CN103060596A - 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法 - Google Patents

一种SiC增强Al基复合材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103060596A
CN103060596A CN2012105503671A CN201210550367A CN103060596A CN 103060596 A CN103060596 A CN 103060596A CN 2012105503671 A CN2012105503671 A CN 2012105503671A CN 201210550367 A CN201210550367 A CN 201210550367A CN 103060596 A CN103060596 A CN 103060596A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sic
matrix composite
preparation
reinforced
prefabricated component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012105503671A
Other languages
English (en)
Inventor
李国强
刘玫潭
蔡旭升
何丽娇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
South China University of Technology SCUT
Original Assignee
South China University of Technology SCUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by South China University of Technology SCUT filed Critical South China University of Technology SCUT
Priority to CN2012105503671A priority Critical patent/CN103060596A/zh
Publication of CN103060596A publication Critical patent/CN103060596A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Of Alloys Or Alloy Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入质量百分比为6~10%的粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为10:1~20:1的H3PO4和Al2O3组成;(2)预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;(3)预制件湿坯经烧制后得到预制件;(4)预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料。本发明技术操作性强,工艺简单易行,成本低廉,易于控制;制备得到的复合材料界面结合强度高,增强体颗粒分布均匀,具有良好的力学性能和热学性能。

Description

一种SiC增强Al基复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及电子封装材料的制备方法,特别涉及一种SiC增强Al基复合材料的制备方法。
背景技术
随着微电子器件向高性能、轻量化和小型化方向发展,微电子对封装材料提出越来越苛刻的要求。传统的封装材料包括硅基板,金属基板和陶瓷基板等。硅和陶瓷基板加工困难,成本高,热导率低;金属材料的热膨胀系数与微电子芯片不匹配,在使用过程中将产生热应力而翘曲。因此这些传统的封装材料很难满足封装基板的苛刻需求。国内外新研发的新型散热基板有金属芯印刷电路板(MCPCB)、覆铜陶瓷板(DBC)和金属基低温烧结陶瓷基板(LTCC-M)。其中,金属芯印刷电路板热导率受到绝缘层的限制,热导率低,且不能实现板上封装;覆铜陶瓷板采用直接键合方式将陶瓷和金属键合在一起,提高了热导率,同时使得热膨胀系数控制在一个合适的范围,但金属和陶瓷的反应能力低,润湿性不好,使得键合难度高,界面结合强度低,易脱落;金属基低温烧结陶瓷基板对成型尺寸精度要求高,工艺复杂,也同样存在金属和陶瓷润湿性不好、易脱落的难题。
近年来,SiC增强Al基复合材料(AlSiC)由于原材料价格便宜,能近净成型复杂形状,且具有热导率高、膨胀系数可调、比刚度大、密度小,使封装结构具有功率密度高、芯片寿命长、可靠性高和质量轻等特点,在电子封装领域展现出了良好的应用前景。SiC颗粒作为增强材料具有性能优异,成本低廉的优点,其热膨胀系数为4.7×10-6-1,与Si的热膨胀系数最为接近,热导率为80~170W/m.k,弹性模量达450GPa,密度为3.2g/cm-2。同时Al作为基板材料,具有高热导率(170~220W/m.k)、低密度(2.97g/cm-2)、价格低廉和易于加工等优点,其缺点是热膨胀系数较高。但形成AlSiC复合材料以后,却能发挥出SiC和Al各自的优点,又克服了各自的缺点,能表现优异的综合性能。更为重要的是AlSiC的热膨胀系数可以通过SiC的加入量来调节,从而可以获得精确的热膨胀系数匹配,可以实现电子芯片的板上封装。
AlSiC电子封装材料的制备方法由SiC预制件制备和融熔铝合金液浸渗两步组成。目前,预制件的制备方法主要有模压成型、美国AFT公司的粉末注射成型和美国CPS公司的QuicksetTM注射成型技术。其中,模压成型适用于一些结构简单的构件,成型模具制造简单、操作方便、周期短、效率高,便于实现自动化生产,较适用于AlSiC封装材料的前期研制。浸渗工艺主要有真空压力浸渗和无压浸渗。真空压力浸渗虽然可以得到性能优良、气孔缺陷较少的AlSiC复合材料,但真空压力浸渗对设备材料要求较高,设备投资和模具成本高,生产周期长,生产成本高,工艺实施起来相对复杂。无压浸渗利用反应诱发润湿来实现良好浸渗,目前能实现高体积分数粉末增强金属基复合材料的近净成型。无压浸渗工艺过程中没有压力作用,也不需要昂贵的设备,生产成本低,工艺简单。
发明内容
为了克服现有技术的缺点与不足,本发明的目的在于提供一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,技术操作性强,工艺简单易行,成本低廉,易于控制。制备得到的复合材料界面结合强度高,增强体颗粒分布均匀,具有良好的力学性能和热学性能,能广泛应用于电子器件的封装领域。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为10:1~20:1的H3PO4和Al2O3组成,所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的6~10%;
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料。
所述ɑ-SiC原料由粒径比为6:1~7:1的两种ɑ-SiC颗粒组成。
所述ɑ-SiC原料由粒径为50~70μm的ɑ-SiC颗粒和8~10μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为50~70μm的ɑ-SiC颗粒与8~10μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3:1~3.5:1。
所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的4~14%。
所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为9~12min,100℃保温4.5~5.5h,100~250℃升温时间为50min~1.5h,250℃保温50min~1.5h,250~500℃升温时间为1.5~2.5h,500℃保温1~2h。
所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:(6~9):(2~4)。
所述无压浸渗工艺,具体为:
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至650~700℃,Al-Mg-Si系合金过热至900~950℃,充入N2,使炉内压强达0.10~0.12Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温40min~1h,随炉冷却至580~600℃,取出空冷,制得SiC增强Al基复合材料。
所述模压成型的工艺参数为:压强为180~220Mpa,保压2~5min。
与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:
(1)本发明采用的粘结剂,成本低廉,强度高,提高了本发明的SiC增强Al基复合材料的力学强度。
(2)本发明选用淀粉作为造孔剂,造孔过程易于控制,并易于通过改变淀粉用量控制预制件的孔隙率,从而控制AlSiC复合材料中SiC增强体的体积分数,控制复合材料热膨胀系数和热导率。
(3)本发明采用Al-Mg-Si系合金为基质,能防止Al4C3脆性相的形成,并能有效地提高浸渗过程中预制件和Al合金液之间的润湿性,从而可以获得高质量的AlSiC复合材料。
(4)本发明采用无压浸渗和模压成型工艺制备SiC增强Al基复合材料,具有工艺简单易于控制,效率高,对设备要求低等优点,为大规模的生产打下基础。
(5)SiC和Al合金作为原材料,具有原材料成本低廉,易得的优点。
附图说明
图1为实施例1制备的SiC增强Al基复合材料的抛光表面扫描电镜(SEM)形貌图。
图2为实施例1制备的SiC增强Al基复合材料的打磨表面低倍背反射(EBSD)电子形貌图。
图3为实施例1制备的SiC增强Al基复合材料的SEM断口形貌图。
图4为实施例1制备的SiC增强Al基复合材料的X射线衍射(XRD)图谱。
图5为实施例1制备的SiC增强Al基复合材料的热膨胀系数随温度变化的曲线。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为10:1的H3PO4和Al2O3组成;所述ɑ-SiC原料由粒径为50μm的ɑ-SiC颗粒和8μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为50μm的ɑ-SiC颗粒与8μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3:1;所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的10%,所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的5%。
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;所述模压成型的工艺参数为:压强为200Mpa,保压3min。
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为10min,100℃保温5h,100~250℃升温时间为1h,250℃保温1h,250~500℃升温时间为2h,500℃保温1h。
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料;所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:7:3;
所述无压浸渗工艺,具体为:
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至700℃,Al-Mg-Si系合金过热至950℃,充入N2,使炉内压强达0.12Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温45min,随炉冷却至600℃,取出空冷,制得AlSiC复合材料。
图1为本实施例制备的SiC增强Al基复合材料的抛光表面扫描电镜(SEM)形貌图。图2为本实施例制备的SiC增强Al基复合材料的打磨表面低倍背反射(EBSD)电子形貌图。由图1~2可知,大小粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基体中,小颗粒SiC填充在大颗粒SiC形成的空隙中,提高了复合材料中SiC的体积分数,据测试SiC体积分数高达66%。
图3为本实施例制备的SiC增强Al基复合材料的SEM断口形貌图。可见,部分SiC颗粒被拉断,但没有颗粒的脱离和拔出,以此可以说明Al基体和增强体界面结合状况非常理想。图中也未看到气孔等缺陷,说明了Al的浸渗很充分,Mg元素的加入有效地提高了润湿性。
图4为本实施例制备的SiC增强Al基复合材料的X射线衍射(XRD)图谱。从谱图得知,复合材料中主要含有SiC相,Al相,MgO相和Mg2Si相,不存在Al4C3脆性相。这说明Al合金中Si元素的加入有效地防止了Al4C3脆性相的形成。
图5为本实施例制备的SiC增强Al基复合材料的热膨胀系数随温度变化的曲线。可以看出,AlSiC复合材料的热膨胀系数在7.77×10-6~10.89×10-6-1之间变化,30℃~500℃和30℃~100℃内的平均热膨胀系数分别为9.31×10-6-1和8.10×10-6-1。这可以与陶瓷基片保持良好的热匹配。
本实施例制备的SiC增强Al基复合材料室温下的热扩散率,密度,比热及热导率见表1,可知本实施例制备得到的AlSiC复合材料具有密度低,热导率高的优良性能。
表1本发明制得的AlSiC复合材料热导率测试结果
热扩散率(mm2/s) 密度(g/cm3) 比热(J/g.k) 热导率(w/m.k)
54.369 2.825 0.738 113.351
实施例2
一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为15:1的H3PO4和Al2O3组成;所述ɑ-SiC原料由粒径为50μm的ɑ-SiC颗粒和8μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为50μm的ɑ-SiC颗粒与8μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3.5:1;所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的6%,所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的4%。
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;所述模压成型的工艺参数为:压强为180Mpa,保压2min。
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为9min,100℃保温4.5h,100~250℃升温时间为50min,250℃保温50min,250~500℃升温时间为1.5h,500℃保温1h。
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料;所所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:6:2;
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至650℃,Al-Mg-Si系合金过热至900℃,充入N2,使炉内压强达0.10Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温40min,随炉冷却至580℃,取出空冷,制得SiC增强Al基复合材料。
实施例3
一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为20:1的H3PO4和Al2O3组成;所述ɑ-SiC原料由粒径为60μm的ɑ-SiC颗粒和10μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为60μm的ɑ-SiC颗粒与10μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3:1;所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的10%,所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的14%。
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;所述模压成型的工艺参数为:压强为220Mpa,保压5min。
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为12min,100℃保温5.5h,100~250℃升温时间为1.5h,250℃保温1.5h,250~500℃升温时间为2.5h,500℃保温2h。
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料;所所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:9:4;
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至700℃,Al-Mg-Si系合金过热至950℃,充入N2,使炉内压强达0.12Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温1h,随炉冷却至600℃,取出空冷,制得SiC增强Al基复合材料。
实施例4
一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为10:1的H3PO4和Al2O3组成;所述ɑ-SiC原料由粒径为70μm的ɑ-SiC颗粒和10μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为70μm的ɑ-SiC颗粒与10μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3:1;所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的8%,所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的10%。
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;所述模压成型的工艺参数为:压强为200Mpa,保压4min。
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为10min,100℃保温5h,100~250℃升温时间为1h,250℃保温1h,250~500℃升温时间为2h,500℃保温1.5h。
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料;所所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:7:3;
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至720℃,Al-Mg-Si系合金过热至920℃,充入N2,使炉内压强达0.11Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温50min,随炉冷却至590℃,取出空冷,制得SiC增强Al基复合材料。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)在ɑ-SiC原料中加入淀粉,混合均匀;再加入粘结剂,再次混合均匀,并经烘干、过筛后得到预制件材料;所述粘结剂由摩尔比为10:1~20:1的H3PO4和Al2O3组成,所述粘结剂的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的6~10%;
(2)将步骤(1)得到的预制件材料装入模具,使用液压机模压成型得到预制件湿坯;
(3)步骤(2)得到的预制件湿坯经烧制后得到预制件;
(4)将步骤(3)得到的预制件与Al-Mg-Si系合金采用无压浸渗工艺得到SiC增强Al基复合材料。
2.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述ɑ-SiC原料由粒径比为6:1~7:1的两种ɑ-SiC颗粒组成。
3.根据权利要求2所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述ɑ-SiC原料由粒径为50~70μm的ɑ-SiC颗粒和8~10μm的ɑ-SiC颗粒组成,所述粒径为50~70μm的ɑ-SiC颗粒与8~10μm的ɑ-SiC颗粒的质量比为3:1~3.5:1。
4.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述淀粉的质量为ɑ-SiC原料、粘结剂和淀粉质量之和的4~14%。
5.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述烧制的烧成参数为:0~100℃升温时间为9~12min,100℃保温4.5~5.5h,100~250℃升温时间为50min~1.5h,250℃保温50min~1.5h,250~500℃升温时间为1.5~2.5h,500℃保温1~2h。
6.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述Al-Mg-Si系合金中各元素质量比为:1:(6~9):(2~4)。
7.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述无压浸渗工艺,具体为:
将预制件和Al-Mg-Si系合金分别放入浸渗设备中,抽真空至10-3以下,将预制件加热至650~700℃,Al-Mg-Si系合金过热至900~950℃,充入N2,使炉内压强达0.10~0.12Mpa,熔融的Al-Mg-Si系合金注入盛放预制件的模具中进行浸渗,保温40min~1h,随炉冷却至580~600℃,取出空冷,制得SiC增强Al基复合材料。
8.根据权利要求1所述的SiC增强Al基复合材料的制备方法,其特征在于,所述模压成型的工艺参数为:压强为180~220Mpa,保压2~5min。
CN2012105503671A 2012-12-17 2012-12-17 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法 Pending CN103060596A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105503671A CN103060596A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012105503671A CN103060596A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103060596A true CN103060596A (zh) 2013-04-24

Family

ID=48103485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012105503671A Pending CN103060596A (zh) 2012-12-17 2012-12-17 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103060596A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103240400A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 华南理工大学 一种中高体分碳化硅铝基复合材料的制备方法及其装置
CN103540830A (zh) * 2013-11-14 2014-01-29 湖南航天工业总公司 一种制备碳化硅和金刚石颗粒增强铝基复合材料的方法
CN105789145A (zh) * 2016-03-22 2016-07-20 苏州捷德瑞精密机械有限公司 一种新型电子封装复合材料及其制备方法
CN106435299A (zh) * 2016-09-30 2017-02-22 华南理工大学 一种SiC颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
CN106554212A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 比亚迪股份有限公司 多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法
CN109055798A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 北京汽车股份有限公司 用于车辆的刹车盘的制备方法、刹车盘及车辆
WO2019080100A1 (zh) * 2017-10-27 2019-05-02 深圳市大富科技股份有限公司 碳化硅铝基复合结构件及碳化硅增强预制件的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001181066A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化ケイ素系多孔体及び同多孔体とアルミニウムの複合材料
JP2005146392A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Taiheiyo Cement Corp 金属基複合材料およびその製造方法
CN101898240A (zh) * 2010-08-09 2010-12-01 西安科技大学 一种电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法
CN102728818A (zh) * 2012-06-07 2012-10-17 中国兵器工业第五九研究所 一种用于制备SiCp增强AZ91D复合材料坯料的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001181066A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化ケイ素系多孔体及び同多孔体とアルミニウムの複合材料
JP2005146392A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Taiheiyo Cement Corp 金属基複合材料およびその製造方法
CN101898240A (zh) * 2010-08-09 2010-12-01 西安科技大学 一种电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法
CN102728818A (zh) * 2012-06-07 2012-10-17 中国兵器工业第五九研究所 一种用于制备SiCp增强AZ91D复合材料坯料的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
万春锋等: "无压浸渗法制备SiC-Al复合材料的抗弯强度研究", 《铸造技术》, vol. 26, no. 11, 30 November 2005 (2005-11-30), pages 1036 - 1038 *
熊德赣等: "AlSiC电子封装基片的制备与性能", 《中国有色金属学报》, vol. 16, no. 11, 30 November 2006 (2006-11-30), pages 1913 - 1917 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103240400A (zh) * 2013-04-26 2013-08-14 华南理工大学 一种中高体分碳化硅铝基复合材料的制备方法及其装置
CN103240400B (zh) * 2013-04-26 2015-03-11 华南理工大学 一种中高体分碳化硅铝基复合材料的制备方法及其装置
CN103540830A (zh) * 2013-11-14 2014-01-29 湖南航天工业总公司 一种制备碳化硅和金刚石颗粒增强铝基复合材料的方法
CN103540830B (zh) * 2013-11-14 2015-08-26 湖南航天工业总公司 一种制备碳化硅和金刚石颗粒增强铝基复合材料的方法
CN106554212A (zh) * 2015-09-30 2017-04-05 比亚迪股份有限公司 多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法
CN106554212B (zh) * 2015-09-30 2019-12-10 比亚迪股份有限公司 多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法
CN105789145A (zh) * 2016-03-22 2016-07-20 苏州捷德瑞精密机械有限公司 一种新型电子封装复合材料及其制备方法
CN106435299A (zh) * 2016-09-30 2017-02-22 华南理工大学 一种SiC颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
CN106435299B (zh) * 2016-09-30 2018-04-13 华南理工大学 一种SiC颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
WO2019080100A1 (zh) * 2017-10-27 2019-05-02 深圳市大富科技股份有限公司 碳化硅铝基复合结构件及碳化硅增强预制件的制备方法
CN109055798A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 北京汽车股份有限公司 用于车辆的刹车盘的制备方法、刹车盘及车辆
CN109055798B (zh) * 2018-08-03 2020-08-21 北京汽车股份有限公司 用于车辆的刹车盘的制备方法、刹车盘及车辆

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103060596A (zh) 一种SiC增强Al基复合材料的制备方法
CN104058772B (zh) 一种陶瓷复合材料基板及其制备工艺
CN102030538B (zh) 氮化铝陶瓷的制备方法及采用该方法制备的氮化铝陶瓷
CN102030556B (zh) 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
CN104630527B (zh) 一种制备铜基金刚石复合材料的方法
CN102676901B (zh) 无压浸渗法制备SiC/Al电子封装材料的工艺
CN102962434B (zh) 一种碳化硅/铜硅合金双连续相复合材料及其制备方法
CN102586703B (zh) 一种石墨晶须增强铝基复合材料的制备方法
CN105236982B (zh) 氮化铝增强的石墨基复合材料及制备工艺
CN101734923A (zh) 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法
CN102176436B (zh) 高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺
CN105272176A (zh) 一种大功率led散热用陶瓷基板
CN103833403A (zh) 一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品
CN105254308A (zh) 一种陶瓷散热复合材料的制备方法
CN104046877A (zh) 电子封装用定向多孔SiC-Cu复合材料及制备方法
CN102184873A (zh) 一种快速制备金刚石-碳化硅电子封装材料的方法
CN104445953A (zh) 一种钙硼硅玻璃基低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN103204682B (zh) 一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法
CN106906388B (zh) 一种高硅铝合金的制备方法
CN107604192B (zh) 一种氮化铝/铝复合材料的制备方法
CN101734920A (zh) 一种氮化钛多孔陶瓷及其制备方法
CN101092672A (zh) 超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法
CN107641727A (zh) 一种通过高速压制制备高体积分数SiC颗粒增强Al基复合材料的方法
CN105367061A (zh) 一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法
CN106191499B (zh) 粉末冶金法制备高硅铝合金的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130424