JPWO2016031404A1 - 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明は、欠陥の発生を抑制し、優れた導電性を示す導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物、および、導電膜形成用組成物を用いた導電膜の製造方法の提供を目的とする。本発明は、酸化第二銅ナノ粒子と、沸点１９０〜３４０℃であるポリオール系有機溶媒とを少なくとも含有する、導電膜形成用組成物であって、分光光度計により測定された波長４００ｎｍおよび波長６００ｎｍにおける吸光度の比が以下の式１を満たす、導電膜形成用組成物、並びに、上記導電膜形成用組成物を用いた導電膜の製造方法である。式１ ５＞α１／α２＞３式１中、α１は波長４００ｎｍにおける組成物の吸光度を表し、α２は波長６００ｎｍにおける組成物の吸光度を表す。

Description

本発明は、導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法に関する。

基材上に金属膜を形成する方法として、金属粒子または金属酸化物粒子の分散体を印刷法により基材に塗布し、加熱処理または光照射処理して焼結させることによって金属膜や回路基板における配線等の電気的導通部位を形成する技術が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による配線作製法に比べて、簡便・省エネ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。

例えば、特許文献１では、導電性金属粒子成分を真空下または不活性雰囲気下で焼成して導体層を形成し、メタライズされたセラミックス基板を製造する方法が開示されている。なお、特許文献１においては、導電性金属粒子として、酸化第二銅ナノ粒子（シーアイ化成株式会社製、平均粒径４８ｎｍ）が具体的に使用されている。

特開２００８−１０９０６２号公報

一方、近年、電子機器の小型化、高機能化の要求に対応するため、プリント配線板などにおいては配線のより一層の微細化および高集積化が進んでいる。それに伴って、金属配線の導電特性のより一層の向上が要求されている。
また、生産性の観点からは、光照射により導電膜を製造する方法が望まれている。
本発明者らが、特許文献１に記載される金属酸化物（酸化第二銅ナノ粒子（シーアイ化成株式会社製、平均粒径４８ｎｍ））を含む組成物を用いて光照射により導電膜の作製を試みたところ、得られた導電膜の導電性は昨今求められるレベルまで達しておらず、更なる改良が必要であった。
また、このような組成物を樹脂基材上に塗布して塗膜を形成し、塗膜に対して光照射処理を行うと、樹脂基材から発生するガスや、組成物のアブレーション等が原因で導電膜にクラックなどの欠陥が生じやすいという問題もあった。

本発明は、上記実情に鑑みて、欠陥の発生を抑制し、優れた導電性を示す導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、この導電膜形成用組成物を用いた導電膜の製造方法を提供することも目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、酸化第二銅ナノ粒子と所定の範囲の沸点を有するポリオール系有機溶媒とを含有し、分光光度計によって測定された特定波長における吸光度の比が所定の範囲である組成物を使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、以下の構成により上記目的を達成することができることを見出した。

［１］ 酸化第二銅ナノ粒子と、
沸点１９０〜３４０℃であるポリオール系有機溶媒とを少なくとも含有する、導電膜形成用組成物であって、
分光光度計により測定された波長４００ｎｍおよび波長６００ｎｍにおける吸光度の比が以下の式１を満たす、導電膜形成用組成物。
式１ ５＞α１／α２＞３
式１中、α１は波長４００ｎｍにおける組成物の吸光度を表し、α２は波長６００ｎｍにおける組成物の吸光度を表す。
［２］ 酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径が２〜２５ｎｍである、［１］に記載の導電膜形成用組成物。
［３］ さらに、重量平均分子量１，０００以上のポリオキシアルキレン系化合物を含有する、［１］または［２］に記載の導電膜形成用組成物。
［４］ ポリオキシアルキレン系化合物がポリエチレングリコールである、［３］に記載の導電膜形成用組成物。
［５］ 酸化第二銅ナノ粒子の、動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における粒子径２００ｎｍ以上の粒子の割合が、酸化第二銅ナノ粒子全体の１５％以下である、［１］〜［４］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［６］ さらに、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下で沸点５０〜１８０℃である、アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒を含有し、
アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒の含有量が、組成物全質量に対して、１〜５０質量％である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［７］ 酸化第二銅ナノ粒子とポリオール系有機溶媒との質量比が、１：０．００５〜１：２である、［１］〜［６］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［８］ 酸化第二銅ナノ粒子とポリオキシアルキレン系化合物との質量比が、１：０．０１〜１：０．５である、［３］〜［７］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［９］ ポリオール系有機溶媒がジオールまたはトリオールである、［１］〜［８］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［１０］ ポリオール系有機溶媒が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、トリメチロールプロパン及びグリセリンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、［１］〜［９］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［１１］ さらに、金属触媒を含有し、
酸化第二銅ナノ粒子と金属触媒との質量比が、１：０．００１〜１：０．１である、［１］〜［１０］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［１２］ α１／α２が、４より大きく５未満である、［１］〜［１１］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［１３］ 酸化第二銅ナノ粒子が湿式法で製造されたものであり、かつ、酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径が２〜２５ｎｍである、［１］〜［１２］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物。
［１４］ ［１］〜［１３］のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物を樹脂基材上に塗布し、塗膜を形成する工程と、
塗膜に対して光照射処理を行い、酸化第二銅ナノ粒子を還元して金属銅を含有する導電膜を形成する工程とを備える、導電膜の製造方法。

本発明によれば、欠陥の発生を抑制し、優れた導電性を示す導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、この導電膜形成用組成物を用いた導電膜の製造方法を提供することもできる。

以下に、本発明の導電膜形成用組成物および導電膜の製造方法の好適態様について詳述する。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、成分が２種以上の化合物を含む場合、上記成分の含有量とは、２種以上の化合物の合計の含有量を指す。

［導電膜形成用組成物］
まず、本発明の導電膜形成用組成物について説明する。
本発明の導電膜形成用組成物は、
（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と、
（Ｂ）沸点１９０〜３４０℃であるポリオール系有機溶媒とを少なくとも含有する、導電膜形成用組成物であって、
分光光度計により測定された波長４００ｎｍおよび波長６００ｎｍにおける吸光度の比が以下の式１を満たす、導電膜形成用組成物である。
式１ ５＞α１／α２＞３
式１中、α１は波長４００ｎｍにおける組成物の吸光度を表し、α２は波長６００ｎｍにおける組成物の吸光度を表す。

本発明の導電膜形成用組成物は、特定の範囲のα１／α２を有することによって、欠陥の発生を抑制し、優れた導電性を示す導電膜を形成することができると考えられる。
本発明において、α１／α２は、導電膜形成用組成物中における（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の分散性に関連していると推測される。α１／α２が上記の範囲である場合、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の１次粒径が小さく、かつ導電膜形成用組成物中における分散性に優れるので、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の表面積が大きくなるとともに（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の表面に反応点が露出し、反応点と還元剤との反応確率が高くなると推測される。また、粒子同士の融着が促進されることによって緻密な導電体となることによって、導電性が高くなると考えられる。
また、一般的に、導電膜を形成する際に樹脂基材にかかる温度が高いと樹脂基材からガスが発生し、そのガスによって導電膜にクラックが発生する場合がある。本発明において、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の表面積が大きくなると、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と還元剤との反応が低温短時間に起こることができ、導電膜を形成する際に樹脂基材にかかる熱を少なくすることができる。よって、樹脂基材からのガスの発生や樹脂基材の融解、変形が抑えられ、導電膜のクラックの発生を抑制することができ、その結果導電性に優れると考えられる。

＜（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子＞
導電膜形成用組成物には、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子が含有される。（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子は、後述する光照射処理によって還元され、導電膜中の金属銅を構成する。
本発明における「酸化第二銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物であり、具体的には、Ｘ線回折による結晶解析において、酸化第二銅由来のピークが検出され、かつ金属由来のピークが検出されない化合物のことを指す。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子に対して１質量％以下であることをいう。

導電膜形成用組成物中における（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の、動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における粒子径２００ｎｍ以上の粒子の割合は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、酸化第二銅ナノ粒子全体の１５％以下であるのが好ましく、１０％以下であるのがより好ましく、５％以下であるのが更に好ましい。下限は特に制限されないが、０％が挙げられる。

さらに、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の、動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における粒子径０ｎｍを超え１００ｎｍ未満の粒子の割合は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子全体の、５０〜１００％であるのが好ましく、６５〜１００％であるのがより好ましい。

本発明の導電膜形成用組成物中の（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の５０％粒子径（Ｄ５０）は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、２０〜１５０ｎｍであるのが好ましく、２０〜１００ｎｍであるのがより好ましい。５０％粒子径は、動的光散乱法により測定される、酸化第二銅ナノ粒子の累積体積粒度分布において、小粒径側から相対粒子量を積算したときの積算量が５０％となる点の粒径である。

本発明の導電膜形成用組成物中における（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の粒子径、５０％粒子径は、動的光散乱法により測定することができる。より具体的には、ナノトラック粒度分布測定装置ＵＰＡ−ＥＸ１５０（日機装（株）製）を用いて測定する。
動的光散乱法の測定には、本発明の導電膜形成用組成物をそのまま又は水などで希釈して使用することができる。組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の濃度が０．０１〜０．１質量％となる範囲で測定を実施することが好ましい。組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の濃度が高すぎる場合は、水などによって希釈して、測定用のサンプルを作製してもよい。

なお、本発明の導電膜形成用組成物中における（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の粒子径、５０％粒子径の制御方法は特に制限されず、例えば、使用される（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子や分散剤の種類を制御する方法や、分散剤と（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子との混合条件（混合方法、混合手順）を制御する方法や、使用する分散機、分散時間を変更する方法や、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と溶媒（水）との混合割合を制御する方法など、公知の方法が選択される。

（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、２〜４０ｎｍが好ましく、２〜２５ｎｍがより好ましく、２〜２０ｎｍがさらに好ましく、５〜１５ｎｍが特に好ましい。
なお、平均１次粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscopeの略称）観察または走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscopeの略称）観察により、少なくとも４００個以上の（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の円相当径を測定し、それらを算術平均して求める。円相当径とは、観察される（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の２次元形状と同じ面積に相当する円の直径を意味する。

（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径と５０％粒子径は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、５０％粒子径／平均１次粒子径の比が２〜７５であることが好ましく、２〜５０であることがより好ましく、２〜２０が最も好ましい。

なお、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子は、市販品を使用しても、公知の製造方法で製造してもよい。
（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の製造方法としては、例えば、気相中で造粒を行う方式（気相法）と、湿式で造粒を行う方式（湿式法）があるが、なかでも、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子は湿式法で製造されたものであるのが好ましい。湿式法で造粒を行うことで、所望の粒子形状に制御することが可能となるからである。
（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の合成には、例えば、特開２００３−１８３０２４号公報等に記載されているように、硝酸銅等の２価の塩と塩基を反応させることで、水酸化銅を生成し、加熱脱水によって酸化銅を造粒する方法が好ましい。この方法によれば、より低温で、短時間で（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子を合成することが可能であり、所望の粒子形状／分布に制御することができる。
湿式法で造粒を行う場合、溶媒として、水、または、沸点が１５０〜３００℃の多価アルコールを用いることが好ましい。加熱脱水時に揮発せず、また、作製した酸化第二銅ナノ粒子の分散安定性に優れるので好ましい。

本発明の導電膜形成用組成物中における酸化第二銅ナノ粒子の含有量は特に制限されないが、所定の組成物を調製しやすく、形成される導電膜の特性（欠陥抑制、導電性）がより優れる点で、組成物全質量に対して、３〜８０質量％が好ましく、１０〜６０質量％がより好ましい。

＜（Ｂ）ポリオール系有機溶媒＞
（Ｂ）本発明の導電膜形成用組成物はポリオール系有機溶媒を含有し、その沸点は１９０〜３４０℃である。なお、上記沸点は、１気圧下のものである。
ポリオール系有機溶媒はその構造について、１分子中にヒドロキシ基を２個以上有する化合物であれば特に制限されない。
（Ｂ）ポリオール系有機溶媒は、いわゆる還元剤として機能することができる。

（Ｂ）ポリオール系有機溶媒としては、例えば、ジオール；１，２，３−ブタントリオール、エリトリトール、ペンタエリトリトール、トリメチロールプロパン、グリセリンのような３官能以上のポリオール（ヒドロキシ基を３個以上有するアルコール）が挙げられる。（Ｂ）ポリオール系有機溶媒は、なかでもジオールまたはトリオールであるのが好ましい。
ジオールとしては、例えば、エチレングリコール、２，３−ブタンジオールのようなヒドロキシ基を２個有するアルコール；ジエチレングリコールのようなジアルキレングリコール；トリエチレングリコールのようなトリアルキレングリコールが挙げられる。ジオールとしてジアルキレングリコール、トリアルキレングリコールのようなポリアルキレングリコールを使用する場合、その重量平均分子量は１，０００未満であるのが好ましい態様の１つとして挙げられる。
ジオールは、なかでも、エチレングリコール、ジエチレングリコールおよびトリエチレングリコールからなる群から選ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。
トリオールは、トリメチロールプロパン、グリセリンが好ましい。

また、（Ｂ）ポリオール系有機溶媒の沸点は、１９０〜３４０℃であり、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、２００〜３００℃であるのが好ましい。
沸点が１９０℃未満の場合、形成される導電膜の導電性が劣ると共に、欠陥も多く発生する。また、沸点が３４０℃超の場合、形成される導電膜の導電性が劣る。

（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と（Ｂ）ポリオール系有機溶媒の質量比は、還元力が十分であり、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点で、１：０．００５〜１：２であるのが好ましく、１：０．００５〜１：１であるのがより好ましく、１：０．００５〜１：０．５であるのが更に好ましい。

（（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物）
本発明の導電膜形成用組成物は、さらに、（Ｃ）重量平均分子量１，０００以上のポリオキシアルキレン系化合物を含有することができる。この場合、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から好ましい。
（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールが挙げられ、ポリエチレングリコールが好ましい。

（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物の重量平均分子量は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から、４，０００以上であるのが好ましく、８，０００〜５００，０００であるのがより好ましい。
（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物の重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、Gel Permeation Chromatographyの略称）法（溶媒：Ｎ−メチルピロリドン）により得られたポリスチレン換算値である。

（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物の質量比は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から１：０．０１〜１：０．５であるのが好ましく、１：０．０２〜１：０．４であるのがより好ましい。

（（Ｄ）アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒）
本発明の導電膜形成用組成物は、さらに、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下で、沸点５０〜１８０℃である、アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒（Ｄ）を含有することができる。この場合、優れた印刷性を得ることができる。
表面張力は２０℃の条件下において滴下式による測定方法で測定されたものである。
アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒（Ｄ）としては、例えば、エタノール（沸点７８．３７℃、表面張力２２．５５ｍＮ／ｍ）、１−ブタノール（沸点１１７℃、表面張力２６ｍＮ／ｍ）などのアルコール系有機溶媒；メチルエチルケトン（沸点７９．５℃、表面張力２４．６ｍＮ／ｍ）、アセトン（沸点５６．５℃、表面張力２３．３ｍＮ／ｍ）などのケトン系有機溶媒が挙げられる。
アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒（Ｄ）の表面張力は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から、２０〜４０ｍＮ／ｍであるのが好ましく、２０〜３０ｍＮ／ｍであるのがより好ましい。
アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒（Ｄ）の沸点は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から、５０〜１８０℃であるのが好ましく、７０〜１５０℃であるのがより好ましく、７０〜１２０℃であるのが更に好ましい。

アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒（Ｄ）の量が、導電膜形成用組成物中の１〜５０質量％であるのが好ましく、１〜４５質量％であるのがより好ましく、１〜２０質量％であるのが更に好ましい。

（（Ｅ）金属触媒）
本発明の導電膜形成用組成物は、さらに（Ｅ）金属触媒を含有することができる。
金属触媒（Ｅ）は周期律表の８族〜１１族からなる群から選択される少なくとも１種の金属元素（金属）を含むのが好ましい。導電膜の導電性がより優れる点で、金属元素としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、および、ニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素が好ましく、銀、白金、パラジウム、および、ニッケルからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素であることがより好ましく、パラジウムまたは白金であることが特に好ましく、パラジウムであることが最も好ましい。すなわち、得られる導電膜の導電性がより優れる理由から、金属触媒（Ｅ）は、パラジウムを含む金属触媒であることが好ましい。

金属触媒（Ｅ）の好適な態様としては、例えば、パラジウム塩、パラジウム錯体が挙げられる。なかでもパラジウム塩が好ましい態様として挙げられる。
パラジウム塩の種類は特に制限されず、その具体例としては、パラジウムの塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、ホスホン酸塩などが挙げられる。なかでも、カルボン酸塩であることが好ましい。
カルボン酸塩を形成するカルボン酸の炭素数は特に制限されないが、１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。カルボン酸塩を形成するカルボン酸はハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有してもよい。

金属触媒（Ｅ）は、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウムおよびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムからなる群より選択される少なくとも１種の化合物であることが好ましく、酢酸パラジウムであることがより好ましい。

（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子と（Ｅ）金属触媒の質量比は、α１／α２がより適正な範囲となり（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の分散性に優れ、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から、１：０．００１〜１：０．１であるのが好ましく、１：０．００１〜１：０．０５であるのがより好ましい。

（水）
導電膜形成用組成物は、さらに水を含有することができる。水は、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子の分散媒として機能する。溶媒として水を使用することは、安全性において優れており好ましい。
水としては、イオン交換水のレベルの純度を有するものが好ましい。
水の含有量は、導電膜形成用組成物全質量に対して、１〜９０質量％とすることができる。

（その他の成分）
導電膜形成用組成物には、（Ａ）〜（Ｅ）、水以外の成分をさらに含有することができる。上記以外の成分としては、例えば、水溶性高分子、界面活性剤、揺変剤のような添加剤が挙げられる。添加剤の種類、量は、本発明の目的、効果を妨げない範囲において適宜選択することができる。

導電膜形成用組成物の製造方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。
なかでも、上述した（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子、（Ｂ）ポリオール系有機溶媒、必要に応じて使用することができる、他の任意成分を混合して、導電膜形成用組成物を製造できる。
混合する方法は特に制限されないが、例えば、ホモジナイザー（例えば、超音波ホモジナイザー、高圧ホモジナイザー）、ミル（例えば、ビーズミル、ボールミル、タワーミル、３本ロールミル）、ミキサー（例えば、プラネタリーミキサー、ディスパーミキサー、ヘンシルミキサー、ニーダー、クレアミックス、自公転ミキサー（攪拌脱泡機））などを用いて混合分散させる方法が挙げられる。なかでも、酸化第二銅ナノ粒子の分散性がより優れる点で、超音波ホモジナイザーやビーズミルを用いることが好ましい。

＜導電膜形成用組成物の特性＞
導電膜形成用組成物について、分光光度計により測定された波長４００ｎｍおよび波長６００ｎｍにおける吸光度の比が以下の式１を満たす。
式１ ５＞α１／α２＞３
式１において、α１は波長４００ｎｍにおける吸光度を表し、α２は波長６００ｎｍにおける吸光度を表す。
α１／α２は、形成される導電膜の導電性がより優れ、欠陥発生をより抑制できる点から、５＞α１／α２＞４が好ましい。

分光光度計による測定（紫外可視吸収スペクトル測定）は、紫外可視分光光度計（ＵＶ−２４５０、（株）島津製作所製）を用いて実施される。
その際、組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の濃度が０．０００５〜０．１質量％となる範囲で測定を実施する。組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の濃度が高すぎる場合は、水によって希釈して、測定用のサンプルを作製してもよい。
上記測定により得られる紫外可視吸収スペクトル図から、波長４００ｎｍにおける吸光度、および、波長６００ｎｍにおける吸光度を測定し、上記式１に当てはめて、比（α１／α２）を算出する。

なお、本発明の導電膜形成用組成物のα１／α２の制御方法は特に制限されない。α１／α２には酸化第二銅ナノ粒子の状態が大きく影響すると考えられることから、α１／α２の制御方法としては例えば、上述したように、粒子の平均１次粒子径を所定の範囲に制御し、かつ、その凝集状態を制御（いわゆる、本発明の導電膜形成用組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の粒子径の分布を制御）する方法が挙げられる。

［導電膜の製造方法］
次に、本発明の導電膜の製造方法について以下に説明する。
本発明の導電膜の製造方法は、
本発明の導電膜形成用組成物を樹脂基材上に塗布し、塗膜を形成する工程（以後、適宜塗膜形成工程とも称する。）と、
塗膜に対して光照射処理を行い、酸化第二銅ナノ粒子を還元して金属銅を含有する導電膜を形成する工程（以後、導電膜形成工程とも称する。）と、を備える、導電膜の製造方法である。
以下に、それぞれの工程について詳述する。

＜塗膜形成工程＞
本工程は、上述した導電膜形成用組成物を樹脂基材上に塗布して、塗膜を形成する工程である。本工程により還元処理が施される前の前駆体膜が得られる。
使用される導電膜形成用組成物については、上述のとおりである。

樹脂基材の材料としては、例えば、低密度ポリエチレン樹脂、高密度ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン、ポリブチレンなどのポリオレフィン系樹脂；ポリメチルメタクリレートなどのメタクリル系樹脂；ポリスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン共重合体（ＡＢＳ）、アクリロニトリルスチレン共重合体（ＡＳ）などのポリスチレン系樹脂；アクリル樹脂；ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ１，４−シクロヘキシルジメチレンテレフタレートなど）；ナイロン樹脂およびナイロン共重合体から選ばれるポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル樹脂；ポリオキシメチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリフェニレンサルファイド樹脂；変性ポリフェニレンエーテル樹脂；ポリアセタール樹脂；ポリサルフォン樹脂；ポリエーテルスルホン樹脂；ポリケトン樹脂；ポリエーテルニトリル樹脂；ポリエーテルエーテルケトン樹脂；ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトンケトン樹脂；ポリイミド樹脂；ポリアミドイミド樹脂；フッ素樹脂；セルロース誘導体等の樹脂基材が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂基材、ポリカーボネート樹脂基材、ポリイミド樹脂基材、ポリエーテルイミド樹脂基材が好ましく使用される。

導電膜形成用組成物を樹脂基材上に塗布する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。
塗布の形状は特に制限されず、樹脂基材全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
樹脂基材上への導電膜形成用組成物の塗布量としては、所望する導電膜の膜厚に応じて適宜調整すればよい。通常、塗膜の膜厚は０．０１〜５０００μｍが好ましく、０．１〜１０００μｍがより好ましく、１〜１００μｍがさらに好ましい。

本工程においては、必要に応じて、導電膜形成用組成物を樹脂基材へ塗布した後に乾燥処理を行い、溶媒を除去してもよい。残存する溶媒を除去することにより、後述する導電膜形成工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を抑制することができ、導電膜の導電性および導電膜と基材との密着性の点で好ましい。
乾燥処理の方法としては温風乾燥機などを用いることができる。乾燥処理の温度としては、４０℃〜２００℃が好ましく、５０℃以上１５０℃未満がより好ましく、５０℃〜１２０℃がさらに好ましい。
乾燥時間は特に限定されないが、樹脂基材と導電膜との密着性がより良好になることから、１０秒〜６０分であることが好ましい。

＜導電膜形成工程＞
本工程は、上記塗膜形成工程で形成された塗膜に対して光照射処理を行い、金属銅を含有する導電膜を形成する工程である。
光照射処理を行うことにより、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子が還元され、さらに融着して金属銅が得られる。より具体的には、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子が還元されて金属銅粒子が形成され、生成した金属銅粒子が互いに融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して銅を含有する導電性薄膜を形成する。

光照射処理は、室温にて塗膜が付与された部分に対して光を短時間照射することで金属銅への還元および焼結が可能となり、長時間の加熱による樹脂基材の劣化が起こらず、導電膜の樹脂基材との密着性がより良好となる。

光照射処理で使用される光源は特に制限されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、遠紫外光（Ｄｅｅｐ−ＵＶ光）、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。

光照射は、フラッシュランプによる光照射が好ましく、パルス光照射（例：キセノン（Ｘｅ）フラッシュランプによるパルス光照射）であることがより好ましい。高エネルギーのパルス光の照射は、塗膜を付与した部分の表面を、極めて短い時間で集中して加熱することができるため、樹脂基材への熱の影響を極めて小さくすることができる。
パルス光の照射エネルギーとしては、１〜１００Ｊ／ｃｍ²が好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ²がより好ましい。パルス幅としては１μ秒〜１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射間隔は、１ｍ秒〜１０秒が好ましく、１秒〜１０秒がより好ましく、１〜５秒がさらに好ましい。

光照射処理を実施する雰囲気は特に制限されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気を指す。また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。

＜導電膜＞
上記工程を実施することにより、金属銅を含有する導電膜（金属銅膜）が得られる。
導電膜の膜厚は特に制限されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が調整される。なかでも、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましい。
なお、膜厚は、導電膜の任意の点における厚みを３箇所以上測定し、その値を算術平均して得られる値（平均値）である。
導電膜の体積抵抗率は、導電特性の点から、１０００μΩ・ｃｍ未満が好ましく、３００μΩ・ｃｍ未満がより好ましく、１００μΩ・ｃｍ未満がさらに好ましい。
体積抵抗率は、導電膜の表面抵抗値を四探針法にて測定後、得られた表面抵抗値に膜厚を乗算することで算出することができる。

導電膜は、例えば、樹脂基材の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、例えば、上記導電膜形成用組成物をパターン状に樹脂基材に付与して、上記光照射処理を行う方法や、樹脂基材全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法などが挙げられる。
エッチングの方法は特に制限されず、例えば、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。

パターン状の導電膜を多層配線基板として構成する場合、パターン状の導電膜の表面に、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層して、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。

絶縁膜の材料は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、ガラスエポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂など挙げられる。
これらの中でも、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ（株）製、ＡＢＦ ＧＸ−１３などが挙げられる。

また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば、特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、ここに記載の材料を所望により本発明にも適用することができる。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。

上記で得られた導電膜を有する樹脂基材（導電膜付き樹脂基材）は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒの略称）、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板、Flexible Printed Circuitsの略称）、ＲＦＩＤ（radio frequency identifierの略称）などが挙げられる。

以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし本発明はこれらに限定されない。
＜実施例１＞
（酸化第二銅ナノ粒子１の合成）
硝酸銅（和光純薬工業株式会社製）の所定量を精製水に溶かし、０．１ｍｏｌ／ｌの硝酸銅水溶液をあらかじめ調製した。イオン交換水１００ｍｌをガラス製２００ｍｌフラスコにとり、オイルバスで９０℃に加熱した。ここに、上記硝酸銅水溶液と０．２ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液をそれぞれ２０ｍｌずつ１０秒以内に添加し、１０分間加熱して、酸化第二銅微粒子を得た。その後、遠心分離（１００００Ｇ，３０分）により粒子を回収した後、イオン交換水中に再分散させ、その後、イオン交換水を用いて限外ろ過を十分に行うことにより不純物を除いた後、濃縮処理を行い、粒子濃度が４０質量％の酸化銅ペーストを得た。ＸＲＤ（エックス線回折、X‐ray diffractionの略称。以下同様）分析により、３５．５°および３８°付近にそれぞれ（００２）、（１１１）面に由来する強い回折ピークを観測し、得られた粒子が酸化第二銅であることを確認した。また、ＴＥＭ（Transmission Electron Microscopeの略称。以下同様）観察の結果、上述のとおり得られた酸化第二銅ナノ粒子１の平均１次粒子径は１８ｎｍであった。

（導電膜形成用組成物１の調製）
上記のとおり得られた酸化第二銅ペースト（３０質量部。酸化第二銅固形分として１２質量部とイオン交換水１８質量部とを含む。）と、（Ｂ）ジエチレングリコールを（７．８質量部）、イオン交換水（２７．２質量部）、（Ｄ）１−ブタノール（３質量部）、エタノール（３２質量部）とを混合し、自転公転ミキサー（ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−２５０）で５分間処理した後、超音波分散処理を行い、導電膜形成用組成物１を得た。
導電膜形成用組成物１を、イオン交換水で（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子が０．０１質量％となるよう希釈し、紫外可視分光光度計（ＵＶ−２４５０、（株）島津製作所製）により得られた組成物の波長４００ｎｍにおける吸光度α１および波長６００ｎｍにおける吸光度α２を測定し、α１／α２の比を求めると、４．３であった。

また、希釈液を用いて商品名ナノトラック粒度分布測定装置ＵＰＡ−ＥＸ１５０（日機装（株）製）で酸化第二銅ナノ粒子の粒度分布測定を行った。
その結果、導電膜形成用組成物中の酸化第二銅ナノ粒子の、動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における粒子径２００ｎｍ以上の粒子の割合は酸化第二銅ナノ粒子全体の２％であった。粒子径が０ｎｍを超え１００ｎｍ未満の粒子の割合、粒子径が１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の粒子の割合も同様に測定した。結果を表１に示す。

（導電膜の作製）
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基材（Ｑ６５ＨＡ、厚み１２５μｍ、帝人デュポン社製）上に、導電膜形成用組成物１をＷｅｔ膜の厚み１２μｍとなるようバー塗布し、５０℃で１分間乾燥させることで塗膜を得た。
その後、得られた塗膜にパルス光照射処理（Ｘｅｎｏｎ社製光焼結装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００、照射エネルギー：５．５Ｊ／ｃｍ²、３秒間隔で２回光照射）を行うことで導電膜を得た。得られた導電膜の厚みを表１に示す。

＜欠陥評価＞
得られた導電膜を、光学顕微鏡を用いて倍率４５０倍で観察し、欠陥の有無、欠陥の状態を以下の基準に基づき評価した。実用上、Ａ〜Ｂであることが好ましい。結果を表１に示す。
・「Ａ」：導電膜が全面に形成できており、欠陥がほとんどない。
・「Ｂ」：導電膜においてクラックおよび／またはアブレーションしている部分がある。
・「Ｃ」：導電膜の全面がアブレーションしており導電膜が形成できない。

＜導電性＞
得られた導電膜について、四探針法抵抗率計を用いて体積抵抗率を測定し、導電性を評価した。評価基準は以下のとおりである。なお、実用上、Ａ、ＢまたはＣであることが求められる。結果を表１に示す。
・「Ａ」：体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ未満
・「Ｂ」：体積抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以上３００μΩ・ｃｍ未満
・「Ｃ」：体積抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以上１０００μΩ・ｃｍ未満
・「Ｄ」：体積抵抗率が１０００μΩ・ｃｍ以上

＜比較例１＞
ジエチレングリコールのかわりに２，３−ブタンジオールを用いた以外は実施例１と同様にして導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。

＜実施例２＞
ジエチレングリコールのかわりにエチレングリコール１４．１質量部を用い、イオン交換水の添加量を導電膜形成用組成物総量が１００質量部となるようにし、照射エネルギーを５Ｊ／ｃｍ²に代えた以外は実施例１と同様にして、導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。

＜実施例３＞
エチレングリコールの量を９．４質量部に変更し、触媒として酢酸パラジウム（０．１２質量部）をアセトン（５．８８質量部）に溶解させた液Ａを６質量部添加し、導電膜形成用組成物の総量が１００質量部となるようイオン交換水の量を調整し、照射エネルギーを４．５Ｊ／ｃｍ²に代えた以外は、実施例２と同様にして、導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。
なお、本明細書の実施例において、（Ｅ）金属触媒として酢酸パラジウムを使用する場合、上記の液Ａと同様の混合物が使用された。

＜実施例４〜７、比較例２＞
（Ｂ）ポリオール系有機溶媒を下記表１に記載した成分を同表に示す割合となるよう用い、照射エネルギーを下記表１の値に代えた他は実施例３と同様にして導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。なお実施例５の照射エネルギーの値は実施例３と同じである。

＜比較例３＞
平均１次粒子径４８ｎｍの酸化第二銅ナノ粒子２（酸化第二銅ナノ粒子、シーアイ化成株式会社製）を用いた以外は実施例１と同様にして、導電膜形成用組成物、導電膜を作製した。

＜比較例４＞
（酸化第二銅ナノ粒子３の合成）
硝酸銅（和光純薬工業株式会社製）の所定量を精製水に溶かし、０．１ｍｏｌ／ｌの硝酸銅水溶液をあらかじめ調製した。エチレングリコール１００ｍｌをガラス製２００ｍｌフラスコにとり、オイルバスで９０℃に加熱した。ここに、上記硝酸銅水溶液と０．２ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液をそれぞれ１５ｍｌずつ１０秒以内に添加し、１０分間加熱して、酸化第二銅微粒子を得た。その後、遠心分離（１００００Ｇ，３０分）により粒子を回収した後、イオン交換水中に再分散させ、その後イオン交換水を用いて限外ろ過を行うことにより不純物を除き、濃縮して酸化第二銅粒子濃度が３０質量％の酸化銅ペーストを得た。ＸＲＤ分析により、３５．５°、および３８°付近にそれぞれ（００２）、（１１１）面に由来する強い回折ピークを観測し、得られた粒子が酸化第二銅であることを確認した。また、ＴＥＭ観察の結果、得られた酸化第二銅ナノ粒子３の平均１次粒子径は４ｎｍであった。

（導電膜形成用組成物、導電膜の作製）
上記のとおり得られた、酸化第二銅ナノ粒子３を含む酸化第二銅分散物（４０質量部）と、（Ｂ）ジエチレングリコールを（７．８質量部）、イオン交換水１７．２質量部、（Ｄ）１−ブタノール（３質量部）、エタノール（３２質量部）とを混合し、超音波分散処理することで導電膜形成用組成物を得た。
また、上記のとおり得られた導電膜形成用組成物を用いて実施例１と同様にして導電膜を作製し、評価した。

＜実施例８＞
（酸化第二銅ナノ粒子４の合成）
酸化第二銅ナノ粒子の合成に際に、添加する硝酸銅水溶液および水酸化ナトリウム水溶液の量を４倍にした以外は、実施例１と同様にして酸化第二銅ナノ粒子４を得た。酸化第二銅ナノ粒子４の平均１次粒子径は１０ｎｍであった。
（導電膜形成用組成物、導電膜の作製）
上記のとおり得られた、酸化第二銅ナノ粒子４を含む酸化第二銅分散物を用いる以外は、実施例４と同様に導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。

＜実施例９＞
ジエチレングリコールのかわりにエチレングリコールを用い、エチレングリコール量を表１に記載の量とし、導電膜形成用組成物の総量が１００質量部となるようイオン交換水の量を調整した以外は実施例８と同様に導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。
＜実施例１０、１１＞
（Ｂ）ポリオール系有機溶媒、（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物について下記表１に示す成分を同表に示す量で使用し、Ｗｅｔ膜の厚みを４０μｍとし、照射エネルギー、照射回数を表１に示す値に代えた以外は実施例８と同様に導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。なお実施例１１は（Ｅ）金属触媒を使用しなかった。
＜実施例１２〜１５＞
（Ｂ）ポリオール系有機溶媒、（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物について下記表１に示す成分を同表に示す量で使用し、照射エネルギーを表１に示す値に代えた以外は、実施例８と同様に導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。なお実施例１２は（Ｅ）金属触媒を使用しなかった。また実施例１２の照射エネルギーは実施例８と同じであった。実施例１５のジエチレングリコールの量は実施例８と同じであった。

＜実施例１６＞
気相法で作製した、平均１次粒子径２８ｎｍの酸化第二銅ナノ粒子５を用いる以外は実施例４と同様にして導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。
＜実施例１７＞
１−ブタノール及びエタノールの代わりにイオン交換水を添加した以外は、実施例１２と同様にして導電膜形成用組成物、導電膜を作製し、評価した。

表１中の「ｗｔ％」は「質量％」を意図する。
また、表１中、「ポリエチレングリコール Ｍｗ２００００」は、重量平均分子量２０，０００のポリエチレングリコール（和光純薬工業（株）社製）を意図する。
また、表１中、各実施例、比較例において、（Ａ）酸化第二銅ナノ粒子（正味の量）、（Ｂ）ポリオール系有機溶媒、（Ｃ）ポリオキシアルキレン系化合物、（Ｅ）金属触媒の量を、導電膜形成用組成物全体中の濃度で示した。

上記表１に示すように、本発明の導電膜形成用組成物を使用した場合、形成された導電膜は欠陥が少なく、導電性にも優れることが確認された。
また、実施例８、４、１６の比較からわかるように、α１／α２が所定の範囲である場合、平均１次粒子径がより小さく、α１／α２がより大きいほど、導電膜の導電性がより優れ、欠陥の発生をより抑制できることが確認された。

一方、比較例１に示すように、ポリオール系有機溶媒の沸点が所定の範囲より小さい場合、導電性、欠陥発生の抑制に劣ることが確認された。
また、比較例２に示すように、ポリオール系有機溶媒の沸点が所定の範囲より大きい場合、導電性に劣ることが確認された。また、ポリオール系有機溶媒の沸点が所定の範囲より大きい場合、α１／α２が所定の範囲より小さくなった。このことから、ポリオール系有機溶媒の沸点が高すぎると酸化第二銅ナノ粒子の分散性が低くなると推測される。
また、比較例３、４に示すように、α１／α２が所定の範囲外である場合、導電性、欠陥発生の抑制に劣ることが確認された。

Claims (14)

1. 酸化第二銅ナノ粒子と、
   沸点１９０〜３４０℃であるポリオール系有機溶媒とを少なくとも含有する、導電膜形成用組成物であって、
   分光光度計により測定された波長４００ｎｍおよび波長６００ｎｍにおける吸光度の比が以下の式１を満たす、導電膜形成用組成物。
   式１ ５＞α１／α２＞３
   式１中、α１は波長４００ｎｍにおける組成物の吸光度を表し、α２は波長６００ｎｍにおける組成物の吸光度を表す。
2. 前記酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径が２〜２５ｎｍである、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
3. さらに、重量平均分子量１，０００以上のポリオキシアルキレン系化合物を含有する、請求項１または２に記載の導電膜形成用組成物。
4. 前記ポリオキシアルキレン系化合物がポリエチレングリコールである、請求項３に記載の導電膜形成用組成物。
5. 前記酸化第二銅ナノ粒子の、動的光散乱法により測定される累積体積粒度分布における粒子径２００ｎｍ以上の粒子の割合が、前記酸化第二銅ナノ粒子全体の１５％以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
6. さらに、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下で沸点５０〜１８０℃である、アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒を含有し、
   前記アルコール系有機溶媒またはケトン系有機溶媒の含有量が、組成物全質量に対して、１〜５０質量％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
7. 前記酸化第二銅ナノ粒子と前記ポリオール系有機溶媒との質量比が、１：０．００５〜１：２である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
8. 前記酸化第二銅ナノ粒子と前記ポリオキシアルキレン系化合物との質量比が、１：０．０１〜１：０．５である、請求項３〜７のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
9. 前記ポリオール系有機溶媒がジオールまたはトリオールである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
10. 前記ポリオール系有機溶媒が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、トリメチロールプロパン及びグリセリンからなる群から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
11. さらに、金属触媒を含有し、
    前記酸化第二銅ナノ粒子と前記金属触媒との質量比が、１：０．００１〜１：０．１である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
12. 前記α１／α２が、４より大きく５未満である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
13. 前記酸化第二銅ナノ粒子が湿式法で製造されたものであり、かつ、前記酸化第二銅ナノ粒子の平均１次粒子径が２〜２５ｎｍである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
14. 請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を樹脂基材上に塗布し、塗膜を形成する工程と、
    前記塗膜に対して光照射処理を行い、前記酸化第二銅ナノ粒子を還元して金属銅を含有する導電膜を形成する工程とを備える、導電膜の製造方法。