TW201717434A - 光半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種薄型且光萃取效率較高之光半導體裝置。本發明之光半導體裝置之製造方法之特徵在於包括：第1步驟，於支持基板上形成複數個彼此間隔之第1及第2導電構件；第2步驟，於第1及第2導電構件之間設置包含遮光性樹脂之基體；第3步驟，使光半導體元件載置於第1及/或第2導電構件上；第4步驟，利用包含透光性樹脂之密封構件被覆光半導體元件；以及第5步驟，除去支持基板後，使光半導體裝置單片化。又，本發明之光半導體裝置之製造方法之特徵在於：第1及第2導電構件為鍍金屬。藉此可形成薄型且光萃取效率高之光半導體裝置。

Description

光半導體裝置及其製造方法
本發明係關於一種可用於顯示裝置、照明器具、顯示器、液晶顯示器之背光光源等中的發光裝置，或可用於攝影機、數位靜態相機等中的受光裝置等光半導體裝置及其製造方法，特別係關於一種薄型/小型類型且光之萃取效率及對比度優異之可獲得良好良率的光半導體裝置及其製造方法。
近年來，伴隨電子設備之小型化·輕量化，亦開發出各種將搭載於電子設備等之發光裝置(發光二極體等)或受光裝置(CCD(charge coupled device，電荷耦合元件)或光二極體等)等光半導體裝置小型化而成者。該等光半導體裝置，例如，係於絕緣基板之兩面分別形成有一對金屬導體圖案之兩面通孔印刷基板上使用。該等光半導體裝置具有如下構造：將發光元件或受光元件等光半導體元件載置於兩面通孔印刷基板上，使用引線等使金屬導體圖案與光半導體元件電性導通。 然而，如此之光半導體裝置係以使用兩面通孔印刷基板為必要條件。因該兩面通孔印刷基板具有至少0.1 mm左右以上之厚度，故而成為阻礙表面安裝型光半導體裝置之澈底薄型化之主要原因。為此，開發出一種不使用如此之印刷基板之構造的光半導體裝置(例如專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2005-79329號公報
[發明所欲解決之問題] 專利文獻1中揭示之發光裝置，係藉由蒸鍍等於基板上形成較薄之金屬膜作為電極，且與發光元件一併由透光性樹脂密封，藉此與先前之表面安裝型之發光裝置相比，可變得薄型化。 然而，因僅使用透光性樹脂，故而光將自發光元件沿著下面方向漏出，導致光之萃取效率容易降低。亦揭示有一種設置研缽狀之金屬膜使光反射之構造，但設置如此之金屬膜時必須於基板上設置凹凸。如此般，因發光裝置小型化而使該凹凸亦變得極微細，從而不僅加工變得困難，而且因凹凸構造而導致基板之剝離時容易破損從而良率降低等問題容易產生。又，當用於顯示器等時，若僅使用透光性樹脂則對比度容易變差。 [解決問題之技術手段] 為了解決以上問題，本發明之光導體裝置之製造方法之特徵在於具有：第1步驟，於支持基板上形成複數個彼此間隔之第1及第2導電構件；第2步驟，於第1及第2導電構件之間設置包含遮光性樹脂之基體；第3步驟，使光半導體元件載置於第1及/或第2導電構件上；第4步驟，利用包含透光性樹脂之密封構件被覆光半導體元件；以及第5步驟，除去支持基板後，使光半導體裝置單片化。藉此，可形成光萃取效率較高之薄型之光半導體裝置。 又，本發明之光半導體裝置之特徵在於包括：光半導體元件；第1導電構件，其上面載置有光半導體元件，下面形成光半導體裝置之外表面；第2導電構件，其與第1導電構件間隔，且下面形成光半導體裝置之外表面；包含遮光性樹脂之基體，其設置於第1導電構件與第2導電構件之間；以及包含透光性樹脂之密封構件，其密封光半導體元件；且上第1及第2導電構件為鍍金屬。藉此，可形成薄型之光半導體裝置。 [發明之效果] 根據本發明，可易於良率較佳地形成薄型之光半導體裝置。又，即便薄型之光半導體裝置，亦可防止來自發光元件之光自下面側漏出，故而可獲得光之萃取效率得以提高之光半導體裝置，及對比度得以提高之光半導體裝置。
以下一面參照圖式一面說明用以實施本發明之最佳形態。其中，以下所示之形態係列舉本發明之光半導體裝置及其製造方法者，但本發明並不限定於以下之形態。 又，本說明書絕非將請求項所示之構件限定為實施形態之構件者。特別是實施形態所記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對的配置等只要非限定性記載，則其主旨並非將本發明之範圍僅限定於此，而僅為說明例。再者，各圖式所示之構件之大小或位置關係等係有時為了使說明明確易懂而加以誇張表示。進而以下之說明中，關於同一之名稱、符號係表示同一或者同質之構件，並適當省略詳細說明。 ＜實施形態1＞ 圖1A、圖1B表示本實施形態之光半導體裝置(發光裝置)100。圖1A表示發光裝置100之立體圖，圖1B表示圖1A所示之發光裝置100之A-A'剖面之剖面圖。 本實施形態中，發光裝置100係如圖1A、圖1B所示，其特徵在於包括：發光元件103，與發光元件103電性連接之第1導電構件101、101'，與第1導電構件101、101'間隔且載置有發光元件103之第2導電構件102；被覆發光元件103並且與第1導電構件101、101'以及第2導電構件102相接之密封構件104。而且，於第1導電構件101、101'與第2導電構件102之間，具有包含可遮蔽來自發光元件103之光之樹脂的基體106。 (基體106) 本實施形態中，基體106係藉由添加具有遮光性之各種填充材料等而可遮蔽來自發光元件103之光之樹脂，且設置於第1導電構件101、101'與第2導電構件102之間。藉由於如此之位置上設置遮光性之基體106，而可抑制來自發光元件103之光自發光裝置100之下面側向外部漏出，從而可提高朝向上面方向之光之萃取效率。 基體106之厚度為可抑制朝向發光裝置100之下面側之光之漏出的厚度即可。又，基體106以與第1導電構件101、101'之側面及第2導電構件102之側面之兩者相接的方式，即，使密封構件104不插入至第1導電構件101、101'與基體106之間，或第2導電構件102與基體106之間的方式設置為佳。 當第1導電構件101、101'或第2導電構件102之寬度與發光裝置100之寬度不同時，例如圖1A所示，當第1導電構件101、101'之寬度比發光裝置100之寬度窄，且該第1導電構件101、101'之側面與發光裝置100之側面相間隔時，亦可於該部分設置基體。藉由如此設置，可使發光裝置100之下面形成為第1導電構件101、101'、基體106、第2導電構件102之外表面，從而可高效率地抑制朝向下面方向之光之漏出。 基體106只要可遮蔽來自發光元件之光，便可為任意之構件。其中，宜為與後述之支持基板之線性膨脹係數之差較小之構件。更好的是，使用絕緣性構件者。作為較佳之材料，可使用熱固性樹脂、熱可塑性樹脂等樹脂。尤其當導電構件之膜厚為25 μm~200 μm左右之極薄厚度時，熱固性樹脂，藉此可獲得極薄型之基體為佳。進而，具體而言，可列舉(a)環氧樹脂組合物、(b)聚矽氧樹脂樹脂組合物、(c)聚矽氧改質環氧樹脂等改質環氧樹脂組合物、(d)環氧改質聚矽氧樹脂等改質聚矽氧樹脂組合物、(e)聚醯亞胺樹脂組合物、(f)改質聚醯亞胺樹脂組合物等。 尤其，宜為熱固性樹脂，且以日本專利特開2006-156704中記載之樹脂為佳。例如，熱固性樹脂之中，以環氧樹脂、改質環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改質聚矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂等為佳。具體而言，宜使用包含無色透明混合物之固形環氧樹脂組合物，該無色透明混合物係將(i)包含三縮水甘油基異氰尿酸酯、氫化雙酚A二縮水甘油醚之環氧樹脂，(ii)包含六氫鄰苯二甲酸酐、3-甲基六氫鄰苯二甲酸酐、4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐之酸酐，以達到當量之方式進行溶解混合所得。更好的是固形環氧樹脂組合物，該固形環氧樹脂組合物係相對於該等混合物100重量份，添加作為硬化加速劑之DBU(1,8-二氮雜雙環(5,4,0)十一碳烯-7)(1,8-Diazabicyclo(5,4,0) undecene-7)0.5重量份，作為促進劑之乙二醇1重量份，氧化鈦顏料10重量份，玻璃纖維50重量份，並藉由加熱使其等局部進行硬化反應，使之達到B階段者。 又，宜為國際公開編號WO2007/015426號公報中記載之以包含三衍生物環氧樹脂之環氧樹脂作為必須成分之熱固性環氧樹脂組合物。例如，宜含有1,3,5-三核衍生物環氧樹脂。尤其含有異氰尿酸酯環之環氧樹脂，其耐光性及電絕緣性優異。較理想的是，相對於一個異氰尿酸酯環，具有2價、更好的是3價之環氧基。具體而言，可使用三(2,3-環氧丙基)異氰尿酸酯，三(α-甲基縮水甘油基)異氰尿酸酯等。三衍生物環氧樹脂之軟化點宜為90~125℃。又，亦可於該等三衍生物環氧樹脂中併用氫化環氧樹脂或其他環氧樹脂。於聚矽氧樹脂組合物之情形時，更好的是含有甲基聚矽氧樹脂之聚矽氧樹脂。 尤其對使用三衍生物環氧樹脂之情形進行具體說明。宜於三衍生物環氧樹脂中使用作為固化劑發揮作用的酸酐。尤其藉由使用作為非芳香族且不具有碳碳雙鍵之酸酐，可提高耐光性。具體而言，可列舉六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、三烷基四氫鄰苯二甲酸酐、氫化甲基耐地酸酐等。特別好的是甲基六氫鄰苯二甲酸酐。又，宜使用抗氧化劑，例如，可使用酚系、硫系之抗氧化劑。又，作為固化觸媒，可使用作為環氧樹脂組合物之固化觸媒之公知者。 而且，可於該等樹脂中混入用以提供遮光性之填充劑，或視需要混入各種添加劑。本發明中，將包含該等在內者稱作構成基體106之遮光性樹脂。例如，藉由混入TiO2 、SiO2 、Al2 O3 、MgO、MgCO3 、CaCO3 、Mg(OH)2 、Ca(OH)2 等微粒子等作為填充材料(填料)，可調整光之穿透率。可遮蔽來自發光元件之光之約60%以上之光為佳，較佳為可遮蔽約90%之光。再者，可藉由基體106反射光或吸收光。當將光半導體裝置用於照明等用途時，宜藉由反射進行遮光而並非吸收光。此時，對於來自發光元件之光之反射率以60%以上為佳，較佳為90%以上。 如上所述之各種填充材料，可僅使用1種，或組合使用2種以上。例如，可使用將用以調整反射率之填充材料及如後述般用以調整線性膨脹係數之填充材料等加以併用之方法。例如，於使用TiO2 作為白色之填充劑之情形時，調配10~30 wt%之TiO2 為佳，較佳為調配15~25 wt%之TiO2 。TiO2 亦可使用金紅石型、銳鈦礦型之任一者。自遮光性及耐光性之觀點考慮，金紅石型為佳。進而，當需要提高分散性、耐光性時，亦可使用經表面處理而改質之填充材料。於包含TiO2 之填充材料之表面處理中，可使用氧化鋁、氧化矽、氧化鋅等水合氧化物、氧化物等。又，除該等之外，宜於60~80 wt%之範圍內使用SiO2 作為填充劑，較佳為於65~75 wt%之範圍內使用SiO2 作為填充劑。又，作為SiO2 ，以線性膨脹係數比結晶性氧化矽小之非晶質氧化矽為佳。又，宜粒徑為100 μm以下之填充材料，較佳為60 μm以下之填充材料。更佳係形狀為球形之填充材料，藉此可使基體成型時之填充性提高。又，當用於顯示器等中而需要提高對比度時，以來自發光元件之光之吸收率為60%以上為佳，較佳為吸收90%以上之填充材料。此時，作為填充材料，可視目的而利用(a)乙炔黑、活性碳、石墨等碳，(b)氧化鐵、二氧化錳、氧化鈷、氧化鉬等過渡金屬氧化物，或者(c)有色有機顏料等。 又，基體之線性膨脹係數，宜控制成與單片化處理前被除去(剝離)之支持基板之線性膨脹係數之差變小。基體之線性膨脹係數宜設為支持基板之線性膨脹係數之0.5~2倍。又，可將基體之線性膨脹係數與支持基板之線性膨脹係數之差設為30%以下為佳，較佳為10%以下之差。當使用SUS(不鏽鋼)板作為支持基板時，線性膨脹係數之差宜為20 ppm以下，較佳為10 ppm以下。此時，以將填充材料調配為70 wt%以上為佳，較佳為調配為85 wt%以上。藉此，可控制(緩和)支持基板與基體之殘留應力，因此可減少單片化處理前之光半導體之集合體之翹曲。藉由減少翹曲，可降低導電性引線之切割等內部損傷，又，可抑制單片化時之位置偏移從而良率較佳地製造。例如，較理想的是，將基體之線性膨脹係數調整為5~25×10-6 /K為佳，較佳為7~15×10-6 /K。藉此，基體成型後，可容易地抑制冷卻時所產生之翹曲，故可良率較佳地進行製造。再者，本說明書中，所謂基體之線性膨脹係數，係指已藉由各種填充劑等調整之包含遮光性樹脂之基體的玻璃轉移溫度以下之線性膨脹係數。該溫度區域中之基體之線性膨脹係數，以接近支持基板之線性膨脹係數為佳。 又，自其他觀點考慮，基體之線性膨脹係數，宜控制成與第1及第2導電構件之線性膨脹係數之差減小。基體之線性膨脹係數宜較設為導電構件之線性膨脹係數之0.5~2倍。又，可將基體之線性膨脹係數與第1及第2導電構件之線性膨脹係數之差，設為40%以下為佳，較佳為20%以下。藉此，單片化後之光半導體裝置中，可抑制第1及第2導電構件與基體剝離，從而可形成可靠性優異之光半導體裝置。 (第1導電構件101、101'/第2導電構件102) 第1及第2導電構件係作為用以使光半導體元件通電之一對電極而發揮功能。本實施形態中，第1導電構件101、101'係使用導電引線或凸塊等而與光半導體元件(發光元件)電性連接，且作為用以自外部供給電力之電極而發揮功能。又，第2導電構件102係於其上直接或者經由子基板等其他構件而間接載置有發光元件者，且作為支持體發揮功能。第2導電構件亦可僅載置有發光元件而無助於通電。或者，第2導電構件亦可有助於對發光元件或保護元件之通電(即，作為電極發揮功能)。實施形態1中，將第2導電構件用作無助於導通之支持體。 本實施形態中，第1導電構件、第2導電構件均設置成於光半導體裝置(發光裝置)之下面形成外表面，即，並未由密封構件等被覆而露出於外部(下面)。關於第1導電構件、第2導電構件於俯視時之形狀、大小等，可相應於發光裝置之大小或所載置之發光元件等之數量、大小等而任意地選擇。又，關於膜厚，宜為第1導電構件與第2導電構件設為大致相等之膜厚。具體而言，25 μm以上200 μm以下為佳，較佳為50 μm以上100 μm以下。具有如此厚度之導電構件，宜係藉由鍍金屬方法形成之鍍金屬(鍍金屬層)，尤其以經積層之鍍金屬(層)為佳。 (第1導電構件101、101') 本實施形態中，第1導電構件101、101'如圖1A所示，係於俯視時為大致四邊形之發光裝置100之對向的兩個邊側各設置一個。第1導電構件101與第1導電構件101'設置為於其等之間夾持第2導電構件102。基體106係介於第1導電構件101、101'與第2導電構件102之間。此處，因第2導電構件102係用作發光元件103之支持體而無助於通電，故而利用兩個第1導電構件101、101'起到正負一對電極之作用。 第1導電構件101、101'具有經由導電性引線105、105'與發光元件103而電性連接之上面，及形成發光裝置100之外表面之下面。即，第1導電構件101、101'以未被基體106被覆而露出於外部之方式設置。 第1導電構件101、101'之上面係接合有用以與發光元件103電性連接之導電引線105、105'的部分，故至少具有接合所需之面積即可。又，第1導電構件101、101'之上面，如圖1B等所示可為平坦之平面，或者，亦可具有微細之凹凸或者槽、孔等。又，當未使用導電性引線，而直接使發光元件之電極與第1導電構件電性連接時，係以達到具有可接合發光元件之電極之區域之大小的方式設置第1導電構件。 第1導電構件101、101'之下面形成光半導體裝置之外表面，故宜為實質性平坦之面。但亦可形成有微細之凹凸等。 又，第1導電構件101、101'亦可其側面均為平坦之面。然而，若考慮到與基體106之密著性等，則宜於第1導電構件101、101'之內側之側面具有如圖1A之局部放大圖所示般之突起部X。該突起部X宜設置於與第1導電構件101、101'之下面相間隔之位置上，藉此第1導電構件101、101'不易產生自基體106脫落等之問題。又，可代替設置突起部，而藉由以與第1導電構件或第2導電構件之上面相比較，使下面變得更窄之方式，使第1導電構件或第2導電構件之側面傾斜，來抑制該等產生脫落。 突起部X若為第1導電構件101、101'之周圍中與發光裝置100之外表面不同之位置，則可設置於任意之位置。例如，可僅設置於俯視時為四邊形之導電構件之對向之兩個側面等進行局部設置。又，為了更確實地防止脫落，除了形成外表面之面以外，宜形成為遍及導電構件之周圍整體。 (第2導電構件102) 本實施形態中第2導電構件102如圖1B所示，具有載置有發光元件103之上面及形成發光裝置100之外表面之下面。又，本實施形態中，第2導電構件102並不作為電極發揮功能。為此，如圖1A所示，可以其側面完全由基體106被覆之方式，即，以與發光裝置100之側面相間隔之方式進行設置。藉此，當獲得藉由切割而單片化之發光裝置時，切割刃具可以不與第2導電構件102接觸之方式進行切割，因此易於進行切割。又，第2導電構件102可以其一部分形成發光裝置100之外表面之方式，即以到達發光裝置100之側面之方式進行設置(未圖示)。第2導電構件102係搭載有發光元件103，因此可藉由增大面積來提高散熱性。 第2導電構件102之上面，具有可載置發光元件103之面積以上之面積即可。除了製成如圖1A所示般俯視為大致四邊形之外，亦可製成為多邊形、波形或者具有缺口之形狀等各種形狀。又，載置發光元件103之區域宜製成平坦之面。第2導電構件102之上面除了發光元件之外亦可載置保護元件等。 第2導電構件102之側面可為平坦之面，但考慮到與基體106之密著性等，宜以與第1導電構件相同之方式，使之具有如圖1B所示般之突起部X。該突起部X宜設置於與第2導電構件102之下面相間隔之位置上，藉此第2導電構件102不易產生自基體106脫落等之問題。突起部X可設置於第2導電構件102之周圍之任意之位置上。例如，可僅設置於俯視為四邊形之第2導電構件102之對向之兩個側面上等進行局部設置。又，為了更確實地防止脫落，宜形成為遍及第2導電構件102之周圍整體。 第1導電構件101、101'與第2導電構件102宜使用相同材料，藉此可減少步驟。然而，亦可使用不同之材料。作為具體之材料，列舉銅、鋁、金、銀、鎢、鉬、鐵、鎳、鈷等金屬或該等之合金(鐵-鎳合金等)、磷青銅、添加鐵之銅、Au-Sn等共晶焊錫、SnAgCu、SnAg、CuIn等焊錫、ITO等。焊錫材料之中，宜調整為如下組成之材料，即，當焊錫粒子暫時熔融凝固時藉由焊錫而接合之金屬與焊錫合金化而使熔點上升，於回焊封裝時等之追加熱處理時不會再溶解。 該等可用作單體或合金。進而，亦可進行積層(鍍金屬)等設置複數層。例如，當將發光元件用作半導體元件時，宜於導電構件之最外表面使用可反射來自發光元件之光之材料。具體而言，以金、銀、銅、Pt、Pd、Al、W、Mo、Ru、Rh等為佳。更好的是最外表面之導電構件為高反射率、高光澤。具體而言，可見光範圍之反射率宜為70%以上，此時，可較佳使用Ag、Ru、Rh、Pt、Pd等。又，導電構件之表面光澤較高者為佳。光澤度宜為0.5以上，較佳為1.0以上。此處所示之光澤度係使用日本電色工業製微小面色差計VSR 300A，以45°照射，測定區域為F0.2 mm，垂直受光之狀態所得之數字。又，宜於導電構件之支持基板側，使用利於封裝至電路基板等之Au、Sn、Sn合金、AuSn等共晶焊錫鍍金屬等之材料。 又，亦可於導電構件之最外表面(最上層)與支持基板側(最下層)之間，形成中間層。為了提高導電構件或發光裝置之機械性強度，宜於中間層使用耐蝕性較高之金屬例如Ni。又，為了提高散熱性，宜於中間層使用熱導率較高之銅。宜以此方式根據目的或用途，於中間層使用適合之構件。關於該中間層，除了可使用上述金屬之外，亦可使用Pt、Pd、Al、W、Ru、Pd等。作為中間層，亦可將與最上層或最下層之金屬之密著性較佳之金屬進行積層。中間層之膜厚形成宜為厚於最上層或最下層。特別是，宜以導電構件之整體膜厚之80%~99%之範圍之比率形成，較佳為以90%~99%之範圍之比率形成。 特別是，包含金屬之鍍金屬層之情形時，係由其組成規定線性膨脹係數，因此，最下層或中間層宜與支持基板之線性膨脹係數相似者。例如，當使用線性膨脹係數為10.4×10-6 /K之SUS430作為支持基板時，其上之導電構件可形成為包含以下列舉之金屬(作為主成分)之積層構造。自最下層側起，線性膨脹係數宜為14.2×10-6 /K之Au(0.04~0.1 μm)、作為第1中間層之線性膨脹係數為12.8×10-6 /K之Ni(或線性膨脹係數為16.8×10-6 /K之Cu)(25~100 μm)、作為第2中間層之Au(0.01~0.07 μm)、作為最上層之線性膨脹係數為119.7×10-6 /K之Ag(2~6 μm)等之積層構造。最上層之Ag之線性膨脹係數與其他層之金屬差異較大，但其使來自發光元件之光之反射率優先，故使用Ag。因最上層之Ag製成極薄之厚度，故而對於翹曲之影響極為微弱。因此，實際使用時並無問題。 (密封構件104) 密封構件104係設置為被覆發光元件，並且與第1導電構件101、101'以及第2導電構件102相接。密封構件係保護發光元件、受光元件、保護元件、導電性引線等電子零件不受灰塵或水分、外力等之影響之構件。 作為密封構件104之材料，宜具有可使來自發光元件103之光穿透之透光性，且具有難以因該等而劣化之耐光性者。作為具體之材料，可列舉聚矽氧樹脂組合物、改質聚矽氧樹脂組合物、環氧樹脂組合物、改質環氧樹脂組合物、丙烯酸樹脂組合物等具有可使來自發光元件之光穿透之透光性的絕緣樹脂組合物。又，亦可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂、脲樹脂、氟樹脂以及包含至少一種以上該等樹脂之混成樹脂等。進而又並不限於該等有機物，亦可使用玻璃、氧化矽溶膠等無機物。除了如此之材料之外，亦可視需要含有著色劑、光擴散劑、光反射材料、各種填料、波長轉換構件(螢光構件)等。密封構件之填充量為被覆上述電子零件之量即可。 密封構件104之外表面之形狀可根據配光特性等進行各種選擇。例如，可藉由使上面形成為凸狀透鏡形狀、凹狀透鏡形狀、菲涅爾透鏡形狀等，而調整指向特性。又，除了可設置密封構件104外，亦可設置透鏡構件。進而，於使用添加螢光體之成形體(例如添加螢光體之板狀成形體、添加螢光體之園頂形成形體等)之情形時，宜選擇與添加螢光體之成形體之密著性優異的材料作為密封構件104。關於添加螢光體之成形體，除了樹脂組合物之外，可使用玻璃等無機物。 再者，主要對用於發光裝置之密封構件104進行了說明，而關於受光裝置亦大致與上述相同。受光裝置之情形時，為了提高光之入射效率，或避免受光裝置內部之2次反射，亦可使密封構件含有白色或者黑色等有色填料。又，宜於紅外線發光裝置或紅外線偵測裝置中使用含有黑色之有色填料之密封構件，以避開可見光之影響。 (接合構件) 接合構件(未圖示)係用以於將發光元件、受光元件、保護元件等載置連接於第1導電構件101、101'或第2導電構件102上之構件。可根據所載置之元件之基板，選擇導電性接合構件或絕緣性接合構件中之任一者。例如，於作為絕緣性基板之藍寶石上積層有氮化物半導體層之半導體發光元件情形時，接合構件可具有絕緣性亦可具有導電性。當使用SiC基板等導電性基板時，可藉由使用導電性之接合構件來實現導通。作為絕緣性之接合構件，可使用環氧樹脂組合物、聚矽氧樹脂組合物、聚醯亞胺樹脂組合物、該等之改質樹脂、混成樹脂等。當使用該等樹脂時，考慮到來自半導體發光元件之光或熱所引起之劣化，而可於發光元件背面設置Al或Ag膜等反射率較高之金屬層或介電質反射膜。此時，可使用蒸鍍、濺鍍、使薄膜接合等之方法。又，作為導電性之接合構件，可使用銀、金、鈀等之導電膏、或Au-Sn共晶等焊錫、低熔點金屬等焊料等。進而，當尤其使用該等接合構件中之透光性之接合構件時，亦可使其含有吸收來自半導體發光元件之光並發出不同波長之光的螢光構件。 (導電性引線105、105') 作為連接發光元件103之電極與第1導電構件101、101'或第2導電構件102之導電性引線，可使用金、銅、鉑、鋁等金屬以及該等之合金。特別是，宜使用熱電阻等優異之金。 (波長轉換構件) 亦可使上述密封構件中，含有吸收來自半導體發光元件之光之至少一部分並發出具有不同波長之光的螢光構件，作為波長轉換構件。 作為螢光構件，將來自半導體發光元件之光轉換為比其更長之波長者較為有效。然而，並不限於此，可使用將來自半導體發光元件之光轉換為短波長者，或者使由其他螢光構件所轉換之光進一步進行轉換者等各種螢光構件。如此之螢光構件，可將1種螢光物質等形成為單層，亦可形成混合有2種以上之螢光物質等之單層，亦可積層2層以上之含有1種螢光物質等之單層，或者亦可積層2層以上之分別混合有2種以上之螢光物質等之單層。 當使用將氮化物系半導體製成發光層之半導體發光元件，作為發光元件時，可使用吸收來自該發光元件之光並將其波長轉換為不同波長之光的螢光構件。例如，可使用主要利用Eu、Ce等鑭系元素活化之氮化物系螢光體或氮氧化物系螢光體。更具體而言，宜選自(a)經Eu活化之α或β賽隆型螢光體、各種鹼土金屬氮化矽酸鹽、各種鹼土金屬氮化鋁矽(例：CaSiAlN3 ：Eu、SrAlSi4 N7 ：Eu等)；(b)主要藉由Eu等鑭系之元素、Mn等過渡金屬系之元素所活化之鹼土金屬鹵素磷灰石、鹼土金屬之鹵矽酸鹽、鹼土金屬矽酸鹽、鹼土金屬鹵硼酸鹽、鹼土金屬鋁酸鹽、鹼土金屬硫化物、鹼土金屬硫代鎵酸鹽、鹼土金屬氮化矽、鍺酸鹽；或者(c)主要由Ce等鑭系元素所活化之稀土類鋁酸鹽、稀土類矽酸鹽、鹼土金屬稀土類矽酸鹽；(d)主要由Eu等鑭系元素所活化之無機以及有機錯合物等中之至少任一種以上。主要由Ce等鑭系元素所活化之稀土類鋁酸鹽螢光體即YAG系螢光體為佳。YAG系螢光體以Y3 Al5 O12 ：Ce、(Y0.8 Gd0.2 )3 Al5 O12 ：Ce、Y3 (Al0.8 Ga0.2 )5 O12 ：Ce、(Y,Gd)3 (Al,Ga)5 O12 等組成式表示。又，亦有Y之一部分或者全部由Tb、LU等所取代之Tb3 Al5 O12 ：Ce、Lu3 Al5 O12 ：Ce等。進而，亦可使用上述螢光體以外且具有相同之性能、作用、效果之螢光體。 又，亦可使用將螢光體塗佈於玻璃、樹脂組合物等其他成形體上所得者。進而，亦可使用添加螢光體之成形體。具體而言，可使用添加螢光體之玻璃或YAG燒結體、YAG與Al2 O3 、SiO2 、B2 O3 等之燒結體、以及於無機熔液中使YAG析出之結晶無機塊狀體等。亦可使用使螢光體於環氧、聚矽氧、混成樹脂等中一體成形所得者。 (半導體元件103) 本發明中，作為半導體元件103，可使用於同一面側形成有正負電極之構造、或者於不同面形成有正負電極之構造、使與成長基板不同之基板貼合之構造等各種構造之半導體元件。宜使用具有該等構造之半導體發光元件(僅稱作發光元件、或發光二極體)或半導體受光元件(僅稱作受光元件)。 半導體發光元件103可選擇任意之波長者。例如，藍色、綠色之發光元件中，可使用ZnSe或氮化物系半導體(InX AlY Ga1-X-Y N，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)、GaP。又，作為紅色之發光元件，可使用GaAlAs、AlInGaP等。進而，亦可使用包含除此以外之材料之半導體發光元件。所用之發光元件之組成、發光色、大小或個數等，可視目的適當選擇。 製成具有螢光物質之發光裝置時，宜為能夠發出可有效地激發該螢光物質之短波長之氮化物半導體(InX AlY Ga1-X-Y N ，0≦X，0≦Y，X+Y≦1)。可根據半導體層之材料或其之混晶比例選擇各種發光波長。 又，可使用不僅輸出可見光區域之光，亦輸出紫外線或紅外線之發光元件。進而可與發光元件一併或者單獨地搭載受光元件等。 作為受光元件，可列舉光IC(integrated circuitry，積體電路)、光二極體、光電晶體、CCD(電荷耦合元件)影像感測器、CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互補金氧半導體)影像感測器、Cd單元等。 支持基板(圖1A、1B中未圖示)係用於形成第1及第2導電構件之板狀或片狀構件。支持基板係於單片化前除去故不包含於光半導體裝置中。作為支持基板，除了使用SUS板等具有導電性之金屬板之外，亦可使用藉由濺鍍法或蒸鍍法而於聚醯亞胺等絕緣性板上形成導電膜所得者。或者，亦可使用可貼附金屬薄膜等之絕緣性板狀構件。任一情形時，支持基板均係於步驟之最終階段除去。即，支持基板必須自第1及第2導電構件101、101'、102或基體106中剝離。因此，作為支持基板，必須使用可彎折之構件，而即便取決於材料，但宜使用膜厚10 μm~300 μm左右之板狀構件。作為支持基板，除了上述SUS板之外，宜為鐵、銅、銀、科伐、鎳等金屬板、或可貼附金屬薄膜等之包含聚醯亞胺之樹脂片等。尤其好的是使用麻田散體(martensite)系、鐵氧體系、奧氏體系等各種不鏽鋼。尤其好的是，鐵氧體系之不鏽鋼。尤其好的是可為400系列、300系列之不鏽鋼。更具體而言，可較佳使用SUS430 (10.4×10-6 /K)、SUS444 (10.6×10-6 /K)、SUS303 (18.7×10-6 /K)、SUS304 (17.3×10-6 /K)等。400系列之不鏽鋼若實施酸處理來作為鍍金屬之前處理，則與300系列相比，表面容易變粗糙。因此，當於經酸處理之400系列之不鏽鋼之上形成鍍金屬層時，則該鍍金屬層之表面亦容易變得粗糙。藉此，可改善與構成密封構件或基體之樹脂之密著性。又，300系列於酸處理中表面難以變得粗糙。因此，若使用300系列之不鏽鋼，則容易提高鍍金屬層之表面之光澤度，藉此可提高來自發光元件之反射率，從而製成光萃取效率較高之發光裝置。 又，於提高第1、第2導電構件之表面光澤時，則使用鍍金屬或蒸鍍、濺鍍等方法形成。為了進一步提高光澤度，支持基板之表面平滑者為佳。例如，當使用SUS作為支持基板時，可藉由使用晶界相對小之300系列之SUS，來獲得表面光澤較高之導電構件之最外表面。 又，為了緩和樹脂成形後之翹曲，亦可對支持基板實施狹縫、槽、波形之加工。 ＜製造方法1-1＞ 以下，使用圖式說明本發明之發光裝置之製造方法。圖2A~2H係說明形成發光裝置之集合體1000之步驟之圖。可藉由將該集合體1000切割成單片，而獲得實施形態1中說明之發光裝置100。1. 第 1 步驟 首先，如圖2A所示，準備包含金屬板等之支持基板1070。於該支持基板之表面塗佈光阻劑1080作為保護膜。可藉由該光阻劑1080之厚度而調整隨後形成之第1導電構件或第2導電構件之厚度。再者，此處，僅於支持基板1070之上面(形成第1導電構件等之側之面)設置光阻劑1080，但亦可於下面(相反側之面)形成該光阻劑1080。此時，可藉由將光阻劑設置於相反側之面之大致整個面，來防止因後述之鍍金屬而於下面形成導電構件。 再者，當所用之保護膜(光阻劑)係藉由光微影形成之光阻劑時，亦可使用正型、負型中之任一者。此處係對使用正型之光阻劑之方法加以說明，但亦可組合使用正型、負型。又，亦可使用貼附藉由網版印刷形成之光阻劑或片狀之光阻劑等之方法。 使經塗佈之光阻劑乾燥後，使具有開口部之光罩1090直接或間接地配置於其上部，並如圖中之箭頭所示照射紫外線進行曝光。此處所使用之紫外線，可根據光阻劑1070之感光度等選擇適合之波長。其後，利用蝕刻劑進行處理，藉此如圖2B所示形成具有開口部K之光阻劑1080。此處，若有必要亦可進行酸活化處理等。 其次，使用金屬進行鍍金屬，藉此如圖2C所示，使光阻劑1080之開口部K內形成第1導電構件1010與第2導電構件1020。此時，可藉由調整鍍金屬條件來進行鍍金屬以變得厚於光阻劑1080之膜厚。藉此，使導電構件形成於光阻劑(保護膜)之上面為止，從而可形成如圖1A所示之突起部X。關於鍍金屬方法，可根據所用之金屬，或者相應於目標膜厚或平坦度於該領域內根據公知之方法適當進行選擇。例如，可使用電解鍍金屬、非電解鍍金屬等。尤其好的是使用電解鍍金屬，藉此可容易地除去光阻劑(保護膜)，從而易於使導電構件以均勻之形狀形成。又，為了提高與最外表層(例如Ag)之密著性，宜藉由打底鍍金屬而於該最外表層之下層形成中間層(例如Au、Ag)。 鍍金屬後，藉由清洗除去保護膜1080，而如圖2D所示，形成彼此間隔之第1導電構件1010以及第2導電構件1020。再者，該突起部X除了利用如上述般之鍍金屬之外，亦可利用研碎加工、金屬膏印刷後之烘焙方法等形成。2. 第 2 步驟 其次，如圖2E所示，於第1導電構件1010與第2導電構件1020之間，設置可反射來自發光元件之光之基體1060。基體可藉由射出成形、轉移模製、壓縮成型等方法形成。 例如藉由轉移模製形成基體1060時，係設置成於包含上模具以及下模具之模具中夾持形成有複數個第1及第2導電構件之支持基板。此時，亦可介隔脫模片等設置於模具中。模具內插入有作為基體原料之樹脂顆粒，對支持基板與樹脂顆粒進行加熱。樹脂顆粒熔融後，藉由加壓而填充於模具中。加熱溫度或加熱時間、及壓力等，可根據所用之樹脂之組成等進行適當調整。於硬化後自模具取出，從而可獲得如圖2E所示之成型品。3. 第 3 步驟 其次，如圖2F所示，使用接合構件(未圖示)將發光元件1030接合於第2導電構件1020上，並使用導電性引線1050連接於第1導電構件1010。再者，此處係使用於同一面側具有正負電極之發光元件，但亦可使用正負電極形成於不同面之發光元件。4. 第 4 步驟 其後，以被覆發光元件1030、導電性引線1050之方式，並藉由轉移模製、灌注、印刷等方法形成密封構件1040。再者，此處，密封構件係為1層構造，但亦可為組成或特性不同之2層以上之多層構造。 使密封構件1040硬化後，如圖2G所示將支持基板1070剝離除去。5. 第 5 步驟 經由以上之步驟後，可獲得如圖2H所示之半導體裝置(發光裝置)之集合體1000。最後，於圖2H中之虛線所示之位置進行切割製成單片，藉此可獲得例如圖1A所示之發光裝置100。關於單片化之方法，可使用刀片切割、雷射光切割等各種方法。 再者，圖2H中，係於包含導電構件之位置上進行切割，但不限於此，亦可於與導電構件相間隔之位置上進行切割。當於包含導電構件之位置上進行切割時，導電構件亦會露出於光半導體裝置之側面，使得焊錫等變得易於接合。又，當於與導電構件相間隔之位置上進行切割時，則僅基體或密封構件等樹脂被切割，因此，比一併切割導電構件(金屬)與樹脂之情形，可更容易地進行切割。 ＜製造方法1-2＞ 製造方法1-2中，對藉由蝕刻而形成第1導電構件以及第2導電構件之方法進行說明。 於包含聚醯亞胺等絕緣性構件之板狀支持基板上貼附銅箔等導電性構件之薄膜。進而，於該導電性構件上貼附片狀之保護膜(乾式光阻劑片等)，並使用具有開口部之光罩進行曝光，使用弱鹼性溶液等清洗液除去已曝光部分之保護膜。藉此，使具有開口部之保護膜形成於導電性構件上。 其次，將每一支持基板浸漬於可蝕刻導電性構件之蝕刻液中，對該導電構件進行蝕刻。最後除去保護膜，藉此於支持基板上形成彼此間隔之第1及第2導電構件。 ＜實施形態2＞ 圖3A、圖3B表示實施形態2之光半導體裝置(發光裝置)200。圖3A係表示本發明之發光裝置200之內部之立體圖，圖3B係將圖3A之發光裝置200之凹部密封之狀態下之B-B'剖面之剖面圖。 實施形態2中，發光裝置200包括：(a)發光元件203以及保護元件210、(b)與發光元件203以及保護元件210電性連接之第1導電構件201、(c)與第1導電構件201相間隔，且載置有發光元件203之第2導電構件202、以及(d)被覆發光元件203，並且與第1導電構件201以及第2導電構件202相接之密封構件204。第1導電構件201以及第2導電構件202分別係下面形成發光裝置200之外表面。進而，第1導電構件201與第2導電構件202之側面之一部分亦形成發光裝置200之外表面。而且，於第1導電構件201與第2導電構件202之間，形成有包含可遮蔽來自發光元件203之光之樹脂的基體206。該基體206包括形成於第1導電構件201與第2導電構件202之間之底面部206a、及於與發光元件203相間隔之位置上，比第1導電構件201以及第2導電構件202之上面高之突出部206b。藉此，藉由基體206之突出部206b，而於發光裝置200中形成凹部S1。可藉由凹部S1，來抑制光向發光裝置200之側面側輻射，從而可使光朝向上面方向輻射。 如圖3B所示，突出部206b宜以形成朝向上面變寬之凹部S1之方式，使內面為傾斜面。藉此，可容易地使光朝向發光裝置之上面方向反射。再者，關於實施形態2中所用之構件等，可使用與實施形態1相同者。 ＜製造方法2＞ 以下，使用圖式說明本發明之發光裝置200之製造方法。圖4A~4D係說明形成發光裝置之集合體2000之步驟之圖，可藉由切割該集合體2000，而獲得實施形態2中說明之發光裝置200。1. 第 1 步驟 製造方法2中，第1步驟可以與製造方法1-1、1-2相同之方式進行。2. 第 2 步驟 第2步驟如圖4A所示，係於第2步驟中形成基體之底面部2060a時，同時形成突出部2060b。再者，雖此處係同時形成，但亦可首先形成底面部2060a，繼而形成突出部2060b，或者，亦可先形成突出部2060b，之後形成底面部2060a。宜為兩者使用相同之遮光性樹脂，但亦可根據目的或用途而使用不同之遮光性樹脂。 突出部2060b之形成方法與基體之底面部2060a相同，可藉由使用模具之轉移模製等形成。此時，可藉由使用具有凹凸之上模具作為模具，來形成圖4A所示般之突出部2060b。3. 第 3 步驟 第3步驟中，如圖4B所示，於由突出部2060b所包圍之區域之第1導電構件2010上載置發光元件2030。導電性引線2050係連接於同樣由突出部2060b所包圍之區域之第1及第2導電構件2010之上面。4. 第 4 步驟 第4步驟中，如圖4C所示，對由突出部2060b包圍而形成之凹部填充包含透光性樹脂之密封構件。藉此，利用密封構件將發光元件被覆。此處，密封構件2040係以成為與突出部2060b大致相同之高度之方式設置，但並不限於此，亦可以高於或低於突出部之方式形成。又，既可如此般使上面為平坦之面，或者亦可形成為中央凹陷或突出之曲面狀。5. 第 5 步驟 第5步驟中，藉由於圖4D所示之虛線部、即，切割突出部2060b之位置進行切割，而進行單片化處理，從而製成圖3A所示之光半導體裝置200。此處，藉由設為切割突出部2060b但不切割密封構件2040之位置，而可將光之萃取方向僅限定於光半導體裝置(發光裝置)200之朝上方向。藉此，朝向上方之光之萃取可高效率地進行。再者，此處係切割突出部2060，但亦可於切割密封構件2040之位置進行切割。 ＜實施形態3＞ 圖5係表示本發明之光半導體裝置之立體圖，且係將局部切除以便看清基體306內部之圖。如圖5所示，實施形態3之特徵在於：於由基體之突出部306所包圍之凹部S2內載置有發光元件303，並且保護元件310埋設於基體之突出部306。圖5係使圖3A所示之近似長方體之光半導體裝置之基體306之一部分內部清晰可見之圖。 第2步驟中，於形成基體前，將保護元件310載置於第2導電構件302上，進而使用導電性引線305，使該保護元件310接合於第1導電構件301。藉此，可形成保護元件310埋設於基體306內之構造。實施形態1係於第2步驟中形成基體之後，於第3步驟中載置發光元件與保護元件。而本實施形態係於不同之步驟中設置發光元件與保護元件。如本實施形態所示，係以埋設於基體內之方式設置保護元件，藉此，可使光半導體裝置自身進一步小型化。 ＜實施形態4＞ 圖6A係表示本發明之光半導體裝置之立體圖，圖6B係圖6A之C-C'剖面之剖面圖。如圖6A、圖6B所示，實施形態4之特徵在於：基體406係以到達光半導體元件403之側面為止之方式設置。此處，自第1導電構件或第2導電構件之上面突出之突出部係設置成遍及基體406之整體。如此之構成可藉由如下方式而獲得，即，使第3步驟亦即將光半導體元件載置於第1及/或第2導電構件上之步驟，於第2步驟亦即於第1及第2導電構件之間設置包含光遮光性樹脂之基體之步驟之前進行。如圖6A、圖6B所示，以成為與光半導體元件(發光元件)403大致相同之高度之方式設置基體406，因此光僅自發光元件之上面輻射。藉此，可更高效率地萃取光。 又，此處係將基體(突出部)406設置成達到與發光元件403大致相同之高度為止，但不限於此，亦可將高度設置為低於發光元件403。當設置如此之基體406時，可藉由滴下、印刷等，使密封構件404於發光元件403或基體406上硬化。又，亦可採用使其他步驟中形成並完成硬化之密封構件404接著於基體406與發光元件403等方法。例如，可將Al2 O3 粉末與YAG螢光體粉末藉由壓縮成型等而成形為平板狀者，作為密封構件404，並使用接著劑貼附於發光元件或基體上。 又，實施形態4係不使用導電性引線，而使用導電性之接合構件，使發光元件403之正負電極直接接合於第1及第2導電構件。當於基體406之形成前載置光半導體元件403時，可藉由採取未使用如此之引線之載置方法，來防止因模具所引起之引線之變形等。 ＜實施形態5＞ 圖7A係表示本發明之光半導體裝置之剖面圖，圖7B係圖7A之局部放大圖。實施形態5中之光半導體裝置，具有與圖3A所示之光半導體裝置相同之外觀，且於發光元件503之周圍形成有將突出部506b作為側壁之凹部。於該凹部內，設置有高度低於作為凹部之側壁之突出部506b的底面部506a。另一方面，本實施形態之光半導體裝置，與圖3A之光半導體裝置不同之處在於形成於第1導電構件501與第2導電構件502之間之基體506之底面部506a高於第1導電構件501以及第2導電構件502之上面。又，如圖7B所示，於該底面部506a，以被覆第1導電構件501、第2導電構件502之上面之一部分之方式形成有突起部Y。藉此，可抑制於製造步驟中將支持基板除去時基體506之底面部506a被剝離。進而，可使位於接近發光元件503之位置上之基體506之底面部506a增厚，故可抑制來自發光元件503之光洩漏至底面側，從而可更高效率地使光反射。如此之設置於第1導電構件與第2導電構件之間之基體506所具有的底面部506a，宜包含突起部Y，且使高度大致不與導電引線505接觸。又，宜以覆蓋第1導電構件501、第2導電構件502之兩者之導電構件之上面之一部分之方式形成突起部Y，但亦可以僅覆蓋兩者中任一方之方式形成突起部Y。又，關於該被覆之區域之大小、寬度、位置等，可視需要而形成。進而，亦可代替將基體之底面部506a設置於如此之第1導電構件501與第2導電構件502之間，而以自第1導電構件橫跨第2導電構件之方式載置其他構件例如含Si之子基板等，並於其上載置發光元件。藉此，可抑制來自發光元件之光洩漏至底面側，從而可更高效率地使光進行反射。 [產業上之可利用性] 根據本發明之光半導體裝置之製造方法，可容易地獲得小型輕量、且光萃取效率及對比度優異之光半導體裝置。該等光半導體裝置可用於(a)各種顯示裝置、(b)照明器具、(c)顯示器、(d)液晶顯示器之背光光源，進而亦可用於(e)數位攝影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置及(f)投影儀裝置等之中。
100、200、300、400、500‧‧‧光半導體裝置(發光裝置)
101、101'、201、301、401、 501‧‧‧第1導電構件
102、202、302、402、502‧‧‧第2導電構件
103、203、303、403、503‧‧‧光半導體元件(發光元件)
104、204、304、404、504‧‧‧密封構件
105、105'、205、205'、305、 405、505‧‧‧導電引線
106、206、306、406、506‧‧‧基體
206a‧‧‧基體之底面部
206b‧‧‧基體之突出部
210、310‧‧‧保護元件
1000、2000‧‧‧光半導體裝置之集合體
1010、2010‧‧‧第1導電構件
1020、2010‧‧‧第2導電構件
1030、2030‧‧‧光半導體元件(發光元件)
1040、2040‧‧‧密封構件
1050、2050‧‧‧導電性引線
1060、2060‧‧‧基體
1070、2070‧‧‧支持基板
1080‧‧‧保護膜(光阻劑)
1090‧‧‧光罩
2060a‧‧‧基體之底部
2060b‧‧‧基體之突出部
S1、S2‧‧‧凹部
X、Y‧‧‧突起部
圖1A係表示本發明之光半導體裝置之整體以及內部之立體圖； 圖1B係圖1A之光半導體裝置之A-A'剖面之剖面圖以及局部放大圖； 圖2A~2H係說明本發明之光半導體裝置之製造方法的步驟圖； 圖3A係表示本發明之光半導體裝置之整體以及內部之立體圖； 圖3B係圖3A之光半導體裝置之B-B'剖面之剖面圖； 圖4A~4D係說明本發明之光半導體裝置之製造方法之步驟圖； 圖5係表示本發明之光半導體裝置之整體以及內部之立體圖； 圖6A係表示本發明之光半導體裝置之立體圖； 圖6B係圖6A之光半導體裝置之C-C'剖面之剖面圖； 圖7A係本發明之光半導體裝置之剖面圖；及 圖7B係圖7A之光半導體裝置之局部放大剖面圖。
100‧‧‧光半導體裝置(發光裝置)
101、101'‧‧‧第1導電構件
102‧‧‧第2導電構件
103‧‧‧光半導體元件(發光元件)
104‧‧‧密封構件
105、105'‧‧‧導電引線
106‧‧‧基體
A-A'‧‧‧線

Claims (7)

  1. 一種光半導體裝置，其包括： 光半導體元件； 第1導電構件，其下面形成上述光半導體裝置之外表面，上述第1導電構件之厚度係25 μm~200 μm； 第2導電構件，其與上述第1導電構件間隔，且下面形成上述光半導體裝置之外表面，上述第2導電構件之厚度係25 μm~200 μm； 基體，其包含相對於來自上述光半導體元件之光的反射率為60%以上之遮光性樹脂，且於上述第1導電構件及上述第2導電構件之間為遮光而設置； 上述光半導體元件之正電極及負電極，各自不經由導電性引線而與上述第1導電構件與上述第2導電構件接合， 上述基體係包含上述遮光性樹脂，且形成自第1導電構件及第2導電構件之上面突出之突出部，上述突出部係以自上述光半導體裝置之外周到達上述光半導體元件之方式設置。
  2. 如請求項1之光半導體裝置，其中 上述突出部之高度係與上述光半導體元件大致相同。
  3. 如請求項1之光半導體裝置，其中 上述光半導體裝置之側面之至少一者係藉由上述基體與上述第1導電構件或第2導電構件一併切割而形成。
  4. 如請求項1之光半導體裝置，其中 上述第1導電構件或上述第2導電構件係具有上述第1導電構件或上述第2導電構件之側面突起部。
  5. 如請求項4之光半導體裝置，其中 上述突起部係設置於與上述第1導電構件或上述第2導電構件之下面相間隔之位置上。
  6. 如請求項1之光半導體裝置，其特徵在於： 上述第1導電構件及上述第2導電構件係以鍍金屬之方式形成。
  7. 如請求項1至6中任一項之光半導體裝置，其中 上述光半導體係長方體。
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