TW201532742A - 硏磨用的發泡聚胺酯墊的修整裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明是一種修整裝置，其使鑽石磨粒壓抵且滑動接觸至研磨用的發泡聚胺酯墊，以修整研磨用的發泡聚胺酯墊，該修整裝置的特徵在於：鑽石磨粒被支撐在台座上，被該台座支撐的鑽石磨粒具有複數種粒度號數，該複數種粒度號數的鑽石磨粒是由粒度號數在#170以上的高粒度號數的鑽石磨粒與在#140以下的低粒度號數的鑽石磨粒所構成，並以複數種粒度號數的鑽石磨粒各自與發泡聚胺酯墊接觸的修整面的高度位置是在同一平面上的方式，被支撐在台座上。藉此，提供一種修整裝置，其在不閉塞發泡聚胺酯墊的發泡孔的情況下，利用一次的修整就能將表面充分地粗化，並能夠縮短修整時間且能夠設定較長的修整間隔，而能夠抑制生產性降低。

Description

研磨用的發泡聚胺酯墊的修整裝置
本發明關於修整裝置，其修整研磨晶圓用的發泡聚胺酯墊。
在晶圓的研磨中，為了提升晶圓的表面的平坦度而使用發泡聚胺酯墊。此研磨用的發泡聚胺酯墊，在開始使用前，要實行用於磨合的初期修整，之後，要定期地在研磨批次之間實行批次間修整。這樣，定期地修整發泡聚胺酯墊，藉此來實行發泡聚胺酯墊的整形，以維持研磨後的晶圓的平坦度品質。
一般是使用具有鑽石磨粒之修整裝置來修整發泡聚胺酯墊。修整裝置，是將規則或不規則地排列在台座上的一種類的粒度號數的鑽石磨粒，壓抵且滑動接觸至發泡聚胺酯墊上，來實行修整。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開平11-000868號公報
樹脂硬度柔軟的發泡聚胺酯墊(特別是蕭氏D型硬度(shore D hardness)在30以下的發泡聚胺酯墊)的修整，如上所述，雖然是利用具有鑽石磨粒之修整裝置來實行，但是鑽石磨粒通常是使用一種類的粒度號數的鑽石磨粒，且使用粒度號數是#60、#100、#325的任一種。但是，如果僅利用粒度號數是#60、#100的低粒度號數的鑽石磨粒來修整發泡聚胺酯墊，則鑽石磨粒會強烈地卡在發泡部的洞中，造成聚胺酯樹脂拉伸而使墊子內的發泡部的洞閉塞。而且，發泡部的洞被閉塞的發泡聚胺酯墊，在研磨加工時不能夠充分地保持漿液，而有所研磨的晶圓的平坦度不能夠良好的問題。
又，如果僅利用粒度號數是#325的高粒度號數的鑽石磨粒來修整發泡聚胺酯墊，則發泡部的洞不會被閉塞，但是因為鑽石的磨粒變細，而不能夠充分地粗化發泡部的聚胺酯墊的表面。因此，發泡聚胺酯墊的表面的粗糙度變小，研磨後的晶圓的平坦度的良好狀態不能持久，而造成修整間隔(dress interval)只好變短。例如，在使用粒度號數是#325的鑽石磨粒的場合中，如果沒有每隔3個批次就進行修整，則繼續研磨的晶圓的平坦度就不能夠良好。其結果，只好增加實行修整的次數，而有在晶圓的製造中的生產性降低的問題。
作為能夠充分地粗化發泡聚胺酯墊的表面且能夠減少發泡部的洞的閉塞的修整方法，有使用具有高粒度號數的鑽石磨粒之修整裝置與具有低粒度號數的鑽石磨粒之修整裝置，逐一地各自實行1次修整的方法。但是，在此方法中的作業性差，在修整上耗時而會使在晶圓的製造中的生產性降 低。
又，在專利文獻1中，記載一種修整裝置，其將粒徑(粒度號數)不同的鑽石磨粒配列在一個底座上。但是，因為底座的高度固定，所以各個鑽石磨粒的修整面的高度位置不同，造成研磨墊與鑽石磨粒的接觸量會依照磨粒的粒徑而改變。亦即，磨粒的直徑小的高粒度號數的鑽石磨粒與研磨墊的接觸量減少，而有高粒度號數的鑽石磨粒沒有充分發揮機能的問題。
本發明是鑒於前述問題而完成，其目的在於提供一種修整裝置，其在不會閉塞發泡聚胺酯墊的發泡部的洞的情況下，只要一次的修整就能充分地將表面粗化，而能夠縮短修整時間且能夠設定較長的修整間隔(dress interval)，並能夠抑制在晶圓的製造中的生產性降低。
為了達成上述目的，依照本發明，提供一種修整裝置，其使鑽石磨粒壓抵且滑動接觸至研磨用的發泡聚胺酯墊，以修整前述研磨用的發泡聚胺酯墊，該修整裝置的特徵在於：前述鑽石磨粒被支撐在台座上，被該台座支撐的鑽石磨粒具有複數種粒度號數，該複數種粒度號數的鑽石磨粒是由粒度號數在#170以上的高粒度號數的鑽石磨粒與在#140以下的低粒度號數的鑽石磨粒所構成，並以前述複數種粒度號數的鑽石磨粒各自與前述發泡聚胺酯墊接觸的修整面的高度位置是在同一平面上的方式，使前述鑽石磨粒被支撐在台座上。
如果是這種修整裝置，能夠使高粒度號數與低粒度 號數的鑽石磨粒同時滑動接觸至發泡聚胺酯墊上，而能夠在不使發泡聚胺酯墊的發泡孔閉塞的情況下，利用1次的修整來將表面充分地粗化。其結果，只要較短的修整時間即可，進一步能夠設定較長的修整間隔，而能夠在不降低生產性的情況下來實行修整。
此時，藉由前述台座來支撐鑽石片(diamond pellet)，在該等鑽石片上各自固定有前述複數種粒度號數的鑽石磨粒，並利用調節前述鑽石片的厚度，能夠使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置變成在同一平面上。
這樣，如果調節前述鑽石片的厚度，則能夠容易地使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置在同一平面上。
又，此時，利用調節前述台座的高度，能夠使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置變成在同一平面上。
這樣，如果調節前述台座的高度，則在直接將鑽石磨粒電沉積(electrode position)在台座上的場合，也能夠使各個鑽石磨粒的修整面的高度位置在同一平面上。
又，此時，前述台座是甜甜圈形狀，該台座被分割成複數個片段(segment)，被分割而成的該複數個片段各自支撐前述高粒度號數的鑽石磨粒與前述低粒度號數的鑽石磨粒的任一方，較佳是支撐前述高粒度號數的鑽石磨粒之片段與支撐前述低粒度號數的鑽石磨粒之片段在同一圓周上被交互地配置。
如果是這種裝置，則能夠更有效果且沒有不均勻地修整發泡聚胺酯墊，並能夠更確實且不使生產性低下地進行修整。 又，能夠使用本發明的修整裝置來修整蕭氏D型硬度在30以下的前述研磨用的發泡聚胺酯墊。
如果是這種修整方法，則能夠將高粒度號數與低粒度號數的鑽石磨粒同時滑動接觸至發泡聚胺酯墊上，而能夠有效果且有效率地修整柔軟的發泡聚胺酯墊，該柔軟的發泡聚胺酯墊用以研磨高平坦的晶圓。
如果是本發明的修整裝置，其在不使發泡聚胺酯墊的發泡部的洞閉塞的情況下，利用1次的修整就能將表面充分地粗化，而能夠縮短修整時間。藉由使用此裝置進行1次的修整，修整後的發泡聚胺酯墊的表面的漿液的保持性良好，且表面的粗糙度能夠長時間維持在適當的狀態，所以能夠設定較長的修整間隔。其結果，在晶圓的製造中能夠大幅改善生產性。
1‧‧‧修整裝置
2‧‧‧鑽石磨粒
3‧‧‧台座
2a‧‧‧高粒度號數的鑽石磨粒
2b‧‧‧低粒度號數的鑽石磨粒
4‧‧‧修整面
5a‧‧‧鑽石片
5b‧‧‧鑽石片
6‧‧‧板體
7‧‧‧發泡聚胺酯墊
8‧‧‧片段
L1‧‧‧鑽石片的厚度
L2‧‧‧鑽石片的厚度
第1圖是表示本發明的修整裝置的一例的概略圖。
第2圖是表示本發明的修整裝置的台座的配列的概略圖。
第3圖是表示將本發明的修整裝置中的鑽石磨粒規則地排列的場合的概略圖。
第4圖是表示將本發明的修整裝置中的鑽石磨粒不規則地排列的場合的概略圖。
第5圖是從側面來看本發明的修整裝置的一部分的放大圖。
第6圖是從側面來看使用本發明的修整裝置來修整發泡聚胺酯墊的場合的概略圖。
第7圖是實施例1、及比較例1、2中的發泡聚胺酯墊的表面狀態的觀察結果。
第8圖是實施例1、及比較例1、2中的單面研磨後的平坦度的測定結果。
第9圖是實施例2和實施例3中的全局平整度的測定結果。
以下，針對本發明來說明實施型態，但是本發明不受限於此實施型態。
在使用了粒度號數小(平均粒徑大)的鑽石磨粒之修整裝置中，發泡聚胺酯墊的發泡部的洞被閉塞是造成研磨的晶圓的平坦度惡化的主要原因。又，在使用了粒度號數大(平均粒徑小)的鑽石磨粒之修整裝置中，不能夠充分地粗化發泡聚胺酯墊的表面，且必須設定較短的修整間隔，而使得生產性惡化
此處，本發明人為了解決這種問題，想到將具有兩種類以上的鑽石磨粒同時地滑動接觸至發泡聚胺酯墊上。而且，重複進行實驗的結果，發現到如果是下述構成，便能夠同時解決上述問題，而完成本發明：具有#170以上的高粒度號數的鑽石磨粒與#140以下的低粒度號數的鑽石磨粒，且各個鑽石磨粒的修整面的高度位置相同。
以下，參照第1圖~第6圖來針對本發明的修整裝 置進行說明。
如第1圖、第2圖所示，修整裝置1，具有：甜甜圈形狀的板體6和甜甜圈形狀的台座3、及固定有鑽石磨粒2之鑽石片5a、5b。
甜甜圈形狀的台座3被貼附且支撐在板體6的頂面。支撐台座3之板體6的材質，能夠設為金屬或在表面施加了被覆處理(coating process)的金屬。具體來說，能夠使用不銹鋼、被覆有樹脂的不銹鋼、被覆有類鑽碳的不銹鋼、被覆有氮化鈦的不銹鋼等。被覆處理，在與鑽石片接觸而需要平行度的部分，並未實施。
如第2圖所示，台座3，能夠被分割成複數個扇形的片段8，且在被分割而成的片段8上，貼附且支撐有扇形的鑽石片5a、5b。
在鑽石片5a上，固定有高粒度號數的鑽石磨粒2a。高粒度號數的鑽石磨粒2a，在本發明中是指粒度號數在#170以上的鑽石磨粒。又，在鑽石片5b上，固定有低粒度號數的鑽石磨粒2b。低粒度號數的鑽石磨粒2b，在本發明中是指粒度號數在#140以下的鑽石磨粒。或者，也可以不是在傳統的鑽石片上，而是在台座3的各個片段8上直接電沉積鑽石磨粒2a、2b，以藉由台座3來支撐鑽石磨粒2a、2b。而且，固定在鑽石片5a、5b上或電沉積在台座3上的鑽石磨粒2a、2b的排列方式，也可以是如第3圖所示的規則地排列，也可以是如第4圖所示的不規則地排列。
此時，如第1圖所示，較佳是將支撐鑽石片5a之片 段8與支撐鑽石片5b之片段8交互地配置在同一圓周上，在該鑽石片5a上固定有高粒度號數的鑽石磨粒2a，而在該鑽石片5b上則固定有低粒度號數的鑽石磨粒2b。這樣，利用配置片段8，便能夠有效果且沒有不均勻地修整發泡聚胺酯墊，並能夠更確實地抑制生產性的低下。
在本發明中，如第5圖(第1圖中的a所示的部分)所示，高粒度號數的鑽石磨粒2a與低粒度號數的鑽石磨粒2b的修整面4的高度位置設定在同一平面上。具體來說，將如第5圖所示的鑽石片5a的厚度L1與鑽石片5b的厚度L2配合各自的鑽石磨粒的粒度號數的不同來進行調節，而能夠使修整面4的高度位置變成在同一平面上。或者，將台座3的高度配合鑽石磨粒的粒度號數的不同而部分地進行調節，藉此也能夠使修整面4的高度位置變成在同一平面上。或者，將鑽石片的厚度與台座的高度的兩方都進行調節，藉此也能夠使修整面4的高度位置變成在同一平面上。如果使修整面4的高度位置變成在同一平面上，則如第6圖所示，在修整時，能夠使高粒度號數的鑽石磨粒2a與低粒度號數的鑽石磨粒2b的雙方的鑽石磨粒，同時地壓抵且滑動接觸在發泡聚胺酯墊7表面上。
如果是本發明的修整裝置1，藉由低粒度號數的鑽石磨粒2b，將發泡聚胺酯墊拉伸並使表面帶有傷痕而形成粗糙度(具體來說，是將表示墊的表面粗糙度的SMD(表面粗糙度的平均偏差，mean deviation of surface roughness)維持在3μm以上)，同時，藉由高粒度號數的鑽石磨粒2a，將被低粒 度號數的鑽石磨粒2b拉伸的樹脂切斷，而能夠防止發泡部的洞被閉塞。再加上，各個鑽石磨粒的修整面4的高度位置是位於同一平面上，所以不僅是直徑大的低粒度號數的鑽石磨粒2b，就連直徑小的高粒度號數的鑽石磨粒2a也能夠充分壓抵至發泡聚胺酯墊7。其結果，不會閉塞發泡聚胺酯墊7的發泡部的洞並能夠粗化表面，而能夠設定較長的修整間隔且能夠抑制在製造晶圓時的生產性降低。
在上述的修整裝置1中所表示的例子中，磨粒是使用一種類的高粒度號數的鑽石磨粒和一種類的低粒度號數的鑽石磨粒，也就是使用合計兩種類的粒度號數的鑽石磨粒的場合，但是當然不限於此，也能夠使用三種類以上的粒度號數的鑽石磨粒。又，在所表示的例子中，鑽石片的厚度是在各個鑽石片上進行調節，而台座的高度是在各個片段上進行調節，但是當然也不受限於此。為了使修整面4的高度位置在同一平面上，台座的高度和鑽石片的厚度，也能夠在台座和鑽石片的表面上設置段差、或將表面作成圓弧狀等以進行調節。
上述的本發明的修整裝置1，能夠於蕭氏D型硬度在30以下的發泡聚胺酯墊的修整中使用。在實行修整時，例如藉由可旋轉驅動的圓盤狀的機構等來保持修整裝置1，並一邊使修整裝置1旋轉一邊壓抵至發泡聚胺酯墊7，而能夠實施修整。
如果是這種修整方法，在修整裝置1上混合存在有修整面4的高度位置相同的2種類以上的高粒度號數與低粒度號 數的鑽石磨粒，因此能夠在不使發泡聚胺酯墊的發泡部的洞閉塞的情況下將表面充分地粗化。因此，能夠以可製造平坦度良好的晶圓的方式有效率地修整發泡聚胺酯墊，並能夠提升在晶圓的製造中的生產性。因此，使用本發明的修整裝置1之修整方法，特別適用於蕭氏D型硬度在30以下的發泡聚胺酯墊的修整。
[實施例]
以下，表示本發明的實施例和比較例以更具體地說明本發明，但是本發明不受限於這些例子。
(實施例1)
在晶圓的單面研磨裝置(不二越機械公司所製造的單面研磨裝置SRED(型號))中，將本發明的修整裝置，該修整裝置是如第1圖所示地將複數種粒度號數的鑽石磨粒的各自的高度位置變成在同一平面上，藉由可旋轉驅動的圓盤狀的機構來保持且使用該修整裝置，以進行初期修整，該初期修整用於磨合已貼附在平台上的未使用的發泡聚胺酯墊。在實行初期修整後，利用顯微鏡來觀察發泡聚胺酯墊的表面狀態以確認發泡部的洞有無閉塞。之後，使用經修整後的發泡聚胺酯墊，以批次方式開始進行晶圓的單面研磨，在第10個批次測定經單面研磨後的晶圓的平坦度。
在發泡聚胺酯墊的初期修整中所使用的鑽石磨粒，是粒度號數#200的高粒度號數的鑽石磨粒與粒度號數#100的低粒度號數的鑽石磨粒。修整條件，是將修整裝置的旋轉速度設為10rpm、平台的旋轉速度設為20rpm、負荷設為 35mg/cm2、初期修整時間設為300秒。又，使用水來作為修整液。
進行單面研磨的晶圓，使用結晶方向<100>、P型、直徑300mm的晶圓。作為研磨條件，研磨負荷設為80~200g/cm2、平台的旋轉數設為30rpm、研磨頭的旋轉數設為30rpm。又，使用NaOH基底的膠態氧化矽來作為研磨劑。
研磨後的晶圓平坦度，使用黑田精工公司所製造的平坦度測試器Nanometoro300TT-A(型號)。
第7圖是表示剛完成初期修整後的發泡聚胺酯墊的表面狀態的照片。如第7圖所示，可知發泡部的洞沒有閉塞而敞開，且洞以外的表面變得充分地粗化。
在第8圖中表示單面研磨後的晶圓的平坦度的測定結果。如第8圖所示，在第10個批次結束的時點的晶圓的全局平整度(總平整度，GBIR(Global Backside Ideal Range))是0.077(μm)，SFQRmax(最大局部平整度，Site Front Squares Range max)是0.028(μm)，SBIRmax(最大局部平直度，Site Back Ideal Range max)是0.051(μm)，相較於後述比較例2是變小，且相較於比較例2能夠得到平坦度高的晶圓。從此結果來看，可知即使將修整間隔設為相較於後述比較例1更長的10個研磨批次，也能夠得到相較於比較例2平坦度更高的晶圓。在表1中表示發泡部的洞的有無閉塞與可得到平坦度良好的晶圓的批次數的最大值的檢證結果。
又，除了在初期修整中所使用的鑽石磨粒是粒度號數#170的高粒度號數的鑽石磨粒與粒度號數#60的低粒度號 數的鑽石磨粒以外，利用與上述同樣的條件來實行修整。之後，利用顯微鏡來觀察發泡聚胺酯墊的表面狀態的結果，確認了發泡部的洞沒有閉塞，且表面已被充分地粗化。進一步，可知即使是在此場合，連續研磨10個批次，還是可得到平坦度高的晶圓。同樣地，除了在初期修整中所使用的鑽石磨粒是粒度號數#170的高粒度號數的鑽石磨粒與粒度號數#140的低粒度號數的鑽石磨粒以外，利用與上述同樣的條件來實行修整。即使在此場合，發泡部的洞也沒有閉塞且表面已被充分地粗化，可知即使連續研磨10個批次，還是可得到平坦度高的晶圓。從以上結果，可知如果使用本發明的修整裝置，則能夠改善在晶圓的製造中的生產性。
(比較例1)
除了僅使用粒度號數#325的鑽石磨粒及在第3個批次測定經單面研磨後的晶圓的平坦度以外，利用與實施例1同樣的條件來實施發泡聚胺酯墊的初期修整、晶圓的研磨、及平坦度測定。
其結果，如第7圖、表1所示，可知雖然發泡部的洞沒有閉塞而敞開，但是洞以外的表面並沒有被充分地粗化。因此，如第8圖所示，可知雖然從實施修整開始起算在第3個批次中所研磨的晶圓的GBIR是0.079(μm)，SFQRmax是0.029(μm)，SBIRmax是0.055(μm)而良好，但是如果連續研磨3個研磨批次以上，就不能夠得到平坦度良好的晶圓。這樣，可知在比較例1中可得到平坦度良好的晶圓的批次數的最大值變小，於是必須將修整間隔設為較短的3個批次以下， 所以在晶圓的製造中的生產性相較於實施例1會惡化。
又，將鑽石磨粒的粒度號數改變成#170、#200、#230，且同樣地實施發泡聚胺酯墊的初期修整、晶圓的研磨、及平坦度測定。其結果，如表1所示，可知在僅使用粒度號數#230的鑽石磨粒的場合，與在僅使用粒度號數#325的鑽石磨粒的場合相同，可得到平坦度良好的晶圓的批次數的最大值變短成3個批次。在僅使用粒度號數#170或#200的鑽石磨粒的場合，可得到平坦度良好的晶圓的批次數的最大值稍微改善成5個批次，但是僅是實施例1的一半。
(比較例2)
除了僅使用粒度號數#100的鑽石磨粒及在第1個批次測定經單面研磨後的晶圓的平坦度以外，利用與實施例1同樣的條件來實施發泡聚胺酯墊的初期修整、晶圓的研磨、及平坦度測定。
其結果，如第7圖、表1所示，可知發泡部的洞被閉塞。因此，如第8圖所示，從剛實施修整後開始起算在第1個批次中所研磨的晶圓的GBIR是0.314(μm)，SFQRmax是0.038(μm)，SBIRmax是0.074(μm)，相較於實施例1是大幅惡化。進一步，研磨後的晶圓呈中間凹陷形狀，晶圓形狀惡化。這樣，可知在此發泡聚胺酯墊的表面狀態下，是不能夠得到如實施例1般的平坦度良好的晶圓。
又，將鑽石磨粒的粒度號數改變成#60、#80、#120、#140，且同樣地實施發泡聚胺酯墊的初期修整、晶圓的研磨、及平坦度測定。其結果，如表1所示，可知在全部的場合中 發泡部的洞都閉塞，而不能夠得到如實施例1般的平坦度良好的晶圓。
(比較例3)
除了組合使用粒度號數#60與#140的2種類的低粒度號數的鑽石磨粒及在第1個批次測定經單面研磨的晶圓的平坦度以外，利用與實施例1同樣的條件來實施發泡聚胺酯墊的初期修整、晶圓的研磨、及平坦度測定。
其結果，如表1所示，可知發泡部的洞都閉塞，而不能夠得到如實施例1般的平坦度良好的晶圓。
(實施例2)
加入與實施例1相同的條件，使用本發明的修整裝置來實行初期修整和每隔10個研磨批次的批次間修整，且測定單面研磨後的晶圓的GBIR。在實施例2中，將批次間修整的時間設為180秒，在平坦度的測定中使用KLA-Tencor股份有限公司所製造的平坦度測試器WaferSight2(型號)。
其結果，如第9圖所示，可知GBIR的平均值(第9圖中的Ave值)變成107.9(nm)，標準偏差(第9圖中的s值)變成29.4(nm)，在修整後的第1個批次所研磨的晶圓的平坦度與在第10個批次所研磨的晶圓的平坦度的變化量少。因此，可知即使將修整間隔設為較長的10個研磨批次，還是可得到平坦度高的晶圓。
(比較例4)
除了僅使用粒度號數#325的鑽石磨粒以外，利用與實施例2同樣的條件來實施發泡聚胺酯墊的初期修整、批次間修 整、晶圓的研磨、及平坦度測定。
其結果，如第9圖所示，可知GBIR的平均值(第9圖中的Ave值)變成142.4(nm)，標準偏差(第9圖中的s值)變成59.0(nm)，在修整後的第1個批次所研磨的晶圓的平坦度與在第10個批次所研磨的晶圓的平坦度的變化量大。因此，可知在此場合下如果將修整間隔設為較長的10個研磨批次，則只有在修整後的前幾個批次中可得到平坦度高的晶圓。
在表1中統整地表示在實施例、比較例中的實施結果。
另外，本發明不受限於上述實施型態。上述實施型態是例示，只要是與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構成且發揮同樣作用效果，都包含在本發明的技術範圍中。
1‧‧‧修整裝置
2‧‧‧鑽石磨粒
2a‧‧‧高粒度號數的鑽石磨粒
2b‧‧‧低粒度號數的鑽石磨粒
5a‧‧‧鑽石片
5b‧‧‧鑽石片

Claims (7)

  1. 一種修整裝置，其使鑽石磨粒壓抵且滑動接觸至研磨用的發泡聚胺酯墊，以修整前述研磨用的發泡聚胺酯墊，該修整裝置的特徵在於：前述鑽石磨粒被支撐在台座上，被該台座支撐的鑽石磨粒具有複數種粒度號數，該複數種粒度號數的鑽石磨粒是由粒度號數在#170以上的高粒度號數的鑽石磨粒與在#140以下的低粒度號數的鑽石磨粒所構成，並以前述複數種粒度號數的鑽石磨粒各自與前述發泡聚胺酯墊接觸的修整面的高度位置是在同一平面上的方式，使前述鑽石磨粒被支撐在前述台座上。
  2. 如請求項1所述的修整裝置，其中，藉由前述台座來支撐鑽石片，在該鑽石片上各自固定有前述複數種粒度號數的鑽石磨粒，並利用調節前述鑽石片的厚度，使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置變成在同一平面上。
  3. 如請求項1所述的修整裝置，其中，利用調節前述台座的高度，使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置變成在同一平面上。
  4. 如請求項2所述的修整裝置，其中，利用調節前述台座的高度，使各個鑽石磨粒的前述修整面的高度位置變成在同一平面上。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的修整裝置，其中，前述台座是甜甜圈形狀，該台座被分割成複數個片段，被分割而成的該複數個片段各自支撐前述高粒度號數的鑽石磨粒 與前述低粒度號數的鑽石磨粒的任一方，且支撐前述高粒度號數的鑽石磨粒之片段與支撐前述低粒度號數的鑽石磨粒之片段在同一圓周上被交互地配置。
  6. 一種修整方法，其使用如請求項1至請求項4中任一項所述的修整裝置來修整蕭氏D型硬度在30以下的前述研磨用的發泡聚胺酯墊。
  7. 一種修整方法，其使用如請求項5所述的修整裝置來修整蕭氏D型硬度在30以下的前述研磨用的發泡聚胺酯墊。
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