TWI812459B - 具有低熱導率的軸的高溫用基座及其方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種具有低熱導率的軸的高溫下使用的基座，其中在基座中，包括用於晶圓安裝的板和連接到該板的軸，板和軸各自包括具有90wt%或更大的AlN相的燒結體，板的燒結體是在650℃下具有5*108Ω．cm或更大的體積電阻的含鎂AlN燒結體，並且軸的燒結體是具有100W/mK或更低的室溫熱導率的AlN燒結體。

Description

具有低熱導率的軸的高溫用基座及其方法
本發明涉及一種基座(susceptor)及其製造方法，並且涉及一種具有低熱導率的軸的高溫用基座及其製造方法。
在半導體裝置的製造過程中，對作為加工對象的半導體晶圓進行諸如成膜加工和蝕刻加工的各種類型的加工。用於對半導體晶圓執行這種加工的半導體製造裝置採用基座作為支撐半導體晶圓的元件。
其中，基座包括：一板，用於支撐晶圓，該板由諸如氮化鋁的陶瓷材料形成；以及一軸，在半導體製造的腔室中，用於支撐該板。
圖1示出習知常規基座結構的示意圖。
參照圖1，基座1包括用於支撐襯底的板10和用於支撐該板10的軸20。
該板10可以包括用於加熱襯底的加熱元件(未示出)或溫度傳感器(未示出)。這些元件透過諸如電極、電極棒和/或端子的連接單元經由該軸20的內部連接到該基座1外部的電源或控制單元。
優選地，基座1的板10使用具有高熱導率的材料來實施，以儘可能保持由基座10支撐的襯底熱導率上的溫度分佈的均勻性(熱均勻性)，而支撐該板10的軸20使用具有低熱導率的材料來實施。
舉例而言，日本專利公告第4311922號公開了一種基座，其具有熱導率為80W/mK或以上的板以及熱導率為20W/mK或以下的軸。在這種情況下，熱導率相對較高的氮化鋁、碳化矽、氧化鋁、氮化矽等用作板的材料，並且熱導率相對較低的氧化鋁、氮化矽、莫來石、莫來石氧化鋁複合材料等用作軸的材料。在前述專利中，中間接合部用於連接板和軸，並且由於板和軸之間的形狀或熱導率不同而產生的熱應力被施加到中間接合部，因此中間接合部減小了軸上的應力。中間接合部可以使用與軸相同的元件或具有在板的熱導率和軸的熱導率之間的中間熱導率的材料來實施。
然而，由於多種原因，這種常規基座難以用作在650℃或更高的高溫下進行襯底加工的基座。最重要的是，應考慮到基座的結構或材料，以應對由於在650℃或更高的高溫下板的體積電阻急劇下降而引起的洩漏電流等，但是常規基座沒有考慮到這一點。此外，常規基座使用不同的材料，以實現板、軸和中間接合部的不同的熱導率，並且因此無法避免在高溫重複加熱處理期間由於熱膨脹係數的差異而產生的熱應力。
此外，常規基座由於加入了大量的活性金屬或玻璃相黏合劑來接合板和軸，因此在高溫時不可避免地在耐熱性、耐腐蝕性、機械性能等方面較弱。
[現有技術檔案][專利文獻]
(專利文獻1)日本公告專利第4311922號
本發明是為了解決現有技術中的上述問題而作出的，本發明的一實施例是提供一種適用於在650℃或更高的高溫半導體處理技術中支撐晶圓的基座結構。
本發明的另一實施例是提供一種基於氮化鋁的基座結構，其中在基座製造方法和半導體處理方法中的熱處理期間，板和軸具有相似的熱膨脹係數。
本發明的又一實施例是提供一種新穎的基座接合結構，其包括具有高體積電阻的板和適於支撐該板的具有低熱導率的軸。
本發明的又一實施例是提供一種即使在650℃或更高的高溫處理方法中也具有高機械特性的基座結構。
本發明的又一實施例是提供一種用於製造上述基座結構和接合結構的方法。
根據本發明的一實施例，提供了一種基座，該基座包括用於晶圓安裝的板和連接到該板的軸，其中板和軸各自包括具有90wt%或更多的AlN相的燒結體，板的燒結體是在650℃下具有5*108Ω．cm或更大的體積電阻的含鎂AlN燒結體，並且軸的燒結體是具有100W/mK或更低的室溫導熱率的AlN燒結體。
在一實施例中，板的燒結體可以包含以MgO計為0.05-3.0wt%的鎂。另外，板的燒結體可以包含以TiO2計為0.05-0.5wt%的鈦。
在一實施例中，基座可以進一步包括介於板與軸之間的緩衝元件。
緩衝元件在其燒結體中AlN相可以為90wt%或更多，並且可以包含以Y2O3計為3-8wt%的釔。
在一實施例中，緩衝元件可以具有毯狀、環形或圓形形狀。
在一實施例中，當板、緩衝元件和軸的燒結體中的AlN顆粒的平均粒徑分別為第一平均粒徑、第二平均粒徑和第三平均粒徑時，可以建立第一平均粒徑小於第二平均粒徑，且第二平均粒徑小於第三平均粒徑的關係。
根據本發明的另一實施例，提供了一種基座的製造方法，該方法包括：提供疊層結構，其具有含鎂AlN燒結體的板、含釔AlN預燒結體或燒結體的緩衝元件、以及具有100W/mK或更低的熱導率的AlN燒結體的軸；並且對疊層結構進行燒結。
在提供本發明一實施例的疊層結構時，緩衝元件可以是AlN燒結體，並且板和緩衝元件可以以整體燒結的狀態來提供。
在這種情況下，板的燒結體可以包含以MgO計為0.5-3.0wt%的鎂，並且可以包含以TiO2計為0.05-0.5wt%的鈦。
在提供本發明的疊層結構時，緩衝元件可以包含以氧化釔計為3-8wt%的釔。
另外，在提供疊層結構時，當板、緩衝元件和軸的燒結體中的AlN顆粒的平均粒徑分別為第一平均粒徑、第二平均粒徑和第三平均粒徑時，可以建立第一平均粒徑小於第二平均粒徑，且第二平均粒徑小於第三平均粒徑的關係。
根據本發明一實施例，可以提供具有晶片支撐板的基座結構，其在650℃或更高的高溫半導體處理方法中具有高體積電阻。
此外，根據本發明，透過在基座製造方法和半導體製造方法中的熱處理期間允許板和軸具有相似的熱膨脹係數，可以最小化基座的接合結構中出現的熱應力。
此外，本發明可以在具有高體積電阻的板與具有低熱導率的軸之間提供良好的接合結構。
1:基座
10:板
20:軸
100:基座
110:板
120:軸
130、130A、130B:緩衝元件
132、134、136:接合劑層
圖1示出於高溫下使用的習知基座的結構的示意圖。
圖2是根據本發明的一實施例的基座的接合結構的截面圖。
圖3A至圖3C是根據本發明的其他實施例的基座的接合結構的截面圖。
圖4是放大圖3A的部分區域的截面示意圖。
圖5A至圖5C是根據本發明的各實施例的各種疊層結構的示意圖。
圖6是透過拍攝根據本發明的實施例製造的疊層結構的截面而獲得的圖像。
圖7是透過拍攝根據本發明的實施例製造的疊層結構與軸的接合界面而獲得的圖像。
下文中，將參照附圖詳細描述本發明。在每幅附圖中，相同的部件由相同的附圖示記表示。進一步地，將省略已知功能和/或部件的具體實施模式。以下公開的內容主要描述了理解根據實施例的操作所需的部分，並且將省略對使描述的主旨模糊的元件的描述。此外，附圖中的部件中的一些可能被誇大、省略或示意性地示出。每個部件的尺寸並不完全反映真實尺寸，因此本文所公開的內容不受附圖所示部件的相對尺寸或間隔的限制。
如本文所使用的，術語“疊層(lamination)”用於指代每層的相對位置關係。表述“層A上的層B”是指層A和層B的相對位置關係，不一定要求層A和層B接觸，可以在這兩者之間插入第三層。類似地，表述“層A和層B間插入層C”不排除在層A與層C之間或者層B與層C之間插入第三層。
圖2是示意性地示出根據本發明的實施例的基座100的結構的截面圖。
參照圖2，軸120連接到板110的一個表面。
在圖2中，板110和軸120各自包括陶瓷燒結體。優選地，本發明中的每個燒結體可以包括包含氮化鋁(AlN)為主相的燒結體。本文中，燒結體是指每個部件的基礎材料。例如，板可以進一步包括內含物，諸如附著在其表面或安裝在其中的金屬導線或金屬網，但是本文中的板的燒結體是指排除上述異質元素的均質部分的基礎材料。
在本發明的燒結體中，AlN相是指具有AlN晶體結構的相，並且可以包括微量雜質在AlN晶體結構中處於置換(substitutional)或間隙(interstitial)固溶狀態的相。本文中，氮化鋁燒結體含有作為主相的AlN相，但也可以部分含有AlON相(即，Al23O27N5)。在本發明中，AlON相可以來源於AlN粉末中包含的微量氧或人工添加的Al2O3。
如關於AlN相所述，AlON相還可以包括其中微量雜質在晶體結構中處於置換或間隙固溶體狀態的同時保持其晶體結構的相。
在一實施例中，燒結體可以包含除了AlN和AlON相之外的附加相。附加相主要是由於添加了燒結助劑。例如，當MgO用作燒結助劑時，燒結體可以包含MgO或作為衍生自MgO的第二相的尖晶石相(spinel phase)，諸如MgAl2O4或Mg-Al-O-N。
本發明的基座的構成部件，例如：板或軸，附加地，緩衝元件，可以是包含AlN相作為主相的燒結體。這些成分中AlN相的含量可以為90wt%或以上、92wt%或以上、或95wt%或以上。
板110和軸120的相同之處在於均包括以AlN相作為主相的燒結體，但在具體的組成和特性方面不同。
本發明中的燒結體的具體組成可以根據每個部件的特性進行調整。例如，優選地，板110的高溫體積電阻較高。軸120需要具有低熱導率，以抑制板的熱損失。因此，板110和軸120可以被設計成具有不同的成分。
本發明的板110可以是含鎂的氮化鋁燒結體。板的燒結體可以進一步包含鈦(Ti)。所添加的鎂(Mg)或鈦(Ti)大大改善了氮化鋁燒結體的晶界(grain boundaries)和晶粒內電阻(intragranular resistance)，從而使燒結體能夠具有≧0.5E9Ω．cm的體積電阻，其對應於燒結體可以用於650℃高溫的技術水平。本發明的板110的體積電阻在650℃下可以為0.5E9Ω．cm或以上、0.8E9Ω．cm或以上、1.0E9Ω．cm或以上、或5.0E9Ω．cm或以上。
這可以透過下面描述的機制來解釋。本發明還可以透過本文未描述的其他機制來描述。
作為燒結助劑而添加的MgO與AlN原料粉末中包括的氧發生反應，以形成諸如鎂尖晶石(Mg spinel)的化合物。因此，AlN晶格結構中的固溶體中的氧含量降低。當在AlN晶格結構的固溶體中作為雜質的氧含量降低時，由氧在AlN晶格結構的固溶體中的晶格中產生的鋁空位(vacancies)減少，因此體積電阻增加。另一方面，可以透過添加Mg形成的Mg化合物，例如MgO或MgAl2O4，具有高體積電阻。因此，Mg化合物的析出率較低，可能對體積電阻產生負面影響。
另一方面，作為燒結助劑而添加的TiO2與AlN晶格內的鋁空位結合，從而防止晶格中的鋁空位促進離子傳導。因此，AlN顆粒的體積電阻增加。
AlN燒結體的熱導率透過添加MgO而降低。這可能是由於透過添加MgO而析出的諸如尖晶石的晶界相的熱導率低。然而，因為板110處於650℃或更高的高溫操作環境中，即暴露在高溫環境中，使得AlN材料的熱導率 降低，AlN的組成元素之間的熱導率差異逐漸減小，因此，熱導率並不作為設計的主要因子。
在本發明中，MgO和TiO2的添加量需要在最低限度或以上才能呈現有效效果，並且因為增加添加量可能達到飽和狀態，所以需要添加恰當的量。
例如，在本發明的板110的燒結體中，鎂的含量以MgO計可以為0.1wt%或更多、0.5wt%或更多或者1.0wt%或更多，並且可以為3.0wt%或更少、2.5wt%或更少、2.4wt%或更少、2.3wt%或更少、2.2wt%或更少、2.1wt%或更少或者2.0wt%或更少。
在板110的燒結體中，鈦(Ti)的含量以TiO2計可以為0.05wt%或更多、0.1wt%或更多、0.15wt%或更多、或者0.2wt%或更多。燒結體中的鈦(Ti)含量可以為0.5wt%或更少、0.4wt%或更少、0.3wt%或更少、或者0.25wt%或更少。
本發明的軸120由具有低熱導率的AlN燒結體組成。
優選地，軸120在室溫下具有70-100W/m．K的熱導率。優選地，軸120在550℃的溫度下具有35-65W/m．K的熱導率，並且在650℃的溫度下具有30-60W/m．K的熱導率。
構成本發明的基座的板、緩衝元件和軸的一實施例之熱導率範圍如下表1所示。
Figure 111134164-A0305-02-0010-1
透過調整燒結助劑的添加量，可以獲得本發明的具有低熱導率的AlN燒結體。AlN晶格中的固溶體中的氧降低AlN的熱導率。因此，抑制諸如鈣(Ca)和鎂(Mg)的鹼土金屬、諸如釔(Y)的稀土金屬以及被稱為燒結助劑的諸如鈦(Ti)的過渡金屬的含量，可以在晶格中保持諸如氧和空缺的聲子散射元素(phonon scattering element)，並且可以產生具有低熱導率的AlN燒結體。例如，軸可以是含有為2wt%或更少的氧化釔作為燒結助劑的AlN燒結體，並且其熱導率可以透過諸如氧化釔的燒結助劑的含量來控制。
或者，可以考慮將雜質人工引入AlN，例如添加Al2O3。然而，這些雜質可能導致AlON相的過度生成，從而導致軸和板之間的熱膨脹係數差異。
作為另一實施例，燒結體中的單個金屬元素的含量可以保持在1000ppm或更少。在這種情況下，可以實現熱導率非常低的軸。
圖3A至圖3C示出根據本發明的其他實施例的基座100結構的截面圖。
不同於圖2所示的基座的結構，圖3A至圖3C的基座的結構進一步包括緩衝元件130A和130B。在本實施例中，緩衝元件130A和130B可以使用與板110和軸120類似的AlN燒結體來實現。
緩衝元件130A和130B包含能夠在AlN燒結體的燒結溫度下至少局部形成液相的燒結助劑。例如，能夠形成液相的燒結助劑可以是稀土元素的氧化物。優選地，燒結助劑可以是Y2O3。在這種燒結溫度下產生的液相可以在緩衝元件與板之間以及緩衝元件與軸之間的界面中流動，以促進接合。
本發明的緩衝元件130的燒結體可以包含以Y2O3計3wt%或更多、3.5wt%或更多、或者4wt%或更多的釔金屬作為燒結助劑。燒結體可以包含 8wt%或更少、7wt%或更少、6%wt或更少或者5wt%或更少的Y2O3作為燒結助劑。
本發明的緩衝元件的燒結體可以透過添加諸如釔的稀土元素的燒結助劑而包含額外的相，諸如：Y2O3、YAG、YAP或YAM。緩衝元件的燒結體可以進一步包含存在於晶界或AlN相的三相點中的非晶相。
在本發明中，緩衝元件130A和130B可以具有如圖3A所示的、與軸120的接觸表面的形狀相符的環形，或者可以具有如圖3C所示的圓形。不同於此，緩衝元件可以具有如圖3B所示的、與板110的形狀相符以覆蓋板的表面的毯狀。
如圖3A至圖3C所示，本發明的板110、軸120以及緩衝元件130A、130B均為基於AlN相的材料。因此，可以最大限度地抑制其之間的熱膨脹係數差異。
圖4示出圖3A的接合部B附近的燒結體的微視結構的示意圖。
如圖所示，軸120、緩衝元件130和板110可以由具有不同平均粒徑的顆粒組成。例如，軸120的顆粒的平均粒徑大於板110的顆粒的平均粒徑，並且構成緩衝元件130的顆粒的平均粒徑優選地具有介於兩者之間的值。
本文中，“顆粒(grain)”是指構成燒結體的晶粒，根據情況也可以稱為“微粒(particle)”。如本文所使用的，術語“氮化鋁顆粒(aluminum nitride grain)”是指AlN相和/或AlON相的晶粒。如上所述，AlN相不僅包括純AlN，而且包括微量雜質在AlN晶體結構中處於置換或間隙固溶體中的同時保持其AlN晶體結構的相。AlON相也是如此。
在本實施例中，構成燒結體的顆粒的顆粒尺寸或平均粒徑可以根據ASTM E112標準來計算，其中顆粒尺寸數透過設定測量區域並計數該區域中的顆粒數量來確定。不同於此，平均顆粒尺寸可以透過程式分析，如：截距法 (Intercept method)、平面投影法(Planimetric method)和平面分類法模式(Planimetric method-Classification manner)等，利用圖像分析軟體(Image Analyzer Software)計算得到。
在板110的燒結體中，為了提升高溫下的機械強度，優選地，構成微粒的顆粒尺寸較小。在本發明中，在儘可能排除燒結助劑的同時對軸120進行燒結，因此需要更高的燒結溫度。因此，軸120的燒結體可以具有比板110的燒結體更大的顆粒尺寸。在本發明中，優選地，緩衝元件130的燒結體具有在板110的燒結體的顆粒尺寸與軸120的燒結體的顆粒尺寸之間的中間顆粒尺寸。
軸120的顆粒的平均粒徑例如可以為10μm或更大，板110的顆粒的平均粒徑可以為3μm或更小。緩衝元件130的顆粒的平均粒徑可以為4-9μm。
作為另一實施例，軸120的顆粒的平均粒徑例如可以為大於5μm，並且板110的顆粒的平均粒徑可以小於1μm。緩衝元件130的顆粒的平均粒徑可以為1-5μm。作為又一實施例，緩衝元件130的平均粒徑可以為5-9μm，軸120的顆粒的平均粒徑可以為10μm或更大，板110的顆粒的平均粒徑可以為4μm或更小。在本發明中，優選地，軸120的顆粒的平均粒徑可以小於30μm。
儘管到目前為止已經描述了軸120的顆粒的平均粒徑大於板110的顆粒的平均粒徑的情況，但是本發明不限於此。例如，軸120的顆粒的平均粒徑例如可以具有比板110的顆粒的平均粒徑更小的值。而且，在這種情況下，構成緩衝元件130的顆粒的平均粒徑具有軸120的顆粒的平均粒徑與板110的顆粒的平均粒徑之間的值。
在本發明中，燒結體的顆粒的平均粒徑當然可以透過改變初始原料的平均粒徑來控制。
圖5A至圖5C是示出用於製造包括緩衝元件130的疊層結構的本發明的各個實施例的示意圖。
參照圖5A，緩衝元件130設定在板110與軸120之間。該結構類似於上述結構。緩衝元件130可以是板狀氮化鋁燒結體。透過使用如上所述的這種板狀燒結體，可以在沒有附加黏合劑的情況下製造板110/緩衝元件130/軸120的疊層結構。圖5A所示的疊層結構可以透過諸如熱壓的接合而一體成形。
圖5B示出了疊層結構，其中，在板110/緩衝元件130/軸120的疊層結構中，額外的接合劑層132和134被添加在板110與緩衝元件130之間以及緩衝元件130與軸120之間。所添加的接合劑層132、134可以是陶瓷黏合劑或陶瓷漿料，以促進板110/緩衝元件130/軸120的接合。可以透過燒結如圖3B所示的疊層結構來製造基座。在本發明中，陶瓷黏合劑或陶瓷漿料可以含有氮化鋁作為主要原料，但不限於此。
圖5C示出了板110/緩衝元件130/軸120的疊層結構，其中在軸120與緩衝元件130之間添加額外的接合劑層136。所添加的接合劑層136可以是陶瓷黏合劑或陶瓷漿料，以促進緩衝元件130/軸120的接合。根據本實施例的結構，首先在不具有接合劑層的情況下透過同時燒結板/緩衝元件來製造疊層結構，並且透過使用接合劑層將所製造的疊層結構接合到軸上，從而製造出最終產品。
參照圖5B和圖5C描述的接合劑層132、134和136，由於存在緩衝元件130，其可以塗覆的非常薄。
<示例1>
根據燒結助劑的類型和含量的不同，在1700-1900℃的溫度下製備AlN燒結體。將德山公司(Tokuyama Corporation)的AlN粉末用作為本實施例的AlN粉末。AlN粉末中的金屬雜質和氧的含量如下表2所示。
Figure 111134164-A0305-02-0015-2
表3示出了所製備的燒結體樣品中的燒結助劑混合組分、燒結溫度和燒結體平均粒徑。
Figure 111134164-A0305-02-0015-3
測量了所製備樣品的體積電阻和熱導率，結果如表3所示。體積電阻和熱導率測量條件如下。
體積電阻：記錄透過以下模式獲得的體積電阻值：將燒結體製備成直徑為40mm、濃度為1mm的試樣，使電極具有20mm的主電極直徑以及32mm(內徑)和38mm(外徑)的保護電極直徑的形狀，基於施加的電場將施加電壓設定為100V/mm，並且保持電壓施加時間60秒。
熱導率測量方法：燒結體的熱擴散係數透過雷射閃光法(laser flash method)計算。熱導率透過所計算的熱擴散係數由公式“密度(density)X比熱容(specific heat)X擴散係數(coefficient of diffusion)=熱導率(W/mK)”匯出。
Figure 111134164-A0305-02-0015-4
<示例2>
由具有示例1中的組分#1的混合原料粉末製備成型體。在該成型體上，疊層由具有示例1的組成#3的混合原料粉末形成的成型體。所疊層的成型體在1700-1800℃的溫度下透過熱壓燒結。
圖6是示出燒結體的截面的示意圖。圖6的圖像示出了加熱元件和嵌入在下面的板內的網狀電極。
<示例3>
在示例2中製備的具有疊層結構的燒結體中，在含有Y2O3的燒結體的表面上塗覆有濃度為60μm(範圍:50~70μm)的接合糊劑。接合糊劑使用的組合物中，Al2O3、CaO和Y2O3添加到AlN基體中。
在塗覆有接合劑的表面上疊層軸的具有低熱導率的燒結體，然後在用單獨的夾具壓縮疊層部位的同時進行接合處理。在1650℃-1780℃的溫度下進行接合過程。圖7是對所製備的疊層接合體與軸120的接合界面進行拍攝而得到的截面圖像。
為了更廣泛地理解本發明，已經發明了本發明中的特定內容以及諸如特定元件的所限定的示例性實施例和附圖，但是本發明不限於示例性實施例，並且本領域技術人員可以在不脫離本發明的實質特徵的情況下進行各種修改和改變。因此，本發明的精神由所附申請專利範圍而不是由其後的說明書來定義，並且所有落入申請專利範圍的界限和範圍內或者這種界限和範圍的等效方案的變化和修改都旨在涵蓋在本發明的精神範圍內。
100:
110:
120:

Claims (14)

  1. 一種基座，包括用於晶圓安裝的一板和連接到所述板的一軸，其中所述板和所述軸各自包括具有90wt%或更多的AlN相的一燒結體，所述板的所述燒結體是在650℃下具有5*108Ω．cm或更大的體積電阻的含鎂AlN燒結體，並且所述軸的所述燒結體是具有100W/mK或更低的室溫導熱率的AlN燒結體。
  2. 如請求項1所述的基座，其中所述板的所述燒結體包含以MgO計為0.05-3.0wt%的鎂。
  3. 如請求項2所述的基座，其中所述板的所述燒結體包含以TiO2計為0.05-0.5wt%的鈦。
  4. 如請求項1所述的基座，進一步包括介於所述板與所述軸之間的一緩衝元件。
  5. 如請求項4所述的基座，其中所述緩衝元件在所述緩衝元件的一燒結體中AlN相為90wt%或更多。
  6. 如請求項5所述的基座，其中所述緩衝元件包含以Y2O3計為3-8wt%的釔。
  7. 如請求項1所述的基座，其中所述緩衝元件為毯狀、環形或圓形形狀。
  8. 如請求項1所述的基座，其中當所述板、所述緩衝元件和所述軸的所述燒結體中AlN顆粒的平均粒徑分別為第一平均粒徑、第二平均粒徑和第三平均粒徑時，建立所述第一平均粒徑小於所述第二平均粒徑，且所述第二平均粒徑小於所述第三平均粒徑的關係。
  9. 一種基座的製造方法，所述方法包括： 提供一疊層結構，所述疊層結構具有一含鎂AlN燒結體的板、一含釔AlN預燒結體或燒結體的緩衝元件、以及一具有100W/mK或更低的熱導率的AlN燒結體的軸；並且對所述疊層結構進行燒結。
  10. 如請求項9所述的方法，其中在提供所述疊層結構時，所述緩衝元件為AlN燒結體，並且所述板和所述緩衝元件以整體燒結的狀態來提供。
  11. 如請求項9所述的方法，其中所述板的燒結體包含以MgO計為0.5-3.0wt%的鎂。
  12. 如請求項9所述的方法，其中在提供所述疊層結構時，所述緩衝元件包含以氧化釔計為3-8wt%的釔。
  13. 如請求項9所述的方法，其中所述板的燒結體包含以TiO2計為0.05-0.5wt%的鈦。
  14. 如請求項9所述的方法，其中在提供所述疊層結構時，當所述板、所述緩衝元件和所述軸的燒結體中AlN顆粒的平均粒徑分別為第一平均粒徑、第二平均粒徑和第三平均粒徑時，建立所述第一平均粒徑小於所述第二平均粒徑，且所述第二平均粒徑小於所述第三平均粒徑的關係。
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