TW201706548A - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

提供可抑制基板的顫動及搬送偏離的基板處理裝置。 關於實施形態的基板處理裝置(1)係具備以在處理室(2)內挾持搬送路徑(H)之方式個別設置於搬送路徑(H)上下，分別朝向搬送路徑(H)噴吹氣體的第1氣刀(4a)與第2氣刀(4b)，與設置於處理室(2)內，調整氣體之流向的整流板(5)。第1氣刀(4a)及第2氣刀(4b)係以分別具有長條的吹出口(13)，吹出口(13)的長邊方向在水平面內往對於基板(W)的搬送方向(Ha)相同方向傾斜，吹出口(13)往基板(W)的搬送方向(Ha)的上游側吹出氣體之方式設置。整流板(5)係以具有第1面(5a)及其相反面的第2面(5b)，位於搬送路徑(H)的下方而朝基板(W)之搬送方向(Ha)的下游側傾倒，將氣體的流向分成沿著第1面(5a)的流向與沿著第2面(5b)的流向之方式設置。

Description

基板處理裝置

本發明的實施形態係關於基板處理裝置。

作為液晶或護蓋玻璃等的製造工程中所用的基板處理裝置，開發有藉由處理液(例如藥液及洗淨液等)對基板進行處理，之後，藉由氣體的噴吹，對基板進行乾燥處理的基板處理裝置。又，也開發有藉由氣體(例如處理氣體等)的噴吹，對基板進行處理的基板處理裝置。此種基板處理裝置係一邊在處理室(處理槽)內藉由複數旋轉滾筒來搬送基板，一邊對基板噴吹氣體來進行基板處理。於處理室，例如在基板搬送路徑的上下具備有氣刀等之噴吹氣體的手段。上的氣刀以朝向斜下，下的氣刀以朝向斜上，供給氣體之方式構成。

然而，在前述的處理室中，根據對基板噴吹之氣體的流速及流量等，會有發生亂流之狀況。到基板被搬送至氣刀附近為止，從各氣刀供給的氣體在途中衝撞合流，往與搬送路徑大略平行，且與基板搬送方向相反方向行進。因於搬送路徑具備用以搬送基板的搬送滾筒，故與搬送路徑 大略平行行進的氣體，因為康達效應(Coanda effect)，沿著搬送滾筒的彎曲面(外周面)而朝向下方。朝向下方的空氣與處理室的底部衝撞而成為亂流。該亂流的大部分會與被搬入至處理室之搬送途中的基板的背面衝撞。

因此，基板的厚度變薄的話(例如成為數mm或數mm以下的厚度的話)，因基板本身會變輕，該本身重量輕的基板有因亂流而被抬高，發生顫動之狀況。又，也有基板因亂流而從搬送路徑偏離之狀況。該基板的顫動及搬送偏離會成為引起基板的破損(也包含傷痕等)及處理不良等的要因。又，於基板被搬入至處理室，未到達氣刀的階段中，因發生亂流而基板顫動的話，有到達氣刀時基板無法順利進入上下氣刀的間隙，基板發生破損之狀況。根據該等狀況，被要求抑制基板的顫動及搬送偏離。

本發明所欲解決的課題，係提供可抑制基板的顫動及搬送偏離等之搬送不良的基板處理裝置。

關於實施形態的基板處理裝置，係具備處理室、設置於處理室內，用於搬送基板的搬送部、以在處理室內挾持搬送基板的搬送路徑之方式個別設置於搬送路徑的上下，分別朝向搬送路徑噴吹氣體的第1氣體供給部及第2氣體供給部、及設置於處理室內，調整氣體的流向的整流板。第1氣體供給部及第2氣體供給部，係以分別具有吹出氣體之長條的吹出口，吹出口的長邊方向在水平面內往對於 基板的搬送方向相同方向傾斜，且吹出口往基板之搬送方向的上游側吹出氣體之方式設置。整流板，係以具有第1面及其第1面的相反面的第2面，位於搬送路徑的下方而朝基板之搬送方向的下游側傾倒，將氣體的流向分成沿著第1面的流向與沿著第2面的流向之方式設置。

關於實施形態的基板處理裝置，係具備處理室、設置於處理室內，用於搬送基板的搬送部、以在處理室內挾持搬送基板的搬送路徑之方式個別設置於搬送路徑的上下，分別朝向搬送路徑噴吹氣體的第1氣體供給部及第2氣體供給部、及設置於處理室內，調整氣體的流向的整流板。第1氣體供給部及第2氣體供給部，係以分別具有吹出氣體之長條的吹出口，吹出口的長邊方向在水平面內往對於基板的搬送方向相同方向傾斜，且往基板之搬送方向的上游側吹出氣體之方式設置。整流板，係位於搬送路徑的下方而往基板之搬送方向的下游側傾倒，設置於處理室的底面。

依據前述之關於實施形態的基板處理裝置，可抑制基板的顫動及搬送偏離等的搬送不良。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理室

2a‧‧‧底室

2b‧‧‧排氣口

3‧‧‧搬送部

3a‧‧‧搬送滾筒

4‧‧‧氣體供給單元

4a‧‧‧第1氣刀

4b‧‧‧第2氣刀

5‧‧‧整流板

5a‧‧‧第1面

5b‧‧‧第2面

6‧‧‧抑制板

7‧‧‧液回收板

11‧‧‧滾筒

12‧‧‧軸桿

13‧‧‧吹出口

20‧‧‧排氣口

51‧‧‧整流板

51a‧‧‧第1面

51b‧‧‧第2面

G‧‧‧間隔距離(間隔)

H‧‧‧搬送路徑

Ha‧‧‧搬送方向

L‧‧‧距離

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧長度

M1‧‧‧底面

M2‧‧‧側面

W‧‧‧基板

[圖1]揭示關於第1實施形態的基板處理裝置之概略構造的橫剖面圖。

[圖2]揭示關於第1實施形態的基板處理裝置之概略構造的縱剖面圖(位於圖1的A1-A1線的剖面圖)。

[圖3]用以說明關於第1實施形態的氣體之流向的說明圖。

[圖4]揭示關於第2實施形態的基板處理裝置之概略構造的縱剖面圖。

[圖5]揭示關於第3實施形態的基板處理裝置之概略構造的縱剖面圖。

[圖6]揭示關於其他實施形態的基板處理裝置之概略構造的剖面圖。

(第1實施形態)

針對第1實施形態，參照圖1乃至圖3來進行說明。

如圖1及圖2所示，關於實施之一形態的基板處理裝置1，係具備對基板W進行處理的處理室2、搬送基板W的搬送部3、對被搬送之基板W噴吹氣體的氣體供給單元4、及調整氣體之流向的複數整流板5。再者，基板W被往水平面內之所定搬送方向Ha(例如圖1及圖2中的右方向)搬送。

處理室2係內藏搬送基板W之搬送路徑H(參照圖2)的框體。搬送路徑H位於處理室2之上下方向的大略中央。作為基板W，大多使用例如玻璃等之矩形狀的基板，其基板W的厚度作為一例為0.5mm程度。又，被搬送至處理室2內之前的基板W的兩面(圖2中的上下面)係因為例如洗淨液等的液體而濕潤。再者，於處理室2內產生降 流(垂直層流)，又，於處理室2的底面M1，形成有排出從基板W去除之液體的排出口(未圖示)。

搬送部3係具備長條之複數搬送滾筒3a，藉由搬送滾筒3a的旋轉，搬送被置放於該等搬送滾筒3a上的基板W。各搬送滾筒3a係可旋轉地設置，以對於基板W的搬送方向Ha在水平面內正交之方式以所定間隔並排，形成基板W的搬送路徑H。該等搬送滾筒3a係分別藉由複數滾筒11與保持該等滾筒11的軸桿12所構成，各搬送滾筒3a係為相互同步地旋轉的構造。再者，搬送滾筒3a的配置間隔係因應基板W的尺寸來決定，各搬送滾筒3a係以不妨礙氣體供給單元4所致之對於基板W的氣體供給之方式，避開搬送路徑H中的氣體供給位置而設置。

氣體供給單元4係具備以挾持搬送路徑H之方式對向於搬送路徑H的上下，一個個設置之第1氣刀(第1氣體供給部)4a及第2氣刀(第2氣體供給部)4b。第1氣刀4a朝向搬送路徑H從上方位置吐出氣體(例如空氣或氮氣等)，第2氣刀4b朝向搬送路徑H從下方位置吐出氣體(例如空氣或氮氣等)。該氣體供給單元4係從第1氣刀4a及第2氣刀4b朝向搬送路徑H噴吹氣體，使通過該搬送路徑H的基板W的兩面乾燥者。

第1氣刀4a係具有吹出氣體之長方形狀的吹出口(長條的吹出口)13，吹出口13以往基板W的搬送方向Ha的上游側吹出氣體之方式設置於搬送路徑H的上方位置。詳細說明的話，第1氣刀4a係如圖1所示，以橫跨搬送路 徑H，並且相對於第1氣刀4a上位側的端部，下位側的端部位於搬送方向Ha的下游側之方式，傾斜角度θ1(例如70度)而設置。進而，第1氣刀4a係以吹出口13朝向下方，朝向搬送方向Ha的上游側吹出氣體之方式配置，如圖2所示，與第1氣刀4a之吹出口13相反側的端部側往搬送方向Ha的下游側傾斜角度θ2(例如50度以上70度以下的範圍內)而設置。第1氣刀4a的吹出口13與搬送中之基板W的表面的垂直方向之間隔距離(間隔)G為數mm(例如3mm)程度。

第2氣刀4b也具有吹出氣體之長方形狀的吹出口(長條的吹出口)13，吹出口13以往基板W的搬送方向Ha的上游側吹出氣體之方式設置於搬送路徑H的下方位置。該第2氣刀4b係與第1氣刀4a同樣(與第1氣刀4a相同方向及相同角度)地傾斜，第1氣刀4a及第2氣刀4b的吹出口對向。

各整流板5係如圖1所示，分別形成為長方形的板形狀，以在水平面內與基板W的搬送方向Ha正交之方式個別設置於搬送路徑H的下方。該等整流板5係以於基板W的搬送方向Ha各偏移所定距離，並沿著吹出口13的長邊方向之方式並排(全部各偏移相同距離而配置)。例如，各整流板5係以連結該等中心的虛擬線I與吹出口13的長邊方向平行之方式並排。各整流板5係涵蓋基板W的寬度(與基板W的搬送方向Ha在水平面內正交的方向的長度)的全區域而配置。再者，將整流板5偏移於搬送 方向Ha的所定距離，係於圖1的俯視中如整流板5的右邊和在下游側鄰接之整流板5的左邊位於相同直線上的距離(圖1的俯視之整流板5的搬送方向Ha的寬度)L。

進而，各整流板5係如圖2所示，分別具有第1面5a及其第1面5a的相反面的第2面5b。該等整流板5係其上端側往基板W的搬送方向Ha的下游側傾倒，對於搬送路徑H(處理室2的底面M1)傾斜所定角度θ3(例如50度以上70度以下的範圍內)，以將氣體的流向分成沿著第1面5a的流向與沿著第2面5b的流向之方式，個別設置於處理室2的底面M1。再者，該等複數整流板5的各傾斜角度θ3全部是相同角度。整流板5與第1氣刀4a(或第2氣刀4b)的間隔距離，設定為可遮蔽後述之亂流的距離。再者，作為整流板5的材料，例如可使用聚氯乙烯(氯乙烯樹脂)。

在此，於前述的處理室2，設置有形成藉由各整流板5所整流之氣體積存的空間(氣體的積存處)的底室2a及從該底室2a排出氣體的複數排氣口2b。

底室2a係位於比所有整流板5更靠基板W的搬送方向Ha的上游側，且於處理室2內與第1氣刀4a的吹出口13對向之處即角隅部分(例如，圖1中之處理室2左角部分)，被設置於處理室2的底面M1。該底室2a形成為長條的箱形狀，以長邊方向與搬送方向Ha在水平面內正交之方式配置。底室2a之開口的長邊方向的長度L1係比已設置之第1氣刀4a(或第2氣刀4b)的吹出口13與基板W 的搬送方向Ha在水平面內正交之方向的長度(設置寬度)L2一半的長度還短(例如比基板W的寬度一半還短)。

各排氣口2b係並排於與基板W的搬送方向Ha在水平面內正交的方向，分別形成於底室2a的底面，排出藉由各整流板5所整流之氣體。該等排氣口2b係透過連接管(都未圖示)連接於工廠等既存之排氣裝置，處理室2內的氣體從各排氣口2b被吸入並排出。

接著，針對前述基板處理裝置1所進行之基板處理(例如乾燥處理)進行說明。

在基板處理中，搬送部3的各搬送滾筒3a旋轉，該等搬送滾筒3a上的基板W被搬送至所定搬送方向Ha，沿著搬送路徑H移動。於該搬送路徑H中的氣體供給位置，乾燥用的氣體預先從該上方藉由第1氣刀4a吹出，進而，乾燥用的氣體也從下方藉由第2氣刀4b吹出。在該吹出狀態下，基板W通過搬送路徑H中的氣體供給位置，亦即第1氣刀4a與第2氣刀4b之間的話，基板W的上下面藉由氣體的噴吹，附著於基板W的液體被吹飛，基板W的表面逐漸乾燥。此時，附著於基板W的表面(上面及下面)的液體藉由氣體的噴吹，從基板W表面的右上角往左下角之方向(圖1的俯視)移動，故基板W的上下面分別從右上角往左下角依序乾燥。

依據該基板處理，基板W到達搬送路徑H中的氣體供給位置為止(乾燥處理前)，從第1氣刀4a吹出的氣體朝向搬送路徑H的下方噴吹，從第2氣刀4b吹出的氣體朝 向搬送路徑H的上方噴吹。來自該等第1氣刀4a、第2氣刀4b的氣體，分別衝撞、合流而與搬送方向Ha平行且反方向行進於基板W的搬送路徑H上附近。此時，於第1氣刀4a與第2氣刀4b附近的搬送路徑H，基板W尚未到達，故搬送滾筒3a的滾筒11及軸桿12未保持基板W而存在。因此，在滾筒11或軸桿12附近，來自第1氣刀4a與第2氣刀4b的氣體合流之氣體塊流動過來時，於滾筒11或軸桿12的彎曲面(外周面)會發生康達效應，沿著滾筒11或軸桿12的彎曲面，來自第1氣刀4a、第2氣刀4b的氣體塊幾乎會一口氣朝向處理室2的下方。朝向處理室2的下方的氣體與底面M1衝撞之後，成為亂流而朝向處理室2的上方。但是，因為以妨礙該亂流朝向處理室2的上方之方式配置有整流板5，故可抑制氣體與基板W的背面衝突之狀況。

如圖3所示，來自第1氣刀4a與第2氣刀4b的氣體合流的氣體塊，被分成沿著各整流板5之第1面5a的流向，與和底面M1衝突後與第2面5b衝撞的流向。各氣體以沿著第1面5a及第2面5b之方式分流，之後，容易沿著處理室2的底面M1流動。在圖3中，沿著第1面5a的流向以白箭頭表示，沿著其背面的第2面5b的流向以黑箭頭表示。但是，圖3係表示氣體的流向的圖像，也有與實際的流向不同的部分。沿著第1面5a流動的氣體變得容易沿著處理室2的底面M1流動(參照圖3中的白箭頭)，沿著第2面5b的氣體一邊與沿著鄰接之整流板5的 第1面5a流過來的氣體混合，一邊變得容易沿著處理室2的底面M1流動(參照圖3中黑箭頭)。之後，藉由各整流板5所整流的氣體積存於底室2a，從該底室2a內的各排氣口2b排出。如此一來，因為可抑制亂流發生而朝向處理室2的上方之狀況，所以可抑制基板W的顫動及搬送偏離。

接下來，從基板W到達搬送路徑H中的氣體供給位置到通過為止(乾燥處理中)，從第1氣刀4a吹出的氣體被基板W的上面遮蔽，從第2氣刀4b吹出的氣體被基板W的下面遮蔽，朝向搬送路徑H的下方流動。該氣體也於不存在整流板5之狀況中，變成衝撞處理室2的底而朝向搬送路徑H反射的流向，於搬送路徑H的下方中發生亂流，成為基板W(尤其，基板W的搬送方向Ha下游側部分)顫動的原因。但是，與前述同樣地(參照圖3)，因為藉由各整流板5以沿著第1面5a及第2面5b之方式分流，所以，相較於不隔著整流板5而直接與處理室2的底面M1衝突之狀況，變得容易沿著處理室2的底面M1流動。沿著第1面5a流動的氣體變得容易沿著處理室2的底面M1流動(參照圖3中的白箭頭)，沿著第2面5b的氣體一邊與沿著鄰接之整流板5的第1面5a流過來的氣體混合，一邊變得容易沿著處理室2的底面M1流動(參照圖3中黑箭頭)。之後，藉由各整流板5所整流的氣體積存於底室2a，從該底室2a內的各排氣口2b排出。如此一來，因為可抑制亂流發生而朝向處理室2的上方之狀況，所以 可抑制基板W的顫動及搬送偏離。又，也可抑制附著於基板W的液體成為霧狀的液體，因為亂流而飄起，再次附著於基板W的下面之狀況。

又，因整流板5設置於處理室2的底面M1，故間隙不存在於整流板5與處理室2的底面M1之間，可防止氣體穿過該間隙。因此，因為可抑制像穿過間隙而更增加流速的氣體朝向搬送路徑H之氣流的發生，可抑制新的亂流的發生。但是，根據氣流的量及速度等，即使不將整流板5設置於處理室2的底面M1而使其從該底面M1浮起之狀態，也有可抑制亂流的發生之狀況。此時，讓整流板5與處理室2的底面M1之間產生間隙亦可，但是，對於為了確實抑制亂流的發生來說，將整流板5設置於處理室2的底面M1為佳。

如以上所說明般，依據實施的一形態，藉由將整流板5以位於搬送路徑H的下方並往基板W的搬送方向Ha的下游側傾倒，將氣體的流向分成沿著第1面5a的流向與沿著第2面5b的流向之方式設置，從氣體供給單元4吹出的氣體塊朝向處理室2的上方之狀況被妨礙，之後，以沿著第1面5a及第2面5b流動之方式調整。藉此，因為抑制朝向搬送路徑H之氣流的發生，可抑制亂流的發生，所以，可抑制基板W的顫動及搬送偏離等的搬送不良。

又，藉由將整流板5設置於處理室2的底面M1，間隙不存在於整流板5與處理室2的底面M1之間，可防止氣體穿過該間隙。藉此，因為抑制如穿過間隙的氣體朝向 搬送路徑H之氣流的發生，可抑制亂流的發生，所以，更可抑制基板W的顫動及搬送偏離。

(第2實施形態)

針對第2實施形態，參照圖4來進行說明。再者，在第2實施形態中，針對與第1實施形態的不同處(抑制板6及液回收板7)進行說明，省略其他說明。

如圖4所示，關於第2實施形態的基板處理裝置1係具備抑制板6及液回收板7。抑制板6係以在短邊方向例如封塞一半底室2a的開口之方式設置於底室2a的上端，抑制透過整流板5所回收之底室2a內的氣體回到上方。又，液回收板7係位於在底室2a的上方從該底室2a的開口間隔所定距離的位置，設置於處理室2的側面M2。該液回收板7係在其上面承接並回收從通過搬送路徑H的基板W朝向底室2a飛散的液。

再者，藉由液回收板7回收的液體係例如從連接於處理室2的側面M2之排出管(未圖示)排出。但是，如果附著於液回收板7之液體的量為少量的話，也可不將排出管連接於處理室2的側面M2，在製造停止時或維護時藉由布或海綿等的吸收體，從液回收板7擦拭液體。

如以上所說明般，依據第2實施形態，可獲得與第1實施形態相同的效果。又，藉由設置抑制板6，抑制底室2a內的氣體回到上方，可抑制亂流的發生，所以，可確實地抑制基板W的顫動及搬送偏離等的搬送不良。

進而，藉由設置液回收板7，可承接並回收從通過搬送路徑H的基板W朝向底室2a飛散的液，所以，可抑制液體侵入至各排氣口2b內，可抑制起因於排氣不良等的問題之亂流的發生。

(第3實施形態)

針對第3實施形態，參照圖5來進行說明。再者，在第3實施形態中，針對與第1實施形態及第2實施形態的不同處進行說明，省略其他說明。

如圖5所示，關於第3實施形態的基板處理裝置1係設置複數個的整流板中，位於搬送方向Ha之最上游側的整流板51的傾斜角度與其他整流板5不同。整流板51的傾斜角度係以往第1氣刀4a及第2氣刀4b側大幅傾斜之方式(亦即以底面M1與第2面51b之間的角度變小之方式)設置。如此，藉由設置最上游側的整流板51，可更有效地抑制基板W的顫動。如上所述，在基板W未到達氣體供給位置時，來自第1氣刀4a及第2氣刀4b的氣體合流的氣體塊，藉由複數整流板5及整流板51整流。以分成沿著整流板5之第1面5a的流向，與沿著第2面5b的流向，沿著處理室2的底面M1之方式流動。此外，於第1氣刀4a、第2氣刀4b的吹出口13中，從離各排氣口2b最遠的位置吹出的氣體，分成沿著整流板51之第1面51a的流向，與沿著第2面51b的流向。在此，整流板51的第2面51b與底面M1之間的區域，係比其他整流板5 的第2面5b與底面M1之間的區域還狹小。因此，沿著整流板51的第2面51b流動之氣體的流速，明顯比沿著整流板5的第2面5b流動之氣體的流速還快。關於從離第1氣刀4a及第2氣刀4b的吹出口13之排氣口2b最遠的位置吹出的氣體，也可花費與從離各排氣口2b比較近的位置吹出的氣體相同程度的時間，從各排氣口2b排出。藉此，可更有效地抑制基板W的顫動及搬送偏離等的搬送不良。

(其他實施形態)

於前述之實施形態中，已說明排氣口2b僅在處理室2之底面的範例，但並不限於此。圖6係在比處理室2內之搬送部3更上方的壁面具有排氣口20之基板處理裝置1的剖面圖。如圖6所示，排氣口20係開口於搬送方向Ha之上游側的壁面，藉由未圖示的排氣裝置進行排氣。然而，如上所述，基板W被搬入至處理室2內，搬送開始，到到達氣體供給位置為止之間，需要妨礙來自搬送路徑H之下方的氣體朝向處理室2的上方。所以，欲藉由排氣口20的排氣裝置來進行排氣的話，則無法將處理室2內之氣體的流向集中於底面，故此時使排氣口20的排氣裝置停止。基板W到達氣體供給位置，乾燥處理開始的話，則使排氣口20的排氣裝置動作。藉此，對從第1氣刀4a吹出而在基板W上反射的氣體進行排氣。

如上所說明般，即使於此種構造中，也可獲得與上述 之各實施形態相同的效果。進而，也可調整乾燥處理中之處理室2整體的氣流，也可抑制乾燥處理中之基板W的顫動。

於前述的實施形態中，將第1氣刀4a(或第2氣刀4b)，從吹出口13的長邊方向對於搬送方向Ha在水平面內正交之狀態下往搬送方向Ha的上游側傾倒，但並不限於此，也可往相反的下游側傾倒而設置。此時，各整流板5(51)及底室2a、各排氣口2b的位置係依據前述的實施形態來變更。

又，也可因應移動於搬送路徑H之基板W的位置，藉由調整部(未圖示)來調整第1氣刀4a及第2氣刀4b任一方或兩方的流量。例如，基板的前端到達第1氣刀4a及第2氣刀4b的氣體供給位置時，提高雙方的流量，基板W的後端到達前述的氣體供給位置時，則降低雙方的流量(也包含0)(作為一例，僅在基板處理中吹出氣體)。藉此，基板W的前端被適切搬送至第1氣刀4a與第2氣刀4b之間，之後可進行處理。

又，於處理室2的底面M1設置底室2a，但是並不限於此，例如也可不設置底室2a，於處理室2的底面M1設置各排氣口2b。進而，於底室2a的底面設置各排氣口2b，但並不限於此，例如也可設置於底室2a的側面。

又，於前述的各實施形態中，已說明整流板5(包含51)為4枚的範例，但並不限於此，因應第1氣刀4a(或第2氣刀4b)的長度，決定該數量即可，只要具備1枚以上 即可。但是，可藉由具備複數枚整流板5，使氣體更容易沿著處理室2的底面M1流動。所以，可抑制基板W的顫動及搬送偏離等的搬送不良。

以上，已說明本發明的幾個實施形態，但是，該等實施形態係作為範例而提示者，並無意圖限定發明的範圍。該等新穎的實施形態係可利用其他各種形態來實施，在不脫出發明之要旨的範圍內，可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態及其變形係包含於發明的範圍及要旨，並且包含於申請專利範圍所記載之發明與其均等的範圍。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理室

2a‧‧‧底室

2b‧‧‧排氣口

3‧‧‧搬送部

3a‧‧‧搬送滾筒

4‧‧‧氣體供給單元

4a‧‧‧第1氣刀

4b‧‧‧第2氣刀

5‧‧‧整流板

5a‧‧‧第1面

5b‧‧‧第2面

11‧‧‧滾筒

12‧‧‧軸桿

13‧‧‧吹出口

H‧‧‧搬送路徑

Ha‧‧‧搬送方向

M1‧‧‧底面

W‧‧‧基板

G‧‧‧間隔距離(間隔)

Claims (13)

1. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備：處理室；搬送部，係設置於前述處理室內，用於搬送基板；第1氣體供給部及第2氣體供給部，係以在前述處理室內挾持搬送前述基板的搬送路徑之方式個別設置於前述搬送路徑的上下，分別朝向前述搬送路徑噴吹氣體；及整流板，係設置於前述處理室內，調整氣體的流向；前述第1氣體供給部及前述第2氣體供給部，係以分別具有吹出前述氣體之長條的吹出口，前述吹出口的長邊方向在水平面內往對於前述基板的搬送方向相同方向傾斜，且前述吹出口往前述基板之搬送方向的上游側吹出前述氣體之方式設置；前述整流板，係以具有第1面及其第1面的相反面的第2面，位於前述搬送路徑的下方而朝前述基板之搬送方向的下游側傾倒，將氣體的流向分成沿著前述第1面的流向與沿著前述第2面的流向之方式設置。
2. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備：處理室；搬送部，係設置於前述處理室內，用於搬送基板；第1氣體供給部及第2氣體供給部，係以在前述處理室內挾持搬送前述基板的搬送路徑之方式個別設置於前述 搬送路徑的上下，分別朝向前述搬送路徑噴吹氣體；及整流板，係設置於前述處理室內，調整氣體的流向；前述第1氣體供給部及前述第2氣體供給部，係以分別具有吹出前述氣體之長條的吹出口，前述吹出口的長邊方向在水平面內往對於前述基板的搬送方向相同方向傾斜，且往前述基板之搬送方向的上游側吹出前述氣體之方式設置；前述整流板，係位於前述搬送路徑的下方而往前述基板之搬送方向的下游側傾倒，設置於前述處理室的底面。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述整流板，係設置於前述處理室的底面。
4. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述整流板，係以與前述基板的搬送方向在水平面內正交之方式設置複數個；複數前述整流板，係以沿著前述第1氣體供給部或前述第2氣體供給部之前述吹出口的長邊方向之方式，於前述基板的搬送方向錯開設置。
5. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述整流板，係以與前述基板的搬送方向在水平面內正交之方式設置複數個；複數前述整流板，係以沿著前述第1氣體供給部或前 述第2氣體供給部之前述吹出口的長邊方向之方式，於前述基板的搬送方向錯開設置。
6. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述第1氣體供給部，係位於前述搬送路徑上；前述處理室，係具有：複數排氣口，係位於比前述整流板更靠前述基板之搬送方向的上游側，形成於前述處理室的底面且與前述第1氣體供給部的前述吹出口對向之處，排出藉由前述整流板所整流之前述氣體。
7. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述第1氣體供給部，係位於前述搬送路徑上；前述處理室，係具有：複數排氣口，係位於比前述整流板更靠前述基板之搬送方向的上游側，形成於前述處理室的底面且與前述第1氣體供給部的前述吹出口對向之處，排出藉由前述整流板所整流之前述氣體。
8. 如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其中，前述第1氣體供給部，係位於前述搬送路徑上；前述處理室，係具有：底室，係位於比前述整流板更靠前述基板之搬送方向的上游側，形成於前述處理室的底面且與前述第1氣體供 給部的前述吹出口對向之處，形成藉由前述整流板所整流之前述氣體積存的空間。
9. 如申請專利範圍第2項所記載之基板處理裝置，其中，前述第1氣體供給部，係位於前述搬送路徑上；前述處理室，係具有：底室，係位於比前述整流板更靠前述基板之搬送方向的上游側，形成於前述處理室的底面且與前述第1氣體供給部的前述吹出口對向之處，形成藉由前述整流板所整流之前述氣體積存的空間。
10. 如申請專利範圍第4項或第5項所記載之基板處理裝置，其中，前述複數整流板中，位於前述基板之搬送方向的最上游側的前述整流板，比設置於其他位置的整流板，更往前述第1氣體供給部或第2氣體供給部側傾斜。
11. 如申請專利範圍第8項或第9項所記載之基板處理裝置，其中，前述處理室，係具有：複數排氣口，係設置於前述底室，排出藉由前述整流板所整流之前述氣體。
12. 如申請專利範圍第8項或第9項所記載之基板處理裝置，其中，更具備：抑制板，係設置於前述底室，抑制前述底室內的氣體回到上方之狀況。
13. 如申請專利範圍第8項或第9項所記載之基板處理裝置，其中，更具備：液回收板，係設置於前述底室的上方，承接朝向前述底室飛散的液。