TW201544329A - 長條形氣體阻障性積層體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種長條形氣體阻障性積層體及其製造方法，其中該長條形氣體阻障性積層體，係在基材的一側層積功能層，且在基材的另一側依順序層積平滑化層及氣體阻障層而成之長條形氣體阻障性積層體，與基材側為相反側的功能層之面、和與基材側為相反側的平滑化層之面之靜摩擦係數為0.35~0.80。依照本發明，能夠提供一種在捲成捲狀時和從捲物送出時的作業性優異之長條形氣體阻障性積層體及其製造方法。

Description

長條形氣體阻障性積層體及其製造方法
本發明係有關於一種在捲成捲狀時和從捲物送出時的作業性優異之長條形氣體阻障性積層體及其製造方法。
近年來，液晶顯示器、電激發光(EL)顯示器等的顯示器，為了實現薄型化、輕量化、可撓性化等，係使用在透明塑膠薄膜上層積氣體阻障層而成之所謂的氣體阻障膜，來代替玻璃板。
在氣體阻障膜，為了填補基材表面的凹凸且提升層間密著性，有提案揭示在基材上設置平滑化層之情形。
例如，在專利文獻1，係記載一種透明氣體阻障性薄膜，其係在透明塑膠基材上層積至少一層的表面平滑層、及至少一層的無機阻障層而成，而且規定表面平滑層等的算術平均粗糙度。
在工業上生產氣體阻障膜時，通常採用捲繞式方式。
例如，在專利文獻2，係記載一種氣體阻障性薄膜之製造方法，其係將在兩面具有平滑層(表面平滑化層)且規定兩側的平滑層表面的硬度之樹脂薄膜捲成捲狀之後，將該樹脂薄膜送出並設置氣體阻障層。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開2003-154596號公報
[專利文獻2]日本國際公開2010/026852號
如上述，已知藉由在氣體阻障膜設置平滑化層來提升層間密著性，其結果使得氣體阻障膜的氣體阻障性等提升。
但是，藉由捲繞式方式製造此種氣體阻障膜時，在捲成為捲狀時和從捲物送出時，黏結(薄膜之間產生貼附)、咬入空氣(產生皺紋)等的問題。
本發明係鑒於上述情形而進行者，其目的係提供一種捲成捲狀時、從捲物送出時的作業性優異之長條形氣體阻障性積層體、及其製造方法。
為了解決前述課題，本發明者等專心研討的結果，發現在基材一面側層積功能層而成，而且在基材另一面側將平滑化層及氣體阻障層依照該順序層積而成之長條形氣體阻障性積層體，其功能層之與基材側為相反側之面，與氣體阻障層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數在特定範圍內之氣體阻障性積層體，係捲成捲狀時和從捲物送出時的作業性優異者，而完成了本發明。
如此依照本發明，能夠提供下述(1)~(7)的氣體阻障性積層體、及(8)~(9)的氣體阻障性積層體之製造方法。
(1)一種長條形氣體阻障性積層體，係在基材的一側層積功能層，且在基材的另一側將平滑化層及氣體阻障層依照該順序層積而成之長條形氣體阻障性積層體，其特徵在於：與基材側為相反側的功能層之面、和與基材側為相反側的平滑化層之面之靜摩擦係數為0.35~0.80。
(2)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中功能層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以上，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以上，氣體阻障層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以下，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以下。
(3)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述功能層之與基材側為相反側之面、和平滑化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數為0.35~0.80。
(4)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述平滑化層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以下，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以下。
(5)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述功能層係由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成之硬塗層。
(6)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述平滑化層係由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成。
(7)如(1)所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述氣體 阻障層係將含有聚矽氮烷系化合物之層改質處理而得到之層。
(8)一種長條形氣體阻障性積層體之製造方法，係前述(1)所述之長條形氣體阻障性積層體之製造方法，其特徵在於具有以下的步驟：步驟(a-I)，其係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成平滑化層之後，將所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；步驟(a-II)，其係從步驟(a-I)所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有平滑化層的樹脂薄膜之樹脂薄膜表面形成功能層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及步驟(a-III)，其係從步驟(a-II)所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
(9)一種長條形氣體阻障性積層體之製造方法，係前述(1)所述之長條形氣體阻障性積層體之製造方法，其特徵在於具有以下的步驟：步驟(b-I)，其係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成功能層之後，將所得到之附有功能層的樹脂薄膜捲成捲狀；步驟(b-II)，其係從步驟(b-I)所得到之附有功能層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層的樹脂薄膜之樹脂薄膜表面形成平滑化層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及步驟(b-III)，其係從步驟(b-II)所得到的捲物狀之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜連續地送出前述樹脂薄 膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
依照本發明，能夠提供一種捲成捲狀時和從捲物送出時的作業性優異之長條形氣體阻障性積層體及其製造方法。
用以實施發明之形態
以下，分項成為1)長條形氣體阻障性積層體、及2)長條形氣體阻障性積層體之製造方法而詳細地說明本發明。
1)長條形氣體阻障性積層體
本發明的長條形氣體阻障性積層體，係在基材的一側層積功能層，且在基材的另一側將平滑化層及氣體阻障層依照該順序層積而成之長條形氣體阻障性積層體，其特徵在於：與基材側為相反側的功能層之面、和與基材側為相反側的平滑化層之面之靜摩擦係數為0.35~0.80。
(1)基材
構成本發明的氣體阻障性積層體之基材，係只要能夠負載功能層、平滑化層及氣體阻障層之長條形薄片或薄膜狀者，就沒有特別限定。
在本發明，所謂「長條」，係意味著相較於寬度方向，其 形狀為長度方向較長的(較佳為10倍以上的長度)帶狀。又，在以下的說明，有將「長條形」省略之情形。
基材的長度(長度方向的長度)係沒有特別限定，通常為400~2000m。基材的寬度(寬度方向的長度)係沒有特別限定，通常為450~1300mm，較佳為530~1280mm。基材的厚度係沒有特別限定，通常為1~60μm，係5~50μm為佳，較佳為10~30μm。
作為基材，可舉出樹脂薄膜。作為樹脂薄膜的樹脂成分，可舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
該等樹脂成分係能夠單獨一種、或組合二種以上而使用
該等之中，因為具有優異的透明性且具有泛用性，以聚酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫或環烯烴系聚合物為較佳，以聚酯或環烯烴系聚合物為更佳。
作為聚酯，可舉出聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳香酯(polyarylate)等。
作為環烯烴系聚合物，可舉出降莰烯系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及該等氫化物。
樹脂薄膜係在不妨礙本發明的效果之範圍，亦可含有各種添加劑。作為添加劑，可舉出紫外線吸收劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、填充劑、著色顏料等。 該等添加劑的含量係配合目的而適當地決定即可。
樹脂薄膜，能夠藉由調製含有預定成分之樹脂組成物，將其形成為薄膜狀來得到。成形方法係沒有特別限定，能夠利用鑄塑法、熔融擠製法等習知的方法。
(2)功能層
構成本發明的氣體阻障性積層體之功能層，例如可舉出硬塗層、防眩性硬塗層及抗靜電層等，各自具有表面保護、防眩及表面保護、抗靜電及表面保護的功能。又，功能層亦可以是紫外線吸收層、紅外線吸收層、底漆層等。
上述硬塗層的硬度，係以鉛筆硬度計，以H以上為佳。以鉛筆硬度計為H以上時，能夠具備充分的耐刮傷性。
又，上述抗靜電層的表面電阻率，係以設為1×104~1×1011Ω/□的範圍內之值。
而且，藉由設置功能層，因為功能層與平滑化層之間、功能層與氣體阻障層之間的摩擦係成為適當，所以所得到的氣體阻障性積層體，捲成捲狀時和從捲物送出時具有優異的作業性。
作為硬塗層，例如可舉出由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成之層。
活性能量線硬化型樹脂組成物，係含有聚合性化合物且藉由照射活性能量線而能夠硬化之組成物。
作為聚合性化合物，可舉出聚合性預聚合物和聚合性單體。
作為聚合性預聚合物，可舉出藉由在兩末端具有羥基之聚 酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸反應而得到之聚酯丙烯酸酯預聚合物；藉由低分子量的雙酚型環氧樹脂和酚醛清漆型環氧樹脂與、(甲基)丙烯酸反應而得到之環氧丙烯酸酯預聚合物；藉由聚胺酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸之反應而得到之胺甲酸酯丙烯酸酯預聚合物；及藉由聚醚多元醇、與(甲基)丙烯酸反應而得到之多元醇丙烯酸酯系預聚合物等。
作為聚合性單體，可舉出1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二環戊烯二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯等的2官能(甲基)丙烯酸酯；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯等的3官能(甲基)丙烯酸酯；丙酸改性二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等4官能以上的(甲基)丙烯酸酯；乙二醇二乙烯醚、新戊四醇二乙烯醚、1,6-己二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙烯醚、環氧乙烷改性氫醌二乙烯醚、環氧乙烷改性雙酚A二乙烯醚、新戊四醇三乙烯醚、二新戊四醇六乙烯醚、雙三羥甲基丙烷聚乙烯基醚等的乙烯系化合物等，但是未必被該等限定。
在此，(甲基)丙烯醯基之記載，係包含丙烯醯基及甲基丙烯醯基的雙方之意思。
又，在前述硬化性組成物中，亦可含有其本身不具有反應硬化性的高分子樹脂成分，例如丙烯酸樹脂。藉由添加高分子樹脂成分，能夠調整該組成物的黏度。
作為活性能量線，可舉出紫外線、電子射線、α射線、β射線、γ射線等。該等之中，因為能夠使用比較簡便的裝置而使其產生，作為活性能量線，係以紫外線為佳。
使用紫外線作為活性能量線時，活性能量線硬化型樹脂組成物(亦即，紫外線硬化型樹脂組成物)係以含有光聚合起始劑為佳。
光聚合起始劑，係只要藉由照射紫外線而使聚合反應開始者，就沒有特別限定。作為光聚合起始劑，可舉出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻-正丁醚、苯偶姻異丁醚等的苯偶姻系聚合起始劑；苯乙酮、4’-二甲基胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等的苯乙酮系聚合起始劑；二苯基酮、4-苯基二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮、4,4’-二環二苯基酮等的二苯基酮系聚合起始劑；2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌等的蒽醌系聚合起始劑；2-甲基9-氧硫、2-乙基9-氧硫、2-氯9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、2,4- 二乙基9-氧硫等的9-氧硫(thioxanthone)系聚合起始劑等。
光聚合起始劑，係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。光聚合起始劑的含量係有特別限定，通常係相對於前述硬化性成分，為0.2~30質量%，較佳為0.5~20質量%。
活性能量線硬化型樹脂組成物係以含有有機微粒子、無機微粒子等的微粒子者為佳。藉由使用含有微粒子之活性能量線硬化型樹脂組成物，能夠效率良好地控制硬塗層的表面粗糙度及防眩性。
作為有機微粒子，可舉出由聚苯乙烯系樹脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚物樹脂、丙烯酸系樹脂、胺系樹脂、二乙烯基苯系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、尿素樹脂、酚系樹脂、苯并胍胺系樹脂、二甲苯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂等所構成之微粒子。該等之中，以由聚矽氧樹脂所構成之聚矽氧微粒子為佳。
作為無機微粒子，可舉出氧化矽粒子、金屬氧化物粒子、矽酸烷酯粒子等。
作為氧化矽粒子，可舉出膠態氧化矽、中空氧化矽等。
作為金屬氧化物粒子，可舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮等的粒子。
作為矽酸烷酯粒子，可舉出以式：Ra-O[-{Si(ORb)2}-O-]n-Ra(式中，Ra及Rb係表示碳數1~10的烷基，n係表示1以上的整數)表示之矽酸烷酯的粒子。
該等之中，因為與硬化性成分的相溶性優異且能夠效率良好地控制光學調整層的折射率，以氧化矽粒子或矽酸烷酯粒子為佳。
該等微粒子係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
微粒子的形狀係沒有特別限制，例如能夠使用無定形狀、正球狀等各種形狀的微粒子。
微粒子的平均粒徑，係通常為0.001~10μm，較佳為0.005~5μm。微粒子的平均粒徑係能夠藉由雷射繞射/散射法來測定。
活性能量線硬化型樹脂組成物係含有微粒子時，微粒子的含量，係前述樹脂組成物的固體成分中，以佔有0.1~170質量%為佳，以佔有1~50質量%為較佳。
活性能量線硬化型樹脂組成物，係以含有調平劑者。藉由使用含有調平劑之活性能量線硬化型樹脂組成物，能夠效率良好地控制硬塗層的表面粗糙度。
作為調平劑，可舉出矽氧烷系化合物。尤其是以聚二甲基矽氧烷及其衍生物等具有二烷基矽氧烷骨架之化合物為佳。
活性能量線硬化型樹脂組成物係含有調平劑時，調平劑的含量係前述樹脂組成物的固體成分中，以佔有0.01~10質量%為佳，以佔有0.05~5質量%為較佳。
在不妨礙本發明的效果之範圍，活性能量線硬化型樹脂組成物亦可含有其他成分。
作為其他成分，可舉出抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、著色顏料等。該等含量係配合目的而適當地決定 即可。
形成硬塗層之方法係沒有特別限定。例如，能夠藉由調製含有活性能量線硬化型樹脂組成物、及按照必要的溶劑之塗佈液，其次，將該塗佈液使用習知的方法塗佈在基材上，且使所得到的塗膜硬化，來形成由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成之硬塗層。又，亦可按照必要而在使塗膜硬化之前，施行乾燥處理。
作為調製塗佈液時所使用的溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等的脂環式烴系溶劑等。
該等溶劑係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
作為塗佈方法，可舉出棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、空氧刮刀塗佈、輥筒刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴霧塗佈、凹版轉印法等。
使塗膜乾燥時，作為其乾燥方法，能夠採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。乾燥溫度係通常為60~130℃的範圍。乾燥時間係通常數秒至數十分鐘。
塗膜的硬化，係能夠藉由對塗膜照射活性能量線來進行。
作為活性能量線，可舉出紫外線、電子射線、α線、β線、γ線等。該等之中，因為能夠使用比較簡便的裝置而產生，作 為活性能量線，係以電子射線、紫外線為佳、紫外線為較佳。
使用紫外線作為活性能量線時，作為紫外線源，能夠使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、黑光燈、鹵化金屬燈等的光源。紫外線的光量係沒有特別限制，通常為100mJ/cm2~1,000mJ/cm2。照射時間係通常為數秒~數時間，照射溫度係通常室溫~100℃。
硬塗層的厚度係通常為20μm以下，以0.5~20μm為佳，較佳為1.0~10μm。
抗靜電層係沒有特別限定，以由含有金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物的縮合聚合物之抗靜電層形成用組成物所構成者為佳。藉由設置該抗靜電層，能夠對氣體阻障性積層體賦予抗靜電性。
金屬烷氧化物係通常以M(OR)n表示，作為金屬M，係沒有特別限定，可舉出鋰、鈉、鉀等的鹼金屬；鎂；鈣、鍶、鋇等的鹼土金屬、鈧、釔等的周期表第3族元素；鈦、鋯、鉿等的周期表第4族元素；釩、鈮、鉭等的周期表第5族元素；鉬、鎢等的周期表第6族元素；鐵等的周期表第8族元素；鋅等的周期表第12族元素；硼、鋁、鎵、銦等的周期表第13族元素；矽、鍺、錫、鉛等的周期表第14族元素；磷、銻、鉍等的周期表第15族元素；鑭等的鑭系元素(Lanthanoid)等。該等之中，從抗靜電性高、與平滑化層的接著性高之觀點而言，係以矽為最佳。亦即，以四烷氧基矽烷為最佳。上述金屬烷氧化物係可單獨使用，又，亦可將複數種的金屬烷氧化物混合而使用。
又，R係表示烷基，在本發明，係以碳數1~10的烷基為 佳，以碳數1~5的烷基為更佳。在一金屬烷氧化物存在複數個烷基時，該等係可相同亦可不同。n係取決於金屬M的價數，通常為1~5的範圍。
該等金屬烷氧化物亦可以是預先部分地被水解者，又，亦可以是將金屬烷氧化物與預先部分地被水解之金屬烷氧化物混合而成者。
抗靜電層形成用組成物，係以含有有機微粒子、無機微粒子等的微粒子為佳。藉由使用含有微粒子的抗靜電層形成用組成物，能夠效率良好地控制抗靜電層的表面粗糙度。作為此種微粒子，能夠使用與在硬塗層的說明所記載者同樣物。
抗靜電層的形成方法係沒有特別限定，能夠使用各種方法，以將含有金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物的塗佈液進行塗佈而形成為佳。
又，作為塗佈液的塗佈方法，能夠適當地使用通常慣用之方法。例如，可舉出凹版塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、旋轉塗佈法等。又，塗佈時係能夠使金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物溶解在溶劑中而塗佈，特別是能夠適合使用有機系溶劑。作為能夠使用的有機系溶劑，係沒有特別限定、例如能夠使用乙醇、異丙醇等的醇類溶劑、甲基乙基酮等的酮類溶劑。
上述金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物，係藉由水解反應與聚縮合反應而成為縮合聚合物且形成抗靜電層者，亦可添加鹽酸、硝酸等的酸觸媒用以促進水解反應。
又，將金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物使用上述方法塗佈之後，為了促進乾燥和金屬烷氧化物及/或金屬烷氧化物的部分水解物之聚縮合反應之目的，以進行加熱處理為佳。作為加熱條件，在能夠達成上述目的之範圍內係沒有特別限定，通常為在40~120℃的範圍且加熱時間20秒至5分鐘左右的條件下進行為佳。從生產性及防止產生熱收縮皺紋的觀點而言，係以在加熱溫度為60~110℃的範圍、加熱時間30秒~2分鐘左右的條件下進行為更佳。
抗靜電層的厚度係通常為20μm以下，以0.05~10μm為佳，較佳為0.08~3μm。
功能層表面(功能層之與基材側為相反側之面)的算術平均粗糙度(Ra)，係以5nm以上為佳，較佳為5~20nm，更佳為5~10nm。
功能層表面的粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)係以100nm以上為佳，較佳為100~1000nm，更佳為100~800nm。
藉由功能層表面為此種粗糙度，能夠效率良好地得到後述之具有摩擦特性的氣體阻障性積層體。
功能層表面和其他層的表面之算術平均粗糙度(Ra)和粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)，係能夠藉由使用光干涉顯微鏡且觀察500μm×500μm的區域來求取。
(3)平滑化層
構成本發明的氣體阻障性積層體之平滑化層，係使基材表面的凹凸減低化且使氣體阻障性積層體的層間密著性提升。
作為平滑化層，例如，可舉出由活性能量線硬化 型樹脂組成物的硬化物所構成之層。
作為活性能量線硬化型樹脂組成物，可舉出與硬塗層形成用的活性能量線硬化型樹脂組成物同樣者。
但是，因為平滑化層係以平滑性比功能層更優異者為佳，較佳是不含有前述微粒子等使平滑化層的表面粗糙化之成分。
平滑化層係能夠使用與硬塗層的形成方法同樣的方法來形成。
平滑化層的厚度係通常為20μm以下，以0.1~20μm為佳，較佳為0.5~10μm。
平滑化層表面(平滑化層之與基材側為相反側之面)的算術平均粗糙度(Ra)，係以5nm以下為佳，較佳為0.1~5nm，更佳為0.1~4nm，特佳為1~4nm。
平滑化層表面的粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)，係以100nm以下為佳，較佳為1~100nm，更佳為20~80nm，特佳為30~65nm。
藉由平滑化層表面為此種粗糙度，氣體阻障性積層體的層間密著性提升之同時，能夠效率良好地得到具有後述的摩擦特性之氣體阻障性積層體。
(4)氣體阻障層
構成本發明的氣體阻障性積層體之氣體阻障層，係具有抑制氧、水蒸氣等氣體透過的特性(氣體阻障性)之層。
作為氣體阻障層，例如可舉出對含有無機蒸鍍膜和聚合物之層(以下，有稱為「聚合物層」之情形)施行改質處理而得到者[此時，所謂氣體阻障層，不是只有意味著藉由離 子植入處理等而被改質後的區域，而是意味著「包含被改質後的區域之聚合物層」]等。
作為無機蒸鍍膜，可舉出無機化合物和金屬的蒸鍍膜。
作為無機化合物的蒸鍍膜之原料，可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧化氮化矽等的無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。
作為金屬的蒸鍍膜之原料，可舉出鋁、鎂、鋅、及錫等。
該等係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，從氣體阻障性的觀點而言，係以將無機氧化物、無機氮化物或金屬作為原料之無機蒸鍍膜為佳、而且，從透明性的觀點而言，係以將無機氧化物或無機氮化物作為原料之無機蒸鍍膜為佳。
作為形成無機蒸鍍膜之方法，可舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子噴鍍法等的PVD(物理的蒸鍍)法、熱CVD(化學的蒸鍍)法、電漿CVD法、光CVD法等的CVD法。
無機蒸鍍膜的厚度，係依照所使用的無機化合物而不同，從氣體阻障性及操作性的觀點而言，係以50~300nm為佳，較佳為50~200nm的範圍。
在對聚合物層施行改質處理而得到之氣體阻障層，作為所使用的聚合物，可舉出含矽的聚合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、 聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫、聚芳香酯(polyarylate)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
該等聚合物係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，為了能夠形成具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，作為聚合物，係以含矽的聚合物為佳。作為含矽的聚合物，可舉出聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、及聚有機矽氧烷系化合物等。因為能夠形成即便較薄亦具有優異的氣體阻障性之氣體阻障層，尤其是以聚矽氮烷系化合物為佳。藉由對含肴聚矽氮烷系化合物之層施行改質處理，能夠形成具有以氧、氮、矽作為主構成原子之層(氧氮化矽層)。
聚矽氮烷系化合物，係具有在分子內含有-Si-N-鍵(矽氮烷鍵)的重複單元之高分子化合物。具體而言，係具有以式(1)
表示的重複單元之化合物為佳。又，所使用的聚矽氮烷系化合物的數量平均分子量係沒有特別限定，係100~50,000為佳。
前述式(1)中，n係表示任意自然數。
Rx、Ry、Rz係各自獨立地表示氫原子、未取代或是具有取 代基之烷基、未取代或是具有取代基之環烷基、未取代或是具有取代基之烯基、未取代或是具有取代基之芳基或烷基矽烷基等的非水解性基。
作為前述未取代或是具有取代基之烷基的烷基，例如可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等的碳數1~10的烷基。
作為未取代或是具有取代基之環烷基的環烷基，可舉出環丁基、環戊基、環己基、環庚基等的碳數3~10的環烷基。
作為未取代或是具有取代基之烯基的烯基，例如可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳數2~10的烯基。
作為前述烷基、環烷基及烯基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯基氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的未取代或是具有取代基之芳基等。
作為未取代或具有取代基之芳基的芳基，例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基等碳數6~10的芳基。
作為前述芳基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；甲基、乙基等的碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等的碳數1~6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯基氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等的未取代或是具有取代基之芳基 等。
作為烷基矽烷基，可舉出三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三異丙基矽烷基、三第三丁基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷基、甲基矽烷基、乙基矽烷基等。
該等之中，作為Rx、Ry、Rz，係以氫原子、碳數1~6的烷基、或苯基為佳，以氫原子為特佳。
作為以前述式(1)表示之具有重複單元的聚矽氮烷系化合物，係Rx、Ry、Rz的全部為氫原子之無機聚矽氮烷、及Rx、Ry、Rz的至少1個不是氫原子之有機聚矽氮烷之任一者均可以。
又，在本發明，亦能夠使用聚矽氮烷改性物作為聚矽氮烷系化合物。作為聚矽氮烷改性物，可舉出在特開昭62-195024號公報、特開平2-84437號公報、特開昭63-81122號公報、特開平1-138108號公報等、特開平2-175726號公報、特開平5-238827號公報、特開平5-238827號公報、特開平6-122852號公報、特開平6-306329號公報、特開平6-299118號公報、特開平9-31333號公報、特開平5-345826號公報、特開平4-63833號公報等所記載者。
該等之中，作為聚矽氮烷系化合物，從取得容易性、及能夠形成具有優異的氣體阻障性之離子植入層的觀點而言，係以Rx、Ry、Rz為全部氫原子之全氫聚矽氮烷為佳。
又，作為聚矽氮烷系化合物，亦能夠使用市售作為玻璃塗佈材之市售品等。
聚矽氮烷系化合物係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
聚合物層係除了上述的聚合物以外，在不阻礙本發明的目的之範圍亦可含有其他成分。作為其他成分，可舉出硬化劑、其他的高分子、防老劑、光安定劑、阻燃劑等。
聚合物層中的聚合物之含量，因為能夠得到具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，以50質量%以上為佳，以70質量%以上為較佳。
聚合物層的厚度係沒有特別限制，以50~300nm為佳，較佳為50~200nm的範圍。
在本發明，即便聚合物層的厚度為奈米等級，亦能夠得到具有充分的氣體阻障性之氣體阻障性積層體。
作為形成聚合物層之方法，例如能夠調製含有聚合物的至少一種、依照需要的其他成分、及溶劑等之聚合物層形成用溶液，其次，將該聚合物層形成用溶液，使用習知的方法進行塗佈且使得到的塗膜乾燥，來形成聚合物層。
作為聚合物層形成用溶液時所使用的溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等的脂環式烴系溶劑等。
該等溶劑係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
作為聚合物層形成用溶液的塗佈方法，可舉出棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、 空氧刮刀塗佈、輥筒刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴霧塗佈、凹版轉印法等。
作為使所形成的塗膜乾燥之方法，能夠採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。加熱溫度係通常60~130℃的範圍。加熱時間係通常數秒至數十分鐘。
作為聚合物層的改質處理，可舉出離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理，係如後述將離子植入聚合物層而將聚合物層改質之方法。
電漿處理係使聚合物層暴露電漿中而將聚合物層改質之方法。例如，能夠依照特開2012-106421號公報所記載之方法而進行電漿處理。
紫外線照射處理係對聚合物層照射紫外線而將聚合物層改質之方法。例如，能夠依照在特開2013-226757號公報所記載之方法而進行紫外線改質處理。
該等之中，因為不會使聚合物層的表面粗糙且能夠效率良好地改質至其內部為止，而能夠形成具有更優異的體阻障性之氣體阻障層，以離子植入處理為佳。
作為被植入至高分子層之離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等的烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯等烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子；乙炔等炔系氣體類的離子；苯、甲苯等芳香族烴系氣體類的離子；環丙烷等環烷系氣體類的離子；環戊烯等環 烯系氣體類的離子；金屬離子；有機矽化合物的離子等。
該等離子係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，因為能夠更簡便地植入離子，且能夠形成具有特別優異的氣體阻障性之氣體阻障層，以氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子為佳。
離子的植入量，係能夠配合氣體阻障性積層體的使用目的(必要的氣體阻障性、透明性等)等而適當地決定。
作為植入離子之方法，可舉出照射藉由電場被加速後的離子(離子射束)之方法；將電漿中的離子植入之方法等。因為能夠簡便地得到目標阻障層、在本發明尤其是以後者之植入電漿離子之方法為佳。
電漿離子植入，係例如藉由在含有稀有氣體等的電漿生成氣體之環境下，使其產生電漿且對聚合物層施加負的高電壓脈衝，而進行將該電漿中的離子(陽離子)植入聚合物層的表面部。
藉由離子植入，被離子植入之區域的厚度，係能夠依照離子種類、施加電壓、處理時間等的植入條件來控制，且按照聚合物層的厚度、積層體的使用目的等而決定即可，通常為10~300nm。
(4)長條形氣體阻障性積層體
本發明的長條形氣體阻障性積層體，係在前述基材一面側層積前述功能層，且在基材另一面側將前述平滑化層及氣體阻障層依照該順序層積而成，其特徵在於：功能層之與基材側為相反側之面、和氣體阻障層之與基材側為相反側之面之靜摩擦 係數為0.35~0.80。
功能層之與基材側為相反側之面、和氣體阻障層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數係0.35~0.80，較佳為0.40~0.75。
藉由功能層與氣體阻障層之間的靜摩擦係數為上述範圍內，在將本發明的長條形氣體阻障性積層體捲成捲狀時和從捲物送出時，不容易產生黏結和咬入空氣等的問題。
本發明的長條形氣體阻障性積層體，其功能層之與基材側為相反側之面、和平滑化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數，係以0.35~0.80為佳，較佳為0.40~0.75。
藉由功能層與平滑化層之間的靜摩擦係數為上述範圍內，在將本發明的長條形氣體阻障性積層體的製造中間體之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜，捲成捲狀時和從捲物送出時，不容易產生黏結和咬入空氣等的問題。
功能層、平滑化層、氣體阻障層的靜摩擦係數，係能夠依據JIS K7125而測定。
作為本發明的長條形氣體阻障性積層體，可舉出具有功能層/基材/平滑化層/氣體阻障層之層構成者。
本發明的長條形氣體阻障性積層體，亦可以是具有功能層、基材、平滑化層、氣體阻障層以外之層者。
作為基材、平滑化層、氣體阻障層以外之層，可舉出導電體層、衝擊吸收層、黏著劑層、製程薄片等。又，製程薄片係在將積層體保存、搬運等之時，具有保護積層體之任務且在使用積層體時係被剝離。
本發明的氣體阻障性積層體，係能夠使用後述的方法來製造。
本發明的氣體阻障性積層體的厚度，係沒有特別限定，以5~100μm為佳，較佳為10~50μm，更佳為20~40μm。
本發明的氣體阻障性積層體之在溫度40℃、相對濕度90%之水蒸氣透過率，係以0.1g/(m2．day)以下為佳，較佳為0.05g/(m2．day)以下，更佳為0.03g/(m2．day)以下。下限值係沒有特別限定，越小越佳，通常為0.001g/(m2．day)以上。
水蒸氣透過率係能夠使用在實施例所記載的方法來測定。
因為本發明的氣體阻障性積層體，係具有優異的氣體阻障性，能夠適合使用作為電子裝置用構件。
作為電子裝置，可舉出液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
2)長條形氣體阻障性積層體之製造方法
本發明製造方法係本發明的長條形氣體阻障性積層體之製造方法，具有以下的步驟(a-I)~(a-III)之製造方法(a)、或具有以下的步驟(b-I)~(b-III)之製造方法(b)。
[製造方法(a)]
步驟(a-I)，其係將前述樹脂薄膜從基材用樹脂薄膜的捲物在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成平滑化層之後，將所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；
(a-II)步驟，其從在步驟(a-I)所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有平滑化層的樹脂薄膜的樹脂薄膜表面形成功能層之後，將所 得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及
步驟(a-III)，其係從在步驟(a-II)所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
步驟(a-I)係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成平滑化層之後，將所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀之步驟。
作為所使用的基材用樹脂薄膜、平滑化層之形成方法，可舉出與前面已顯示者同樣的方法。
作為搬運樹脂薄膜之方法、及形成平滑化層後將附有平滑化層的樹脂薄膜捲取之方法，能夠利用藉由捲繞式方式之先前的積層膜之製造方法。
步驟(a-II)係從步驟(a-I)所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有平滑化層的樹脂薄膜之樹脂薄膜表面形成功能層之後，將所得到之附有附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀之步驟。
在步驟(a-II)，在平滑化層之與基材側為相反側之面、和功能層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數，係以0.35~0.80為佳，較佳為0.40~0.75。藉由功能層與平滑化層之間的靜摩擦係數在上述範圍內，在將長條形氣體阻障性積層體的製造中間體之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀時和從捲 物送出時，更不容易產生黏結、咬入空氣等的問題。
作為功能層的形成方法，可舉出前面已顯示者同樣的方法。
將附有平滑化層的樹脂薄膜從捲物送出、搬運之方法、及在形成功能層後將附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲取之方法，能夠利用藉由捲繞式方式之先前的積層膜之製造方法。
步驟(a-III)，係從步驟(a-II)所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀之步驟。
在平滑化層上所設置之氣體阻障層係通常具有優異的平滑性。因而，此種具有氣體阻障層之氣體阻障性積層體，亦是在將其捲成捲狀時和從捲物送出時，容易產生黏結和咬入空氣等的問題。
在本發明，藉由控制功能層與氣體阻障層之間的摩擦係數，能夠將該等問題消除。
作為氣體阻障層的形成方法，可舉出與前面已顯示的方法同樣者。
將附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜從捲物、搬運之方法、及在氣體阻障層的形成後將氣體阻障性積層體捲取之方法，能夠利用藉由捲繞式方式之先前的積層膜之製造方法。
[製造方法(b)]
步驟(b-I)，其係邊將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運邊在 前述樹脂薄膜上形成功能層之後，將所得到之附有功能層的樹脂薄膜捲成捲狀；步驟(b-II)，其係從在步驟(b-I)所得到之附有功能層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層的樹脂薄膜的樹脂薄膜表面形成平滑化層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及步驟(b-III)，其係從在步驟(b-II)所得到捲物狀之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
步驟(b-I)，係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成功能層之後，將所得到之附有功能層的樹脂薄膜捲成捲狀之步驟。
步驟(b-1)，除了形成功能層來代替平滑化層以外，與步驟(a-1)同樣的步驟。
步驟(b-II)，係從在步驟(b-I)所得到之附有功能層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層的樹脂薄膜的樹脂薄膜表面形成平滑化層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀之步驟。
步驟(b-II)，除了形成平滑化層代替功能層以外，與步驟(a-II)同樣的步驟。
在步驟(b-II)，功能層之與基材側為相反側之面、和平滑 化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數，係以0.35~0.80為佳，較佳為0.40~0.75。藉由功能層與平滑化層之間的靜摩擦係數為上述範圍內，在將長條形氣體阻障性積層體的製造中間體之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀時和從捲物送出時，更不容易產生黏結、咬入空氣等的問題。
步驟(b-III)，係從在步驟(b-II)所得到捲狀之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀之步驟。
步驟(b-III)係與步驟(a-III)同樣的步驟。
依照本發明的方法[製造方法(a)或製造方法(b)]，能夠效率良好地製造本發明的長條形氣體阻障性積層體。
[實施例]
以下，舉出實施例而更詳細地說明本發明。但是本發明係完全不被以下的實施例限定。
各例中的份及%係只要未預先告知，就是質量基準。
(氣體阻障性積層體之各層的厚度之測定)
在實施例及比較例所得到之氣體阻障性積層體之各層的厚度，係使用觸針式段差計(AMBIOS TECNOLOGY公司製、XP-1)而測定。
(各層的平滑性)
在實施例及比較例所得到的氣體阻障性積層體或其製造中間體之各層的平滑性，係能夠使用光干涉顯微鏡(Veeco公司 製、「NT1100」)而針對250,000μm2(500μm×500μm)的區域觀察各層，來求取算術平均粗糙度(Ra)、粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)。
(靜摩擦係數)
在實施例及比較例所得到的氣體阻障性積層體之功能層之與基材側為相反側之面、和平滑化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數(表1中，記載為靜摩擦係數1)、及在氣體阻障性積層體的製造中間體之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之功能層之與基材側為相反側之面、和平滑化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數(表1中，記載為靜摩擦係數2)，係各自準備2片氣體阻障性積層體或其製造中間體，以預定層為相向之方式疊合且依據JIS K7125而測定。
(捲取性評價)
將在實施例1~3及比較例1所得到的長條形氣體阻障性積層體1~5捲成捲狀，基於以下的基準而進行評價捲取性。將評價結果顯示在第1表。
○：黏結、咬入空氣的任一者均不產生。
×：產生至少黏結或咬入空氣之任一者。
(鉛筆硬度)
針對在實施例及比較例所得到之氣體阻障性積層體的功能層之表面，使用鉛筆刮擦塗膜硬度試驗機[東洋精機製作所公司製、型式「NP」]，依據JIS K 5600-5-4且使用鉛筆法而測定。
(表面電阻率)
使用連結至數位電位計(Advantest公司製)之平行電極，而測定在實施例及比較例所得到之氣體阻障性積層體的功能層側之表面電阻率。
(防眩性)
將在實施例及比較例所得到的氣體阻障性積層體，以功能層為上面的方式載置在黑色的板上。
其次，在功能層的上方，將3波長螢光燈點燈，藉由功能層使其反射且依照下述基準而進行評價。將所得到的結果顯示在表2。
○：藉由功能層反射，能夠視認的螢光燈之輪郭為不清楚
×：藉由功能層反射，能夠視認的螢光燈之輪郭為清楚
[製造例1]
使二新戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名：A-DPH)20份溶解在甲基異丁基酮100份之後，添加光聚合起始劑(BASF公司製、商品名：Irgacure127)3份而調製平滑化層形成用溶液。
[製造例2]
將樹脂薄膜(1)從聚對酞酸乙二酯薄膜(帝人Dupont公司製、商品名：PET25 TETRON HPE、厚度：25μm、稱為「樹脂薄膜(1)」，在以下相同)的捲物送出，搬運樹脂薄膜(1)並使用棒塗佈法將製造例1所得到的平滑化層形成用溶液塗佈在樹脂薄膜(1)上，將所得到的塗膜在70℃加熱乾燥1分鐘之後，使用UV光照射生產線進行UV光照射(高壓水銀燈、生產線速度、20m/分鐘、累計光量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W、通過 次數2次)而形成厚度1μm的平滑化層，將得到之附有平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀。
(製造例3)
在含光聚合起始劑的胺甲酸酯系硬塗劑(荒川化學工業公司製、商品名：Beamset 575CB、固體成分100%)100份，將正球狀聚矽氧珠粒微粒子(Momentive Performance Materials Japan公司製、商品名：TOSPEARL130、平均粒徑3.0μm、固體成分100%)5份、乙基賽路蘇61.6份及異丁醇61.6份均勻地混合，來調製固體成分46%的硬塗層形成用溶液(1)。
其次，從在製造例2所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物送出前述樹脂薄膜，搬運前述樹脂薄膜並使用棒塗佈法，將硬塗層形成用溶液(1)塗佈在該樹脂薄膜面，將所得到的塗膜在70℃加熱乾燥1分鐘之後，使用UV光照射生產線進行UV光照射(高壓水銀燈、生產線速度、20m/分鐘、累計光量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W、通過次數2次)而形成厚度2μm的硬塗層A，將得到之具有硬塗層A/樹脂薄膜/平滑化層的層構成之附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)捲成捲狀。
(製造例4)
在四乙氧基矽烷的水解．脫水縮合化合物之矽酸鹽塗佈液(COLCOAT公司製、製品名：COLCOATN103-X、固體成分2% 100份，將正球狀聚矽氧珠粒微粒子(Momentive Performance Materials Japan公司製、商品名：TOSPEARL130、平均粒徑3.0μm、固體成分100%)0.1份均勻地混合，來調製固體成分2%的抗靜電層形成用溶液(2)。
之後，從在製造例2所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物送出前述樹脂薄膜，搬運前述樹脂薄膜並使用棒塗佈法，將抗靜電層形成用溶液(2)塗佈在該樹脂薄膜面，將所得到的塗膜在70℃加熱乾燥1分鐘且形成厚度100nm的抗靜電層A，將所得到之具有抗靜電層A/樹脂薄膜/平滑化層的層構成之抗靜電層A及附有平滑化層的樹脂薄膜(2)捲成捲狀。
(製造例5)
將作為多官能(甲基)丙烯酸酯之二新戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學工業製，NK ESTER A-DPH)100份、作為光聚合起始劑之1-羥基環己基苯基酮(BASF公司製、IRGACURE184)3份、聚矽氧樹脂微粒子(MOMENTIVE(股)製、TOSPEARL 120、體積平均粒徑：2μm)5份、氧化矽奈米粒子(日產化學(股)製、MIBK-ST，平均粒徑：10nm)18份混合後，使用丙二醇一甲醚稀釋，來得到固體成分濃度30%的防眩性硬塗層形成用溶液(3)。
之後，從在製造例2所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物送出前述樹脂薄膜，搬運前述樹脂薄膜並使用棒塗佈法，將防眩性硬塗層形成用溶液(3)塗佈在該樹脂薄膜面，將所得到的塗膜在70℃加熱乾燥1分鐘之後，使用UV光照射生產線進行UV光照射(高壓水銀燈、生產線速度、20m/分鐘、累計光量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W、通過次數2次)而形成厚度2μm的防眩性硬塗層A，將得到之具有防眩性硬塗層A/樹脂薄膜/平滑化層的層構成之附有防眩層及平滑化層的樹脂薄膜(3)捲成捲狀。
(製造例6)
在製造例3，除了將平滑化層形成用溶液直接使用作為硬塗層形成用溶液，來代替硬塗層形成用溶液(1)以外，將具有硬塗層B/樹脂薄膜/平滑化層的層構成之附有硬塗層B及平滑化層的樹脂薄膜(4)捲成捲狀。
(製造例7)
在製造例4，除了不添加正球狀聚矽氧珠粒微粒子以外，與實施例4同樣地進行而製造抗靜電層B，且將具有抗靜電層B/樹脂薄膜/平滑化層的層構成之附有抗靜電層B及平滑化層的樹脂薄膜(5)捲成捲狀。
[實施例1]
從在製造例3所得到之附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)的捲物送出前述樹脂薄膜(1)，搬運前述樹脂薄膜(1)並將全氫化聚矽氮烷(AZ Electronic Materials公司製、商品名：AZNL110A-20)使用棒塗佈法塗佈在該平滑化層表面，且將所得到的塗膜在120℃加熱2分鐘而形成厚度150nm的全氫化聚矽氮烷層。隨後，使用電漿離子植入裝置而在全氫化聚矽氮烷層之表面，將氬(Ar)進行電漿離子植入來形成氣體阻障層作為改質處理，且得到具有硬塗層A/基材(樹脂薄膜)/平滑化層/氣體阻障層的層構成之長條形氣體阻障性積層體1。
長條形氣體阻障性積層體1之各層的表面粗糙度、靜摩擦係數、以及捲取性、鉛筆硬度、表面電阻率及防眩性的評價結果顯示在第1表。
用以形成氣體阻障層之電漿離子植入裝置及電漿離子植入條件係如以下。
(電漿離子植入裝置)
RF電源：型號「RF」56000、日本電子公司製
高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」、栗田製作所公司製
(電漿離子植入條件)
．電漿生成氣體：Ar
．氣體流量：100sccm
．Duty比：0.5%
．重複頻率：1000Hz
．施加電壓：-10kV
．RF電源：頻率13.56MHz、施加電力1000W
．處理室內壓：0.2Pa
．脈衝幅度：5μsec
．處理時間(離子植入時間)：5分鐘
．搬運速度：0.2m/分鐘
[實施例2]
在實施例1，除了使用製造例4所得到之附有抗靜電層A及平滑化層的樹脂薄膜(2)來代替附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到長條形氣體阻障性積層體2。
將長條形氣體阻障性積層體2之各層的表面粗糙度、靜摩擦係數顯示在第1表。
[實施例3]
在實施例1，除了使用製造例5所得到之附有防眩層及平 滑化層的樹脂薄膜(3)來代替附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到長條形氣體阻障性積層體3。
將長條形氣體阻障性積層體3之各層的表面粗糙度、靜摩擦係數顯示在第1表。
[比較例1]
在實施例1，除了使用製造例6所得到之附有硬塗層B及平滑化層的樹脂薄膜(4)來代替附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到長條形氣體阻障性積層體4。
將長條形氣體阻障性積層體4之各層的表面粗糙度、靜摩擦係數顯示在第1表。
[比較例2]
在實施例1，除了使用製造例7所得到之附有抗靜電層B及平滑化層的樹脂薄膜(5)來代替附有硬塗層A及平滑化層的樹脂薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到長條形氣體阻障性積層體5。
將長條形氣體阻障性積層體5之各層的表面粗糙度、靜摩擦係數顯示在第1表。
從第1表，得知以下的情形。
實施例1~3的氣體阻障性積層體，在捲取時，不產生黏結和咬入空氣且具有優異的捲取性。
另一方面，比較例1、2的氣體阻障性積層體在捲取時產生黏結和咬入空氣且捲取性差。

Claims (9)

  1. 一種長條形氣體阻障性積層體，係在基材的一側層積功能層，且在基材的另一側依順序層積平滑化層及氣體阻障層而成之長條形氣體阻障性積層體，功能層之與基材側為相反側之面、和氣體阻障層之與基材側為相反側之面之靜摩擦係數為0.35~0.80。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體，其中功能層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以上，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以上，氣體阻障層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以下，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述功能層之與基材側為相反側之面、和平滑化層之與基材側為相反側之面的靜摩擦係數為0.35~0.80。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述平滑化層之與基材側為相反側之面的算術平均粗糙度(Ra)為5nm以下，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為100nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述功能層係由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成之硬塗層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體， 其中前述平滑化層係由活性能量線硬化型樹脂組成物的硬化物所構成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層係將含有聚矽氮烷系化合物之層改質處理而得到之層。
  8. 一種長條形氣體阻障性積層體之製造方法，係如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體之製造方法，具有以下的步驟：步驟(a-I)，係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成平滑化層之後，將所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；步驟(a-II)，係從步驟(a-I)所得到之附有平滑化層的樹脂薄膜的捲物，連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有平滑化層的樹脂薄膜之樹脂薄膜表面形成功能層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及步驟(a-III)，係從步驟(a-II)所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
  9. 一種長條形氣體阻障性積層體之製造方法，係如申請專利範圍第1項所述之長條形氣體阻障性積層體之製造方法，具有以下的步驟： 步驟(b-I)，係將基材用樹脂薄膜在一定方向搬運並在前述樹脂薄膜上形成功能層之後，將所得到之附有功能層的樹脂薄膜捲成捲狀；步驟(b-II)，係從步驟(b-I)所得到之附有功能層的樹脂薄膜的捲物連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層的樹脂薄膜之樹脂薄膜表面形成平滑化層之後，將所得到之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜捲成捲狀；及步驟(b-III)，係從步驟(b-II)所得到的捲物狀之附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜連續地送出前述樹脂薄膜，在一定方向搬運並在附有功能層及平滑化層的樹脂薄膜之平滑化層表面，形成與功能層的靜摩擦係數為0.35~0.80之氣體阻障層之後，將所得到的氣體阻障性積層體捲成捲狀。
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