KR20050056872A - 실리카 기재 필름 형성용 재료 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 불화수소산에 대한 식각률이 감소된 실리카 기재 필름의 제조를 가능케 하는 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제공한다.
상기 재료는, 실리카 기재 필름을 산출할 수 있는 필름 형성 성분을 함유한 고체 분획, 유기 용매 및 물을 포함하며, 여기서 상기 재료의 함수율은, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정한 바와 같이, 0.1-50 중량%의 범위내이다.

Description

실리카 기재 필름 형성용 재료{MATERIAL FOR FORMING SILICA BASED FILM}
본 발명은 실리카 기재 필름 형성용 재료에 관한 것이다.
2003년 12월 10일 출원한 일본 특허 출원 제 2003-412380 호를 기초로 하여 우선권을 주장하며, 이의 내용은 본 명세서에 참조 문헌으로서 포함되어 있다.
종래에는, 반도체 소자 및 액정 소자용 기판을 제조하는 데 있어서, SOG (spin-on-glass) 가 평면화 필름, 층간 절연 필름, 부동화 필름 및 이들 필름을 제조하는데 사용하는 원재료 용액을 제조하는데 있어서 사용되는 기술로 공지되어 있다. SOG는, 유기 용매에 용해된 규소를 포함하는 용액(하기에서는 'SOG 용액'으로도 지칭함) 및 주된 성분으로 이산화규소를 포함하며, SOG 용액을 기판에 적용시킨 후 열처리를 가하여 형성된 실리카 기재 필름(하기에서는 'SOG 필름'으로도 지칭함) 모두를 일컫는 데 통상적으로 사용되는 일반적 명칭이다.
다양한 실리카 기재 필름이 제시되어 있다(하기의 특허 참조 문헌 1-4 를 참고).
화학적 증착 방법(하기에서는 'CVD 방법'으로도 약칭함)을 이용하여 형성된 실리카 기재 필름은, 배선 패턴에 대하여 등각 방식으로 형성되며, 이는 필름의 형성 이후, 필름 표면을 평평하게 하기 위해 950-1100 ℃의 높은 온도에서 리플로우시켜야 한다는 것을 의미한다.
반대로, SOG 용액을 적용시키고 난 후, 상기 리플로우 온도보다 낮은 온도에서 베이킹을 수행함으로써, 표면이 평평한 SOG 필름을 형성시킬 수 있다. 그러한 SOG 필름은 뛰어난 표면 평면성을 나타낸다.
특허 참조 문헌 1:
일본 특공평 8-3074 B 호 공보
특허 참조 문헌 2:
일본 특허 제 2,739,902 호 공보
특허 참조 문헌 3:
일본 특허 제 3,228,714 호 공보
특허 참조 문헌 4:
일본 특개평 10-313002 A 호 공보
그러나, 최근에 반도체 장치의 소형화가 더욱 진전됨에 따라, 불화수소산에 의한 SOG 필름의 높은 식각률로 인하여 SOG 필름의 사용이 제한되고 있다. 예를 들어, SOG 필름을, 게이트 길이가 0.18 ㎛ 이하인 장치의 금속 배선 패턴 위에 제공된 이른바 PMD(Predetermined Metal Dielectrics)의 절연 필름으로 사용하는 것은 문제가 있다.
특히, SOG 필름을 관통함으로써 접촉 홀이 형성되고, 이어서 접촉 홀의 내부를 불화수소산으로 세척한 경우, 접촉 홀의 내부 벽으로부터의 SOG 필름도 또한 기판에 대하여 수평 방향으로 식각되어, 이른바 측면 식각을 일으킨다.
상기 측면 식각은 SOG 필름의 하단부, 즉 필름 깊이 방향으로 기판에 가장 가까운 필름의 부분에서 가장 흔하게 나타난다.
차세대 장치용 기판의 경우, CVD 방법에 의해 형성된 필름으로 피복된 일부 기판은 배선 너비(배선 분리도)가 0.25 ㎛ 이하이고 깊이(스텝)가 0.4 ㎛ 이상인 초미세 요부(凹部)를 포함할 수 있다. 이런 유형의 기판 위에 형성된 SOG 필름은 공극을 발생시키지 않으면서 배선 사이의 이들 공간을 채울 수 있어야 한다. 또한, 기판 표면을 평면화하기 위하여 배선 부분 사이의 요부(凹部)를 채우는 SOG 필름의 측면 식각이 일어날 경우, 배선 내에 단락이 발생할 수 있으며, 따라서 불화수소산에 의한 SOG 필름의 식각률을 감소시켜서 측면 식각을 방지하는 것이 매우 중요해진다.
따라서, 본 발명의 목적은 생산된 실리카 기재 필름의 습식 식각률을 감소시킬 수 있는 실리카 기재 필름을 형성하기 위한 재료를 제공하는 것이다.
이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료는, 실리카 기재 필름을 산출해낼 수 있는 필름 형성 성분을 함유한 고체 분획, 유기 용매 및 물을 포함하며, 여기서 상기 재료의 함수율은, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정한 바와 같이, 0.1-50 중량%의 범위내이다.
실리카 기재 필름 형성용 재료의 함수율이 기체 크로마토그래피로 측정한 바와 같이 상기 범위 내에 포함됨을 보장함으로써, 상기 재료로부터 형성된 실리카 기재 필름의 식각제에 대한 저항성을 향상시킬 수 있고, 따라서 습식 식각률을 감소시킬 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료는 필름 형성 성분을 함유한 고체 분획, 유기 용매 및 물을 포함한다.
필름 형성 성분은 실리카 기재 필름을 형성하는 성분으로서, 주 구성물로 SiO2를 포함하며, 더욱 특히는 폴리실록산을 형성할 수 있는 성분이다.
편의상 본 명세서에서는, 필름 형성 성분에 대한 설명을, 식 Si-R (여기서, R은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄 기일 수 있다)로 나타나는 결합을 함유한 유기 기를 함유한 필름 형성 성분에 대한 설명 및 Si-R 결합을 함유하지 않은 무기 필름 형성 성분에 대한 설명으로 나눈다.
[유기 기를 함유한 필름 형성 성분]
유기 기를 함유한 필름 형성 성분의 특정한 예는, 규소 화합물 (하기의 화학식 1로 나타내는 규소 화합물 (1) 및 하기의 화학식 2로 나타내는 규소 화합물 (2)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함한다) 을 산 촉매 및 물의 존재하에서, 유기 용매에서 가수분해 처리함으로써 생성되는 반응 생성물을 포함한다.
유기 기를 함유한 필름 형성 성분을 제조하기 위해 사용되는 규소 화합물은 상기 언급한 규소 화합물 (1) 및/또는 규소 화합물 (2)만을 포함할 수도 있고, 또는 임의의 양의 부가적인 규소 화합물 또는 Si-R 결합을 함유하지 않은 화합물, 특히 하기의 화학식 3으로 나타내는 규소 화합물 (3) 및/또는 하기의 화학식 4로 나타내는 규소 화합물 (4)를 포함할 수도 있다.
R1 2Si(OR2)2 (Ⅰ)
[식에서, R1은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, R2는 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
R3Si(OR4)3 (Ⅱ)
[식에서, R3은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, R4는 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
규소 화합물 (1)의 바람직한 형태의 예로는 디알킬디알콕시실란, 예컨대 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디프로폭시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디프로폭시실란, 디프로필디메톡시실란, 디프로필디에톡시실란 및 디프로필디프로폭시실란; 및 디페닐디알콕시실란, 예컨대 디페닐디메톡시실란 및 디페닐디에톡시실란을 포함한다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2 이상의 서로 다른 화합물의 조합으로 사용할 수 있다. 상기 화합물 중에서 디알킬디알콕시실란이 특히 바람직하다.
R1 이 메틸기를 나타내는 화합물은 저렴하고, 쉽게 사용가능하며, 고밀도의 필름을 제공하므로 특히 바람직하다.
규소 화합물 (2)의 바람직한 형태의 예로는 모노알킬트리알콕시실란, 예컨대 모노메틸트리메톡시실란, 모노메틸트리에톡시실란, 모노메틸트리프로폭시실란, 모노에틸트리메톡시실란, 모노에틸트리에톡시실란, 모노에틸트리프로폭시실란, 모노프로필트리메톡시실란 및 모노프로필트리에톡시실란; 및 모노페닐트리알콕시실란, 예컨대 모노페닐트리메톡시실란 및 모노페닐트리에톡시실란을 포함한다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2 이상의 서로 다른 화합물의 조합으로 사용할 수 있다. 상기 화합물 중에서 모노알킬트리알콕시실란이 특히 바람직하다.
R3 이 메틸기를 나타내는 화합물은 저렴하고, 쉽게 사용가능하며, 고밀도의 필름을 제공하므로 특히 바람직하다.
[무기 필름 형성 성분]
무기 필름 형성 성분의 특정한 예는, 하기의 화학식 3으로 나타내는 규소 화합물 (3) 및 하기의 화학식 4로 나타내는 규소 화합물 (4)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을, 산 촉매 및 물의 존재하에서, 유기 용매에서 가수분해 처리함으로써 생성되는 반응 생성물을 포함한다. 상기 무기 필름 형성 성분의 규소 화합물은 Si-R 결합을 포함하지 않은 규소 화합물만을 사용한다. 화학식 3 및 4 내의 R5 및 R6 기로 나타내는 알킬기는 직쇄 기 또는 분지쇄 기일 수 있다.
Si(OR5)4 (Ⅲ)
[식에서, R5 은 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
HSi(OR6)3 (Ⅳ)
[식에서, R6 은 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
규소 화합물 (3)의 바람직한 형태의 예로는 테트라알콕시실란, 예컨대 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라프로폭시실란 및 테트라부톡시실란을 포함한다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2 이상의 서로 다른 화합물의 조합으로 사용할 수 있다.
규소 화합물 (4)의 바람직한 형태의 예로는 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리프로폭시실란, 트리부톡시실란, 디에톡시모노메톡시실란, 모노메톡시디프로폭시실란, 디부톡시모노메톡시실란, 에톡시메톡시프로폭시실란, 모노에톡시디메톡시실란, 모노에톡시디프로폭시실란, 부톡시에톡시프로폭시실란, 디메톡시모노프로폭시실란, 디에톡시모노프로폭시실란 및 모노부톡시디메톡시실란을 포함한다. 이들 중에서, 실용적인 면에서 가장 바람직한 화합물은 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리프로폭시실란 및 트리부톡시실란과 같은 트리알콕시실란이고, 이들 중 트리메톡시실란, 트리에톡시실란이 특히 바람직하다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2 이상의 서로 다른 화합물의 조합으로 사용할 수 있다.
유기 용매의 경우, 통상적인 적용에 있어서 흔히 사용되는 임의의 유기 용매를 사용할 수 있다. 바람직한 용매의 특정한 예로는 1가 알코올, 예컨대 메틸 알코올, 에틸 알코올, 프로필 알코올 및 부틸 알코올; 알킬 카르복실레이트 에스테르, 예컨대 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트; 다원자가 알코올, 예컨대 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜 및 프로필렌 글리콜; 및 다원자가 알코올의 유도체, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 디부틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트; 지방산, 예컨대 아세트산 및 프로피온산; 및 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤 및 2-헵탄온을 포함한다. 이들 화합물은 단독으로 또는 2 이상의 서로 다른 화합물의 조합으로 사용할 수 있다.
상기 용매 중에서, 실리카 기재 필름 형성용 재료의 적용의 용이성을 향상시킨다는 측면에서, 1가 알코올, 케톤, 글리콜 기재 다원자가 알코올, 다원자가 알코올 유도체 및 알콕시카르복실레이트 에스테르의 사용이 바람직하다.
본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료는, 상기 규소 화합물 (1) 내지 (4)에서 선택한 하나 이상의 화합물을 유기 용매에 용해시킨 후, 산 촉매 및 물의 존재하에서 가수분해 처리를 수행하여, 그 결과 생성된 반응 생성물이 필름 형성 성분으로 작용함으로써 제조할 수 있다. 필요한 경우, 함수율을 조절하는 부가적 단계를 추가할 수 있다.
2 이상의 규소 화합물을 조합하는 경우에는, 두 가지 상이한 방법이 가능하다. 즉, 규소 화합물의 혼합물을 가수분해시키는 방법 및 각 화합물을 개별적으로 가수분해시킨 후 그 결과 생성된 생성물을 이어서 혼합하는 방법이다. 본 발명의 실리카 기재 필름 형성용 재료는 둘 중 어느 방법에 의해서도 제조할 수 있지만, 화합물을 혼합한 후 가수분해를 수행하는 첫 번째 방법이 바람직한데, 이는 더 나은 효율성을 의미하는 더 적은 제조 단계를 제공하고, 형성된 실리카 기재 필름 내에 더 나은 균질성을 제공하기 때문이다. 본 명세서는 혼합 후 가수분해를 수행하는 방법에 초점을 맞춘다.
첫째로, 규소 화합물을 유기 용매에 용해시켜서 규소 화합물 용액을 제조한다. 2 이상의 규소 화합물을 사용하는 경우에는, 미리 화합물을 서로 혼합한 다음 생성된 혼합물을 유기 용매에 첨가하거나, 또는 별도로 첨가한 다음 유기 용매 내에서 혼합할 수 있다.
사용한 유기 용매의 양은, 바람직하게는 실리카 기재 필름 형성용 재료의 제조에 사용된 규소 화합물 1 몰 당 용매 10-30 몰이다.
규소 화합물 용액은, 또한 적당한 양의 임의의 성분, 예컨대 적용의 용이성을 향상시키기 위한 계면활성제 및 베이킹 과정에서 탈수 축합 반응을 증진시키는 산 성분을 함유할 수도 있다.
이어서, 이렇게 수득한 규소 화합물 용액에 산 촉매 및 물을 첨가하여 가수분해 처리를 수행한다.
물 및 산 촉매는 분리하여 규소 화합물 용액에 첨가하거나, 또는 촉매를 물의 일부 또는 전부와 혼합하여 제조한 산 촉매 수용액을 첨가할 수도 있다.
가수분해 처리는 용액 내의 규소 화합물의 완전한 가수분해 또는 부분적 가수분해를 가져온다. 가수분해 정도는 첨가한 물의 양을 변화시킴으로써 조절할 수 있다.
첨가한 물의 양이 너무 적으면, 가수분해 정도는 감소하고, 필름 형성 과정에서의 배기(排氣) 수준은 증가하는데, 이는 바람직하지 않다. 반대로, 첨가한 물의 양이 너무 많으면, 실리카 기재 필름 형성용 재료는 겔화되려는 경향이 더욱 강해져서, 저장 안정성의 바람직하지 않은 저하를 가져온다. 따라서, 첨가한 물의 양은, 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하는 데 있어서 사용되는 규소 화합물의 조합물 1 몰 당 바람직하게는 2-12 몰, 더욱 바람직하게는 4-8 몰의 범위 내로 조절한다.
산 촉매의 경우, 통상적인 적용에 있어서 흔히 사용하는 임의의 유기산 또는 무기산을 사용할 수 있다. 적당한 유기산의 특정한 예로는 유기 카르복실산, 예컨대 아세트산, 프로피온산 및 부티르산을 포함한다. 적당한 무기산의 특정한 예로는 염산, 질산, 황산 및 인산을 포함한다.
첨가한 산 촉매의 양은, 첨가 후, 규소 화합물 용액 내의 산 농도가 바람직하게는 1-1000 ppm, 더욱 바람직하게는 5-500 ppm의 범위 내가 되도록 조절한다.
규소 화합물 용액을 교반하는 동안, 산 촉매 및 물을 바람직하게는 점차적으로 첨가하고, 첨가가 완료된 후, 생성된 용액을 가수분해 반응이 진행되도록 놓아둔다. 가수분해 반응은 5 내지 100 시간이 소요되나, 규소 화합물 용액을 80 ℃를 초과하지 않는 온도까지 가열하고, 그 후 산 촉매 용액을 교반된 규소 화합물 용액에 적하하여 첨가한 경우에는, 가수분해 반응에 소요되는 시간이 적절하게 줄어든다.
상기의 규소 화합물 (1) 내지 (4) 모두의 경우에 있어서, 산 촉매 및 물의 존재하에서의 가수분해는 알콕시기를 실라놀기로 전환시킨다. 동시에, 상기 실라놀기는 탈수 축합 반응을 일으켜서, 실록산 결합을 생성한다. 이 유형의 실록산 결합은 필름 형성 특성을 나타낸다.
하나 이상의 규소 화합물 (1) 내지 (4)를 산 촉매 존재하의 유기 용매에서 가수분해 처리하여 수득한 반응 생성물은 중합도 2-20의 실록산 올리고머를 주로 포함한다. 반응 생성물의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 1000-10,000, 더욱 바람직하게는 1500-3000의 범위 내이다. 반응 생성물의 중량 평균 분자량이 1000-10,000의 범위 내일 경우, 우수한 표면 평면성을 지닌 필름을 형성할 수 있는 실리카 기재 필름 형성용 재료가 제조된다. 중량 평균 분자량이 10,000을 초과하면, 상기 재료는 겔화되기 쉬워지고, 반면에 분자량이 1000 미만이면, 상기 재료의 필름 형성 특성이 저하된다. 반응 생성물의 중량 평균 분자량은 가수분해 반응에 첨가하는 물의 양, 반응 시간, 반응 온도 및 시효 시간과 같은 변이 요소에 의하여 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료는, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정한 바와 같이, 함수율이 0.1-50 중량%의 범위내이다.
필름 형성 성분이 Si-R 결합을 함유한 유기 기 함유 필름 형성 성분을 포함하는 경우, 함수율은 바람직하게는 1-30 중량%, 더욱 바람직하게는 5-28 중량%, 가장 바람직하게는 12-25 중량%의 범위 내이다. 반대로, 필름 형성 성분이 Si-R 결합을 함유하지 않은 무기 필름 형성 성분을 포함하는 경우에는, 함수율이 바람직하게는 3-20 중량%, 더욱 바람직하게는 5-18 중량%, 가장 바람직하게는 7-15 중량%의 범위 내이다.
실리카 기재 필름 형성용 재료의 함수율이, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정한 바와 같이 상기 범위에 상당하거나 또는 그 하한을 초과하도록 보장함으로써, 불소에 의한 습식 식각에 대한 필름의 저항성을 효과적으로 향상시킬 수 있다. 상기 향상의 원인은, 수분의 작용이 필름 내에서 가수분해 반응을 진행시키고, 잔여 알콕실기의 양이 감소하여, 필름의 밀도를 더욱 높이기 때문인 것으로 생각된다. 또한, 함수율이 상기 범위에 상당하거나 또는 그 하한을 초과하는 수준으로 유지될 경우, 기판 표면 내에서의 필름 두께의 균질성 또한 향상시킬 수 있다. 함수율이 상기 상한을 초과하는 경우에는, 하기 유형의 바람직하지 않은 현상이 일어날 위험이 있다: 실리카 기재 필름 형성용 재료의 저장 안정성의 저하; 상기 재료를 냉장 저장실에 둘 경우 결빙할 수 있는 위험의 증가; 고체 분획 농도가 증가할 경우 적용의 용이성이 저하되는 경향 및 다른 유사한 문제점.
본 명세서에서, "고체 분획"이라는 용어는 규소 화합물, 임의의 비반응 규소 화합물, 산 촉매 및 다른 임의의 성분의 가수분해에 의해 생성된 반응 생성물의 조합물을 나타낸다. 규소 화합물 및 임의의 비반응 규소 화합물의 가수분해에 의해 생성된 반응 생성물의 조합 중량은 SiO2 당량가로서 계산한다. 따라서, CH3-SiO3/2의 경우 또는 잔여 알콕실기 부분이 여전히 남아있는 경우라도, 상기 중량은 여전히 SiO2 (Mw = 60)로서 계산한다.
실리카 기재 필름 형성용 재료 내의 함수율은 기체 크로마토그래피를 이용하여 측정할 수 있다. 기체 크로마토그래피 측정법으로 상기 재료 내의 각각의 유기 용매, 즉 상기 언급된 고체 분획을 용해시키기 위해 첨가된 유기 용매, 가수분해 반응으로부터 부산물로서 생성된 알코올 및 물에 대한 정량 분석이 가능하다. 따라서, 모든 성분의 조합물 내에 함유된 수분의 비율은 이 유형의 측정법으로 측정된 값으로서 나타낼 수 있다.
다시 말해, 본 발명에 기재된 "함수율"이라는 용어는 모든 성분의 조합물 내에 함유된 함수율을 언급하는 것으로서, 본 발명의 재료에 기체 크로마토그래피 측정을 행함으로써 측정한다. 그 값은 상기 재료 내의 용매 성분의 함수율과 실질적으로 동일하다.
함수율을 측정할 수 있다면, 기체 크로마토그래피 측정 조건에는 특별한 제한이 없으며, 예를 들어 하기의 조건하에서 측정을 수행할 수 있다.
기구 : Hitachi 263-80 (제품명, Hitachi Ltd. 제조)
컬럼 : Porapack Q 분말 충전제 (제품명, Waters Corporation 제조, MESH 50-80) 로 패킹된 스테인리스 스틸 컬럼 (내부 지름 3 mm, 총 길이 2 m)
샘플 부피 : 1 ㎕
헬륨 유속 : 27 ml/분
샘플 주입 온도 : 250 ℃
샘플을 주입한 후, 온도를 80 ℃에서 2 분간 유지하고, 이어서 온도를 20 ℃/분의 속도로 235 ℃까지 높인 다음, 그 온도를 11 분간 유지함으로써 측정을 수행한다.
검출기 : 열전도도 검출기.
실리카 기재 필름 형성용 재료 내의 수분을 조절하기 위해 사용하는 방법에는 특별한 제한이 없다. 한 가지 적절한 방법에서, 가수분해 처리를 수행하기 위하여 상기한 규소 화합물 용액에 물을 첨가할 때, 가수분해 반응에 필요한 물의 양을 초과하는 과량의 물을 첨가하고, 반응 시간을 조절하여, 실리카 기재 필름 형성용 재료 내의 함수율이 상기 기재한 바람직한 범위 내에 해당되는 순간 가수분해 반응을 정지시킨다.
또한, 규소 화합물의 가수분해 처리를 완료한 다음, 용액으로부터 우선 수분을 제거하고, 물을 추가적으로 첨가하는 방법도, 함수율이 상기 기재한 바람직한 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하기 위하여 사용할 수 있다.
심지어 규소 화합물의 가수분해 처리를 완료한 다음, 물을 용액에 첨가하는 방법도, 함수율이 상기 기재한 바람직한 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하기 위하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료에서, 고체 분획 내의 Si 함량은 바람직하게는 1-20 중량%, 더욱 바람직하게는 6-15 중량%이다.
고체 분획 내의 Si 함량은, 예를 들어 미리 측정된 양의 실리카 기재 필름 형성용 재료를 기판에 적용하고, 상기 재료를 건조시키고, 500 ℃에서 열처리를 수행한 후, 수득한 SiO2 의 중량을 측정하여, 그 중량으로부터 측정한 Si의 양 및 기판에 적용한 재료의 중량을 이용하여 Si 함량을 측정함으로써, 측정할 수 있다.
실리카 기재 필름 형성용 재료의 고체 분획 내의 Si 함량이 상기 범위 미만이면, 목적하는 필름 두께를 보장하는 것이 어려워질 수 있으며, 상기 함량이 상기 범위를 초과하면, 상기 재료의 저장 안정성이 저하되는 경향이 있다.
실리카 기재 필름 형성용 재료의 고체 분획 내의 Si 함량은, 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하는 데 사용되는 규소 화합물의 양을 변화시킴으로써 조절할 수 있다.
상기에 기재한 방법으로 제조된 실리카 기재 필름 형성용 재료를, 필요한 경우 유기 용매로 적당히 희석시킬 수 있고, 그 후 실리카 기재 필름이 형성될 처리 타겟에 적용한다. 희석 과정을 요하는 경우, 희석용 유기 용매로는 규소 화합물 용액을 생성하는 데 사용하는 것과 동일한 유기 용매를 사용할 수 있다. 상기 재료를 희석한 경우, 재료 내의 함수율을 본 발명이 규정한 범위 내로 여전히 조절해야 한다.
실리카 기재 필름 형성용 재료를 처리 타겟의 표면에 적용하고, 피막을 형성시킨 후, 이렇게 형성된 피막을 베이킹한다. 상기 열처리가 피막 내의 유기 용매를 제거하고, 또한 탈수 축합 반응을 촉진하며, 따라서 폴리실록산 필름이 형성되고, 실리카 기재 필름의 형성이 완료된다.
실리카 기재 필름 형성용 재료가 유기 기 함유 필름 형성 성분을 함유하는 경우, 베이킹 온도는 바람직하게는 350-750 ℃의 범위, 더욱 바람직하게는 400-700 ℃의 범위 내이다. 베이킹 온도가 이 범위보다 낮으면, 유기 용매 제거 및 탈수 축합 반응의 촉진이 불충분해질 수 있고, 반면에 상기 온도가 이 범위보다 높으면, 규소에 결합된 알킬기가 분리되기 쉽다. 또한, 베이킹 시간이 너무 짧으면, 유기 용매 제거 및 탈수 축합 반응의 촉진이 불충분해질 수 있고, 반면에 너무 길면, 생산량이 저하되므로, 결국 베이킹 시간은 바람직하게는 20-120 분, 더욱 바람직하게는 30-60 분의 범위 내이다.
실리카 기재 필름 형성용 재료가 무기 필름 형성 성분을 함유하는 경우, 베이킹 온도는 바람직하게는 250-1100 ℃의 범위, 더욱 바람직하게는 300-900 ℃의 범위 내이다. 베이킹 온도가 이 범위보다 낮으면, 유기 용매 제거 및 탈수 축합 반응의 촉진이 불충분해질 수 있고, 반면에 상기 온도가 이 범위보다 높으면, 하층의 다른 물질이 손상될 수 있는 가능성이 있다. 또한, 베이킹 시간이 너무 짧으면, 유기 용매 제거 및 탈수 축합 반응의 촉진이 불충분해질 수 있고, 반면에 너무 길면, 생산량이 저하되므로, 결국 베이킹 시간은 바람직하게는 20-120 분, 더욱 바람직하게는 30-60 분의 범위 내이다.
본 발명에 따라 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용하여, 불화수소산에 의한 식각률이 감소된 실리카 기재 필름을 수득할 수 있다. 따라서, 상기 재료가, 예컨대 금속 배선 패턴 위에 제공되는 절연 필름(PMD)으로서 사용되는 실리카 기재 필름을 형성시키기 위한 재료로서 이상적이다. 또한, 상기 재료를 사용하여 제조된 실리카 기재 필름 내의 접촉 홀을 불화수소산으로 세척할 경우, 측면 식각을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용하여 형성된 실리카 기재 필름은, 가열 과정에서 감소된 배기 수준을 나타내는데, 이는 기체 휘발에 의한 필름 수축을 억제할 수 있어서, 그 결과 수축률이 감소된다는 것을 의미한다. 또한, 이 유형의 재료를 사용함으로써, 필름 수축에 의한 다른 현상, 예컨대 균열의 발생 또는 인접 층과의 접착성 저하도 억제할 수 있다. 이러한 효과는 알콕실기의 잔여량이 감소하였기 때문으로 생각된다. 또한, 본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료는, 필름의 기판 표면 내에 개선된 필름 두께 균질성을 나타내는데, 이는 상기 재료가, 층간 절연 필름 또는 평면화 필름으로 사용되는 실리카 기재 필름의 형성에 있어서 이상적임을 의미한다.
또한, 본 발명에 따른 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용함으로써, 형성되는 실리카 기재 필름의 경도가 향상될 수 있다. 이러한 효과는 알콕실기의 잔여량이 감소함에 따라 필름의 밀도가 증가된 결과라고 생각된다.
실시예
(실시예 1 : 무기 필름 형성 성분)
테트라메톡시실란 230.2 g을 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(MC) 560 g에 용해시켜서, 규소 화합물 용액을 제조하였다. 순수 218.2 g 및 질산 300 ㎕를 상기 용액에 첨가하고 교반한 다음, 용액을 실온에서 5 일간 방치한 후, 증발기를 이용하여 증류하였다. 증류 후의 잔여물 30 g을 MC 6.4 g과 혼합하여, SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 수득하였다.
이렇게 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 0.6 중량%로 나타났다.
측정 조건은 하기와 같았다.
기구 : Hitachi 263-80 (제품명, Hitachi Ltd. 제조)
컬럼 : PORAPACK Q 분말 충전제 (제품명, Waters Corporation 제조, MESH 50-80) 로 패킹된 스테인리스 스틸 컬럼 (내부 지름 3 mm, 총 길이 2 m)
샘플 부피 : 1 ㎕
헬륨 유속 : 27 ml/분
샘플 주입 온도 : 250 ℃
샘플을 주입한 후, 온도를 80 ℃에서 2 분간 유지하고, 이어서 온도를 20 ℃/분의 속도로 235 ℃까지 높인 다음, 그 온도를 11 분간 유지함으로써 측정을 수행하였다.
검출기 : 열전도도 검출기.
(실시예 2 : 무기 필름 형성 성분)
증류 후 잔여물 30 g에 첨가한 MC 6.4 g을, 증류슈 0.24 g 및 MC 6.16 g (총 6.4 g)으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
이렇게 실시예 1 과 유사한 방법으로 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 1.4 중량%로 나타났다.
(실시예 3 : 무기 필름 형성 성분)
증류 후 잔여물 30 g에 첨가한 MC 6.4 g을, 증류수 1.22 g 및 MC 5.18 g (총 6.4 g)으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
이렇게 실시예 1 과 유사한 방법으로 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 3.8 중량%로 나타났다.
(실시예 4 : 무기 필름 형성 성분)
증류 후 잔여물 30 g에 첨가한 MC 6.4 g을, 증류수 2.76 g 및 MC 3.64 g (총 6.4 g)으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
이렇게 실시예 1 과 유사한 방법으로 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 7.3 중량%로 나타났다.
(실시예 5 : 무기 필름 형성 성분)
증류 후 잔여물 30 g에 첨가한 MC 6.4 g을, 증류수 4.47 g 및 MC 1.93 g (총 6.4 g)으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
이렇게 실시예 1 과 유사한 방법으로 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 11.4 중량%로 나타났다.
(실시예 6 : 무기 필름 형성 성분)
증류 후 잔여물 30 g에 첨가한 MC 6.4 g을, 증류수 6.4 g으로 대체한 것을 제외하고는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 9.86 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
이렇게 실시예 1 과 유사한 방법으로 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 15.4 중량%로 나타났다.
(비교예 1 :유기 기 함유 필름 형성 성분)
메틸트리메톡시실란 272.4 g 및 테트라메톡시실란 101.5 g을 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(PGP) 114.1 g에 용해시켜, 규소 화합물 용액을 제조하였다. 순수 312 g 및 질산 96.6 ㎕를 상기 용액에 첨가하고 교반한 다음, 용액을 실온에서 5 일간 방치한 후, 증발기를 이용하여 증류하였다. 이어서 증류 후의 잔여물에 PGP를 첨가하여, SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 수득하였다.
이렇게 수득한 실리카 기재 필름 형성용 재료의 기체 크로마토그래피 측정 결과 함수율이 0 중량%로 나타났다.
(실시예 7 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
비교예 1과 동일한 방법을 따랐으나, 증류수를, 4 중량%의 함수율을 얻을 만큼 충분한 양으로 증류 후 잔여물에 첨가하였고, 이어서 PGP를 첨가하여, SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 수득하였다.
(실시예 8 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
실시예 7과 동일한 방법으로 함수율이 8 중량%이고 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
(실시예 9 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
실시예 7과 동일한 방법으로 함수율이 12 중량%이고 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
(실시예 10 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
실시예 7과 동일한 방법으로 함수율이 16 중량%이고 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
(실시예 11 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
실시예 7과 동일한 방법으로 함수율이 20 중량%이고 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
(실시예 12 : 유기 기 함유 필름 형성 성분)
실시예 7과 동일한 방법으로 함수율이 30 중량%이고 SiO2 당량 고체 분획의 농도가 7 중량%인 실리카 기재 필름 형성용 재료를 제조하였다.
(실리카 기재 필름의 형성 1)
상기 실시예 1-6 에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용하여, 일련의 실리카 기재 필름을 기판 위에 형성하였다.
특히, 실시예 1-6 중 하나에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름 형성용 재료를 스피너(spinner) 방법(TR-6132U 응용 장치(제품명, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제조)를 이용함)을 이용하여 6 인치의 규소 기판 표면에 적용하였고, 회전 속도는 건조 두께가 약 210-250 nm인 피막을 형성할 수 있도록 적절하게 조정하였다.
그 후, 이렇게 형성된 피막을 80 ℃에서 1 분, 150 ℃에서 1 분, 그리고 추가로 200 ℃에서 1 분간 건조하였다.
상기 구조물을 질소 기류하에서 수직형 소결로에 넣고 400 ℃에서 30 분간 베이킹하여, 필름 두께가 약 180-220 nm인 실리카 기재 필름을 형성하였다.
(실리카 기재 필름의 형성 2)
상기 비교예 1 및 실시예 7-12 에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용하여, 일련의 실리카 기재 필름을 기판 위에 형성하였다.
특히, 비교예 1 또는 실시예 7-12 중 하나에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름 형성용 재료를 스피너 방법(TR-6132U 응용 장치(제품명, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.제조)를 이용함)을 이용하여 6 인치의 규소 기판 표면에 적용하였고, 회전 속도는 건조 두께가 약 200-230 nm인 피막을 형성할 수 있도록 적절하게 조정하였다.
그 후, 이렇게 형성된 피막을 80 ℃에서 1 분, 150 ℃에서 1 분, 그리고 추가로 200 ℃에서 1 분간 건조하였다.
상기 구조물을 질소 기류하에서 수직형 소결로에 넣고 700 ℃에서 30 분간 베이킹하여, 필름 두께가 약 190-220 nm인 실리카 기재 필름을 형성하였다.
(특성의 측정 1)
상기 실리카 기재 필름의 형성 1 에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름의 (1)습식 식각률, (2)기판 표면에서의 필름 두께의 균질도 및 (3)범위를 하기의 방법을 이용하여 측정하였다. 그 측정 결과는 도 1 내지 도 3에 각각 나타내었다.
(1) 습식 식각률
실리카 기재 필름이 형성된 기판을 0.25 중량%의 불화수소산 수용액 내에 3 분간 침지시켰고 (25 ℃에서), 침지 전의 필름 두께와 침지 후의 필름 두께의 차이로부터 습식 식각률(nm/분)을 계산하였다.
실시예 1에서 제조된 실리카 기재 필름 형성용 재료를 사용하여 형성된 실리카 기재 필름으로 피막된 기판의 경우, 상기 필름의 식각률이 극히 높기 때문에, 불화수소산 수용액 내에서의 습식 식각 시간은 30 초로 단축되었다.
도 1에 나타낸 결과에서 명확히 드러난 바와 같이, 함수율이 1.4-15.4 중량% 범위 내인 경우, 습식 식각률은 상당히 감소하였고, 그래프로부터, 7-15 중량%의 범위에서 특히 그 결과가 좋았다는 것이 명백하다.
(2) 기판 표면에서의 필름 두께의 균질도
상기 실리카 기재 필름의 형성 1 에서 수득한 실리카 기재 필름이 형성된 기판의 표면에 임의의 9 개의 지점을 선택하여, 타원계(ellipsometer)를 이용해서 이 9 개의 지점에서의 필름 두께를 측정하였다. 그 후, 하기의 식으로 표현되는 값(필름 두께의 균질도)을 결정하고, 그 결과를 기입하여 도 2에 나타낸 그래프를 작성하였다.
필름 두께의 균질도 = (MAX - MIN) / (2 ×Ave)
(여기서, MAX 는 9 개의 지점 중 최대 필름 두께(nm)를 나타내고, MIN 은 9 개의 지점 중 최소 필름 두께(nm)를 나타내며, Ave 는 9 개의 지점에서의 평균 필름 두께 값(nm)을 나타낸다)
도 2에 나타낸 결과에서 명확히 드러난 바와 같이, 함수율이 증가하면, 규질도가 향상되고, 그래프로부터, 7-15 중량%의 범위에서 특히 그 결과가 좋았다는 것이 명백하다.
(3) 범위
상기 실리카 기재 필름의 형성 1 에서 수득한 실리카 기재 필름이 형성된 기판의 표면에 임의의 9 개의 지점을 선택하여, 타원계를 이용해서 이 9 개의 지점에서의 필름 두께를 측정하였다. 그 후, 하기의 식으로 표현되는 값(필름 두께의 균질도)을 결정하고, 그 결과를 기입하여 도 3에 나타낸 그래프를 작성하였다.
범위 = (MAX - MIN)
(여기서, MAX 는 9 개의 지점 중 최대 필름 두께(nm)를 나타내고, MIN 은 9 개의 지점 중 최소 필름 두께(nm)를 나타낸다)
도 3에 나타낸 결과에서 명확히 드러난 바와 같이, 함수율이 증가한 경우, 범위는 감소하였고, 그래프로부터, 7-15 중량%의 범위에서 특히 그 결과가 좋았다는 것이 명백하다.
(특성의 측정 2)
상기 실리카 기재 필름의 형성 2 에서 수득한 각각의 실리카 기재 필름의 (4)습식 식각률을 하기의 방법을 이용하여 측정하였다. 그 측정 결과를 도 4에 나타내었다.
(4) 습식 식각률
실리카 기재 필름이 형성된 기판을 0.5 중량%의 불화수소산 수용액 내에 20 분간 침지시켰고 (25 ℃에서), 침지 전의 필름 두께와 침지 후의 필름 두께의 차이로부터, 0 내지 20 분간의 습식 식각 시간 동안의 습식 식각률 1 (nm/분)을 계산하였다.
이어서, 같은 방법을 이용하여, 40 분간의 침지 후의 필름 두께 및 60 분간의 침지 후의 필름 두께를 측정하였고, 0 내지 40 분간의 습식 식각 시간 동안의 습식 식각률 2 (nm/분) 및 0 내지 60 분간의 습식 식각 시간 동안의 습식 식각률 3 (nm/분)을 계산하였다.
함수율이 각각 0 %, 4 %, 8 %, 12 %, 16 %, 20 % 및 30 %인 실리카 기재 필름에 대한 습식 식각률 1 내지 3을 기입한 결과를 도 4에 나타낸다.
도 4에 나타낸 결과에서 명확히 드러난 바와 같이, 함수율이 0 중량% 일 때 습식 식각률이 가장 높았는 바, 이는 필름이 식각되기 쉽다는 것을 명백히 나타낸다.
또한, 함수율 값이 8-20 중량%의 범위 내인 경우, 습식 식각률이 현저히 감소하였다. 그래프로부터, 그 결과는 5-28 중량%의 범위에서 특히 바람직하고, 12-25 중량%의 범위에서 가장 바람직할 것임을 예상할 수 있다.
상기에서 본 발명의 바람직한 구현예를 기재하고 설명하였으나, 이는 본 발명의 전형적인 예로 이해해야 하며, 본 발명을 제한하는 것으로 간주해서는 안된다. 본 발명의 정신 또는 범위를 벗어나지 않는 한, 첨가, 생략, 치환 및 다른 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명이 상기의 설명에 의해 제한되는 것으로 간주되어서는 안되며, 첨부한 청구의 범위에 의해서만이 제한된다.
본 발명의 목적은 생산된 실리카 기재 필름의 습식 식각률을 감소시킬 수 있는 실리카 기재 필름을 형성하기 위한 재료를 제공하는 것이다.
실리카 기재 필름 형성용 재료의 함수율이 기체 크로마토그래피로 측정한 바와 같이 상기 범위 내에 포함됨을 보장함으로써, 상기 재료로부터 형성된 실리카 기재 필름의 식각제에 대한 저항성을 향상시킬 수 있고, 따라서 습식 식각률을 감소시킬 수 있다.
도 1은 일련의 실시예에서 습식 식각률과 함수율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 일련의 실시예에서 기판 표면 내에서의 필름 두께 균일도와 함수율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3은 일련의 실시예에서 범위와 함수율 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 일련의 실시예에서 습식 식각률과 습식 식각 시간 사이의 관계를 나타내는 그래프이다.

Claims (8)

  1. 실리카 기재 필름을 산출할 수 있는 필름 형성 성분을 함유한 고체 분획, 유기 용매 및 물을 포함하는 재료로서, 여기서 상기 재료의 함수율이, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정한 바와 같이, 0.1-50 중량%의 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 고체 분획의 Si 함량이 5-20 중량%의 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 필름 형성 성분이 식 Si-R (여기서, R은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타냄)로 표현되는 결합을 함유한 유기 기 함유 필름 형성 성분을 포함하는 실리카 기재 필름 형성용 재료.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 유기 기를 함유한 필름 형성 성분이, 규소 화합물 (하기의 화학식 1로 나타내는 규소 화합물 및 하기의 화학식 2로 나타내는 규소 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 포함함) 을 가수분해 처리함으로써 생성되는 반응 생성물을 포함하는 실리카 기재 필름 형성용 재료:
    [화학식 1]
    R1 2Si(OR2)2 (Ⅰ)
    [식에서, R1은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, R2는 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄],
    [화학식 2]
    R3Si(OR4)3 (Ⅱ)
    [식에서, R3은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타내고, R4는 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
  5. 제 3 항에 있어서, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정된 함수율이 1-30 중량%의 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 필름 형성 성분이 식 Si-R (여기서, R은 탄소수 1-4의 알킬기 또는 페닐기를 나타냄)로 표현되는 결합을 함유하지 않은 무기 필름 형성 성분을 포함하는 실리카 기재 필름 형성용 재료.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기의 무기 필름 형성 성분이, 하기의 화학식 3으로 나타내는 규소 화합물 및 하기의 화학식 4로 나타내는 규소 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물을 가수분해 처리함으로써 생성되는 반응 생성물을 포함하는 실리카 기재 필름 형성용 재료:
    [화학식 3]
    Si(OR5)4 (Ⅲ)
    [식에서, R5 은 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄],
    [화학식 4]
    HSi(OR6)3 (Ⅳ)
    [식에서, R6 은 탄소수 1-4의 알킬기를 나타냄].
  8. 제 6 항에 있어서, 기체 크로마토그래피 측정법에 의해 측정된 함수율이 3-20 중량%의 범위 내인 실리카 기재 필름 형성용 재료.
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