TW201437266A - 導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法，上述導電膜形成用組成物含有：平均粒徑為50 nm~500 nm的氧化銅粒子(A)；分子量為1000以下的銅錯合物(B)，其為選自由甲酸銅錯合物及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種；以及熱塑性聚合物(C)；且銅錯合物(B)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%，並且可形成基材密接性優異且具有高導電性(低電阻值)的導電膜。

Description

導電膜形成用組成物及使用其的導電膜的製造方法
本發明是有關於一種導電膜形成用組成物，尤其有關於含有規定的銅錯合物、氧化銅粒子及熱塑性聚合物的導電膜形成用組成物。
另外，本發明是有關於一種導電膜的製造方法，尤其有關於使用上述導電膜形成用組成物的導電膜的製造方法。
於基材上形成金屬膜的方法已知如下技術：藉由利用印刷法，將金屬粒子或金屬氧化物粒子的分散體塗佈於基材上，進行加熱處理而使其燒結，從而形成金屬膜或電路基板中的配線等電性導通部位。
與現有的藉由高熱．真空製程(濺鍍)或鍍敷處理的配線製作法相比，上述方法由於簡便．節約能源．節約資源，故而在下一代電子開發中很受期待。
更具體而言，專利文獻1中揭示有如下方法：藉由使用作為導體形成用膏，並且特徵在於將氧化銅作為主成分且包含至 少1種以上的金屬有機物的電極膏組成物來形成塗膜，進而進行煅燒而形成Cu電極膜。
另外，專利文獻2中揭示有如下方法：藉由使用含有銅前驅體、以及還原劑的導電膜形成用組成物來形成塗膜，進而進行煅燒而形成導電膜，上述銅前驅體的特徵在於為選自由銅微粒子、銅與乙醯丙酮衍生物的錯鹽、以及銅羧酸鹽所組成的組群中的至少1種。
進而，專利文獻3中揭示有如下方法：藉由使用含銅組成物來形成塗膜，進而進行煅燒而形成金屬銅膜，上述含銅組成物的特徵在於包含：銅化合物；直鏈、分支或環狀的碳數1至18的醇類；VIII族金屬觸媒；黏合劑樹脂；黏合劑樹脂硬化劑以及銅錯合物。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平5-174612號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-176976號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-151093號公報
本發明者等人對專利文獻1~專利文獻3中記載的發明進行追加試驗，但均不滿足金屬膜或電路基板中的配線等所要求的導電性。另外，所得導電膜與基材的密接性亦不充分。
本發明鑒於上述實際情況，目的在於提供一種可形成基 材密接性優異且具有高導電性(低電阻值)的導電膜的導電膜形成用組成物。
另外，本發明的目的亦在於提供使用該導電膜形成用組成物的導電膜的製造方法。
本發明者等人對先前技術的問題點進行積極研究，結果發現，藉由使用氧化銅粒子以及選自由甲酸銅錯合物、及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種且分子量為1000以下的銅錯合物，且將銅錯合物的含量設為氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%，可解決上述課題。
即，發現可藉由以下的構成來達成上述目的。
(1)一種導電膜形成用組成物，其含有：平均粒徑為50nm~500nm的氧化銅粒子(A)；分子量為1000以下的銅錯合物(B)，其為選自由甲酸銅錯合物、及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種；以及熱塑性聚合物(C)；並且銅錯合物(B)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%。
(2)如(1)所述的導電膜形成用組成物，其更含有平均粒徑為0.1μm~2μm的銅粒子(D)、。
(3)如(1)或(2)所述的導電膜形成用組成物，其中上述氧化銅粒子(A)的平均粒徑為70nm~250nm。
(4)如(1)~(3)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述氧化銅粒子(A)的平均粒徑為80nm~180nm。
(5)如(1)~(4)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的15質量%~25質量%。
(6)如(2)~(5)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅粒子(D)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的50質量%~1000質量%。
(7)如(1)~(6)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%~25質量%。
(8)如(1)~(7)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%~15質量%。
(9)如(1)~(8)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的4質量%~9質量%。
(10)如(1)~(9)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)為選自由聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇及聚乙二醇所組成的組群中的至少1種的熱塑性聚合物。
(11)如(1)~(10)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)為聚乙烯吡咯啶酮。
(12)如(1)~(11)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)是分子量為1000以下的甲酸銅錯合物。
(13)如(1)~(12)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)是在甲酸銅中配位胺而成的分子量為1000以下的甲酸銅錯合物。
(14)一種導電膜的製造方法，其包括：塗膜形成步驟，將如(1)~(13)中任一項所述的導電膜形成用組成物賦予至基材上而形成塗膜；以及導電膜形成步驟，對塗膜進行加熱處理及/或光照射處理而形成導電膜。
(15)如(14)所述的導電膜的製造方法，其於塗膜形成步驟之後且導電膜形成步驟之前，更包括將塗膜乾燥的乾燥步驟。
(16)如(14)或(15)所述的導電膜的製造方法，其中上述基材為聚醯亞胺樹脂或玻璃環氧樹脂。
(17)如(14)或(15)所述的導電膜的製造方法，其中上述塗膜的膜厚為1μm~9μm。
(18)如(1)~(13)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述氧化銅粒子(A)為氧化銅(II)粒子。
(19)如(1)~(13)及(18)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其更含有水或水溶性醇作為主溶劑。
(20)如(1)~(13)、(18)及(19)中任一項所述的導電膜形成用組成物，其更含有觸變劑。
依據本發明，能夠提供可形成基材密接性優異且具有高 導電性(低電阻值)的導電膜的導電膜形成用組成物。
另外，依據本發明，亦可提供使用該導電膜形成用組成物的導電膜的製造方法。
以下，對本發明的導電膜形成用組成物以及導電膜的製造方法的較佳態樣進行詳細說明。
首先，對與本發明的先前技術相比較的特徵點進行詳細說明。
如上所述，本發明的其中一特徵可列舉如下方面：使用氧化銅粒子以及選自由甲酸銅錯合物及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種且分子量為1000以下的銅錯合物，且將銅錯合物的含量設為氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%。
藉由將作為銅前驅體的銅錯合物的分子量限定在1000以下，且將其含量限定在氧化銅粒子的總質量的5質量%~30質量%，而於加熱處理或光照射處理時，不僅獲得為了將銅錯合物中的銅(II)離子還原為金屬銅而需要的還原力，並且可於加熱處理或光照射處理的溫度下，使作為分解產物的烴類實質上全部蒸發、揮散，因此該些銅錯合物不會殘存於導電膜中，而獲得不會對作為金屬銅的純度、或所形成的銅薄膜的密接性及導電性帶來不良影響的作用效果。
以下，首先，對導電膜形成用組成物的各種成分(氧化銅粒子(A)、銅錯合物(B)、熱塑性聚合物(C)等)進行詳細說明，然後，對導電膜的製造方法進行詳細說明。
〈氧化銅粒子(A)〉
導電膜形成用組成物中包含平均粒徑為50nm~500nm的氧化銅粒子(A)。氧化銅粒子(A)藉由後述加熱處理或光照射處理而將氧化銅還原為金屬銅，構成導電膜中的金屬銅。此外，如後所述，於導電膜形成用組成物中包含銅粒子(D)的情況下，其與氧化銅粒子(A)的氧化銅還原生成的金屬銅粒子一起構成導電膜中的金屬銅。
本發明中的所謂「氧化銅」，是指實質上不含未經氧化的銅的化合物，具體而言，是指在藉由X射線繞射的晶體分析中，檢測出源自氧化銅的峰值，且未檢測出源自金屬的峰值的化合物。所謂實質上不含銅，是指相對於氧化銅粒子，銅的含量為1質量%以下。
氧化銅較佳為氧化銅(I)或氧化銅(II)，就可低廉地獲取的方面、穩定性更高的方面而言，尤佳為氧化銅(II)。即，氧化銅粒子(A)較佳為包含氧化銅(II)的氧化銅粒子或包含氧化銅(I)的氧化銅粒子，更佳為包含氧化銅(II)的氧化銅粒子。
氧化銅粒子的平均粒徑為50nm~500nm，較佳為70nm~250nm，更佳為80nm~180nm。若為該範圍內，則使用本發明的導電膜形成用組成物而獲得的導電膜的密接性及導電性變得更 優異。此外，本發明中，氧化銅粒子的平均粒徑為體積中數粒徑(volume median diameter)(Dv50)，例如可使用FPAR-1000(大塚電子公司製造，動態光散射方式)等粒徑測定機來測定。
氧化銅粒子(A)只要是平均粒徑為上述範圍內的氧化銅粒子，則並無特別限定。氧化銅粒子(A)可使用粉末或者分散液的任一種，具體而言，例如可列舉：NanoTek CuO(CI化成公司製造，一次平均粒徑為50nm)、氧化銅(II)奈米粒子(西格瑪奧德里奇公司製造)、氧化銅(II)奈米粒子(液體電解質技術(IoLiTec)公司製造)等。NanoTek CuO在市售的狀態下成為凝聚體狀，但可藉由珠粒分散或攪拌混合等處理而將平均粒徑調整為上述範圍內。
〈銅錯合物(B)〉
導電膜形成用組成物中包含分子量為1000以下的銅錯合物(B)，其為選自由甲酸銅錯合物及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種。銅錯合物(B)具有如下效果：藉由後述的加熱處理或光照射處理，銅錯合物中的銅離子還原為金屬銅而發揮導電性黏接劑的作用，促進氧化銅粒子(A)的氧化銅還原生成的金屬銅粒子間的熔著。此外，如後所述，於導電膜形成用組成物中包含銅粒子(D)的情況下，具有促進氧化銅粒子(A)的氧化銅還原生成的金屬銅粒子彼此之間、氧化銅粒子(A)的氧化銅還原生成的金屬銅粒子與銅粒子(D)之間、銅粒子(D)彼此之間的熔著的效果。
銅錯合物(B)的分子量為1000以下，較佳為200~1000，更佳為200~600。若為該範圍內，則可獲得用於在後述加熱處理或光照射處理時將銅(II)離子還原為金屬銅的充分還原力，而且，作為加熱處理或光照射處理中的分解產物的烴類的沸點不會變得過高，能夠容易地蒸發、揮散，因此不會殘存於銅薄膜內，不會對作為金屬銅的純度、或所形成的導電膜的密接性以及導電性帶來不良影響。
另外，銅錯合物(B)的純度並無特別限定，但若為低純度，則於製成導電性薄膜時，存在對導電性帶來不良影響的顧慮，因此較佳為95%以上，更佳為99%以上。
以下，對甲酸銅錯合物及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽進行更詳細的說明。
(甲酸銅錯合物)
甲酸銅錯合物是於甲酸銅中配位有具有包含孤立電子對的基的化合物者，只要分子量為1000以下者，則並無特別限定。
另外，甲酸銅錯合物的合成方法並無特別限定，可利用先前公知的方法來合成。例如，藉由調配成為配位子的化合物及甲酸銅而獲得甲酸銅錯合物。
成為甲酸銅錯合物的配位子的化合物為具有包含孤立電子對的基的化合物，較佳為發揮還原劑的功能的化合物，上述還原劑具有在形成導電膜時可將銅(II)離子還原為金屬銅的還原力。可成為甲酸銅錯合物的配位子的化合物例如較佳為選自由肼 類、二醇類、2-胺基乙醇類、羥基胺類、α-羥基酮類及醛類所組成的組群中的至少1種。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的肼類並無特別限定，例如可列舉下述通式(1)所表示的化合物作為較佳化合物：
[上述通式(1)中，R1~R3所表示的取代基的至少1種為氫原子，其餘的取代基分別獨立地表示氫原子、碳數1~12的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或者由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基；其中，R1~R3不會同時全部成為氫原子]。
該些肼類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(1)所表示的肼類更佳為取代基R1~R3中，至少1種為氫原子，且其餘的取代基分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、 正癸基、正十一烷基、正十二烷基、苯基、4-甲基苯基或苄基(其中，R1~R3不會同時全部成為氫原子)的化合物。進而，若考慮到製造或獲取的成本，則上述通式(1)所表示的肼類尤佳為取代基R1~R3中1種為氫原子，且其餘的取代基為同一取代基的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的肼類例如可列舉：1,1-二-正丁基肼、1,1-二-第三丁基肼、1,1-二-正戊基肼、1,1-二-正己基肼、1,1-二環己基肼、1,1-二-正庚基肼、1,1-二-正辛基肼、1,1-二-(2-乙基己基)肼、1,1-二苯基肼、1,1-二苄基肼、1,2-二-正丁基肼、1,2-二-第三丁基肼、1,2-二-正戊基肼、1,2-二-正己基肼、1,2-二環己基肼、1,2-二-正庚基肼、1,2-二-正辛基肼、1,2-二-(2-乙基己基)肼、1,2-二苯基肼及1,2-二苄基肼，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時使用的肼類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉：利用亞硫酸鹽或氯化錫(II)等還原劑將芳香族重氮鎓鹽還原的方法；使用鉑觸媒將腙(hydrazone)或吖嗪(azine)催化還原的方法；醯肼的還原；N-亞硝基胺的還原；高後続硝基化合物的還原性偶合；肼或吖嗪的烷基化及芳基化；胺與氯胺(chloramine)的反應(Reasching反應)等方法。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的二醇類並無特別限定，例如可列舉下述通式(2)或下述通式(3)所表示的化合物 作為較佳化合物：
[上述通式(2)中，R1、R2分別獨立地表示氫原子、碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]
[上述通式(3)中，R3、R4分別獨立地表示氫原子、碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]。
該些二醇類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(2)所表示的二醇類更佳為取代基 R1、取代基R2分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基或苯基的化合物，上述通式(3)所表示的二醇類更佳為取代基R3、R4分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、苯基或苄基的化合物。進而，若考慮到製造或獲取的成本，則上述通式(2)所表示的二醇類尤佳為直鏈烷烴二醇，上述通式(3)所表示的二醇類尤佳為取代基R3、R4為同一取代基的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的二醇類例如可列舉：乙二醇、丙二醇、1,2-丁二醇、1,2-戊二醇、1,2-己二醇、2,3-丁二醇、2,3-戊二醇、2,3-己二醇、2,3-庚二醇、3,4-己二醇、3,4-庚二醇、3,4-辛二醇、3,4-壬二醇、3,4-癸二醇、4,5-辛二醇、4,5-壬二醇、4,5-癸二醇、5,6-癸二醇、3-N,N-二甲基胺基-1,2-丙二醇、3-N,N-二乙基胺基-1,2-丙二醇、3-N,N-二-正丙基胺基-1,2-丙二醇、3-N,N-二-異丙基胺基-1,2-丙二醇、3-N,N-二-正丁基胺基-1,2-丙二醇、3-N,N-二-異丁基胺基-1,2-丙二醇及3-N,N-二-第三丁基胺基-1,2-丙二醇，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時所使用的二醇類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉：利用Zn-TiCl4或Mg(Hg)-TiCl4將羰基化合物進行還原性偶合的方法；利用過乙酸等有機過酸將烯烴氧化 的方法；利用三氟乙酸、過氯酸等將環氧化物化合物開環的方法等。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的2-胺基乙醇類並無特別限定，例如可列舉下述通式(4)所表示的化合物作為較佳化合物：
[上述通式(4)中，R1、R2分別獨立地表示氫原子、碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]。
該些2-胺基乙醇類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(4)所表示的2-胺基乙醇類更佳為取代基R1、取代基R2分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、苯基或苄基的化合物。進而，若考慮到製造或獲取的成本，則尤佳為上述通式(4)中，取代基R1、取代基R2為同一取代基的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的2-胺基乙醇類例如可列舉：2-胺基乙醇、2-N,N-二甲基胺基乙醇、2-N,N-二乙基胺基乙醇、2-N,N-二-正丙基胺基乙醇、2-N,N-二-異丙基胺基乙醇、2-N,N-二-正丁基胺基乙醇、2-N,N-二-異丁基胺基乙醇及2-N,N-二-第三丁基胺基乙醇，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時所使用的2-胺基乙醇類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉使對應的胺與環氧乙烷進行反應的方法等。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的α-羥基酮類並無特別限定，例如可列舉下述通式(5)所表示的化合物作為較佳化合物：
[上述通式(5)中，R1表示氫原子、碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基，R2表示碳數1~6的烷基、碳數 5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]。
該些α-羥基酮類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(5)所表示的α-羥基酮類更佳為取代基R1為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、正戊基、正己基或苯基，且取代基R2為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、正戊基、正己基或苯基的化合物。進而，若考慮到製造或獲取的成本，則上述通式(5)所表示的α-羥基酮類尤佳為無分支鏈的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的α-羥基酮類例如可列舉：羥基丙酮、1-羥基-2-丁酮、1-羥基-2-戊酮、3-羥基-2-丁酮、2-羥基-3-戊酮、2-羥基-3-己酮、3-羥基-2-戊酮、4-羥基-3-己酮、3-羥基-4-庚酮、3-羥基-2-己酮、4-羥基-3-庚酮及5-羥基-4-辛酮，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時所使用的α-羥基酮類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉：使用鹼金屬，使酯化合物進行還原性縮合的方法(醇酮(acyloin)縮合)；將醛化合物衍生為氰醇(cyanohydrin)等醯基陰離子等價體而對醛進行親核加成的方法；將酮轉變為烯醇鹽(enolate)等後，進行氧化而於α位導入 羥基的方法等。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的羥基胺類並無特別限定，例如可列舉下述通式(6)所表示的化合物作為較佳化合物：
[上述通式(6)中，R1、R2分別獨立地表示氫原子、碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]。
該些羥基胺類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(6)所表示的羥基胺類更佳為取代基R1、取代基R2分別獨立地為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、苯基或苄基的化合物。進而，若考慮到製造或獲取的成本，則上述通式(6)所表示的羥基胺類尤佳為取代基R1、取代基R2為同一取代基的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的羥基胺類例如 可列舉：N,N-二乙基羥基胺、N,N-二-正丙基羥基胺、N,N-二-正丁基羥基胺、N,N-二-正戊基羥基胺及N,N-二-正己基羥基胺，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時所使用的羥基胺類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉：利用過氧化氫水將二級胺化合物氧化的方法；利用在鋅粉、硼氫化鈉觸媒存在下的硼烷等還原劑將芳香族硝基化合物還原的方法；羥基胺的烷基化及芳基化等。
可成為甲酸銅錯合物的配位子的醛類並無特別限定，例如可列舉下述通式(7)或下述通式(8)所表示的化合物作為較佳化合物：
[上述通式(7)中，R表示氫原子、碳數1~8的直鏈狀、分支狀或環式的烷基、碳數1~8的烯基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基、或由苯基取代1個~3個氫原子而得的甲基]
[化8]
[上述通式(8)中，X表示單鍵、碳數1~8的伸烷基、碳數5~10的芳香族基、由甲基取代芳香環上的1個~3個氫原子而得的碳數5~10的芳香族基]。
該些醛類中，若考慮到甲酸銅錯合物對溶劑的溶解度及作為還原劑的還原力，進而考慮到導電膜形成時的分解產品即烴類的去除性，則上述通式(7)所表示的醛類更佳為取代基R為氫原子、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、環己基、正庚基、2-乙基戊基、正辛基、乙烯基、α-伸丙基、α-伸丙基、苯基、4-甲基苯基或苄基的化合物，上述通式(8)所表示的醛類更佳為X為單鍵、亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸正丁基、正五亞甲基、正六亞甲基、正七亞甲基、正八亞甲基或伸苯基的化合物。
具體而言，作為甲酸銅錯合物的配位子的醛類例如可列舉：正戊醛(n-pentanal)、異戊醛、第三戊醛、正己醛(n-hexanal)、正庚醛(n-heptanal)、環己烷甲醛(carboxaldehyde)、正辛醛、2-乙基己醛、正壬醛、苯甲醛(benzaldehyde)、4-甲基苯甲醛、己二醛(adipic aldehyde)、庚二醛(pimelinaldehyde)、辛二醛(suberic aldehyde)、壬二醛(azelain aldehyde)、癸二醛(sebacic aldehyde)、間苯二甲醛(isophthalaldehyde)及對苯二甲醛 (terephthalaldehyde)，較佳為使用選自由該些化合物所組成的組群中的至少1種。
合成甲酸銅錯合物時所使用的醛類可為市售的化合物，亦可為利用公知方法來合成的化合物，並無特別限定。公知的合成方法例如可列舉：利用氯鉻酸吡啶(pyridinium chlorochromate)、戴斯-馬丁試劑(Dess Martin Reagent)等將一級醇氧化的方法；於末端烯烴上加成水的方法(瓦克氧化(Wacker oxidation))；利用氫化二異丁基鋁等將羧酸酯還原的方法；於鹽酸酸性下，利用氯化錫(II)將腈還原的方法等。
(銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽)
本發明中，銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽並不限定於銅與丙酮二羧酸或其衍生物是由離子鍵來鍵結的離子化合物，亦包含由配位鍵或氫鍵所鍵結的錯合物。
銅與丙酮二羧酸的鹽可列舉丙酮二羧酸銅(II)、丙酮二羧酸銅(I)等。
另外，丙酮二羧酸的衍生物例如可列舉丙酮二羧酸的酯。丙酮二羧酸的酯可為單酯，亦可為二酯，例如可列舉二甲酯、二乙酯、單甲酯、單乙酯等。
〈熱塑性聚合物(C)〉
導電膜形成用組成物中包含熱塑性聚合物(C)。熱塑性聚合物(C)可單獨使用1種，或者將2種以上組合使用。熱塑性聚合物(C)的種類並無特別限定，例如可列舉纖維素樹脂、丙烯酸樹 脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、環氧樹脂、松香調配物及乙烯基系聚合物。具體而言，乙烯基系聚合物例如可列舉聚乙烯吡咯啶酮(polyvinylpyrrolidone，PVP)或者聚乙烯醇(PVA)。具體而言，聚醚樹脂例如可列舉聚環氧乙烷(polyethylene oxide，PEO)或者聚環氧丙烷(polypropylene oxide，PPO)。熱塑性聚合物(C)較佳為聚乙烯吡咯啶酮(PVP)或者聚乙烯醇(PVA)，更佳為聚乙烯吡咯啶酮。
熱塑性聚合物(C)的重量平均分子量並無特別限定，就導電膜的密接性及導電性更優異的方面而言，較佳為10,000~250,000，更佳為20,000~100,000。此外，熱塑性聚合物的重量平均分子量是利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)來測定。
〈銅粒子(D)〉
導電膜形成用組成物中可更包含平均粒徑為0.1μm~2μm的銅粒子(D)。銅粒子(D)藉由後述加熱處理或光照射處理，與將氧化銅還原而生成的金屬銅一起構成導電膜中的金屬銅。藉由在包含氧化銅粒子(A)的同時還包含銅粒子(D)，而形成空隙率低的膜，由此導電膜的導電性變得更優異。
銅粒子(D)的平均粒徑為0.1μm~2μm，較佳為0.2μm~1.5μm，更佳為0.4μm~1.2μm。若為該範圍內，則導電膜形成用組成物的流動特性良好，且容易製作微細配線。此外，本發明中，銅粒子的平均粒徑為體積中數值粒徑(Dv50)，例如可使用 FPAR-1000(大塚電子公司製造，動態光散射方式)等粒徑測定機來測定。
銅粒子(D)只要是平均粒徑為上述範圍內的粒子，則並無特別限定。銅粒子由於1次粒徑大，故而可藉由珠粒分散、或攪拌混合而分散至1次粒徑。銅粒子(D)可使用粉末或者分散液的任一種，具體而言，例如可列舉：濕式銅粉1020Y(三井金屬礦業公司製造，平均粒徑為360nm)、濕式銅粉1030Y(三井金屬礦業公司製造，平均粒徑為480nm)、濕式銅粉1050Y(三井金屬礦業公司製造，平均粒徑為750nm)、濕式銅粉1100Y(三井金屬礦業公司製造，平均粒徑為1000nm)等。
〈溶劑〉
導電膜形成用組成物可更包含溶劑。溶劑只要是可使氧化銅粒子(A)分散，且使銅錯合物(B)及熱塑性聚合物(C)溶解，且不與該些化合物反應的溶劑，則並無特別限定，例如可列舉：選自水、醇類、醚類、酯類、烴類及芳香族烴類中的一種，或者具有相溶性的兩種以上溶劑的混合物。
就與銅錯合物的相溶性優異的方面而言，溶劑較佳為使用水、水溶性醇、源自該水溶性醇的烷基醚、源自該水溶性醇的烷基酯、或者該些溶劑的混合物。
水較佳為具有離子交換水的水準的純度的水。
水溶性醇較佳為具有1價~3價羥基的脂肪族醇，具體而言可列舉：甲醇、乙醇、1-丙醇、1-丁醇、1-戊醇、1-己醇、環己醇、 1-庚醇、1-辛醇、1-壬醇、1-癸醇、縮水甘油、甲基環己醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-2-丁醇、4-甲基-2-戊醇、異丙醇、2-乙基丁醇、2-乙基己醇、2-辛醇、萜品醇(terpineol)、二氫萜品醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-正丁氧基乙醇、卡必醇(carbitol)、乙基卡必醇、正丁基卡必醇、二丙酮醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、丙二醇、三亞甲基二醇、二丙二醇、三丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、五亞甲基二醇、己二醇、甘油等。
其中，就沸點不會過高且在導電膜形成後難以殘存的方面而言，較佳為具有1價~3價羥基的碳數1~6的脂肪族醇，具體而言更佳為甲醇、乙二醇、甘油、2-甲氧基乙醇、二乙二醇、異丙醇。
醚類可列舉源自上述醇的烷基醚，可例示：二乙醚、二異丁醚、二丁醚、甲基-第三丁醚、甲基環己醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇二乙醚、四氫呋喃、四氫哌喃、1,4-二噁烷等。其中，較佳為由具有1價~3價羥基的碳數1~4的脂肪族醇而來的碳數2~8的烷基醚，具體而言更佳為二乙醚、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃。
酯類可列舉源自上述醇的烷基酯，可例示：甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯、丙酸丁酯、γ-丁內酯等。其中，較佳為由具有1價~3價羥基的碳數1~4的脂肪族醇而來的碳數2~8的烷基酯， 具體而言更佳為甲酸甲酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯。
上述溶劑中，就沸點不會過高的方面而言，特佳為使用水或水溶性醇作為主溶劑。所謂主溶劑，是指在溶劑中含有率最多的溶劑。
〈觸變劑〉
導電膜形成用組成物可更包含觸變劑(觸變性(thixotropy)賦予劑)。觸變劑對導電膜形成用組成物賦予觸變性，防止塗佈或印刷於基材上的導電膜形成用組成物的乾燥前的流掛。藉此，避免微細的圖案彼此的接觸。
觸變劑是於導電膜形成用組成物中使用的公知的觸變性賦予劑，只要不會對所得導電膜的密接性及導電性帶來不良影響，則並無特別限制。較佳為有機系觸變劑。具體而言，有機系觸變劑例如可列舉：BYK-425(脲改質胺基甲酸酯的溶液，畢克化學日本(BYK-Chemie Japan)公司製造)、BYK-428(具有多個側鏈的胺基甲酸酯的溶液，畢克化學日本公司製造)等。
〈其他成分〉
導電膜形成用組成物中，除了上述氧化銅粒子(A)、銅錯合物(B)、熱塑性聚合物(C)、銅粒子(D)、溶劑及觸變劑以外，還可包含其他成分。
例如，導電膜形成用組成物中可包含界面活性劑。界面活性劑發揮提高氧化銅粒子的分散性的作用。界面活性劑的種類並無特別限制，可列舉：陰離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、 非離子系界面活性劑、氟系界面活性劑、兩性界面活性劑等。該些界面活性劑可單獨使用1種，或者將2種以上混合使用。
[導電膜形成用組成物]
導電膜形成用組成物中包含：上述氧化銅粒子(A)、銅錯合物(B)、熱塑性聚合物(C)、視需要的銅粒子(D)、視需要的溶劑、視需要的觸變劑、以及視需要的其他成分。
就導電膜的導電性及密接性優異的方面而言，導電膜形成用組成物中的銅錯合物(B)的含量為氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%，較佳為10質量%~30質量%，更佳為15質量%~25質量%。
若上述銅錯合物(B)的含量小於5重量份，則於後述加熱處理或光照射處理時，將銅(II)離子還原為金屬銅而生成的銅粒子的量少，作為氧化銅還原而生成的銅膜的熔著劑，無法發揮充分的功能。另外，若上述銅錯合物(B)的含量超過30質量份，則有加熱處理或光照射處理中的分解產物即烴類過多，無法蒸發、揮散而殘存於銅薄膜內的顧慮，存在對作為金屬銅的純度、或所形成的銅薄膜的導電性帶來不良影響的情況。
另外，導電膜形成用組成物中的熱塑性聚合物(C)的含量並無特別限制，但較佳為氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%以上，更佳為3質量%~25質量%，尤佳為3質量%~15質量%，最佳為4質量%~9質量%。若為該範圍內，則可發揮作為有助於金屬銅與基材的密接的引物(primer)的作用，且不會使所形成的 導電膜的導電性惡化。
另外，於導電膜形成用組成物包含銅粒子(D)的情況下，導電膜形成用組成物中的銅粒子(D)的含量並無特別限定，相對於氧化銅粒子(A)的總質量，較佳為10質量%~1500質量%，更佳為50質量%~1000質量%。若上述銅粒子(D)的含量小於10質量%，則無法獲得由銅粒子添加所帶來的充分的空隙率添加的效果，若超過1500質量%，則銅粒子間的黏接變弱而形成導電性及密接性低的導電膜。
另外，於導電膜形成用組成物包含溶劑的情況下，導電膜形成用組成物中的溶劑的含量並無特別限制，但就抑制導電膜形成用組成物的黏度的上升，操作性更優異的方面而言，相對於導電膜形成用組成物的合計質量，上述溶劑的含量較佳為10質量%~60質量%，更佳為20質量%~50質量%。
另外，於導電膜形成用組成物包含觸變劑(觸變性賦予劑)的情況下，導電膜形成用組成物中的觸變劑的含量並無特別限定，但就防止乾燥前的塗膜的流掛，且不會對所形成的導電膜的密接性及導電性帶來不良影響的方面而言，相對於氧化銅粒子(A)的總質量(其中，於導電膜形成用組成物含有銅粒子的情況下，為相對於氧化銅粒子(A)及銅粒子(D)的合計質量)，上述觸變劑的含量較佳為0.3質量%~5質量%，更佳為1.0質量%~3.0質量%。
於導電膜形成用組成物中包含界面活性劑的情況下，界 面活性劑的含量並無特別限制，但就塗佈性提高的方面而言，相對於組成物總質量，上述界面活性劑的含量較佳為0.0001質量%~1質量%，更佳為0.001質量%~0.1質量%。
導電膜形成用組成物的黏度較佳為調整為適合於噴墨、網版印刷等印刷用途的黏度。於進行噴墨噴出的情況下，上述黏度較佳為1cP~50cP，更佳為1cP~40cP。於進行網版印刷的情況下，上述黏度較佳為1000cP~100000cP，更佳為10000cP~80000cP。
導電膜形成用組成物的製備方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如，可藉由在溶劑中添加氧化銅粒子、銅錯合物、及熱塑性聚合物後，利用超音波法(例如，利用超音波均質機的處理)、混合機法、三輥法、球磨機法等公知的方法使成分分散，從而獲得組成物。
[導電膜的製造方法]
本發明的導電膜的製造方法包括：使用上述導電膜形成用組成物而於基材上形成塗膜的步驟(以後，亦適當稱為塗膜形成步驟)、以及實施加熱處理及/或光照射處理而獲得導電膜的步驟(以後，亦稱為導電膜形成步驟)。以下，對各步驟分別進行詳細說明。
(塗膜形成步驟)
本步驟是將上述導電膜形成用組成物賦予至基材上而形成塗膜的步驟。藉由本步驟而獲得實施還原處理之前的前驅體膜。亦可於後述還原步驟之前將塗膜乾燥。關於所使用的導電膜形成用 組成物如上所述。
本步驟中使用的基材可使用公知的基材。基材中使用的材料例如可列舉：樹脂、紙、玻璃、矽系半導體、化合物半導體、金屬氧化物、金屬氮化物、木材、或者該些材料的複合物。
更具體而言，可列舉：低密度聚乙烯樹脂、高密度聚乙烯樹脂、丙烯腈丁二烯苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、氯乙烯樹脂、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET))、聚縮醛樹脂、聚碸樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚酮樹脂、聚醯亞胺樹脂、纖維素衍生物等樹脂基材；非塗佈印刷用紙、微塗佈印刷用紙、塗佈印刷用紙(銅版紙(art paper)、塗佈紙(coated paper))、特殊印刷用紙、複印用紙(普通紙複印機(plain paper copier，PPC)用紙)、未漂白包裝紙(unbleached wrapping paper)(重袋用運輸袋/牛皮紙(unglazed shipping sacks kraft paper)、運輸袋/牛皮紙(kraft paper))、漂白包裝紙(bleached wrapping paper)(漂白牛皮紙(bleached kraft paper)、純白捲筒紙(pure white roll paper))、塗佈紙板(coated board)、粗紙板(chipboard)、硬紙板(cardboard)等紙基材；鈉玻璃、硼矽酸玻璃、二氧化矽玻璃、石英玻璃等玻璃基材；非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(polysilicon)等矽系半導體基材；CdS、CdTe、GaAs等化合物半導體基材；銅板、鐵板、鋁板等金屬基材；氧化鋁、藍寶石、氧化鋯、氧化鈦、氧化釔、氧化銦、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化 物(indium zinc oxide，IZO)、奈塞(NESA)(氧化錫)、摻銻的氧化錫(antimony-doped tin oxide，ATO)、摻氟的氧化錫、氧化鋅、摻鋁的氧化鋅(aluminum-doped zinc oxide，AZO)、摻鎵的氧化鋅、氮化鋁基材、碳化矽等其他的無機基材；紙-酚樹脂、紙-環氧樹脂、紙-聚酯樹脂等紙-樹脂複合物、玻璃布-環氧樹脂(玻璃環氧樹脂)、玻璃布-聚醯亞胺系樹脂、玻璃布-氟樹脂等玻璃-樹脂複合物等複合基材等。該些基材中，較佳為使用聚酯樹脂基材、聚醚醯亞胺樹脂基材、紙基材、玻璃基材。
將導電膜形成用組成物賦予至基材上的方法並無特別限制，可採用公知的方法。例如可列舉：網版印刷法、浸漬塗佈法、噴射塗佈法、旋轉塗佈法、噴墨法等塗佈法。
塗佈的形狀並無特別限制，可為覆蓋基材整個面的面狀，亦可為圖案狀(例如配線狀、點狀)。
導電膜形成用組成物於基材上的塗佈量只要根據所需的導電膜的膜厚來適當調整即可，通常，塗膜的膜厚較佳為0.1μm~100μm，更佳為0.1μm~50μm，尤佳為1μm~30μm，最佳為1μm~20μm，特佳為1μm~9μm。
(乾燥步驟)
本步驟是對所形成的塗膜進行乾燥處理而去除溶劑的步驟。本步驟視需要可於上述塗膜形成步驟之後且後述導電膜形成步驟之前實施。
藉由將所殘存的溶劑去除，於導電膜形成步驟中，可抑制由 溶劑的氣化膨脹所引起的微小龜裂或空隙的產生，就導電膜的導電性及導電膜與基材的密接性的方面而言較佳。
乾燥處理的方法可使用溫風乾燥機等，作為溫度，較佳為於40℃~200℃下進行加熱處理，更佳為於50℃以上且小於150℃的溫度下進行加熱處理，尤佳為於70℃~120℃下進行加熱處理。於使用金屬銅粒子的情況下，較佳為以抑制氧化的條件，更佳為於例如氮、氬等惰性氣體環境下，尤佳為於氫氣等還原性氣體環境下乾燥。
(導電膜形成步驟)
本步驟是對所形成的塗膜進行加熱處理及/或光照射處理而形成含有金屬銅的導電膜的步驟。
藉由進行加熱處理及/或光照射處理，將上述銅錯合物中的銅(II)離子還原為金屬銅，並且將氧化銅粒子中的氧化銅還原，進而進行燒結而獲得金屬銅。
更具體而言，例如於氧化銅粒子及銅錯合物包含於導電膜形成用組成物中的情況下，藉由實施上述處理，由銅錯合物生成的金屬銅、與氧化銅粒子還原而獲得的金屬銅粒子相互熔著而形成顆粒，進而，顆粒彼此黏接．熔著而形成薄膜。
另外，例如於銅粒子、氧化銅粒子及含銅聚合物包含於導電膜形成用組成物中的情況下，藉由實施上述處理，由含銅聚合物生成的金屬銅、氧化銅粒子還原而獲得的金屬銅粒子、與金屬銅粒子相互熔著而形成顆粒，進而，顆粒彼此黏接．熔著而形成薄膜。
此外推測，於實施光照射處理的情況下，金屬銅粒子或氧化銅粒子發揮吸收光而轉變為熱的光熱轉變物質的作用，實現使熱傳遞至塗膜中的作用。
加熱處理的條件是根據所使用的銅錯合物或溶劑的種類而適當選擇最佳條件。其中，就可在短時間內形成導電性更優異的導電膜的方面而言，加熱溫度較佳為100℃~300℃，更佳為150℃~250℃，另外，加熱時間較佳為5分鐘~120分鐘，更佳為10分鐘~60分鐘。
此外，加熱裝置並無特別限制，可使用烘箱、加熱板等公知的加熱裝置。
本發明中，可藉由比較低溫的加熱處理來形成導電膜，因此具有製程成本低廉的優點。
光照射處理與上述加熱處理不同，可藉由在室溫下對被賦予塗膜的部分照射短時間的光，而進行對金屬銅的還原及燒結，不會產生由長時間的加熱所引起的基材的劣化，導電膜與基材的密接性變得更良好。
光照射處理中使用的光源並無特別限制，例如有：水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。放射線有：電子束、X射線、離子束、遠紅外線等。另外，亦使用g射線、i射線、深紫外光(Deep-UV光)、高密度能量束(雷射束)。
具體態樣可適宜列舉：藉由紅外線雷射的掃描曝光、氙放電燈等的高照度閃光曝光、紅外線燈曝光等。
光照射較佳為利用閃光燈的光照射，更佳為利用閃光燈的脈衝光照射。高能量的脈衝光的照射由於可對賦予塗膜的部分的表面，以極短的時間來集中加熱，故而可極力減小熱對基材的影響。
脈衝光的照射能量較佳為1J/cm2~100J/cm2，更佳為1J/cm2~30J/cm2，脈衝寬度較佳為1微秒~100毫秒，更佳為10微秒~10毫秒。脈衝光的照射時間較佳為1毫秒~100毫秒，更佳為1毫秒~50毫秒，尤佳為1毫秒~20毫秒。
上述加熱處理及光照射處理可單獨實施，亦可將兩者同時實施。另外，亦可於實施其中一種處理後，進而實施另一種處理。
實施上述加熱處理及光照射處理的環境並無特別限制，可列舉：大氣環境下、惰性氣體環境下、或者還原性氣體環境下等。此外，所謂惰性氣體環境，例如是指充滿氬、氦、氖、氮等惰性氣體的環境，另外，所謂還原性氣體環境，是指存在氫氣、一氧化碳等還原性氣體的環境。
(導電膜)
藉由實施上述步驟而獲得含有金屬銅的導電膜(金屬銅膜)。
導電膜的膜厚並無特別限制，根據所使用的用途而適當調整為最佳的膜厚。其中，就印刷配線基板用途的方面而言，較佳為0.01μm~1000μm，更佳為0.1μm~100μm。
此外，膜厚是對導電膜的任意點的厚度測定3個部位以上， 將其值進行算術平均而獲得的值(平均值)。
就導電特性的方面而言，導電膜的體積電阻率為小於1×103μΩ．cm，較佳為小於1×102μΩ．cm，更佳為小於5×101μΩ．cm，尤佳為小於1×101μΩ．cm。
體積電阻率可藉由利用四探針法來測定導電膜的表面電阻率後，將所得的表面電阻率與膜厚相乘來算出。
導電膜可設置於基材的整個面，或者設置為圖案狀。圖案狀的導電膜可用作印刷配線基板等的導體配線(配線)。
獲得圖案狀的導電膜的方法可列舉：將上述導電膜形成用組成物於基材上賦予為圖案狀，進行上述加熱處理及/或光照射處理的方法；或者將設置於基材整個面的導電膜蝕刻為圖案狀的方法等。
蝕刻的方法並無特別限制，可採用公知的減色法(subtractive process)、半加成法(semiadditive process)等。
於將圖案狀的導電膜構成為多層配線基板的情況下，可於圖案狀的導電膜的表面進而積層絕緣層(絕緣樹脂層、層間絕緣膜、阻焊層(solder resist))，於其表面形成進一步的配線(金屬圖案)。
絕緣膜的材料並無特別限制，例如可列舉：環氧樹脂、玻璃環氧樹脂、聚芳醯胺(aramid)樹脂、結晶性聚烯烴樹脂、非晶性聚烯烴樹脂、含氟樹脂(聚四氟乙烯、全氟化聚醯亞胺、全氟化非晶質樹脂等)、聚醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、 聚醚醚酮樹脂、液晶樹脂等。
該些材料中，就密接性、尺寸穩定性、耐熱性、電氣絕緣性等觀點而言，較佳為含有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、或者液晶樹脂的材料，更佳為環氧樹脂。具體而言，可列舉味之素精細化學(Ajinomoto Fine-Techno)(股)製造的ABF GX-13等。
另外，關於用於保護配線的絕緣層的材料的一種的阻焊劑，例如詳細記載於日本專利特開平10-204150號公報、或日本專利特開2003-222993號公報等中，視需要亦可將其中記載的材料應用於本發明中。阻焊劑可使用市售品，具體而言，例如可列舉：太陽墨水製造(股)製造的PFR800、PSR4000(商品名)，日立化成工業(股)製造的SR7200G等。
上述所獲得的具有導電膜的基材(帶有導電膜的基材)可用於多種用途。例如可列舉：印刷配線基板、薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)、可撓性印刷電路(Flexible Printed Circuit，FPC)、無線射頻辨識系統(Radio Frequency Identification，RFID)等。
[實施例]
[導電膜的製造]
〈實施例1〉
(甲酸銅錯合物的合成)
於1L容量的茄形燒瓶中，添加甲醇(100mL)、及甲酸銅四水合物(11.3g)，製作懸浮液。於該懸浮液中添加3-N,N-二甲基 胺基-1,2-丙二醇(下述式)(11.9g)，於室溫下進行1小時攪拌處理。將所得的溶液減壓蒸餾去除，獲得包含將下述式所表示的化合物作為配位子的甲酸銅錯合物(22g)。以下有時將該甲酸銅錯合物稱為「銅錯合物X」。
(導電膜形成用組成物的製備)
將氧化銅粒子(CI化成公司製造，NanoTek(R)CuO；平均粒徑為110nm)(70質量份)、銅錯合物X(13質量份)、聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)、觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)、及水(33質量份)進行混合，利用自轉公轉混合機(新基公司製造，消泡練太郎ARE-310)將上述混合物進行5分鐘攪拌處理，由此獲得導電膜形成用組成物。將該導電膜形成用組成物稱為「導電墨水組成物1」。以下，有時將導電膜形成用組成物稱為導電墨水組成物。
(導電膜的製造)
於聚醯亞胺基材(東麗(Toray)公司製造，卡普頓(Kapton)(R)200H)上，將導電墨水組成物1塗佈為條紋狀(L/S=1mm/l mm)。繼而，於100℃下乾燥10分鐘，獲得圖案印刷有導電膜形成用組成物層的塗膜(膜厚=18μm)。然後，進行脈衝光照射處理(氙氣(Xenon)公司製造，光燒結裝置Sinteron2000，照射能量=5J/m2，脈衝寬度=2毫秒)，於基材上形成導電膜。
〈實施例2〉
除了將銅錯合物X的含量由13質量份變更為21質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物2，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物2，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例3〉
除了將銅錯合物X的含量由13質量份變更為7質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物3，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物3，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例4〉
除了將銅錯合物X的含量由13質量份變更為3.5質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物4，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物4，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例5〉
(甲酸銅錯合物的合成)
於1L容量的茄形燒瓶中，添加甲醇(100mL)、及甲酸銅四 水合物(11.3g)，製作懸浮液。於該懸浮液中添加2-胺基乙醇(參照下述式)(6.1g)，於室溫下攪拌1小時。將所得的溶液減壓蒸餾去除，獲得包含下述式所表示的化合物作為配位子的甲酸銅錯合物(17g)。以下有時將該甲酸銅錯合物稱為「銅錯合物Y」。
(導電膜形成用組成物的製備．導電膜的製造)
除了代替銅錯合物X(13質量份)而使用銅錯合物Y(13質量份)的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物5，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物5，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例6〉
(丙酮二羧酸銅的合成)
秤量丙酮二羧酸(參照下述式)(43.8g)於1L容量的燒杯中，然後添加於離子交換水(600g)中，使其溶解，進行冰浴冷卻，進而使硝酸銅(56.3g)溶解。向其中投入己胺(48g)後，攪拌30分鐘。濾取所得的白色固體，以丙酮清洗後，進行減壓乾燥，藉此以白色固體的形式獲得丙酮二羧酸銅(51g)。以下有時將該丙酮二羧酸銅稱為「銅錯合物Z」。
[化11]
(導電膜形成用組成物的製備．導電膜的製造)
除了代替銅錯合物X(13質量份)而使用銅錯合物Z(13質量份)的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物6，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物6，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例7〉
除了設為乾燥後的塗膜的膜厚=36μm的方面以外，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例8〉
除了設為乾燥後的塗膜的膜厚=54μm的方面以外，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例9〉
除了設為乾燥後的塗膜的膜厚=9μm的方面以外，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例10〉
除了代替聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)而使用聚環氧乙烷(質量平均分子量為80,000)(4質量份)的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物 10，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物10，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例11〉
除了代替上述聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)而使用聚乙烯醇(質量平均分子量為45,000)(4質量份)的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物11，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物11，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例12〉
將氧化銅粒子(CI化成公司製造，NanoTek CuO；平均粒徑為110nm)(60質量份)、銅錯合物X(11質量份)、聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(3.4質量份)、銅粒子(三井金屬公司製造，濕式銅粉1100Y；平均粒徑為1.0μm)(10質量份)、觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)、及水(33質量份)進行混合，利用自轉公轉混合機(新基公司製造，消泡練太郎ARE-310)混合5分鐘，由此獲得導電墨水組成物12。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物12，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例13〉
除了將上述氧化銅粒子的含量由60質量份變更為50質量份的方面、將銅錯合物X的含量由11質量份變更為9.3質量份的方面、將上述聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量 由3.4質量份變更為2.8質量份的方面、以及將上述銅粒子的含量由10質量份變更為20質量份的方面以外，以與實施例12相同的方式製備導電墨水組成物13。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物13，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例14〉
除了將上述氧化銅粒子的含量由60質量份變更為40質量份的方面、將銅錯合物X的含量由11質量份變更為7.4質量份的方面、將上述聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由3.4質量份變更為2.3質量份的方面、以及將上述銅粒子的含量由10質量份變更為30質量份的方面以外，以與實施例12相同的方式製備導電墨水組成物14。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物14，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例15〉
將氧化銅粒子的含量由60質量份變更為10質量份的方面、將銅錯合物X的含量由11質量份變更為1.9質量份的方面、將上述聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由3.4質量份變更為0.6質量份的方面、以及將上述銅粒子的含量由10質量份變更為60質量份的方面以外，以與實施例12相同的方式製備導電墨水組成物15。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物15，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例16〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為30分鐘的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為70nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物16，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物16，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例17〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為10分鐘的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為80nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物17，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物17，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例18〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為4分鐘的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為150nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物18，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物18，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例19〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為3分鐘的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為180nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物19，然後代替導電墨水組成物1而 使用導電墨水組成物19，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例20〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為1分鐘的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為250nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物20，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物20，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例21〉
除了將混合物的攪拌處理時間由5分鐘變更為20秒的方面以外，以與實施例1相同的方式製備分散有平均粒徑為350nm的氧化銅粒子的導電墨水組成物21，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物21，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例22〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為2.1質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物22，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物22，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例23〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量 由4質量份變更為3質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物23，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物23，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例24〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為6質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物24，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物24，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例25〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為10質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物25，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物25，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例26〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為17質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物26，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物26，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例27〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為21質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物27，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物27，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈實施例28〉
除了將聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)的含量由4質量份變更為1.9質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物28，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物28，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例1〉
將氧化銅粒子(CI化成公司製造，NanoTek CuO；平均粒徑為110nm)(70質量份)、聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)、觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)、及水(33質量份)進行混合，利用自轉公轉混合機(新基公司製造，消泡練太郎ARE-310)來混合5分鐘，藉此獲得導電膜形成用組成物(導電墨水組成物C1)。除了代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C1的方面以外，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例2〉
將銅錯合物X的含量由13質量份變更為1.5質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物C2，然後代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C2，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例3〉
除了將氧化銅粒子(CI化成公司製造，NanoTek CuO；平均粒徑為110nm)的含量由70質量份變更為50質量份的方面、以及將銅錯合物X的含量由13質量份變更為20質量份的方面以外，以與實施例1相同的方式製備導電墨水組成物C3。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C3，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例4〉
將氧化銅粒子(CI化成公司製造，NanoTek(R)CuO；平均粒徑為110nm)(70質量份)、辛酸銀(10質量份)、聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)、觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)、及水(33質量份)進行混合，利用自轉公轉混合機(新基公司製造，消泡練太郎ARE-310)將上述混合物進行5分鐘攪拌處理，由此製備導電墨水組成物C4。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C4，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例5〉
於銅粒子(三井金屬公司製造，濕式銅粉1100Y；平均粒徑 為1.0μm)(15質量份)中，添加異丁酸銅(和光純藥公司製造)(32.8質量份)、N,N-二乙基羥基胺(西格瑪奧德里奇公司製造)(13.6質量份)、2-N,N-二乙基胺基乙醇(西格瑪奧德里奇公司製造)(13.6質量份)、觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)、及四氫呋喃(137質量份)，於25℃下進行30分鐘加熱攪拌，製成均勻的溶液。利用0.5μm的薄膜過濾器將該溶液過濾後，將所得濾液中的四氫呋喃藉由減壓濃縮而進行去溶劑，製備導電墨水組成物C5。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C5，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
〈比較例6〉
製備將1-丁烷硫醇銅(I)(2質量份)溶解於1,3-丁二醇(92質量份)中而得的溶液。將該溶液、銅粒子(三井金屬公司製造，濕式銅粉1100Y；平均粒徑為1.0μm)(80質量份)、聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量為220,000)(4質量份)、及觸變劑(畢克化學日本公司製造，BYK425)(2質量份)進行混合，製備導電墨水組成物C6。代替導電墨水組成物1而使用導電墨水組成物C6，以與實施例1相同的方式於聚醯亞胺基材上形成導電膜。
[導電膜的性能評價]
〈密接性〉
藉由以下方法來評價實施例1~實施例28以及比較例1~比較例6的導電膜的密接性。
於所得的導電膜上密接米其邦(Nichiban)股份有限公司製造的玻璃紙膠帶(寬度為24mm)後剝離。以目視觀察剝離後的導電膜的外觀來評價密接性。評價基準如下所述。此外，實際使用時，較佳為A~C。
．A：於膠帶上未看到導電膜的附著，亦未看到導電膜與基材的界面的剝離。
．B：於膠帶上看到少許導電膜的附著，但未看到導電膜與基材的界面的剝離。
．C：於膠帶上清晰地看到導電膜的附著，且看到少許導電膜與基材的界面的剝離。
．D：於膠帶上清晰地看到導電膜的附著，且清晰地看到導電膜與基材的界面的剝離。
〈導電性〉
藉由以下方法來評價實施例1~實施例28以及比較例1~比較例6的導電膜的導電性。
對於所得的導電膜，使用四探針法電阻率計來測定體積電阻率，評價導電性。評價基準如下所述。
．AA：體積電阻率小於10μΩ．cm
．A：體積電阻率為10μΩ．cm以上且小於50μΩ．cm
．B：體積電阻率為50μΩ．cm以上且小於100μΩ．cm
．C：體積電阻率為100μΩ．cm以上且小於1000μΩ．cm
．D：體積電阻率為1000Ω．cm以上
表1中，銅錯合物欄的結構的X、Y及Z分別是指銅錯合物X、銅錯合物Y及銅錯合物Z，含有比例[質量%]是指銅錯合物的含量(總質量)相對於氧化銅粒子的含量(總質量)的質量百分率。另外，表1中，熱塑性聚合物欄的結構的PVP、PEO及PVA分別是指聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量=220,000)、聚環氧乙烷(質量平均分子量=80,000)、以及聚乙烯醇(質量平均分子量=45,000)，含有比例[質量%]是指熱塑性聚合物的含量(總質量)相對於氧化銅粒子的含量(總質量)的質量百分率。
表2中，PVP是指聚乙烯吡咯啶酮(質量平均分子量=220,000)。
於表1及表2的密接性欄以及導電性欄中示出評價結果。
將實施例1~實施例4以及比較例1~比較例3進行對比。銅錯合物的含量為氧化銅粒子的總質量的5質量%~30質量%的範圍內的實施例1~實施例4與該範圍之外的比較例1~比較例3相比，導電性優異。含量為10質量%~30質量%的範圍內的實施例1~實施例3與該範圍之外的實施例4以及比較例1~比較例3相比，密接性及導電性優異。另一方面，含量為18.6質量%的實施例1與含量為10.0質量%的實施例3以及含量為30.0質量%的實施例2相比，導電性優異。
將實施例1、實施例5及實施例6進行對比。含有作為甲酸銅錯合物的銅錯合物X的實施例1以及含有作為甲酸銅錯合物的銅 錯合物Y的實施例5與含有丙酮二羧酸銅(銅錯合物Z)的實施例6相比，導電性優異。另外，含有具有二元醇(二醇)作為配位子的銅錯合物X的實施例1與含有具有一元醇作為配位子的銅錯合物Y的實施例6相比，導電性優異。
將實施例1、實施例7~實施例9進行對比。膜厚為50μm以下的實施例1、實施例7以及實施例9與膜厚為54μm的實施例8相比，密接性優異。另外，膜厚為30μm以下的實施例1以及實施例9與膜厚為54μm的實施例8以及膜厚為36μm的實施例7相比，導電性優異。進而，膜厚為9μm以下的實施例9與膜厚為18μm的實施例1相比，密接性優異。
將實施例1、實施例10以及實施例11進行對比。含有PVP的實施例1以及含有PEO的實施例10與含有PVA的實施例11相比，導電性優異。
將實施例1、實施例12~實施例15進行對比。除了氧化銅粒子以外還含有銅粒子的實施例12~實施例15與不含銅粒子的實施例1相比，密接性優異。另外，銅粒子的含量為氧化銅粒子的總質量的75質量%的實施例14以及為氧化銅粒子的總質量的600質量%的實施例15的導電性特別優異。
將實施例1、實施例16~實施例21進行對比。氧化銅粒子(A)的平均粒徑在70nm~250nm的範圍內的實施例1、實施例16~實施例20與該範圍之外的實施例21相比，密接性優異。另外，氧化銅粒子(A)的平均粒徑在80nm~180nm的範圍內的實施例 1、實施例17~實施例19與該範圍之外的實施例16、實施例20以及實施例21相比，導電性優異。
將實施例1、實施例22~實施例28進行對比。熱塑性聚合物(C)的含量在氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%~25質量%的範圍內的實施例1、實施例22~實施例26與該範圍之外的實施例27以及實施例28相比，密接性優異。熱塑性聚合物(C)的含量在氧化銅粒子的總質量的3質量%~15質量%的範圍內的實施例1以及實施例22~實施例25與該範圍之外的實施例26~實施例28相比，導電性優異。熱塑性聚合物(C)的含量在4質量%~9質量%的範圍內的實施例1、實施例23以及實施例24與該範圍之外的實施例22、實施例23以及實施例26~實施例28相比，導電性更優異。
以上，如表1的實施例1~實施例28所示，於使用本發明的導電膜形成用組成物的情況下，可獲得具有優異的密接性及導電性的銅薄膜。
另一方面，如表1的比較例1~比較例3所示，不含銅錯合物者(比較例1)以及過量含有銅錯合物者(比較例3)的密接性及導電性兩者皆差，含有少於規定量的銅錯合物者(比較例2)的導電性差。認為其原因在於：比較例1、比較例2中由於無銅錯合物或銅錯合物不足，故而將氧化銅粒子還原而產生的金屬銅粒子間的熔著不充分，比較例3中由於銅錯合物過量，故而燒結時所生成的分解產物殘存於導電膜中。
比較例4為日本專利特開平5-174612號(專利文獻1)的發明的實施例，製備包含氧化銅(氧化銅粒子)以及金屬有機物(辛酸銀)的導電墨水組成物來形成導電膜。另外，比較例5為日本專利特開2010-151093號(專利文獻2)的發明的實施例，製備包含金屬微粒子(銅粒子)、銅前驅體(異丁酸銅)以及還原劑(N,N-二乙基羥基胺、2-N,N-二乙基胺基乙醇)的導電墨水組成物來形成導電膜。另外，比較例6製備包含1-丁烷硫醇銅(I)作為銅錯合物的組成物來形成導電膜。如表2所示，比較例4~比較例6的導電膜均不滿足金屬膜或電路基板中的配線等所要求的導電性，進而，導電膜與基材之間的密接性亦不充分。

Claims (16)

  1. 一種導電膜形成用組成物，其含有：平均粒徑為50nm~500nm的氧化銅粒子(A)；分子量為1000以下的銅錯合物(B)，其為選自由甲酸銅錯合物及銅與丙酮二羧酸或其衍生物的鹽所組成的組群中的至少1種；以及熱塑性聚合物(C)；並且上述銅錯合物(B)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量的5質量%~30質量%。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的導電膜形成用組成物，其更含有平均粒徑為0.1μm~2μm的銅粒子(D)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅粒子(D)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量的50質量%~1000質量%。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%~25質量%。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量的3質量%~15質量%。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量 的4質量%~9質量%。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述氧化銅粒子(A)的平均粒徑為70nm~250nm。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的導電膜形成用組成物，其中上述氧化銅粒子(A)的平均粒徑為80nm~180nm。
  9. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)的含量為上述氧化銅粒子(A)的總質量的15質量%~25質量%。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)為選自由聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯醇及聚乙二醇所組成的組群中的至少1種的熱塑性聚合物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的導電膜形成用組成物，其中上述熱塑性聚合物(C)為聚乙烯吡咯啶酮。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)為分子量為1000以下的甲酸銅錯合物。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的導電膜形成用組成物，其中上述銅錯合物(B)是於甲酸銅中配位胺而成的分子量為1000以下的甲酸銅錯合物。
  14. 一種導電膜的製造方法，其包括： 塗膜形成步驟，將如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述的導電膜形成用組成物賦予至基材上而形成塗膜；以及導電膜形成步驟，對上述塗膜進行加熱處理及/或光照射處理而形成導電膜。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的導電膜的製造方法，其於上述塗膜形成步驟之後且上述導電膜形成步驟之前，更包括將上述塗膜乾燥的乾燥步驟。
  16. 如申請專利範圍第14項或第15項所述的導電膜的製造方法，其中上述塗膜的膜厚為1μm~9μm。
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