TW201508047A - 基板構造物及其製造方法 - Google Patents

基板構造物及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201508047A
TW201508047A TW102143967A TW102143967A TW201508047A TW 201508047 A TW201508047 A TW 201508047A TW 102143967 A TW102143967 A TW 102143967A TW 102143967 A TW102143967 A TW 102143967A TW 201508047 A TW201508047 A TW 201508047A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
substrate structure
organic
substrate
structure according
Prior art date
Application number
TW102143967A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI606111B (zh
Inventor
Myung-Mo Sung
Kyu-Seok Han
Original Assignee
Iucf Hyu
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iucf Hyu filed Critical Iucf Hyu
Publication of TW201508047A publication Critical patent/TW201508047A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI606111B publication Critical patent/TWI606111B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3192—Multilayer coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic System
    • C07F3/06—Zinc compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic System
    • C07F5/06—Aluminium compounds
    • C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
    • C07F5/062—Al linked exclusively to C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/42—Silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C23C16/45529—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations specially adapted for making a layer stack of alternating different compositions or gradient compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/02—Materials and properties organic material
    • G02F2202/022—Materials and properties organic material polymeric
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本發明涉及一種形成有有機無機複合薄膜的基板構造物及其製造方法，尤其涉及一種基板上含穩定新官能基的有機無機複合薄膜，以及形成有有機無機複合薄膜的基板構造物及其製造方法，其中所述有機無機複合薄膜通過交替使用無機物前驅物及有機物前驅物而形成，在空氣環境下穩定，故可用於發光體、顯示器元件、太陽能元件封裝。

Description

基板構造物及其製造方法
本發明涉及基板構造物及其製造方法，尤其涉及一種形成有有機無機複合薄膜的基板構造物及其製造方法，其中所述有機無機複合薄膜通過交替使用含穩定新官能基的無機物前驅物及有機物前驅物，通過分子層沉積法形成。
用於顯示裝置、相框、工藝、容器等的玻璃基板具有線膨脹係數小，良好的氣體阻隔性能，高透光度，高表面平整度，卓越的耐熱性及耐化學性等諸多優點，但具有耐衝擊力差、容易破碎，密度高、產品過重的缺點。
現在，隨著人們對液晶或有機發光顯示裝置、電子紙的關注度劇增，因此在廣泛研究如何用塑膠替代玻璃，以用作這些顯示裝置的基板。即，如果用塑膠基板替代玻璃基板，則可以降低顯示裝置的整體重量，可為設計提供柔韌性，耐衝擊力強，在連續工程製造時，比玻璃基板更具經濟性。
另外，為了把塑膠基板應用到顯示裝置，應滿足如下特性條件。即，可耐受電晶體元件的工藝溫度、透明電極沉積溫度的高玻璃轉化溫度(glass transition temperature)，用於防止液晶與有機發光材料老化的氧氣及水蒸氣阻隔特性，用於防止基板受工藝溫度影響而變形的低線膨脹係數及尺寸穩定性，具有可與現有玻璃基板上使用的工程設備相容的高機械強度，可耐受蝕刻(etching)工序的耐化學品特性，高透光度及低雙折射性(Birefringent)，表面耐劃性等。
但是，至今還不存在能夠滿足所述所有條件的含高分子膜及高分子-無機物複合膜的高性能的高分子基膜(base film)。因此主要研究如何向高分子基膜施以多層功能性塗層，以滿足所述物質特性。
有機無機複合材料(Organic-inorganic Hybrid Materials)是把有機材料和無機材料以物理或化學方法結合，從而能夠同時表現有機材料的性質和無機材料的性質的材料。
在製造有機無機複合薄膜時最常用的方法是溶膠-凝膠(Sol-gel)法，由於可在低溫條件下容易地製造有機無機複合材料，因此從很早以前開始，對這一方法展開了廣泛研究。但由於溶膠-凝膠法很難以單分子層為單位進行控制，存在熱處理後發生變形的問題，因此難以製造高品質的有機無機複合薄膜。
製造有機無機複合薄膜的其他方法有熔融插層法(Melt Intercalation)，可以製造很難通過溶膠-凝膠法製造的有機無機複合材料。但這一方法也很難以單分子層為單位進行控制，且其沉積速度慢，因此很難製造高品質的有機無機奈米複合超晶格(superlattice)。
利用靜電力製造有機無機複合薄膜的自組裝法(self-assembly)是一種能夠層狀生長高分子、奈米粒子及奈米板等的極為有用的方法，目前在進行很多相關研究。但利用靜電力製造有機無機複合薄膜的自組裝法在嚴格意義上說不是單分子層控制技術，且其熱穩定性低，因此難以製造高品質的有機無機複合薄膜。另外，在氣態下製造有機無機複合薄膜的熱沉積法(Evaporation)很難控制單分子層，原料分子方面受到很多局限，無法得到廣泛應用。
為了解決現有的這些有機無機複合薄膜製造方法的問題，開發了不僅可以沉積有機高分子，還可以沉積有機無機複合材料的分子層沉積技術。分子層沉積技術是通過自控制表面反應，可以以分子為單位控制無機或有機分子的氣態沉積法。典型的例子是S. M. George集團利用分子層沉積技術，利用三甲基鋁(trimethylaluminum,TMA)及乙二醇(ethylene glycol,EG)製造Alucone高分子膜。但這種現有的分子層沉積技術，在有機物前驅物所含官能基方面局限於羥基(hydroxyl group)、羧基(carboxyl group)及其衍生物(derivative)，並且由此製造而成的有機無機複合薄膜放在空氣中時不穩定，而發生分解的問題。
為了防止電子元件因氧氣或水分導致性能降低，現在正在開發理想的封裝膜。現在使用的封裝膜有利用SiO2 ,SiN, Al2 O3 等無機物形成的單一膜，交替沉積無機物形成的多層膜，交替沉積無機物和有機物形成的多層膜等很多形態。現有技術中，利用離子束沉積法(Ion Beam Deposition)、電子束沉積法(Electron BeamDeposition)、等離子體沉積法(Plasma Beam Deposition)或化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition)等，形成了無機鈍化(passivation)膜。而這種現有技術需要的沉積溫度高，薄膜覆蓋力差。
因此，可在低溫條件下形成封裝膜的原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)受到青睞。ALD技術是最理想的無機及金屬薄膜製造技術，是以原子為單位，利用自控制反應沉積單原子層的技術，能夠利用基質表面上的化學吸附和釋放過程，控制單原子層的厚度，可稱之為全新概念的沉積方法。但採用原子層沉積法(Atomic Layer Deposition, ALD)時，由於形成封裝膜的過程中產生針孔，因此直至目前還很難獲得所需的性能。
另外，美國的Vitex Systems公司在高分子基膜上形成單體(monomer)薄膜並向其照射紫外線(UV)，引發聚合反應，使得高分子化(固體化的有機層)，通過等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)、化學氣象沉積法(CVD)等方法形成塗層並在其上面通過濺射法(Sputtering)形成無機薄膜，通過重複進行上述過程，從而製造出了多層有機-無機層及含所述層的具有良好的氣體阻隔性的柔軟基板。
雖然如上所述，出現了氣體阻隔(gas barrier)膜，氣體阻隔及水分隔離性得到改善的塑膠基板，但想要將投入OLED、LCD等用途，在氣體阻隔、水分隔離性能以及表面硬度方面還有所欠缺。
技術問題本發明為了解決上述現有技術問題，其目的在於提供含一種新穎、穩定的有機無機複合薄膜的基板構造物，所述有機無機複合薄膜通過交替使用用於形成無機層的前驅物化合物及用於形成有機物層的包括新官能基的前驅物化合物而形成。
本發明的另一目的在於提供一種本發明的基板構造物的製造方法。
技術方案本發明為了解決如上所述的問題，提供一種基板構造物，其包括基板；以及有機無機複合薄膜形成於所述基板，由如下化學式1表示：[化學式1]-[M-X-R1-Y-]m-其中，所述化學式1中m為1以上，R1為C1~20 烷基(alkyl)、C5~20 環烷基(cycloalkyl)、核原子數為5~60的芳基(aryl)或雜芳基(hetero aryl)，M選自由Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn,Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組，X或Y分別選自由O,S, N, NH及CO構成的群組，X或Y中的一個是S。
本發明的基板構造物，其中所述有機無機複合薄膜的厚度為1Å至500Å。
本發明的基板構造物，其中設所述有機無機複合薄膜的初始厚度為d0，所述有機無機複合薄膜在標準溫度和壓力(standard temperature and pressure,STP)條件下放置n小時後的厚度為dn時，滿足如下關係式：0 ≤ (dn/d0)≤  0.1(0 ≤n ≤ 240) 。
本發明一實施例的基板構造物的結構用圖1顯示。如圖1所示，本發明一實施例的基板構造物包括基板10；以及有機無機複合薄膜20，其形成於所述基板的上部表面。
本發明的基板構造物，其中所述基板10是選自由ITO, FTO, ZnO, AZO, CdO及TiO2構成的群組的導電性透明基板。
本發明的基板構造物，其中所述基板是選自由氟聚合物樹脂(fluoro polymer resin)、聚酯(polyester)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醯胺(Polyamide)、聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)構成的群組的高分子基板。
本發明的基板構造物，其中所述高分子基板選自由聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate，PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)構成的群組。
本發明的基板構造物，其中所述有機無機複合薄膜20的厚度為1Å至500 Å。
本發明的基板構造物，其中設所述有機無機複合薄膜的初始厚度為d0，所述有機無機複合薄膜在標準溫度和壓力條件下放置n小時後的厚度為dn時，滿足如下關係式：0 ≤ (dn/d0)≤  0.1(0 ≤n ≤ 240)。
並且，本發明提供一種含基板及形成於所述基板上的有機無機複合薄膜的基板構造物；以及含功能性薄膜的基板構造物，其中所述功能性薄膜包括金屬氧化物層，其形成於所述有機無機複合薄膜上，其中金屬選自由Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組。
圖2顯示本發明另一實施例的含功能性薄膜的基板構造物。如圖2所示，功能性薄膜包括有機無機複合薄膜20及氧化物層30。即，所述基板構造物包括功能性薄膜，所述功能性薄膜包括基板10及沉積形成於所述基板上的有機無機複合薄膜20；以及金屬氧化物層30，其沉積形成於所述有機無機複合薄膜上，其中金屬選自由Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組。所述功能性薄膜可以是超晶格薄膜。
本發明的含功能性薄膜的基板構造物，其中由選自Zn, Sn,In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組的金屬構成的金屬氧化物層30，其厚度為10Å至2000Å。
本發明的含功能性薄膜的基板構造物，其中設含所述功能性薄膜的基板構造物的初始厚度為D0，所述基板構造物在標準溫度和壓力條件下放置n小時後的厚度為Dn時，滿足如下關係式：0 ≤ (Dn/D0) ≤  0.1(0 ≤n ≤ 240)。
圖3至圖6為本發明另一實施例的基板構造物的示意圖。
如圖3所示，本發明的基板構造物還可以在所述基板10與所述有機無機複合薄膜20之間包括第一耐化學層40。
如圖4所示，本發明的基板構造物還可以在所述基板10的下部表面包括第二耐化學層50。
本發明的基板構造物中，所述第一耐化學層40及第二耐化學層50可以包括選自亞克力(acryl)樹脂、環氧樹脂、聚矽氮烷(Polysilazane)及聚醯亞胺樹脂的至少一種樹脂。
如圖5及圖6所示，本發明的基板構造物還可以在所述有機無機複合薄膜20的上部表面及/或所述金屬氧化物層30的上部表面包括保護層60。所述保護層可以包括聚醯亞胺。
並且，本發明提供包括本發明的基板構造物的電子元件，比如發光體、顯示器裝置及太陽能發電元件。
另外，本發明提供一種基板構造物的製造方法，其包括：(1)利用由如下化學式2表示的第一前驅物化合物在基板表面形成無機分子層的步驟，[化學式2]M(R21)(R22)…(R2n)其中，所述化學式2 中所述M 選自由Zn, Sn, Cd,Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr,Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al 及Tl構成的群組，n由所述金屬M的氧化態決定，R21至R2n分別獨立為C1~20 烷基、C1~20 醇基(alkoxide)、氯基、羥基(hydroxyl group)、氧羥基(oxy hydroxy)、硝酸基、碳酸基、醋酸基或草酸基(oxalic acid)；以及(2)使如下化學式3表示的第二前驅物化合物與所述無機分子層反應，在所述無機分子層上形成有機分子層的步驟，[化學式3]R3-S-R4-R5其中，所述化學式3中，R3為氫、COR6、C1~20 烷基、C5~20 環烷基、核原子數為5~60的芳基或雜芳基，R4為C1~20 烷基、C5~20 環烷基、核原子數為5~60的芳基或雜芳基，R5為選自由羥基、C1~20 烷氧基(alkoxygroup)、醚基(ether group)、羧基(carboxyl group)、COR6、硫醇基(thiol group)及氨基(amine group)構成的群組的一種或以上的組合，R6為選自由氫、烷氧基、醚基、羧基、硫醇基及氨基構成的群組的一種或以上的組合。
在本發明的基板構造物的製造方法中，所述第一前驅物化合物與基板反應，在基板表面形成無機物層。
一切可形成無機薄膜的前驅物(precursor)均可作為所述第一前驅物化合物。為了在最短時間內把所需量的前驅物注入到腔體內，使用蒸汽壓高的金屬化合物。例如，所述第一前驅物化合物可以是含一種金屬的烷烴(alkyl)、 醇鹽(alkoxide)、氯化物(chloride)、氫氧化物(hydroxide)、羥基氧化物(oxyhydroxide)、硝酸鹽(nitrate)、碳酸鹽(carbonate)、醋酸鹽(acetate)、草酸鹽(oxalate)及其混合物構成的群組，所述金屬選自由Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn,Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組。
所述第一前驅物化合物，其包括由所述金屬M的氧化態決定的R21、R22…R2n等n個取代基，R21至R2n分別獨立為C1~20 烷基、C1~20 醇基、氯基、羥基、氧羥基、硝酸基、碳酸基、醋酸基或草酸基。
具體地，用於形成含金屬Zn的無機物層的原料氣體有二乙基鋅(Diethyl Zinc，DEZn)、二甲基鋅 (Dimethyl Zinc，DMZn)等，用於形成含金屬Al的無機物層的原料氣體可以是三甲基鋁(Trimethylaluminum，TMA)、三乙基鋁(Triethylaluminum，TEA)等。
本發明的基板構造物的製造方法中，由所述化學式3表示的所述第二前驅物化合物的SR3或R5與基板表面上由所述第一前驅物化合物形成的無機物層反應，形成有機無機複合薄膜。
本發明的基板構造物的製造方法中，所述第二前驅物化合物可以使用由如下化學式4表示的化合物：[化學式 4] 其中，所述化學式4中，Z為硫醇基，Q為選自硫醇基及羥基中的一種，Z與Q的位置為鄰位(ortho)、間位(meta)或對位(para)。
本發明的有機無機複合薄膜的製造方法中，所述第二前驅物化合物具體可以使用由如下化學式5或6表示的化合物，[化學式 5] [化學式 6]
本發明的基板構造物的製造方法中，為了形成所需厚度的所述有機無機複合分子薄膜，可重複進行所述步驟(1)及步驟(2)。
本發明的基板構造物的製造方法，其還包括：在所述步驟(1)之前，在基板表面形成氧化層的步驟。
並且，本發明的含功能性薄膜的基板構造物的製造方法，還包括在通過所述步驟(1)及步驟(2)形成有機無機複合薄膜後，(3)通過原子層沉積法以選自Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W的金屬，形成金屬氧化物層的步驟。
本發明的含功能性薄膜的基板構造物的製造方法，其包括：重複進行n1次(n1大於等於1)所述步驟(1)及步驟(2)後，重複進行n2次(n2大於等於1)步驟(3)。
本發明的含功能性薄膜的基板構造物的製造方法，其包括重複進行所述步驟(1)至步驟(3)。
技術效果本發明的含有機無機複合薄膜的基板構造物，不僅包括有機無機複合薄膜，還包括新官能基，在空氣中的性質穩定，因此可應用於顯示器元件的封裝、太陽能元件的封裝、半導體或電子元件製造所需的奈米圖案(nano patterning)、化學感測器及生物感測器、奈米摩擦學(nano tribology)、表面改性、奈米電子機械系統(NEMS)、微電子機械系統(MEMS)、非揮發性記憶體等多種領域。
本發明的含有機無機複合薄膜的基板構造物的製造方法，在交替使用無機物前驅物及有機物前驅物，利用分子層沉積法製造有機無機複合薄膜的過程中使用含現有技術所未曾使用過的新官能基的有機物前驅物，因此可提供在空氣環境下極為穩定的有機無機複合多層分子膜。
下面通過實施例進一步詳細說明本發明。但是本發明不限定於以下實施例。
實施例1用蒸餾水、丙酮(acetone)洗滌矽(Si)基板後，用氮氣(N2 )吹掃2-3次，去除基板表面的污染物質後，使用二乙基鋅(Diethylzinc， DEZn)作為第一前驅物化合物，通過分子層沉積法在矽基板上形成二乙基鋅(Diethylzinc， DEZn)薄膜。
使用4-巰基苯酚作為第二前驅物化合物，通過分子層沉積法在所述二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)薄膜上形成有機分子膜，從而製造有機無機複合薄膜。作為載氣(carrier gas)及吹掃氣體使用氬氣，並分別在20℃及70℃條件下蒸發DEZn及4-巰基苯酚。週期(cycle)由暴露於二乙基鋅(Diethylzinc， DEZn)2秒，用氬氣吹掃10秒，暴露於4-巰基苯酚2秒，用氬氣吹掃50秒的過程構成。所述薄膜在300m托(Torr)壓力下，在80℃至200℃的溫度下進行了生長。
實驗例檢測隨有機前驅物及無機前驅物注入時間變化的生長速度在所述實施例1中，檢測隨第一前驅物化合物二乙基鋅(Diethylzinc， DEZn)的注入時間變化的薄膜生長速度及隨所述第二前驅物化合物4-巰基苯酚注入時間變化的薄膜生長速度，分別用圖7、圖顯示。
由圖7、圖8可知，薄膜生長速度隨著第一前驅物化合物二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)與第二前驅物化合物4-巰基苯酚的注入量增加到一定程度後不再增加，而是保持一定速度。
實驗例紅外線分光法檢測使用溴化鉀顆粒(KBrpellet)以代替所述矽基板，其他不變，通過與實施例1相同的方法製造有機無機複合薄膜。對該有機無機複合薄膜及4-巰基苯酚分別進行紅外線分光法檢測，結果如圖9所示。
由圖9可知，在只含4-巰基苯酚的比較例中，出現4-巰基苯酚的羥基及硫醇基，而在本發明的有機無機複合薄膜中，作為第二前驅物使用的巰基苯酚的羥基及硫醇基與由第一前驅物製造的無機分子層反應，形成複合薄膜，因此通過紅外線分光法檢測不到巰基苯酚的羥基及硫醇基。
實驗例UV-Vis分光法檢測對實施例1製造的有機無機複合薄膜進行UV-Vis吸光度檢測，結果如圖10所示。由圖10可知，本發明的有機無機複合薄膜在可視光線領域沒有吸收。
比較例作為比較例，使用二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)作為第一前驅物化合物，通過分子層沉積法在矽基板表面形成二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)薄膜，之後使用對苯二酚(hydroquinone，HQ)作為第二前驅物化合物，除此之外與所述實施例1相同，從而製造有機無機複合薄膜。
實驗例空氣中的穩定性測試把所述實施例1的有機無機複合薄膜及所述比較例製造的有機無機複合薄膜放在空氣中並檢測其厚度變化，以此測試在空氣中的穩定性，結果如圖11所示。
由圖11可知，不同于本發明，不含S基的比較例中，厚度隨著放置於空氣中的時間急劇減小。而本發明的實施例，厚度不隨時間發生變化，由此可知本發明的含S基的有機無機複合多層膜在空氣中非常穩定。
實施例2與所述實施例1相同，使用二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)作為第一前驅物化合物,在矽基板表面上形成薄膜後，使用4-巰基苯酚作為第二前驅物化合物，通過分子層沉積法在所述二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)的薄膜上形成有機無機複合薄膜後，重複進行利用第一前驅物化合物形成二乙基鋅(Diethylzinc，DEZn)薄膜及利用第二前驅物化合物形成薄膜的過程，並檢測相應的厚度，結果如圖12所示。
由圖12可知，通過第一前驅物化合物形成薄膜及通過第二前驅物化合物形成薄膜的過程的重複次數，與所形成的薄膜厚度成比例。
實驗例表面粗糙度的檢測通過原子力顯微鏡(AFM)檢測所述實施例2製造的厚度為50nm的有機無機複合薄膜的表面粗糙度，結果如圖13所示。經檢測，平均粗糙度為2.2Å。
實施例3
用蒸餾水、丙酮洗滌矽(Si)基板後，用氮氣(N2 )體吹掃2-3次，去除基板表面的污染物質後，使用三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)作為第一前驅物化合物，通過分子層沉積法在矽基板表面上形成三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)薄膜。
使用4-巰基苯酚作為第二前驅物化合物，通過分子層沉積法在所述三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)薄膜上形成有機分子膜，從而製造有機無機複合薄膜。
作為載氣(carrier gas)及吹掃氣體使用氬氣，並分別在20℃及70℃條件下蒸發三甲基鋁(Trimethylaluminum,TMA)及4-巰基苯酚。週期(cycle)由暴露於三甲基鋁(Trimethylaluminum,TMA)2秒，用氬氣吹掃10秒，暴露於4-巰基苯酚2秒，用氬氣吹掃50秒的過程構成。所述薄膜在300m托(Torr)壓力下，在80℃至200℃的溫度下進行了生長。
實驗例檢測隨有機前驅物及無機前驅物注入時間變化的生長速度在所述實施例3中，檢測隨第一前驅物化合物三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)的注入時間變化的薄膜生長速度及隨所述第二前驅物化合物4-巰基苯酚注入時間變化的薄膜生長速度，分別用圖14、圖15顯示。
由圖14、圖15可知，薄膜生長速度隨著第一前驅物化合物三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)與第二前驅物化合物4-巰基苯酚的注入量增加到一定程度後不再增加，而是保持一定速度。
實驗例紅外線分光法檢測
使用溴化鉀顆粒(KBr pellet)以代替所述矽基板，其他不變，通過與實施例3相同的方法製造有機無機複合薄膜。對該有機無機複合薄膜及4-巰基苯酚分別進行紅外線分光法檢測，結果如圖16所示。
由圖16可知，本發明的有機無機複合薄膜中，作為第二前驅物使用的巰基苯酚的羥基及硫醇基與由第一前驅物製造的無機分子層反應，形成複合薄膜，因此通過紅外線分光法檢測不到巰基苯酚的羥基及硫醇基。
實驗例UV-Vis分光法檢測對所述實施例3製造的有機無機複合薄膜進行UV-Vis吸光度檢測，結果如圖17所示。
由圖17可知，本發明的有機無機複合薄膜在可視光線領域沒有吸收。
比較例作為比較例，使用三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)作為第一前驅物化合物，通過分子層沉積法在矽基板表面形成三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)薄膜，之後使用對苯二酚(hydroquinone，HQ)作為第二前驅物化合物，除此之外與所述實施例3相同，從而製造有機無機複合薄膜。
實驗例空氣中的穩定性測試把所述實施例3的有機無機複合薄膜及所述比較例製造的有機無機複合薄膜放在空氣中並檢測其厚度變化，以此測試在空氣中的穩定性，結果如圖18所示。
設初始厚度為d0，經過n小時後的厚度為dn時，由圖18可知，不同于本發明，不含S基的比較例，其厚度急劇減小，dn/d0上升到0.5以上，而本發明實施例，厚度不隨時間發生變化，dn/d0保持0.1以下。由此可知，本發明的有機無機複合薄膜在空氣中極為穩定。
實施例4與所述實施例3相同，使用三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)作為第一前驅物化合物,在矽基板表面上形成薄膜後，使用4-巰基苯酚作為第二前驅物化合物，通過分子層沉積法在所述三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)薄膜上形成有機無機複合薄膜後，重複進行利用第一前驅物化合物形成三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)薄膜及利用第二前驅物化合物形成薄膜的過程，並檢測相應的厚度，結果如圖19所示。
由圖19可知，通過第一前驅物化合物形成薄膜及通過第二前驅物化合物形成薄膜的過程的重複次數，與所形成的薄膜厚度成比例。
實驗例表面粗糙度的檢測
通過原子力顯微鏡(AFM)檢測所述實施例4製造的厚度為50nm的有機無機複合薄膜的表面粗糙度，結果如圖20所示。經檢測，平均粗糙度為2.8Å。
實施例5通過與實施例1、3相同的方法製造有機無機複合薄膜後，通過原子層沉積法在所述有機無機複合薄膜的上部表面形成Al2 O3 薄膜，在調節利用原子層沉積法形成的Al2 O3 薄膜與通過本發明製造的有機無機複合薄膜之間比例的同時重複進行，從而製造有機無機複合功能性薄膜。
為了通過原子層沉積法形成Al2 O3 薄膜，作為載氣及吹掃氣體使用氬氣，在常溫條件下蒸發三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)及H2 O。週期(cycle)由暴露於三甲基鋁(Trimethyl aluminum,TMA)1秒，用氬氣吹掃5秒，暴露於H2O 1秒，用氬氣吹掃5秒的過程構成。所述薄膜在300m托(Torr)的壓力下，在80℃的溫度下生長。
實驗例透射電子顯微鏡(TEM)檢測檢測所述實施例5製造的有機無機複合薄膜： Al2 O3 薄膜之間的比例為1：2時的TEM照片，結果如圖21所示。由圖21可知，交替形成有通過原子層沉積法形成的Al2 O3 薄膜與本發明的有機無機複合薄膜。
實驗例針孔生成抑制效果的檢測在所述實施例5中改變有機無機複合薄膜厚度的同時檢測針孔生成抑制率，結果如圖22、圖23所示。
如圖22所示，當本發明的有機無機複合薄膜的厚度大於80nm時，幾乎不生成針孔。
實驗例薄膜應力的檢測對所述實施例5製造的有機無機複合功能性薄膜，使薄膜的總厚度相同的條件下，檢測Al2 O3 薄膜與本發明的有機無機複合薄膜之間的比例不同時所對應的薄膜應力，其結果如圖24所示。
實驗例抗透濕度及抗透氧度的檢測對所述實施例5製造的有機無機複合功能性薄膜及比較例的Al2 O3 薄膜，檢測抗透濕度及抗透氧度，結果如下表1及圖25所示。
由下表1及圖25可知，本發明的含有機無機複合薄膜及Al2 O3 的功能性薄膜與比較例相比，抗透濕度及抗透氧度特性優異。
工業應用性本發明的含有機無機複合薄膜的基板構造物包括新官能基，在空氣中的性質穩定，因此可應用於顯示器元件的封裝、太陽能元件的封裝、半導體或電子元件製造所需的奈米圖案(nano patterning)、化學感測器及生物感測器、奈米摩擦學(nano tribology)、表面改性、奈米電子機械系統(NEMS)、微電子機械系統(MEMS)、非揮發性記憶體等多種領域。
本發明的含有機無機複合薄膜的基板構造物的製造方法，在交替使用無機物前驅物及有機物前驅物，利用分子層沉積法製造有機無機複合薄膜的過程中使用含現有技術所未曾使用過的新官能基的有機物前驅物，因此可提供在空氣環境下極為穩定的有機無機複合多層分子膜。
10‧‧‧基板
20‧‧‧有機無機複合薄膜
30‧‧‧金屬氧化物層
40‧‧‧第一耐化學層
50‧‧‧第二耐化學層
60‧‧‧保護層
圖1、圖2為本發明一實施例中，第一前驅物及第二前驅物注入量與薄膜生長速度的關係圖；圖1至圖6為本發明實施例的基板構造物的示意圖；圖7、圖8為本發明一實施例中，第一前驅物及第二前驅物注入量與薄膜生長速度的關係圖；圖9為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜及4-巰基苯酚 (4-mercaptophenol)的紅外線分光法檢測結果的示意圖；圖10為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜的UV-Vis吸光度檢測結果的示意圖；圖11為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜及比較例製造的薄膜在空氣環境中的穩定性測試結果的示意圖；圖12為本發明一實施例中重複進行有機無機複合薄膜形成過程時，隨重複進行而變化的薄膜厚度的檢測結果的示意圖；圖13為本發明一實施例製造的複合薄膜表面的粗糙度檢測結果的示意圖；圖14、圖15為本發明一實施例中，第一前驅物及第二前驅物注入量與薄膜生長速度的關係圖；圖16為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜的紅外線分光法檢測結果的示意圖；圖17為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜的UV-Vis吸光度檢測結果的示意圖；圖18為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜及比較例製造的薄膜在空氣環境中的穩定性測試結果的示意圖；圖19為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜的厚度檢測結果的示意圖；圖20為本發明一實施例製造的有機無機複合薄膜的表面粗糙度檢測結果的示意圖；圖21為本發明一實施例製造的有機無機複合功能性薄膜的透射電子顯微鏡(TEM)圖片檢測結果的示意圖；圖22、圖23為本發明一實施例製造的有機無機複合功能性薄膜中，在改變有機無機複合薄膜厚度的同時檢測的針孔生成抑制率的示意圖；圖24為本發明一實施例製造的有機無機複合功能性薄膜中，對應於通過原子層沉積法形成的 Al2 O3 薄膜與有機無機複合薄膜之間的比例的薄膜應力(stress)檢測結果的示意圖；圖25為本發明一實施例製造的有機無機複合功能性薄膜及比較例製造的薄膜的Ca test結果的示意圖。
10‧‧‧基板
20‧‧‧有機無機複合薄膜

Claims (24)

  1. 一種基板構造物，其包括：基板；以及有機無機複合薄膜，其形成於所述基板的上部表面，由如下化學式1表示：[化學式1]-[M-X-R1-Y-]m- 其中，所述化學式1中m為1以上，R1為經取代的或未經取代的C1~20 烷基(alkyl)、C5~20 環烷基(cycloalkyl)、核原子數為5~60的芳基(aryl)或雜芳基(hetero aryl)，M選自由Zn, Sn,In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組，X或Y分別選自由O, S, N, NH及CO構成的群組，X或Y中的一個是S。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的基板構造物，其中：所述有機無機複合薄膜的厚度為1Å至500 Å。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的基板構造物，其中：設所述有機無機複合薄膜的初始厚度為d0，所述有機無機複合薄膜在標準溫度和壓力條件下放置n小時後的厚度為dn時，滿足如下關係式：0 ≤ (dn/d0)≤  0.1(0 ≤n ≤ 240) 。
  4. 一種基板構造物，其包括：功能性薄膜，其包括申請專利範圍第1項的有機無機複合薄膜；還包括金屬氧化物層，其形成於所述有機無機複合薄膜的上部表面或下部表面，其中金屬選自由Zn, Sn,In, Cd, Ga, Al, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr, Ru, Mo, Nb及W構成的群組。
  5. 根據申請專利範圍第4項所述的基板構造物，其中：所述金屬氧化物層的厚度為10Å至2000Å。
  6. 根據申請專利範圍第4項所述的基板構造物，其中：設所述基板構造物的初始厚度為D0，所述基板構造物在標準溫度和壓力條件下放置n小時後的厚度為Dn時，滿足如下關係式：0 ≤ (Dn/D0)≤  0.1(0 ≤n ≤ 240)。
  7. 根據申請專利範圍第1或4項所述的基板構造物，其中：所述基板是選自由ITO, FTO, ZnO, AZO, CdO及TiO2構成的群組的導電性透明基板。
  8. 根據申請專利範圍第1或4項所述的基板構造物，其中：所述基板是選自由氟聚合物樹脂(fluoro polymer resin)、聚酯(polyester)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醯胺(Polyamide)、聚醯亞胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate) 構成的群組的高分子基板。
  9. 根據申請專利範圍第8項所述的基板構造物，其中：所述高分子基板是選自由聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride，PVDF)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate，PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate,PMMA)構成的群組的高分子基板。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的基板構造物，其還包括：第一耐化學層，其位於所述基板與所述有機無機複合薄膜之間。
  11. 根據申請專利範圍第1項所述的基板構造物，其還包括：第二耐化學層，其位於所述基板下部表面。
  12. 根據申請專利範圍第1項所述的基板構造物，其還包括：保護層，其位於所述有機無機複合薄膜的上部表面。
  13. 一種發光體，其包括申請專利範圍第1項的基板構造物。
  14. 一種顯示器裝置，其包括申請專利範圍第1項的基板構造物。
  15. 一種太陽能發電元件，其包括申請專利範圍第1項的基板構造物。
  16. 一種申請專利範圍第1項的基板構造物的製造方法，其包括：(1)利用由如下化學式2表示的第一前驅物化合物在基板表面形成無機分子層的步驟，[化學式2]M(R21)(R22)…(R2n)其中，所述化學式2 中所述M 選自由Zn, Sn,Cd, Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr,Ru, Mo, Nb, W, In, Ga, Al 及Tl構成的群組，n由所述金屬M的氧化態決定，R21至R2n分別獨立為C1~20 烷基、C1~20 醇基(alkoxide)、氯基、羥基(hydroxyl group)、氧羥基(oxy hydroxy)、硝酸基、碳酸基、醋酸基或草酸基(oxalic acid)；以及(2)使如下化學式3表示的第二前驅物化合物與所述無機分子層反應，在所述無機分子層上形成有機分子層的步驟，[化學式3]R3-S-R4-R5其中，所述化學式3中，R3為氫、COR6、C1~20 烷基、C5~20 環烷基、核原子數為5~60的芳基或雜芳基，R4為C1~20 烷基、C5~20 環烷基、核原子數為5~60的芳基或雜芳基，R5為選自由羥基、C1~20 烷氧基(alkoxygroup)、醚基(ether group)、羧基(carboxyl group)、COR6、硫醇基(thiol group)及氨基(amine group)構成的群組的一種或以上的組合，R6為選自由氫、烷氧基、醚基、羧基、硫醇基及氨基構成的群組的一種或以上的組合。
  17. 根據申請專利範圍第16項所述的基板構造物的製造方法，其中：所述第二前驅物化合物由如下化學式4表示:[化學式 4] 其中，所述化學式4中，Z為硫醇基，Q為選自硫醇基及羥基中的一種，Z與Q的位置為鄰位、間位或對位。
  18. 根據申請專利範圍第17項所述的基板構造物的製造方法，其中：所述第二前驅物化合物由如下化學式5表示：[化學式 5]
  19. 根據申請專利範圍第17項所述的基板構造物的製造方法，其中：所述第二前驅物化合物由如下化學式6表示：[化學式 6]
  20. 根據申請專利範圍第16項所述的基板構造物的製造方法，其還包括：重複進行所述步驟(1)及步驟(2)的步驟。
  21. 根據申請專利範圍第16項所述的基板構造物的製造方法，其還包括：在所述步驟(1)之前，在基板表面形成氧化物層的步驟。
  22. 根據申請專利範圍第16項所述的基板構造物的製造方法，其還包括：(3)通過原子層沉積法，以選自由Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al,Ti, Si, V, Mn, Fe, Co, Cu, Zr,Ru, Mo, Nb及W構成的群組的金屬，形成金屬氧化物層的步驟，其中，所述基板構造物包括功能性薄膜。
  23. 根據申請專利範圍第16項所述的基板構造物的製造方法，其包括：重複進行n1次(n1大於等於1)所述步驟(1)及步驟(2)後，重複進行n2次(n2大於等於1)步驟(3)。
  24. 根據申請專利範圍第23項所述的基板構造物的製造方法，其包括：重複進行所述步驟(1)至步驟(3)。
TW102143967A 2013-08-30 2013-12-02 基板構造物及其製造方法 TWI606111B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130104463 2013-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508047A true TW201508047A (zh) 2015-03-01
TWI606111B TWI606111B (zh) 2017-11-21

Family

ID=52586830

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102143967A TWI606111B (zh) 2013-08-30 2013-12-02 基板構造物及其製造方法
TW102144000A TWI521083B (zh) 2013-08-30 2013-12-02 有機無機複合薄膜及其製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102144000A TWI521083B (zh) 2013-08-30 2013-12-02 有機無機複合薄膜及其製造方法

Country Status (12)

Country Link
US (2) US9576876B2 (zh)
EP (2) EP3040443B1 (zh)
JP (2) JP6654753B2 (zh)
KR (2) KR20150026746A (zh)
CN (2) CN105745353B (zh)
BR (2) BR112016004389B1 (zh)
CA (2) CA2922612A1 (zh)
MX (2) MX2016002432A (zh)
RU (2) RU2670303C2 (zh)
SG (2) SG11201600923YA (zh)
TW (2) TWI606111B (zh)
WO (2) WO2015030297A1 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2016002432A (es) * 2013-08-30 2016-12-07 Basf Coatings Gmbh Pelicula delgada hibrida organica-inorganica y metodo para su preparacion.
US9741951B2 (en) * 2013-09-30 2017-08-22 Lg Chem, Ltd. Substrate for organic electronic device and method for manufacturing same
US11685995B2 (en) * 2014-06-12 2023-06-27 Basf Coatings Gmbh Process for producing flexible organic-inorganic laminates
MX2017012134A (es) * 2015-03-25 2018-02-09 Basf Coatings Gmbh Procedimiento para la produccion de laminados organicos e inorganicos flexibles.
US20190036077A1 (en) * 2016-02-18 2019-01-31 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing organic el display device, and organic el display device
KR102586045B1 (ko) * 2016-07-12 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US20190040503A1 (en) * 2017-08-03 2019-02-07 Hrl Laboratories, Llc Feedstocks for additive manufacturing, and methods of using the same
WO2019010696A1 (en) * 2017-07-14 2019-01-17 General Electric Company METHOD FOR DEPOSITION LAYERED BY GAS PHASE MOLECULAR LAYER ON A MICROPOROUS SUPPORT
US10673046B2 (en) * 2018-04-13 2020-06-02 GM Global Technology Operations LLC Separator for lithium metal based batteries
CN112334602B (zh) * 2018-07-05 2023-06-30 巴斯夫涂料有限公司 透明导电膜
KR102224346B1 (ko) * 2019-07-11 2021-03-05 한양대학교 산학협력단 유무기 하이브리드층, 이 층을 구비하는 유무기 적층체, 및 이 적층체를 가스 배리어로 구비하는 유기전자소자
CN110508155B (zh) * 2019-08-21 2021-09-03 南京大学 一种锌基无机-有机杂化纳米多孔分离膜的制备方法
CN110635044B (zh) * 2019-11-04 2021-07-06 吉林大学 一种有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的复合封装薄膜及其制备方法
CN112410763A (zh) * 2020-10-28 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种薄膜封装层，其制备方法及可折叠显示装置
TWI824213B (zh) * 2020-12-19 2023-12-01 逢甲大學 可撓式透明導電複合膜及其製造方法
KR102558965B1 (ko) * 2021-03-18 2023-07-25 한국과학기술연구원 신축성 표시 장치 및 신축성 표시 장치 제조 방법
WO2022233992A1 (en) 2021-05-06 2022-11-10 Basf Coatings Gmbh Multilayer barrier film, its manufacture and use in photovoltaic applications
WO2023018308A1 (ko) * 2021-08-12 2023-02-16 한양대학교 산학협력단 분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트 및 이의 제조방법
CN115124727B (zh) * 2022-07-08 2023-07-14 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种mof薄膜的制备方法
CN117845191A (zh) * 2022-09-30 2024-04-09 华为技术有限公司 复合薄膜及其制备方法和应用

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05220106A (ja) 1992-02-14 1993-08-31 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡撮影システム
RU2118402C1 (ru) * 1994-05-17 1998-08-27 Виктор Васильевич Дроботенко Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты)
JP2002053669A (ja) * 2000-06-01 2002-02-19 Osaka Organic Chem Ind Ltd 多次元有機・無機複合体化合物およびその製造方法
US6866949B2 (en) 2002-03-08 2005-03-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Substrate film, gas barrier film, and display using the same
TW548853B (en) * 2002-09-13 2003-08-21 Ind Tech Res Inst Method of manufacturing flexible TFT display
US7285440B2 (en) * 2002-11-25 2007-10-23 International Business Machines Corporation Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors
JP2004231784A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Konica Minolta Holdings Inc 有機−無機ポリマーハイブリッドフィルム、その製造方法、該フィルムを用いたディスプレイ及びタッチパネル
US7229703B2 (en) 2003-03-31 2007-06-12 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Gas barrier substrate
WO2004101276A1 (ja) 2003-05-16 2004-11-25 Toppan Printing Co., Ltd. 透明ガスバリア積層フィルム、これを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子、エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電気泳動式表示パネル
WO2005056354A2 (en) * 2003-12-03 2005-06-23 Gedeon Anthony A Method of resisting contaminant build up and oxidation of vehicle surfaces and other surfaces
JP2005289885A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Osaka Organic Chem Ind Ltd 多次元有機・無機複合体化合物、複合焼成体およびこれらの製造方法
JP2005297498A (ja) 2004-04-16 2005-10-27 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス
US7378157B2 (en) 2004-06-28 2008-05-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier film, and display substrate and display using the same
KR101001441B1 (ko) * 2004-08-17 2010-12-14 삼성전자주식회사 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기절연체 조성물
NO20045674D0 (no) 2004-12-28 2004-12-28 Uni I Oslo Thin films prepared with gas phase deposition technique
JP2007185937A (ja) 2005-12-12 2007-07-26 Fujifilm Corp 有機−無機ハイブリッド材料、ガスバリヤーフィルム及びその製造方法
KR20070084683A (ko) * 2006-02-21 2007-08-27 국민대학교산학협력단 분자층 증착법
JP2007273094A (ja) 2006-03-30 2007-10-18 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
DE102006016280A1 (de) * 2006-04-01 2007-10-04 Pvflex Solar Gmbh Glasloser Solarstrom-Modul mit flexiblen Dünnschicht-Zellen und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2008087163A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp ガスバリア性積層フィルム、およびそれを用いた画像表示素子
WO2008069894A2 (en) 2006-11-13 2008-06-12 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Molecular layer deposition process for making organic or organic-inorganic polymers
JP2008218632A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Fujifilm Corp 電子デバイス
US8197942B2 (en) 2007-03-23 2012-06-12 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier sheet
JP5127277B2 (ja) 2007-04-05 2013-01-23 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、表面平坦性絶縁膜被覆基材、及び表面平坦性絶縁膜被覆基材の製造方法
JP5198131B2 (ja) 2007-05-14 2013-05-15 富士フイルム株式会社 バリアフィルムおよび素子
JP5510766B2 (ja) 2007-06-20 2014-06-04 大日本印刷株式会社 イオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法
JP5220106B2 (ja) * 2007-06-22 2013-06-26 ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド 原子層堆積法及び分子層堆積法を用いて製造された有機電子デバイス用の保護被膜
US20090021797A1 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Luciano Joseph W All-In-One Device With Integrated Monitor
JP2010006039A (ja) 2007-09-05 2010-01-14 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムを用いて表示素子を封止する方法。
US8067085B2 (en) 2007-09-14 2011-11-29 Fujifilm Corporation Gas barrier film, and display device comprising the same
US7858144B2 (en) 2007-09-26 2010-12-28 Eastman Kodak Company Process for depositing organic materials
RU2462793C2 (ru) * 2007-12-28 2012-09-27 Юниверсите Де Ля Медитерране Экс-Марсель Ii Гибридные нанокомпозиционные материалы
US8776238B2 (en) * 2008-07-16 2014-07-08 International Business Machines Corporation Verifying certificate use
US8241749B2 (en) 2008-09-11 2012-08-14 Fujifilm Corporation Barrier laminate, gas barrier film, and device using the same
JP2011046060A (ja) 2009-08-26 2011-03-10 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
JP4821925B2 (ja) 2009-11-27 2011-11-24 大日本印刷株式会社 ガスバリア性フィルム、装置、及びガスバリア性フィルムの製造方法
US9306186B2 (en) * 2010-03-17 2016-04-05 Konica Minolta, Inc. Organic electronic device and method of manufacturing the same
US20130017400A1 (en) 2010-03-25 2013-01-17 Toppan Printing Co., Ltd. Gas barrier laminate and packaging
JP5598080B2 (ja) 2010-05-17 2014-10-01 大日本印刷株式会社 ガスバリア性シートの製造方法
JP5913809B2 (ja) 2011-01-05 2016-04-27 リンテック株式会社 透明電極基板、その製造方法、該透明電極基板を有する電子デバイス及び太陽電池
JP5752438B2 (ja) 2011-02-23 2015-07-22 グンゼ株式会社 ガスバリアフィルム
JP2014514981A (ja) * 2011-05-16 2014-06-26 エルジー・ケム・リミテッド 多層プラスチック基板およびその製造方法
KR101432737B1 (ko) 2011-07-28 2014-08-22 한양대학교 산학협력단 유기-무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법
MX2016002432A (es) * 2013-08-30 2016-12-07 Basf Coatings Gmbh Pelicula delgada hibrida organica-inorganica y metodo para su preparacion.

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201600923YA (en) 2016-03-30
KR20150026748A (ko) 2015-03-11
KR102289064B1 (ko) 2021-08-12
TWI521083B (zh) 2016-02-11
JP2016537510A (ja) 2016-12-01
BR112016004389A2 (pt) 2017-09-12
US20160215394A1 (en) 2016-07-28
EP3040442A1 (en) 2016-07-06
RU2670303C2 (ru) 2018-10-22
CN105723011B (zh) 2019-05-10
BR112016004389B1 (pt) 2021-11-23
EP3040442B1 (en) 2024-02-14
MX2016002432A (es) 2016-12-07
JP2016534231A (ja) 2016-11-04
BR112016004476A2 (pt) 2017-09-12
CN105745353A (zh) 2016-07-06
RU2016111694A (ru) 2017-10-05
CA2922612A1 (en) 2015-03-05
WO2015030298A1 (ko) 2015-03-05
KR20150026746A (ko) 2015-03-11
CN105723011A (zh) 2016-06-29
RU2016111693A (ru) 2017-10-06
JP6654753B2 (ja) 2020-02-26
MX2016002433A (es) 2016-12-09
TW201508083A (zh) 2015-03-01
EP3040443A1 (en) 2016-07-06
EP3040443B1 (en) 2024-03-06
US20160276241A1 (en) 2016-09-22
WO2015030297A1 (ko) 2015-03-05
US9576876B2 (en) 2017-02-21
RU2672962C2 (ru) 2018-11-21
CA2922615A1 (en) 2015-03-05
US10418300B2 (en) 2019-09-17
SG11201600921XA (en) 2016-03-30
CN105745353B (zh) 2019-07-05
EP3040442A4 (en) 2017-04-12
EP3040443A4 (en) 2017-04-12
TWI606111B (zh) 2017-11-21
JP6286557B2 (ja) 2018-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI606111B (zh) 基板構造物及其製造方法
TWI471937B (zh) 提供耐久保護塗層結構之方法，以及塗層、經塗覆之物件及元件
Choi et al. A study of thin film encapsulation on polymer substrate using low temperature hybrid ZnO/Al2O3 layers atomic layer deposition
Ali et al. High rate roll-to-roll atmospheric atomic layer deposition of Al2O3 thin films towards gas diffusion barriers on polymers
CN106661727B (zh) 层叠体及其制造方法、以及阻气膜及其制造方法
KR102130530B1 (ko) 적층체, 가스 배리어 필름 및 이들의 제조 방법
KR102450786B1 (ko) 적층체 및 그 제조 방법
KR20150026747A (ko) 유무기 혼성 박막 및 이의 제조 방법
TWI814855B (zh) 透明導電膜
KR100971553B1 (ko) 유기-무기 복합 초격자 박막 및 이의 제조방법
JP2019116079A (ja) ガスバリアフィルムおよびその製造方法
KR20120078490A (ko) 나노입자를 이용한 가스 배리어 필름 및 그 제조 방법