CN113615327A - 电磁场屏蔽板及其制造方法、电磁场屏蔽构造以及半导体制造环境 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种在针对较高频率的电磁场得到高的屏蔽性能的同时，能够减轻重量的电磁场屏蔽板等。电磁场屏蔽板将由坡莫合金的板材或片材构成的坡莫合金层(3)和由Fe‑Si‑B‑Cu‑Nb系非晶的板材或片材构成的非晶层(1)重叠而构成。

Description

电磁场屏蔽板及其制造方法、电磁场屏蔽构造以及半导体制 造环境

技术领域

本发明涉及电磁场屏蔽板、电磁场屏蔽板的制造方法、电磁场屏蔽构造、以及半导体制造环境。

背景技术

半导体制造的工艺品质管理中，作为计测、检查装置，广泛使用进行应用了电子显微镜的晶圆上的元件电路图案的形状观察及各种尺寸测量的测长SEM。随着元件的更高的集成化，要求再现性良好地得到更微细的形状(配线的宽度或直径为10nm～20nm左右)的观察和对实际形状的高精度、高分辨率的计测结果。

另一方面，在近年来的半导体制造中，为了避免随着电路、元件的尺寸的微细化产生的性能极限，并进一步提高集合度，采用了将形成有半导体电路的结构单位的层夹着将层间导通的金属电极等层叠多层的三维的构造。在该构造的半导体制造线上，处于CVD制膜装置、等离子蚀刻器、离子注入装置、高频感应加热方式的膜质改善装置、晶圆表面清洗装置、以及内置准分子激光光源的曝光装置、光学式检查装置紧贴地设置的状况。测长SEM在这样的制造线上用于形成的半导体电路的品质管理，因此为收到来自周围装置产生的电磁场(AN磁场；交变电磁场、超过10Hz的频率(包括电源频率50Hz～60Hz)且500nT～1μT左右。DC磁场；静磁场、不足10Hz的频率且300nT～650nT左右)、用于FA设备的区域内无线LAN(2.4GHz波段)的影响的状态。为了在指定范围内高速扫描电子束，忠于实物地取得作为被观察物的晶圆表面的细线及孔这样的电路元件的图像，抑制装置外部的电磁场的影响的电磁场屏蔽板是必须的。

专利文献1中示出了如下发明：构成应用了非晶质材料的板材，构成比坡莫合金、硅钢板高性能的屏蔽室。专利文献2示出了如下发明：容易处理非晶质板材，且降低了形状的限制。专利文献3中示出了如下磁场屏蔽材的发明：将非晶磁性薄板和强磁性体薄板材作成复合金属板，在层叠一体化后，在抵消了外部的电磁场的状态下进行退火而构成。

另外，在专利文献4～6中记载了在非晶材重叠硅钢板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭62－221199号公报

专利文献2：日本特开平11－26981

专利文献3：日本特开平4－266092号公报

专利文献4：日本特开平7－231191号公报

专利文献5：日本专利第2837595号公报

专利文献6：日本专利第2606971号公报

发明内容

发明所要解决的课题

现有的电磁场屏蔽板存在如下问题：为了相对较高频率的电磁场得到高的屏蔽性能，要求的材料的重量变大。

例如，出于抑制因半导体制造环境的电磁波而引起的干扰的目的，多使用软磁性体的PC坡莫合金、高导磁率合金、以及硅钢(电磁钢)作为电磁场屏蔽板的材料。为了使用这些材料得到关于从静磁场到数十Hz的频段的较平缓的交变磁场的屏蔽性能，一般使用厚度为1mm左右的材料。因此，若假设横宽×进深×高度分别具有数千mm规模的外形的装置，则在选择了PC坡莫合金材的情况下，由于其比重为约8.62，因此用于包围六个面的屏蔽板的重量为300kg～400kg。装置自身的重量为1500kg～2500kg的情况下，由于屏蔽材的状态，增加相当于其四分之一至五分之一的重量。就半导体制造环境的地板面而言，为了降低悬浮尘埃，伴随着基于穿孔的床板进行的从底面板向地板下的排气的格栅构造的情况较多，耐载荷具有限制，因此装置重量的降低是重要的设计项目。本发明可应用的测长SEM装置为了用于工艺、品质管理，在一个制造线上相邻设置多台装置的状况较多，因此装置的重量降低更重要。

PC坡莫合金材的起始磁导率高且矫顽磁力小(外部磁场消失时，不易产生磁化、带磁)，多用作电磁场屏蔽材。PC坡莫合金材按重量比含有75％～80％的镍元素。因此，受镍材的国际市场行情的影响，具有产生较大的价格变动的倾向，且处于材料成本也较高的状况。

在使用了坡莫合金材的电磁场屏蔽材中利用如下的原理：通过高的磁导率，使磁通集中于坡莫合金材，使通向用坡莫合金材将周围包围的空间内的磁通密度降低。因此，即使对从静磁场到低于10Hz的频率的波段的屏蔽有效，对于从50Hz～60Hz的电源同步频率到更高频段的AC磁场(交变磁场)，也具有屏蔽性能降低的倾向。因此，为了屏蔽更高频率的波段的电磁场，同时将导电性高的铝材等装配于坡莫合金材的外表面，利用由铝材的导电性带来的静电屏蔽。通过装配于最外层的铝材的静电屏蔽效果，可以屏蔽MHz波段电场，但对于kHz波段的电磁场，作为坡莫合金材的特性，由于电磁场的集肤效应和材料中产生的涡流的恶劣影响，得不到与原材料重量及材料成本相当的屏蔽性能。

测长SEM的电子束扫描速度由于每单位时间的处理量的增大化和实现晶圆上的更微细的图案下的高精度的尺寸计测的SEM像的高分辨率化(像素的增大化)而更高速化，成为容易受到来自电源频率的5倍～10倍、甚至更高的频段的电磁场的干扰影响的状况。但是，在现有的屏蔽材中，如上述地，未得到充分的屏蔽效果。

另外，在专利文献4及5记载的技术中，使用硅钢板作为加强材，但在硅钢板中，屏蔽性能相对于重量受限。例如，硅钢板的比磁导率与坡莫合金材相比，差了大概一位数(约10倍)，因此为了得到同等的屏蔽性能，相比由坡莫合金材构成的情况，为增加了板材厚度的设计。因此，在减轻重量优先地设计硅钢板的情况下，屏蔽性能受限。

本发明鉴于上述的课题而作成，目的在于提供一种电磁场屏蔽板、电磁场屏蔽板的制造方法、电磁场屏蔽构造以及半导体制造环境，能够在相对较高频率的电磁场得到高的屏蔽性能的同时，减轻重量。

用于解决课题的方案

本发明的电磁场屏蔽板将由坡莫合金的板材或片材构成的坡莫合金层和由Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶的板材或片材构成的非晶层而重叠构成。

发明的效果

根据本发明的电磁场屏蔽板及其制造方法、电磁场屏蔽构造以及半导体制造环境，能够在相对较高频率的电磁场得到高的屏蔽性能的同时，减轻重量。

以下说明更具体的效果的例。但是，效果不限于此，另外，有时得不到以下的效果的任一个的实施例也包括在本发明的范围内。

关于电磁场的屏蔽性能，在使用了PC坡莫合金等坡莫合金的电磁场屏蔽板中，在不足50Hz的频段中，能够利用材料具有的高的磁导率使磁通集中至材料中，根据材料的厚度，得效率较好的屏蔽效果。但是，关于从电压频率(50Hz～60Hz)至500Hz的波段、kHz的波段，相对于屏蔽材的重量，得不到充分的屏蔽性能。

本发明的特定的实施例的层叠构造中，能够同时使用非晶层的衰减屏蔽效果、PC坡莫合金层及非晶层的层叠界面处的反射效果带来的屏蔽效果、以及PC坡莫合金层的磁通的集中效果。因此，在电源频率(50Hz～60Hz)以上的频段中，补充根据PC坡莫合金材的原材料厚度增加的涡流、高频率波段下的电磁场的集肤效应引起的磁导率的减少，因此对于更高的频率的交变电磁场，与由PC坡莫合金单层构成的电磁场屏蔽板相比，能够提高屏蔽性能。

另外，通过与非晶材的层叠化，能够在确保屏蔽性能的状态下使PC坡莫合金层的板厚度减少。PC坡莫合金的镍含有量大，因此质量大，因此只要能够抑制PC坡莫合金材的使用量，有时也能够将屏蔽部件的重量降低30～40％。

另外，通过削减坡莫合金材使用量，能够降低镍材市场的价格变动的影响，能够实现屏蔽材的成本稳定化和降低。

附图说明

图1是说明制造本发明的实施例1的电磁场屏蔽板的方法的一例的流程图。

图2是表示从非晶层的端部的防起尘对策的例的图。

图3是表示在缘部周边和固定孔的周围设有由树脂带原材料得到的被覆层的非晶层的例的图。

图4是由耐腐蚀铝板材层、非晶材层以及坡莫合金材层这三层构成的屏蔽板放大剖视图。

图5是表示不使用螺母的结构的例的图。

图6是表示现有的电磁场屏蔽板的结构的例的图。

图7是表示具备电磁场屏蔽板的电磁场屏蔽构造的例的图。

图8是表示使用了屏蔽模型的实验结果的图表。

图9是表示对层叠材料的层叠固定使用双面胶带的情况下的结构的例的图。

图10是作为比较例表示不使用坡莫合金层的情况的实验结构的图。

图11是表示多个电磁场屏蔽板的接合构造的例的图。

图12是表示具备开口部的电磁场屏蔽构造的例的图。

图13是表示具备另一开口部的电磁场屏蔽构造的例的图。

图14是更具体地表示图13的蜂窝材的构造的图。

图15是表示在电磁场屏蔽构造设有晶圆搬送用的开口部的情况的构造的例的图。

图16是表示本发明的实施例2的陵部连接部件的结构的例的图。

图17是表示本发明的实施例3的电磁场屏蔽板的结构的例的图。

图18是表示本发明的实施例4的电磁场屏蔽构造的结构的例的图。

图19是包括图18的电磁场屏蔽构造的整体图的图。

图20是表示图19的螺栓的形状及作用的图。

图21是表示本发明的实施例5的电磁场屏蔽板的结构的例的图。

图22是说明制造图21的电磁场屏蔽板的方法的一例的流程图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施例进行说明。本发明例如涉及电磁场屏蔽板。该电磁场屏蔽板以将Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶材和坡莫合金(PC坡莫合金、高导磁率合金等)至少各层叠一层而构成的层叠材为基本结构。以下，有时将电磁场屏蔽板简称为“屏蔽板”。

[实施例1]

图1是说明制造本发明的实施例1的电磁场屏蔽板的方法的一例的流程图。本实施例中，作为坡莫合金的例，选择PC坡莫合金。首先，进行坡莫合金材及非晶材的成形(步骤S1)。在步骤S1中，形成由坡莫合金材的板材或片材(本实施例中设为板材)构成的坡莫合金层和由Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶的板材或片材(本实施例中设为片材)构成的非晶层。坡莫合金层如上述地例如可以由PC坡莫合金或高导磁率合金的板材或片材构成。

步骤S1的成形处理根据需要，包括切割、外形形状的加工、穿孔加工等。关于坡莫合金层，在步骤S1之后，也可以以适于材料的温度进行磁性退火(步骤S2)。这样，能够去除在步骤S1(特别是形状加工等)产生的使磁导率等材料特性劣化的金属组织的应变、转移。

然后，也可以进行从非晶层的端部的防起尘对策(步骤S3)。处理非晶材(板材等)时，若对材料赋予屈曲、变形等，则存在构成非晶的金属元素成为微小的粉尘而分离飞散的风险。在通过光刻、物理加工形成微细电路的半导体制造的环境中，有时优选进行这样的粉尘、金属异物(颗粒)的产生的抑制。

图2表示这样的对策的例。在构成非晶层1的材料(例如板材)的进行了加工或切割的端面(包括层叠固定时使用的固定用孔)及其周边装配树脂带原材料2。图2的B部是非晶层1的缘部周边，图2的C部是非晶层1的固定用孔的周边。树脂带原材料2是以使非晶层1的端部或开口部不露出的方式进行被覆的被覆层的例。

被覆层例如从非晶层1的一面到另一面经由端部或开口部覆盖。被覆层能够构成为使非晶层1的进行了加工的端部不露出地被覆端部的全体。在端部或开口部为多个的情况下，若对这些全部设置被覆层，则比较合适，但即使不是这样，也能够得到一定程度的效果。

树脂带原材料2是例如在一面具有粘接层的树脂带原材料。这样，通过设为非晶层1的进行了加工或切割的端面不露出的构造，能够抑制从非晶层1产生金属异物。

装配的树脂带原材料2的导电性的有无对屏蔽性能不产生影响。但是，为了在将非晶层1和坡莫合金层3层叠的状态下得到更高的屏蔽特性，优选以确保非晶层1及坡莫合金层3两种材料的接触面积尽可能大的方式选择及设计树脂带原材料2的宽度及厚度。

此外，在执行步骤S2及S3双方的情况下，也可以将它们同时执行，也可以按照与图1相反的顺序执行。

然后，进行是否使用加强材的判断(步骤S4)。本领域技术人员能够根据屏蔽板的用途及要求的性能等适宜进行该判断。

在使用加强材的情况下，例如使用耐腐蚀铝材的成形品形成加强材(步骤S5)。关于该耐腐蚀铝材的详情，使用图4等后述。

在步骤S4或步骤S5之后，将坡莫合金层和非晶层(根据需要，以及加强材)重叠固定，构成屏蔽板(步骤S6)。固定例如能够使用螺栓。本实施例中，此时以在两层的界面不经由其它材料地使两层的对置的表面直接接触的状态尽可能不产生间隙(空间)地进行层叠及固定。

例如，屏蔽板具备具有预定的屏蔽性能的电磁场屏蔽区域，坡莫合金层和非晶层在整个该电磁场屏蔽区域接触。电磁场屏蔽区域是指设计成使屏蔽板具有屏蔽电磁场的功能的区域，例如，在屏蔽板的周缘、固定部位、开口部等中存在不需要屏蔽电磁场的功能的区域的情况下，这样的区域不包含于电磁场屏蔽区域。电磁场屏蔽区域优选占屏蔽板的大致整个面。

图3及图4表示用于层叠及固定坡莫合金层3和非晶层1的结构的例。图3仅显示包括缘部周边，在固定孔的周围设有由树脂带原材料2形成的被覆层的非晶层1。图4是包括由耐腐蚀铝板材4、非晶层1、坡莫合金层3这三层构成的屏蔽板的一部分放大剖视图的图。在该例中，坡莫合金层3及非晶层1分别被以矩阵状穿孔。穿孔的间隔在纵向上为b，在横向上为c。屏蔽板具备由非磁性材料构成的固定部件(第一固定部件)，在穿孔得到的孔部H(第一贯通孔部)配置有该固定部件。作为非磁性材料，例如能够使用SUS316材或SUS304材(SUS304材的非磁性特性比SUS316材差)。

此外，在图4的例中，屏蔽板具备耐腐蚀铝板材4。耐腐蚀铝板材4是在图1的步骤S5配置的耐腐蚀铝材的成形品。

第一固定部件例如由非磁性材料的螺栓5及螺母15构成。螺栓5贯通孔部H与螺母15螺纹结合而紧固，由此螺栓5及螺母15在各孔部H将非晶层1及坡莫合金层3互相固定。于是，能够一体化保持层叠材(非晶层1及坡莫合金层3)。

在进行两层的层叠固定时，作为第一固定部件，也可以取代螺栓及螺母，或者在此基础上，使用其它结构。在图4的例中，在孔部H的周边，作为由加强材构成的加强层配置有加强用板材6。加强用板材6与非晶层1或坡莫合金层3面接触。加强用板材6能够用于抑制因外力而导致的变形，能够抑制磁性特性的劣化。

图5表示不使用螺母的结构的例。该例中，取代螺母，配置有形成有内螺纹元件的板材19。在使用形成内螺纹元件的板材19的情况下，例如，能够在电磁场屏蔽空间的内侧(作为具体例，关于坡莫合金层3，与非晶层1相反的一侧)配置板材19。当这样配置时，在屏蔽MHz波段的周围的电磁场时，能够抑制因部件端面长度与外部电磁场的波长的整合而产生的共振导致的屏蔽性能的降低。

构成坡莫合金层3的板材或片材的厚度可以任意设计，但若考虑切割、弯曲这样的形状加工中的处理、形状加工后的磁性退火工序下的因热而导致的变形、与非晶层1的层叠组装的作业性等，优选为0.3mm左右以上。

厚度0.3mm的坡莫合金材(例如PC坡莫合金材)根据用途，有时单层作为屏蔽材的面机械强度不足。例如，为因外力的负荷容易产生使磁性特性劣化的板材的变形、应变的状况。为了对应该状况，以板材的变形抑制和作为面部件的加强为目的，也可以使用耐腐蚀铝板材4。

耐腐蚀铝板材4例如由5000系的材料构成。耐腐蚀铝板材4的厚度能够适当设计，根据用途，有时若设为1mm以上，则能得到充分的强度，另外，有时若设为1.5mm以下，则重量落在容许范围。因此，耐腐蚀铝板材4的厚度例如能够设为1mm～1.5mm的范围内。

耐腐蚀铝板材4装配于电磁场屏蔽空间的最外表面(作为具体例，关于非晶层1与坡莫合金层3相反的一侧)，构成层叠屏蔽板。即，层结构如图4所示地为由耐腐蚀铝板材4(最外面)+非晶层1(中間层)+坡莫合金层3(内面)构成的三层的结构。该例中，在中间层配置非晶层1，由成为最外表面的加强材的耐腐蚀铝板材4和内表面的坡莫合金层3夹着非晶层1固定。此外，如根据图可知地，该情况下，在耐腐蚀铝板材4设有穿孔得到的孔部H(第一贯通孔部)，螺栓5及板材19(或螺栓5及螺母15)在各孔部H将耐腐蚀铝板材4、非晶层1以及坡莫合金层3互相固定。

图6表示用于对比的现有的结构的例。该例不具备非晶层1，耐腐蚀铝板材4、坡莫合金层3以及加强用板材6由螺栓5及螺母15固定。

图7表示具备本实施例的电磁场屏蔽板的电磁场屏蔽构造的例。该例中，横宽×进深×高度为831mm×1071mm×1028mm的尺寸。以下，使用图7的电磁场屏蔽构造构成屏蔽模型，并记载确认屏蔽效果的实验的结果。

在应用了亥姆霍兹线圈的磁场发生壳体的内部设置屏蔽模型，从屏蔽模型的外部施加磁场。磁场的施加方向使用了X方向(例如横宽方向)、Y方向(例如进深方向)、以及Z方向(例如高度方向)3个图案。磁场的磁通密度为1μT，磁场的频率为静磁场(频率1Hz)及交变磁场(频率50Hz～500Hz)。在屏蔽模型的内部空间，在静磁场下配置励磁线圈型磁场传感器7，在频率5Hz以上的波段的交变磁场下配置三维电磁场传感器，对屏蔽模型内部的磁通密度进行实测。

图8表示该实验的结果。横轴表示坡莫合金层3的厚度，纵轴表示屏蔽率。屏蔽率是屏蔽模型的外部的磁通密度除以屏蔽模型的内部空间的磁通密度得到的值。对坡莫合金层使用了PC坡莫合金。圆印记(白底圆及黑底圆)是作为比较例的使用了由坡莫合金单层构成的屏蔽板(例如，图6)的情况下的测定结果。方形印记(白底方形及黑底方形)是使用了本发明的实施例的屏蔽板的情况下的测定结果。

在电压频率(50Hz或60Hz)下，现有技术的仅包含厚度1mm的PC坡莫合金层的屏蔽板得到6.7的屏蔽率。另外，现有技术的仅包含厚度0.5mm的PC坡莫合金层的屏蔽板也同样地得到6.7的屏蔽率。

与之相对，作为本发明的一实施例，若使用厚度0.5mm的PC坡莫合金层与非晶层的层叠构造，则屏蔽率为8.6(此外，非晶层的厚度对结果几乎不产生影响，但是例如，厚度为0.4mm～0.5mm左右。以下相同)。而且，作为本发明的另一实施例，若使用厚度0.3mm的PC坡莫合金层与非晶层的层叠构造，则屏蔽率为7.2。即，即使使坡莫合金层的厚度减少到约三分之一，也能够得到同等以上的屏蔽性能。

这样，本发明的一实施例的屏蔽板至少在电源频率下具有高的屏蔽性能。因此，在针对于容易从电源频率的交变磁场受到影响的装置的电磁场屏蔽中是有用的。例如，考虑作为扫描电子显微镜用的电磁场屏蔽板而起到显著的效果。但是，本发明的一实施例的屏蔽板不限于扫描型电子显微镜，也可以应用于带电粒子束装置。带电粒子束装置包括透射型电子显微镜、聚焦离子束装置、应用了电子显微镜的半导体检查装置等。另外，可以认为，本发明的一实施例的屏蔽板在具备该屏蔽板和由50Hz以上的频率的交流电源驱动的半导体制造相关装置的半导体制造环境下起到显著的效果。

在静磁场(1Hz)下，仅包含厚度1mm的PC坡莫合金层的现有技术的屏蔽板得到10.4的屏蔽率。另外，仅包含厚度0.5mm的PC坡莫合金层的现有技术的屏蔽板得到7.4的屏蔽率。

与之相对，作为本发明的一实施例，若使用厚度0.5mm的PC坡莫合金层与非晶层的层叠构造，则屏蔽率为7.8。而且，作为本发明的另一实施例，若使用厚度0.3mm的PC坡莫合金层与非晶层的積层构造，则屏蔽率为6.1。

对该状态下的屏蔽板的重量进行比较。将屏蔽板的尺寸设为横宽980mm×高度940mm。为了实现比较例和本发明的实施例的条件同一化，在双方的壳体的最外层装配1.5mm的厚度的耐腐蚀铝板材。在比较例(厚度1mm的PC坡莫合金材单层)的屏蔽板中，将坡莫合金材的重量7.47kg和耐腐蚀铝板材的重量3.7kg合计，总重量为约11.2kg。

与之相对，在本发明的实施例中，在同尺寸的屏蔽板中，厚度0.3mm的PC坡莫合金层的重量为2.42kg，层叠的非晶层的重量为0.703kg，耐腐蚀铝板材的重量与比较例相同地为3.7kg，总重量为约6.8kg。这样，相对于比较例(厚度1mm的PC坡莫合金)的重量约11.2kg，可实现约40％的重量降低。

坡莫合金层的厚度规定针对静磁场～数十Hz左右的波段的比较缓和的交变磁场的屏蔽性能。在该波段中，由于磁通集中于磁导率高的坡莫合金材，因此坡莫合金层较厚的一方为向屏蔽空间内部泄漏的磁通减少的状态，屏蔽性能提高。但是，随着频率增高，具有坡莫合金层的屏蔽性能降低的倾向。作为该理由，具有因在电磁场中在原材料中激励的涡流而引起的反电动势的影响、在高频率电磁场中的集肤效应、坡莫合金自身的电阻等物理性质等。

作为用于取得屏蔽板的重量降低化、频率低于10Hz的电磁场下的屏蔽性能、以及比电源频率高的频段下的屏蔽性能的平衡的一例，能够将坡莫合金层的厚度选择在0.5mm左右的范围内。若将厚度设为0.5mm以上，则根据用途，能够得到充分的屏蔽性能，若将厚度设为0.635mm以下，则根据用途能够充分减轻重量。这样，在一实施例中，优选坡莫合金层的厚度为0.500mm～0.635mm的范围内。该情况下，能够使因坡莫合金材的磁导率的贡献而引起的低的频段下的磁通集中带来的屏蔽性能和因与非晶材的层叠效果而带来的在高频率波段(比电源同步频率50Hz或60Hz高的频段)的交变磁场的屏蔽性能一致，因此，能够兼顾从静磁场到交变磁场的屏蔽性能。作为坡莫合金层的例，厚度0.5mm的PC坡莫合金材由于在外形加工、磁性退火工序、以及层叠组装工序中的板材的刚性适当，且作业性比厚度0.3mm的PC坡莫合金材好，因此在量产的观点上可以认为有效。

如图8的图表所示，对于1Hz的静磁场，现有的屏蔽板(厚度1mm的PC坡莫合金层)的屏蔽率为10.4，与之相对，本发明的一实施例的屏蔽板(厚度0.5mm的PC坡莫合金层和非晶层)的屏蔽率降低到7.8。但是，对于频率50Hz～60Hz的交变电磁场，现有的屏蔽板降低为6.7，与之相对，本发明的一实施例的屏蔽板的屏蔽率为8.6，屏蔽性能逆转，成为通过层叠构造得到的屏蔽率比通过坡莫合金单层得到的屏蔽率高的状况。就此时的屏蔽板的重量而言，厚度1.5mm的耐腐蚀铝板材(加强材)的重量为3.7kg，厚度0.5mm的PC坡莫合金层的重量为3.74kg，非晶层的重量为0.703kg，它们的合计约为8.2kg，与现有的屏蔽板(由厚度1mm的坡莫合金层和用于将条件同一化的最外层的铝构成的屏蔽板)的约11.2kg相比，能够实现约30％的重量降低。

图9表示对层叠材料的层叠固定使用粘接剂的结构的例。在该例中，作为粘接剂的例使用双面胶带8，在非晶层1与耐腐蚀铝板材4之间使用双面胶带8，将这些层粘接固定。此外，若使双面胶带8介于非晶层1与坡莫合金层3之间，则有时屏蔽性能劣化。在双面胶带8介于非晶层1与坡莫合金层3之间的状态下，成为存在由磁导率低的粘接带层构成的间隙(空间)的状况，实测下，得到10％左右的屏蔽性能的降低。

如图9所示地，对非晶层1向成为最外表面的耐腐蚀铝板材4的层叠固定可以使用双面胶带8。即，耐腐蚀铝板材4和非晶层1经由在两面具有粘接层的带材粘接。但是，若在非晶层1与坡莫合金层3之间为了不阻碍两材料界面的磁壁的移动等而不使用带材，作成使两材料的对置的面彼此以尽可能大的面积直接接触的构造，则能够进一步提供屏蔽性能。

此外，在能够容许一定程度(例如10％左右)的屏蔽性能的降低的用途下，也可以使用双面胶带8粘接非晶层1和坡莫合金层3，形成本发明的实施例。特别地，在这样的结构下，刚性增加，抗声波振动更强。

由坡莫合金层3与非晶层1的层叠构造的屏蔽板得到的针对交变磁场的屏蔽性能的提高可以推测为通过因两材料的层叠界面处的相位变化、反射损失而带来的屏蔽效果和因在非晶层1的电磁场的吸收损失而带来的屏蔽效果与磁通向坡莫合金层3中的集中复合作用而得到。

图10表示作为比较例不使用坡莫合金层3的情况的试验结果。为了对照比较，形成仅将非晶磁性材与加强材的耐腐蚀铝材层叠的层结构，测定屏蔽率。屏蔽率的测定在将非晶层设为一张(单层)的情况、两张层叠的情况以及三张层叠的情况下分别通过实测进行。作为结果，观察到了稍微的屏蔽率的增加，但如图10的图表所示，屏蔽率在2.1～3.5的范围内。通过本发明的实施例的坡莫合金层与非晶层的层叠材得到的8.0左右的屏蔽率在静磁场和交变磁场均无法得到。

在图8所示的对照实验中，对于使用PC坡莫合金材构成的屏蔽板而言，关于1Hz静磁场的屏蔽率，由于PC坡莫合金材的磁导率带来的磁通的集中效果，屏蔽率为10.4，与之相对，若将PC坡莫合金材的厚度设为二分之一，即0.5mm，则由于板厚的减少，在材料中透过的磁通减少，屏蔽率降低为7.4。但是，关于频率50Hz～60Hz的电源频率的交变磁场，相对于厚度1mm的PC坡莫合金材的屏蔽率为6.7，即使厚度0.5mm的PC坡莫合金材的屏蔽率也为6.7，与静磁场的情况不同，不管坡莫合金材的厚度是否减少到二分之一，都为大致同等的屏蔽率。

与之相对，在本发明的一实施例的厚度0.5mm的PC坡莫合金层与非晶层的层叠材中，50Hz～60Hz的交变磁场的屏蔽率为8.6，比通过厚度1mm的PC坡莫合金单层的屏蔽板得到的屏蔽率6.7提高。在电源频率(50或60Hz)以上的交变磁场的屏蔽性能中，判断为PC坡莫合金材的1mm的厚度不是必须的。

如以上地，层叠非晶层和以PC坡莫合金材为代表的坡莫合金材的层的屏蔽板的优点在电源频率以上的高频的交变磁场的屏蔽性能的提高和屏蔽板的重量降低这两个观点上是明确的。此外，在不考虑重量而仅要求屏蔽率提高的情况下等，也可以将坡莫合金层的厚度设为1mm以上。

本发明的一实施例的层叠构造的电磁场屏蔽板不是仅坡莫合金材和加强用的耐腐蚀铝这样的容易产生声波的共振且较薄的金属层层叠的状态，而是层叠有非晶层含有的树脂材料的构造，因此对于因外来声波而引起的屏蔽板内的声波共振，其耐性也提高。

作为与坡莫合金材层叠的非晶材，若使用Fe-Si-B-Cu-Nb系材料，则与使用Co系的材料的情况相比，可得到大的饱和磁通密度，因此，判断为适于饱和磁通密度重要的用途。在Co系非晶材中，屏蔽性能会发生历时变化。

非晶层1的内部构造本领域技术人员可以适当设计，作为一例，也可以使用非晶材的薄膜带(条)构成层。例如，也可以将薄膜带以在各层配向变化的方式配置，层叠四层左右一体化而形成板材。在这样的板材中，磁性特性的各向异性抵消，磁导率也为大致无指向性，因此在为了抑制各向异性的用途中是有效的。

图8及图10的实验中，为了进行非晶层的模型评价，使用光洋产业株式会社作为商品名“MS片材”贩卖的产品。同样的产品日立金属株式会社作为商品名“FMSHIELD”贩卖，可以两者一起使用。

在将多个屏蔽板接合而用的情况下，接合部分的具体的构造可以适当设计，以下说明一例。

图11表示接合构造的例。该例中，如A部放大图所示地，平面状的屏蔽板和陵部连接部件(与图16等关联，后面进行叙述)接合。屏蔽板具备非晶层1、坡莫合金层3以及树脂带原材料2。陵部连接部件具备陵部耐腐蚀铝板材4a、陵部坡莫合金层3a以及陵部不锈钢层14。在陵部不锈钢层14设有与螺栓5的外螺纹元件螺纹结合的内螺纹元件16。在此，屏蔽板的坡莫合金层3和陵部连接部件的陵部坡莫合金层3a在靠近各自的端面的区域重合。若设为该构造，则在从外部施加电磁场的状况下，屏蔽板与陵部连接部件之间的磁壁移动变得容易，能够确保如上述的屏蔽性能。

关于更高的频率(例如，kHz、MHz、或者其以上的频率的波段)的电磁场的屏蔽，期望作为空间成为密闭状态的屏蔽构造，但在实际的装置使用的电磁场屏蔽构造中，有时需要开口部。开口部例如由于以下目的而需要：向屏蔽空间内部的半导体晶圆的投入和回收、来自机构部、控制电路部的散热、以及以防止无尘室环境中的尘埃的滞留为目的的屏蔽板空间内部的气流确保等。在这样的开口部中，若与层叠非晶层1和坡莫合金层3的电磁场屏蔽区域比较，可能屏蔽性能降低，但通过开口部的构造，可以将屏蔽性能的降低抑制为较小。

图12～图15表示具备开口部的电磁场屏蔽构造的例。开口部例如用于散热，但也可以用于确保气流。图12的例中，屏蔽构造具备设有多个尺寸8mm～10mm左右的孔(例如圆形的孔)的软磁性材料的板9。软磁性材料的板9例如由坡莫合金构成。软磁性材料的板9装配于开口部，相对于屏蔽板，固定于例如从耐腐蚀铝板材4侧覆盖开口部的位置。在该构造中，屏蔽率根据孔的尺寸、孔的数量、外部的电磁场的频率等变动，但与无开口部的密闭状态相比，存在导致约7％左右的电磁场屏蔽率的降低的情况。

图13表示开口部的另一例。在该例中，电磁场屏蔽构造具备铝基材的蜂窝材10(蜂窝构造部件)。图14更具体地表示蜂窝材10的构造。图14(b)是图14(a)的A－A部剖视图，图14(c)是局部立体图。

蜂窝材10装配于开口部，相对于屏蔽板固定于例如从耐腐蚀铝板材4侧覆盖开口部的位置。蜂窝材10在其外周部具备由板金部件构成的加强部10a。在这样的构造中，屏蔽率的降低为约3％左右，如图12的构造相比，能够抑制因开口部的影响而引起的屏蔽性能的降低。

在设置用于向屏蔽空间内的晶圆投入及回收的较大的开口部的情况下，发现屏蔽性能降低的倾向。降低的原因认为是，由于具有开口部，屏蔽区域的面积和作为总量的磁性材的体积减小。特别是在开口率较大的面，关于从静磁场到数十Hz左右的波段的屏蔽性能，由于因磁通向屏蔽板的集中而带来的屏蔽效果减小，因此屏蔽性能降低。但是，在50Hz～500Hz的频段的电磁场中，与密闭状态的屏蔽率相比，未明确地观察到开口的影响，因此在交变电磁场的屏蔽性能的观点上，开口的影响小。

根据配置于屏蔽空间内的装置等的特性，重视直至数十Hz为止的波段的静磁场的屏蔽性能。这样的情况下，作为增补具有开口部(磁性材料的体积减少)的面处的屏蔽性能的方法，可以通过加厚该面的坡莫合金层的厚度来增补屏蔽性能。

图15表示在屏蔽构造设有晶圆搬送用的开口部的情况的构造的例。作为用于防止更高的频段(80MHz～2.4GHz)的电场干扰向屏蔽空间的内部侵入的对策，利用具有导电性的金属制网11将开口部的周边以手提包状包围。金属制网11通过网构造具有通气性，是形成为管状的网眼状管部件。金属制网11覆盖开口部，并且以与屏蔽板紧贴的方式(在该例中，以与最外层的耐腐蚀铝板材4紧贴的方式)装配。金属制网11连接屏蔽板的开口部和晶圆投入及回收部20。

若设为这样的构造，则在维持用于防止尘埃在无尘室环境的滞留的通气性的状态下，关于电磁场屏蔽，能够防止与部件的长度相关的特定频率下的共振现象，对于电波从开口部直接向屏蔽空间内部侵入，也能够发挥静电屏蔽效果，能够抑制屏蔽率的降低。

另外，与现有的屏蔽板比较，也可以降低重量。因此，即使在设为用于对半导体制造环境的地板面进行排气的格子构造的情况下，也更容易适于地板面的耐载荷限制。

[实施例2]

实施例2是具备实施例1的电磁场屏蔽板的电磁场屏蔽构造的例子。特别是实施例2的电磁场屏蔽构造具备陵部，且构成为包围内部空间的形状。

图16表示配置于陵部的陵部连接部件的结构的例。该陵部连接部件是用于将平面状的多个屏蔽板以彼此形成角度的配置固定的部件。陵部连接部件具有形成一定角度(第一角度)的陵。该角度在图16的例中为90度，但只是非0度的角度，就能够任意变更。

陵部连接部件至少通过重叠陵部坡莫合金层3a和陵部不锈钢层14而构成。也可以进一步重叠陵部耐腐蚀铝板材4a。陵部坡莫合金层3a由坡莫合金的板材或片材构成。陵部坡莫合金层3a的厚度能够从与屏蔽板的坡莫合金层3同样的范围选择。陵部不锈钢层14由例如1.8mm～2.4mm的范围内的厚度的奥氏体系不锈钢材构成。

在该例中，陵部连接部件通过从外侧朝向内侧重叠陵部耐腐蚀铝板材4a、陵部坡莫合金层3a以及陵部不锈钢层14而构成。此外，“外侧”是指例如棱的凸侧，“内侧”是指例如棱的凹侧。陵部连接部件也可以在内侧或外侧包含这些以外的层。

在陵部连接部件的陵的两侧设有内螺纹元件16。内螺纹元件16例如设于陵部不锈钢层14。在陵部坡莫合金层3a的与内螺纹元件16对应的位置可以设有贯通孔。

以使陵部连接部件的陵的一侧的至少一部分和电磁场屏蔽板(第一屏蔽板)的至少一部分重合的方式固定，以使陵部连接部件的陵的另一侧的至少一部分和另一电磁场屏蔽板(第二屏蔽板)的至少一部分重合的方式固定。图11表示这样的结构的例。图11的A部放大图中，以使陵部坡莫合金层3a的一部分和屏蔽板(特别是屏蔽板的非晶层1及坡莫合金层3)的一部分重合的方式通过螺栓5及陵部不锈钢层14固定。

陵部连接部件通过陵部坡莫合金层3a等的屏蔽效果在一定程度上具有作为自身屏蔽板的功能。陵部连接部件能够通过将各层的材料弯曲预定角度(例如90度)的状态，并将它们以直接接触的状态层叠而构成。

这样的电磁场屏蔽构造的整体的形状可以适当设计，但例如也可以坡莫合金层3及陵部坡莫合金层3a以在各边无间隙地重合的方式配置，并通过紧固固定各屏蔽板而构成。

陵部连接部件也可以还具备非晶层。但是，非晶材为脆性材，因此，若进行弯曲加工，则材料可能破断。在不能进行非晶材的弯曲加工的情况下，有时即使如图16那样省略非晶材，实质上也可以得到本发明的效果。例如，若为磁壁能够在陵部连接部件与屏蔽板之间移动的状况，则能够由坡莫合金材与非晶材的层叠材构成面积、体积均占屏蔽构造的外表面的大部分的面的平面部分，因此至少可以在一定程度上得到作为本发明的屏蔽效果。

[实施例3]

实施例3是通过连接多个坡莫合金层来构成更大的屏蔽板的例子。图17表示实施例3的屏蔽板的例子。

PC坡莫合金材等软磁性材中，对材料的形成进行轧制加工，但有时因该轧制辊宽度而使材料具有很定尺寸的宽度。在将屏蔽板的宽度构成为比该标准长度的宽度大的情况下，需要将材料拼合的构造。

图17(a)表示这样的屏蔽材的层结构。非晶层1及耐腐蚀铝板材4分别为一张板或片材，坡莫合金层3通过接合多张板而形成。

图17(b)是抽出表示图17(a)的坡莫合金层3的图。坡莫合金层3通过第一坡莫合金层3x和第二坡莫合金层3y对在一起而构成。对于第一坡莫合金层3x及第二坡莫合金层3y，在磁性退火完成后，使用条材18(带状的板)将它们拼合。此时的尺寸及配置以第一坡莫合金层3x及第二坡莫合金层3y分别与其它层(例如非晶层1)重合的方式设计。第一坡莫合金层3x、第二坡莫合金层3y以及条材18均由同一材料(例如，PC坡莫合金)构成，例如，能够通过点焊或螺钉固定接合。

此外，即使采用点焊工序，若未因作业中的外力而对坡莫合金层施加极端的变形，则能够以因焊接而局部地产生的热的影响被抑制的状态构成拼合。另外，通过在磁性退火工序之后进行基于点焊的拼合，能够抑制因退火工序的热导致膨胀和收缩引起的变形。

层叠固定时，应当确保非晶层1与坡莫合金层3的接触面积尽可能大，若存在挠曲变形，则对于接触面积的确保为不利的状态。在坡莫合金层超过材料的标准长度的情况下的拼合中，出于增大非晶层1与坡莫合金层3的接触面积的目的，装配条材18的面避开层叠非晶层1的侧的表面，采用相反侧的表面(例如，屏蔽空间的内部侧的表面)。由此，在坡莫合金层3中，能够减少与非晶层1接触的一侧的表面的凹凸，可以得到与无拼接的一张坡莫合金层大致同等的性能。

以下，对图17所示的屏蔽板的制造方法的一例进行说明。首先，作为坡莫合金层，形成第一坡莫合金层3x及第二坡莫合金层3y。然后，对第一坡莫合金层3x及第二坡莫合金层3y执行磁性退火工序。然后，将第一坡莫合金层3x的端面和第二坡莫合金层3y的端面对接配置，并且以覆盖与对接的端面相邻的一面(例如，如上述地与非晶层1不接触的一侧的面)的至少一部分的方式配置条材18。

这样配置了条材18的状态下，将第一坡莫合金层3x、第二坡莫合金层3y以及条材18通过点焊一体化。这样，能够制造具有坡莫合金材的标准长度以上的尺寸的屏蔽板。

此外，条材18的形成能够通过点焊在之前的任意的时刻执行。另外，坡莫合金层3与非晶层1的层叠固定也可以在点焊之前进行，也可以在点焊之后进行。

即使在本实施例中，各板材的层叠固定如实施例1记载地，设为各材料的表面直接接触的状态。此外，在能够一定程度上容许屏蔽性能的降低的情况等，也可以在层间使用双面胶带等。

在非晶材中没有影响，但在PC坡莫合金材等软磁性材料中，若在磁性退火后受到因外力而引起的变形，则有时产生金属组织的转移等，磁导率减小。因此，优选设为如下构造：包括检查保养时的来自装置的装卸的作业，对坡莫合金层3不施加产生变形那样的外力。

作为以屏蔽板的防变形为目的的加强的例，能够使用抑制重量增加，并且增补对高频电场的静電屏蔽效果的加强材。例如，优选使用1.0mm～1.5mm的范围内的厚度的耐腐蚀铝材(例如5000系铝)作为加强材，作为屏蔽板的最外层而配置。这样的结构的例子示于图4。这样的结构也用于图7所示的实验用的屏蔽模型。

若利用这样的构造，则在例如构成加强材的一边的端部设置上下一对合叶部件，从而也能够将屏蔽板用于单开门的构造。

另外，为了防止性能劣化等，在进一步需要机械加强的情况下，重量可能大幅增加，也可以将厚度1mm左右的SUS316或SUS304材的奥氏体系不锈钢材配置于铝材的更外层。这样，加强被进一步强化。

[实施例4]

实施例4是具备实施例1的电磁场屏蔽板的电磁场屏蔽构造的例子。特别地，实施例4的电磁场屏蔽构造包括用于可装卸地固定屏蔽板的构造。

图18及图19表示实施例4的电磁场屏蔽构造的结构的例。图18是固定构造周边的放大图，图19是包括整体图的图。该例是将正方形的屏蔽板用于各面的立方体形状的电磁场屏蔽构造的例子。也可以在一个以上的屏蔽板设有开口部。

在各屏蔽板中，在坡莫合金层及非晶层分别设有穿孔形成的孔部(第二贯通孔部)。实施例1的第一贯通孔部(孔部H)的一部分或者全部也可以作为实施例4的第二贯通孔部发挥功能。另外，固定屏蔽板时，在位于形成屏蔽构造的陵部(角部)的框架部件分别设置螺纹元件，由此形成为在各面的四边的端部配置有固定用的螺纹孔的状态。例如，也可以使用实施例2的陵部连接部件构成框架部件。

实施例4的屏蔽构造具备用于将屏蔽板固定于框架部件的固定部件(第二固定部件)和垫圈。固定部件具备外螺纹元件。图18及图19的例中，第二固定部件由螺栓5a构成，垫圈由垫圈12构成。

图18(a)表示螺栓5a固定垫圈12的状态。图18(b)表示松开螺栓5a解除垫圈12的固定后，将垫圈12卸下的工序。图18(c)表示卸下垫圈12后，卸下耐腐蚀铝板材4的工序。

屏蔽板的孔部的内径比螺栓5a的头部的外径大，配置螺栓5a时不需要精密的定位。在垫圈12设有具有预定的内径的切口。切口从垫圈12的周部朝向径向内侧延设至中央。切口具有恒定的宽度，且形成为垫圈12的轴心包含于切口。

垫圈12的外径构成为比孔部的内径大，不能通过孔部。另外，垫圈12的内径(即切口的内径)构成为比螺栓5a的头部的外径小，能够使螺栓5a穿过垫圈12的切口而插入。另外，螺栓5a构成为能够将其轴部(特别是靠近头部的位置)从径向外侧朝向内侧插入垫圈12的插口。换言之，螺栓5a及垫圈12构成为，使垫圈12的切口从径向外侧滑动而嵌于螺栓5a的轴部(特别是靠近头部的位置)。

垫圈12在孔部配置于关于非晶层与坡莫合金层相反的一侧。例如，如图18所示，配置成从外侧接触耐腐蚀铝板材4。能够使螺栓5a的外螺纹元件与框架部件的内螺纹元件(例如设于陵部不锈钢层14)螺纹结合，并且将垫圈12(在本例中，隔着耐腐蚀铝板材4)朝向非晶层1及坡莫合金层3紧固固定。

螺栓5a能够配列成，使框架部件及屏蔽板的分别对置的面的接触面积尽可能大。螺栓5a的配列间隔例如能够在约200mm～250mm的范围内选择。在各个螺栓5a的紧固作业中，使用扭力螺丝刀等以恒定的轴向力固定各部，从而能够在屏蔽板的装卸的前后得到更稳定的屏蔽性能。

在图19的例中，考虑使用纵(高度)900mm×横(宽度)940mm的屏蔽板的情况。如图19所示地，能够在上、下、左、右各边配置五处、合计16处(角部四处重复)的螺栓5a。这样，屏蔽板固定于框架部件。在使用图7的模型的实验中，对于公称直径为4mm的螺栓(M4螺栓)以紧固扭矩0.7N/m进行管理，并对屏蔽性能进行实测。若使用该紧固扭矩，则为M4螺栓处的屈服应力的二分之一左右的轴力，因此关于螺栓的破断，具有充分的富裕。因此，可以进行屏蔽板的反复的装卸，也可充分确保屏蔽板与屏蔽板的接触。

关于MHz波段的电磁场屏蔽，有时为由屏蔽板彼此的微细的间隙构成缝隙天线的状态，并产生共振。这样的情况下，也可以将0.5mm～1mm左右的导电性泡沫材装配于最外层的铝板的周围端部。

例如，在图11的例中，导电性泡沫材配置于构成最外层的屏蔽板的耐腐蚀铝板材4与陵部连接部件的陵部耐腐蚀铝板材4a之间的间隙区域X。导电性泡沫材的厚度及宽度以能够充分确保坡莫合金层3与陵部坡莫合金层3a之间的接触的方式选定。

屏蔽构造的保养或检查时，产生将基于这些螺栓5a及垫圈12进行的固定解除的作业。例如，在屏蔽板的孔部的内径比螺栓5a的头部的外径小的情况下，对每一张屏蔽板都需要反复进行卸下螺栓5a并再次紧固的作业。每一张屏蔽板产生完全卸下12～16根螺栓5a的作业，例如，在对一个屏蔽构造在左、右、前、后四个方向配置十张以上的屏蔽板的情况下，仅屏蔽板的装卸就产生巨大的作业量。

如图18所示，在螺栓固定位置设于屏蔽板的孔部的内径能够构成为比螺栓5a的头部的外径大。这样，即使考虑板金成形及冲孔加工时的尺寸偏差，也无需进行屏蔽板固定时的精密的定位，作业效率提高。而且，垫圈12构成为能够从螺栓5a的轴部滑动插拔的形状，能够提高屏蔽板的装卸作业性。

该构造中，关于每根螺栓，无需旋转至将轴部全体拔出。通过将螺栓旋转松动至能够使可插拔的垫圈12顺畅地滑动的程度，就能够拔出可插拔的垫圈12，能够不拔出螺栓5a地卸下屏蔽板。

此外，关于孔部与螺栓5a的对位，可以设置任意的支撑构造。例如，如图19所示，可以在框架部件配置屏蔽板支撑部件17(第三固定部件)。屏蔽板支撑部件17例如能够由具有外螺纹元件的构造(螺栓等)和具有内螺纹元件的构造(螺母或不锈钢层等)构成。屏蔽板支撑部件17能够配置成能够支撑屏蔽板的下边。首先，向该屏蔽板支撑部件17上将屏蔽板临时放置于应搭载位置。然后，在该状态下，将可插拔的垫圈12被螺栓5a的头部夹着临时固定屏蔽板。之后，能够通过利用预定的紧固扭矩固定各螺栓的方法来组装屏蔽构造。

此外，在该电磁场屏蔽构造中构成为，在屏蔽板支撑部件17将屏蔽板相对于框架部件(例如，不锈钢层)固定的状态下，孔部的轴和螺栓5a的轴一定程度上整合。例如，构成为孔部的轴心穿过螺栓5a。这样，屏蔽板的卸下作业更有效率。

另外，在实施例4中，为了进一步改善作业性，与图18所示的螺栓5a一起使用图19的A部放大图所示的螺栓13。图20表示螺栓13的形状及作用。螺栓13具备包括凸轮杆的凸轮式的开闭机构。凸轮杆形成于螺栓13的头部。

螺栓13及垫圈12构成为根据凸轮杆的转动动作，限制垫圈12的轴向位置范围。例如，在如图20(a)所示地凸轮杆位于关闭位置的情况下，垫圈12被按压固定于屏蔽板。另一方面，在如图20(b)所示地凸轮杆位于打开位置的情况下，垫圈12不被挤压于屏蔽板(例如，可以在轴向上稍微移动)，能够如图20(c)所示地容易地拔出垫圈12。

另外，构成为，在凸轮杆位于打开位置的状态下，螺栓13的最大外径比屏蔽板的孔部的内径小，由此，螺栓13整体能够沿轴向穿过屏蔽板的孔部。因此，能够在拔出垫圈12后，如图20(d)所示地在配置有螺栓13的状态下卸下屏蔽板。该构造中，即使再次安装屏蔽板时的固定作业，也压接也通过基于凸轮杆的操作进行的紧固完成，因此屏蔽板的装卸作业能够进一步简单化。

此外，无需一起使用实施例4的螺栓5a及螺栓13，也可以仅使用任意一方。

[实施例5]

实施例5是在实施例1～4中将坡莫合金层3变更为软磁性材层的例子。关于“软磁性材”的意思及范围，本领域技术人员可以适当定义，是指例如以保持力较小且磁导率较大为特征的材料。或者，例如，为“硬磁性材”的反义词(硬磁性材是指例如磁极容易消失或反转的材料，即矫顽磁力大的材料，所谓的“磁石”包含于此)。但是，坡莫合金材的磁导率非常高且矫顽磁力非常小，因此在与坡莫合金材相比的情况下，软磁性材的磁导率较小且保持力较大。以下，对与实施例1～4的不同进行说明。

图21表示实施例5的电磁场屏蔽板的结构的例。实施例5的电磁场屏蔽板是将由软磁性体的电磁钢板材或片材构成的电磁钢层3b和由Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶的板材或片材构成的非晶层1通过机械的方法重叠而构成。机械的方法是指例如基于使用了螺栓的紧固固定进行的方法，但不限于此。

“电磁钢”的意思和范围可以由使用者适当定义，但例如是指电磁能与磁能的转换效率高的钢材。或者，例如，是指没有大的阻力地使磁力穿过且铁损少的钢材。电磁钢的具体例包括纯铁、磁性不锈钢、硅钢等。由电磁钢构成的板材为电磁钢板。

软磁性体的电磁钢板材只要可以得到期望的性能，就可以使用任意的材料。例如，也可以采用完成了轧制后且磁性退火前的加工的全加工材的非定向电磁钢板(磁性不锈钢、硅钢板等)。另外，也可以应用基于光纤激光加工机进行的成形或切割。该情况下，即使在外形加工时产生了随着材料切割部周边处的加热熔断而带来的局部的特性变化，在其它部分也能够以加工以前的状态大致维持磁性性能，因此，也可以省去退火工序。

若使用软磁性体的电磁钢板材，则与坡莫合金材(例如，PC坡莫合金材)相比，材料的成本大幅降低，而且能够省略板材的制造工序中的磁性退火，因此，屏蔽板的制造工艺低成本化且简单化。此外，这里的磁性退火是例如在板材的切割成形后实施的处理，例如，包括预定的升温时间及冷却时间，例如，在非氧化性氛围中以730℃～1100℃实施退火。

但是，在实施例5的屏蔽板中，将软磁性体的电磁钢板材与非晶材1层叠，因此可以假定，虽然可得到由非晶层1与电磁钢层3b的层叠化带来的屏蔽效果，但是在产生了极端大的外部磁场的情况下，即使之后外部磁场减小，也可能成为在屏蔽板残留有磁场的状况。其理由为，电磁钢板材中，磁导率比坡莫合金材小以及矫顽磁力比坡莫合金材大。

电磁钢层3b的厚度可以任意设计，但若将厚度设为0.5mm以上，则根据用途，能够得到充分的屏蔽性能，若将厚度设为0.635mm以下，则根据用途，能够使重量充分减轻。这样，在一实施例中，优选电磁钢层3b的厚度设于0.500mm～0.635mm的范围内。

以下，对实施例5的屏蔽板和现有技术的屏蔽板进行比较。首先，在专利文献4中记载了一种屏蔽板，其目的在于将来自设置于铁路的枕木下的功率因数改善用的反应器(类似于线圈的部件)的辐射电磁场降低到在车厢不会对心脏起搏器等设备产生不良影响的程度。

专利文献4的屏蔽板使用Co系非晶材，并非使用实施例5那样的Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶材。Co系非晶材具有成本高且磁性的经时劣化大的缺点。

另外，专利文献4的屏蔽板用于铁路车辆，特装配于枕木外部，因此用于其它用途具有厚度过大的缺点。专利文献4记载的屏蔽板的一例具备25张厚度0.35mm的硅钢板、五张厚度0.5mm的Co系非晶片材、以及两张厚度3.2mm的罩部件，合计厚度为17.65mm。另外，在该例中，为1600×1300mm的尺寸的部件，重量为248kg。

与之相对，本发明的实施例5中，厚度非常小。例如，即使包括出于加强等的目的追加的耐腐蚀铝板材4，通过厚度1.2mm的耐腐蚀铝板材4、厚度0.5mm的非晶层1以及厚度0.5mm的电磁钢层3b，合计的厚度只是2.2mm左右。即使考虑电磁钢层3b的厚度的范围，也可以设计成使将非晶层1和电磁钢层3b合起来的厚度为1.0mm以下、1.1mm以下、1.2mm以下、1.3mm以下、1.4mm以下、或者1.5mm以下。另外，也可以设计成使电磁钢层3b的厚度为1.0mm以下、1.1mm以下、1.2mm以下、1.3mm以下、1.4mm以下、或者1.5mm以下。因此，重量也减轻。这样薄且轻的屏蔽板对于半导体制造检查装置的外周部的交变磁场(AC磁场)及电场的屏蔽是有效的。

另外，专利文献6记载了核磁共振测定、基于SQUID传感器的应用的生物体磁测定时使用的屏蔽板。专利文献6的屏蔽板的目的在于抑制测定极微弱的磁场时的干扰。

专利文献6的屏蔽板是层叠非晶和強磁性体的屏蔽板，不是如本发明的实施例5那样地使用矫顽磁力小且磁导率高的软磁性材的屏蔽板。

另外，专利文献6的屏蔽板必须进行磁性退火工序。例如，在通过冷轧层叠原材料后，进行磁性退火。磁性退火是在非氧化环境中以350℃在15奥斯特的直流磁场中进行30分钟。施加这样调定的外部磁场，或者在磁场极小的状态下，进行磁性退火，该情况下耗费工时。

与之相对，本发明的实施例5中，在形成各层后，可以对任一层均不进行磁性退火工序地制造屏蔽板。

图22是说明制造实施例5的屏蔽板的方法的一例的流程图。例如，通过如下方法能够制造屏蔽板，该方法包括：成型非晶材，制造非晶层1的工序(步骤S11)；成型电磁钢材，制造电磁钢层3b的工序(同样的步骤S11)；以及重叠非晶层1及电磁钢层的工序(步骤S12)。即，制造屏蔽板的方法在制造非晶层1的工序(步骤S11)及制造电磁钢层3b的工序(同样的步骤S11)之后，不包括对电磁钢层3b的磁性退火工序。因此，制造工序及构造极简单。

符号说明

1—非晶层，2—树脂带原材料(被覆层)，3—坡莫合金层，3a—陵部坡莫合金层，3b—电磁钢层，3x—第一坡莫合金层，3y—第二坡莫合金层，4—耐腐蚀铝板材，4a—陵部耐腐蚀铝板材，5—螺栓(第一固定部件)，5a—螺栓(第二固定部件)，6—加强用板材(加强层)，10—蜂窝材(蜂窝构造部件)，10a—加强部，11—金属制网(网眼状管部件)，12—垫圈，13—螺栓(第二固定部件)，14—陵部不锈钢层，15—螺母，16—内螺纹元件，17—屏蔽板支撑部件(第三固定部件)，18—条材，19—板材，H—孔部(第一贯通孔部、第二贯通孔部)。

Claims (24)

1.一种电磁场屏蔽板，其特征在于，

将由坡莫合金的板材或片材构成的坡莫合金层和由Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶的板材或片材构成的非晶层重叠而构成。

2.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

上述坡莫合金层和上述非晶层在整个电磁场屏蔽区域接触。

3.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

具备以使上述非晶层的端部或开口部不露出的方式进行被覆的被覆层。

4.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

还具备由非磁性材料构成的第一固定部件，

在上述坡莫合金层及上述非晶层分别设有第一贯通孔部，

上述第一固定部件在各上述第一贯通孔部将上述坡莫合金层及上述非晶层互相固定。

5.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

上述坡莫合金层的厚度在0.500mm～0.635mm的范围内。

6.根据权利要求4所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

还具备1.0mm～1.5mm的范围内的厚度的耐腐蚀铝板材，

上述耐腐蚀铝板材重叠在关于上述非晶层与上述坡莫合金层相反的一侧，

在上述耐腐蚀铝板材设有第一贯通孔部，

上述第一固定部件在各上述第一贯通孔部将上述耐腐蚀铝板材、上述坡莫合金层以及上述非晶层互相固定。

7.根据权利要求6所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

上述耐腐蚀铝板材和上述非晶层经由在两面具有粘接层的带材而粘接。

8.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

上述坡莫合金层由高导磁率合金的板材或片材构成。

9.根据权利要求1所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

还具备由加强材构成的加强层。

10.一种带电粒子束装置用的电磁场屏蔽板，其特征在于，

包括权利要求1所述的电磁场屏蔽板。

11.一种扫描型电子显微镜用的电磁场屏蔽板，其特征在于，

包括权利要求1记载的电磁场屏蔽板。

12.一种电磁场屏蔽构造，其具备：

包括权利要求1所述的电磁场屏蔽板的第一屏蔽板；

包括权利要求1所述的另一电磁场屏蔽板的第二屏蔽板；以及

陵部连接部件，

上述电磁场屏蔽构造的特征在于，

上述陵部连接部件至少将由坡莫合金的板材或片材构成的陵部坡莫合金层和由1.8mm～2.4mm的范围内的厚度的奥氏体系不锈钢材构成的陵部不锈钢层重叠而构成，

上述陵部连接部件具有形成第一角度的陵，在上述陵的两侧设有内螺纹元件，

上述陵部连接部件的上述陵的一侧的至少一部分和上述第一屏蔽板的至少一分部以重叠的方式固定，

上述陵部连接部件的上述陵的另一侧的至少一部分和上述第二屏蔽板的至少一部分以重叠的方式固定。

13.根据权利要求12所述的电磁场屏蔽构造，其特征在于，

上述陵部连接部件从外侧朝向内侧至少重叠耐腐蚀铝板材、上述陵部坡莫合金层以及上述陵部不锈钢层而构成。

14.一种电磁场屏蔽构造，其具备：

包括权利要求1所述的电磁场屏蔽板的第一屏蔽板；

包括权利要求1所述的另一电磁场屏蔽板的第二屏蔽板；

设有外螺纹元件的第二固定部件；

设有内螺纹元件的框架部件；以及

垫圈，

上述电磁场屏蔽构造的特征在于，

在上述坡莫合金层及上述非晶层分别设有第二贯通孔部，

上述第二贯通孔部的内径比上述第二固定部件的头部的外径大，

上述垫圈的外径比上述第二贯通孔部的内径大，

上述垫圈的内径比上述第二固定部件的头部的外径小，

上述垫圈在上述第二贯通孔部配置于关于上述非晶层与上述坡莫合金层相反的一侧，

上述第二固定部件的上述外螺纹元件能够与上述框架部件的上述内螺纹元件螺纹结合，并且将上述垫圈向上述非晶层及上述坡莫合金层紧固固定。

15.根据权利要求14所述的电磁场屏蔽构造，其特征在于，

上述第二固定部件具备凸轮杆，

上述第二固定部件及上述垫圈构成为使上述垫圈的轴向位置范围根据上述凸轮杆的转动动作被限制。

16.根据权利要求14所述的电磁场屏蔽构造，其特征在于，

上述电磁场屏蔽构造构成为，在第三固定部件将上述电磁场屏蔽板相对于上述框架部件固定的状态下，上述第二贯通孔部的轴心穿过上述第二固定部件。

17.一种半导体制造环境，其特征在于，具备：

权利要求1所述的电磁场屏蔽板；以及

由50Hz以上的频率的交流电源驱动的半导体制造相关装置。

18.一种电磁场屏蔽构造，其具备权利要求1所述的电磁场屏蔽板，

上述电磁场屏蔽构造的特征在于，

在上述电磁场屏蔽构造设有散热用的开口部，

在上述散热用的开口部装配有设有多个孔的软磁性材的板材。

19.一种电磁场屏蔽构造，其具备权利要求1所述的电磁场屏蔽板，

上述电磁场屏蔽构造的特征在于，

在上述电磁场屏蔽构造设有散热用的开口部，

在上述散热用的开口部装配有铝基材的蜂窝构造部件，

上述蜂窝构造部件在其外周部具备由板金部件构成的加强部。

20.一种电磁场屏蔽构造，其具备权利要求1所述的电磁场屏蔽板，

上述电磁场屏蔽构造的特征在于，

在上述电磁场屏蔽构造设有晶圆搬送用的开口部，

在上述晶圆搬送用的开口部以覆盖上述开口部并且与上述电磁场屏蔽板紧贴的方式装配有金属制的具有通气性的网眼状管部件。

21.一种电磁场屏蔽板的制造方法，是权利要求1所述的电磁场屏蔽板的制造方法，其特征在于，具备：

作为上述坡莫合金层，形成第一坡莫合金层及第二坡莫合金层的步骤；

形成条材的步骤；

对上述第一坡莫合金层及上述第二坡莫合金层执行磁性退火工序的步骤；

在上述磁性退火工序后，将上述第一坡莫合金层的端面和上述第二坡莫合金层的端面对接配置，并且在对接的端面以覆盖相邻的一面的至少一部分的方式配置上述条材的步骤；以及

将上述第一坡莫合金层、上述第二坡莫合金层以及上述条材通过点焊一体化的步骤，

上述第一坡莫合金层、上述第二坡莫合金层以及上述条材由同一材料构成。

22.一种电磁场屏蔽板，其特征在于，

将由软磁性体的电磁钢板材或片材构成的电磁钢层和由Fe-Si-B-Cu-Nb系非晶的板材或片材构成的非晶层通过机械的方法重叠而构成。

23.根据权利要求22所述的电磁场屏蔽板，其特征在于，

上述电磁钢层的厚度为1.5mm以下。

24.一种电磁场屏蔽板的制造方法，是权利要求22所述的电磁场屏蔽板的制造方法，其特征在于，包括：

成型非晶材来制造上述非晶层的步骤；

成型电磁钢材来制造上述电磁钢层的步骤；以及

将上述非晶层及上述电磁钢层重叠的步骤，

上述制造方法在制造上述非晶层的上述步骤及制造上述电磁钢层的上述步骤之后，不包括对上述电磁钢层的磁性退火工序。

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