JPH11233332A - 結晶引上装置用超電導磁石装置 - Google Patents

結晶引上装置用超電導磁石装置

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JPH11233332A
JPH11233332A JP10034911A JP3491198A JPH11233332A JP H11233332 A JPH11233332 A JP H11233332A JP 10034911 A JP10034911 A JP 10034911A JP 3491198 A JP3491198 A JP 3491198A JP H11233332 A JPH11233332 A JP H11233332A
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coil
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】比較的安価にして漏れ磁場を低減でき、しかも
小型軽量化に最適な結晶引上装置用超電導磁石を得るこ
とにある。 【解決手段】環状に形成され、且つ結晶引上装置を挟む
ように軸方向に対峙させて設けられた一対の超電導コイ
ル２ａと、これら超電導コイル２ａを包囲するように設
けられた輻射シールド４２と、この輻射シールド４２を
包囲する真空容器５０とを備えた結晶引上装置用超電導
磁石装置において、前記結晶引上装置に相対面する側の
真空容器内側部材５１を非磁性材とし、相対面しない側
の他の真空容器外側部材５２を磁性材で構成したもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用結晶引上装
置に使用される超電導磁石において、特に磁場を発生す
る超電導磁石の漏れ磁場を低減するようにした結晶引上
装置用超電導磁石装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用結晶引上装置において、融解し
た半導体結晶材料から結晶を引上げる際、融解した半導
体結晶材料に静磁場を与えて熱対流による運動を阻止す
る目的で超電導磁石装置が使用されている。
【０００３】図１４はかかる従来の結晶引上装置用超電
導磁石装置の構成例を示す斜視図であり、図１５は図１
４のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図である。この超電導磁石
装置は、図１４に示すように全体としてコ字形のクライ
オスタット１の中に２つの超電導コイル２ａ，２ｂを対
峙させて設け、これら超電導コイルから発生する磁場の
向き３が結晶の引上方向４に対して直交するようにした
ものである。
【０００４】上記クライオスタット１は図１５に示すよ
うにヘリウム容器４０の中に超電導コイル２ａが内蔵さ
れており、コイル２ａは液体ヘリウム等の冷媒４１に浸
されている。また、ヘリウム容器４０の外側には輻射シ
ールド４２が設けられ、さらにヘリウム容器４０及び輻
射シールド４２全体を真空容器４３の中に内蔵し、全体
としてクライオスタットを構成している。
【０００５】上記の例では１個の輻射シールドを設ける
場合を示したが、必要に応じて２重にして輻射シールド
を設ける場合もある。また、ヘリウム容器４０の中に設
けられた超電導コイル２ａ，２ｂを液体ヘリウム等の冷
媒を用いず冷凍機でコイルを超電導状態まで冷却する方
式もある。この場合は図１５において、ヘリウム容器と
冷媒がない構成となる。
【０００６】この例はコ字形のクライオスタット１の中
央部に有するボア５内に結晶引上装置が設けられ、この
結晶引上装置に水平磁場を与える磁石装置の場合であ
る。また、図１６は従来の結晶引上装置用超電導磁石装
置の他の構成例を示すものである。この超電導磁石装置
は、内筒及び外筒からなる二重円筒形のクライオスタッ
ト１１の中に図１４と同様に２つの超電導コイル２ａ，
２ｂを対峙させて設け、これら超電導コイルから発生す
る磁場の向き３が結晶の引上方向４に対して直交するよ
うにしたものである。
【０００７】この例はクライオスタット１１の内筒の内
側に有する常温空間であるボア１２内に結晶引上装置が
設けられ、この結晶引上装置に水平磁場を与える磁石装
置の場合である。
【０００８】さらに、図１７は従来の結晶引上装置用超
電導磁石装置のさらに異なる他の構成例を示すものであ
る。この超電導磁石装置は二重円筒形のクライオスタッ
ト３１の中に軸方向に適宜の間隔を存して２つの超電導
コイル２ａ，２ｂを対峙させて設け、各々のコイルが互
いに対向する方向に磁場３０ａ，３０ｂを発生すること
でカスプ磁場を形成するようにしたものである。なお、
この場合には結晶引上装置はボア３２内に置かれ結晶引
上げ方向４は図１７に示す方向となる。このカプス磁場
では図中６の線上では磁場がゼロとなるため、この線上
で結晶を引き上げることにより、図１４、図１６の場合
に比較して質のよい結晶が得られると言われている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来の結晶引上装置用超電導磁石装置において、ク
ライオスタットの真空容器はステンレスやアルミニウム
等の非磁性材料が用いられているため、超電導コイルよ
り発生する磁場が磁石の外部に漏れ出し、周辺のモータ
や磁性体からなる構造部材等に影響を与えていた。この
場合、磁性体と超電導コイルは互いに吸引力が働き、そ
の力は磁性体の体積、重量と磁場勾配に比例するので、
磁性構造部材や磁石が大型化すると吸引力も大きくな
る。
【００１０】従って、構造部材を高価な非磁性材料にし
たり、コイルを支持するクライオスタット内のサポート
の断面を大きくしなければならなくなり、熱侵入量の大
きいクライオスタットになるという問題がある。
【００１１】また、クライオスタットの近傍にモータや
磁場の影響を受け易い計測機器があると、誤動作につな
がる要因となる。さらに、漏れ磁場が大きいと隣接した
超電導磁石同志が互いの漏れ磁場の影響を受け、ボア内
に必要な磁場強度や磁場分布を乱すことがあるため、隣
接する磁石と結晶引上装置の設置間隔を広くとる必要が
あり、設置スペースを有効に利用することができなかっ
た。
【００１２】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、比較的安価にして漏れ磁場を低減
でき、しかも小型軽量化に最適な結晶引上装置用超電導
磁石装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、次のような手段により結晶引上装置用超電
導磁石装置を構成するものである。請求項１に対応する
発明は、環状に形成され、且つ結晶引上装置を挟むよう
に軸方向に対峙させて設けられた一対の超電導コイル
と、これら超電導コイルを包囲するように設けられた輻
射シールドと、この輻射シールドを包囲する真空容器と
を備えた結晶引上装置用超電導磁石装置において、前記
結晶引上装置に相対面する側の真空容器部材を非磁性材
とし、相対面しない側の他の真空容器部材を磁性材で構
成したものである。
【００１４】請求項１に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、結晶引上装置に相対面する
真空容器部分は従来と同様の非磁性材なので、今まで通
り結晶引上装置に必要な磁場強度と磁場分布を確保する
ことができ、近接しない他の部材は磁性体なので、漏れ
ようとする磁場は磁性体に吸収され、漏れ磁場を低減す
ることができる。
【００１５】請求項２に対応する発明は、請求項１に対
応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置において、
結晶引上装置に相対面する側の真空容器部材の一部分を
磁性材としたものである。
【００１６】請求項２に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、上記請求項１に対応する発
明の作用効果に加えて、相対面する真空容器部材の１部
を磁性体とすることで結晶引上装置の軸上の漏れ磁場を
も低減することができる。
【００１７】請求項３に対応する発明は、請求項１に対
応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置において、
コイル外径側もしくは超電導コイルを挟んで結晶引上装
置とは反対側の真空容器部材の少なくとも一方の側の磁
性材料を、他方より板厚を厚くしたものである。
【００１８】請求項４に対応する発明は、請求項３に対
応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置において、
超電導コイルに最も近接する部分の磁性材料のみを厚く
したものである。
【００１９】請求項３及び請求項４に対応する発明の結
晶引上装置用超電導磁石装置にあっては、上記請求項１
に対応する発明の作用効果に加えて、超電導コイルとの
距離が近い方の真空容器の板厚を厚くしてあるので、よ
り効果的に漏れ磁場を吸収することができる。
【００２０】請求項５に対応する発明は、環状に形成さ
れた超電導コイルをその軸方向に対峙させ、これらの超
電導コイルを各々包囲するように設けられた環状の輻射
シールドと、これらの環状の輻射シールドをコイル内径
部分に空間を有するように包囲する２重円筒形の真空容
器とからなり、この空間に結晶引上装置を配設した結晶
引上装置用超電導磁石装置において、両コイル中央部分
に位置する真空容器外径部材を、磁石内径側もしくは外
径側の少なくとも一方に張出す磁性部材を設けたもので
ある。
【００２１】請求項５に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、最も漏れ磁場の大きいコイ
ル対称面上の真空容器により多くの磁性体を設けること
で、全体として漏れ磁場範囲の小さい磁石にすることが
できる。
【００２２】請求項６に対応する発明は、請求項１乃至
請求項５の何ずれかに対応する結晶引上装置用超電導磁
石装置において、真空容器の磁性体部材を間隙を設けた
多層板の集合体で構成したものである。
【００２３】請求項５に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、多層板とすることで、内側
の磁性板から漏れ出す磁場をさらにその外側の磁性体で
吸収するので、さらに漏れ磁場を低減することができ
る。
【００２４】請求項７に対応する発明は、請求項５に対
応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置において、
上下コイルの何ずれか一方のコイルを電気的に短絡した
ものである。
【００２５】請求項７に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、軸方向に対峙した主コイル
のうち、何ずれか一方を電気的に短絡することで短絡さ
れていないもう一方の主コイルを励磁するだけで他の主
コイルは励磁されたコイルに対して逆向きの磁場を発生
することができる。すなわち、２ケのコイルのうち、１
ケのみ励磁するだけで他のコイルに短絡電流が誘起され
て逆向きの磁場（カプス磁場）を発生する。
【００２６】請求項８に対応する発明は、環状に形成さ
れ、且つ結晶引上装置を挟むように軸方向に対峙させて
設けられた一対の超電導コイルと、これら超電導コイル
を包囲するように設けられた輻射シールドと、この輻射
シールドを包囲する真空容器とを備えた結晶引上装置用
超電導磁石装置において、主たる超電導コイルの対称軸
と超電導コイルの中心軸の交点から主たる超電導コイル
を見込んだ角度内に主たるコイルと逆向きの磁場を発生
する補助コイルを設けたものである。
【００２７】請求項８に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、補助コイルが主コイルに対
して逆向きの磁場を発生するので、主コイルが発生する
漏れ磁場を補助コイルが打ち消す効果がある。
【００２８】請求項９に対応する発明は、請求項８に対
応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置において、
対峙されたコイルに挟まれる真空容器部材を磁性体とし
たものである。
【００２９】請求項９に対応する発明の結晶引上装置用
超電導磁石装置にあっては、上記請求項８に対応する発
明の作用効果に加えて、補助コイルにさらに磁性シール
ドを付加することで、より効果がある。
【００３０】請求項１０に対応する発明は、請求項８に
対応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置におい
て、補助コイルを電気的に短絡したものである。請求項
１０に対応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置に
あっては、主コイルに対して補助コイルが逆向きの磁場
を誘起するので、主コイルを励磁するだけで、補助コイ
ルによる磁気シールドを得ることができる。これは水平
磁場、垂直磁場、カスプ磁場の何ずれの磁石についても
構成できる。
【００３１】請求項１１に対応する発明は、請求項１０
に対応する発明の結晶引上装置用超電導磁石装置におい
て、対峙した主コイルの何ずれか一方のコイルを電気的
に短絡したものである。
【００３２】請求項１１に対応する発明の結晶引上装置
用超電導磁石装置にあっては、主コイル１個のみ励磁す
るだけで、他の主コイルは逆向き（カスプ磁場）を誘起
し、さらに補助コイルに各々の主コイルに対してそれぞ
れ逆向きの磁場を発生して磁気シールドを得ることがで
きる。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明による結晶引上装置用
超電導磁石装置の第１の実施の形態の一部を示す縦断面
図、図２は同装置全体の横断面図である。
【００３４】図１及び図２において、５１は真空容器
で、この真空容器５１は後板５２と一対の側面板５３と
でコ字形に形成されたフレーム５４と、このフレーム５
４内に設けられたボアを形成するＵ字状の内板５５と、
この内板５５とフレーム５４の前方端部間を閉塞する前
板５６と、これらフレーム５４及び内板５５の上部開口
端および下部開口端を閉塞する上板５７および下板５８
から構成されている。
【００３５】この真空容器５１内にはリング状の２つの
超電導コイル２ａ，２ｂ（図１ではその一方の超電導コ
イル２ａを示す）を容器の中心軸方向に対峙させ、且つ
液体ヘリウム等の冷媒４１に浸漬させて内蔵したヘリウ
ム容器４０が設けられ、このヘリウム容器４０を包囲す
るようにその外側に輻射シールド４２が設けられ、全体
としてクライオスタットを構成している。
【００３６】第１の実施の形態では、このような構成の
クライオスタットにおいて、真空容器５１の構成部材の
内、後板５２、側面板５３、前板５６、上板５７及び下
板５８を磁性体からなる材料で構成し、またボアに挿入
される図示しない結晶引上装置に相対面する内板５５を
非磁性材料で構成するものである。
【００３７】従って、このようなクライオスタットとす
れば、真空容器５０を構成する後板５２、側面板５３、
前板５６、上板５７及び下板５８を磁性材料とし、内板
５５のみ非磁性材料としているので、超電導コイル２
ａ，２ｂより発生する磁場は磁性体により吸収されて外
部に漏れ出すことがなく、周辺のモータや磁性体からな
る構造物等に影響を与えることがない。また、真空容器
５１は内板５５を除く他の部材を磁性体として磁気シー
ルドを兼ねているので、全体として小形、軽量化が可能
となり、従来のように真空容器全体を非磁性材で構成し
たものに比べて比較的安価になる。
【００３８】さらに、磁気シールドによって磁場の一部
が閉込められるので、ボア中心の磁場強度が高くなる。
即ち、磁気シールドなしのコイルに比べて起磁力（アン
ペアターン数）が少なくてすみ、電流値の低い低容量の
電源でよく、巻回数の少ない、超電導コイルで良いこと
になる。
【００３９】上記実施の形態では、コの字形のフレーム
５４と内板５５とで真空容器を構成する場合について述
べたが、円筒形やカスプ磁場形のクライオスタットにつ
いても結晶引上げ装置に相対面する真空容器部材を非磁
性部材とし、それ以外の真空容器部材を磁性材料で構成
することにより、前述同様の作用効果を得ることができ
る。
【００４０】図３は本発明による結晶引上装置用超電導
磁石装置の第２の実施の形態の一部を示す縦断面図、図
４は同装置全体の横面図であり、図１及び図２と同一部
分には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異
なる点について述べる。
【００４１】第２の実施の形態では、図３及び図４に示
すように真空容器５１の構成部材の一部であるＵ字状の
内板５５の前方開口端部を磁性体６０により構成したも
のである。
【００４２】従って、このようなクライオスタットとす
れば、内板５５の前方開口端部を磁性体６０とすること
により、上板５７及び下板５８の内板側端部から漏れる
磁力線を内側へ吸収することができ、磁石の上下面で且
つ結晶引上装置軸線上の漏れ磁場をさらに低減すること
ができる。また、真空容器５１の開口部の漏れ磁場を磁
性体６０により吸収し、低減することができる。
【００４３】図５は本発明による結晶引上装置用超電導
磁石装置の第３の実施の形態の一部を示す縦断面図で、
図１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略
し、ここでは異なる点について述べる。
【００４４】第３の実施の形態では、図５に示すように
真空容器５１の上板５７とコイル２ａとの間の距離Ｙが
側面板５３とコイル２ａとの間の距離Ｘより小さい場合
は、上板５７の板厚ｔ２を側面板５３の板厚ｔ１より厚
くするものである。
【００４５】図示しない前板及び後板については第１の
実施の形態と同様である。従って、このようなクライオ
スタットとすれば、コイル２ａまでの距離の小さい方の
板厚を距離の大きい方の板厚より厚くすることで、磁場
の強いコイルに近い側をより漏れ磁場を吸収することが
できる。これにより、全ての磁性真空容器部材を厚くす
る必要がなく、全体として軽量にすることができるる。
【００４６】図６は本発明による結晶引上装置用超電導
磁石装置の第４の実施の形態の一部を示す縦断面図で、
図１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略
し、ここでは異なる点について述べる。
【００４７】第４の実施の形態では、図６に示すように
真空容器５１の上板５７及び下板５８と側面板５３のコ
イルと対応する内面に所定厚みの上補助板７１及び下補
助板７２と側面補助板７３をそれぞれ取付けるものであ
る。この場合、各補助板７１〜７３は磁性材料で構成さ
れ、機械的或いは冶金的に接合される。
【００４８】従って、このようなクライオスタットとす
れば、最も磁場の高いコイル周辺の漏れ磁場を吸収する
ので、他の部材は肉厚の薄いものでよく、真空容器の軽
量化を図ることができる。
【００４９】上記実施の形態では、補助板を各板の内面
に設けたが、外面に設けるようにしても良い。図７は本
発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の第５の実施
の形態の一部を示す縦断面図であり、図１７と同一部分
には同一符号を付して説明する。
【００５０】図７に示す超電導磁石装置は、図７に示す
ように二重円筒形のクライオスタット３１の中に軸方向
に適宜の間隔を存して２つの超電導コイル２ａ，２ｂを
対峙させて設け、各々のコイルが互いに対向する方向に
磁場３０ａ，３０ｂを発生することでカプス磁場を形成
するようにしたものである。
【００５１】このような構成の超電導磁石装置におい
て、第５の実施の形態では真空容器を構成する外側の円
筒体３１ａ及びこの外側の円筒体３１ａと内側の円筒体
３１ｂの開口端部間に設けられる上部板３１ｃ及び下部
板３１ｄを磁性材料で構成（図示ハッチング部分）する
と共に、内側の円筒体３１ｂを非磁性材料で構成し、且
つ外側の円筒体３１ａの２つの超電導コイル２ａ，２ｂ
間に対応する内面に磁性材料からなる補助リング８０を
取付ける構成とするものである。図中、３２は結晶引上
装置が挿入される空間部（ボア）の直径である。
【００５２】従って、このような構成のクライオスタッ
トとすれば、外側の円筒体３１ａの漏れ磁場の大きい部
分である上下一対の超電導コイル２ａ，２ｂの軸方向中
央部に対応する面に磁性体が付加されているので、漏れ
磁場の吸収能力がさらに向上し、且つコイルの起磁力を
さらに低くすることができる。
【００５３】図８は本発明による結晶引上装置用超電導
磁石装置の第６の実施の形態の一部を示す縦断面図で、
図１と同一部分には同一符号を付してその説明を省略
し、ここでは異なる点について述べる。
【００５４】第６の実施の形態では、図８に示すように
真空容器を構成するコ字形のフレームの図示しない後
板、両側面板５３、上板５７及び下板５８を、磁性材料
からなる上板９１、下板９２、外板９３及び非磁性材料
からなるＵ字形の内板５５とで多層にして覆うように設
ける構造とするものである。
【００５５】従って、このようなクライオスタットとす
れば、内側の磁性体からの漏れ磁場を外側の磁性体でさ
らに低減することができる。図９は本発明による結晶引
上装置用超電導磁石装置の第７の実施の形態における真
空容器内に設けられるコイルの構成例を示すものであ
る。
【００５６】第７の実施の形態では、図９に示すように
超電導コイル２ａとこの超電導コイルより径の大きな補
助コイル１００を並設し、超電導コイル２ａに対して逆
向きの磁場を発生するようにするものである。この場
合、超電導コイル２ａの対峙するコイルの対象軸Ｌとコ
イルの中心軸Ｍとの交点Ｎと超電導コイル２ａの外径部
対象軸側角部と反対側角部とを結ぶ線とこの角部の対象
線上の内径部対称軸と反対側角部とを結ぶ線でとでなす
角度ｇの範囲外に補助コイル１００の導体中心Ｐがある
場合、例えば図９に示す交点Ｎを中心にコイル巻線中心
軸Ｍを超電導コイル２ａのコイル内径部の対称軸Ｌと反
対側の角部とを結ぶ線とでなす角度ｈの範囲内にある場
合は中心軸Ｍ上の漏れ磁場の低減には有効であるが、対
象軸Ｌ上の漏れ磁場低減には有効ではない。また、補助
コイル１００の導体中心Ｐが角度（ｇ＋ｈ）より大きい
範囲にある場合は上記とは逆になり、対象軸Ｌ上は有効
であるが、中心軸Ｍ上は有効ではなくなる。
【００５７】本実施の形態では、補助コイル１００の導
体中心Ｐがその断面が対峙する主たる超電導コイル２ａ
の対象軸Ｌとコイル巻線中心軸Ｍの交点Ｎから超電導コ
イル２ａの断面を見込んだ角度ｇに入るように構成する
ものである。
【００５８】従って上記のような構成のコイルを備えた
クライオスタットによれば、補助コイル１００によって
主コイルの発生する漏れ磁場を主コイルの外径方向（対
象軸Ｌ方向）と中心軸Ｍ方向の両方を同時に効率良く打
ち消すことができ、全体として起磁力の小さい効率の良
い磁石を構成することが可能であり、磁性体を用いた磁
気シールド方法よりさらに軽量化することができる。
【００５９】図１０は本発明による結晶引上装置用超電
導磁石装置の第８の実施の形態における真空容器内に設
けられるコイルの構成例を示すもので、図９と同一部分
には同一符号を付してその説明を省略し、ここでは異な
る点についてのみ述べる。
【００６０】第８の実施の形態では、第７の実施の形態
の構成に加えて、さらに磁性材からなる外板１１０を真
空容器の一部として構成するものである。従って、上記
のような構成のクライオスタットによれば、さらに漏れ
磁場を低減することができ、また主コイルや補助コイル
の起磁力を小さくすることが可能である。図の例では磁
性材からなる外板を真空容器の一部としたが、真空容器
とは別の部材として、真空容器の内側又は外側に付加す
るようにしても同様の効果を得ることができる。
【００６１】図１１は本発明による結晶引上装置用超電
導磁石装置の第９の実施の形態における真空容器内に設
けられるコイルの接続構成例を示すものである。第９の
実施の形態では、クライオスタット１２３内に対峙して
配設される一対の主コイル１２０，１２１を直列に接続
すると共に、主コイル１２０を励磁電源１２４に接続
し、主コイル１２１の両端を短絡させて励磁電源１２４
の一端に接続する構成とするものである。
【００６２】このようなコイル接続構成のクライオスタ
ットにおいて、一方の主コイル１２０は外部の励磁電源
１２４により励磁され、磁場を発生する。この時、クラ
イオスタット１２３内で電気的に短絡された主コイル１
２１は、主コイル１２０が励磁中に発生する磁場の時間
変化により主コイル１２０とは同じ電流値で、逆向きの
磁場を発生する電流が流れる。
【００６３】従って、主コイル１２０を励磁するだけ
で、もう一方の主コイル１２１も励磁される。従来のコ
イルの接続構成は、クライオスタット内の両主コイル共
電気的に直列に接続されているので、本例よりもコイル
のインダクタンスが大きく、それだけ励磁電圧も大きな
電源が必要であったが、本例によれば低容量の電源でよ
いことになる。
【００６４】図１２は本発明による結晶引上装置用超電
導磁石装置の第１０の実施の形態における真空容器内に
設けられるコイルの接続構成例を示すものである。第１
０の実施の形態では、図１２に示すようにクライオスタ
ット１２３内に配置される主コイル１３０ａ，１３０ｂ
を電気的に直列接続すると共に、その両端を励磁電源１
２４に各コイルが同方向の磁場もしくは対向する磁場を
発生するように接続し、且つ両端が短絡された補助コイ
ル１３１ａ，１３１ｂをそれぞれ設けるものである。
【００６５】従って、上記のような構成とすれば、主コ
イル１３０ａ，１３０ｂを励磁すると、補助コイル１３
１ａ，１３１ｂにはそれぞれ主コイルとは逆向きの磁場
を発生する電流が誘起されるので、補助コイル用の電源
が不要となる。
【００６６】図１３は本発明による結晶引上装置用超電
導磁石装置の第１１の実施の形態における真空容器内に
設けられるコイルの接続構成例を示すものである。第１
１の実施の形態では、図１１に示すコイル接続構成に加
えて、図１２と同様に補助コイル１３１ａ，１３１ｂを
設ける構成とするものである。
【００６７】従って、上記のような構成とすれば、主コ
イル１２１は主コイル１２０に対して対向するようにコ
イルを配設することによりカプス磁場を発生し、且つ補
助コイル１３１ａ，１３１ｂは各々の主コイルが発生す
る磁場と逆向きの磁場を発生することにより、第９の実
施の形態及び第１０の実施の形態と同様の作用効果を得
ることができる。
【００６８】
【発明の効果】以上述べたように本発明による結晶引上
装置用超電導磁石装置によれば、次のような効果を得る
ことができる。 （１）真空容器の結晶引上装置に相対面する部材を非磁
性部材とし、相対面しない他の部材を磁性材料で構成す
ることで、従来と同じ大きさの重量で外部への漏れ磁場
を低減することができる。また磁性部材を厚くすること
でさらに磁気シールド効果を向上させることができる。 （２）磁気シールドによって磁場が真空容器の内側に閉
込められ、結果として内側の磁場強度が大きくなるの
で、コイルの起磁力をその分小さくすることができる。
即ち、低容量の励磁電源で励磁可能となり、且つ巻回数
の少ない安価なコイルを製造することができる。 （３）結晶引上装置と相対面する側の一部も磁性体にす
ることで、さらに磁気シールド効果が向上する。 （４）逆向きの磁場を発生する補助コイルを角度内に配
置することで効率よく漏れ磁場を低減でき、さらに磁性
体をそれと並設することでさらに効果がある。 （５）磁気シールドにより隣接して設置した磁石が互い
に磁気干渉しないために互いの設置間隔を狭くすること
が可能となり、設置スペースを有効に利用することがで
きる。 （６）漏れ磁場が小さくなるので、磁石周囲の磁性構造
物との間に働く吸引力が小さくなり、構造物を非磁性体
にする必要がなくなる。 （７）磁石周囲に設置されるモータや計測機器など磁場
の影響を受け易い物への影響が少なくなるので、従来と
比べて磁石に近い場所に取付け可能となり、全体として
小形の引上げ装置にすることができる。 （８）主コイル、補助コイルの少なくとも１つを電気的
にクライオスタット内出接続することにより、容量の小
さい励磁電源で大型の磁石を励磁することができる。ま
たインダクタンスが小さいので、励磁及び磁力変化を速
くすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第１の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図。
【図３】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第２の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に沿う矢視断面図。
【図５】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第３の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図６】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第４の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図７】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第５の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図８】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第６の実施の形態の一部を示す縦断面図。
【図９】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置の
第７の実施の形態における真空容器内に設けられるコイ
ルの構成図。
【図１０】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置
の第８の実施の形態における真空容器内に設けられるコ
イルの構成図。
【図１１】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置
の第９の実施の形態における真空容器内に設けられるコ
イルの接続構成図。
【図１２】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置
の第１０の実施の形態における真空容器内に設けられる
コイルの接続構成図。
【図１３】本発明による結晶引上装置用超電導磁石装置
の第１１の実施の形態における真空容器内に設けられる
コイルの接続構成図。
【図１４】従来の結晶引上装置用超電導磁石装置の構成
例を示す斜視図。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線に沿う矢視断面図。
【図１６】従来の結晶引上装置用超電導磁石装置の他の
構成図。
【図１７】従来の結晶引上装置用超電導磁石装置のさら
に異なる他の構成図。
【符号の説明】
２ａ，２ｂ……超電導コイル ３１……クライオスタット ３１ａ，３１ｂ……円筒体 ３１ｃ……上部板 ３１ｂ……下部板 ４０……ヘリウム容器 ４１……冷媒 ４２……輻射シールド ５１……真空容器 ５２……後板 ５３……側面板 ５４……フレーム ５５……Ｕ字状の内板 ５６……前板 ５７……上板 ５８……下板 ６０……磁性体 ７１……上補助板 ７２……下補助板 ７３……側面補助板 ８０……補助リング ９１……上板 ９２……下板 ９３……外板 １００……補助コイル １１０……外板 １２０，１２１……主コイル １２３……クライオスタット １２４……励磁電源

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 環状に形成され、且つ結晶引上装置を挟
    むように軸方向に対峙させて設けられた一対の超電導コ
    イルと、これら超電導コイルを包囲するように設けられ
    た輻射シールドと、この輻射シールドを包囲する真空容
    器とを備えた結晶引上装置用超電導磁石装置において、
    前記結晶引上装置に相対面する側の真空容器部材を非磁
    性材とし、相対面しない側の他の真空容器部材を磁性材
    で構成したことを特徴とする結晶引上装置用超電導磁石
    装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の結晶引上装置用超電導磁
    石装置において、結晶引上装置に相対面する側の真空容
    器部材の一部分を磁性材としたことを特徴とする結晶引
    上装置用超電導磁石装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の結晶引上装置用超電導磁
    石装置において、コイル外径側もしくは超電導コイルを
    挟んで結晶引上装置とは反対側の真空容器部材の少なく
    とも一方の側の磁性材料を、他方より板厚を厚くしたこ
    とを特徴とする結晶引上装置用超電導磁石装置。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の結晶引上装置用超電導磁
    石装置において、超電導コイルに最も近接する部分の磁
    性材料のみを厚くしたことを特徴とする結晶引上装置用
    超電導磁石装置。
  5. 【請求項５】 環状に形成された超電導コイルをその軸
    方向に対峙させ、これらの超電導コイルを各々包囲する
    ように設けられた環状の輻射シールドと、これらの環状
    の輻射シールドをコイル内径部分に空間を有するように
    包囲する２重円筒形の真空容器とからなり、この空間に
    結晶引上装置を配設した結晶引上装置用超電導磁石装置
    において、両コイル中央部分に位置する真空容器外径部
    材を、磁石内径側もしくは外径側の少なくとも一方に張
    出す磁性部材を設けたことを特徴とする結晶引上装置用
    超電導磁石装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５の何ずれかに記載
    の結晶引上装置用超電導磁石装置において、真空容器の
    磁性体部材を間隙を設けた多層板の集合体で構成したこ
    とを特徴とする結晶引上装置用超電導磁石装置。
  7. 【請求項７】 請求項５記載の結晶引上装置用超電導磁
    石装置において、上下コイルの何ずれか一方のコイルを
    電気的に短絡したことを特徴とする結晶引上装置用超電
    導磁石装置。
  8. 【請求項８】 環状に形成され、且つ結晶引上装置を挟
    むように軸方向に対峙させて設けられた一対の超電導コ
    イルと、これら超電導コイルを包囲するように設けられ
    た輻射シールドと、この輻射シールドを包囲する真空容
    器とを備えた結晶引上装置用超電導磁石装置において、 主たる超電導コイルの対称軸と超電導コイルの中心軸の
    交点から主たる超電導コイルを見込んだ角度内に主たる
    コイルと逆向きの磁場を発生する補助コイルを設けたこ
    とを特徴とする結晶引上装置用超電導磁石装置。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の結晶引上装置用超電導磁
    石装置において、対峙されたコイルに挟まれる真空容器
    部材を磁性体としたことを特徴とする結晶引上装置用超
    電導磁石装置。
  10. 【請求項１０】 請求項８記載の結晶引上装置用超電導
    磁石装置において、補助コイルを電気的に短絡したこと
    を特徴とする結晶引上装置用超電導磁石装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の結晶引上装置用超電
    導磁石装置において、対峙した主コイルの何ずれか一方
    のコイルを電気的に短絡したことを特徴とする結晶引上
    装置用超電導磁石装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270463A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Toshiba Corp 超電導マグネット装置
JP2017011236A (ja) * 2015-06-26 2017-01-12 株式会社神戸製鋼所 多層磁気シールド
JP2020522457A (ja) * 2018-03-30 2020-07-30 蘇州八匹馬超導科技有限公司Ｓｕｚｈｏｕ Ｂａｍａ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 単結晶の磁場印加引き上げに用いられる磁性体、および単結晶の磁場印加引き上げ方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101819845B (zh) * 2010-04-16 2012-07-04 中国科学院电工研究所 用于高功率微波源聚焦与回旋电子装置的超导磁体系统
CN101859623A (zh) * 2010-06-02 2010-10-13 江苏旌凯中科超导高技术有限公司 磁选用超导磁体系统
CN103952752A (zh) * 2014-04-03 2014-07-30 西安理工大学 单晶炉的磁屏蔽体结构
KR102644300B1 (ko) * 2017-02-10 2024-03-07 한국전자통신연구원 자기장 차폐 장치
CN113046833A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 上海新昇半导体科技有限公司 一种半导体晶体生长装置
CN115542865A (zh) * 2022-11-24 2022-12-30 杭州慧翔电液技术开发有限公司 一种超导磁体自动升降场系统及参数控制方法
CN116759188B (zh) * 2023-08-15 2023-11-03 苏州八匹马超导科技有限公司 一种超导磁体

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3245945A1 (de) * 1982-12-11 1984-06-14 Bruker Analytische Meßtechnik GmbH, 7512 Rheinstetten Elektromagnet fuer die nmr-tomographie
JPS59195595A (ja) * 1983-04-15 1984-11-06 Sony Corp 結晶成長装置
US4565671A (en) * 1983-08-05 1986-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Single crystal manufacturing apparatus
JPS6051692A (ja) * 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp 単結晶半導体育成装置
JPS6051691A (ja) * 1983-08-31 1985-03-23 Toshiba Corp 単結晶半導体育成装置
JPS61239605A (ja) * 1985-04-16 1986-10-24 Mitsubishi Seiko Jizai Kk 円筒状形態を有する直径方位励磁用磁場装置
GB8701363D0 (en) * 1987-01-22 1987-02-25 Oxford Instr Ltd Magnetic field generating assembly
JPS63204603A (ja) * 1987-02-19 1988-08-24 Sumitomo Electric Ind Ltd クライオスタツト
JPS64715A (en) * 1987-06-23 1989-01-05 Mitsubishi Electric Corp Superconducting electromagnet device
JP2537369B2 (ja) * 1987-07-28 1996-09-25 東芝セラミックス株式会社 単結晶引上げ装置
US5136273A (en) * 1988-10-17 1992-08-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnet apparatus for use in a magnetic resonance imaging system
JPH0582338A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Hitachi Ltd 超電導磁石装置及び励磁方法
JPH0729724A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Toshiba Corp 超電導電磁石
US5448214A (en) * 1994-06-15 1995-09-05 General Electric Company Open MRI magnet with superconductive shielding
JP3476962B2 (ja) * 1995-06-05 2003-12-10 三菱電機株式会社 単結晶引上装置
JP3654463B2 (ja) * 1996-03-29 2005-06-02 株式会社日立メディコ 磁気共鳴イメージング装置
JP3585141B2 (ja) * 1996-04-05 2004-11-04 株式会社日立メディコ 超電導磁石装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270463A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Toshiba Corp 超電導マグネット装置
JP2017011236A (ja) * 2015-06-26 2017-01-12 株式会社神戸製鋼所 多層磁気シールド
JP2020522457A (ja) * 2018-03-30 2020-07-30 蘇州八匹馬超導科技有限公司Ｓｕｚｈｏｕ Ｂａｍａ Ｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 単結晶の磁場印加引き上げに用いられる磁性体、および単結晶の磁場印加引き上げ方法

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