도체 워크피스를 처리하는 용액 준비 장치 및 방법
JP5544985B2 (ja) * 2009-06-23 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR101099592B1 (ko) * 2010-01-07 2011-12-28 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리 장치
KR101197194B1 (ko) * 2010-10-19 2012-11-02 주식회사 엔에스티 습식 식각장치 및 이를 이용한 습식 식각방법
JP5807949B2 (ja) * 2010-11-12 2015-11-10 国立大学法人東北大学 超高速ウェットエッチング装置
JP5565735B2 (ja) * 2010-11-12 2014-08-06 国立大学法人東北大学 Ｓｏｉ基板のエッチング方法及びｓｏｉ基板上の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法
JP5926086B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5889691B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102091291B1 (ko) * 2013-02-14 2020-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI619155B (zh) * 2013-05-14 2018-03-21 Shibaura Mechatronics Corp Liquid supply device and substrate processing device
JP6233564B2 (ja) * 2013-09-05 2017-11-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102138675B1 (ko) * 2013-11-19 2020-07-28 세메스 주식회사 기판처리장치
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101972294B1 (ko) * 2014-03-28 2019-04-24 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20160010257A (ko) * 2014-07-17 2016-01-27 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 에칭액 관리장치, 용해금속 농도 측정장치 및 용해금속 농도 측정방법
JP6494226B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9817407B2 (en) * 2014-12-01 2017-11-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting
JP6418554B2 (ja) * 2015-06-10 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102435280B1 (ko) * 2015-10-01 2022-08-24 주식회사 케이씨텍 탱크 필터링 장치
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
US11031252B2 (en) * 2016-11-30 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
JP6826890B2 (ja) * 2017-01-12 2021-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101980729B1 (ko) * 2017-05-17 2019-08-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190003068A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 주식회사 케이씨텍 기판 처리용 챔버
US11133176B2 (en) * 2017-08-09 2021-09-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, recording medium and substrate processing system
JP6901944B2 (ja) * 2017-09-20 2021-07-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6840061B2 (ja) * 2017-09-22 2021-03-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板保持装置および基板処理装置
JP7149087B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

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