TW201827498A - 片狀預浸體 - Google Patents

片狀預浸體 Download PDF

Info

Publication number
TW201827498A
TW201827498A TW106134745A TW106134745A TW201827498A TW 201827498 A TW201827498 A TW 201827498A TW 106134745 A TW106134745 A TW 106134745A TW 106134745 A TW106134745 A TW 106134745A TW 201827498 A TW201827498 A TW 201827498A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sheet
hardening
weight
shaped prepreg
compound
Prior art date
Application number
TW106134745A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI735677B (zh
Inventor
三宅弘人
堤聖晴
家城良典
Original Assignee
日商大賽璐股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商大賽璐股份有限公司 filed Critical 日商大賽璐股份有限公司
Publication of TW201827498A publication Critical patent/TW201827498A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI735677B publication Critical patent/TWI735677B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/248—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using pre-treated fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4238—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof heterocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4284—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof together with other curing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/5006—Amines aliphatic
    • C08G59/502—Polyalkylene polyamines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/504—Amines containing an atom other than nitrogen belonging to the amine group, carbon and hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/621—Phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/62—Alcohols or phenols
    • C08G59/625—Hydroxyacids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/686—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/241—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres
    • C08J5/244—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using inorganic fibres using glass fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/24—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs
    • C08J5/245—Impregnating materials with prepolymers which can be polymerised in situ, e.g. manufacture of prepregs using natural fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/04—Carbon
    • C08K3/041—Carbon nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L1/00—Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
    • C08L1/02—Cellulose; Modified cellulose
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/10—Materials in mouldable or extrudable form for sealing or packing joints or covers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561—Batch processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C08J2363/02—Polyglycidyl ethers of bis-phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00—Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • C08J2363/04—Epoxynovolacs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/004—Additives being defined by their length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
    • H01L2224/02379—Fan-out arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

提供一種兼具低熱線性膨脹係數及高柔軟性且抗翹曲性及抗破裂性優異之片狀預浸體。
本發明的片狀預浸體，係具有由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成的片狀多孔性支撐物之孔內填充有下述硬化性組成物的構造之片狀預浸體，該片狀預浸體的硬化物的玻璃轉移溫度為-60℃以上且100℃以下；硬化性組成物：含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/或硬化觸媒(C)之組成物，而且(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq的環氧化合物之組成物。

Description

片狀預浸體
本發明係有關於一種能夠應用作為扇出型晶圓級封裝(FOWLP：Fan Out Wafer Level Package)用密封材料和基板的抗翹曲材料之片狀預浸體。本申請案係基於2016年10月17日在日本提出申請的特願2016-203799號而主張優先權，並於此引用其內容。
半導體封裝的新穎技術/製造方法之扇出型晶圓級封裝係藉由將已單片化的半導體晶片再配置在基板上且密封，而製造再構築晶圓之後，製造再佈線層/BGA等且進行單片化封裝之製造方法。
前述密封方法係以使用環氧樹脂之樹脂密封為主流。但是，樹脂密封由於樹脂的硬化收縮和熱膨脹而有在封裝後產生翹曲之問題。此問題是因為密封樹脂的熱線性膨脹係數較晶片的熱線性膨脹係數大所引起。
作為減低密封樹脂的熱線性膨脹係數而防止翹曲之方法，已知有將大量的填料添加至密封樹脂之方法(專利文獻1)。但是，添加大量的填料時，密封樹脂的熔融黏度會顯著地上升，而有使用性降低之問題。而且，由 於密封樹脂的柔軟性降低而變得硬且脆，亦有變得容易產生破裂之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-56141號公報
因此，本發明之目的在於提供一種片狀預浸體，其係兼具低熱線性膨脹係數與高柔軟性，且抗翹曲性及抗破裂性優異之者。
為了解決上述課題，本發明者等專心研討之結果，發現在由熱線性膨脹係數較低的素材所成之片狀多孔性支撐物填充含有環氧當量為140至3000g/eq的環氧化合物之硬化性組成物而得到之片狀預浸體的硬化物，因熱所致的收縮率和膨脹率較小，且具有適當的柔軟性，故前述硬化物具有優異的抗翹曲性及抗破裂性。本發明係基該等見解而完成者。
亦即，本發明係提供一種片狀預浸體，其係具有由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成的片狀多孔性支撐物之孔內填充有下述硬化性組成物的構造，該片狀預浸體的硬化物的玻璃轉移溫度為-60℃以上且100℃以下； 硬化性組成物：含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/或硬化觸媒(C)之組成物，其中，(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq的環氧化合物。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，硬化性組成物係以成為下述的比例之方式含有硬化劑(B)；相對於硬化性化合物(A)的硬化性基1莫耳，硬化劑(B)的反應性基為0.8至1.2莫耳。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，硬化性組成物係以相對於前述(A)100重量份，(C)為0.1至10重量份之比例含有硬化性化合物(A)及硬化觸媒(C)。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，在硬化性組成物所含有的全部硬化性化合物(A)(亦含有硬化劑(B)時，係全部硬化性化合物(A)與全部硬化劑(B))之每官能基的分子量的加權平均值為180至1000g/eq。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，硬化性組成物的硬化物之熱線性膨脹係數為100ppm/K以上，且片狀預浸體的硬化物之熱線性膨脹係數為55ppm/K以下。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，硬化性組成物為相對於硬化性化合物(A)100重量份含有1至50重量份之填料(D)。
本發明更提供前述的片狀預浸體，其中，片狀多孔性支撐物的厚度為5至500μm。
本發明更提供前述的片狀預浸體，係壓縮 成形用密封材料。
本發明更提供前述的片狀預浸體，係扇出型晶圓級封裝用密封材料。
本發明更提供前述的片狀預浸體，係厚度100μm以下的薄化矽晶片或薄化基板的抗翹曲材料。
本發明的片狀預浸體，係藉由熱硬化而具有適當的柔軟性，而且因熱所致的收縮率和膨脹率較低，可以形成可發揮優異的抗翹曲性及抗破裂性之硬化物。因此，本發明的片狀預浸體係能夠適合使用作為FOWLP用密封材料和基板抗翹曲材料。
1‧‧‧支撐物
2‧‧‧暫時固定膠帶
3‧‧‧晶片
4‧‧‧片狀預浸體
5‧‧‧表面平坦化用基板
6‧‧‧半導體封裝
7‧‧‧翹曲量
第1圖係表示使用本發明的片狀預浸體之FOWLP的製造方法的一個例子之示意圖。
第2圖係表示翹曲量的測定方法之圖。
[片狀預浸體]
本發明的片狀預浸體，係具有由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成的片狀多孔性支撐物之孔內填充有下述硬化性組成物之構造，該片狀預浸體的硬化物之玻璃轉移溫度為-60℃以上且100℃以下； 硬化性組成物：含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/ 或硬化觸媒(C)之組成物，其中，(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq的環氧化合物。
[片狀多孔性支撐物]
本發明之片狀多孔性支撐物(於後，有簡稱為「多孔性支撐物」之情形)，係由熱線性膨脹係數[例如在-20℃至300℃(較佳為-10至300℃，特佳為0至300℃，最佳為0至250℃)之熱線性膨脹係數]為10ppm/K以下(較佳是7ppm/K以下，特佳是5ppm/K以下)之素材所構成。因為本發明的片狀預浸體係使用由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成之多孔性支撐物，所以能夠將硬化收縮率及熱線性膨脹係數抑制為較小，且在可抑制賦予熱衝撃造成的翹曲之同時，可抑制產生破裂。
作為熱線性膨脹係數為10ppm/K以下之素材，例如可舉出：紙、纖維素、玻璃纖維、液晶材料等。在本發明，尤其是以紙、纖維素、玻璃纖維為佳，特別是就輕量且容易取得而言，以纖維素為佳。
多孔性支撐物的空隙率係例如90至10vol%，較佳為80至30vol%，特佳為70至30vol%，最佳為70至50vol%。空隙率低於上述範圍時，則會變得難以含浸充分量的後述硬化性組成物，且有不易得到表面平滑性之傾向。另一方面，空隙率高於上述範圍時，則無法充分地得到藉由多孔性支撐物之增強效果，而且有變得難以將硬化收縮率及熱線性膨脹係數抑制為較小之傾向。
又，在本說明書之所謂「空隙率」，係表示在多孔性支撐物中之空隙的體積率。多孔性支撐物的空隙率，係可對於10cm×10cm的試樣測定其表面面積、厚度及質量，且從下述式算出。在此，Ar為多孔性支撐物的面積(cm2)，t為厚度(cm)，W為多孔性支撐物的質量(g)，M為多孔性支撐物的素材之密度。多孔性支撐物的厚度(t)係使用膜厚計(PEACOK公司製PDN-20)，對於多孔性支撐物的各種位置進行10點測定且採用其平均值。
空隙率(vol%)={1-W/(M×Ar×t)}×100
多孔性支撐物的厚度，係例如5至500μm。下限係較佳為10μm，特佳為15μm，最佳為20μm。而且，上限係較佳為300μm，較佳為200μm，特佳為100μm，最佳為75μm。多孔性支撐物的厚度係能夠在上述範圍適當地進行調整，例如當硬化性組成物單獨的硬化物的Tg較低時，可藉由將多孔性支撐物薄化而將硬化收縮率抑制為較小。當硬化性組成物單獨的硬化物的Tg提高時，可藉由將多孔性支撐物增厚而將熱線性膨脹係數抑制為較小。多孔性支撐物的厚度高於上述範圍時，會有變得難以因應電子機器的小型化、輕量化之要求之傾向。另一方面，厚度低於上述範圍時，會變得難以得到充分的強韌性，例如使用作為FOWLP用密封材料時，會變得難以藉由封裝而高強度化，在使用作為抗翹曲劑時亦有變得難以防止經薄化的矽晶片和基板的翹曲之傾向。
[硬化性組成物]
本發明的硬化性組成物，係含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/或硬化觸媒(C)之組成物，且(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq之環氧化合物。
(硬化性化合物(A))
硬化性化合物(A)，係含有(A)總量的50重量%以上(較佳為70重量%以上，特佳為80重量%以上，最佳為90重量%以上，上限為100重量%)之環氧當量(g/eq)為140至3000(以170至1000為佳，較佳為180至1000，特佳為180至500)的環氧化合物。若是過剩地含有環氧當量脫離上述範圍之化合物，則硬化性組成物單獨的硬化物之柔軟性降低且抗破裂性降低，故為不佳。
環氧化合物係包括脂環式環氧化合物、芳香族環氧化合物及脂肪族環氧化合物等。
<脂環式環氧化合物>
作為上述脂環式環氧化合物，係包括在分子內具有1個以上的脂環及1個以上的環氧基之周知或慣用的化合物，惟較佳為以下的化合物等，(1)環氧基直接單鍵鍵結在脂環之化合物，(2)在分子內具有脂環及環氧丙基醚基之化合物(環氧丙基醚型環氧化合物)。
作為上述(1)之環氧基直接單鍵鍵結在脂環 之化合物，例如可舉出下述式(i)表示之化合物等。
式(i)中，R≡係從p元醇的結構式除去p個羥基(-OH)後之基(p價有機基)，p、n係分別表示自然數。作為p價的醇[R≡(OH)p]，可舉出2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇等多元醇(碳數1至15的醇類等)等。p係以1至6為佳，n係以1至30為佳。p為2以上時，在各個的[ ]內(外側的方括弧內)的基之n可為相同亦可不同。作為上述式(i)表示之化合物，具體而言，可舉出2,2-雙(羥甲基)-1-丁醇的1,2-環氧基-4-(2-環氧乙烷基)環己烷加成物[例如商品名「EHPE3150」(Daicel股份公司製)等]等。
作為在上述(2)分子內具有脂環及環氧丙基醚基之化合物，例如可舉出脂環式醇(特別是脂環式多元醇)的環氧丙基醚。更詳言之，例如可舉出：2,2-雙[4-(2,3-環氧丙氧基)環己基]丙烷、2,2-雙[3,5-二甲基-4-(2,3-環氧丙氧基)環己基]丙烷等雙酚A型環氧化合物經氫化之化合物(氫化雙酚A型環氧化合物)；雙[o,o-(2,3-環氧丙氧基)環己基]甲烷、雙[o,p-(2,3-環氧丙氧基)環己基]甲烷、雙[p,p-(2,3-環氧丙氧基)環己基]甲烷、雙[3,5-二甲基-4-(2,3-環氧丙氧基)環己基]甲烷等雙酚F型環氧化合物經氫化之化合物(氫化雙酚F型環氧化合物)；氫化聯苯酚型環氧化合物；氫化苯酚酚醛清漆型環氧化合物；氫化甲酚酚醛清 漆型環氧化合物；雙酚A的氫化甲酚酚醛清漆型環氧化合物；氫化萘型環氧化合物；從三苯酚甲烷得到的環氧化合物經氫化之化合物等。
<芳香族環氧化合物>
作為上述芳香族環氧化合物，例如可舉出：藉由雙酚類[例如雙酚A、雙酚F、雙酚S、茀雙酚等]與表鹵醇的縮合反應而得到之表雙(Epi-Bis)型環氧丙基醚型環氧樹脂；藉由使該等表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂進一步與上述雙酚類加成反應而得到的高分子量表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂；後述之改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂；藉由使酚類[例如苯酚、甲酚、二甲苯酚、間苯二酚、兒茶酚、雙酚A、雙酚F、雙酚S等]與醛[例如甲醛、乙醛、苯甲醛、羥基苯甲醛、柳醛等]縮合反應而得之多元醇類，進一步與表鹵醇縮合反應而得之酚醛清漆/烷基型環氧丙基醚型環氧樹脂；在2個苯酚骨架鍵結於茀環的9位置且從該等苯酚骨架的羥基除去氫原子而成之氧原子，分別直接或經由伸烷氧基而鍵結有環氧丙基之環氧化合物等。
作為前述改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂，例如可舉出下述式(ii)表示之化合物。下述式中，R1至R4可相同或不同，表示氫原子或烴基。k係表示1以上的整數。L1表示低極性鍵結基，L2表示柔軟性骨架。
前述烴係包含脂肪族烴基、脂環式烴基、芳香族烴基及該等鍵結而成之基。
作為脂肪族烴基，係以碳數1至20的脂肪族烴基為佳，例如能夠舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、癸基、十二基等碳數1至20(較佳為1至10，特佳為1至3)左右的烷基；乙烯基、烯丙基、1-丁烯基等碳數2至20(較佳為2至10，特佳為2至3)左右的烯基；乙炔基、丙炔基等碳數2至20(較佳為2至10，特佳為2至3)左右的炔基等。
作為脂環式烴基，係以3至10員的脂環式烴基為佳，例如能夠舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環辛基等3至8員(較佳為5至8員)左右的環烷基等。
作為芳香族烴基，係以碳數6至14(較佳為6至10)的芳香族烴基為佳，例如能夠舉出苯基等。
作為前述R1至R4，尤其是以脂肪族烴基(特別是烷基)為佳。
前述L1係表示低極性鍵結基，例如能夠舉出亞甲基、甲基亞甲基、二甲基亞甲基、伸乙基等碳數1至3的直鏈狀或分枝鏈狀伸烷基。
前述L2係表示柔軟性骨架，例如能夠舉出 碳數2至4的氧伸烷基。具體而言，可舉出氧伸乙基、氧伸丙基、氧伸丁基、氧四亞甲基等。
因為改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂具有上述結構，故添加在硬化性組成物時能夠得到提升抗破裂性之效果。
作為前述改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂，係可適合使用下述式(ii-1)表示之化合物。在本發明，係例如可使用商品名「EPICLON EXA-4850-1000」(環氧當量：350，DIC公司製)、商品名「EPICLON EXA-4850-150」(環氧當量：433，DIC公司製)等的市售品。
<脂肪族環氧化合物>
作為上述脂肪族環氧化合物，例如可舉出q價之不具有環狀結構之醇(q為自然數)的環氧丙基醚；一價或多元羧酸[例如乙酸、丙酸、丁酸、硬脂酸、己二酸、癸二酸、順丁烯二酸、伊康酸等]的環氧丙基酯；環氧化亞麻仁油、環氧化大豆油、環氧化蓖麻油等具有雙鍵之油脂的環氧化物；環氧化聚丁二烯等聚烯烴(包含聚二烯烴)的環氧化物等。又，作為上述q價之不具有環狀結構之醇，例如可舉出：甲醇、乙醇、1-丙醇、異丙醇、1-丁醇等一元醇；乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、 1,6-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、二丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等的二元醇；甘油、二甘油、赤藻糖醇(erythritol)、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、新戊四醇、二新戊四醇、山梨糖醇等三元以上的多元醇等。而且，q元醇亦可為聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚烯烴多元醇等。
(硬化劑(B))
構成本發明的硬化性組成物之硬化劑(B)，係發揮使環氧化合物硬化的作用之化合物。
作為硬化劑(B)，可使用周知或慣用的硬化劑作為環氧樹脂用硬化劑。例如可舉出酸酐、二羧酸、胺、聚醯胺樹脂、咪唑、聚硫醇、苯酚、多元羧酸、二氰二胺(dicyanodiamide)、有機酸醯肼等。尤其是就可靠性優異之點而言，在本發明中係以選自由酸酐(b-1)、二羧酸(b-2)、胺(b-3)及酚(b-4)所組成群組之至少1種化合物為佳。
硬化劑(B)的每官能基之分子量，係例如10至10000g/eq(較佳為20至8000g/eq，更佳為20至7000g/eq，又更佳為20至5000g/eq，特佳為20至2000g/eq，最佳為20至1000g/eq)。
作為酸酐(b-1)，例如可舉出甲基四氫鄰苯二甲酸酐(4-甲基四氫鄰苯二甲酸酐、3-甲基四氫鄰苯二甲酸酐等)、甲基六氫鄰苯二甲酸酐(4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、3-甲基六氫鄰苯二甲酸酐等)、十二烯基琥珀酸酐、甲 基內亞甲基四氫鄰苯二甲酸酐、鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基環己烯二羧酸酐、苯均四甲酸二酐、苯偏三酸酐、二苯基酮四羧酸酐、納迪克酸酐(nadic anhydride)、甲基納迪克酸酐、氫化甲基納迪克酸酐、4-(4-甲基-3-戊烯基)四氫鄰苯二甲酸酐、琥珀酸酐、己二酸酐、癸二酸酐、十二烷二酸酐、甲基環己烯四羧酸酐、乙烯醚-順丁烯二酸酐共聚物、烷基苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物等。就操作性的觀點而言，其中尤以在25℃為液狀的酸酐[例如甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、十二烯基琥珀酸酐、甲基內亞甲基四氫鄰苯二甲酸酐等]為佳。作為酸酐系硬化劑，就抗破裂性特別優異之點而言，係以飽和單環烴二羧酸酐(亦包括在環鍵結有烷基等取代基者)為佳。
作為酸酐(b-1)，例如可適合使用商品名「Rikacid MH700F」(新日本理化股份公司製)、商品名「HN-5500」(日立化成工業股份公司製)等的市售品。
作為二羧酸(b-2)，例如可舉出：4,4’-聯苯二羧酸、2,2’-聯苯二羧酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸等芳香族系二羧酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、己二酸、1,6-己烷二羧酸、1,2-環己烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸等脂肪族系二羧酸；使酸酐多元醇化合物反應而得之酯型二羧酸；等。該等之中，尤佳為使酸酐與多元醇化合物反應而得之酯型二羧酸。
作為在前述酯型二羧酸的合成所使用的酸 酐，係以脂環族酸酐為佳，尤其是以4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐為佳。
作為多元醇化合物，係以二元或三元的脂肪族醇為佳，例如可舉出：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,10-癸烷二醇、新戊二醇、二羥甲基丙烷、聚C1-5伸烷二醇(例如聚乙二醇、聚丙二醇等)等二元的脂肪族醇；甘油、三羥甲基丙烷等三元的脂肪族醇類等。
該等之中，係以二元的脂肪族醇為佳，以聚C1-5伸烷二醇為特佳。前述聚C1-5伸烷二醇的重量平均分子量係例如500至2000，較佳為600至1600。
作為使酸酐與多元醇化合物反應而得之酯型二羧酸，係以下述式(b-2-1)表示之化合物為佳。
式(b-2-1)中，R5、R6係可相同或不同且表示碳數1至5的烷基，尤其是以甲基或乙基為佳。m1、m2係相同或不同且表示0至4的整數。L係從多元醇化合物除去2個羥基後之基(二價基)，其中尤以從聚乙二醇或聚丙二醇除去2個羥基後之基為佳。
作為二羧酸(b-2)，例如可適合使用商品名「Rikacid HF-08」(新日本理化股份公司製)等的市售品。
作為胺(b-3)，例如可舉出：伸乙二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺、四伸乙五胺、二伸丙二胺、二乙胺基丙胺、聚伸丙三胺等脂肪族多元胺；薄荷烯二胺(menthene diamine)、異佛酮二胺、雙(4-胺基-3-甲基二環己基)甲烷、二胺基二環己基甲烷、雙(胺甲基)環己烷、N-胺基乙基哌、3,9-雙(3-胺基丙基)-3,4,8,10-四氧雜螺[5,5]十一烷等脂環式多元胺；間伸苯二胺、對伸苯二胺、甲伸苯基-2,4-二胺、甲伸苯基-2,6-二胺、1,3,5-三甲苯-2,4-二胺、3,5-二乙基甲伸苯基-2,4-二胺、3,5-二乙基甲伸苯基-2,6-二胺等單核多元胺、聯伸苯二胺、4,4-二胺基二苯基甲烷、2,5-伸萘二胺、2,6-伸萘二胺等芳香族多元胺等。
作為酚(b-4)，例如可舉出酚醛清漆型酚樹脂、酚醛清漆型甲酚樹脂、對二甲苯改性酚樹脂、對二甲苯/間二甲苯改性酚樹脂等芳烷基樹脂、萜烯改性酚樹脂、二環戊二烯改性酚樹脂、三苯酚丙烷等。
(硬化觸媒(C))
本發明的硬化性組成物，亦可含有硬化觸媒(C)以取代上述的硬化劑(B)、或同時含有上述的硬化劑(B)及硬化觸媒(C)。藉由使用硬化觸媒(C)，可使環氧化合物的硬化反應進行，得到硬化物。上述硬化觸媒(C)並沒有特別限定，惟例如可使用1種或2種以上之藉由施行紫外線照射或加熱處理來產生陽離子物種，且使聚合開始之陽離子觸媒(陽離子聚合起始劑)。
作為藉由紫外線照射而產生陽離子物種之陽離子觸媒，例如可舉出：六氟銻酸鹽、五氟羥基銻酸鹽、六氟磷酸鹽、六氟砷酸鹽等。作為上述陽離子觸媒，例如能夠使用商品名「UVACURE1590」(Daicel．CYTEC股份公司製)、商品名「CD-1010」、「CD-1011」、「CD-1012」(以上為美國SATOMER製)、商品名「IRGACURE 264」(CIBA Japan股份公司製)、商品名「CIT-1682」(日本曹達股份公司製)等市售品。
藉由施行加熱處理而產生陽離子物種之陽離子觸媒，例如可舉出：芳基重氮鎓鹽、芳基碘鎓鹽、芳基鋶鹽、丙二烯-離子錯合物等。作為上述陽離子觸媒，例如可使用商品名「PP-33」、「CP-66」、「CP-77」(以上為ADEKA股份公司製)、商品名「FC-509」(3M製)、商品名「UVE1014」(G.E.製)、商品名「San-aid SI-60L」、「San-aid SI-80L」、「San-aid SI-100L」、「San-aid SI-110L」、「San-aid SI-150L」(以上為三新化學工業股份公司製)、商品名「CG-24-61」(CIBA Japan股份公司製)等市售品。作為上述陽離子觸媒，亦能夠進一步使用鋁、鈦等金屬和乙醯乙酸或二酮類之螫合化合物與三苯基矽醇等矽醇之化合物，或是鋁、鈦等金屬和乙醯乙酸或二酮類之螫合化合物與雙酚S等酚類之化合物等。
(填料(D))
本發明的硬化性組成物，亦可進一步含有1種或2種 以上的填料(D)。藉由含有填料(D)，可將硬化收縮率及熱線性膨脹係數抑制為更小，且可提升翹曲的抑制效果。而且，硬化性組成物係含有填料(D)時，亦能夠得到抑制填充在多孔性支撐物的孔內的硬化性組成物往孔外流出之效果。
作為前述填料(D)，例如可舉出：氧化矽(例如天然氧化矽、合成氧化矽等)、氧化鋁(例如α-氧化鋁等)、氧化鈦、氧化鋯、氧化鎂、氧化鈰、氧化釔、氧化鈣、氧化鋅、氧化鐵等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂等碳酸鹽；硫酸鋇、硫酸鋁、硫酸鈣等硫酸鹽；氮化鋁、氮化矽、氮化鈦、氮化硼等氮化物；氫氧化鈣、氫氧化鋁、氫氧化鎂等氫氧化物；雲母、滑石、高嶺土、高嶺土黏土、高嶺石、禾樂石(halloysite)、葉蠟石、蒙脫石、絹雲母、鎂綠泥石(amesite)、膨土、石棉、矽灰石、海泡石(sepiolite)、金蛭石(zonolite)、沸石、水滑石、飛灰、脫水污泥、玻璃珠粒、玻璃纖維、矽藻土、矽砂、碳黑、鋁矽鐵粉(sendust)、鋁鎳鈷磁鐵、各種磁性氧化物(ferrite)等的磁性粉、水合石膏、明礬、三氧化銻、硫酸氧鎂、碳化矽、鈦酸鉀、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、磷酸鎂、銅、鐵等。而且，亦可使用碳材料之單層或多層奈米碳管、石墨烯、氧化石墨烯等。上述填料可具有實心結構、中空結構、多孔質結構等任一種結構。而且，上述填料例如亦可為經有機鹵素取代矽烷、有機烷氧基矽烷、有機矽氮烷等有機矽化合物等周知的表面處理劑進行表面處理者。
填料(D)的形狀係沒有特別限定，例如可舉出：球狀(正球狀、略正球狀、橢圓球狀等)、多面體狀、棒狀(圓柱狀、角柱狀等)、平板狀、鱗片狀、不定形狀等。
填料(D)的平均粒徑係例如5nm至100μm，較佳為50nm至50μm，特佳為100nm至30μm。平均粒徑低於上述範圍時，黏度顯著地上升且有操作變得困難之傾向。另一方面，平均粒徑高於上述範圍時，有抗破裂性降低之傾向。而且，亦可將尺寸在上述範圍內的填料混合2種以上而使用，藉此能夠控制黏度及物性。又，無機填料的平均粒徑係使用雷射繞射/散射法之中位直徑(d50)。
(硬化促進劑)
本發明的硬化性組成物，可同時含有硬化劑(B)及硬化促進劑。藉由同時含有硬化劑(B)及硬化促進劑，能夠得到促進硬化速度之效果。作為硬化促進劑，可使用周知或慣用的硬化促進劑，而沒有特別限定，例如可舉出：1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一烯-7(DBU)、及其鹽(例如苯酚鹽、辛酸鹽、對甲苯磺酸鹽、甲酸鹽、四苯基硼酸鹽)；1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬烯-5(DBN)、及其鹽(例如苯酚鹽、辛酸鹽、對甲苯磺酸鹽、甲酸鹽、四苯基硼酸鹽)；苄基二甲胺、2,4,6-參(二甲基胺甲基)苯酚、N,N-二甲基環己胺等第3級胺；2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑等咪唑類；磷酸酯、三苯基膦(TPP)等膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、四苯基鏻四(對甲苯基)硼酸鹽等鏻化合物；辛酸錫、 辛酸鋅等有機金屬鹽；金屬螫合物等。該等可單獨使用1種、或組合2種以上而使用。
作為硬化促進劑，例如可適合使用商品名「U-CAT SA 506」、「U-CAT SA 102」、「U-CAT 5003」、「U-CAT 18X」、「U-CAT 12XD)」(以上為SAN-APRO股份公司製)，商品名「TPP-K」、「TPP-MK」(以上為北興化學工業股份公司製)，商品名「PX-4ET」(日本化學工業股份公司製)等市售品。
在本發明的硬化性組成物總量中，硬化性化合物(A)的含量係例如30至98重量%。而且，在本發明的硬化性組成物總量中，芳香族環氧化合物(例如選自表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂、高分子量表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂及改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂之化合物)的含量係例如30至98重量%。又且，在本發明的硬化性組成物總量中，芳香族環氧化合物以外的環氧化合物所佔的比例，係例如20重量%以下，較佳為10重量%以下，特佳為5重量%以下，最佳為1重量%以下。
在本發明的硬化性組成物所含有的環氧化合物總量中，芳香族環氧化合物(例如選自表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂、高分子量表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂及改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂之化合物)所佔的比例，係例如60重量%以上，較佳為70重量%以上，特佳為80重量%以上，最佳為90重量%以上。又，上限為100重量%。因此，在本發明的硬化性組成物所含有的環氧化 合物總量中，芳香族環氧化合物以外的環氧化合物所佔的比例係例如40重量%以下，較佳為30重量%以下，特佳為20重量%以下，最佳為10重量%以下。
硬化性組成物含有硬化劑(B)時，相對於硬化性化合物(A)的硬化性基1莫耳，較佳係以硬化劑(B)的反應性基成為0.8至1.2莫耳之比例含有硬化劑(B)。而且，所謂「硬化性基」，係意指硬化性化合物(A)所具有之硬化性官能基。作為硬化性化合物(A)的硬化性基並沒有特別限定，惟可例示環氧基((A)為環氧化合物之情況)。而且，所謂「反應性基」，係意指能夠與硬化性化合物(A)的「硬化性基」反應之硬化劑(B)所具有的官能基。作為硬化劑(B)的反應性基，係沒有特別限定，可例示酸酐(b-1)的反應性基之酸酐基、二羧酸(b-2)的反應性基之羧基、胺(b-3)的反應性基之胺基、酚(b-4)的反應性基之羥基。
在本發明的硬化性組成物(填料(D)除外)總量之硬化性化合物(A)與硬化劑(B)的合計含量所佔的比例，係例如80重量%以上，較佳為90重量%以上，特佳為95重量%以上。
硬化劑(B)的含量低於上述範圍時，硬化變得不充分且硬化物的強韌性有降低之傾向。另一方面，硬化劑(B)的含量高於上述範圍時，硬化性組成物單獨的硬化物之極性増大，而且變得容易受到水分的影響，有造成可靠性降低之情形。
在本發明的硬化性組成物所含有的全部硬 化性化合物(A)(亦含有硬化劑(B)時，係全部硬化性化合物(A)與全部硬化劑(B))之每官能基的分子量的加權平均值(將含有比例加權)(g/eq)，係例如180至1000，較佳為200至700，特佳為200至500，最佳為250至450，尤特佳為300至450。本發明的硬化性組成物，係以加權平均值成為上述範圍之方式而選擇含有硬化性化合物(A)(亦含有硬化劑(B)時係硬化性化合物(A)與硬化劑(B))，就藉由適當地具有交聯點間距離而具有柔軟性且能夠得到具有抗破裂性優異的硬化物之點而言，乃是較佳。加權平均值低於上述範圍時，有柔軟性降低且抗破裂性降低之傾向。另一方面，加權平均值高於上述範圍時，有硬化樹脂的密度較低且難以得到充分的強韌性和耐候性之傾向。又，環氧化合物之每官能基的分子量，係指環氧當量。而且，作為硬化劑之酸酐(b-1)之每官能基的分子量，係指酸酐基當量，二羧酸(b-2)之每官能基的分子量，係指羧基當量，胺(b-3)之每官能基的分子量，係指胺當量，酚(b-4)之每官能基的分子量，係指羥基當量。
硬化觸媒(C)的含量係沒有特別限定，惟相對於在硬化性組成物中所含有的硬化性化合物(A)100重量份，例如較佳為含有0.1至10重量份的比例，相對於在硬化性組成物中所含有的環氧化合物之總量(100重量份)，例如係0.01至15重量份，較佳為0.01至12重量份，更佳為0.05至10重量份，特佳為0.1至10重量份。藉由在上述範圍內使用硬化觸媒(C)，可得到耐熱性、耐候性優 異的硬化物。
相對於在硬化性組成物中所含有的硬化性化合物(含有2種以上時為其總量)100重量份，填料(D)的含量係例如50重量份以下(例如1至50重量份)，較佳為45重量份以下，特佳為40重量份以下。填料(D)的含量過剩時，硬化性組成物單獨的硬化物之Tg變高且柔軟性降低，而有抗破裂性降低之傾向。
硬化促進劑的含量係沒有特別限定，相對於在硬化性組成物中所含有的環氧化合物100重量份，例如為3重量份以下(例如0.1至3重量份)，較佳為0.2至3重量份，特佳為0.25至2.5重量份。
(其它成分)
本發明的硬化性組成物係除了上述成分以外，亦可視需要而含有1種或2種以上之其它成分。
本發明的硬化性組成物亦可含有環氧化合物以外的硬化性化合物，例如可含有氧雜環丁烷化合物等陽離子硬化性化合物、(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等自由基硬化性化合物。
本發明的硬化性組成物亦能夠進一步含有例如稀釋劑、消泡劑、調平劑、矽烷偶合劑、界面活性劑、阻燃劑、著色劑、塑化劑、抗靜電劑、離型劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光安定劑、離子吸附物、螢光物等。
而且，使用酸酐作為硬化劑(B)時，係將酸 酐與乙二醇、二乙二醇、丙二醇、甘油等含羥基的化合物一同使用，就能夠得到促進硬化反應之效果而言，乃是較佳。相對於酸酐100重量份，含羥基的化合物之含量係例如0.1至15重量份，較佳為0.5至10重量份。
本發明的硬化性組成物係可藉由將上述成分混合來調製。混合係可使用自公轉式攪拌脫泡裝置、均質機、行星式攪拌機、三輥研磨機、珠磨機等通常已知的混合用機器。而且，各成分可同時混合，亦可逐次混合。
本發明的硬化性組成物單獨之硬化物(不包含多孔性支撐物)的玻璃轉移溫度(Tg)，係例如-60至100℃(Tg的上限較佳為50℃，特佳為40℃，最佳為25℃。Tg的下限較佳為-40℃，更佳為-30℃，又更佳為-20℃，再更佳為-10℃，特佳為0℃，最佳為5℃，尤特佳是10℃)，在前述玻璃轉移溫度以上的溫度(例如-10至220℃，較佳為0至220℃，尤特佳為10至200℃，最佳為20至220℃，尤特佳為50至220℃)範圍的至少1點之本發明的硬化性組成物單獨之硬化物(不包含多孔性支撐物)的熱線性膨脹係數，係例如100ppm/K以上(例如100至700ppm/K，較佳為200至500ppm/K，特佳為300至500ppm/K)。
[片狀預浸體]
本發明的片狀預浸體係具有上述多孔性支撐物的孔內填充有由上述硬化性組成物之結構。因為本發明所使用的硬化性組成物單體之硬化物係如上述，為玻璃轉移溫度 較低且較柔軟，所以具有優異的抗破裂性。而且，形成前述的柔軟的(特別是在100℃以上的高溫區域為柔軟的)硬化物之硬化性組成物，係具有被填充在多孔性支撐物的孔內之結構，因為前述硬化性組成物無法將多孔性支撐物推開而膨脹，故結果為可將熱線性膨脹係數抑制為較小，且可防止產生翹曲。
本發明的片狀預浸體，係例如可藉由使經溶劑(例如2-丁酮等)稀釋上述硬化性組成物而成者含浸在上述多孔性支撐物，之後使其乾燥並將溶劑除去，再視需要而使其半硬化(使硬化性化合物的一部分硬化)來製造。
作為使其含浸硬化性組成物之方法並沒有特別限制，例如可舉出將多孔性支撐物浸漬在硬化性組成物中之方法等。浸漬時的溫度，係例如25至60℃左右。浸漬時間，係例如30秒至30分鐘左右。就能夠得到抑制起泡的殘留且促進硬化性組成物的填充之效果而言，浸漬係以在減壓或加壓環境下進行為佳。
含浸後的乾燥及半硬化條件，係以視硬化劑的種類適當地變更而進行為佳。例如使用酸酐或苯酚作為硬化劑時，可藉由以未達100℃(例如25℃以上且未達100℃)的溫度加熱1分鐘至1小時左右來進行。使用胺作為硬化劑時，係以在較低溫進行為佳。加熱溫度和加熱時間高於上述範圍時，由於被填充在多孔性支撐物之硬化性組成物的硬化反應過度地進行，而有變得難以使用作為密封材料之情形。
在本發明的片狀預浸體總體積中，多孔性支撐物所佔的比例係例如10至90vol%，較佳為20至70vol%，特佳為30至70vol%，最佳為30至50vol%。亦即，在本發明的片狀預浸體總體積中，硬化性組成物所佔的比例係例如10至90vol%，較佳為30至80vol%，特佳為30至70vol%，最佳為50至70vol%。多孔性支撐物所佔的比率若高於上述範圍，則會變得難以含浸充分量的上述硬化性組成物，且有變得不易得到表面平滑性之傾向。另一方面，硬化性組成物高於上述範圍時，無法充分地得到藉由多孔性支撐物之增強效果，且會變得難以將硬化收縮率及熱線性膨脹係數抑制為較小。
本發明的片狀預浸體，係藉由施行加熱處理來形成硬化物。加熱處理條件係沒有特別限定，惟加熱溫度係以40至300℃為佳，較佳為60至250℃。而且，加熱時間係可視加熱溫度而適當地調節，而沒有特別限定，惟以1至10小時為較佳，1至5小時為更佳。在上述加熱處理中，加熱溫度可設為一定，亦可設為連續地或階段性地改變。
本發明的片狀預浸體的硬化物之玻璃轉移溫度(Tg)為-60℃以上且100℃以下(-60至100℃)，較佳是0至90℃，更佳為5至80℃，又更佳為10至75℃，特佳為10至60℃，最佳為10至50℃，復又更佳為10至40℃，尤特佳為15至40℃。因為本發明的片狀預浸體的硬化物具有上述Tg，所以具有適當的柔軟性，且抗破裂性優異。 又，硬化物的玻璃轉移溫度能夠以實施例所記載的方法求得。
本發明的片狀預浸體的硬化物之熱線性膨脹係數[例如在-20℃至300℃，較佳為-10至300℃，特佳為0至300℃)之熱線性膨脹係數]係例如55ppm/K以下(例如-1至55ppm/K)，較佳為50ppm/K以下，更佳為45ppm/K以下，又更佳為25ppm/K以下，特佳為20ppm/K以下。因此，能夠抑制因熱所致之膨脹及收縮，且可抑制產生翹曲。亦即，抗翹曲性優異。
本發明的片狀預浸體，係可適合使用作為壓縮成形用密封材料(特別是FOWLP用密封材料)。
使用本發明的片狀預浸體之FOWLP的代表性製造方法係如下述(參照第1圖)。
步驟I：將暫時固定膠帶貼附在支撐物，將半導體晶片經由前述暫時固定膠帶貼附在支撐物；步驟II：使用本發明的片狀預浸體而將半導體晶片密封；步驟III：將支撐物剝離；步驟IV：進行再佈線、電極形成及切割(dicing)而得到半導體封裝。
在前述步驟II中，作為使用本發明的片狀預浸體而將晶片密封之方法，係例如可將本發明的片狀預浸體貼合在晶片，使用表面平坦化用基板等而壓縮(例如以0.1至5MPa按壓)且藉由使用上述方法施行加熱處理來進 行。
在步驟IV之再佈線和電極形成，係能夠使用眾所周知慣用的方法而進行。再佈線和電極形成，係在約200℃的高溫環境下進行，因為本發明的片狀預浸體的硬化物之熱線性膨脹係數為上述範圍，所以可抑制與半導體晶片的熱膨脹率之差，而且可抑制來自與半導體晶片的熱膨脹率之差之應力所引起的翹曲和破裂。
而且，藉由將本發明的片狀預浸體貼合在例如已薄化至100μm以下之矽晶片和基板的至少一面，並進行硬化，可發揮防止矽晶片和基板的翹曲之效果。因此，本發明的片狀預浸體亦有用於作為薄化矽晶片和薄化基板的抗翹曲材料。
[實施例]
以下，藉由實施例而進一步具體地說明本發明，但是本發明係不被該等實施例限定。
調製例1：支撐物的調製(纖維素不織布的調製)
將微小纖維CELISH KY110N(Daicel股份公司製)的漿料稀釋成為0.2重量%，使用附減壓裝置的抄紙機(東洋精機製作所股份公司製，標準方型機器)且將No.5C濾紙作為濾布而進行抄紙，來得到濕潤狀態的纖維素不織布。
將吸墨紙重疊在所得到之濕潤狀態的纖維素不織布的兩面，以0.2MPa的壓力加壓1分鐘。繼而，以0.2MPa的壓力加壓1分鐘，再貼附至表面溫度設定為100℃之滾 筒乾燥機(熊谷理機工業股份公司製)並乾燥120秒鐘，得到纖維素不織布(空隙率：60vol%、基重9.9g/m2、熱線性膨脹係數：5ppm/K、厚度25μm)。
實施例1、2、3、9、10、比較例1至3 (片狀預浸體的製造)
使用表1所記載的處方調製硬化性組成物。
將調製例1所得之纖維素不織布於減壓下浸漬在所得之硬化性組成物中，使硬化性組成物含浸纖維素不織布，製得片狀預浸體(硬化性組成物所佔的比率：65vol%)。又，在實施例9係使用以與調製例1相同的方法而得之纖維素不織布(空隙率：60vol%、基重9.9g/m2、熱線性膨脹係數：5ppm/K、厚度50μm)。而且，在實施例10，係使用玻璃布取代纖維素不織布。
而且，對於將實施例1所使用的硬化性組成物單獨硬化而得之硬化物，藉由下述方法測定玻璃轉移溫度及熱線性膨脹係數時，為Tg：17.5℃、熱線性膨脹係數(α1)：65.8ppm/K、熱線性膨脹係數(α2)：466.8ppm/K。
(片狀預浸體的評估)
將所得之片狀預浸體夾入塗佈有離型劑之玻璃，且在表1所記載的硬化條件下加熱而得到硬化物，並依照下述方法測定所得之硬化物之玻璃轉移溫度及熱線性膨脹係數。
而且，將4個10mm見方的矽晶片再配置在50mm見方的玻璃基板上，且使用上述片狀預浸體加以覆蓋，藉由進行加壓成型(compression molding)(在經表1所記載的初期硬化條件進行加熱後的狀態，以1MPa按壓)來進行矽晶片的密封。之後，將內包矽晶片之半導體封裝從基板剝下，並以下述方法評估其抗翹曲性及抗破裂性。
實施例4、5、6、7、8
使用表1所記載的處方調製硬化性組成物，以固體成分濃度成為40%之方式混合甲基乙基酮，而得到硬化性組成物。
使該硬化性組成物含浸在調製例1所得之纖維素不織布，在減壓下除去溶劑而製得片狀預浸體。
對於所得之片狀預浸體，使用與實施例1相同的方法進行評估。
實施例11、12
依表1所記載的處方將填料及環氧樹脂饋入擂潰機(石川工場股份公司製)並混煉30分鐘，得到高分散有填料之環氧樹脂。繼而，添加酸酐，並添加乙二醇及觸媒而進行混煉。最後，以固體成分濃度成為40%之方式添加甲基乙基酮而得到硬化性組成物。
使該硬化性組成物含浸在調製例1所得之纖維素不織布，在減壓下除去溶劑而製得片狀預浸體。
對於所得之片狀預浸體，係以與實施例1相同的方法進行評估。
(玻璃轉移溫度(Tg)、在低於Tg的溫度區域之熱線性膨脹係數(α1)、在高於Tg的溫度區域之熱線性膨脹係數(α2))
硬化物的玻璃轉移溫度及熱線性膨脹係數，係以下述條件進行測定。又，均是採用在第二次加熱(2nd-heating)的測定值。
試片尺寸：初期長度10mm×寬度3.5mm×厚度0.035mm
測定裝置：熱機械分析裝置(Exstar TMA/SS7100、日立High-Technologies股份公司製)
測定模式：拉伸、定荷重測定(40mN)
測定氣體環境：氮
溫度條件：第一次加熱(1st-heating)從-60℃起至120℃、5℃/分鐘
冷卻(cooling)從120℃起至-60℃、20℃/分鐘
第二次加熱(2nd-heating)從-60℃起至220℃、5℃/分鐘
(抗翹曲性)
測定在25℃、150℃、275℃之半導體封裝的翹曲量(參照第2圖)，以下述基準進行抗翹曲性評估。
○：在25℃、150℃、275℃的任一者，翹曲量均為10μm以下
△：在25℃、150℃、275℃的至少一者，翹曲量超過10μm且50μm以下
×：在25℃、150℃、275℃的至少一者，翹曲量超過50μm
(抗破裂性)
將半導體封裝投入-25℃至100℃的熱衝擊試驗(100次)，對於實施試驗後的半導體封裝，藉由目視觀察有無破裂，且以下述基準評估抗破裂性。
○：無破裂
×：有破裂
<環氧化合物>
．YD-128：雙酚A型二環氧丙基醚(環氧當量190，黏度13600mPa．s/25℃)，環氧當量188.6，新日鐵住金化學股份公司製
．CELLOXIDE 2021P：3,4-環氧環己基甲基(3,4-環氧基)環己烷羧酸酯，環氧當量130，Daicel股份公司製
．EXA-4850-150：改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂，環氧當量：433，商品名「EPICLON EXA-4850-150」，DIC公司製
．EXA-4850-1000：下述式(ii-1)表示之改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂，環氧當量：350，商品名「EPICLON EXA-4850-1000」，DIC公司製
<硬化劑>
．Rikacid MH-700：甲基六氫鄰苯二甲酸酐，酸酐基當量164.5，新日本理化股份公司製
．Rikacid HF-08：脂環族酸酐與聚伸烷基二醇之酯(二羧酸)，羧基當量672.7，新日本理化股份公司製
．TD2091：苯酚酚醛清漆，羥基當量104.0，DIC公司製
．TETA：三乙基四胺，胺當量23.4，三井化學FINE股份公司製
．D-400：聚氧伸烷基二胺，胺當量107.0，三井化學FINE股份公司製
<稀釋劑>
．EG：乙二醇，和光純藥工業股份公司製
<硬化促進劑>
．U-CAT 12XD：特殊胺型觸媒，SAN-APRO股份公司製
．TPP：三苯基膦，和光純藥工業股份公司製
<硬化觸媒>
．2E4MIZ：2-乙基-4-甲基咪唑，和光純藥工業股份公司製
<填料>
．氧化矽填料：粒徑3μm以下，日本電氣硝子股份公司製
．奈米碳管：長度：10μm以上，直徑：20至45nm ，GLONATECH公司製
<多孔性支撐物>
．玻璃布：空隙率：62vol%，基重24g/m2，熱線性膨脹係數：3ppm/k，厚度25μm，商品名「1037」、東洋紡股份公司製
以下，係彙整以上內容，附記本發明的構成及其變異。
[1]一種片狀預浸體，其係具有由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成的片狀多孔性支撐物之孔內填充有下述硬化性組成物的構造，該片狀預浸體的硬化物的玻璃轉移溫度為-60℃以上且100℃以下；硬化性組成物：含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/ 或硬化觸媒(C)之組成物，其中，(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq的環氧化合物。
[2]如[1]所述之片狀預浸體，其中，片狀預浸體的硬化物係藉由施行加熱處理而形成，加熱溫度為40至300℃，加熱時間為1至10小時。
[3]如[1]或[2]所述之片狀預浸體，其中，片狀多孔性支撐物係由熱線性膨脹係數為7ppm/K以下(特佳為5ppm/K以下)之素材所構成。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，熱線性膨脹係數為10ppm/K以下之素材係紙、纖維素、玻璃纖維或液晶材料。
[5]如[1]至[4]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，多孔性支撐物的空隙率為90至10vol%(較佳為80至30vol%，特佳為70至30vol%，最佳為70至50vol%)，多孔性支撐物的厚度為5至500μm(下限係較佳為10μm，特佳為15μm，最佳為20μm，上限係較佳為300μm，更佳為200μm，特佳為100μm，最佳為75μm)。
[6]如[1]至[5]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性化合物(A)係以(A)總量的50重量%以上(較佳為70重量%以上，特佳為80重量%以上，最佳為90重量%以上，又，上限為100重量)含有環氧當量(g/eq)為140至3000(較佳為170至1000，更佳為180至1000，特佳為180至500)的環氧化合物。
[7]如[1]至[6]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化 性組成物係含有選自由脂環式環氧化合物、芳香族環氧化合物(例如表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂、高分子量表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂或改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂)及脂肪族環氧化合物所組成群組之至少1種作為環氧化合物。
[8]如[7]所述之片狀預浸體，其中，改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂為前述式(ii)表示之化合物(式中，R1至R4可相同或不同，表示氫原子或烴基；k表示1以上的整數，L1表示低極性鍵結基，L2表示柔軟性骨架)。
[9]如[1]至[8]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化劑(B)係選自由酸酐(b-1)、二羧酸(b-2)、胺(b-3)及酚(b-4)所組成群組之至少1種化合物。
[10]如[1]至[9]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物總量中之硬化性化合物(A)的含量為30至98重量%，在硬化性組成物總量中之芳香族環氧化合物(例如自表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂、高分子量表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂及改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂之化合物)的含量為30至98重量%，在硬化性組成物總量中，芳香族環氧化合物以外的環氧化合物所佔的比率為20重量%以下(較佳為10重量%以下，特佳為5重量%以下，最佳為1重量%以下)。
[11]如[1]至[10]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，在硬化性組成物所含有的環氧化合物總量中，芳香族環氧化合物(例如選自表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂、高分子量表 雙型環氧丙基醚型環氧樹脂及改性表雙型環氧丙基醚型環氧樹脂之化合物)所佔的比率為60重量%以上(較佳為70重量%以上，特佳為80重量%以上，最佳為90重量%以上；且上限為100重量%)。
[12]如[1]至[11]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物係以成為下述比例的方式含有硬化劑(B)，相對於硬化性化合物(A)的硬化性基1莫耳，硬化劑(B)的反應性基為0.8至1.2莫耳。
[13]如[1]至[12]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物含有之硬化性化合物(A)及硬化觸媒(C)，係相對於前述(A)100重量份，(C)為0.1至10重量份。
[14]如[1]至[13]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，在硬化性組成物所含有的全部硬化性化合物(A)(亦含有硬化劑(B)時，係全部硬化性化合物(A)與全部硬化劑(B))之每官能基的分子量的加權平均值為180至1000(較佳為200至700，特佳為200至500，最佳為250至450，尤特佳為300至450)g/eq。
[15]如[1]至[14]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物的硬化物之熱線性膨脹係數為100ppm/K以上(例如100至700ppm/K，較佳為200至500ppm/K，特佳為300至500ppm/K)。
[16]如[1]至[15]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，片狀預浸體的硬化物之熱線性膨脹係數為55ppm/K以下(例如-1至55ppm/K，較佳為50ppm/K以下，較佳為45ppm/K 以下，更佳為25ppm/K以下，特佳為20ppm/K以下)。
[17]如[1]至[16]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物(填料(D)除外)總量中之硬化性化合物(A)及硬化劑(B)的合計含量所佔的比率為80重量%以上(較佳為90重量%以上，特佳為95重量%以上)。
[18]如[1]至[17]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，相對於硬化性化合物(A)100重量份，硬化性組成物中之填料(D)的含量為50重量份以下(例如1至50重量份，較佳為45重量份以下，特佳為40重量份以下)。
[19]如[1]至[18]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)為-60至100℃(Tg的上限較佳為50℃，特佳為40℃，最佳為25℃，下限較佳為-40℃，更佳為-30℃，又更佳為-20℃，復又更佳為-10℃，特佳為0℃，最佳為5℃，尤特佳為10℃)。
[20]如[1]至[19]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，在玻璃轉移溫度以上的溫度(例如-10至220℃，較佳為0至220℃，特佳為10至200℃，最佳為20至220℃，尤特佳為50至220℃)範圍之至少1點之硬化物的熱線性膨脹係數為100ppm/K以上(例如100至700ppm/K，較佳為200至500ppm/K，特佳為300至500ppm/K)。
[21]如[1]至[20]項中任一項所述之片狀預浸體，其中，片狀多孔性支撐物的厚度為5至500μm。
[22]如[1]至[21]項中任一項所述之片狀預浸體，係壓縮成形用密封材料。
[23]如[1]至[22]項中任一項所述之片狀預浸體，係扇出型晶圓級封裝用密封材料。
[24]如[1]至[23]項中任一項所述之片狀預浸體，係厚度100μm以下之薄化矽晶片或薄化基板的抗翹曲材料。
[產業上之可利用性]
本發明的片狀預浸體，係藉由熱硬化而具有適當的柔軟性，且因熱所致之收縮率和膨脹率較低，可以形成可發揮優異的抗翹曲性及抗破裂性之硬化物。因此，本發明的片狀預浸體可適合使用作為FOWLP用密封材料和基板的抗翹曲材料。

Claims (10)

  1. 一種片狀預浸體，其係具有由熱線性膨脹係數為10ppm/K以下的素材所構成的片狀多孔性支撐物之孔內填充有下述硬化性組成物的構造，該片狀預浸體的硬化物的玻璃轉移溫度為-60℃以上且100℃以下；硬化性組成物：含有硬化性化合物(A)、硬化劑(B)及/或硬化觸媒(C)之組成物，其中，(A)總量的50重量%以上為環氧當量140至3000g/eq的環氧化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物係以成為下述的比例之方式含有硬化劑(B)；相對於硬化性化合物(A)的硬化性基1莫耳，硬化劑(B)的反應性基為0.8至1.2莫耳。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物係以相對於前述(A)100重量份，(C)為0.1至10重量份之比例含有硬化性化合物(A)及硬化觸媒(C)。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之片狀預浸體，其中，在硬化性組成物所含有的全部硬化性化合物(A)(亦含有硬化劑(B)時，係全部硬化性化合物(A)與全部硬化劑(B))之每官能基的分子量的加權平均值為180至1000g/eq。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物的硬化物之熱線性膨脹係數為100ppm/K以上，且片狀預浸體的硬化物之熱線性膨脹 係數為55ppm/K以下。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之片狀預浸體，其中，硬化性組成物為相對於硬化性化合物(A)100重量份含有1至50重量份之填料(D)。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之片狀預浸體，其中，片狀多孔性支撐物的厚度為5至500μm。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之片狀預浸體，係壓縮成形用密封材料。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之片狀預浸體，係扇出型晶圓級封裝用密封材料。
  10. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之片狀預浸體，係厚度100μm以下的薄化矽晶片或薄化基板的抗翹曲材料。
TW106134745A 2016-10-17 2017-10-11 片狀預浸體 TWI735677B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016203799A JP6793517B2 (ja) 2016-10-17 2016-10-17 シート状プリプレグ
JP2016-203799 2016-10-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201827498A true TW201827498A (zh) 2018-08-01
TWI735677B TWI735677B (zh) 2021-08-11

Family

ID=62019345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106134745A TWI735677B (zh) 2016-10-17 2017-10-11 片狀預浸體

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11479637B2 (zh)
EP (1) EP3527612B1 (zh)
JP (1) JP6793517B2 (zh)
KR (1) KR102402277B1 (zh)
CN (1) CN109843994B (zh)
TW (1) TWI735677B (zh)
WO (1) WO2018074221A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111718560A (zh) * 2019-03-19 2020-09-29 日东电工株式会社 密封用片
CN113330560A (zh) * 2019-01-28 2021-08-31 株式会社大赛璐 固化性膜

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7207973B2 (ja) * 2017-12-13 2023-01-18 キヤノン株式会社 硬化性樹脂組成物
KR102125023B1 (ko) * 2018-11-27 2020-06-22 주식회사 에스모머티리얼즈 광반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 그 제조 방법
JP7282535B2 (ja) * 2019-01-28 2023-05-29 株式会社ダイセル ファンアウトパッケージ封止用シート状プリプレグ
JP7221079B2 (ja) * 2019-02-27 2023-02-13 株式会社東光高岳 エポキシ樹脂組成物、絶縁性成形体及びその製造方法
JP7461229B2 (ja) 2020-06-17 2024-04-03 日東電工株式会社 封止用樹脂シート
CN113621332B (zh) * 2021-10-09 2022-01-18 武汉市三选科技有限公司 芯片封装用模封胶及封装结构
DE102022114911A1 (de) 2022-06-14 2023-12-14 Delo Industrie Klebstoffe Gmbh & Co. Kgaa Verfahren zum Herstellen von elektronischen Baugruppen und elektronische Baugruppe auf Wafer-Ebene

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100272785B1 (ko) * 1995-06-27 2000-11-15 우찌가사끼 이사오 인쇄배선판용프리프래그,수지니스,수지조성물및상기물질을사용하여제조된인쇄배선판용적층판
JP4588834B2 (ja) 2000-04-06 2010-12-01 パナソニック電工株式会社 リン含有エポキシ樹脂組成物及び、該リン含有エポキシ樹脂を用いる難燃性の樹脂シート、樹脂付き金属箔、プリプレグ及び積層板、多層板
JP4270969B2 (ja) 2002-07-16 2009-06-03 長瀬産業株式会社 半導体装置の樹脂封止方法
JP2007326929A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd エポキシ樹脂組成物、当該樹脂組成物を用いたプリプレグ
WO2008018364A1 (fr) * 2006-08-07 2008-02-14 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Préimprégné, stratifié et carte de câblage imprimé
KR20080091086A (ko) * 2006-09-13 2008-10-09 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 반도체 장치
TWI437938B (zh) * 2007-03-01 2014-05-11 Ajinomoto Kk A method of manufacturing a circuit board, a subsequent thin film to which a metal film is attached, and a circuit board
JP2009231222A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Ajinomoto Co Inc 絶縁樹脂シート
CN102414262A (zh) * 2009-02-25 2012-04-11 三菱瓦斯化学株式会社 预浸料和层压体
WO2011122631A1 (ja) 2010-03-30 2011-10-06 東レ株式会社 プリプレグ、繊維強化複合材料およびプリプレグの製造方法
TW201213441A (en) * 2010-05-10 2012-04-01 Ajinomoto Kk Resin composition
US20130115440A1 (en) 2010-05-28 2013-05-09 Bernd Hoevel Composites
JP2012069926A (ja) * 2010-08-21 2012-04-05 Ibiden Co Ltd プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP6022230B2 (ja) * 2012-06-22 2016-11-09 新日鉄住金化学株式会社 高分子量エポキシ樹脂、それを用いた樹脂組成物および硬化物
JP2015050447A (ja) * 2013-09-05 2015-03-16 信越化学工業株式会社 封止材積層複合体、封止後半導体素子搭載基板、封止後半導体素子形成ウエハ、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP6193689B2 (ja) * 2013-09-09 2017-09-06 新日鉄住金化学株式会社 リン含有エポキシ樹脂及び組成物、硬化物
JP2015153853A (ja) * 2014-02-13 2015-08-24 日立化成株式会社 半導体装置
JP6620314B2 (ja) 2014-03-25 2019-12-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 液状樹脂組成物、硬化物、配線構造体及びこの配線構造体を用いた実装体
US20170283565A1 (en) * 2014-09-26 2017-10-05 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Thin-film sheet including cellulose fine-fiber layer
JP2016203799A (ja) 2015-04-22 2016-12-08 株式会社ショーワ 操舵装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113330560A (zh) * 2019-01-28 2021-08-31 株式会社大赛璐 固化性膜
CN111718560A (zh) * 2019-03-19 2020-09-29 日东电工株式会社 密封用片
TWI824114B (zh) * 2019-03-19 2023-12-01 日商日東電工股份有限公司 密封用薄片

Also Published As

Publication number Publication date
US11479637B2 (en) 2022-10-25
WO2018074221A1 (ja) 2018-04-26
CN109843994B (zh) 2022-10-14
CN109843994A (zh) 2019-06-04
US20200055979A1 (en) 2020-02-20
KR20190069408A (ko) 2019-06-19
EP3527612A4 (en) 2020-06-03
EP3527612A1 (en) 2019-08-21
TWI735677B (zh) 2021-08-11
JP6793517B2 (ja) 2020-12-02
KR102402277B1 (ko) 2022-05-26
EP3527612B1 (en) 2021-12-15
JP2018065892A (ja) 2018-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI735677B (zh) 片狀預浸體
CN110291151B (zh) 树脂组合物、成形体、层叠体、涂布材料及粘接剂
JP6343575B2 (ja) 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP7115520B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体
JP2011241245A (ja) エポキシ樹脂組成物および硬化物
WO2020158510A1 (ja) 硬化性フイルム
JP7282535B2 (ja) ファンアウトパッケージ封止用シート状プリプレグ
CN110546184B (zh) 密封用膜、密封结构体和密封结构体的制造方法
JP7115469B2 (ja) 封止フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
CN109983052B (zh) 密封用膜及其固化物、以及电子装置
WO2018199310A1 (ja) 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法
JP2016106236A (ja) 面光源用基板および面光源照明
JP2016106348A (ja) 面光源用基板、面光源照明および面光源用基板の製造方法
KR20230070855A (ko) 표면이 개질된 무기 충전제의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 무기 충전제 및 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2023152859A (ja) 放熱シート積層体、及び放熱シート積層体の製造方法