JPS63204603A - クライオスタツト - Google Patents
クライオスタツトInfo
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- JPS63204603A JPS63204603A JP62037307A JP3730787A JPS63204603A JP S63204603 A JPS63204603 A JP S63204603A JP 62037307 A JP62037307 A JP 62037307A JP 3730787 A JP3730787 A JP 3730787A JP S63204603 A JPS63204603 A JP S63204603A
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Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はM RI (NMR)<TCM磁気共鳴コン
ピュータ断層撮影装置)、半導体結晶引上炉などの磁場
印加装置として用いる超電導マグネットを収納するクラ
イオスタット、特に、その外部周辺への磁気シールドを
行なうようにしたクライオスタット≦こ関するものであ
る。
ピュータ断層撮影装置)、半導体結晶引上炉などの磁場
印加装置として用いる超電導マグネットを収納するクラ
イオスタット、特に、その外部周辺への磁気シールドを
行なうようにしたクライオスタット≦こ関するものであ
る。
第9図は従来のクライオスタットの一例を示すもので、
1はリング状の超電導マグネット2を収納した中空環状
の液体ヘリウム槽であり、その外側を第1熱シールド板
3、第2熱シールド板4で囲み、更に真空槽5で囲んで
その内側を真空断熱層6としている。
1はリング状の超電導マグネット2を収納した中空環状
の液体ヘリウム槽であり、その外側を第1熱シールド板
3、第2熱シールド板4で囲み、更に真空槽5で囲んで
その内側を真空断熱層6としている。
上記のようなりライオスタットの場合、常温の中心空間
がマグネット2により生じた磁場空間7となる。
がマグネット2により生じた磁場空間7となる。
上記のような従来のクライオスタットは全体が非磁性の
ステンレススチール板やFRP材で構成されており、そ
れ自身には磁気シールド効果はないので、磁場空間7に
のみ磁場を印加できればよいにもかかわらず、中心以外
の周辺部にまで磁場が漏れることになる。
ステンレススチール板やFRP材で構成されており、そ
れ自身には磁気シールド効果はないので、磁場空間7に
のみ磁場を印加できればよいにもかかわらず、中心以外
の周辺部にまで磁場が漏れることになる。
このよう番こ、周辺部に磁場が漏れると鉄筋などの建築
構造材が磁場で吸引されたり1時計が狂ったり、テレビ
の画面に悪影響を与えるなどの問題が生じる。
構造材が磁場で吸引されたり1時計が狂ったり、テレビ
の画面に悪影響を与えるなどの問題が生じる。
また、磁場の漏洩を防止するためには、第9図のように
クライオスタット全体を磁気シールド板8で囲めばよい
が、このような手段に用いるシールド板は一般に5〜1
0m厚の鉄板であり、製作の手数や大型化のためのスペ
ース(シールド板のために大型となるだけでなく、この
償いシールド板を固定し、支えるための構造物のスペー
スも含む)の問題などが生じる。
クライオスタット全体を磁気シールド板8で囲めばよい
が、このような手段に用いるシールド板は一般に5〜1
0m厚の鉄板であり、製作の手数や大型化のためのスペ
ース(シールド板のために大型となるだけでなく、この
償いシールド板を固定し、支えるための構造物のスペー
スも含む)の問題などが生じる。
上記の問題点を解決するために、この発明は超電導マグ
ネットを収納するクライオスタットの真空槽を構成する
壁体の少なくとも一部を磁性体とし、他の部分は非磁性
体として周囲への磁気シールドを行なう如くにしたもの
である。
ネットを収納するクライオスタットの真空槽を構成する
壁体の少なくとも一部を磁性体とし、他の部分は非磁性
体として周囲への磁気シールドを行なう如くにしたもの
である。
第1図はこの発明のクライオスタットの一部の拡大縦断
面図を示すもので、中心線CLを中心とする環状であり
、11はリング状の超電導マグネット12を収納した中
空環状の液体ヘリウム槽であり、その外側を第1熱シー
ルド板13.第2熱シールド板14で囲み、更に真空槽
15で囲んでその内側を真空断熱層16としている。
面図を示すもので、中心線CLを中心とする環状であり
、11はリング状の超電導マグネット12を収納した中
空環状の液体ヘリウム槽であり、その外側を第1熱シー
ルド板13.第2熱シールド板14で囲み、更に真空槽
15で囲んでその内側を真空断熱層16としている。
この実施例の場合、上記真空槽15の外周の壁体18と
上下の壁体19 、20とを鉄板などの磁性体で、かつ
磁気シールドに必要な厚みのもので作り、内周壁体21
をステンレススチールあるいはF、RPのような非磁性
材料にて作り、クライオスタットの中心部に常温の磁場
空間17を設ける。
上下の壁体19 、20とを鉄板などの磁性体で、かつ
磁気シールドに必要な厚みのもので作り、内周壁体21
をステンレススチールあるいはF、RPのような非磁性
材料にて作り、クライオスタットの中心部に常温の磁場
空間17を設ける。
上記のような構成にすると、磁性体からなる外周壁体1
8と上下壁体19,20と超電導マグネット12の間に
は吸引力が働くが、マグネット12から見た場合、磁性
体からなる各壁体1B、19゜20とマグネット12の
距離は非対称であるため。
8と上下壁体19,20と超電導マグネット12の間に
は吸引力が働くが、マグネット12から見た場合、磁性
体からなる各壁体1B、19゜20とマグネット12の
距離は非対称であるため。
マグネット12の位置が吸引力により移動する可能性が
大きい。
大きい。
これを防止するために、壁体18,19.20とマグネ
ット12の間にサポート材22.23を介在させる。こ
のサポート材22.23は吸引力に耐え得る強度を存し
、常温部から液体ヘリウム槽11への熱侵入を防ぐため
に、FRPまたはステンレススチールのような熱1云導
性の低いものを用いる。
ット12の間にサポート材22.23を介在させる。こ
のサポート材22.23は吸引力に耐え得る強度を存し
、常温部から液体ヘリウム槽11への熱侵入を防ぐため
に、FRPまたはステンレススチールのような熱1云導
性の低いものを用いる。
第2図は真空槽15の具体的構造を示す断面図である。
磁場シールドを行なう必要のある外周壁体18、上下壁
体19,20は鉄などの磁性材料を用いて横断面コ字形
の環状とし、磁場印加側となる内周壁体21はステンレ
ススチールあるいはFRPなどの非磁性材料からなる筒
状とする。
体19,20は鉄などの磁性材料を用いて横断面コ字形
の環状とし、磁場印加側となる内周壁体21はステンレ
ススチールあるいはFRPなどの非磁性材料からなる筒
状とする。
上下の壁体19,20と内周壁体21は異種材質である
ため溶接不能である。このため、内周壁体21の上下外
周【こ7ランジ25を設け、ボルト26により結合する
が、その際、上下の壁体19.20の周溝にはめた環状
のシール材27により気密処理を行なう。
ため溶接不能である。このため、内周壁体21の上下外
周【こ7ランジ25を設け、ボルト26により結合する
が、その際、上下の壁体19.20の周溝にはめた環状
のシール材27により気密処理を行なう。
このシール材27は液体ヘリウムの蒸発ガスにより冷却
され、また、組立時の溶接作業などの温度上昇もあり、
かつ、長期の安定性を考えて、アルミニウム、インジュ
ウム、銅などのメタルOリング(ガスケット)や低温や
高温番こ強い合成ゴムなどのOIJソング用いるとよい
。
され、また、組立時の溶接作業などの温度上昇もあり、
かつ、長期の安定性を考えて、アルミニウム、インジュ
ウム、銅などのメタルOリング(ガスケット)や低温や
高温番こ強い合成ゴムなどのOIJソング用いるとよい
。
また、上部壁体19を非磁性体とする必要のある場合は
第2図の7ランジ25を外方へ拡大して壁体19の替り
とし、外周壁18の上部にフランジを設けてボルト締め
番こするとよい。
第2図の7ランジ25を外方へ拡大して壁体19の替り
とし、外周壁18の上部にフランジを設けてボルト締め
番こするとよい。
第3図ないし第8図は真空槽の製造方法の一例を示す断
面図である。
面図である。
最初に真空槽の内部の部品を全て組立てたのち。
第3図からの工程に入るものである。
まず、第3図のように上下の壁体19 、201こ前も
ってシール用の周溝や複数のネジ孔を加工しておく。つ
いで、第4図のよう(こあらかじめ円筒状に加工しであ
る外周壁体18の上下に壁体19.20の外周を溶接す
る。
ってシール用の周溝や複数のネジ孔を加工しておく。つ
いで、第4図のよう(こあらかじめ円筒状に加工しであ
る外周壁体18の上下に壁体19.20の外周を溶接す
る。
内周壁体21も第5図のようにあらかじめ円筒伏に形成
し、その下端にフランジ25を溶接などの手段で設け、
複数のボルト挿通孔を設けておき。
し、その下端にフランジ25を溶接などの手段で設け、
複数のボルト挿通孔を設けておき。
この内周壁体21を第6図のように上下の壁体19.2
0の内周に下方から挿入して下端のフランジ25をボル
ト26により下部の壁体20に固定するが、その際壁体
20の下面周溝にシール材27をはめ込んでおく。
0の内周に下方から挿入して下端のフランジ25をボル
ト26により下部の壁体20に固定するが、その際壁体
20の下面周溝にシール材27をはめ込んでおく。
上記のように、内周壁体21をはめたとき、第6図のよ
うに内周壁体21の上端が上部の壁体19の上面から7
ランジ25の厚みだけ突出させておく。
うに内周壁体21の上端が上部の壁体19の上面から7
ランジ25の厚みだけ突出させておく。
また、上部のフランジ25も第6図のようにあらかじめ
環状に製作し、複数のボルト挿通孔もあけておき、この
フランジ25を第7図のように上部壁体19から突出し
ている内周壁体21の上端外周にはめて溶接するが、そ
の前に壁体19の上面の周溝にシール材27を充填して
おく。
環状に製作し、複数のボルト挿通孔もあけておき、この
フランジ25を第7図のように上部壁体19から突出し
ている内周壁体21の上端外周にはめて溶接するが、そ
の前に壁体19の上面の周溝にシール材27を充填して
おく。
そののち、上部のフランジ25の挿通孔基こボルト26
を挿通して壁体19のネジ孔にねじ込むことにより第2
図のように完成される。
を挿通して壁体19のネジ孔にねじ込むことにより第2
図のように完成される。
第8図は中心に常温の磁場印加空間を有しないパケット
型のクライオスタットの例を示す。
型のクライオスタットの例を示す。
この実施例では外側の真空槽30を鉄などの磁性材料番
こより形成し、超電導マグネット38を収納した液体ヘ
リウム槽31をステンレススチールなどにより形成する
。
こより形成し、超電導マグネット38を収納した液体ヘ
リウム槽31をステンレススチールなどにより形成する
。
また、各種30.31は有底で上部が開放され。
上端外周にフランジ32.33を有している。
また、真空槽30の上端面には周溝があり、この周溝に
低温≦こ耐えるシール材34をはめ込み、フランジ32
.33に設けた複数の挿通孔に挿通したボルト35とナ
ツトによりフランジ32.33を締め付けて一体に結合
し、槽30.31間に真空断熱層36を設ける。
低温≦こ耐えるシール材34をはめ込み、フランジ32
.33に設けた複数の挿通孔に挿通したボルト35とナ
ツトによりフランジ32.33を締め付けて一体に結合
し、槽30.31間に真空断熱層36を設ける。
なお、上記各実施例に用いる非磁性体部分はステンレス
スチールと鉄、銅と鉄のよう番こ磁性体を含む複合体に
してもよい。
スチールと鉄、銅と鉄のよう番こ磁性体を含む複合体に
してもよい。
この発明は前記のようにクライオスタットの真空槽にお
いて、磁場印加面を除(他の部分を構成する壁体を磁性
体により構成したもので・従来のようなりライオスタッ
トの全体を囲む大きな磁気シールドが不要になる。従っ
て、従来のクライオスタットに比較して専有面積が小さ
くなる。
いて、磁場印加面を除(他の部分を構成する壁体を磁性
体により構成したもので・従来のようなりライオスタッ
トの全体を囲む大きな磁気シールドが不要になる。従っ
て、従来のクライオスタットに比較して専有面積が小さ
くなる。
なお、真空槽の磁性体部の厚みは概ね5〜10mm 哩
度になるが、従来の全ステンレス製のものでも厚みは3
〜5flあるので費用的番こはステンレス製;こ比べて
大差はない。
度になるが、従来の全ステンレス製のものでも厚みは3
〜5flあるので費用的番こはステンレス製;こ比べて
大差はない。
第1図はこの発明のクライオスタットの第1の実施例を
示す一部縦断正面図、第2図は向上の真空槽の結合構造
を示す一部縦断正面図、第3図ないし第7図は同上の製
作工程を示す一部縦断正面図、第8図は他の実施例を示
す縦断正面図、第9図は従来のクライオスタットの一例
を示す縦断正面図である。 11.31・・・液体ヘリウム噌、12.38・・・超
電導マグネット、15.30・・・真空槽、16 、3
6・・・真空断熱層、17・・・磁場空間、18・・・
外周壁体。 19・・・上部壁体、20・・・下部壁体、21・・・
内周壁体。
示す一部縦断正面図、第2図は向上の真空槽の結合構造
を示す一部縦断正面図、第3図ないし第7図は同上の製
作工程を示す一部縦断正面図、第8図は他の実施例を示
す縦断正面図、第9図は従来のクライオスタットの一例
を示す縦断正面図である。 11.31・・・液体ヘリウム噌、12.38・・・超
電導マグネット、15.30・・・真空槽、16 、3
6・・・真空断熱層、17・・・磁場空間、18・・・
外周壁体。 19・・・上部壁体、20・・・下部壁体、21・・・
内周壁体。
Claims (3)
- (1)超電導マグネットを収納するクライオスタットに
おいて、その真空槽を構成する壁体の少なくとも一部を
磁性体とし、他の部分は非磁性体として周囲への磁気シ
ールドを行なう如くにしたことを特徴とするクライオス
タット。 - (2)前記真空槽の磁場印加を必要とする部分に面する
部分のみを非磁性体とし、他の部分は磁性体としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載のクライオスタ
ット。 - (3)前記真空槽の非磁性体部分と磁性体部分とをフラ
ンジを用いた結合手段で一体化したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のクライオスタット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037307A JPS63204603A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | クライオスタツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62037307A JPS63204603A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | クライオスタツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63204603A true JPS63204603A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12494039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62037307A Pending JPS63204603A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | クライオスタツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63204603A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6060971A (en) * | 1998-02-17 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Superconducting magnet device for crystal pulling device |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP62037307A patent/JPS63204603A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6060971A (en) * | 1998-02-17 | 2000-05-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Superconducting magnet device for crystal pulling device |
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