CN103204682B - 一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260W/(m·K)的陶瓷散热基片。本发明还公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，包括：将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉中进行烧成，得到初成品；将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。采用本发明，所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~260W/(m·K)，而且结构致密，生产效率高、降低烧结难度、产品后续加工简单。
Description
技术领域
本发明涉及氮化铝陶瓷的加工制作技术领域，特别涉及一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法。
背景技术
氮化铝陶瓷具有高的热导率、低的介电常数和介电损耗、可靠的电绝缘性、耐高温、耐腐蚀、无毒、良好的力学性能以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良性能，既可适用于作为功能陶瓷材料，如集成电路的基片和封装材料；又可适用于结构材料，如用于在高温和腐蚀性环境中使用的构件。氮化铝陶瓷已经成为现代新材料领域的研究热点之一，受通讯和电子器件领域的重视。
近年来，国内外对氮化铝的研究已经有较大的进展，开发出高导热率的氮化铝陶瓷基片，其中了解到的Tokuyama , NTK. TOSHIBA等公司已开发出>180 w/m.k氮化铝陶瓷基片，且已投入市场。
目前有一种用流延法制造高热导率集成电路氮化铝陶瓷基片的方法如下：
1)首先在氮化铝粉中按比例加入烧结助剂，搅拌均匀；
2)在粉体中加入增塑剂、悬浮剂、粘合剂和溶剂后，经振磨，制成浆料；
3)将上述浆料通过流延成形机制成陶瓷坯带，然后烘干后成固体坯带，将坯带裁制成坯片;
4)烧结；
5)冷却后即制成氮化铝陶瓷基片。
采用流延法制造高热导率氮化铝陶瓷基片，容易造成氮化铝陶瓷的热导率降低，除了与氮化铝粉体质量有关，还与所用添加剂，烧结技术有很大的影响。其添加较多的烧结添加剂，在较低温度下形成液相，通过液相烧结机制完成氮化铝陶瓷的致密化。但是过多的添加剂，往往会形成包裹氮化铝晶粒的第二相，使得氮化铝陶瓷的性能下降。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法，在控制添加剂的用量下，利用振动热压烧结工艺制备陶瓷散热基片。所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~260 W/(m·K)，而且结构致密，生产效率高、降低烧结难度、产品后续加工简单。
为达到上述技术效果，本发明实施例提供了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260 W/(m·K)的陶瓷散热基片。
作为上述方案的改进，所述振动热压烧结的烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒，振动幅度为0.1~10吨。
作为上述方案的改进，其以质量份计的主要原料配方如下：
氮化铝 90~99.8%
氧化钇 0.1~5%
粘合剂 0.1~5%；
所述氮化铝的平均粒径为0.8~13.0μm；
所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛。
作为上述方案的改进，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.2~3.5 g/cm3。
相应地，本发明实施例提供了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，依次包括以下步骤：
将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；
将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；
将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉，在烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下进行烧成，得到初成品；
将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。
作为上述方案的改进，将经过脱脂的所述坯料通过所述振动热压烧结炉，在流动氮气气氛中进行烧成；
所述氮气的流速为1~8L/min。
作为上述方案的改进，在将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理的步骤之后，将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉的步骤之前，还包括：
将经过脱脂的所述坯料装入石墨模具中；
所述石墨模具设有氮化硼隔离保护层。
作为上述方案的改进，所述压力机的成型压力为10~250MPa；
所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1500℃；
所述经过干压成型的坯料在所述真空脱脂炉中脱脂处理时间为8~30小时。
作为上述方案的改进，在将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型的步骤之前，还包括：
称量制造氮化铝陶瓷散热基片所需的主要原料；
将所述原料添加酒精后进行球磨处理15~30小时；
将经过球磨的所述原料进行干燥处理，并通过30~100目筛进行过筛；
将经过过筛的所述原料与粘合剂混合，进行造粒处理，得到所述坯料。
作为上述方案的改进，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片热导率为200~260 W/(m·K)，致密度为3.2~3.5 g/cm3。
实施本发明具有如下有益效果：
在涉及氮化铝陶瓷的专业技术领域中，与现有技术相比，本发明的技术优点为在控制添加剂的用量下，利用振动热压烧结工艺制备陶瓷散热基片。所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~260 W/(m·K)，而且结构致密，生产效率高、降低烧结难度、产品后续加工简单。
一、通过使用振动热压的烧结方法，本发明只需采用一种烧结助剂氧化钇和一种粘合剂聚乙烯醇缩丁醛，且二者加入分量小，均可低达0.1%，避免了过多使用添加剂，从而形成包裹氮化铝晶粒的第二相，影响产品烧结的致密度和性能，从而降低烧结难度、简化了制备工艺。
二、通过使用振动热压的烧结方法，可制备出相对密度≥99%，致密度为3.2~3.5 g/cm3，热导率达200~260 W/(m·K)的高导热氮化铝陶瓷。振动热压的烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下，振动热压烧结炉通过产生不同频率和振幅的位移和压力振动，使坯料在振动压力的作用下完成烧结，从而提高其反应速度和产品的致密度。同时也提高了陶瓷散热基片的力学性能。
三、通过使用振动热压的烧结方法，产品尺寸精度高、厚度精度准确，组织均匀、性能优越，减少加工量，节约人力资源及能源。
附图说明
图1是本发明一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法的流程图；
图2是本发明一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法的又一流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260 W/(m·K)的陶瓷散热基片。
进一步，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝（简称ALN）粉体和添加剂为主要原料，经干压成型，排胶，振动热压烧结制备而得的热导率为200~260 W/(m·K)的陶瓷散热基片。
所述振动热压烧结的烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动幅度为0.1~10吨，频率为0~4次/秒。
优选地，所述振动热压烧结的烧结温度为 1700~1750℃，压力为10~40T，振动幅度为0.1~5吨，频率为0~2次/秒。
由于硬质合金、陶瓷等粉末冶金材料具有明显不同于金属材料的独特性质:硬度高、化学稳定性好、耐腐蚀、耐磨损等。在制备粉末冶金材料制品中引用热压烧结法是一种非常有效的方法。热压烧结法是指在一定的高温下，对样品施加一定的压力，使坯体粉粒中的质点在受高温作用的同时还受到外加机械力的作用，促进毛坯中不同粉粒间的接触与扩散，使得粉料重排，粒界发生滑移，大的堆积间隙被填充，气孔破排除，从而提高其反应速度和样品的致密度。采用热压烧结法可缩短制品保温时间、降低烧结温度，采取一定的措施还可减少挥发性物质的挥发。通过抽真空或通入不同的保护性气体，还可实现真空烧结或气体保护烧结。
在加压烧结过程中，可控制烧结压力的大小进行变化，实现烧结压力的反复加载和卸载，从而实现可调压振动烧结；烧结物料在振动烧结的情况下可进一步提高烧结密度，实现机械能转化为烧结能。
高导热氮化铝陶瓷散热基片其以质量份计的主要原料配方如下：
氮化铝 90~99.8%
氧化钇 0.1~5%
粘合剂 0.1~5%；
通过使用振动热压的烧结方法，本发明只需采用一种烧结助剂氧化钇和一种粘合剂聚乙烯醇缩丁醛，且二者加入分量小，均可低至0.1%，避免了过多使用添加剂，从而形成包裹氮化铝晶粒的第二相，影响产品烧结的致密度和性能，从而降低烧结难度、简化了制备工艺。
优选地，高导热氮化铝陶瓷散热基片其以质量份计的主要原料配方如下：
氮化铝 95~99.5%
氧化钇 0.1~3%
粘合剂 0.5~2%。
其中，所述氮化铝的平均粒径为0.8~13.0μm。
优选地，氮化铝的平均粒径为2.0~10.0μm。
氮化铝陶瓷具有高的热导率、低的介电常数和介电损耗、可靠的电绝缘性、耐高温、耐腐蚀、无毒、良好的力学性能以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良性能，既可适用于作为功能陶瓷材料，如集成电路的基片和封装材料；又可适用于结构材料，如用于在高温和腐蚀性环境中使用的构件。
所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛。
需要说明的是，生产氮化铝陶瓷须加入粘合剂以满足后续造粒、成型、脱脂、烧结等工艺的需要。粘合剂聚乙烯醇缩丁醛可形成高粘度的胶体溶液，有黏粘、增稠、流动、乳化分散、赋形等特性，具有优良的柔软性和挠曲性。另外，基于优良的湿润性，很好地湿态强度以及在低到300~400℃温度时不形成腐蚀性气体且无残渣分解，尤其适用于陶瓷混合料用粘合剂。
所述高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.2~3.5 g/cm3。
优选地，高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.3~3.5 g/cm3。
具有高致密度的氮化铝陶瓷，其力学性能好、强度高、使用寿命长，而且干燥收缩小、干燥过程不易变形、陶瓷散热基片成品率高。
如图1所示，本发明实施例提供了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，包括：
S101，将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型。
所述压力机的成型压力为10~250MPa。
优选地，压力机的成型压力为100~200MPa。
S102，将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理。
所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1500℃；
所述经过干压成型的坯料在所述真空脱脂炉中脱脂处理时间为8~30小时。
优选地，所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1200℃，脱脂处理时间为12~20小时。
S103，将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉，在烧结温度为1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下进行烧成，得到初成品。
将经过脱脂的所述坯料通过所述振动热压烧结炉，在流动氮气气氛中进行烧成；
所述氮气的流速为1~8L/min。
优选地，振动热压烧结炉中，烧结温度为 1700~1750℃，压力为10~40T，振动幅度为0. 1~5吨，频率为0~2次/秒，氮气的流速为2~5L/min。
使用氮气作为保护性气体，可保证原料在最合适的环境下加工成高导热氮化铝陶瓷散热基片。
在步骤S102之后，步骤S103之前，还包括：
将经过脱脂的所述坯料装入石墨模具中；
所述石墨模具设有氮化硼隔离保护层。
需要说明的是，石墨模具的作用面设有氮化硼隔离保护层。
氮化硼隔离保护层是通过把氮化硼粉溶于酒精，然后涂到石墨模具作用面上。
S104，将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。
氮化铝陶瓷散热基片还可经过简单的外观加工，得到最终产品。
优选地，初成品保温保压为1~5小时。
所述高导热氮化铝陶瓷散热基片热导率为200~260 W/(m·K)，致密度为3.2~3.5 g/cm3。
优选地，高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.3~3.5 g/cm3。
如图2所示，本发明实施例提供了又一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，包括：
S201，称量制造氮化铝陶瓷散热基片所需的主要原料。
步骤S201中所述的原料包括90~99.8%氮化铝以及0.1~5%氧化钇。
S202，将所述原料添加酒精后进行球磨处理15~30小时。
优选地，球磨处理时间为18~25小时。
S203，将经过球磨的所述原料进行干燥处理，并通过30~100目筛进行过筛。
优选地，过筛采用30~40目筛。
S204，将经过过筛的所述原料与粘合剂混合，进行造粒处理，得到所述坯料。
所述粘合剂为0.1~5%聚乙烯醇缩丁醛。
优选地，所述粘合剂为0.5~2%聚乙烯醇缩丁醛。
S205，将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型。
所述压力机的成型压力为10~250MPa；
优选地，压力机的成型压力为100~200MPa。
S206，将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理。
所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1500℃；
所述经过干压成型的坯料在所述真空脱脂炉中脱脂处理时间为8~30小时。
优选地，所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1200℃，脱脂处理时间为12~20小时。
进一步优选地，所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为600~1200℃。
真空脱脂，不仅可以缩短整个脱脂时间，同时减少了变形风险，提高了生产效率和成品率，所生产的产品尺寸精度高，厚度精度准确，性能均匀一致，且可批量生产、成本低。
S207，将经过脱脂的所述坯料装入石墨模具中。
将经过脱脂的所述坯料经过一定程度的冷却后，装入石墨模具中。
所述石墨模具设有氮化硼隔离保护层。
需要说明的是，石墨模具的作用面设有氮化硼隔离保护层。
氮化硼隔离保护层是通过把氮化硼粉溶于酒精，然后涂到石墨模具作用面上。
S208，将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉，在烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下进行烧成，得到初成品。
优选地，振动热压烧结过程中，加压曲线与升温曲线同步。
将经过脱脂的所述坯料通过所述振动热压烧结炉，在流动氮气气氛中进行烧成；
所述氮气的流速为1~8L/min。
优选地，振动热压烧结炉中，烧结温度为 1700~1750℃，压力为10~40T，振动幅度为0. 1~5吨，频率为0~2次/秒，氮气的流速为2~5L/min。
使用氮气作为保护性气体，可保证原料在最合适的环境下加工成高导热氮化铝陶瓷散热基片。
S209，将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。
氮化铝陶瓷散热基片还可经过简单的外观加工，得到最终产品。
优选地，初成品保温保压为1~5小时。
进一步优选地，初成品保温保压为2~3小时。
所述高导热氮化铝陶瓷散热基片热导率为200~260 W/(m·K)，致密度为3.2~3.5 g/cm3。
优选地，高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度为3.3~3.5 g/cm3。
下面将本发明高导热氮化铝陶瓷散热基片与现有技术氮化铝陶瓷散热基片作技术对比，具体如表一所示：
下面具体实施例进一步阐述本发明。
以氧化钇为烧结助剂，聚乙烯醇缩丁醛为粘合剂。
实施例1
取800g粉料为例，氧化钇20g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于振动热压炉中，烧结温度为1700℃，压力为20T，振幅为0.5吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为210W/m.k。其致密度为3.31g/cm3。
实施例2
取800g粉料为例，氧化钇15g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于振动热压炉中，烧结温度为1700℃，压力为20T，振幅为1吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为215W/m.k。其致密度为3.33g/cm3。
实施例3
取800g粉料为例，氧化钇20g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于热压炉中，烧结温度为1750℃，压力为20T，振幅为0.5吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为228W/m.k。其致密度为3.38g/cm3。
实施例4
取800g粉料为例，氧化钇20g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于热压炉中，烧结温度为1800℃，压力为30T，振幅为1.5吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为248W/m.k。其致密度为3.40g/cm3。
实施例5
取800g粉料为例，氧化钇20g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于热压炉中，烧结温度为1850℃，压力为40T，振幅为2吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为252W/m.k。其致密度为3.42g/cm3。
实施例6
取800g粉料为例，氧化钇20g，烧结工艺为：将烧结助剂加入粉末球磨20小时干燥过40目筛，加入10g粘合剂造粒后，干压成形，经真空脱脂炉脱脂，脱脂温度为950℃后冷却，装入石墨模具中，然后将其放于热压炉中，烧结温度为1900℃，压力为50T，振幅为3吨，加压曲线与升温曲线同步，保压保温2小时，然后随炉降温，此过程为氮气气氛烧结。
使用导热系数测量仪测得热导率为258W/m.k。其致密度为3.45g/cm3。
由实施例1至实施例6，检测本发明高导热氮化铝陶瓷散热基片的致密度和热导率，具体如表二所示：
需要说明的是，上述热导率为采用导热系数测量仪检测器检测而得。
由上可知，实施本发明，具有以下有益效果：
在涉及氮化铝陶瓷的专业技术领域中，与现有技术相比，本发明的技术优点为在控制添加剂的用量下，利用振动热压烧结工艺制备陶瓷散热基片。所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~260 W/(m·K)，而且结构致密，生产效率高、降低烧结难度、产品后续加工简单。
一、通过使用振动热压的烧结方法，本发明只需采用一种烧结助剂氧化钇和一种粘合剂聚乙烯醇缩丁醛，且二者加入分量小，均可低至0.1%，避免了过多使用添加剂，从而形成包裹氮化铝晶粒的第二相，影响产品烧结的致密度和性能，从而降低烧结难度、简化了制备工艺。
二、通过使用振动热压的烧结方法，可制备出相对密度≥99%，致密度为3.2~3.5 g/cm3，热导率达200~260 W/(m·K)的高导热氮化铝陶瓷。振动热压的烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动幅度为0.1~10吨、振动频率为0~4次/秒的条件下，振动热压烧结炉通过产生不同频率和振幅的位移和压力振动，使坯料在振动压力的作用下完成烧结，从而提高其反应速度和产品的致密度。同时也提高了陶瓷散热基片的力学性能。
三、通过使用振动热压的烧结方法，产品尺寸精度高、厚度精度准确，组织均匀、性能优越，减少加工量，节约人力资源及能源。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
称量制造氮化铝陶瓷散热基片所需的原料；
将所述原料添加酒精后进行球磨处理15~30小时；
将经过球磨的所述原料进行干燥处理，并通过30~100目筛进行过筛；
将经过过筛的所述原料与粘合剂混合，进行造粒处理，得到所述坯料；
将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；
将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；
将经过脱脂的所述坯料装入石墨模具中，所述石墨模具设有氮化硼隔离保护层；
将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉，在烧结温度为 1600~1900℃，压力为8~50T，振动频率为0~4次/秒、振动幅度为0.1~10吨的条件下进行烧成，得到初成品；
将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片；
其中，所述氮化铝陶瓷散热基片以质量份计的原料配方如下：
氮化铝 90~99.8%
氧化钇 0.1~5%
粘合剂 0.1~5%；
所述粘合剂为聚乙烯醇缩丁醛。
2.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，将经过脱脂的所述坯料通过所述振动热压烧结炉，在流动氮气气氛中进行烧成；
所述氮气的流速为1~8L/min。
3.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述压力机的成型压力为10~250MPa；
所述真空脱脂炉的脱脂处理温度为25~1500℃；
所述经过干压成型的坯料在所述真空脱脂炉中脱脂处理时间为8~30小时。
4.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片热导率为200~260 W/(m·K)，致密度为3.2~3.5 g/cm3。
5.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述振动热压烧结的烧结温度为 1700~1750℃，压力为10~40T，振动幅度为0.1~5吨，频率为0~2次/秒。
6.如权利要求1所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述氮化铝陶瓷散热基片以质量份计的主要原料配方如下：
氮化铝 95~99.5%
氧化钇 0.1~3%
粘合剂 0.5~2%。
7.如权利要求6所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述氮化铝的平均粒径为0.8~13.0μm。
8.如权利要求7所述的高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，其特征在于，所述氮化铝的平均粒径为2.0~10.0μm。
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