TWI771670B - 利用蝕刻腔室的蝕刻裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其包括：蝕刻液存儲腔室，該蝕刻液存儲腔室存儲蝕刻液；連接部，該連接部與蝕刻液存儲腔室連通；蝕刻腔室，該蝕刻腔室通過該連接部而與蝕刻液存儲腔室連通以蝕刻目標物；及加壓維持部，該加壓維持部使蝕刻液存儲腔室與蝕刻腔室中的至少一個維持在加壓氣氛。

Description

利用蝕刻腔室的蝕刻裝置
本發明涉及利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，更詳細而言，涉及一種能夠提高蝕刻性能的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置。
矽氮化膜在半導體製程用作代表性的絕緣膜。矽氮化膜構成與矽氧化膜、多晶矽膜、矽晶片表面等接觸的結構，借助於CVD(Chemical vapor deposition：化學氣相沉積)過程而沉積，其通過乾式蝕刻及濕式蝕刻而去除。
乾式蝕刻主要加入氟類氣體及惰性氣體等，在真空狀態下進行，用於執行乾式蝕刻的裝備價格昂貴，因而在商業應用方面存在界限。因此，利用磷酸的濕式蝕刻比乾式蝕刻應用更廣泛。具體而言，濕式蝕刻是借助於蝕刻液的化學反應而選擇性地在目標物(基板等)中蝕刻希望的物件層，可以根據要求的特性或蝕刻度等，簡便地混合組成具有與此相符的配比的蝕刻液而進行作業，提供比乾式蝕刻進一步提高的作業相容性。另外，一次可以處理大量的目標物，裝置的價格低廉。但是，濕式蝕刻在進行蝕刻時，由於蝕刻液的一部分氣化，目標物的溫度會因氣化熱下降，且由於蝕刻液的氣化，蝕刻液的濃度控制困難，因而發生CD損失。因此，為了固定地維持該蝕刻液的濃度，目前是 將大量的去離子水及蝕刻液投入蝕刻槽而執行目標物的蝕刻，但此時，由於投入大量的去離子水及蝕刻液，經濟上的損失大。
因此，本發明人在為了固定地保持該蝕刻液的濃度而進行研究的期間發現，當對蝕刻液存儲腔室及/或蝕刻腔室加壓時，可以防止蝕刻液的氣化現象，使蝕刻液的濃度維持固定，因而針對矽氧化膜的矽氮化膜選擇比會顯著提高，從而完成了本發明。
與此相關聯，韓國授權專利第10-0691479號(授權公告日：2007年3月12日)公開了大面積基板的蝕刻裝置。
本發明提供一種能夠提高蝕刻性能的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置。
本發明的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置包括：蝕刻液存儲腔室，該蝕刻液存儲腔室存儲蝕刻液；連接部，該連接部與該蝕刻液存儲腔室連通；蝕刻腔室，該蝕刻腔室通過該連接部而與該蝕刻液存儲腔室連通以蝕刻目標物；及加壓維持部，該加壓維持部使該蝕刻液存儲腔室與該蝕刻腔室中的至少一個維持在加壓氣氛。
另外，該加壓維持部可以包括調節該蝕刻液存儲腔室的壓力的第一加壓維持部及調節該蝕刻腔室的壓力的第二加壓維持部中的至少一個。
另外，該第一加壓維持部可以具備：第一加壓部，該第一加壓部使該蝕刻液存儲腔室維持在設定的壓力；溫度控制部，該溫度控制部控制該蝕 刻液存儲腔室內部的溫度；及第一排氣部，該第一排氣部使該蝕刻液存儲腔室內部的氣體排出到外部。
另外，該第二加壓維持部可以具備：第二加壓部，該第二加壓部使該蝕刻腔室維持在設定的壓力；及第二排氣部，該第二排氣部使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部。
另外，該第二排氣部可以使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部而與該蝕刻液存儲腔室的內部產生壓力差異。
另外，該連接部可以具備：蝕刻液移動部，該蝕刻液移動部供蝕刻液從該蝕刻液存儲腔室移動到該蝕刻腔室；選擇性切斷部，該選擇性切斷部配置於該蝕刻液移動部，選擇性地切斷該蝕刻液移動部；及蝕刻液供應部，該蝕刻液供應部促進該蝕刻液的移動。
另外，該蝕刻腔室可以具備：托架，該托架供該目標物安裝；及蝕刻性能提高部，該蝕刻性能提高部配置於該托架，提高該目標物的蝕刻性能。
另外，該蝕刻腔室可以具備在內部形成有容納部的杯部，該托架可以在該杯部的上部可旋轉地配置。
另外，該蝕刻腔室可以具備：第一腔室，該第一腔室在內部的壓力室配置該杯部；及第二腔室，該第二腔室能開閉地配置於該第一腔室的一側，形成有蝕刻液投入口，以向內部供應該蝕刻液。
另外，該杯部可以具備安裝於該壓力室的底面的支架。
另外，在該托架的下部可以具備旋轉軸，該旋轉軸形成垂直旋轉中心，並從旋轉驅動部傳遞旋轉驅動力。
另外，該旋轉軸可以垂直地貫通於該第一腔室的第一連結部，可以具備第一密封構件，該第一密封構件插入於該第一連結部，以貼緊狀態包圍該旋轉軸的旋轉方向。
另外，該第一密封構件可以具備第一肋部，該第一肋部從內周面凸出，傾斜地貼緊該旋轉軸的半徑方向，沿上下方向排列至少一個。
另外，該蝕刻性能提高部可以凹陷地配置，以使該目標物以插入狀態安裝，浸於該蝕刻液中。
另外，該蝕刻性能提高部可以具備：安裝面，該安裝面沿邊緣形成，以安裝該目標物；及臺階，該臺階沿該安裝面的邊緣形成，在該目標物的上部容納該蝕刻液。
另外，該托架可以具備用以上下貫通的通道。
另外，可以還具備用於使該目標物升降的升降部，該升降部在上升時，可以使該目標物位於該托架的上部，下降時，可以使該目標物安裝於該蝕刻性能提高部。
另外，該升降部可以具備：主體，該主體能夠在該杯部的下部升降；及支撐銷，該支撐銷從該主體向上部凸出，能夠通過該通道而升降，支撐該目標物的下部。
另外，該主體可以具備從升降驅動部傳遞升降驅動力的升降銷。
另外，該升降銷可以垂直地貫通於該第一腔室的第二連結部，可以具備第二密封構件，該第二密封構件向該主體的下部凸出，插入於該第二連結部，以貼緊狀態包圍該升降銷的寬度方向。
另外，該第二密封構件可以具備第二肋部，該第二肋部從內周面凸出，傾斜地貼緊該升降銷的寬度方向，沿上下方向排列至少一個。
另外，在該蝕刻腔室可以具備用於在蝕刻完成後清洗該蝕刻液的清洗部。
另外，該清洗部可以具備：供應管線，該供應管線連接到該蝕刻腔室的內部；及清洗水供應部，該清洗水供應部通過該供應管線供應清洗水。
另外，該蝕刻液存儲腔室與該蝕刻腔室可以配置成連通於與外部密閉的蝕刻處理部內部的狀態，該蝕刻處理部內部可以維持在加壓氣氛。
另外，該加壓氣氛可以維持在0.1帕至10帕，該蝕刻腔室可以具備用於使供應到內部的該蝕刻液排出到外部的排出部。
另外，該利用蝕刻腔室的蝕刻裝置可以進一步包括存儲該目標物的存儲部，該存儲部可以使未執行蝕刻的該目標物逐一連續移動到該蝕刻腔室而執行蝕刻，使結束蝕刻的目標物連續移動到該蝕刻腔室外部。
另外，該蝕刻腔室可以是配置有多個該目標物並同時蝕刻的批量式，該蝕刻腔室可以是該蝕刻液向該目標物的上部噴霧並蝕刻的單片式。
另外，該蝕刻液可以選擇性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一種或一種以上的混合物。
本發明的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置是對蝕刻液存儲腔室及/或蝕刻腔室加壓，從而可以防止蝕刻液的氣化現象而使蝕刻液的濃度保持固定，因此可以顯著提高蝕刻選擇比。
另外，本發明蝕刻液的濃度因加壓而保持固定，因而不需用於維持蝕刻液濃度的額外的去離子水及蝕刻液的追加投入，可以提高製品收率，可以減小蝕刻液的消耗。
100:蝕刻裝置
110:蝕刻液存儲腔室
120:連接部
121:蝕刻液移動部
122:選擇性切斷部
123:蝕刻液供應部
130:蝕刻腔室
131:托架
141:第一加壓部
142:溫度控制部
142a:發熱構件
143:第一排氣部
151:第二加壓部
152:第二排氣部
160:清洗部
161:供應管線
162:清洗水供應部
200:蝕刻處理部
300:蝕刻液存儲腔室
400:蝕刻腔室
410:托架
500:連接部
600:溫度控制部
700:加壓部
800:排氣部
900:蝕刻腔室
901:壓力室
910:第一腔室
911:第一連結部
912:第二連結部
920:第二腔室
921:蝕刻液投入口
922:清洗水投入口
940:杯部
941:容納部
942:排出部
943:支架
950:托架
951:安裝面
952:臺階
953:旋轉軸
954:通道
955:旋轉驅動部
960:升降部
961:主體
962:支撐銷
963:升降銷
964:升降驅動部
W:目標物
L:蝕刻液
第1圖是用於顯示本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的圖。
第2圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作單片式的狀態的圖。
第3圖是用於顯示第2圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖。
第4圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作批量式的狀態的圖。
第5圖是用於顯示第4圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖。
第6圖是用於顯示本發明另一實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的立體圖。
第7圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的仰視立體圖。
第8圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的前視剖面圖。
第9圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的側視剖面圖。
第10圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的托架的立體圖。
第11圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的升降部的立體圖。
下面將更詳細地說明本發明。但是，本發明可以以多種不同形態體現，本發明不由在此說明的實施例所限定，本發明只由後述申請專利範圍定義。而且，在本文中使用的術語只是為了說明特定實施例而使用，並非要限定本發明之意。只要在文理上未明白地表示不同，單數的表達包括複數的表達。在通篇說明書中，所謂“包括”某構成要素，只要沒有特別相反的記載，這並非意指排除其他構成要素，而是意指還可以進一步包括其他構成要素。
第1圖是用於顯示本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的圖。另外，第2圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作單片式的狀態的圖，第3圖是用於顯示第2圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖。
第4圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作批量式的狀態的圖，第5圖是用於顯示第4圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖。
第6圖是用於顯示本發明另一實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的立體圖，第7圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的仰視立體圖，第8圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的前視剖面圖。
第9圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的側視剖面圖，第10圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的托架的立體圖，第11圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的升降部的立體圖。
如第1圖所示，本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100包括蝕刻液存儲腔室110、連接部120、蝕刻腔室130及加壓維持部。
首先，蝕刻液存儲腔室110存儲蝕刻液L，在蝕刻液存儲腔室110的內部形成有蝕刻液容納空間。其中，蝕刻液存儲腔室110可以以金屬(不銹鋼等)材料等製作，在蝕刻液存儲腔室110的內部可以塗覆另外的材料(聚四氟乙烯等)。
連接部120一端與蝕刻液存儲腔室110的內部連通，另一端連通到後述蝕刻腔室130的內部，在蝕刻過程時，蝕刻液L通過連接部120移動。連接部120可以具備：蝕刻液移動部121，該蝕刻液移動部121供蝕刻液L從蝕刻液存儲腔室110移動到後述的蝕刻腔室130；選擇性切斷部122，該選擇性切斷部122配置於蝕刻液移動部121，選擇性切斷蝕刻液移動部121；及蝕刻液供應部123，該蝕刻液供應部123促進蝕刻液L的移動。
蝕刻腔室130通過連接部120而與蝕刻液存儲腔室110連通，在蝕刻腔室130的內部，形成供蝕刻目標物(基板等)W配置的容納空間。在蝕刻腔室130的內部可以配置有托架131，在托架131的上部可以形成有用於提高目標物W的蝕刻性能的蝕刻性能提高部。
托架131供目標物W安裝於上部，能水平旋轉地安裝於蝕刻腔室130的內部，托架131可以借助於驅動部(圖上未示出)的驅動力而以既定速度旋轉。
蝕刻性能提高部用於提高在托架131的上面形成的目標物W的蝕刻性能，蝕刻性能提高部可以在托架131的上端凸出地形成。如果更詳細地說明，蝕刻性能提高部可以沿著托架131的四周形成，蝕刻性能提高部可以向托架131的上部凸出。蝕刻性能提高部可以以比目標物W的上下厚度更厚的寬度形 成。這種蝕刻性能提高部在托架131的上部形成容納空間，因而安裝於托架131的上部的目標物W的位置可以比蝕刻性能提高部的上端低。
在該狀態下，當蝕刻液L向托架131的上部供應時，蝕刻液L容納於蝕刻性能提高部形成的容納空間，蝕刻目標物W可以以浸於具有既定水位的蝕刻液L的狀態實現蝕刻。
另外，蝕刻腔室130可以還具備用於使供應到內部的蝕刻液L排出到外部的排出部(圖上未示出)，排出部可以具備連接到蝕刻腔室130內部的排出管線及與排出管線連接而用於提供排出壓力的排出驅動部。
而且，在蝕刻腔室130與蝕刻液存儲腔室110的外部，可以安裝有用於將內部的壓力或溫度等顯示到外部的資訊顯示用計量器。
而且，蝕刻腔室130可以配置有用於在蝕刻完成後清洗蝕刻液L的清洗部160，清洗部160可以具備連接到蝕刻腔室130的內部的供應管線161及通過供應管線161來供應清洗水L的清洗水供應部162。
另外，本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置可以進一步包括存儲目標物W的存儲部(圖上未示出)。
存儲部可以使未執行蝕刻的目標物W逐一連續移動到蝕刻腔室130而執行蝕刻，使結束蝕刻的目標物W連續移動到蝕刻腔室130外部。
而且，蝕刻腔室130可以具有配置多個目標物W並同時蝕刻的批量式或蝕刻液L向目標物W的上部噴霧並蝕刻的單片式結構。
加壓維持部用於在蝕刻過程時，使蝕刻液存儲腔室110與蝕刻腔室130中的至少一個維持在加壓氣氛，可以具備調節蝕刻液存儲腔室110壓力的第一加壓維持部、調節蝕刻腔室130壓力的第二加壓維持部中的至少一個。
此時，第一加壓維持部如第1圖所示，可以具備：第一加壓部141，該第一加壓部141使蝕刻液存儲腔室110維持在設定的壓力；溫度控制部142，該溫度控制部142控制蝕刻液存儲腔室110內部的溫度；及第一排氣部143，該第一排氣部143使蝕刻液存儲腔室110內部的氣體(空氣等)排出到外部。其中，第一加壓部141具有能夠向蝕刻液存儲腔室110內部供應壓縮的氣體的結構，溫度控制部142具有可以使蝕刻液存儲腔室110的內部溫度上升的結構。
第一加壓部141可以具有壓力調節功能，以使蝕刻腔室130的內部壓力維持設定的處理壓力，為此，在第一加壓部141可以電氣連接有用於測量蝕刻液存儲腔室110的內部壓力的壓力感測裝置(圖上未示出)。
另外，溫度控制部142可以具有溫度調節功能，以使內部壓力維持設定的處理溫度，為此，在溫度控制部142可以電氣連接有用於測量蝕刻液存儲腔室110的內部溫度的溫度感測裝置(圖上未示出)。作為一個示例，溫度控制部142可以具備安裝於蝕刻液存儲腔室110的內部空間的發熱構件142a、向發熱構件142a接入電力的電源供應部(圖上未示出)。此時，在蝕刻液存儲腔室110的內部可以配置有容納蝕刻液L的容器，發熱構件142a可以安裝成與容器的外部相接的狀態。
第二加壓維持部可以具備：第二加壓部151，該第二加壓部151使蝕刻腔室130維持在設定的壓力；及第二排氣部152，該第二排氣部152使蝕刻腔室130內部的氣體排出到外部。
第二加壓部151可以具有向蝕刻腔室130的內部供應壓縮的氣體的結構，可以具有壓力調節功能，以使蝕刻腔室130的內部壓力維持設定的處理壓力。
第一加壓部141可以具有壓力調節功能，以使蝕刻腔室130的內部壓力維持設定的處理壓力，為此，在第一加壓部141可以電氣連接有用於測量蝕刻液存儲腔室110的內部壓力的壓力感測裝置(圖上未示出)。
另外，溫度控制部142可以具有溫度調節功能，以使內部壓力維持設定的處理溫度，為此，在溫度控制部142可以連接有用於測量蝕刻液存儲腔室110的內部溫度的溫度感測裝置(圖上未示出)。
第二排氣部152可以在蝕刻過程時，使蝕刻腔室130內部的氣體排出到外部，與蝕刻液存儲腔室110的內部發生壓力差異。
這種加壓維持部在蝕刻過程時，可以使蝕刻液存儲腔室110與蝕刻腔室130的內部形成為加壓氣氛，此時，加壓氣氛可以維持在0.1帕至10帕。
另一方面，蝕刻液存儲腔室110與蝕刻腔室130可以配置成連通於與外部密閉的蝕刻處理部內部的狀態，蝕刻處理部內部可以維持在加壓氣氛。
下面參照第1圖，說明本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的運轉。
首先，驅動第一加壓部141及溫度控制部142，在將容納有蝕刻液L的蝕刻液存儲腔室110的內部加壓到設定的處理壓力的同時維持在處理溫度。
如上所述，在使蝕刻液存儲腔室110的內部上升到設定的處理溫度的過程中，可以驅動第一排氣部143，使蝕刻液存儲腔室110的內部氣體排氣到外部。
然後，驅動第二加壓部151，配置了目標物W的蝕刻腔室130內部加壓到設定的處理壓力，使蝕刻腔室130的內部壓力與蝕刻液存儲腔室110的內部壓力相同。
在蝕刻液存儲腔室110與蝕刻腔室130的內部壓力達到設定的壓力時，開放蝕刻液移動部121的選擇性切斷部122，開放蝕刻液移動部121。此時，由於蝕刻液移動部121的開放，蝕刻液存儲腔室110的內部與蝕刻腔室130的內部相互連通，驅動第二排氣部152，可以使蝕刻腔室130的內部氣體排氣到外部。在此過程中，由於第二排氣部152的排氣運轉，蝕刻液存儲腔室110與蝕刻腔室130的內部發生壓力差異，由於壓力差異，蝕刻液存儲腔室110內部容納的蝕刻液L通過蝕刻液移動部121流入蝕刻腔室130的內部並蝕刻目標物W。
第2圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作單片式的狀態的圖，第3圖是用於顯示第2圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖，第4圖是用於顯示本發明另一實施例的將利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的蝕刻腔室用作批量式的狀態的圖，第5圖是用於顯示第4圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置中蝕刻處理部應用的狀態的圖。
下面參照第2圖至第5圖，說明本發明另一實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置。
包括存儲蝕刻液L的蝕刻液存儲腔室300及執行蝕刻目標物W的蝕刻的單片式或批量式蝕刻腔室400，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400相互連接，以便蝕刻液L移動，但與外部密閉，在執行目標物W蝕刻時，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400中至少一個的內部可以維持在加壓氣氛。
第2圖概略地顯示不包括蝕刻處理部200的蝕刻裝置100，第3圖概略地顯示包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100。
首先，參照第2圖，說明不包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置。然而，第2圖只是例示性的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100的形態，不包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100並非限於第2圖所示的形態。
在本發明一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置可以包括存儲蝕刻液L的蝕刻液存儲腔室300及執行目標物W蝕刻的單片式蝕刻腔室400。此時，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400可以相互連接而以便蝕刻液L移動，可以與外部密閉。另一方面，連接可以是通過連接部500而連接，此時，連接部500只要是蝕刻液L能夠移動的形態，則沒有限制，可以是蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400貼緊，貼緊的面的一部分通過開閉而連接，較佳地，也可以如第3圖所示，具有配管的形態。此時，在連接部500具有配管形態的情況下，可以在配管上安裝有閥門而能夠容易地控制蝕刻液L的移動。
另外，外部可以意指除蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400的內部之外的所有空間，與外部的密閉形態沒有限制，但優選可以如第3圖所示，是蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400分別與外部密閉的形態。
在本發明一個實施例中，不包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100，可以分別對蝕刻液存儲腔室300及/或蝕刻腔室400加壓，此時，為了加壓，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以進一步包括加壓部700及用於排出加壓的空氣的排氣部800。此時，加壓部700及排氣部800可以分別與蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400連接，連接優選可以通過配管進行連接，在配管上安裝有閥門，可以容易地控制加壓程度。
然後，參照第3圖，說明包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100。然而，第3圖只是例示性的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100的形態，包 括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100並非限制於如第3圖所示的形態。
下面對於與不包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100重複的部分，省略詳細說明，上述說明的內容，即使在包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100中省略其說明，也可以相同地應用。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以進一步包括容納蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400的與外部密閉的蝕刻處理部200。此時，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400可以是一側開放的，在執行目標物W的蝕刻時，蝕刻處理部200整個內部可以維持在加壓氣氛。
在本發明的一個實施例中，為了加壓，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以進一步包括加壓部700及用於排出加壓的空氣的排氣部800。此時，加壓部700及排氣部800可以分別與蝕刻處理部200連接，連接較佳地可以通過配管連接，在配管上安裝有閥門，可以容易地控制加壓程度。亦即，就包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100而言，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400容納於蝕刻處理部200而作為一個系統形成，具有使蝕刻處理部200整個內部加壓的構成，因此，為對蝕刻液L加壓，可以是蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400的一側開放的形態。
另一方面，蝕刻液L具有液體的性質，因而較佳地，蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400可以是上部開放的形態。
下面，對不包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100及包括蝕刻處理部200的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100兩者均可應用的內容進行具體說明。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以是蝕刻液存儲腔室300中存儲的蝕刻液L移動到蝕刻腔室400，在蝕刻腔室400內部執行目標物W的蝕刻。亦即，蝕刻液L雖然也可以是向蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400雙向移動，但較佳地，可以是從蝕刻液存儲腔室300向蝕刻腔室400單向移動。另一方面，蝕刻腔室400可以如第2圖及第3圖所示，作為單片式，蝕刻液向目標物W的上部噴霧而蝕刻目標物W。具體而言，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100進一步包括存儲目標物W的存儲部(圖上未示出)，從而可以使存儲部中存儲的未執行蝕刻的目標物W逐一連續移動到蝕刻腔室400而執行蝕刻，與此同時，結束蝕刻的目標物W連續移動到蝕刻腔室400外部而另行存儲。此時，目標物W如第2圖及3所示，可以是放置於蝕刻腔室400內安裝的托架410的形態，托架410進行旋轉，從而從上部噴霧的蝕刻液L向目標物W均勻噴霧，可以提高蝕刻效率。此時，旋轉速度可以為100rpm至2000rpm，較佳地，可以為100rpm至200rpm。
就本發明一個實施例的托架410而言，可以使用在使目標物W安裝於支撐銷(圖上未示出)後，利用卡盤(圖上未示出)使目標物W固定(卡緊)的方式。
另一方面，蝕刻腔室400可以如第4圖及第5圖所示，作為批量式，同時蝕刻多個目標物W。具體而言，多個目標物W如第5圖及第6圖所示，可以是放置在蝕刻腔室400內安裝的托架410的形態，可以填充蝕刻液L至比放置於托架410的多個目標物W的高度更高的水位並執行蝕刻。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以在執行目標物W的蝕刻時維持在加壓氣氛，此時，加壓氣氛可以維持在0.1帕至10帕的壓力。
如上所述，使利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100內部維持在加壓氣氛，從而可以防止蝕刻液L的氣化現象(防止蝕刻液包含的水分及/或添加劑的氣化)，因而可以固定地維持蝕刻液L的濃度，因此，可以顯著提高目標物W的蝕刻選擇比。此時，蝕刻選擇比可以表現為，在目標物W形成的膜中的用於執行蝕刻的膜的蝕刻速度相對於未執行蝕刻的膜的蝕刻速度的比率，例如，就作為半導體晶片主要製造過程之一的矽氮化膜蝕刻過程而言，可以表現為矽氮化膜的蝕刻速度相對於矽氧化膜的蝕刻速度的比率。
一般而言，在蝕刻矽氮化膜時，主要使用磷酸及為磷酸賦予特性的磷酸組合物。磷酸及磷酸組合物的特徵是，具有在特定條件下良好蝕刻矽氮化膜，但在矽氮化膜的側面及下部形成的矽氧化膜的蝕刻速度則顯著更低的特性。
作為表現這種蝕刻選擇比的主要因素，可以例如普通磷酸中與作為主成分的磷酸一同包含的水分，在磷酸組合物中，除作為主成分的磷酸及水分之外，可以例如作為主要添加劑成分的Si系列的或含有Si的添加劑及低分子量的乙二醇(glycol)系列的矽氧化膜蝕刻防止劑或銨鹽系列的水合(hydrous)二氧化矽溶解劑等。
但是，除純磷酸及作為無機成分的Si系列的添加劑之外，水分、低分子量的矽氧化膜蝕刻防止劑、水合二氧化矽溶解劑等，皆具有在高溫度條件下容易氣化的特徵。因此，在高溫(100℃以上)條件下長時間(1分鐘以上) 蝕刻的過程中，存在組合物包含的成分氣化的問題，使蝕刻液的特性發生變化。為了解決這種問題，去除矽氮化膜的裝置設計成在對藥液加熱的存儲箱或嵌入的加熱裝置或發生蝕刻的腔室內不斷地補充氣化的水分，或設計成不斷地補充新液。
因此，如果不良好地管理蝕刻液的保管或蝕刻過程條件，則製品的不良率升高，但為了避免這種情況，如果增加使用量，則蝕刻液的消耗量增加，會發生製品單價上升的問題。
另一方面，在高溫的蝕刻過程中，如果對加熱(預熱)蝕刻液的存儲箱或實際發生蝕刻的蝕刻腔室400加壓，則由於加壓而使蝕刻液L的濃度維持固定，因而蝕刻液L的特性不變，可以降低相應過程的不良率，不需投入以往為了維持濃度而另行投入的去離子水及蝕刻液，在經濟方面可以極大節省費用。
在本發明的一個實施例中，加壓氣氛維持在不足0.1帕的壓力時，由於壓力過低而無法防止如上所述的蝕刻液L氣化現象，當維持在超過10帕的壓力時，由於壓力過高，裝備的構成困難，蝕刻特性反而會因細微的壓力差異而容易變化，在經濟性方面不佳。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以進一步包括控制蝕刻液存儲腔室300內部的蝕刻液L溫度的溫度控制部600。
溫度控制部600可以是用於加熱蝕刻液L的加熱裝置或用於冷卻的冷卻裝置，只要是能夠控制蝕刻液存儲腔室300內部的蝕刻液L溫度的裝置，則沒有限制，可以是用於根據蝕刻液L種類來維持適合溫度的裝置。而且，溫度控制部600還可以控制蝕刻腔室400內部的溫度，此時，既可以是一個溫度控制部600控制蝕刻液存儲腔室300及蝕刻腔室400兩者的溫度，也可以是在各個腔室 300、400獨立地安裝有溫度控制部600。亦即，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100使蝕刻液存儲腔室300內部的蝕刻液L的溫度預先加熱或冷卻，從而可以使之立即向蝕刻腔室400噴霧，可以縮短過程時間，可以是連續的過程。
在本發明的一個實施例中，當蝕刻液L是包含磷酸的矽氮化膜蝕刻液時，該溫度可以控制在150℃至250℃，較佳地，可以控制在150℃至210℃。當溫度超出該範圍而控制在不足150℃時，矽氮化膜與矽氧化膜的蝕刻速度低，難以確認效果，在控制在越過250℃(優選為210℃)時，矽氮化膜與矽氧化膜的蝕刻速度極端升高，而且氣化的水分的蒸氣壓高，會難以確認效果。然而，上面雖然以矽氮化膜蝕刻液為例，但並非限定於此，當使用其他蝕刻液時，可以控制在與之相符的溫度。本發明一個實施例的蝕刻液L可以選擇性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一種或一種以上的混合物。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以在蝕刻腔室400下部進一步包括排出蝕刻液L的排出部(圖上未示出)。排出部用於在蝕刻結束後將蝕刻腔室400記憶體在的蝕刻液L排出到外部，如果是使蝕刻液L排出到外部的形態，則沒有限制，較佳地，可以通過配管排出。
另外，排出部也可以安裝於蝕刻液存儲腔室300的下部，這是因為結束蝕刻後，在蝕刻液存儲腔室300也會存在殘餘的蝕刻液L，這是為了使之排出到外部。
在本發明的一個實施例中，利用蝕刻腔室的蝕刻裝置100可以進一步包括清洗液存儲腔室(圖上未示出)，該清洗液存儲腔室存儲對蝕刻腔室400內部進行清洗的清洗液L，清洗液存儲腔室可以與蝕刻腔室400連接。
清洗液存儲腔室用於在蝕刻結束後清洗蝕刻腔室400內部所需的清洗液，較佳地，如果蝕刻結束，則使蝕刻腔室400記憶體在的蝕刻液L排出到外部後，可以將清洗液投入蝕刻腔室400內執行清洗。此時，就該清洗液而言，只要是用於洗滌蝕刻腔室400內殘餘的蝕刻液L的物質，則沒有限制，例如可以使用去離子水。
另一方面，清洗液也可以清洗蝕刻液存儲腔室300內部，此時，該清洗液存儲腔室也可以與蝕刻液存儲腔室300連接。
第6圖是用於顯示本發明另一實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的立體圖，第7圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的仰視立體圖，第8圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的前視剖面圖，第9圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的側視剖面圖，第10圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的托架的立體圖。第11圖是用於顯示第6圖的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置的升降部的立體圖。
下面參照第6圖至第11圖來說明本發明一個實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，本發明一個實施例的蝕刻裝置100包括蝕刻腔室900、杯部940、托架950及升降部960。
蝕刻腔室900可以能開閉地配置，通過連接部500而與蝕刻液存儲腔室300連通，蝕刻過程時，蝕刻液L在封閉狀態下供應到內部的壓力室901，壓力室901借助於加壓部700而維持在加壓氣氛。
蝕刻腔室900可以包括在內部形成有壓力室901的第一腔室910及在第一腔室910的上部能開閉地配置的第二腔室920。第一腔室910的壓力室901可以向上方開放，在第一腔室910的下部，可以上下貫通形成有第一連結部911， 以便後述旋轉軸953結合，可以上下貫通形成有第二連結部912，以便後述升降銷963結合。第二腔室920可以在第一腔室910的上部結合及分離而開閉壓力室901，形成有蝕刻液投入口921，以便與第一腔室910結合時，蝕刻液L供應到壓力室901內部，蝕刻液存儲腔室300可以借助於連接部500而連接於蝕刻液投入口921。
另外，第二腔室920可以形成有清洗水投入口922，以從外部供應清洗水，清洗水供應部162可以借助供應管線161而連接於清洗水投入口922，在蝕刻腔室900，可以連接有用於使壓力室901內部加壓的加壓部700及用於使壓力室901的內部壓力排出到外部的排氣部800。
杯部940配置於壓力室901的內部，在杯部940的上部可以凹陷地形成有用於容納蝕刻液L及清洗水的容納部941，在杯部940可以形成有用於使蝕刻液L排出到第一腔室910外部的排出部942。
在杯部940的下部可以凸出有至少一個的支架943，支架943安裝於壓力室901的底面，可以以既定高度支撐杯部940，此時，杯部940從壓力室901的底面向上部隔開配置。
另一方面，本發明另一實施例的托架950不同於使目標物W安裝於托架410的支撐銷後利用卡盤來固定目標物W的方式，可以使用在托架950形成蝕刻性能提高部而安裝目標物W的方式。
本發明一個實施例的托架950可以在杯部940的內部或上部以垂直旋轉中心為基準可旋轉地配置。在托架950的上部形成有供蝕刻目標物W安裝的蝕刻性能提高部。托架950可以具有圓盤形狀，在托架950的下部，形成垂直 旋轉中心的旋轉軸953可以垂直地凸出，旋轉軸953可以通過第一腔室910的第一連結部911而垂直地貫通結合。
旋轉驅動部955可以以機械方式連接於旋轉軸953，托架950可以借助於從旋轉驅動部955傳遞到旋轉軸953的旋轉力而旋轉。
在第一連結部911可以還配置有以貼緊狀態包圍旋轉軸953的旋轉方向的環狀的第一密封構件，第一密封構件可以使用聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)等材料。
在第一密封構件的內周面可以凸出有第一肋部，第一肋部可以沿第一密封構件的內周面連續地形成。第一肋部傾斜地向上部或下部凸出，可以傾斜地貼緊旋轉軸953的半徑方向(旋轉方向)，第一肋部可以沿第一密封構件的上下方向排列至少一個。
這種第一密封構件由於第一肋部緊密地貼緊旋轉軸953的外面，因而可以確保對第一連結部911與旋轉軸953之間的氣密性能。
另外，在第一連結部911可以結合有可旋轉地支撐旋轉軸953的半徑方向的軸承，軸承可以位於第一密封構件的上部及下部，在軸承與第一密封構件之間，可以結合有包圍旋轉軸953的半徑方向的墊圈構件。
本發明一個實施例的蝕刻性能提高部凹陷地形成，以使目標物W以插入的狀態安裝並浸於蝕刻液L，蝕刻性能提高部可以具備：安裝面951，該安裝面951沿邊緣形成，以便安裝目標物W；及臺階952，該臺階952沿安裝面951的邊緣形成，在目標物W的上部容納蝕刻液L。
安裝面951可以沿托架950的內周面連續形成，臺階952的上端高於安裝面951，臺階952可以沿安裝面951的邊緣連續形成。
另外，在托架950上，通道954可以上下貫通，以便空氣上下通過，通道954使空氣上下通過，因而將目標物W的邊緣安裝於安裝面951時，可以防止目標物W因浮力而上升。
升降部960用於使目標物W在壓力室901的內部升降，上升時，使目標物W位於托架950的上部，下降時，使目標物W安裝於蝕刻性能提高部。升降部960可以具備：主體961，該主體961能在杯部940的下部升降；及支撐銷962，該支撐銷962從主體961向上部凸出，能通過通道954而升降，支撐目標物W的下部。
在主體961的下部可以垂直地凸出有升降銷963，升降銷963可以通過第一腔室910的第二連結部912而垂直地貫通結合，升降驅動部964可以以機械方式連接於升降銷963。
在第二連結部912，可以還具備以貼緊狀態包圍升降銷963的寬度方向的環狀的第二密封構件，第二密封構件可以使用聚四氟乙烯(PTFE：Polytetrafluoroethylene)等材料。
在第二密封構件的內周面可以凸出有第二肋部，第二肋部可以沿第二密封構件的內周面連續形成。第二肋部可以向上部或下部傾斜地凸出，傾斜地貼緊升降銷963的寬度方向，第二肋部可以沿第二密封構件的上下方向排列至少一個。
這種第二密封構件由於第二肋部緊密地貼緊升降銷963的外面，因而可以確保第二連結部912與升降銷963之間的氣密性能。
而且，在第一密封構件的外周面與第一連結部911之間，可以結合有環狀的第一O型環構件，在第二密封構件的外周面與第二連結部912之間，可以結合有環狀的第二O型環構件。
第一O型環構件與第二O型環構件可以利用橡膠等材料製作，在第一密封構件與第二密封構件的外周面，可以凹陷地形成有安裝部，以便第一O型環構件與第二O型環構件的內周面插入。
另一方面，在第二連結部912可以結合有可旋轉地支撐升降銷963的寬度方向的軸承，軸承可以位於第二密封構件的上部及下部，在軸承與第二密封構件之間，可以結合有包圍升降銷963的寬度方向的墊圈構件。
在本發明的一個實施例中，其特徵可以在於，蝕刻液L為矽氮化膜蝕刻液，矽氮化膜蝕刻液可以包含磷酸及水。此時，就該矽氮化膜蝕刻液的組成而言，相對於磷酸100重量份，水的含量可以為10重量份至20重量份，較佳地，可以為15重量份至20重量份，最較佳地，可以按磷酸85wt%及水15wt%的含量混合。
下面對本發明的實施例進行詳細說明，以便本發明所屬技術領域的普通技術人員可以容易地實施。但是，本發明可以以多種不同形態體現，並不限定於在此說明的實施例。
製備例1.製備包含甲矽烷基氧化膦類化合物的矽氮化膜蝕刻液組合物
(1)製備甲矽烷基氧化膦類添加劑化合物
製備根據本發明一個方面的甲矽烷基氧化膦類化合物。
首先，混合H3PO4酸酐(100%，300g)及原矽酸四乙酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate：TEOS，99%，30g)後，以60rpm攪拌10分鐘時間進行混合。
然後，在60℃溫度下，以60rpm攪拌該混合物8小時時間而進行第一次反應。
然後，該第一次反應結束後，使反應器的溫度升溫至120℃，以60rpm攪拌12小時並進行第二次反應。
然後，該第二次反應結束後，使反應器的溫度升溫至260℃，以60rpm攪拌3小時時間並進行第三次反應。
最後，該第三次反應結束後，使反應器溫度冷卻至常溫，收得甲矽烷基氧化膦類化合物。
(2)製備包含甲矽烷基氧化膦類化合物的矽氮化膜蝕刻液組合物
將(1)製備的甲矽烷基氧化膦類化合物(SiP，0.1wt%)、磷酸(H3PO4，85wt%)、水(H2O，14.8wt%)及抑制劑(inhibitor，0.1wt%)在常溫下以60rpm混合3小時時間，製備了包含甲矽烷基氧化膦類化合物作為添加劑的磷酸蝕刻液組合物。
製備例2.製備普通磷酸(normal phosphoric acid)矽氮化膜蝕刻液組合物
不混合製備例1的(1)甲矽烷基氧化膦類化合物，而是只混合磷酸(H3PO4，85wt%)及水(H2O，15.0wt%)，製備了磷酸蝕刻液組合物。
製備例3.製備包含矽基磷酸酯類化合物的矽氮化膜蝕刻液組合物
(1)製備矽基磷酸酯類添加劑化合物
製備根據本發明一個方面的矽基磷酸酯類化合物。
首先，混合H3PO4酸酐(100%，300g)與原矽酸四乙酯(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate：TEOS，99%，30g)後，以60rpm攪拌10分鐘時間進行混合。
然後，在80℃溫度下，以60rpm攪拌該混合物8小時時間而進行第一次反應。
然後，該第一次反應結束後，使反應器的溫度升溫至120℃，以60rpm攪拌12小時並進行第二次反應。
最後，該第二次反應結束後，使反應器溫度冷卻至常溫，收得矽基磷酸酯類化合物。
(2)製備包含矽基磷酸酯類化合物的矽氮化膜蝕刻液組合物
將(1)製備的矽基磷酸酯類化合物(SiOP，0.05wt%)、磷酸(H3PO4，85wt%)、水(H2O，14.85wt%)及抑制劑(inhibitor，0.1wt%)在常溫下以60rpm混合3小時時間，製備了包含矽基磷酸酯化合物作為添加劑的磷酸蝕刻液組合物。
實施例. 基於利用單片式蝕刻腔室的蝕刻裝置的晶片蝕刻
為了評價本發明的利用單片式蝕刻腔室的蝕刻裝置100的性能，將製備例1至3製備的蝕刻液組合物用作蝕刻液，如下表1所示變更條件，蝕刻形成250nm矽氮化膜的晶片。此時，晶片蝕刻分別執行3分鐘，旋轉速度為150rpm。
Figure 109113531-A0305-02-0027-1
Figure 109113531-A0305-02-0028-2
實驗例. 利用單片式蝕刻腔室的蝕刻裝置的性能評價
以實施例1至13及比較例1至5的條件執行晶片蝕刻時，測量矽氮化膜蝕刻速度及矽氧化膜蝕刻速度，計算相對於矽氧化膜的矽氮化膜蝕刻選擇比(矽氮化膜蝕刻速度/矽氧化膜蝕刻速度)，將其顯示於下表2。
Figure 109113531-A0305-02-0028-3
Figure 109113531-A0305-02-0029-4
如表2所示可以確認，使用本發明的利用單片式蝕刻腔室的蝕刻裝置而在加壓條件下執行蝕刻的實施例1至13，與在0帕下執行蝕刻的比較例1至5相比，當壓力之外的其他條件相同時，表現出遠遠更優秀的相對於矽氧化膜的矽氮化膜選擇比。
實施例. 基於利用批量式蝕刻腔室的蝕刻裝置的晶片蝕刻
為了評價本發明的利用批量式蝕刻腔室的蝕刻裝置的性能，將製備例1至4製備的蝕刻液組合物用作蝕刻液，如下表3所示變更條件，蝕刻矽氮化膜形成250nm的晶片。此時，晶片蝕刻分別執行20分鐘。
Figure 109113531-A0305-02-0029-5
Figure 109113531-A0305-02-0030-6
實驗例. 利用批量式蝕刻腔室的蝕刻裝置的性能評價
以實施例1至12及比較例1至7的條件執行晶片蝕刻時，測量矽氮化膜蝕刻速度及矽氧化膜蝕刻速度，計算相對於矽氧化膜的矽氮化膜蝕刻選擇比(矽氮化膜蝕刻速度/矽氧化膜蝕刻速度)，將其顯示於下表4。
Figure 109113531-A0305-02-0030-7
如該表4所示可以確認，使用本發明的利用批量式蝕刻腔室的蝕刻裝置而在加壓條件下執行蝕刻的實施例1至12，與在0帕下執行蝕刻的比較例1 至7相比，當壓力之外的其他條件相同時，表現出遠遠更優秀的相對於矽氧化膜的矽氮化膜選擇比。
本發明實施例的利用蝕刻腔室的蝕刻裝置對蝕刻液存儲腔室110、300及/或蝕刻腔室130、400加壓，從而可以防止蝕刻液L的氣化現象，因而蝕刻液L的濃度保持固定，因此可以顯著提高蝕刻選擇比。
另外，由於加壓，蝕刻液L的濃度保持固定，因而不需用於維持蝕刻液濃度的去離子水及蝕刻液的另外追加投入，可以實現提高製品收率以及減小蝕刻液L消耗量等，可以在經濟方面極大地節省費用。
本發明以附圖中圖示的實施例為參考進行了說明，但這只是示例而已，只要是所屬技術領域的普通技術人員便會理解，可以由此匯出多樣的變形及均等的其它實施例。因此，本發明真正的技術保護範圍應根據以下的申請專利範圍確定。
100:蝕刻裝置
110:蝕刻液存儲腔室
120:連接部
121:蝕刻液移動部
122:選擇性切斷部
123:蝕刻液供應部
130:蝕刻腔室
131:托架
141:第一加壓部
142:溫度控制部
142a:發熱構件
143:第一排氣部
151:第二加壓部
152:第二排氣部
160:清洗部
161:供應管線
162:清洗水供應部
W:目標物
L:蝕刻液

Claims (19)

  1. 一種利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其包括：一蝕刻液存儲腔室，該蝕刻液存儲腔室存儲一蝕刻液；一連接部，該連接部與該蝕刻液存儲腔室連通；一蝕刻腔室，該蝕刻腔室通過該連接部而與該蝕刻液存儲腔室連通以蝕刻一目標物；及一加壓維持部，該加壓維持部使該蝕刻液存儲腔室與該蝕刻腔室中的至少一個維持在加壓氣氛，以避免該蝕刻液的氣化現象；其中，該加壓維持部具備調節該蝕刻液存儲腔室的壓力的一第一加壓維持部及調節該蝕刻腔室的壓力的一第二加壓維持部中的至少一個；其中，該第一加壓維持部具備：一第一加壓部，該第一加壓部使該蝕刻液存儲腔室維持在設定的壓力；一溫度控制部，該溫度控制部控制該蝕刻液存儲腔室內部的溫度；及一第一排氣部，該第一排氣部使該蝕刻液存儲腔室內部的氣體排出到外部。
  2. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該第二加壓維持部具備： 一第二加壓部，該第二加壓部使該蝕刻腔室維持在設定的壓力；及一第二排氣部，該第二排氣部使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部。
  3. 如請求項2所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該第二排氣部使該蝕刻腔室內部的氣體排出到外部而與該蝕刻液存儲腔室的內部產生壓力差異。
  4. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該連接部具備：一蝕刻液移動部，該蝕刻液移動部供該蝕刻液從該蝕刻液存儲腔室移動到該蝕刻腔室；一選擇性切斷部，該選擇性切斷部配置於該蝕刻液移動部，選擇性地切斷該蝕刻液移動部；及一蝕刻液供應部，該蝕刻液供應部促進該蝕刻液的移動。
  5. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該蝕刻腔室具備在內部形成有一容納部的一杯部，以及在該杯部的上部可旋轉地配置的一托架。
  6. 如請求項5所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該蝕刻腔室具備：一第一腔室，該第一腔室在內部的一壓力室配置有該杯部；及一第二腔室，該第二腔室能開閉地配置於該第一腔室的一側，並形成有一蝕刻液投入口，以向內部供應該蝕刻液。
  7. 如請求項6所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該杯部具備安裝於該壓力室的底面的一支架。
  8. 如請求項6所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，在該托架的下部具備一旋轉軸，該旋轉軸形成垂直旋轉中心，並從一旋轉驅動部傳遞旋轉驅動力。
  9. 如請求項8所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該旋轉軸垂直地貫通於該第一腔室的一第一連結部，具備一第一密封構件，該第一密封構件插入於該第一連結部，並以貼緊狀態包圍該旋轉軸的旋轉方向。
  10. 如請求項9所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該第一密封構件具備一第一肋部，該第一肋部從內周面凸出，傾斜地貼緊該旋轉軸的半徑方向，沿上下方向排列至少一個。
  11. 如請求項6所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該托架具備用以上下貫通的一通道。
  12. 如請求項11所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，包含一升降部，該升降部具備：一主體，該主體能夠在該杯部的下部升降；及一支撐銷，該支撐銷從該主體向上部凸出，能夠通過該通道而升降，並支撐該目標物的下部。
  13. 如請求項12所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中， 該主體具備從升降驅動部傳遞升降驅動力的一升降銷。
  14. 如請求項13所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該升降銷垂直地貫通於該第一腔室的一第二連結部，具備一第二密封構件，該第二密封構件向該主體的下部凸出，插入於該第二連結部，並以貼緊狀態包圍該升降銷的寬度方向。
  15. 如請求項14所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該第二密封構件進一步包括一第二肋部，該第二肋部從內周面凸出，傾斜地貼緊該升降銷的寬度方向，沿上下方向排列至少一個。
  16. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，在該蝕刻腔室具備用於在蝕刻完成後清洗該蝕刻液的一清洗部。
  17. 如請求項16所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該清洗部具備一供應管線，該供應管線連接到該蝕刻腔室的內部；及一清洗水供應部，該清洗水供應部通過該供應管線供應清洗水。
  18. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中，該加壓氣氛維持在0.1帕至10帕。
  19. 如請求項1所述之利用蝕刻腔室的蝕刻裝置，其中， 該蝕刻液選擇性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一種或一種以上的混合物。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113380918B (zh) * 2021-04-30 2024-05-17 徐州中辉光伏科技有限公司 单晶硅电池返工多道清洗优化设备
KR102389567B1 (ko) * 2021-05-04 2022-04-25 연세대학교 산학협력단 실리콘 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법
CN113725130B (zh) * 2021-11-01 2021-12-28 天霖(张家港)电子科技有限公司 一种半导体结构的刻蚀装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201113096A (en) * 2009-06-23 2011-04-16 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus
TW201351537A (zh) * 2012-03-28 2013-12-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
TW201705199A (zh) * 2015-06-10 2017-02-01 思可林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TW201916217A (zh) * 2017-09-22 2019-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板保持裝置及基板處理裝置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273078A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Kawasaki Steel Corp ウエハの洗浄方法及び洗浄装置
TW544797B (en) * 2001-04-17 2003-08-01 Kobe Steel Ltd High-pressure processing apparatus
JP3960462B2 (ja) * 2001-09-17 2007-08-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004292947A (ja) * 2003-03-05 2004-10-21 Fuji Photo Film Co Ltd 磁性粒子の製造方法及び磁性粒子並びに磁気記録媒体
JP4861609B2 (ja) * 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック 有機物質の除去方法および除去装置
KR100757849B1 (ko) * 2006-06-21 2007-09-11 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR20080072245A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 세메스 주식회사 밀폐형 기판 세정 장치
JP5442705B2 (ja) * 2008-03-17 2014-03-12 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ワークピースを処理する溶液調製装置及び方法
KR101099592B1 (ko) * 2010-01-07 2011-12-28 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리 장치
KR101197194B1 (ko) * 2010-10-19 2012-11-02 주식회사 엔에스티 습식 식각장치 및 이를 이용한 습식 식각방법
JP5807949B2 (ja) * 2010-11-12 2015-11-10 国立大学法人東北大学 超高速ウェットエッチング装置
JP5565735B2 (ja) * 2010-11-12 2014-08-06 国立大学法人東北大学 Ｓｏｉ基板のエッチング方法及びｓｏｉ基板上の裏面照射型光電変換モジュールの作製方法
JP5889691B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6131162B2 (ja) * 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102091291B1 (ko) * 2013-02-14 2020-03-19 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI619155B (zh) * 2013-05-14 2018-03-21 Shibaura Mechatronics Corp Liquid supply device and substrate processing device
JP6233564B2 (ja) * 2013-09-05 2017-11-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102138675B1 (ko) * 2013-11-19 2020-07-28 세메스 주식회사 기판처리장치
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10573507B2 (en) * 2014-03-28 2020-02-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20160010257A (ko) * 2014-07-17 2016-01-27 가부시키가이샤 히라마 리카 켄큐쇼 에칭액 관리장치, 용해금속 농도 측정장치 및 용해금속 농도 측정방법
JP6494226B2 (ja) * 2014-09-16 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9817407B2 (en) * 2014-12-01 2017-11-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting
KR102435280B1 (ko) * 2015-10-01 2022-08-24 주식회사 케이씨텍 탱크 필터링 장치
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
US11031252B2 (en) * 2016-11-30 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Compant, Ltd. Heat shield for chamber door and devices manufactured using same
JP6826890B2 (ja) * 2017-01-12 2021-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101980729B1 (ko) * 2017-05-17 2019-08-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20190003068A (ko) * 2017-06-30 2019-01-09 주식회사 케이씨텍 기판 처리용 챔버
US11133176B2 (en) * 2017-08-09 2021-09-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, recording medium and substrate processing system
JP6901944B2 (ja) * 2017-09-20 2021-07-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7149087B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201113096A (en) * 2009-06-23 2011-04-16 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment apparatus
TW201351537A (zh) * 2012-03-28 2013-12-16 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
TW201705199A (zh) * 2015-06-10 2017-02-01 思可林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
TW201916217A (zh) * 2017-09-22 2019-04-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板保持裝置及基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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