TW202028478A - 電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境 - Google Patents

電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境 Download PDF

Info

Publication number
TW202028478A
TW202028478A TW109101345A TW109101345A TW202028478A TW 202028478 A TW202028478 A TW 202028478A TW 109101345 A TW109101345 A TW 109101345A TW 109101345 A TW109101345 A TW 109101345A TW 202028478 A TW202028478 A TW 202028478A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electromagnetic field
layer
field shielding
shielding plate
permalloy
Prior art date
Application number
TW109101345A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI766229B (zh
Inventor
宮野一郎
小室修
高橋正和
藤田志
Original Assignee
日商日立全球先端科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商日立全球先端科技股份有限公司 filed Critical 日商日立全球先端科技股份有限公司
Publication of TW202028478A publication Critical patent/TW202028478A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI766229B publication Critical patent/TWI766229B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0075—Magnetic shielding materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/14708—Fe-Ni based alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
    • H01F41/0213—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
    • H01F41/0226—Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
    • H01F41/0233—Manufacturing of magnetic circuits made from sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H01J37/165—Means associated with the vessel for preventing the generation of or for shielding unwanted radiation, e.g. X-rays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/026—Shields
    • H01J2237/0266—Shields electromagnetic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

提供一種對於較為高頻的電磁場可獲得高遮蔽性能，同時能夠減輕重量之電磁場遮蔽板等。電磁場遮蔽板，係將坡莫合金的板材或薄片所成之坡莫合金層(3)、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層(1)予以重疊而構成。

Description

電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境
本發明有關電磁場遮蔽板，其製造方法，電磁場遮蔽構造、及半導體製造環境。
半導體製造的工程品質管理中，作為計測／檢查裝置，廣泛利用測長SEM，其係應用了電子顯微鏡而進行晶圓上的元件電路圖樣的形狀觀察及各種的尺寸測定。跟上元件的更高度積體化，逐漸要求重現性良好地獲得更微細的形狀（配線的寬幅或直徑為10nm～20nm前後）之觀察、與對於實際形狀之高精度／高解析力的計測結果。
另一方面，近年的半導體製造中，為了避免電路或元件的尺寸的微細化所伴隨之性能極限，而達成更進一步的積體度，係逐漸採用三維性構造，其將形成有半導體電路之構造單位的層，介著將層間導通的金屬電極等而層積複數層。此構造的半導體製造產線中，CVD製膜裝置、電漿蝕刻機、離子植入裝置、高頻感應加熱方式的膜質改善裝置、晶圓表面洗淨裝置、乃至於內建準分子雷射光源的曝光裝置或光學式檢查裝置會處於緊密設置的狀況。測長SEM，在這樣的製造產線中，供形成的半導體電路之品質管理所用，因此會成為受到周圍裝置產生的電磁場(AC磁場；交流電磁場，超過10Hz的頻率(包含電源頻率50Hz～60Hz)下為500nT～1μT前後。DC磁場；靜磁場，在未滿10Hz的頻率下為300nT～650nT前後)、或FA(Factory Automation；工廠自動化)設備中使用的廠內無線LAN (2.4GHz頻帶)的影響之狀態。為了在指定範圍內高速掃描電子線，忠實於實物而取得被觀察物亦即晶圓表面的細線及孔這些電路要素的圖像，必須有抑制裝置外部的電磁場的影響之電磁場遮蔽板。
專利文獻1中，揭示一種構成應用了非晶質材料之板材，而構成比起坡莫合金(permalloy)或矽鋼板還高性能的屏蔽室之發明。專利文獻2中，揭示一種將非晶質板材變得容易處置，來減低形狀的限制之發明。專利文獻3中，揭示一種將非晶質磁性薄板與強磁性體薄板材做成複合金屬板，予以層積一體化之後，在抵消外部的電磁場之狀況下予以燒鈍而構成之磁場遮蔽材的發明。
此外，專利文獻4～6中，記載將矽鋼板重疊於非晶質材。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開昭62-221199號公報 [專利文獻2] 日本特開平11-26981號公報 [專利文獻3] 日本特開平4-266092號公報 [專利文獻4] 日本特開平7-231191號公報 [專利文獻5] 日本特許第2837595號公報 [專利文獻6] 日本特許第2606971號公報
[發明所欲解決之問題]
習知的電磁場遮蔽板中，為了對於較為高頻的電磁場獲得高遮蔽性能，會有所要求的材料的重量變大這一問題。
例如，若以抑制半導體製造環境的電磁波所造成的外擾為目的，則多會使用軟磁性體的PC坡莫合金或μ合金，乃至於矽鋼(電磁鋼)來作為電磁場遮蔽板的材料。若要使用該些材料來獲得針對從靜磁場至數十Hz的頻率頻帶的較為平穏的交流磁場之遮蔽性能，則一般會使用厚度1mm前後的材料。因此，若設想一具有寬幅×深度×高度分別為數千mm規模的外形之裝置，則當選擇了PC坡莫合金材的情形下其比重為約8.62，因此用來包圍6面之遮蔽板的重量成為300kg～400kg。當裝置本體的重量為1,500kg～2,500kg的情形下，會由於遮蔽材的重量而使其增加相當於其4分之1至5分之1的重量。半導體製造環境的地面，為了減低浮遊塵埃，多半為由穿孔的地板所成之伴隨從地面往地下排氣的格柵構造之情形，耐荷重有其限制，因此裝置重量的減低為重要的設計項目。本發明可適用的測長SEM裝置，係供工程／品質管理所用，因此多半有一個製造產線中鄰接設置複數台裝置的狀況，因此裝置的重量減低變得更加重要。
PC坡莫合金材，初導磁率高，矯頑性小(外部磁場消失時，不易發生起磁／磁化)，被大量用作為電磁場遮蔽材。PC坡莫合金材，含有重量比為75%～80%的鎳元素。因此，受到鎳材的國際市場行情的影響，有發生較為大的價格變動之傾向，材料成本亦處於較為高的狀況。
使用了坡莫合金材的電磁場遮蔽材中，係利用以下原理，即，藉由高導磁率使磁通量集中於坡莫合金材，而使得往藉由坡莫合金材而被圍繞周圍的空間內之磁通量密度減低。因此，對於從靜磁場至比10Hz還低的頻率為止之頻帶的遮蔽係為有效，但對於從50Hz～60Hz的電源同步頻率至比其還高的頻率頻帶的AC磁場(交流磁場)則有遮蔽性能降低的傾向。因此，為了更高頻率的頻帶下的電磁場遮蔽，逐漸併用將導電性高的鋁材等安裝在坡莫合金材的更外表面，來利用鋁材的導電性所致之靜電遮蔽。藉由安裝在最外層的鋁材的靜電遮蔽效果，雖可達成MHz頻帶電場的遮蔽，但對於kHz頻帶的電磁場，就坡莫合金材的特性而言，會由於電磁場的集膚效應(skin effect)與材料中產生的渦電流之不良影響，而無法獲得和素材重量及材料成本相符的遮蔽性能。
測長SEM的電子線掃描速度，由於每單位時間的處理數的增大化、與實現在晶圓上的更微細的圖樣之高精度的尺寸計測之SEM像的高解析力化(像素數的增大化)，而更加高速化，而成為容易受到來自電源頻率的5倍至10倍，以及更高頻率頻帶的電磁場之外擾影響的狀況。然而，若為習知的遮蔽材，如前述般無法獲得充分的遮蔽效果。
此外，專利文獻4及5記載的技術中，作為補強材雖使用矽鋼板，但若為矽鋼板則相對於重量而言之遮蔽性能受到限制。例如，矽鋼板的相對導磁率，相較於坡莫合金材大概差異1位數(約10倍)，因此若要獲得同等的遮蔽性能，比起藉由坡莫合金材構成的情形下，會成為使得板材厚度增大之設計。因此，當優先減輕重量而設計矽鋼板的情形下，會導致遮蔽性能被限制。
本發明有鑑於上述這樣的解待問題而研發，目的在於提供一種對於較為高頻的電磁場獲得高遮蔽性能，同時能夠減輕重量之電磁場遮蔽板，其製造方法、電磁場遮蔽構造、及半導體製造環境。 [解決問題之技術手段]
本發明之電磁場遮蔽板，係將坡莫合金的板材或薄片所成之坡莫合金層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成。 [發明之效果]
按照本發明之電磁場遮蔽板、其製造方法、電磁場遮蔽構造、及半導體製造環境，能夠對於較為高頻的電磁場獲得高遮蔽性能，同時減輕重量。
以下說明更具體的效果的例子。但，效果不限於此，此外，未獲得以下的效果的任一者之實施例，亦可能包含在本發明之範圍。
有關電磁場的遮蔽性能，若為使用了PC坡莫合金等的坡莫合金之電磁場遮蔽板，則在未滿50Hz的頻率頻帶，能夠利用材料具有的高導磁率而使磁通量往材料中集中，而因應材料的厚度來較為效率良好地獲得遮蔽效果。但，有關從電源頻率(50Hz～60Hz)至500Hz為止的頻帶、或kHz的頻帶，相對於遮蔽材的重量而言，無法獲得充分的遮蔽性能。
本發明的特定的實施例之層積構造中，能夠併用在非晶質層的衰減遮蔽效果、與在PC坡莫合金層及非晶質層的層積界面的反射效果所致之遮蔽效果、與在PC坡莫合金層的磁通量的集中效果。因此，於電源頻率(50Hz～60Hz)以上的頻率頻帶，會彌補因應PC坡莫合金材的素材厚度而增加的渦電流、或高頻頻帶下的電磁場的集膚效應而引起之導磁率的減少，故對於更高頻率的交流電磁場，相較於藉由PC坡莫合金單層構成的電磁場遮蔽板，能夠提升遮蔽性能。
此外，藉由與非晶質材之層積化，能夠在確保遮蔽性能的狀態下使PC坡莫合金層的板厚度減少。PC坡莫合金因鎳含有量大而質量大，故若能夠抑制PC坡莫合金材的使用量，可能能夠將遮蔽構件的重量減低30～40%。
此外，藉由坡莫合金材使用量的削減，能夠減低鎳材行情的價格變動的影響，而可達成遮蔽材的成本穩定化與減低。
以下，基於所附圖面說明本發明之實施例。本發明例如有關電磁場遮蔽板。此電磁場遮蔽板，是以將Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質材、與坡莫合金(PC坡莫合金、μ合金等)予以至少層積各1層而構成的層積材訂為基本構成。以下，有時將電磁場遮蔽板簡稱為「遮蔽板」。
[實施例1] 圖1為本發明實施例1之製造電磁場遮蔽板的方法的一例說明流程圖。本實施例中，作為坡莫合金的例子選擇了PC坡莫合金。首先，進行坡莫合金材及非晶質材之成型(步驟S1)。步驟S1中，形成坡莫合金材的板材或薄片(本實施例中訂為板材)所成之坡莫合金層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片(本實施例中訂為薄片)所成之非晶質層。坡莫合金層，如上述般例如可藉由PC坡莫合金或μ合金的板材或薄片來構成。
步驟S1之成型處理，視必要包含裁切、外形形狀的加工、穿孔加工等。針對坡莫合金層，亦可於步驟S1之後，以適合材料的溫度進行磁性燒鈍(步驟S2)。如此一來，便能除去步驟S1(特別是形狀加工等)中產生之使得導磁率等材料特性劣化之金屬組織的應變(strain)或轉變(transition)。
接下來，亦可進行防止來自非晶質層的端部的發塵之對策(步驟S3)。當處置非晶質材(板材等)時，若對材料賦予屈曲或變形等，則構成非晶質的金屬元素恐會成為微小的粉塵而分離飛散。在藉由微影或物理性加工來形成微細電子電路之半導體製造的環境中，有時較佳是進行抑制這樣的粉塵或金屬異物(微粒)的產生。
圖2揭示這樣的對策的例子。在構成非晶質層1的材料(例如板材)之被加工或切斷的端面(包含層積固定時使用的固定用孔)及其周邊，安裝樹脂膠帶素材2。圖2的B部為非晶質層1的緣部周邊，圖2的C部為非晶質層1的固定用孔的周邊。樹脂膠帶素材2，為被覆非晶質層1的端部或開口部以免其露出之被覆層的例子。
被覆層，例如介著端部或開口部而從非晶質層1的一面覆蓋至另一方的面。被覆層，能夠構成為被覆端部的全體而不使非晶質層1的被加工的端部露出。當端部或開口部有複數的情形下，合適是針對它們全部設置被覆層，但不這樣做也能獲得一定程度的效果。
樹脂膠帶素材2例如為在一面具有接著層之樹脂膠帶素材。像這樣，做成非晶質層1的被加工或切斷的端面不露出之構造，藉此便能抑制來自非晶質層1的金屬異物的產生。
安裝的樹脂膠帶素材2的導電性有無，對於遮蔽性能似乎不造成影響。但，在將非晶質層1與坡莫合金層3層積的狀態下，為了獲得更高的遮蔽特性，較佳是選擇及設計樹脂膠帶素材2的寬幅及厚度，以確保非晶質層1及坡莫合金層3的兩材料的接觸面積盡可能地廣。
另，當執行步驟S2及S3雙方的情形下，亦可同時執行它們，亦可以和圖1相反的順序執行。
接下來，進行是否使用補強材之判斷(步驟S4)。此判斷，能夠因應遮蔽板的用途及被要求之性能等而由所屬技術領域者適宜進行。
當使用補強材的情形下，例如使用耐蝕鋁材的成型品來形成補強材(步驟S5)。針對此耐蝕鋁材的細節，利用圖4等後述之。
於步驟S4或步驟S5之後，將坡莫合金層與非晶質層(視必要進一步將補強材)重疊固定，構成遮蔽板(步驟S6)。固定例如能夠使用螺栓。本實施例中，此時不使其他材料介於兩層的界面，而做成兩層的相向的表面直接接觸之狀態，盡可能不造出間隙(空間)，而予以層積及固定。
例如，遮蔽板具有具規定的遮蔽性能之電磁場遮蔽區域，坡莫合金層與非晶質層於此電磁場遮蔽區域的全體接觸。所謂電磁場遮蔽區域，意指遮蔽板被設計成具有遮蔽電磁場的功能之區域，例如當在遮蔽板的周緣、固定部位、開口部等存在不需要遮蔽電磁場的功能之區域的情形下，這類區域不包含在電磁場遮蔽區域中。電磁場遮蔽區域，亦可為佔遮蔽板的幾乎全面。
圖3及圖4揭示用來將坡莫合金層3與非晶質層1予以層積及固定之構成的例子。圖3僅表示非晶質層1，其包含緣部周邊在內，在固定孔的周圍設有由樹脂膠帶素材2所成之被覆層。圖4為包含耐蝕鋁板材4、非晶質層1、坡莫合金層3的三層所成之遮蔽板的部分擴大截面圖之圖。本例中，坡莫合金層3及非晶質層1，分別以矩陣狀被穿孔。穿孔的間隔，在縱方向為b，在橫方向為c。遮蔽板，具備非磁性材料所成之固定構件(第1固定構件)，被穿孔的孔部H(第1貫通孔部)配置於此固定構件。作為非磁性材料，例如能夠使用SUS316材或SUS304材(SUS304材的非磁性特性較SUS316材為差)。
另，圖4例子中，遮蔽板具備耐蝕鋁板材4。耐蝕鋁板材4，為圖1的步驟S5中配置之耐蝕鋁材的成型品。
第1固定構件，例如由非磁性材料的螺栓5及螺帽15所成。螺栓5貫通孔部H而與螺帽15螺合緊固，藉此，螺栓5及螺帽15於各孔部H將非晶質層1及坡莫合金層3彼此固定。如此一來，能夠將層積材(非晶質層1及坡莫合金層3)一體化而保持。
於兩層的層積固定時，作為第1固定構件，亦可替換掉螺栓及螺帽或再追加使用其他構成。圖4例子中，在孔部H的周邊，配置有補強用板材6作為補強材所成之補強層。補強用板材6，與非晶質層1或坡莫合金層3以面接觸。補強用板材6，能夠用來抑制外力所造成之變形，能夠抑制磁性特性的劣化。
圖5揭示不使用螺帽之構成的例子。本例中，配置有形成了母螺牙要素的板材19來取代螺帽。當使用形成了母螺牙要素的板材19的情形下，例如能夠在電磁場遮蔽空間的內側(作為具體例，對於坡莫合金層3而言為和非晶質層1相反側)配置板材19。若依此方式配置，則當遮蔽MHz頻帶的周圍的電磁場時，能夠抑制零件端面長度與外部電磁場的波長的整合而產生的共振所造成之遮蔽性能的降低。
構成坡莫合金層3的板材或薄片的厚度可任意設計，但若考量切斷或彎折這些形狀加工中的處置、形狀加工後的磁性燒鈍工程中的熱所造成之變形、與非晶質層1之層積組立的作業性等，較佳是訂為0.3mm程度以上。
厚度0.3mm的坡莫合金材(例如PC坡莫合金材)，依用途不同若為單層則作為遮蔽材的面可能有機械強度不充分的情形。例如，會成為因外力負荷而容易發生使得磁性特性劣化之板材的變形或應變之狀況。為應對此事，亦可使用耐蝕鋁板材4來達成板材的變形抑制、與作為面構件的補強之目的。
耐蝕鋁板材4，例如由5000系的材料所構成。耐蝕鋁板材4的厚度雖可適宜設計，但視用途，有時訂為1mm以上即可獲得足夠的強度，此外若訂為1.5mm以下則重量可落在容許範圍。因此，耐蝕鋁板材4的厚度例如能夠訂為1mm～1.5mm的範圍內。
耐蝕鋁板材4，被安裝在電磁場遮蔽空間的最外表面(作為具體例，對於非晶質層1而言為和坡莫合金層3相反側)，而構成層積遮蔽板。也就是說，層構成如圖4所示般，成為耐蝕鋁板材4(最外面)+非晶質層1(中間層)+坡莫合金層3(內面)所成之3層的構成。本例中，在中間層配置非晶質層1，藉由成為最外面的補強材之耐蝕鋁板材4、與內面的坡莫合金層3，非晶質層1被包夾而固定。另，由圖可知，在此情形下，在耐蝕鋁板材4亦設有被穿孔的孔部H(第1貫通孔部)，螺栓5及板材19(或螺栓5及螺帽15)於各孔部H將耐蝕鋁板材4、非晶質層1及坡莫合金層3彼此固定。
圖6揭示習知之構成的例子以作為對比。此例不具備非晶質層1，耐蝕鋁板材4、坡莫合金層3及補強用板材6藉由螺栓5及螺帽15而被固定。
圖7揭示本實施例之具備電磁場遮蔽板之電磁場遮蔽構造的例子。本例中，寬幅×深度×高度為831mm×1071mm×1028mm的尺寸。以下，記載使用圖7的電磁場遮蔽構造來構成遮蔽模型，而確認遮蔽效果之實驗的結果。
在應用了亥姆霍茲(Helmholtz)線圈之磁場產生儀的內部設置遮蔽模型，從遮蔽模型的外部施加磁場。磁場的施加方向，使用了X方向(例如寬幅方向)、Y方向(例如深度方向)、及Z方向(例如高度方向)這3種類。磁場的磁通量密度訂為1μT，磁場的頻率訂為靜磁場(頻率1Hz)及交流磁場(頻率50Hz～500Hz)。在遮蔽模型的內部空間，靜磁場中配置場閘線圈型磁場感測器7，頻率5Hz以上的頻帶的交流磁場中設置三維電磁場感測器，實測遮蔽模型內部的磁通量密度。
圖8揭示此實驗的結果。橫軸表示坡莫合金層3的厚度，縱軸表示遮蔽率。遮蔽率，是將遮蔽模型的外部的磁通量密度，除以遮蔽模型的內部空間的磁通量密度而成之值。在坡莫合金層使用了PC坡莫合金。圓記號(白圓及黑圓)，為使用了作為比較例之坡莫合金單層所成之遮蔽板(例如圖6)的情形下之測定結果。四角記號(白四角及黑四角)，為使用了本發明實施例之遮蔽板的情形下之測定結果。
電源頻率(50Hz或60Hz)下，習知技術之僅包含厚度1mm的PC坡莫合金層之遮蔽板，得到6.7的遮蔽率。此外，習知技術之僅包含厚度0.5mm的PC坡莫合金層之遮蔽板，亦同樣得到6.7的遮蔽率。
相對於此，作為本發明的一實施例，若使用厚度0.5mm的PC坡莫合金層、與非晶質層之層積構造，則遮蔽率成為8.6(另，非晶質層厚度雖對結果不太造成影響，但例如為厚度0.4mm～0.5mm程度。以下同)。又，作為本發明的另一實施例，若使用厚度0.3mm的PC坡莫合金層、與非晶質層之層積構造，則遮蔽率成為7.2。也就是說，即使讓坡莫合金層的厚度減少成約三分之一，仍能獲得同等以上的遮蔽性能。
像這樣，本發明一實施例之遮蔽板，至少於電源頻率下具有高遮蔽性能。因此，對於容易受到電源頻率的交流磁場影響的裝置之電磁場遮蔽係為有用。例如，料想作為掃描型電子顯微鏡用的電磁場遮蔽板會發揮顯著的效果。然而，本發明的一實施例之遮蔽板，不限於掃描型電子顯微鏡，亦可適用於帶電粒子束裝置。帶電粒子束裝置，包含應用了穿透型電子顯微鏡、聚焦離子束裝置、電子顯微鏡之半導體檢查裝置等。此外，本發明的一實施例之遮蔽板，料想在具備該遮蔽板、與藉由50Hz以上的頻率的交流電源而被驅動的半導體製造關連裝置之半導體製造環境中，會發揮顯著的效果。
靜磁場(1Hz)下，僅包含厚度1mm的PC坡莫合金層之習知技術之遮蔽板，得到10.4的遮蔽率。此外，僅包含厚度0.5mm的PC坡莫合金層之習知技術之遮蔽板，得到7.4的遮蔽率。
相對於此，作為本發明的一實施例，若使用厚度0.5mm的PC坡莫合金層、與非晶質層之層積構造，則遮蔽率成為7.8。又，作為本發明的另一實施例，若使用厚度0.3mm的PC坡莫合金層、與非晶質層之層積構造，則遮蔽率成為6.1。
比較此狀態下的遮蔽板的重量。將遮蔽板的尺寸訂為寬幅980mm×高度940mm。為求比較例與本發明實施例之條件統一化，於雙方的情況中在最外層安裝1.5mm的厚度的耐蝕鋁板材。比較例(厚度1mm的PC坡莫合金材單層)的遮蔽板中，將坡莫合金材的重量7.47kg、與耐蝕鋁板材的重量3.7kg合計，總重量為約11.2kg。
相對於此，本發明之實施例中，同尺寸的遮蔽板下，厚度0.3mm的PC坡莫合金層的重量為2.42kg，被層積的非晶質層的重量為0.703kg，耐蝕鋁板材的重量同比較例為3.7kg，總重量成為約6.8kg。像這樣，相對於比較例(厚度1mm的PC坡莫合金)的重量約11.2kg，達成約40%的重量減低。
坡莫合金層的厚度，規定了對於靜磁場～數十Hz程度的頻帶之較為平緩的交流磁場的遮蔽性能。此頻帶下，坡莫合金層較厚者，磁通量會更集中於導磁率高的坡莫合金材中，因此會成為往遮蔽空間內部漏洩的磁通量減少之狀態，遮蔽性能提升。但，隨著頻率變高，坡莫合金層的遮蔽性能有降低的傾向。就其理由而言，有電磁場內在素材中被激發的渦電流所造成之反電動勢的影響、高頻電磁場內的集膚效應、坡莫合金本體的電阻等物性等。
作為用來取得遮蔽板的重量減低化、與在頻率比10Hz還低的電磁場之遮蔽性能、與在比電源頻率還高的頻率頻帶之遮蔽性能的平衡的一例，能夠將坡莫合金層的厚度在0.5mm前後的範圍內選擇。若將厚度訂為0.5mm以上，則依用途而定能夠獲得足夠的遮蔽性能，若將厚度訂為0.635mm以下，則依用途而定能夠足夠減輕重量。像這樣，一實施例中，坡莫合金層的厚度合適是訂為0.500mm～0.635mm的範圍內。在此情形下，能夠合併獲得坡莫合金材的導磁率的貢獻所造成之在低頻率頻帶下的磁通量集中所致之遮蔽性能、及與非晶質材之層積效果所致之在高頻頻帶(比電源同步頻率50Hz或60Hz還高的頻率頻帶)下之交流磁場的遮蔽性能，故可兼顧從靜磁場乃至交流磁場之遮蔽性能。作為坡莫合金層的例子，厚度0.5mm的PC坡莫合金材，其在外形加工、磁性燒鈍工程、及層積組立工程中的板材的剛性適度，作業性亦比厚度0.3mm的PC坡莫合金材還良好，因此就量產的觀點料想為有效。
如圖8的圖表所示，對於1Hz的靜磁場，習知的遮蔽板(厚度1mm的PC坡莫合金層)的遮蔽率成為10.4，相對於此，本發明的一實施例之遮蔽板(厚度0.5mm的PC坡莫合金層、與非晶質層)的遮蔽率減低到7.8。但，對於頻率50Hz～60Hz的交流電磁場，習知的遮蔽板降低至6.7，相對於此，本發明的一實施例之遮蔽板的遮蔽率成為8.6，遮蔽性能逆轉，而成為藉由層積構造得到的遮蔽率比藉由坡莫合金單層得到的遮蔽率還高之狀況。此時的遮蔽板的重量，厚度1.5mm的耐蝕鋁板材(補強材)的重量3.7kg、與厚度0.5mm的PC坡莫合金層的重量3.74kg、與非晶質層的重量0.703kg之合計成為約8.2kg，比起習知的遮蔽板(藉由厚度1mm的坡莫合金層、與為求條件統一化之最外層的鋁所構成之遮蔽板)的約11.2kg，達成了約30%的重量減低。
圖9揭示將接著劑用於層積材料的層積固定之構成的例子。本例中作為接著劑的例子係使用雙面接著膠帶8，在非晶質層1與耐蝕鋁板材4之間使用雙面接著膠帶8，將該些層接著固定。另，若使雙面接著膠帶8介於非晶質層1與坡莫合金層3之間，則遮蔽性能可能會劣化。在雙面接著膠帶8介於非晶質層1與坡莫合金層3之間的狀態下，會成為存在有導磁率低的接著膠帶層所成之間隙(空間)的狀況，實測下會帶來10%程度的遮蔽性能的降低。
如圖9所示般，非晶質層1對於成為最外表面的耐蝕鋁板材4之層積固定，可使用雙面接著膠帶8。也就是說，耐蝕鋁板材4與非晶質層1，透過雙面具有接著層之膠帶材而被接著。惟，在非晶質層1與坡莫合金層3之間，為了不妨礙在兩材料界面之磁域壁(magnetic domain wall)的移動等，而做成不使用膠帶材，兩材料的相向的面彼此以盡可能廣的面積直接接觸之構造，則能更提高遮蔽性能。
另，在能夠容許一定程度(例如10%程度)的遮蔽性能的降低之用途中，亦可使用雙面接著膠帶8將非晶質層1與坡莫合金層3，作為本發明之實施例。特別是，若為這樣的構成則剛性會增加，抵抗音波振動變得更強。
藉由坡莫合金層3與非晶質層1之層積構造所致之遮蔽板而獲得之對於交流磁場的遮蔽性能的提升，推測是在兩材料的層積界面之相位變化或反射損失所造成的遮蔽效果、與在非晶質層1之電磁場的吸收損失所造成的遮蔽效果、與磁通量坡莫合金層3中的集中複合地作用而獲得。
圖10作為比較例，揭示不使用坡莫合金層3的情形下之實驗結果。為了對照比較，做成為僅將非晶質磁性材與補強材的耐蝕鋁材層積之層構成，而測定遮蔽率。遮蔽率的測定，是在將非晶質層做成1片(單層)的情形下、層積2片的情形下、層積3片的情形下分別以實測進行。其結果，雖觀測到略微的遮蔽率的增加，但如圖10的圖表般，遮蔽率為2.1～3.5的範圍內。藉由本發明實施例之坡莫合金層與非晶質層之層積材而能獲得的8.0前後的遮蔽率，其在靜磁場中、在交流磁場中都無法獲得。
圖8所示之對照實驗中，若為同樣地使用PC坡莫合金材而構成之遮蔽板，則針對1Hz靜磁場的遮蔽率，藉由PC坡莫合金材的導磁率所造成的磁通量的集中效果而遮蔽率成為10.4，相對於此，若將PC坡莫合金材的厚度做成2分之1的0.5mm，則由於板厚度的減少，穿透材料中的磁通量減少，遮蔽率降低成7.4。但，有關頻率50Hz～60Hz的電源頻率的交流磁場，厚度1mm的PC坡莫合金材的遮蔽率成為6.7，相對於此，厚度0.5mm的PC坡莫合金材的遮蔽率亦為6.7，不同於靜磁場之情形，即使坡莫合金材的厚度減少至二分之一，仍成為略同等的遮蔽率。
相對於此，若為本發明一實施例之厚度0.5mm的PC坡莫合金層與非晶質層之層積材，則50Hz～60Hz的交流磁場的遮蔽率成為8.6，比藉由厚度1mm的PC坡莫合金單層的遮蔽板而獲得的遮蔽率6.7還提升。在電源頻率(50或60Hz)以上的交流磁場的遮蔽性能中，判斷以PC坡莫合金材的1mm這樣的厚度並非必須。
像以上這樣，將非晶質層、與以PC坡莫合金材為代表的坡莫合金材之層予以層積之遮蔽板的優點，由電源頻率以上之高頻的交流磁場中的遮蔽性能的提升、及遮蔽板的重量減低這兩觀點來說係為明確。另，當重量不是問題而僅要求遮蔽率提升的情形下等，亦可將坡莫合金層的厚度做成1mm以上。
本發明一實施例之層積構造的電磁場遮蔽板，並非僅有坡莫合金材與補強用的耐蝕鋁這樣容易發生音波的共鳴之較為薄的金屬層層積之狀態，而是層積有非晶質層中包含的樹脂材料之構造，因此對於外來音波所造成之在遮蔽板內的音波共鳴，其耐性亦會提升。
作為與坡莫合金材層積的非晶質材，使用Fe-Si-B-Cu-Nb系之物，相較於使用Co系之物會獲得較為大的飽和磁通量密度，因此判斷在飽和磁通量密度重要的用途下為合適。若為Co系非晶質材，則有關遮蔽性能，似乎亦會發生經時變化。
非晶質層1的內部構造，可由所屬技術領域者適宜設計，惟作為一例，亦可使用非晶質材的薄膜膠帶(條)來構成層。例如，亦可將薄膜膠帶於每一各層以配向變化之方式配置，層積4層左右而一體化而做成板材。若為這樣的板材，則磁性特性的異方性會被抵消，導磁率亦成為略無指向性，故在欲抑制異方性的用途中為有效。
圖8及圖10之實驗中，為了非晶質層的模型評估，使用了從光洋產業股份有限公司以商品名「MS薄片」販售之製品。同樣的製品，從日立金屬股份有限公司亦有以商品名「FM SHIELD」販售，兩者亦可併用。
當將複數個遮蔽板拼接使用的情形下，拼接部分的具體構造雖可適宜設計，惟以下說明一例。
圖11揭示拼接構造的例子。本例中，如A部擴大圖所示，平面狀的遮蔽板、與稜部連接構件(與圖16等有關連，後詳述之)被拼接。遮蔽板，具備非晶質層1、坡莫合金層3、樹脂膠帶素材2。稜部連接構件，具備稜部耐蝕鋁板材4a、稜部坡莫合金層3a、稜部不鏽鋼層14。在稜部不鏽鋼層14，設有與螺栓5的公螺牙要素螺合之母螺牙要素16。此處，遮蔽板的坡莫合金層3、與稜部連接構件的稜部坡莫合金層3a，是在接近各自的端面之區域被疊合。若做成此構造，則在從外部施加電磁場的狀況下，遮蔽板與稜部連接構件之間的磁域壁移動會變得容易，能夠確保如前述般的遮蔽性能。
有關更高頻率(例如kHz、MHz、或其以上的頻率的頻帶)的電磁場之遮蔽，理想是就空間而言成為密閉狀態之遮蔽構造，惟若是實際的裝置中使用之電磁場遮蔽構造，有時開口部為必要。開口部，例如在下述目的等時為必要，如半導體晶圓對於遮蔽空間內部之投入與回收、從機構部或控制電路部之散熱、及以防止無塵室環境中的塵埃的滯留為目的而確保遮蔽板空間內部的氣流。在這樣的開口部，相較於將非晶質層1與坡莫合金層3層積而成之電磁場遮蔽區域，遮蔽性能雖有降低的可能性，但依開口部的構造而定，也有能夠將遮蔽性能的降低抑制地較為小之可能性。
圖12～圖15揭示具備開口部之電磁場遮蔽構造的例子。開口部例如為散熱用者，亦可為用來確保氣流者。圖12例子中，遮蔽構造，具備設有多數個尺寸8mm～10mm或其前後的孔(例如圓形的孔)之軟磁性材料的板9。軟磁性材料的板9，例如由坡莫合金所成。軟磁性材料的板9為安裝於開口部者，相對於遮蔽板，例如被固定在從耐蝕鋁板材4側覆蓋開口部之位置。此構造中，遮蔽率會由於孔的尺寸、孔的數量、外部的電磁場的頻率等而變動，但相較於沒有開口部的密閉狀態，有時會帶來約7%前後的電磁場遮蔽率的降低。
圖13揭示開口部的另一例。本例中，電磁場遮蔽構造，具備鋁基材的蜂巢材10(蜂巢構造構件)。圖14更具體地揭示蜂巢材10的構造。圖14(b)為圖14(a)的A-A部截面圖，圖14(c)為部分立體圖。
蜂巢材10為安裝於開口部者，相對於遮蔽板，例如被固定在從耐蝕鋁板材4側覆蓋開口部之位置。蜂巢材10，在其外周部具備藉由板金構件而構成之補強部10a。若為這樣的構造，則遮蔽率的降低成為約3%前後，相較於圖12的構造，能夠抑制開口部的影響所造成之遮蔽性能的降低。
當為了晶圓對於遮蔽空間內之投入及回收而設置較為大的開口部的情形下，可觀察到遮蔽性能降低的傾向。降低的原因，料想是因為有開口部，而造成遮蔽區域的面積、與就總量而言的磁性材的體積減少。特別是，若為開口率大的面，則有關從靜磁場至數十Hz程度為止的頻帶的遮蔽性能，磁通量往遮蔽板之集中所造成的遮蔽效果會減少，因此遮蔽性能降低。但，50Hz～500Hz的頻率頻帶的電磁場中，相較於密閉狀態的遮蔽率而言無法明確地觀察到開口的影響，因此以交流電磁場的遮蔽性能的觀點來說，開口的影響似乎較小。
依配置於遮蔽空間內的裝置等的特性而定，數十Hz為止的頻帶的靜磁場之遮蔽性能會受到重視。在這樣的情形下，作為彌補在具有開口部(磁性材料的體積減少)的面的遮蔽性能之手段，亦可將此面的坡莫合金層的厚度增厚，藉此彌補遮蔽性能。
圖15揭示在遮蔽構造設有晶圓搬送用的開口部的情形下之構造的例子。作為用來防止更高頻率頻帶(80MHz～2.4GHz)的電場外擾侵入遮蔽空間的內部之對策，係藉由具有導電性的金屬製網目11來將開口部的周邊以束口袋狀圍繞。金屬製網目11，由於網目構造而具有通氣性，為形成為管狀之網目狀管構件。金屬製網目11，覆蓋開口部，並且以緊貼遮蔽板之方式(本例中以與最外層的耐蝕鋁板材4緊貼之方式)安裝。金屬製網目11，將遮蔽板的開口部、與晶圓投入及回收部20予以連接。
若做成這樣的構造，則在為了防止無塵室環境中的塵埃的滯留而維持通氣性之狀態下，有關電磁場遮蔽，可防止在和構件的長度相關之特定頻率下的共振現象，而對於電波從開口部直接對遮蔽空間內部之侵入亦能夠使靜電遮蔽效果發揮作用，能夠抑制遮蔽率的降低。
此外，相較於習知的遮蔽板亦可減低重量。因此，即使將半導體製造環境的地面做成用來排氣之格柵構造的情形下，也更容易符合地面的耐荷重限制。
[實施例2] 實施例2為具備實施例1之電磁場遮蔽板的電磁場遮蔽構造者。特別是，實施例2之電磁場遮蔽構造具備稜部，構成為圍繞內部空間之形狀。
圖16揭示配置於稜部的稜部連接構件的構成的例子。此稜部連接構件，為用來將平面狀的複數個遮蔽板以彼此呈角度之配置予以固定之構件。稜部連接構件，具有呈某一角度(第1角度)的稜。此角度，在圖16例子中為90度，但只要為非0度之角度則可任意變更。
稜部連接構件，係至少將稜部坡莫合金層3a、與稜部不鏽鋼層14予以重疊而構成。亦可更重疊稜部耐蝕鋁板材4a。稜部坡莫合金層3a，由坡莫合金的板材或薄片所成。稜部坡莫合金層3a的厚度，能夠從和遮蔽板的坡莫合金層3同樣的範圍來選擇。稜部不鏽鋼層14，由例如1.8mm～2.4mm的範圍內的厚度的沃斯田(Austenite)系不鏽鋼材所成。
本例中，稜部連接構件，從外側向內側，將稜部耐蝕鋁板材4a、稜部坡莫合金層3a、稜部不鏽鋼層14予以重疊而構成。另，所謂「外側」例如意指稜的凸側，所謂「內側」例如意指稜的凹側。稜部連接構件，亦可在內側或外側包含該些以外的層。
在稜部連接構件，於稜的兩側設置母螺牙要素16。母螺牙要素16例如設於稜部不鏽鋼層14。於稜部坡莫合金層3a，亦可在和母螺牙要素16對應的位置設置貫通孔。
稜部連接構件的稜的一側的至少一部分，與電磁場遮蔽板(第1遮蔽板)的至少一部分以重疊之方式被固定，稜部連接構件的稜的另一方側的至少一部分，與另一電磁場遮蔽板(第2遮蔽板)的至少一部分以重疊之方式被固定。圖11揭示這樣的構成的例子。圖11的A部擴大圖中，稜部坡莫合金層3a的一部分，與遮蔽板(特別是遮蔽板的非晶質層1及坡莫合金層3)的一部分以重疊之方式，藉由螺栓5及稜部不鏽鋼層14而被固定。
稜部連接構件，藉由稜部坡莫合金層3a等的遮蔽效果，其本身具有一定程度身為遮蔽板的功能。稜部連接構件，能夠藉由將各層的材料事先做成彎折規定角度(例如90度)之狀態，而將它們在直接接觸的狀態下層積來構成。
這樣的電磁場遮蔽構造的全體形狀可適宜設計，例如，坡莫合金層3及稜部坡莫合金層3a能夠在各邊以無間隙地被疊合之方式配置，而將各遮蔽板予以緊固固定來構成。
稜部連接構件，亦可更具備非晶質層。但，非晶質材為脆性材，因此若做彎折加工，材料有斷裂的可能性。當非晶質材的彎折加工不可行的情形下，即使如圖16般省略非晶質材，實質上仍可能獲得本發明之效果。例如，若為磁域壁能夠在稜部連接構件與遮蔽板之間移動的狀況，則由於能夠將面積、體積皆佔據遮蔽構造的外表面的幾乎所有面之平面部分藉由坡莫合金材與非晶質材之層積材來構成，因此至少可獲得一定程度就本發明而言之遮蔽效果。
[實施例3] 實施例3，為將複數個坡莫合金層連接，藉此構成更大的遮蔽板者。圖17揭示實施例3之遮蔽板的例子。
若為PC坡莫合金材等的軟磁性材，材料之形成會進行壓延加工，惟由於其壓延輥寬幅，材料可能會具有標準尺寸的寬幅。當將遮蔽板的寬幅構成為比此標準尺寸的寬幅還大的情形下，將材料接續之構造係為必要。
圖17(a)揭示這樣的遮蔽材的層構成。非晶質層1及耐蝕鋁板材4分別為1片的板或薄片，但坡莫合金層3是複數片的板被接合而形成。
圖17(b)為將圖17(a)的坡莫合金層3抽出示意之圖。坡莫合金層3，是第1坡莫合金層3x與第2坡莫合金層3y被抵接而構成。對於第1坡莫合金層3x及第2坡莫合金層3y，磁性燒鈍完畢之後，使用條材18(帶狀的板)將它們接續。此時的尺寸及配置，針對第1坡莫合金層3x及第2坡莫合金層3y各者，是設計成與其他的層(例如非晶質層1)疊合。第1坡莫合金層3x、第2坡莫合金層3y及條材18，皆由同一材料(例如PC坡莫合金)構成，例如能夠藉由點焊或螺牙固定而接合。
另，即使採用點焊工程，只要不會因作業中的外力而對坡莫合金層施加極端的變形，則能夠在因熔接而局部性地產生之熱的影響受到抑制的狀態下構成接續。此外，於磁性燒鈍工程之後進行點焊所致之接續，藉此便能抑制燒鈍工程的熱所造成的膨脹與收縮所致之變形。
於層積固定時，應將非晶質層1與坡莫合金層3之接觸面積盡可能確保得較大，但若有撓曲變形，則對於接觸面積的確保會成為不利的狀態。在坡莫合金層超過材料的標準尺寸的情形下之接續當中，安裝條材18的面，為了使非晶質層1與坡莫合金層3之接觸面積增大，係避開層積非晶質層1之側的表面，而是訂為相反側的表面(例如遮蔽空間的內部側的表面)。藉此，於坡莫合金層3，能夠減少接觸非晶質層1之側的表面的凹凸，而獲得和沒有接續的一片坡莫合金層近乎同等的性能。
以下說明圖17所示遮蔽板之製造方法的一例。首先，作為坡莫合金層，形成第1坡莫合金層3x及第2坡莫合金層3y。接下來，對第1坡莫合金層3x及第2坡莫合金層3y執行磁性燒鈍工程。其後，將第1坡莫合金層3x的端面與第2坡莫合金層3y的端面抵接配置，並且以覆蓋和被抵接的端面鄰接的一面(例如上述般不接觸非晶質層1之側的面)的至少一部分之方式，配置條材18。
在像這樣配置了條材18的狀態下，將第1坡莫合金層3x、第2坡莫合金層3y、條材18藉由點焊而一體化。依此方式，便能製造具有坡莫合金材的標準尺寸以上的尺寸之遮蔽板。
另，條材18的形成，能夠在點焊以前的任意時間點執行。此外，坡莫合金層3與非晶質層1之層積固定，可在點焊之前進行，亦可在點焊之後進行。
本實施例中同樣地，各板材的層積固定，如實施例1中記載般，是訂為各材料的表面直接接觸之狀態。另，當能夠一定程度容許遮蔽性能的降低之情形下等，亦可在層間使用雙面接著膠帶等。
若為非晶質材則無影響，但若為PC坡莫合金材等的軟磁性材料，於磁性燒鈍之後若受到外力所致之變形，則可能發生金屬組織的轉變(transition)等而導磁率會減少。因此，包含檢查整修時的從裝置裝卸之作業在內，對於坡莫合金層3，較佳是做成不會施加肇生變形的外力之構造。
作為以防止遮蔽板的變形為目的之補強的例子，能夠使用補強材，其抑制重量增加，並且彌補對於高頻電場之靜電遮蔽效果。例如，合適是使用1.0mm～1.5 mm的範圍內的厚度的耐蝕鋁材(例如5000系鋁)作為補強材，配置作為遮蔽板的最外層。這樣的構成的例子如圖4所示。這樣的構成，在圖7所示實驗用的遮蔽模型中亦有使用。
若利用這樣的構造，則例如藉由在構成補強材的一邊之端部設置上下一對的鉸鏈零件，也能將遮蔽板用於單開門的構造。
此外，為了防止性能劣化等而需要進一步的機械性補強的情形下，雖有重量較為大幅增加的可能性，但亦可將厚度1mm程度的SUS316或SUS304材的沃斯田系不鏽鋼材配置於鋁材的更外層。依此方式，補強會進一步被強化。
[實施例4] 實施例4為具備實施例1之電磁場遮蔽板的電磁場遮蔽構造者。特別是，實施例4之電磁場遮蔽構造，包含用來將遮蔽板可裝卸地予以固定之構造。
圖18及圖19揭示實施例4之電磁場遮蔽構造的構成的例子。圖18為固定構造周邊的擴大圖，圖19為包含全體圖之圖。本例係在各面使用了正方形的遮蔽板而成之立方體形狀的電磁場遮蔽構造者。亦可在1個以上的遮蔽板設有開口部。
於各遮蔽板，在坡莫合金層及非晶質層分別設置被穿孔的孔部(第2貫通孔部)。實施例1中的第1貫通孔部(孔部H)的一部分或全部，亦可作用成為實施例4之第2貫通孔部。此外，將遮蔽板固定時，在相當於構成遮蔽構造的稜部(角部)之框構件各自設置母螺牙要素，藉此做成在各面的4邊的端部配置有固定用的螺牙孔之狀態。例如亦可使用實施例2的稜部連接構件來構成框構件。
實施例4之遮蔽構造，具備用來將遮蔽板固定於框構件之固定構件(第2固定構件)、及墊圈。固定構件具備公螺牙要素。圖18及圖19例子中，第2固定構件由螺栓5a所構成，墊圈由墊圈12所構成。
圖18(a)揭示螺栓5a將墊圈12固定之狀態。圖18(b)揭示螺栓5a被放鬆，墊圈12的固定被解除之後，墊圈12被拆卸之工程。圖18(c)揭示墊圈12被拆卸後，耐蝕鋁板材4被拆卸之工程。
遮蔽板的孔部的內徑，比螺栓5a的頭部的外徑，以便配置螺栓5a時不需要精密的定位。在墊圈12設置具有規定的內徑之缺口。缺口從墊圈12的外周向著徑方向內側延伸至中央。缺口具有一定的寬幅，墊圈12的軸心形成為被缺口包含。
墊圈12的外徑構成為比孔部的內徑還大，無法通過孔部。此外，墊圈12的內徑(即缺口的內徑)，構成為比螺栓5a的頭部的外徑還小，以便能夠通過墊圈12的缺口將螺栓5a插入。此外，螺栓5a，構成為能夠將其軸部(特別是靠近頭部的位置)從徑方向外側向著內側插入至墊圈12的缺口。換言之，螺栓5a及墊圈12，構成為令墊圈12的缺口從徑方向外側滑動而嵌入至螺栓5a的軸部(特別是靠近頭部的位置)。
墊圈12，於孔部，相對於非晶質層配置於和坡莫合金層相反側。例如如圖18所示，以從外側接觸耐蝕鋁板材4之方式配置。螺栓5a的公螺牙要素，能夠與框構件的母螺牙要素(例如設於稜部不鏽鋼層14)螺合，並且將墊圈12(本例中是介著耐蝕鋁板材4)朝向非晶質層1及坡莫合金層3鎖緊而固定。
螺栓5a，能夠以框構件及遮蔽板的分別相向的面的接觸面積盡可能大之方式排列。螺栓5a的排列間隔，例如能夠在大致200mm～250mm的範圍內選擇。各個螺栓5a的緊固作業中，使用扭力扳手等，藉由一定的軸力將各部固定，藉此於遮蔽板的裝卸前後能夠獲得更穩定的遮蔽性能。
圖19例子中，設想使用縱(高度)900mm×橫(寬幅)940mm的遮蔽板之情形。如圖19般，能夠在上、下、左、右各邊配置5處的合計16處(角部四處重複)的螺栓5a。依此方式，遮蔽板被固定於框構件。在使用了圖7的模型之實驗中，對於標稱徑為4mm的螺栓(M4螺栓)，以鎖緊扭矩0.7N/m予以管理而實測遮蔽性能。若使用此鎖緊扭矩，則會成為M4螺栓下的降伏應力的2分之1程度的軸力，故就螺栓的斷裂而言亦足夠餘裕。因此，可做遮蔽板的反覆裝卸，遮蔽板與遮蔽板之接觸亦被充分確保。
有關MHz頻帶的電磁場遮蔽，有時會因遮蔽板彼此的微細的間隙而成為構成槽天線(slot antenna)之狀態而發生共振。在這樣的情形下，亦可將0.5mm～1mm程度的導電性發泡材安裝於最外層的鋁板的周圍端部。
例如圖11例子中，導電性發泡材，是在構成最外層的遮蔽板的耐蝕鋁板材4、與稜部連接構件的稜部耐蝕鋁板材4a之間的間隙區域X配置導電性發泡材。導電性發泡材的厚度及寬幅，較佳是以能夠充分確保坡莫合金層3與稜部坡莫合金層3a之間的接觸之方式來選定。
於遮蔽構造的維護或檢查時，會發生解除該些螺栓5a及墊圈12所致之固定之作業。例如當遮蔽板的孔部的內徑比螺栓5a的頭部的外徑還小的情形下，在每1片遮蔽板會發生反覆做拆卸螺栓5a，再緊固這樣的作業。每1片的遮蔽板會發生將12～16根螺栓5a完全拆卸之作業，而例如遮蔽構造1台中，在左、右、前、後的四方向遮蔽板配置十片以上的情形下，光是遮蔽板的裝卸就會導致龐大的作業發生。
如圖18所示，於螺栓固定位置設置在遮蔽板之孔部的內徑，能夠構成為比螺栓5a的頭部的外徑還大。依此方式，即使考量板金成型及開孔加工時的尺寸不一致，仍不需要遮蔽板固定時的精密定位，作業效率會提升。再加上，墊圈12構成為能夠從螺栓5a的軸部滑動而插拔之形狀，可提升遮蔽板的裝卸作業性。
若為此構造，則無須針對螺栓1根1根使其旋轉至拔除軸部全體為止。藉由將螺栓5a旋轉放鬆至可使可插拔的墊圈12不勉強地滑動之程度，便能將可插拔的墊圈12拔出，不拔出螺栓5a便可將遮蔽板拆卸。
另，有關孔部與螺栓5a之對位，亦可設置某種支撐構造。例如，如圖19所示，亦可在框構件配置遮蔽板支撐構件17(第3固定構件)。遮蔽板支撐構件17，例如能夠藉由具有公螺牙要素的構造(螺栓等)、與具有母螺牙要素的構造(螺帽或不鏽鋼層等)來構成。遮蔽板支撐構件17，能夠以能支撐遮蔽板的下邊之方式配置。首先，在此遮蔽板支撐構件17上，將遮蔽板暫放在應裝載之位置。接下來，於該狀態下，將可插拔的墊圈12夾入螺栓5a的頭部而將遮蔽板假固定。其後，將各螺栓以規定的鎖緊扭矩予以固定，藉此方法便能將遮蔽構造組立。
另，此電磁場遮蔽構造中，構成為於遮蔽板支撐構件17將遮蔽板對於框構件(例如對於不鏽鋼層)固定的狀態下，孔部的軸與螺栓5a的軸會一定程度整合。例如，構成為孔部的軸心會通過螺栓5a。依此方式，遮蔽板的拆卸作業會變得更有效率。
此外，實施例4中，為了進一步改善作業性，使用圖18所示之螺栓5a，並且使用圖19的A部擴大圖所示之螺栓13。圖20揭示螺栓13的形狀及作用。螺栓13，具備包含凸輪桿之凸輪式的開閉機構。凸輪桿形成於螺栓13的頭部。
螺栓13及墊圈12，構成為因應凸輪桿的旋動動作而墊圈12的軸方向位置範圍受到限制。例如，如圖20(a)所示當凸輪桿位於閉位置的情形下，墊圈12被抵壓至遮蔽板而被固定。另一方面，如圖20(b)所示當凸輪桿位於開位置的情形下，墊圈12被抵壓至遮蔽板(例如變得可於軸方向稍微移動)，如圖20(c)所示能夠將墊圈12容易地拔出。
此外，構成為在凸輪桿位於開位置的狀態下，螺栓13的最大外徑比遮蔽板的孔部的內徑還小，藉此，螺栓13的全體能夠於軸方向通過遮蔽板的孔部。因此，將墊圈12拔出後，如圖20(d)所示，能夠維持配置著螺栓13而將遮蔽板拆卸。此構造，於將遮蔽板再次組裝時的固定作業，壓接亦是藉由凸輪桿的操作所致之鎖緊便完畢，故遮蔽板的裝卸作業能夠更加簡易化。
另，實施例4的螺栓5a及螺栓13無需併用，亦可僅使用一方。
[實施例5] 實施例5，為將實施例1～4中坡莫合金層3變更成軟磁性材層者。「軟磁性材」的涵義及範圍，可由所屬技術領域者適宜定義，例如指特徵在於保持力較為小，導磁率較為大之材料。或，例如為「硬磁性材」的反義語(所謂硬磁性材，例如指磁極不會輕易地消失或反轉之材料，即矯頑性大的材料，俗話的「磁鐵」即包含於此)。但，坡莫合金材導磁率非常高而矯頑性小，故和坡莫合金材相較的情形下，軟磁性材導磁率較為小而保持力較為大。以下，說明與實施例1～4之差異。
圖21揭示實施例5之電磁場遮蔽板的構成的例子。實施例5之電磁場遮蔽板，係將軟磁性體的電磁鋼板材或薄片所成之電磁鋼層3b、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層1藉由機械性手段予以重疊而構成。所謂機械性手段，例如指運用螺栓的緊固固定所致者，但不限於此。
「電磁鋼」的涵義及範圍，可由所屬技術領域者適宜定義，例如指電磁能量與磁能量之變換效率高的鋼材。或，例如指讓磁氣通過而沒有大的阻力，鐵損少的鋼材。電磁鋼的具體例，包含純鐵、磁性不鏽鋼、矽鋼、等。藉由電磁鋼而構成的板材為電磁鋼板。
軟磁性體的電磁鋼板材，只要是可獲得期望的性能者，則可使用任何材料。例如，亦可採用完成壓延後的磁性燒鈍為止的加工之全製程(full process)材的無方向性電磁鋼板(磁性不鏽鋼或矽鋼板等)。此外，亦可應用光纖雷射加工機所致之成型或切斷。在該情形下，於外形加工時，即使發生在材料切斷部周邊的加熱溶斷伴隨之局部的特性變化，在其他的部分仍能將磁性性能大略維持在加工以前的狀態，因此亦可省略燒鈍工程。
若使用軟磁性體的電磁鋼板材，則比起坡莫合金材(例如PC坡莫合金材)，材料的成本會大幅減低，更能省略板材的製造工程中的磁性燒鈍，故遮蔽板的製造製程會低成本化，且簡略化。另，此處的磁性燒鈍，例如是於板材的切斷成型後實施者，例如包含規定的昇溫時間及冷卻時間，例如於非氧化性環境中以730℃～1100℃實施燒鈍。
但，實施例5之遮蔽板中，是將軟磁性體的電磁鋼板材與非晶質材1層積，故雖會獲得非晶質層1與電磁鋼層3b之層積化所致之遮蔽效果，但當發生了極端大的外部磁場的情形下，其後即使於外部磁場減少了之後，料想仍有成為磁場殘留於遮蔽板的狀況之可能性。其理由在於，若為電磁鋼板材則導磁率比坡莫合金材還小，及矯頑性比坡莫合金材還大。
電磁鋼層3b的厚度可任意設計，惟若將厚度訂為0.5mm以上，則依用途而定能夠獲得足夠的遮蔽性能，若將厚度訂為0.635mm以下，則依用途而定能夠足夠減輕重量。像這樣，一實施例中，電磁鋼層3b的厚度合適是訂為0.500mm～0.635mm的範圍內。
以下，將實施例5之遮蔽板，與習知技術之遮蔽板比較。首先專利文獻4中，記載一種遮蔽板，目的在於將來自設置於鐵道的地面下之功率因數改善用的電抗器(線圈用零件)的放射電磁場，減低至不會對客艙中的心律調節器等機器造成不良影響的程度。
專利文獻4的遮蔽板，使用Co系非晶質材，並非如實施例5般使用Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質材者。Co系非晶質材有成本高、磁性的經時劣化大這樣的缺點。
此外，專利文獻4的遮蔽板，為用於鐵道車輛者，特別是安裝於地面外部者，因此若用於其他用途則有厚度過大這樣的缺點。專利文獻4記載之遮蔽板的一例，具備厚度0.35mm的矽鋼鈑25片、與厚度0.5mm的Co系非晶質薄片5片、與厚度3.2mm的外殼構件2片，合計厚度成為17.65mm。此外，此例中，1600×1300mm的尺寸的構件，重量為248kg。
相對於此，本發明之實施例5中厚度就小得多。例如，即使因補強等目的而包含追加的耐蝕鋁板材4，以厚度1.2mm的耐蝕鋁板材4、與厚度0.5mm的非晶質層1、與厚度0.5mm的電磁鋼層3b，合計厚度也只在2.2mm程度。即使考量電磁鋼層3b的厚度的範圍，仍可設計成將非晶質層1與電磁鋼層3b合併之厚度成為1.0mm以下、1.1mm以下、1.2mm以下、1.3mm以下、1.4mm以下、或1.5mm以下。此外，電磁鋼層3b的厚度，亦可設計成為1.0mm以下、1.1mm以下、1.2mm以下、1.3mm以下、1.4mm以下、或1.5mm以下。因此，重量亦會變輕。像這樣薄而輕的遮蔽板，對於在半導體製造檢查裝置的外周部的交流磁場(AC磁場)及電場之遮蔽係為有效。
此外，專利文獻6中，記載一種於核磁共振測定、或應用SQUID(Superconducting QUantum Interference Device；超導量子干涉儀)感測器所做的生物磁性(biomagnetism)測定時使用的遮蔽板。專利文獻6的遮蔽板，目的在於抑制測定極微弱的磁場時之外擾。
專利文獻6的遮蔽板，為將非晶質與強磁性體層積之物，並非如本發明的實施例5般，使用矯頑性小、導磁率高的軟磁性材者。
此外，專利文獻6的遮蔽板，是將磁性燒鈍工程訂為必須。例如，藉由冷軋將素材層積後，進行磁性燒鈍。磁性燒鈍，是在非氧化環境中，350℃下，30分鐘期間，於15厄斯特(Oersted)的直流磁場中進行。像這樣一面施加經調節的外部磁場，或是在磁場極小的狀態下進行磁性燒鈍相當費事。
相對於此，本發明的實施例5中，於各層被成型之後，不用對任一層進行磁性燒鈍工程便可製造遮蔽板。
圖22為實施例5之製造遮蔽板的方法的一例說明流程圖。例如，能夠藉由包含將非晶質材成型而製造非晶質層1之工程(步驟S11)、與將電磁鋼材成型而製造電磁鋼層3b之工程(同為步驟S11)、與將非晶質層1及電磁鋼層重疊之工程(步驟S12)的方法，來製造遮蔽板。也就是說，製造遮蔽板的方法，於製造非晶質層1之工程(步驟S11)及製造電磁鋼層3b之工程(同為步驟S11)以後，不包含對於電磁鋼層3b之磁性燒鈍工程。因此，製造工程及構造極為單純。
1:非晶質層 2:樹脂膠帶素材(被覆層) 3:坡莫合金層 3a:稜部坡莫合金層 3b:電磁鋼層 3x:第1坡莫合金層 3y:第2坡莫合金層 4:耐蝕鋁板材 4a:稜部耐蝕鋁板材 5:螺栓(第1固定構件) 5a:螺栓(第2固定構件) 6:補強用板材(補強層) 10:蜂巢材(蜂巢構造構件) 10a:補強部 11:金屬製網目(網目狀管構件) 12:墊圈 13:螺栓(第2固定構件) 14:稜部不鏽鋼層 15:螺帽 16:母螺牙要素 17:遮蔽板支撐構件(第3固定構件) 18:條材 19:板材 H:孔部(第1貫通孔部、第2貫通孔部)
[圖1] 本發明實施例1之製造電磁場遮蔽板的方法的一例說明流程圖。 [圖2] 防止來自非晶質層的端部的發塵之對策的例子示意圖。 [圖3] 在緣部周邊與固定孔的周圍設置由樹脂膠帶素材所成的被覆層之非晶質層的例子示意圖。 [圖4] 耐蝕鋁板材層與非晶質材層與坡莫合金材層3的三層所成之遮蔽板擴大截面圖。 [圖5] 不使用螺帽之構成的例子示意圖。 [圖6] 習知的電磁場遮蔽板之構成的例子示意圖。 [圖7] 具備電磁場遮蔽板之電磁場遮蔽構造的例子示意圖。 [圖8] 使用了遮蔽模型之實驗結果示意圖表。 [圖9] 將雙面接著膠帶用於層積材料的層積固定的情形之構成的例子示意圖。 [圖10] 作為比較例，不使用坡莫合金層的情形下之實驗結果示意圖。 [圖11] 複數個電磁場遮蔽板之拼接構造的例子示意圖。 [圖12] 具備開口部之電磁場遮蔽構造的例子示意圖。 [圖13] 具備另一開口部之電磁場遮蔽構造的例子示意圖。 [圖14] 圖13的蜂巢材的構造更具體示意圖。 [圖15] 在電磁場遮蔽構造設有晶圓搬送用的開口部的情形下之構造的例子示意圖。 [圖16] 本發明實施例2之稜部連接構件的構成的例子示意圖。 [圖17] 本發明實施例3之電磁場遮蔽板的構成的例子示意圖。 [圖18] 本發明實施例4之電磁場遮蔽構造的構成的例子示意圖。 [圖19] 包含圖18的電磁場遮蔽構造的全體圖之圖。 [圖20] 圖19的螺栓的形狀及作用示意圖。 [圖21] 本發明實施例5之電磁場遮蔽板的構成的例子示意圖。 [圖22] 圖21之製造電磁場遮蔽板的方法的一例說明流程圖。
1:非晶質層
3:坡莫合金層
4:耐蝕鋁板材
5:螺栓(第1固定構件)
19:板材

Claims (27)

  1. 一種電磁場遮蔽構造，具備： 第1遮蔽板，包含將坡莫合金的板材或薄片所成之坡莫合金層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成之電磁場遮蔽板；及 第2遮蔽板，包含另一電磁場遮蔽板；及 稜部連接構件； 該電磁場遮蔽構造，其中， 前述稜部連接構件，係至少將坡莫合金的板材或薄片所成之稜部坡莫合金層、與1.8mm～2.4mm的範圍內的厚度的沃斯田系不鏽鋼材所成之稜部不鏽鋼層予以重疊而構成， 前述稜部連接構件，具有呈第1角度的稜，於前述稜的兩側設置母螺牙要素， 前述稜部連接構件的前述稜的一側的至少一部分、與前述第1遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定， 前述稜部連接構件的前述稜的另一側的至少一部分、與前述第2遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定。
  2. 一種電磁場遮蔽構造，具備： 第1遮蔽板，包含將坡莫合金的板材或薄片所成之坡莫合金層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成之電磁場遮蔽板；及 第2遮蔽板，包含另一電磁場遮蔽板；及 第2固定構件，設有公螺牙要素；及 框構件，設有母螺牙要素；及 墊圈； 該電磁場遮蔽構造，其中， 在前述坡莫合金層及前述非晶質層，分別設置第2貫通孔部， 前述第2貫通孔部的內徑，比前述第2固定構件的頭部的外徑還大， 前述墊圈的外徑，比前述第2貫通孔部的內徑還大， 前述墊圈的內徑，比前述第2固定構件的頭部的外徑還小， 前述墊圈，於前述第2貫通孔部，相對於前述非晶質層配置於和前述坡莫合金層相反側， 前述第2固定構件的前述公螺牙要素，能夠與前述框構件的前述母螺牙要素螺合，並且將前述墊圈朝向前述非晶質層及前述坡莫合金層鎖緊而固定。
  3. 一種電磁場遮蔽構造，具備：電磁場遮蔽板，將坡莫合金的板材或薄片所成之坡莫合金層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成，該電磁場遮蔽構造，其中， 在前述電磁場遮蔽構造，設置晶圓搬送用的開口部， 在前述晶圓搬送用的開口部，金屬製的具有通氣性之網目狀管構件係覆蓋前述開口部，並且以緊貼前述電磁場遮蔽板之方式安裝。
  4. 一種電磁場遮蔽構造，具備： 第1遮蔽板；及 第2遮蔽板；及 稜部連接構件； 該電磁場遮蔽構造，其中， 前述第1遮蔽板及前述第2遮蔽板，分別包含電磁場遮蔽板，前述電磁場遮蔽板，係將軟磁性材料層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成， 前述稜部連接構件為磁性材所成之電磁場遮蔽構件， 前述稜部連接構件具有稜， 前述稜部連接構件的前述稜的一側的至少一部分、與前述第1遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定， 前述稜部連接構件的前述稜的另一側的至少一部分、與前述第2遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定。
  5. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述軟磁性材料層包含坡莫合金層。
  6. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述軟磁性材料層包含電磁鋼層。
  7. 如請求項5所述之電磁場遮蔽構造，其中，具備：被覆層，被覆以使得前述非晶質層的端部或開口部不露出。
  8. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述軟磁性材料層與前述非晶質層，於電磁場遮蔽區域的全體係接觸。
  9. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述稜部連接構件、與前述第1遮蔽板及前述第2遮蔽板，係可裝卸地被固定。
  10. 如請求項5所述之電磁場遮蔽構造，其中， 更具備非磁性材料所成之第1固定構件， 在前述坡莫合金層及前述非晶質層，分別設置第1貫通孔部， 前述第1固定構件，於各前述第1貫通孔部將前述坡莫合金層及前述非晶質彼此固定。
  11. 如請求項10所述之電磁場遮蔽構造，其中， 更具備1.0mm～1.5mm的範圍內的厚度之耐蝕鋁板材， 前述耐蝕鋁板材，相對於前述非晶質層被重疊在和前述軟磁性材料層相反側， 在前述耐蝕鋁板材設置第1貫通孔部， 前述第1固定構件，於各前述第1貫通孔部，將前述耐蝕鋁板材、前述軟磁性材料層及前述非晶質層彼此固定。
  12. 如請求項11所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述耐蝕鋁板材、與前述非晶質層，介著在兩面具有接著層之膠帶材而被接著。
  13. 如請求項5所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述坡莫合金層的厚度為0.500mm～0.635mm的範圍內。
  14. 如請求項5所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述坡莫合金層為μ合金的板材或薄片所成。
  15. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中，更具備補強材所成之補強層。
  16. 一種帶電粒子束裝置用的電磁場遮蔽構造，包含如請求項4所述之電磁場遮蔽構造。
  17. 一種掃描型電子顯微鏡用的電磁場遮蔽構造，包含如請求項4所述之電磁場遮蔽構造。
  18. 如請求項5所述之電磁場遮蔽構造，其中，更具備： 第2固定構件，設有公螺牙要素；及 框構件，設有母螺牙要素；及 墊圈； 在前述坡莫合金層及前述非晶質層，分別設置第2貫通孔部， 前述第2貫通孔部的內徑，比前述第2固定構件的頭部的外徑還大， 前述墊圈的外徑，比前述第2貫通孔部的內徑還大， 前述墊圈的內徑，比前述第2固定構件的頭部的外徑還小， 前述墊圈，於前述第2貫通孔部，相對於前述非晶質層配置於和前述坡莫合金層相反側， 前述第2固定構件的前述公螺牙要素，能夠與前述框構件的前述母螺牙要素螺合，並且將前述墊圈朝向前述非晶質層及前述坡莫合金層鎖緊而固定。
  19. 如請求項18所述之電磁場遮蔽構造，其中， 前述第2固定構件具備凸輪桿， 前述第2固定構件及前述墊圈，構成為因應前述凸輪桿的旋動動作而前述墊圈的軸方向位置範圍受到限制。
  20. 如請求項18所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述電磁場遮蔽構造，構成為在第3固定構件將前述電磁場遮蔽板對於前述框構件固定之狀態下，前述第2貫通孔部的軸心通過前述第2固定構件。
  21. 一種半導體製造環境，具備： 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造；及 藉由50Hz以上的頻率的交流電源而被驅動之半導體製造關連裝置。
  22. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中， 在前述電磁場遮蔽構造，設置散熱用的開口部， 在前述散熱用的開口部，安裝有設置多數個孔之軟磁性材的板材。
  23. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中， 在前述電磁場遮蔽構造，設置散熱用的開口部， 在前述散熱用的開口部，安裝有鋁基材的蜂巢構造構件，前述蜂巢構造構件，在其外周部具備藉由板金構件而構成之補強部。
  24. 如請求項4所述之電磁場遮蔽構造，其中， 在前述電磁場遮蔽構造，設置晶圓搬送用的開口部， 在前述晶圓搬送用的開口部，金屬製的具有通氣性之網目狀管構件係覆蓋前述開口部，並且以緊貼前述電磁場遮蔽板之方式安裝。
  25. 如請求項6所述之電磁場遮蔽構造，其中，前述電磁鋼層的厚度為1.5mm以下。
  26. 一種電磁場遮蔽板的製造方法，係製造如請求項6所述之電磁場遮蔽構造的方法，具備： 製造前述第1遮蔽板之方法；及 製造前述第2遮蔽板之方法； 製造前述第1遮蔽板之方法及製造前述第2遮蔽板之方法，包含： 將非晶質材成型而製造前述非晶質層之步驟；及 將電磁鋼材成型而製造前述電磁鋼層之步驟；及 將前述非晶質層及前述電磁鋼層重疊之步驟； 前述製造方法，於製造前述非晶質層之前述步驟及製造前述電磁鋼層之前述步驟以後，不包含對於前述電磁鋼層之磁性燒鈍工程。
  27. 一種電磁場遮蔽構造，具備： 第1遮蔽板；及 第2遮蔽板；及 稜部連接構件； 該電磁場遮蔽構造，其中， 前述第1遮蔽板及前述第2遮蔽板，分別包含電磁場遮蔽板，前述電磁場遮蔽板，係將軟磁性材料層、與Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶質的板材或薄片所成之非晶質層予以重疊而構成， 前述稜部連接構件為磁性材所成之電磁場遮蔽構件， 前述稜部連接構件具有稜， 前述稜部連接構件的前述稜的一側的至少一部分、與前述第1遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定， 前述稜部連接構件的前述稜的另一側的至少一部分、與前述第2遮蔽板的至少一部分以重疊之方式被固定， 前述電磁場遮蔽構造，具備：被覆層，被覆以使得前述非晶質層的端部或開口部不露出， 前述稜部連接構件、與前述第1遮蔽板及前述第2遮蔽板，係可裝卸地被固定。
TW109101345A 2019-01-15 2020-01-15 電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境 TWI766229B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/JP2019/000819 2019-01-15
PCT/JP2019/000819 WO2020148796A1 (ja) 2019-01-15 2019-01-15 電磁界遮蔽板、その製造方法、電磁界遮蔽構造、および半導体製造環境

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202028478A true TW202028478A (zh) 2020-08-01
TWI766229B TWI766229B (zh) 2022-06-01

Family

ID=71614484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101345A TWI766229B (zh) 2019-01-15 2020-01-15 電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11690208B2 (zh)
JP (1) JP7254102B2 (zh)
KR (1) KR102567771B1 (zh)
CN (1) CN113615327B (zh)
TW (1) TWI766229B (zh)
WO (1) WO2020148796A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114919265A (zh) * 2022-05-05 2022-08-19 北京卫星制造厂有限公司 一种高效屏蔽低频磁场轻质复合材料

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6769569B2 (ja) * 2018-01-11 2020-10-14 Tdk株式会社 磁壁移動型磁気記録素子
DE112021006137T5 (de) * 2020-11-25 2023-10-05 Sht Corporation Verfahren zum schneiden eines elektromagnetischen stahlblechs und verfahren zum anfertigen eines kerns

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5896295U (ja) * 1981-12-23 1983-06-30 日本原子力研究所 磁気シ−ルド
JPS62221199A (ja) 1986-03-24 1987-09-29 株式会社　リケン 磁気シ−ルド材
JPH02101598U (zh) * 1989-01-27 1990-08-13
JP2902069B2 (ja) * 1990-07-26 1999-06-07 ジーイー横河メディカルシステム株式会社 シールドルーム
JP2606971B2 (ja) 1991-02-20 1997-05-07 新日本製鐵株式会社 電磁気シールド用材料
JP2764842B2 (ja) * 1992-04-07 1998-06-11 株式会社フジタ 変動磁場シールド性能測定用シールドボックス
JPH062789U (ja) * 1992-06-17 1994-01-14 シールドルーム販売株式会社 シールドルームの放熱装置
JPH066068A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Fujita Corp 変動磁場シールド性能測定用シールドボックス
JP2837595B2 (ja) 1992-10-22 1998-12-16 株式会社フジタ アモルファス磁気シールド板と磁気シールド工法
JP3325964B2 (ja) 1993-08-10 2002-09-17 日本電信電話株式会社 電磁シールド筐体
JPH07231191A (ja) 1994-02-15 1995-08-29 Riken Corp 磁界遮へい装置
JPH10145077A (ja) 1996-11-08 1998-05-29 Fujitsu General Ltd 筐体のシールド構造
JPH1126981A (ja) 1997-07-04 1999-01-29 Hitachi Metals Ltd シールド部材
JP4117860B2 (ja) * 1998-08-17 2008-07-16 Ｔｄｋ株式会社 電磁波シールド用床構造およびその製造方法
JP2000077890A (ja) * 1998-08-27 2000-03-14 Hitachi Ltd 磁気シールドルーム
JP2000165080A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Kenwood Corp 電子回路のシールド装置
JP2000306971A (ja) * 1999-04-21 2000-11-02 Canon Inc 半導体製造装置、ポッド装着方法および半導体デバイス生産方法
JP2000328691A (ja) * 1999-05-17 2000-11-28 Tokin Corp 電磁波及び磁気シールドルーム並びにその組立方法
JP4347847B2 (ja) * 2003-03-17 2009-10-21 鹿島建設株式会社 開放型磁気シールド構造及びその磁性体フレーム
TWI287065B (en) * 2003-09-12 2007-09-21 Nippon Steel Corp Magnetic shield panel
CA2564318C (en) 2004-04-30 2017-12-19 Interdigital Technology Corporation Method and apparatus for minimizing redundant enhanced uplink allocation requests
JP2007251012A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Metals Ltd 磁気シールド装置
JP4927625B2 (ja) * 2006-03-31 2012-05-09 ニッタ株式会社 磁気シールドシート、非接触ｉｃカード通信改善方法および非接触ｉｃカード収容容器
JP2007299923A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Takenaka Komuten Co Ltd 磁気シールドパネル及び磁気シールドルーム
JP2007329150A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Hitachi Metals Ltd 磁気シールドルーム
JP2008109075A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Bridgestone Corp 電波吸収材
CN101472455A (zh) * 2007-12-29 2009-07-01 3M创新有限公司 电磁屏蔽衬垫和用于填充电磁屏蔽系统中的间隙的方法
JP5247315B2 (ja) * 2008-09-05 2013-07-24 鹿島建設株式会社 透光性電磁波シールド板
US8247888B2 (en) * 2009-04-28 2012-08-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing metallic shielding plate
JP5896295B2 (ja) 2011-07-04 2016-03-30 東洋紡株式会社 ナノろ過用の分離膜
US9894817B2 (en) 2011-11-30 2018-02-13 Seiji Kagawa Composite electromagnetic-wave-absorbing sheet
US9252611B2 (en) 2011-12-21 2016-02-02 Amosense Co., Ltd. Magnetic field shielding sheet for a wireless charger, method for manufacturing same, and receiving apparatus for a wireless charger using the sheet
JP2013149887A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Pacific Ind Co Ltd 電磁波シールド方法、電磁波シールドケース及びその製造方法
JP5950617B2 (ja) * 2012-02-22 2016-07-13 三菱電機株式会社 シールド構成体及び電子機器
US9451734B2 (en) * 2012-09-18 2016-09-20 Seiko Epson Corporation Magnetic shielding device and magnetic shielding method
WO2014200035A1 (ja) 2013-06-13 2014-12-18 住友ベークライト株式会社 電磁波シールド用フィルム、および電子部品搭載基板
US9370132B2 (en) * 2013-08-27 2016-06-14 Parker-Hannifin Corporation Homogeneous EMI vent panel and method for preparation thereof
KR20150085253A (ko) * 2014-01-15 2015-07-23 삼성전기주식회사 복합 페라이트 시트와 그 제조 방법 및 이를 구비하는 전자 기기
TW201601915A (zh) 2014-07-07 2016-01-16 聯茂電子股份有限公司 電磁波干擾遮蔽薄膜
CN106208529B (zh) * 2015-04-30 2018-11-06 韩磊 电动汽车电机控制器的电磁场屏蔽系统
WO2017100030A1 (en) * 2015-12-08 2017-06-15 3M Innovative Properties Company Magnetic isolator, method of making the same, and device containing the same
TWI635384B (zh) * 2016-09-20 2018-09-11 仁寶電腦工業股份有限公司 折疊式電子裝置
CN208128626U (zh) * 2018-04-23 2018-11-20 深圳市景尚科技有限公司 一种适用于PXI和PXIe标准的9U板卡的加强结构
JP6461414B1 (ja) * 2018-08-02 2019-01-30 加川　清二 電磁波吸収複合シート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114919265A (zh) * 2022-05-05 2022-08-19 北京卫星制造厂有限公司 一种高效屏蔽低频磁场轻质复合材料

Also Published As

Publication number Publication date
US20220007556A1 (en) 2022-01-06
JPWO2020148796A1 (ja) 2021-10-14
CN113615327B (zh) 2023-10-13
WO2020148796A1 (ja) 2020-07-23
US11690208B2 (en) 2023-06-27
TWI766229B (zh) 2022-06-01
KR20210072092A (ko) 2021-06-16
CN113615327A (zh) 2021-11-05
JP7254102B2 (ja) 2023-04-07
KR102567771B1 (ko) 2023-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI766229B (zh) 電磁場遮蔽構造，其製造方法，及半導體製造環境
JP2005514797A (ja) 磁気シールドルーム用壁部材及び、磁気シールドルーム
JP2007049104A (ja) 電磁遮蔽方法および電磁遮蔽部材
TW201916009A (zh) 磁強計之製造方法及磁強計集合體
JPH06140783A (ja) アモルファス磁気シールド板と磁気シールド工法
US3062041A (en) Degaussing plate assembly for electromagnetic vibration exciter
JP2725248B2 (ja) 電磁シールド用パネル
WO2007074690A1 (ja) 磁気シールド用ブレード材及び磁気シールド簾体
JP2902069B2 (ja) シールドルーム
JP2007129049A (ja) 磁気シールドルーム
JPH07273484A (ja) 磁気シールド装置
US20020140537A1 (en) Electrical steel sheet for low-noise transformer and low-noise transformer
JP5865143B2 (ja) 磁気シールド部材
JP2696771B2 (ja) 磁気シールド格子体
Adachi et al. Construction of a low-frequency high-power piezoelectric transformer with a specified step-up voltage transformation ratio using two identical bolt-clamped Langevin-type transducers
JP2606971B2 (ja) 電磁気シールド用材料
JP2764842B2 (ja) 変動磁場シールド性能測定用シールドボックス
JP2002344189A (ja) 磁気シールド用磁性体およびその構造体、磁気シールド装置
JP2002374089A (ja) 磁気シールド用磁性積層体および磁気シールド装置
JPH0373598A (ja) 磁気シールド装置
JP2606972B2 (ja) 電磁気シールド用材料
JP3320323B2 (ja) 磁気共鳴イメージング装置
JPH0745425A (ja) 永久磁石対向型磁場発生装置
JP2003318586A (ja) 磁気シールドルーム用接合部材および磁気シールドルーム
JPH06224588A (ja) 電磁気シールド用複合材料