JP7312712B2 - セラミックス基板、静電チャック、静電チャックの製造方法 - Google Patents
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-
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Description
以下、図1から図20に従って第一実施形態を説明する。
図1は、第一実施形態の静電チャックの概略断面を示す。
静電電極31は、膜状に形成された導電体層である。本実施形態の静電電極31は双極タイプのものであり、第1静電電極31aと第2静電電極31bを有している。なお、静電電極31として、1つの静電電極からなる単極タイプのものが使用されてもよい。静電電極31は、タングステン(W)を主成分とし、酸化ニッケル(NiO)、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素(SiO2)を含む焼成体である。静電電極31の材料としては、タングステン(W)を主成分とし、酸化ニッケル(NiO)、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素(SiO2)を添加した導電性ペーストが使用される。
図1,図3に示すように、基板本体21は、絶縁体層22と、絶縁体層22と静電電極31との間の複合酸化物層23と、絶縁体層22と発熱体32との間の複合酸化物層24とを備えている。
次に、上記の載置台20の製造方法を説明する。
先ず、図4に示すように、セラミックス材料と有機材料からなるグリーンシート51~53を準備する。各グリーンシート51~53は、矩形板状に形成されている。各グリーンシート51~53のセラミックス材料は酸化アルミニウムからなり、焼結助剤を含まない。
次いで、構造体72を大気圧焼成して、図7に示すセラミックス基板73が得られる。焼成する際の温度は、例えば、1600℃である。このセラミックス基板73は、図1に示す絶縁体層22と、図4に示す導電体パターン54,55を焼結して得られた静電電極31及び発熱体32(図1参照)と複合酸化物層23,24を内蔵する。このようなセラミックス基板73に対して各種の加工が施される。
以上の工程により、載置台20が得られる。
[サンプルの形状]
図8(a)は、サンプルの形状を示す。このサンプル80は、セラミックス基板81と、セラミックス基板81の上面の導電体パターン82を有している。このサンプル80は、グリーンシート上に導電性ペーストを印刷し、一体を同時に焼成して形成される。剥離試験に際し、図8(b)に示すように、サンプル80の導電体パターン82の上面に、銅を含む銀ロウを介してコバール製のリング90を加熱接合する。引張試験装置により、セラミックス基板81を固定してリング90の一端を上方に引き上げ、導電体パターン82がセラミックス基板81から剥離した際の試験力を記録する。
(サンプル1)
焼結助剤を含まない酸化アルミニウムのグリーンシートに対して、タングステンの粉末量に対して酸化ニッケル粉末を0.5wt%、アルミナ粉末を2.0wt%、シリカ粉末を2.0wt%添加した導電性ペーストを印刷し、一体を同時に大気圧焼成してサンプル1を作成した。
図9は、サンプル1のSE像(二次電子像)を示す。
焼結助剤を含む酸化アルミニウムのグリーンシートに対して、タングステンの粉末量に対して酸化ニッケル粉末を0.5wt%、アルミナ粉末を2.0wt%、シリカ粉末を2.0wt%添加した導電性ペーストを印刷し、一体を同時に大気圧焼成してサンプル2を作成した。
図14は、サンプル2のSE像(二次電子像)を示す。
図16は、サンプル2におけるケイ素の分析結果を示す。ケイ素は、導電体パターン82とセラミックス基板81の両方に存在している。サンプル2では、ケイ素成分がセラミックス基板81において広く分散していることを確認した。
図18は、サンプル2を分析したXRD(X線回折)チャートである。図18の(a)は、サンプル2の導電体パターン82を削り、セラミックス基板81が露出した部分のXRDチャートを示している。図18において、(b)はタングステン、(c)は酸化アルミニウム、(d)はマグネシウムとアルミニウムの複合酸化物(Mg・Al2O4)の各XRDチャートを示している。図18の結果から、サンプル2のセラミックス基板81は、ムライト、シリマナイトの結晶相が形成されていないことが確認された。
図19は、引張試験による密着強度の測定結果を示す。図19において、バーB1は、上述したサンプル1、つまり酸化ニッケル粉末を0.5wt%、アルミナ粉末(酸化アルミニウム粉末)を2.0wt%、シリカ粉末(二酸化ケイ素粉末)を2.0wt%添加した導電性ペーストを用いて形成した導電体パターンについて、剥離試験により密着強度を確認したときの試験力[N]の範囲を示す。バーB2は、タングステンよりなり、酸化ニッケル、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素を添加しない、つまり無添加の導電性材料を用いて形成した導電体パターン82を含む比較例における試験力[N]の範囲を示す。酸化アルミニウム、二酸化ケイ素を添加することにより、導電体パターンの密着強度を向上できる。さらに、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素の含有量を多くすることにより、導電体パターンの密着強度をより向上できる。
図20において、実線は、焼結助剤を含まない酸化アルミニウムのグリーンシートを焼成したセラミックス(以下、無添加セラミックス)の温度と抵抗値の関係を示し、一点鎖線は、焼結助剤を含む組成のグリーンシートを焼成したセラミックス(以下、添加セラミックス)の温度と抵抗値の関係を示す。無添加セラミックスでは、温度に対する抵抗値の変化が少なく、添加セラミックスでは、無添加セラミックスと比較し、温度に対する抵抗の変化が大きい。つまり、無添加セラミックスは、絶縁抵抗の温度依存性が低い。静電チャック用のセラミックスに求められる特性としては、使用環境の温度が上昇しても、絶縁抵抗の低下が少ないことが求められる。このような特性の無添加セラミックスは、静電電極31を含む基板本体21として有効である。
(1-1)静電チャック1の載置台20は、基板本体21と、基板本体21に内接された静電電極31を含む。基板本体21は、酸化アルミニウムからなるセラミックスである絶縁体層22と、絶縁体層22と静電電極31との間に形成されたアルミニウムとケイ素の複合酸化物層23とを備えている。複合酸化物層23により、ケイ素成分がセラミックスからなる絶縁体層22に拡散しないため、基板本体21のセラミックスの特性を低下させることなく、静電電極31を含む載置台20を得ることができる。
以下、図21、図22に従って第二実施形態を説明する。
図21は、第二実施形態の半導体装置用パッケージの概略断面、図22は、半導体用パッケージの概略平面を示す。
(2-1)このような半導体装置用パッケージ100では、第一実施形態と同様に、基板本体となるセラミックス基材111~114の特性を低下させることなく、配線パターン121~124を含むセラミックス基板110を得ることができる。
(他の実施形態)
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記各実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・上記第一実施形態に対し、静電電極31のみを含む載置台とし、発熱体32を載置台とベースプレート10との間に配設してもよい。また、発熱体32は、ベースプレート10に内設されてもよい。また、発熱体32は、静電チャックの下に外付けされてもよい。
10 ベースプレート
11 取付孔
12 リフトピン用開口部
20 載置台
21 基板本体
22 絶縁体層
22a~22c 絶縁層
22d セラミックス部
23,24 複合酸化物層
31 静電電極(導電体層)
31a 第1静電電極
31b 第2静電電極
32 発熱体
51~53 グリーンシート
54,55 導電体パターン
71,72 構造体
73 セラミックス基板
80 サンプル
81 セラミックス基板
82 導電体パターン
83 複合酸化物層
84 絶縁体層
90 リング
100 半導体装置用パッケージ
110 セラミックス基板
111~114 セラミックス基材
111X 開口部
121~124 配線パターン(導電体層)
132~134 ビア
150 放熱板
160 外部接続端子
170 キャビティ
200 半導体素子
B1,B2 バー
W 基板
Wa,Wb 部分
Claims (19)
- 基板本体と、
前記基板本体に内接された導電体層と、
を有し、
前記基板本体は、
酸化アルミニウムからなるセラミックスである絶縁体層と、
前記絶縁体層と前記導電体層との間に形成されたアルミニウムとケイ素の複合酸化物層と、
を備え、
前記複合酸化物層は、ムライトからなる層、シリマナイトからなる層、又はムライトとシリマナイトが混在する層である、セラミックス基板。 - ケイ素は、前記複合酸化物層に局在している、請求項1に記載のセラミックス基板。
- 前記セラミックス基板は、半導体装置用パッケージに用いられる、請求項1又は請求項2に記載のセラミックス基板。
- 基板本体と、
前記基板本体に内接された静電電極と、
を有し、
前記基板本体は、
酸化アルミニウムからなるセラミックスである絶縁体層と、
前記絶縁体層と前記静電電極との間に形成されたアルミニウムとケイ素の複合酸化物層と、
を備え、
前記複合酸化物層は、ムライトからなる層、シリマナイトからなる層、又はムライトとシリマナイトが混在する層である、静電チャック。 - ケイ素は、前記複合酸化物層に局在している、請求項4に記載の静電チャック。
- 前記絶縁体層は、前記酸化アルミニウムの純度が99.5%以上である、請求項4又は請求項5に記載の静電チャック。
- 前記絶縁体層は、相対密度が98%以上である、請求項4から請求項6の何れか一項に記載の静電チャック。
- 前記絶縁体層は、前記酸化アルミニウムの平均粒子径が1.0μm以上3.0μm以下である、請求項4から請求項7のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記絶縁体層と前記静電電極は同時焼成によってなる焼成体である、請求項4から請求項8のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記静電電極は、タングステンを主成分とし、酸化ニッケル、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素を含む焼成体である、請求項4から請求項9のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記静電電極は、タングステンの平均粒子径が0.5μm以上3.0μm以下である導電性ペーストを焼成した焼成体であり、タングステン成分は前記静電電極に局在する、請求項4から請求項10のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記静電電極は、酸化ニッケルの平均粒子径が5.0μm以上15.0μm以下である導電性ペーストを焼成した焼成体であり、ニッケルは、前記静電電極に局在する、請求項4から請求項11のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記静電電極は、酸化アルミニウムの平均粒子径が0.1μm以上4.0μm以下である導電性ペーストを焼成した焼成体であり、アルミニウムは、前記絶縁体層と前記静電電極と前記複合酸化物層とに存在する、請求項4から請求項12のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記静電電極は、二酸化ケイ素の平均粒子径が0.1μm以上12.0μm以下である導電性ペーストを焼成した焼成体であり、ケイ素は、前記静電電極と前記複合酸化物層とに局在する、請求項4から請求項13のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 前記複合酸化物層は、前記静電電極を形成する導電性ペーストに添加された酸化アルミニウムと二酸化ケイ素との添加量に応じた厚さである、請求項4から請求項14のいずれか一項に記載の静電チャック。
- 基板本体と、前記基板本体に内接された静電電極とを有する静電チャックの製造方法であって、
焼結助剤を含まない酸化アルミニウムと、有機材料の混合物からなるグリーンシートの上面に、タングステンを主成分とし、酸化ニッケル、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素を添加した導電性ペーストにより導電体パターンを形成する工程と、
前記グリーンシート及び前記導電体パターンを焼成し、前記基板本体と前記静電電極を形成する工程と、
を有し、
前記基板本体は、
酸化アルミニウムからなるセラミックスである絶縁体層と、
前記絶縁体層と前記静電電極との間に形成されたアルミニウムとケイ素の複合酸化物層と、
を備えた静電チャックの製造方法。 - 前記複合酸化物層は、ムライトからなる層、シリマナイトからなる層、又はムライトとシリマナイトが混在する層である、
請求項16に記載の静電チャックの製造方法。 - 前記グリーンシート及び前記導電体パターンを焼成する工程において、前記グリーンシート及び前記導電体パターンを大気圧焼成する、請求項16又は請求項17に記載の静電チャックの製造方法。
- 前記複合酸化物層は、前記導電性ペーストに添加される酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の添加量に応じた範囲に形成される、請求項16から請求項18のいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286107A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱装置 |
JP2012073162A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード |
WO2014098224A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
JP2014208567A (ja) | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 日本碍子株式会社 | 緻密質複合材料、その製法、接合体及び半導体製造装置用部材 |
JP2016124734A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材、静電チャック装置および耐食性部材の製造方法 |
JP2017103389A (ja) | 2015-12-03 | 2017-06-08 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び半導体製造装置 |
WO2018155053A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置用パッケージおよび電子装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04331779A (ja) | 1991-05-08 | 1992-11-19 | Nippon Steel Corp | 酸化物系セラミックスのメタライズ法 |
JPH06290635A (ja) | 1993-04-01 | 1994-10-18 | Toray Ind Inc | 感光性導電ペースト |
US6490146B2 (en) * | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
JP5406565B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-02-05 | 日本碍子株式会社 | 酸化アルミニウム焼結体、その製法及び半導体製造装置部材 |
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JP6103046B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-03-29 | 住友大阪セメント株式会社 | 誘電体材料、静電チャック装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005286107A (ja) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 加熱装置 |
JP2012073162A (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Kyocera Corp | プローブカード用セラミック配線基板およびこれを用いたプローブカード |
WO2014098224A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
JP2014208567A (ja) | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 日本碍子株式会社 | 緻密質複合材料、その製法、接合体及び半導体製造装置用部材 |
JP2016124734A (ja) | 2014-12-26 | 2016-07-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材、静電チャック装置および耐食性部材の製造方法 |
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