TW201904916A - 氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件 - Google Patents

氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件

Info

Publication number
TW201904916A
TW201904916A TW107115483A TW107115483A TW201904916A TW 201904916 A TW201904916 A TW 201904916A TW 107115483 A TW107115483 A TW 107115483A TW 107115483 A TW107115483 A TW 107115483A TW 201904916 A TW201904916 A TW 201904916A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aluminum nitride
sintered body
nitride sintered
titanium
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
TW107115483A
Other languages
English (en)
Inventor
蔡濟浩
朴孝成
安德源
姜泰熙
Original Assignee
南韓商美科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商美科股份有限公司 filed Critical 南韓商美科股份有限公司
Publication of TW201904916A publication Critical patent/TW201904916A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
    • C04B35/581—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3852—Nitrides, e.g. oxynitrides, carbonitrides, oxycarbonitrides, lithium nitride, magnesium nitride
    • C04B2235/3865—Aluminium nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9607—Thermal properties, e.g. thermal expansion coefficient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

氮化鋁燒結體包含1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）、10~100ppm的鈦（Ti）及餘份的氮化鋁（AlN）。由此，可以改善高溫下的體積電阻值及導熱率，抑制半導體製造步驟中雜質的發生。

Description

氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件
本發明涉及氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件。
在半導體製造裝置用構件中，在半導體製造步驟中使晶片固定的靜電吸盤和在化學氣相沉積（CVD）步驟等，使晶片固定的同時進行加熱的半導體製造用加熱器等中，正在利用陶瓷物質。
特別是包含氮化鋁的陶瓷物質具有高導熱係數，因而可以應用於對基板加熱的陶瓷加熱器。該陶瓷加熱器具備陶瓷主體、用於在該主體內部生成電漿的基準電位層和用於發生熱的發熱體。因此，包含氮化鋁的陶瓷物質要求優秀的電氣絕緣性及導熱率。
進而，在該陶瓷加熱器中，要求作為利用靜電力的靜電吸盤的功能，因而要求在高溫下的高體積電阻值。例如，構成該陶瓷加熱器的陶瓷物質在500˚C溫度下，需要具有1.0×107Ω·cm以上的體積電阻。
但是，諸如氮化鋁的陶瓷物質具有隨著溫度增加而減小的體積電阻。因此，就利用諸如氮化鋁的陶瓷物質的陶瓷加熱器而言，其溫度越增加，該陶瓷主體的體積電阻值越減小，從而在該基準電位層及發熱層之間會發生洩漏電流。進而，該陶瓷加熱器作為靜電吸盤的功能會惡化。
因此，為了在高溫下保持該陶瓷物質的體積電阻值，在構成該陶瓷主體的氮化鋁中添加諸如鈦、鎂或硅的金屬系列的添加劑。但是，該添加劑使陶瓷加熱器的導熱係數低下，使該陶瓷加熱器的溫度均一度惡化。進而，當由包含該添加劑的氮化鋁構成的陶瓷加熱器應用於半導體製造裝置時，在該半導體製造裝置的運轉期間，存在該添加劑起到污染源作用的問題。
解決的技術問題
因此，本發明目的是提供一種能夠在高溫下保持體積電阻值的同時具有優秀的導熱率，並能夠抑制雜質的發生的氮化鋁燒結體。
本發明另一目的是提供一種包括該氮化鋁燒結體的半導體製造裝置用構件。
技術方案
為了達成本發明目的，本發明一個實施例的氮化鋁燒結體包含1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）；10~100 ppm的鈦（Ti）；及餘份的氮化鋁（AlN）。
在本發明一個實施例中，該鈦相對於該氧化釔的重量比可以為0.0002~0.0031。
本發明一個實施例的氮化鋁燒結體可以在500°C的溫度及500 V/mm電場條件下，具有3.0×108 ~5.0×109 Ω•cm範圍的體積電阻值。
本發明一個實施例的氮化鋁燒結體可以具有100 W/mK以上的導熱率。
本發明一個實施例的氮化鋁燒結體在雜質檢查中雜質含量可以為30ppb以下。
本發明一個實施例的半導體製造裝置用構件包括：加熱板（heating plate），其由包含1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）、10~100 ppm的鈦（Ti）及餘份的氮化鋁（AlN）的氮化鋁燒結體構成；導電性元件，其埋設於該加熱板；及電力供應部，其連接於該導電性元件。
在本發明一個實施例中，該鈦相對於該氧化釔的重量比可以為0.0002~0.0031。
在本發明一個實施例中，該氮化鋁燒結體可以在500˚C的溫度及500 V/mm電場條件下具有3.0×108~5.0×109Ω·cm範圍的體積電阻值。
在本發明一個實施例中，該氮化鋁燒結體可以具有100 W/mK以上的導熱率。
在本發明一個實施例中，該氮化鋁燒結體在雜質檢查中雜質含量可以為30 ppb以下。
發明效果
本發明的氮化鋁燒結體包含1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）、10~100 ppm的鈦（Ti）及餘份的氮化鋁（AlN）。因此，含有少量鈦元素及優化的氧化釔的氮化鋁燒結體，不僅可以保持高溫下的體積電阻值，而且可以同時確保優秀的導熱率。
進而，當利用該氮化鋁燒結體的半導體製造構件在半導體製造步驟中使用時，起到污染源作用的鈦的含量被限制，從而可以減少該製造步驟不良的發生。
下面參照圖式，對本發明實施例的氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件進行詳細說明。本發明可以施加多樣的變更，可以具有多種形態，將在圖式中例示性列舉特定實施例並在正文中詳細說明。但是，這並非要將本發明限定於特定的揭露形態，應理解為包括本發明的思想及技術範圍內包含的所有變更、均等物以及替代物。在說明各圖的同時，針對類似的構成要素使用了類似的元件符號。在圖式中，為了有助於本發明的明確性，結構物的尺寸比實際放大而進行圖示。
第一、第二等術語可以用於說明多樣構成要素，但該構成要素不得由該術語所限定。該術語只用於將一個構成要素區別於其他構成要素的目的。例如，在不超出本發明的申請專利範圍的同時，第一構成要素可以命名為第二構成要素，類似地，第二構成要素也可以命名為第一構成要素。
本申請中使用的術語只用於說明特定的實施例，並非要限定本發明之意。只要在文理上未明確表示不同，單數的表現包括複數的表現。在本申請中，「包括」或「具有」等術語，應理解為只是要指定說明書上記載的特徵、數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合的存在，不預先排除一個或其上的其他特徵或數字、步驟、動作、構成要素、部件或他們的組合的存在或附加可能性。
只要未不同地定義，包含技術性或科學性術語在內，在此使用的所有術語具有與本發明所屬技術領域具有通常知識者一般理解的內容相同的意義。與一般使用的詞典定義的內容相同的術語，應解釋為具有與相關技術的文理上所具有的意義一致的意義。只要在本申請中未明確定義，不得解釋為理想性地，或過度形式上的意義。
氮化鋁燒結體
本發明的氮化鋁燒結體包含氧化釔、鈦及氮化鋁。
本發明的燒結體中包含的氮化鋁（AlN）具有高導熱性及高電氣絕緣性。因此，該氮化鋁（AlN）起到使該氮化鋁燒結體具有高導熱性及高絕緣性特性的作用。
因此，包含該氮化鋁的氮化鋁燒結體可以應用於在使晶片固定的同時進行加熱的靜電吸盤型加熱板。
根據本發明的一個實施例，作為該氮化鋁的原料粉末，可以使用高純度（99%以上）還原氮化鋁粉末。
本發明的氮化鋁燒結體包含氧化釔（Y2 O3 ）。氧化釔重量%是確認利用掃描電子顯微鏡或透射電子顯微鏡中加裝的能量色散X射線分光鏡（Energy Dispersive X-ray Spectroscope）測量氮化鋁燒結體時檢測的元素量的方法。氧化釔重量%可以將檢測的釔含量換算成氧化物進行計算。
該氧化釔使得該氮化鋁燒結體具有既定值以上的導熱率。即，氧化釔執行可以彌補添加鈦導致的導熱率減小的功能。
另一方面，該氧化釔起到在氮化鋁燒結體的製造過程中幫助各成分之間的燒結的作用。例如，當釔以氧化物的形態添加時，可以與氮化鋁燒結體粉末中包含的氧及鋁進行反應，以鋁酸鹽化合物存在。該鋁酸鹽化合物具有相對較低的燒成溫度。結果，該氧化釔利用與燒結體製造所需的其他元素的反應，使燒結更容易，起到降低燒成過程時的燒成溫度的作用。因此，本發明的氮化鋁燒結體藉由包含該氧化釔，可以容易地進行燒結步驟，提高燒結體的緻密性。
該氧化釔相對於全體氮化鋁燒結體重量，可以具有1~5重量%範圍的組成比。
當該氧化釔添加不足適量時，氮化鋁燒結體的導熱率惡化。因此，該氮化鋁燒結體在用作加熱器方面有困難。
另一方面，當該氧化釔添加超過適量時，氮化鋁燒結體的機械強度會低下。即使該氧化釔超過適量，對該氮化鋁燒結體的體積電阻也沒有特別的益處。進而，會發生使該氮化鋁燒結體的諸如明度及彩度的外觀惡化的問題。
本發明的氮化鋁燒結體包含鈦（Ti）。該鈦（Ti）相對於全體氮化鋁燒結體重量，可以具有10~100 ppm範圍的組成比。
該鈦起到使該氮化鋁燒結體的體積電阻值增加的作用。即，當在該氮化鋁中一同添加氧化釔和鈦而製造燒結體時，燒結體的體積電阻值在500˚C的溫度及500 V/mm電場條件下，可以具有3.0×108 ~5.0×109 Ω·cm範圍。因此，當氮化鋁燒結體應用於陶瓷加熱器，該陶瓷加熱器的溫度增加時，該陶瓷加熱器保持既定範圍的體積電阻值，從而可以抑制該陶瓷加熱器可能發生的洩漏電流。
當該燒結體中添加的鈦的含量超過100 ppm（0.01重量%）時，會導致氮化鋁的顏色變化，諸如硬度及導熱率等的氮化鋁燒結體的物性惡化。特別是鈦引起的氮化鋁燒結體的體積電阻增加效果不完善，使得氮化鋁燒結體的體積電阻不再增加，只是保持3×109 Ω·cm~4.0×109 Ω·cm範圍的體積電阻。
進一步地，由於鈦的過量添加，氮化鋁燒結體在高溫狀態不以氮化鈦（TiN）相獨立地存在，而是相互連接，體積電阻值還會急劇減小。
另一方面，對雜質測量方法進行說明。根據該雜質測量方法，將製品浸於諸如異丙醇（IPA）等的液體，摩擦該製品表面既定時間。然後，對該液體中存在的雜質個數進行計數。特別是在半導體步驟中，鈦（Ti）元素與雜質相應，在半導體步驟時，可以起到步驟污染源的作用。
此時，當根據雜質測量方法而實施雜質檢查時，該雜質的個數超過50 ppb，當包含該燒結體的單元應用於半導體製造裝置時，半導體製造裝置在執行步驟時，因雜質導致的污染問題會很嚴重。
另外，當鈦的含量不足10 ppm（0.001重量）時，由於氧化鈦添加過少的極少量，存在氮化鋁燒結體在高溫測量條件下低到難以測量體積電阻值的程度的問題。
因此，該鈦（Ti）相對於全體氮化鋁燒結體重量，可以具有10~100 ppm範圍的組成比。
氮化鋁燒結體的製造方法
以氮化鋁燒結體的總重量為基準，準備混合了氧化釔（Y2 O3 ）粉末、氧化鈦（TiO2 ）粉末及餘份的氮化鋁（AlN）粉末的氮化鋁燒結體粉末。此時，作為該氮化鋁粉末，可以準備高純度還原氮化鋁粉末。此時，氧化釔（Y2 O3 ）粉末、氧化鈦（TiO2 ）粉末及餘份的氮化鋁（AlN）的組成比可以調節。
然後，以乾式或濕式混合該氮化鋁燒結體粉末。
根據本發明的一個實施例，該混合可以利用濕式混合方法執行。此時，作為溶劑，例如可以使用無水乙醇、異丙醇等。混合該氮化鋁燒結體粉末後，萃取漿料，利用噴霧乾燥法等進行乾燥，從而收得混合粉末。例如，該混合物在乾燥機中以約60~100℃進行乾燥。
利用篩子，對該氮化鋁燒結體粉末實施篩分後，將該氮化鋁燒結體粉末燒成為適宜形狀的成型體。燒成後，燒結該氮化鋁燒結體粉末。根據本發明的一個實施例，燒結在約1,700~2,000℃溫度下燈燒成約30分鐘以上而實現。例如，將該氮化鋁燒結體粉末裝入石墨模具，將其在高溫加壓燒結爐中，在氮氣氣氛下的約1,850℃燒結溫度下，燒成約3小時時間後冷卻，形成氮化鋁燒結體。
下面藉由多樣實施例及比較例，更詳細說明本發明的氮化鋁燒結體。
實施例1
以氮化鋁燒結體粉末的總重量為基準，準備氮化鋁粉末95%、氧化釔粉末1%及氧化鈦粉末。此時，氧化釔的重量%意指在將含釔的氫化物、氯化物及其他形態的前體重量換算為氧化釔重量的值中再加上添加的氧化釔粉末重量後計算的值。
作為該氮化鋁粉末，準備了高純度還原氮化鋁粉末。在該還原氮化鋁粉末中，除氮之外的純度為99.9%以上，平均粒徑約1.3㎛左右。
作為該氧化釔粉末，使用純度99.9%以上、平均粒徑約0.8㎛者，作為該氧化鈦粉末，使用純度99.9%以上、平均粒徑約1.0㎛者。
混合這些粉末，以無水乙醇為溶劑，利用以尼龍製造的盆及氧化鋁球，進行20小時時間的濕式混合。混合後，萃取漿料，在乾燥機中以80℃進行乾燥。針對完成乾燥的粉末，利用80目篩子實施過篩。將結束篩分的粉末裝入直徑Φ210mm的石墨模具，將其在高溫加壓燒結爐中，在加壓機壓力15 Mpa、氮氣氣氛壓力0.1 Mpa下，在1,850℃的燒結溫度下燒成3小時後冷卻。
該氧化釔重量%及鈦的重量（ppm）按下面方法測量。該方法是對利用掃描電子顯微鏡或透射電子顯微鏡中加裝的能量色散X射線分光鏡（Energy Dispersive X-ray Spectroscope）測量燒結完成的氮化鋁燒結體時檢測的元素量進行確認的方法。氧化釔重量%是將檢測的釔的含量換算為氧化物進行計算。另外，鈦的元素量藉由ICP MS分析進行測量。
實施例2~7及比較例1~9
在實施例2~7及比較例1~9中，利用與實施例1相同的方法，製造氮化鋁燒結體，且氮化鋁、氧化釔及鈦的組成比如下表所示調節。
表1
氮化鋁燒結體的特性評估
評估根據該實施例1~7及比較例1~9製造的氮化鋁燒結體的特性，將其結果顯示於下表2中。
表2 ×:意指不可測量
特性分析方法
體積電阻：將根據實施例1~7及比較例1~9製造的氮化鋁燒結體製作成長50mm×寬50mm×厚度1mm的試片，使電極形狀為主電極直徑26mm、保護電極直徑38mm，以施加電場為基準，設置達到500V/mm的施加電壓，記錄將電壓施加時間保持60秒後獲得的體積電阻值。
雜質檢查方法：將燒結體試片浸於諸如IPA等的液體，摩擦該試片表面10分鐘時間。然後，計數該液體中存在的雜質個數。
導熱率測量方法：對氮化鋁燒結體試片的表面進行黑化處理後，利用激光閃光法算出擴散係數。利用該擴散係數，根據式（1）導出導熱率。
（式1）密度×比熱×擴散係數=導熱率（W/mK）
如以上所作的說明，確認了本發明實施例1~7的氮化鋁燒結體在高溫（500°C）下的體積電阻值為3.0×108 ~5.0×109 Ω•cm，雜質檢查時不足50 ppb，導熱率125 W/mK以上，適合於加熱器構件。
另一方面，不添加氧化釔時（比較例4~7），導熱率過低，不足100 W/mK，該氮化鋁燒結體不適合用作加熱器構件。
另一方面，就不包含鈦的比較例3及4而言，當高溫（500°C）下的體積電阻值減小為無法測量的程度，而鈦過多地過量添加時（比較例1），與實施例7相比，鈦對體積電阻增加的益處非常小，相反，反而發生雜質急劇增加的問題。
半導體製造裝置用構件
如果參照第1圖，本發明一個實施例的半導體製造裝置用構件包括加熱板110、導電性元件120及電力供應部140。
該加熱板110利用靜電力來支撐基板10。該加熱板110配備得可以加熱該基板。該加熱板110具有盤形狀。
支撐元件（圖式上未示出）起到使加熱板110不傾斜地支撐的作用。該支持構件也可以由不鏽鋼合金、鋁合金或銅合金構成。
該加熱板110由氮化鋁燒結體構成。該氮化鋁燒結體包含氧化釔、鈦及氮化鋁。
該包含氮化鋁的本發明的氮化鋁燒結體可以用作在半導體製造步驟中使晶片固定的同時進行加熱的加熱器等的加熱板110的用途。
該鈦起到使該氮化鋁燒結體的體積電阻值增加的作用。
根據本發明另一實施例，在加熱板110的上面還可以形成有介電層（圖上未示出）。
導電性元件120埋設於加熱板110內。導電性元件120執行靜電場生成電極、高頻生成電極、發熱體等的作用。
導電性元件120由金屬構成。例如，導電性元件120可以由包括鎢（W）、鈦（Ti）、銠（Rh）、鈮（Nb）、銥（Ir）、錸（Re）、鉭（Ta）、鉬（Mo）或他們的組合的金屬構成。
在導電性元件120的下部，具備與導電性元件120電性連接的連接電纜125。連接電纜125由與導電性元件120的接觸電阻小、導電性優秀的金屬構成。
連接電纜125連接於用於向導電性元件120供應電源的電力供應部140 。從電力供應部140向導電性元件120供應的電力可以多樣地選擇。例如，為了在板110上部生成靜電場，可以從電力供應部140向導電性元件120供應直流夾定電壓，為了生成電漿（plasma），可能供應高頻偏置電力，為了從導電性元件120生成熱，也可以供應普通的交流電壓。
如上述，參照本發明較佳實施例進行了說明，但只要是所屬技術領域具有通常知識者便會理解，在不超出下述申請專利範圍中記載的本發明的思想及領域的範圍內，可以多樣地修改及變更本發明。
10‧‧‧基板
110‧‧‧加熱板
120‧‧‧導電性元件
125‧‧‧連接電纜
140‧‧‧電力供應部
第1圖是用於說明本發明一個實施例的半導體製造裝置用構件的剖面圖。

Claims (9)

  1. 一種氮化鋁燒結體，其包含： 1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）； 10~100 ppm的鈦（Ti）；以及 餘份的氮化鋁（AlN）。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的氮化鋁燒結體，其中，該鈦相對於該氧化釔的重量比為0.0002~0.0031。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的氮化鋁燒結體，其中， 在500°C的溫度及500 V/mm電場條件下，具有3.0×108 ~5.0×109 Ω·cm範圍的體積電阻值。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的氮化鋁燒結體，其中， 具有100 W/mK以上的導熱率。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的氮化鋁燒結體，其中， 在雜質檢查中，雜質含量為30 ppb以下。
  6. 一種半導體製造裝置用構件，其包括： 一板（plate），其由包含1~5重量%的氧化釔（Y2 O3 ）、10~100 ppm的鈦（Ti）及餘份的氮化鋁（AlN）的氮化鋁燒結體構成； 一導電性元件，其埋設於該板；以及 一電力供應部，其連接於該導電性元件。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造裝置用構件，其中，在該氮化鋁燒結體中，該鈦相對於該氧化釔的重量比為0.0002~0.0031。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造裝置用構件，其中，該氮化鋁燒結體在500°C的溫度及500 V/mm電場條件下具有3.0×108 ~5.0×109 Ω·cm範圍的體積電阻值。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的半導體製造裝置用構件，其中，該氮化鋁燒結體具有100 W/mK以上的導熱率。
TW107115483A 2017-06-30 2018-05-07 氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件 TW201904916A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170083064A KR102339550B1 (ko) 2017-06-30 2017-06-30 질화 알루미늄 소결체 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치용 부재
??10-2017-0083064 2017-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201904916A true TW201904916A (zh) 2019-02-01

Family

ID=64742310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107115483A TW201904916A (zh) 2017-06-30 2018-05-07 氮化鋁燒結體及包括其的半導體製造裝置用構件

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11508586B2 (zh)
JP (1) JP7181898B2 (zh)
KR (1) KR102339550B1 (zh)
CN (2) CN110770193A (zh)
TW (1) TW201904916A (zh)
WO (1) WO2019004589A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765518B (zh) * 2021-01-07 2022-05-21 財團法人工業技術研究院 靜電吸盤及其製備方法
TWI798917B (zh) * 2021-03-18 2023-04-11 日商日本碍子股份有限公司 半導體製造裝置用加熱器
TWI812459B (zh) * 2021-09-17 2023-08-11 南韓商美科陶瓷科技有限公司 具有低熱導率的軸的高溫用基座及其方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110709983B (zh) * 2018-03-26 2023-07-21 日本碍子株式会社 晶片支撑台
KR20210125539A (ko) * 2019-03-18 2021-10-18 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹 히터
IL267345A (en) 2019-06-13 2019-11-28 MALIACH Gal Device for simulating gait
JP7312712B2 (ja) * 2020-02-07 2023-07-21 新光電気工業株式会社 セラミックス基板、静電チャック、静電チャックの製造方法
JP7412242B2 (ja) * 2020-03-27 2024-01-12 日本碍子株式会社 積層構造体および半導体製造装置部材

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5548345A (en) * 1978-10-05 1980-04-07 Asahi Kikai Kk Fish meat slicing apparatus
DE3627317A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-19 Tokuyama Soda Kk Sinterbare aluminiumnitridzusammensetzung, sinterkoerper aus dieser zusammensetzung und verfahren zu seiner herstellung
DE3734601A1 (de) * 1987-10-13 1989-04-27 Bosch Gmbh Robert Bremsanlage
KR920003226B1 (ko) * 1988-05-16 1992-04-24 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 질화알루미늄소결체와 그것을 사용한 회로기판 및 반도체패키지
JPH02124772A (ja) * 1988-05-16 1990-05-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化アルミニウム焼結体および製造法
JP3272791B2 (ja) * 1992-11-12 2002-04-08 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH07187788A (ja) * 1993-12-27 1995-07-25 Ngk Spark Plug Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JP3160229B2 (ja) 1997-06-06 2001-04-25 日本エー・エス・エム株式会社 プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法
WO2001013423A1 (fr) * 1999-08-10 2001-02-22 Ibiden Co., Ltd. Plaque ceramique pour dispositif de production de semi-conducteurs
JP2002145670A (ja) 1999-09-06 2002-05-22 Ibiden Co Ltd 半導体製造・検査装置用セラミック基板
JP4447750B2 (ja) 1999-09-30 2010-04-07 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
JP2001114563A (ja) * 1999-10-14 2001-04-24 Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd セラミック抵抗体及びその製造方法
US6723274B1 (en) * 1999-12-09 2004-04-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High-purity low-resistivity electrostatic chucks
KR20020092929A (ko) 1999-12-28 2002-12-12 이비덴 가부시키가이샤 카본함유 질화알루미늄 소결체, 및 반도체제조ㆍ검사장치용 세라믹기판
CN1414929A (zh) * 1999-12-28 2003-04-30 Ibiden股份有限公司 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造/检测设备的陶瓷基材
JP3565496B2 (ja) * 2000-04-13 2004-09-15 イビデン株式会社 セラミックヒータ、静電チャックおよびウエハプローバ
EP1296360A1 (en) * 2000-05-26 2003-03-26 Ibiden Co., Ltd. Semiconductor manufacturing and inspecting device
JP4458722B2 (ja) * 2000-10-23 2010-04-28 日本碍子株式会社 低体積抵抗材料、窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
US6607836B2 (en) * 2000-10-23 2003-08-19 Ngk Insulators, Ltd. Material of low volume resistivity, an aluminum nitride sintered body and a member used for the production of semiconductors
JP4514379B2 (ja) * 2000-12-21 2010-07-28 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP4245125B2 (ja) * 2001-11-26 2009-03-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材、耐蝕性部材および導電性部材
JP2003179043A (ja) 2001-12-13 2003-06-27 Ulvac Japan Ltd プラズマｃｖｄ装置
JP3888531B2 (ja) * 2002-03-27 2007-03-07 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、セラミックヒーターの製造方法、および金属部材の埋設品
JP2003292377A (ja) 2002-03-29 2003-10-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体装置用セラミックス部材
JP4243943B2 (ja) * 2002-04-22 2009-03-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム材料および半導体製造用部材
JP4386695B2 (ja) * 2002-11-14 2009-12-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP4280914B2 (ja) 2002-11-19 2009-06-17 東洋アルミニウム株式会社 高純度窒化アルミニウム粉末及びその製造方法ならびに高純度窒化アルミニウム焼結体
JP4424659B2 (ja) * 2003-02-28 2010-03-03 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム質材料および半導体製造装置用部材
JP4987238B2 (ja) * 2005-03-25 2012-07-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
KR100918190B1 (ko) * 2005-04-22 2009-09-22 주식회사 코미코 치밀질 질화알루미늄 소결체, 그 제조 방법 및 상기소결체를 이용한 반도체 제조용 부재
KR100940019B1 (ko) * 2005-04-22 2010-02-03 주식회사 코미코 치밀질 질화알루미늄 소결체, 그 제조 방법 및 상기소결체를 이용한 반도체 제조용 부재
KR100940456B1 (ko) * 2005-12-30 2010-02-04 주식회사 코미코 질화 알루미늄 소결체 및 이를 포함하는 반도체 제조장치용 부재
JP2007321138A (ja) 2006-06-05 2007-12-13 Kaneka Corp 高熱伝導性熱可塑性樹脂組成物
KR101256878B1 (ko) 2006-11-23 2013-05-02 주식회사 코미코 정전척용 질화 알루미늄 소결체
JP2008044846A (ja) * 2007-10-19 2008-02-28 Taiheiyo Cement Corp 窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャック
CN101333114A (zh) * 2008-07-31 2008-12-31 潮州三环（集团）股份有限公司 一种高导热率氮化铝陶瓷基片的制作方法
JP5942380B2 (ja) 2011-10-20 2016-06-29 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ウエハ保持体
CN103204682B (zh) * 2012-01-16 2015-07-01 佛山市陶瓷研究所有限公司 一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法
CN104725050B (zh) * 2015-04-20 2017-01-18 福建华清电子材料科技有限公司 一种采用自蔓延粉体制备高导热氮化铝陶瓷的方法
JP6697363B2 (ja) 2015-10-30 2020-05-20 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材、その製法及びシャフト付きヒータ
JP6393006B1 (ja) * 2018-02-08 2018-09-19 日本碍子株式会社 半導体製造装置用ヒータ
US10566228B2 (en) * 2018-02-08 2020-02-18 Ngk Insulators, Ltd. Heater for semiconductor manufacturing apparatus

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI765518B (zh) * 2021-01-07 2022-05-21 財團法人工業技術研究院 靜電吸盤及其製備方法
TWI798917B (zh) * 2021-03-18 2023-04-11 日商日本碍子股份有限公司 半導體製造裝置用加熱器
TWI812459B (zh) * 2021-09-17 2023-08-11 南韓商美科陶瓷科技有限公司 具有低熱導率的軸的高溫用基座及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020521706A (ja) 2020-07-27
US11508586B2 (en) 2022-11-22
US20200303205A1 (en) 2020-09-24
CN115321987A (zh) 2022-11-11
WO2019004589A1 (ko) 2019-01-03
KR20190003872A (ko) 2019-01-10
CN110770193A (zh) 2020-02-07
US20230024625A1 (en) 2023-01-26
KR102339550B1 (ko) 2021-12-17
JP7181898B2 (ja) 2022-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7181898B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびこれを含む半導体製造装置用部材
TWI530474B (zh) heating equipment
JP5604888B2 (ja) 静電チャックの製造方法
CN103201235B (zh) 静电卡盘
US7250215B2 (en) Aluminum nitride sintered body containing carbon fibers and method of manufacturing the same
CN105980331A (zh) 电介质材料及静电卡盘装置
US20210305083A1 (en) Stacked structure and semiconductor manufacturing apparatus member
TWI728327B (zh) 複合燒結體、半導體製造裝置構件及複合燒結體之製造方法
JP7213710B2 (ja) 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
TWI783000B (zh) 半導體製造裝置用加熱器
JP4939379B2 (ja) 静電チャック用窒化アルミニウム焼結体
KR20230042679A (ko) 복합 소결체 및 복합 소결체의 제조 방법
KR102552189B1 (ko) 질화 알루미늄 세라믹스 조성물 및 그의 제조방법
JP3152898B2 (ja) 窒化アルミニウム質セラミックヒータ
WO2013114654A1 (ja) 静電チャック部材
JP5345583B2 (ja) 静電チャック
KR100940456B1 (ko) 질화 알루미늄 소결체 및 이를 포함하는 반도체 제조장치용 부재
TWI705156B (zh) 發熱構件
KR20220062698A (ko) 질화 알루미늄 소결체를 포함하는 반도체 제조 장치용 부재
JP2020083744A (ja) 導電性セラミックス
KR101217253B1 (ko) 정전척용 흑색 유전체 소재 및 그 제조방법
JP4651148B2 (ja) 耐プラズマ部材及びプラズマ装置
TW200418123A (en) Wafer holder for semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing device in which it is installed
JP2024089127A (ja) イットリウム酸化物材料及びイットリウム酸化物材料の製造方法
JP2015020937A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法