JP2004071467A - 接続材料 - Google Patents

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Abstract

【課題】安価に、かつ、低温での加熱処理によって、金属相互間を接合する接続材料を提供する。
【解決手段】有機分散媒中に、粒子径が200nm以下で、還元されて得られる金属の体積抵抗値が10−3Ωcm以下である金属酸化物微粒子を分散液全体の5重量%以上90重量%以下含有する金属酸化物分散液を用い、金属酸化物微粒子を還元することによって金属間接合をとる。
【選択図】 選択図なし

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属間の接続技術に関し、詳しくは、例えば電子部品同士、あるいは、電子部品と電子回路基板の間の接続、または、電子回路基板内の層間接続の材料として好適に用いられる、接続材料に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子回路基板上への電子部品の搭載等低温での金属間の接合には、錫―鉛共晶はんだが一般に用いられている。錫―鉛共晶はんだはその融点が約183℃と低温であり、耐熱性のそれ程高くない樹脂基板上でも使用可能であることから、特に民生電子機器用途に多用されてきた。一方、近年、鉛の環境・生体への悪影響が指摘されており、鉛を含まないはんだが求められている。
【0003】
鉛を含まないはんだに関しさまざまな組成のはんだが提案されているが、はんだの融点が錫−鉛共晶はんだに比べて高く、耐熱性の低い電子回路基板や搭載する電子部品が使えない、または、リフロー時の基板面の温度むらが大きくなって、大型回路基板に使いにくい、という問題が発生している。
さらに、鉛を含まないはんだと金属面の界面には強度が弱い金属間化合物が形成され、電気的な接続信頼性に問題があるという指摘がなされており、改善が求められている。
【0004】
また、通常はんだの使用にあたっては、金属表面上に存在する酸化被膜を除去するために、フラックスが用いられる。フラックスは残存すると回路故障を引き起こす問題があり、はんだ付け後に基板を十分に洗浄しなければならず、作業工程が増え、また大量の廃水が発生するという問題がある。
金属フィラーの粒径を低減すると、金属の融点が低下し、低温で金属−金属結合を形成することは公知であって、例えば、第2561537号特許公報には、粒径100nm以下の金属微粒子を分散した分散液を用いて低温で金属薄膜を形成する方法が開示されている。また、特開2002−126869には、アミノ化合物によって被覆された1〜100nmの金属微粒子分散液を用いて金属間をロウ付けする方法が開示されている。
【0005】
しかしながら、ここで必要となる100nm以下の金属粒子の製造は低圧雰囲気で揮発した金属蒸気を急速冷却する方法であるために、大量生産が難しく、従って金属フィラーの値段が大変高いという問題を有している上、アミノ化合物等の金属微粒子安定剤、及びこの安定剤を引き剥がすための添加剤が必要であって、これらの化合物が金属接合部分の安定性に悪影響を及ぼす懸念がある。
一方、粒径の小さな金属酸化物フィラーを用いて金属薄膜を形成するという方法も知られている。特開平5−98195には、結晶性高分子を含み粒径300nm以下の金属酸化物を分散させた金属酸化物ペーストを、加熱し結晶性高分子を分解させて金属薄膜を得るという方法が開示されている。しかしながらこの方法では、300nm以下の金属酸化物を結晶性高分子中にあらかじめ分散させる必要があり非常な手間を必要とするのに加えて、結晶性高分子を分解するのに400℃〜900℃の高温を必要とする。従って、低温で金属−金属接合を形成するという目的に適うものではない。
【0006】
以上のように、粒径の小さな金属あるいは金属酸化物フィラーを分散させた分散液を基材上に塗布・充填し、さらに加熱処理して金属間接合を得る方法は、鉛をもちいないので環境負荷が少なく、さらにプロセスコストの安い方法ではあるが、フィラーが非常に高価であるか、特殊な保護添加剤が必要である、または加熱処理温度が高いという問題があって、実用化されていないのが現状である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、安価に、かつ、低温での加熱処理によって、金属相互間を接続する方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の如き状況にある金属相互間の接合材料について鋭意検討を進めた結果、有機分散媒中に粒子径が200nm以下の金属酸化物微粒子を5重量%以上90重量%以下含有する金属酸化物分散液を用いた接続材料が、安価で、かつ低温での加熱処理で金属間接合が可能な材料であることを見出した。
【0009】
すなわち本発明の分散液は、
1.有機分散媒中に、粒子径が200nm以下で、還元によって得られる金属の体積抵抗値が10−3Ωcm以下である金属酸化物微粒子を分散液全体の5重量%以上90重量%以下含有する金属酸化物分散液。
2.前記金属酸化物分散液の分散媒が、炭素数10以下のポリオールであることを特徴とする項1に記載の金属酸化物分散液。
3.前記金属酸化物分散液中に、ポリエーテルを分散液総重量に対して0.1〜70重量%含有することを特徴とする前項1、あるいは2に記載の金属酸化物分散液。
【0010】
4.ポリエーテルが、ポリエチレングリコール及び/またはポリプロピレングリコールであって、その分子量が250〜1500の範囲にあることを特徴とする前項3記載の金属酸化物分散液。
5.前記金属酸化物分散液中に、金属粉を、該金属粉と金属酸化物微粒子の含有量が分散液全体の5重量%以上95重量%以下となるような分量で含有することを特徴とする前項1〜4いずれかに記載の金属酸化物分散液。
6.前記金属酸化物分散液中に熱硬化性樹脂を分散液総重量に対して0.1〜20重量%含有することを特徴とする前項1〜5いずれかに記載の金属酸化物分散液。
【0011】
7.金属酸化物微粒子が、酸化銅、酸化銀のいずれかであることを特徴とする前項1〜6いずれかに記載の金属酸化物分散液。
8.前記金属酸化物分散液中に金属酸化物を還元しうる還元剤を、分散液総重量に対して0.5〜20重量%含有することを特徴とする前項1〜7いずれかに記載の金属酸化物分散液。
9.室温以上400℃以下の温度、4時間以内の加熱処理で金属酸化物を還元することによって製造されることを特徴とする、前項1〜8いずれかに記載の金属酸化物分散液を用いた接続材料の製造方法。
10.非酸化性雰囲気中において加熱処理することを特徴とする、前項9に記載の金属酸化物分散液を用いた接続材料の製造方法、である。
【0012】
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明に用いられる粒子径が200nm以下の金属酸化物は、非酸化性雰囲気中での加熱処理、あるいは還元剤によって金属に還元されるものであって、かつ、還元されて得られる金属の体積抵抗値が10−3Ωcm以下であれば使用可能である。体積抵抗値がこれより高いものは導電性の接続材料としては不適当である。好適に使用出来る金属酸化物は例えば、酸化銅、酸化銀、酸化ニッケル、酸化パラジウム、等を例示することが出来る。中でも、容易に還元が可能な酸化銅あるいは酸化銀が最も好ましく用いられる。酸化銅としては、酸化第一銅、酸化第二銅のいずれも使用可能である。酸化銀としては、酸化第一銀、酸化第二銀、酸化第三銀がありいずれも使用可能であるが、粒子の安定性から、酸化第一銀がより好ましい。
【0013】
これらの金属酸化物の粒子径は200nm以下であり、好ましくは100nm以下、更に好ましくは50nm以下である。金属粉の粒子径が200nmを越えると、金属接合層の平滑性が低下する。
分散液に分散させる金属酸化物微粒子の重量は、分散体総量に対して5重量%以上、90重量%以下であり、好ましくは30重量%以上80重量%以下である。5重量%未満の場合には金属接合層に必要な強度が十分発現せず、また、90重量%より大きい場合には分散液の粘度が上昇して、接合面への分散液の塗布・充填が難しくなるので好ましくない。
【0014】
これらの金属酸化物微粒子は市販品を用いてもかまわないし、公知の合成方法を用いて合成することも可能である。例えば、粒子径が200nm以下である酸化第一銅の合成方法としてはアセチルアセトナト銅錯体をポリオール溶媒中で200℃程度で加熱して合成する方法が公知である(アンゲバンテ ケミ インターナショナル エディション、40号、2巻、p.359、2001年)。
本発明に使用し得る有機分散媒は、粒子径が200nm以下の金属酸化物を均一に分散可能なものであれば良いが、特に好ましいのは炭素数が10以下のポリオール溶媒である。ポリオールとは、分子中に2個以上の水酸基を有し、室温において溶液である化合物であり、エチレングリコール、ジエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール等が使用可能である。これらのポリオール溶媒は単独で用いても良いし、複数のポリオール溶媒を混合して用いてもよい。
【0015】
前記金属酸化物分散液にポリエーテルが添加されていれば、還元によって得られる金属接合層の緻密性が向上するので好ましい。本発明に使用し得るポリエーテルは、骨格中にエーテル結合を有する高分子であって、一部が他の官能基によって置換されていても良いが、用いる有機分散媒に均一に分散する必要がある。溶媒への分散性の観点から、非結晶性のポリエーテルが好ましく、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール等を例示することができる。中でも工業的に入手が可能なポリエチレングリコールまたはポリプロピレングリコールが最も好ましい。
【0016】
これらのポリエーテルの分子量は250〜1500が好ましく、300〜900であればさらに好ましい。分子量が大きすぎると有機分散媒への分散性が十分でなくなり、小さすぎると加熱還元処理して得られる金属の緻密性が低下する。分散体に加えるポリエーテルの量は、分散媒とポリエーテルの総重量に対して0.1〜70重量%、さらに好ましくは1〜50重量%である。ポリオールの添加量が0.1重量%未満である場合には、金属酸化物から還元によって得られる金属接続層の緻密性が高くなく、また基材との密着性も大きくないので好ましくない。また、ポリオールの添加量が70重量%を超えると分散体の粘度が高くなりすぎるので好ましくない。
【0017】
前記金属酸化物分散液中に金属粉を含有させると、加熱処理によって得られる金属接合層の特性を改善すると同時に、使用する金属酸化物微粒子の量を削減することが可能であり、好ましい。使用しうる金属粉には特に制限はなく、銅、銀、ニッケル、錫、インジウム、亜鉛、アルミニウム、パラジウム、コバルト、鉄、等を例示することができ、1種、あるいは複数種の金属粉を、目的に応じて選択すればよい。高い導電性を求める場合には、工業的に安価に入手が可能な銀、ニッケル、が特に好ましく用いられる。また、金属接合層に、耐マイグレーション性を必要とする場合には、耐マイグレーションに強い銅粉を多く加えればよい。これらの金属粉の粒子径は、好ましくは100μm以下、更に好ましくは10μm以下である。金属粉の粒子径が100μmより大きい場合には、金属粉と金属酸化物微粒子のサイズの違いが大きすぎ、金属接合層の平滑性が低下するので好ましくない。
【0018】
金属粉と金属酸化物微粒子の含有量は分散液全体の5重量%以上95重量%以下となるよう調整するのが好ましい。分散媒中の金属粉と金属酸化物微粒子の含有量が95重量%を超える場合は分散液の粘度が上昇して、接合面への分散液の塗布・充填が難しくなるので好ましくない。また、金属粉と金属酸化物微粒子の比率は重量比9:1〜1:9となるのが好ましい。異種の金属を混合することにより、それぞれの金属の有する特徴(例えば導電性、耐マイグレーション性等)を加味することができるが、その効果は、上記比率範囲内でよりよく発現される。
【0019】
前記金属酸化物分散液中に熱硬化性樹脂を添加すれば、加熱硬化によって金属面との接着性が向上し、また強度が向上するので好ましい。使用しうる熱硬化性樹脂は、使用する有機分散媒に可溶であって、また金属酸化物微粒子の分散性を悪化させない限りにおいて特に制限はない。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、レゾール樹脂、等を例示できる。エポキシ樹脂の中では、ポリオール溶媒に良く分散できる、アルコール型エポキシ樹脂がより好ましく用いられる。例えば、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル等を例示することができる。エポキシ樹脂の硬化剤としては、ポリチオール、脂肪族アミン、芳香族アミン、等を例示できる。硬化剤は、硬化直前に分散液に添加しても良いし、加熱によって硬化性官能基が発生するマイクロカプセル型潜在硬化剤をあらかじめ分散液に添加しておき、加熱硬化することも可能である。加える熱硬化性樹脂の量は、分散媒とポリエーテルと該熱硬化性樹脂の総重量に対して好ましくは0.1〜20重量%、さらに好ましくは1〜10重量%である。熱硬化性樹脂の量が0.1重量%未満では添加の効果が小さく、また20重量%を超えると、金属接合層の導電性が著しく低下するので、ロウ付け材料としては不適である。
【0020】
さらに、金属酸化物を還元しうる還元剤が分散液中に添加されていてもよい。この場合、金属酸化物を還元できる限りにおいて、使用可能な還元剤に特に制限はなく、例えば、ヒドラジンおよびその水和物、ホルムアルデヒド、グリオキザール、水素化ホウ素ナトリウム、等を例示することができる。還元剤の含有量は、分散液総重量に対して、好ましくは0.1〜20重量%、更に好ましくは1〜10重量%である。
【0021】
次に、本発明の分散液の調製方法について説明する。
金属酸化物微粒子及び上に記した他の添加物を有機分散媒に分散させる方法としては、粉体を液体に分散する一般的な方法を用いることができる。例えば、超音波法、ミキサー法、3本ロール法、ボールミル法、等を挙げることができる。通常は、これらの分散手段の複数を組み合わせて分散を行う。これらの分散処理は室温で行っても構わないし、溶媒の粘度を下げるために、加熱して行っても構わない。200nm以下の粒子径を有する金属酸化物を本発明で用いる有機分散媒中にて合成することによって、金属酸化物の分散処理を省略することも可能である。
【0022】
次に、本発明の分散液を用いた接合材料の製造方法について説明する。
金属酸化物分散液を接合する面へ塗布・充填する方法は、分散液を基板に塗布する場合に用いられる一般的な塗布方法が用いられ、例えば、スクリーン印刷方法、ディップコーティング方法、スプレー塗布方法、スピンコーティング方法、ディスペンス印刷方法、等が例示される。
金属酸化物分散液を接合する金属面に塗布・充填した後に、非酸化性雰囲気中で、金属酸化物を金属に還元するに充分な温度で加熱処理することによって、接合すべき金属面間に金属結合を形成させる。ここで、非酸化性雰囲気とは、酸素を含まない雰囲気を指し、アルゴンや窒素等の不活性ガスで満たされた不活性雰囲気であるか、水素、一酸化炭素等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。これらのガスを焼成炉中に充填して密閉系とするか、あるいは焼成炉を流通系にしてこれらのガスを流しながら加熱処理を行う。還元性ガス雰囲気は不活性ガス雰囲気よりも還元温度を低下させるので、還元温度を低くするために好ましい。例えば、水素ガス雰囲気下、酸化第二銅微粒子は、130℃程度で金属銅微粒子に還元される。金属酸化物微粒子を還元するに好ましい加熱処理温度は室温以上400℃以下、さらに好ましくは50℃以上400℃以下、特に好ましくは100℃以上400℃以下の温度である。還元時間は好ましくは4時間以下であり、さらに好ましくは2時間以下である。
【0023】
加熱処理によって金属酸化物を還元すると同時に、分散媒を揮発させるためには、分散媒の沸点以上の焼成温度が好ましい。例えば沸点が197℃であるエチレングリコールを用いる場合には、例えば200℃の加熱処理温度を用いることで、分散媒の揮発と同時に金属接合層が形成する。また、分散液中にポリエーテルを含む場合には加熱処理によってポリオールを分解・揮発させる必要があるが、還元性ガス存在下では約200℃程度で分解される。さらに、分散液中に熱硬化性樹脂を含む場合には加熱処理によって熱硬化性樹脂を加熱硬化させる必要があるが、通常150℃〜200℃の範囲に加熱硬化温度を設定することが可能である。
【0024】
現在、鉛を含まないはんだを用いる場合、そのリフロー温度は250℃〜270℃程度であり、本発明の接合材料は、その温度に比べて同程度あるいは低い温度で金属間接合をとることが可能である。
金属酸化物を還元しうる還元剤が分散液中に添加されている場合には、大気中で還元を行なうことが可能である。強い還元剤を含有させることにより、低温で金属酸化物を還元させる方法も採りうる。例えばヒドラジンのように、還元作用が十分強い還元剤を用いる場合には、室温においてもロウ付けが可能である。
【0025】
【発明の実施の形態】
次に実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるべきではない。なお、以下の実施例中、比較例中に記載の金属酸化物粒子の粒径は、堀場製作所製レーザー散乱式粒度分布計(LA−920)を用い測定した。金属酸化物微粒子分散液より得られた金属構造体の体積抵抗値は、低抵抗率計ロレスタ−GP(三菱化学株式会社製)を用いて求めた。
【0026】
【実施例1】
ポリエチレングリコール(平均分子量600、和光純薬工業製)0.5gとエチレングリコール(和光純薬工業製)4.5gを混合し、ここに酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)5gを加え、株式会社キーエンス社製攪拌脱泡機(HM−500)にて、攪拌モード10分、脱泡モード5分の条件で分散処理を行った。得られた酸化第二銅分散液を、シランカップリング剤(信越化学株式会社製 LS−3150)処理したシリコンウエハ上に滴下し、スピンコータ(ミカサ株式会社 1H−D7型)で、回転数3000rpmで30秒間スピンコート塗布した。酸化第二銅微粒子分散液を塗布したシリコンウエハを、焼成炉内に入れ、炉内を真空ポンプで脱気した後、水素ガスを1リットル/分の流量で流した。焼成炉の温度を室温から250℃まで1時間かけて昇温し、250℃に到達後、この温度でさらに1時間加熱処理した。冷却後、スライドガラスを取り出してスライドガラスを観察したところ、厚み0.6μmの均質な銅薄膜が形成していることを確認した。この銅薄膜の体積抵抗値は、6.1×10−6Ωcmと、低い値であった。次に、銅箔(厚み30μm)上に上記分散液を塗布し、同じ銅箔を上から重ねあわせた後に、同様の加熱処理を行なった。銅箔間に良好な金属間接合がとれていることが確認できた。
【0027】
【実施例2】
ポリエチレングリコール(平均分子量600、和光純薬工業製)1gとエタノール(和光純薬工業製)4gを混合し、ここに酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)5gを加え、実施例1と同様の条件で分散処理を行った。得られた酸化第二銅分散液を、スライドガラス上に、長さ5cm、幅1cm、厚み30μmになるように塗布した。焼成炉内に上記スライドガラスを入れ、炉内を真空ポンプで脱気した後、水素ガスを1リットル/分の流量で流した。焼成炉の温度を室温から250℃まで1時間かけて昇温し、250℃に到達後、この温度でさらに1時間加熱処理した。冷却後、スライドガラスを取り出してスライドガラスを観察したところ、厚み9μmの均質な銅薄膜が形成していることを確認した。得られた銅薄膜の体積抵抗値を測定したところ、その値は8.4×10−5Ωcmと、低い値であった。次に、実施例1と同様の方法で銅箔間の接合性を調べたところ、良好な金属間接合がとれていることが確認できた。
【0028】
【実施例3】
エチレングリコール(和光純薬工業製)4gに、錫粉(平均粒径2μm、シグマアルドリッチ社製)0.5gと酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)5gを加え、実施例1と同様の方法で分散を行い、また、同様の方法で体積低効率を測定した。体積抵抗値は1×10−4Ωcmであり、十分な導電性を示した。実施例1と同様に、銅箔間の接合試験を行い、銅箔間に良好な金属間接合がとれていることを確認した。
【0029】
【実施例4】
エチレングリコール(和光純薬工業製)4.5gに、1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル0.1gと、ポリエチレングリコール(分子量600)0.4g、酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)5gを加え、実施例1と同様の方法で分散を行った。分散後、エポキシ硬化剤としてマイクロカプセル化硬化剤(ノバキュアHX−3088、旭化成エポキシ株式会社製)0.03gを加えて、へらでかき混ぜた後、実施例2と同様の方法で体積抵抗値を測定した。体積抵抗値は7×10−5Ωcmであり、十分な導電性を示した。実施例2と同様に、銅箔間の接合試験を行い、銅箔間に良好な金属間接合がとれていることを確認した。
【0030】
【実施例5】
実施例1で作成した酸化第二銅微粒子分散液に、さらにヒドラジン1水和物0.5gを加え、へらでよくかき混ぜた。得られた分散液を、実施例2と同じようにスライドガラス上に塗布し、焼成炉中、アルゴンガスを1リットル/分の流量で流しながら室温から250℃まで1時間かけて昇温し、250℃に到達後、この温度でさらに1時間加熱処理した。得られた銅薄膜の体積抵抗値は、5×10−4Ωcmと、低い値であった。次に、実施例1と同様に、銅箔間の接合試験を行い、銅箔間に良好な金属間接合がとれていることを確認した。
【0031】
【実施例6】
ジエチレングリコール(和光純薬工業製)5gと酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)5gを、実施例1と同じ方法で分散し酸化第二銅分散液を得た。スライドガラス上に実施例2と同様に銅薄膜を形成したところ、体積抵抗値は、8.3×10−5Ωcmと、低い値であった。次に、実施例1と同様の方法で、銅箔間での加熱処理を行ない、良好な金属間接合がとれていることを確認した。
【0032】
【比較例1】
酸化第二銅微粒子(平均粒子径30nm、シーアイ化成株式会社製)の代わりに酸化第二銅粉末(平均粒子径2.8μm、和光純薬工業株式会社製)を用いる以外は実施例1と同じ条件で分散液を作成した。実施例1と同じ条件で、銅箔上に塗膜を形成し、加熱処理したところ、銅箔上に得られた銅薄膜には、微細な亀裂が多数発生した。実施例1と同様に、銅箔間の接合試験を行ったが銅箔間の接合強度は弱かった。
【0033】
【比較例2】
酸化第二銅微粒子5gと水5gを実施例1と同じ分散方法で混合し、酸化第二銅分散液を作成した。実施例1と同じ条件で、銅箔上に塗膜を形成し、加熱処理したが、銅酸化物微粒子間に均一な結合をとることができず、銅箔上には約500μmの銅粒子粉末が得られるのみであった。実施例1と同様に、銅箔間の接合試験を行ったが銅箔間の接合強度は弱かった。
【0034】
【比較例3】
酸化第二銅微粒子0.4g、ポリエチレングリコール1g、エチレングリコール8.6gを実施例1と同様の分散条件で分散を行い、酸化第二銅分散液を作成した。次に、実施例1と同様に、銅箔上に分散液を塗布し、同じ銅箔を上から重ねあわせた後に、同様の加熱処理を行なったが、銅箔間の金属間接合は弱く、接続材料としては不適であった。
【0035】
【発明の効果】
本発明の接合材料を用いることにより、安価に、かつ、低温での加熱処理によって、金属相互間を接合することが可能である。

Claims (10)

  1. 有機分散媒中に、粒子径が200nm以下で、還元によって得られる金属の体積抵抗値が10−3Ωcm以下である金属酸化物微粒子を分散液全体の5重量%以上90重量%以下含有する金属酸化物分散液。
  2. 前記金属酸化物分散液の分散媒が、炭素数10以下のポリオールであることを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物分散液。
  3. 前記金属酸化物分散液中に、ポリエーテルを分散液総重量に対して0.1〜70重量%含有することを特徴とする請求項1、あるいは2に記載の金属酸化物分散液。
  4. ポリエーテルが、ポリエチレングリコール及び/またはポリプロピレングリコールであって、その分子量が250〜1500の範囲にあることを特徴とする請求項3記載の金属酸化物分散液。
  5. 前記金属酸化物分散液中に、金属粉を、該金属粉と金属酸化物微粒子の含有量が分散液全体の5重量%以上95重量%以下となるような分量で含有することを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載の金属酸化物分散液。
  6. 前記金属酸化物分散液中に熱硬化性樹脂を分散液総重量に対して0.1〜20重量%含有することを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載の金属酸化物分散液。
  7. 金属酸化物微粒子が、酸化銅、酸化銀のいずれかであることを特徴とする請求項1〜6いずれかに記載の金属酸化物分散液。
  8. 前記金属酸化物分散液中に金属酸化物を還元しうる還元剤を、分散液総重量に対して0.5〜20重量%含有することを特徴とする請求項1〜7いずれかに記載の金属酸化物分散液。
  9. 室温以上400℃以下の温度、4時間以内の加熱処理で金属酸化物を還元することによって製造されることを特徴とする、請求項1〜8いずれかに記載の金属酸化物分散液を用いた接続材料の製造方法。
  10. 非酸化性雰囲気中において加熱処理することを特徴とする、請求項9に記載の金属酸化物分散液を用いた接続材料の製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016360A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Nippon Shokubai Co Ltd 導電性金属被膜の製造方法
JP2008177378A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2008244242A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法、複合金属体及びその製造方法
JP2012191238A (ja) * 2012-06-15 2012-10-04 Hitachi Ltd 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法
JP2013039580A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 加熱接合用材料、加熱接合用シート体、及び加熱接合用成形体
WO2013125022A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2013182901A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Mitsubishi Materials Corp 接合材料、パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法
JPWO2016031404A1 (ja) * 2014-08-28 2017-04-27 富士フイルム株式会社 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法
EP3163601A3 (en) * 2009-01-23 2017-08-09 Nichia Corporation Method of producing a semiconductor device by bonding silver or silver oxide on a surface of a semiconductor element with silver oxide on a surface of a base
JP7477581B2 (ja) 2017-03-16 2024-05-01 旭化成株式会社 分散体並びにこれを用いた導電性パターン付構造体の製造方法及び導電性パターン付構造体

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016360A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Nippon Shokubai Co Ltd 導電性金属被膜の製造方法
JP2008177378A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2008244242A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法、複合金属体及びその製造方法
EP3163601A3 (en) * 2009-01-23 2017-08-09 Nichia Corporation Method of producing a semiconductor device by bonding silver or silver oxide on a surface of a semiconductor element with silver oxide on a surface of a base
EP3151268A3 (en) * 2009-01-23 2017-08-09 Nichia Corporation Method of producing a semiconductor device by bonding silver oxide on a surface of a semiconductor element with silver or silver oxide on a surface of a base
JP2013039580A (ja) * 2011-08-11 2013-02-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 加熱接合用材料、加熱接合用シート体、及び加熱接合用成形体
WO2013125022A1 (ja) * 2012-02-24 2013-08-29 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2013182901A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Mitsubishi Materials Corp 接合材料、パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法
JP2012191238A (ja) * 2012-06-15 2012-10-04 Hitachi Ltd 導電性焼結層形成用組成物、これを用いた導電性被膜形成法および接合法
JPWO2016031404A1 (ja) * 2014-08-28 2017-04-27 富士フイルム株式会社 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法
JP7477581B2 (ja) 2017-03-16 2024-05-01 旭化成株式会社 分散体並びにこれを用いた導電性パターン付構造体の製造方法及び導電性パターン付構造体

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