TW201435360A - 用於偵測壓縮品質之電阻量測設備及使用其之量測方法 - Google Patents

Abstract

一種用以偵測壓縮品質的電阻量測設備包含配置以藉由接觸顯示裝置之壓縮電阻量測標記而量測電阻的探針、用以支撐探針的探針支件、以及耦合至探針支件且配置以控制探針的位置的轉矩馬達。

Description

用於偵測壓縮品質之電阻量測設備及使用其之量測方法

本發明之所述實施例係涉及一種用於偵測壓縮(compression)品質之電阻量測設備及使用其之量測方法。

於平板顯示裝置如有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)等的製程中，係使用各向異性導電膜(anisotropic conductive film，ACF)執行壓縮製程。這樣的壓縮製程可包含玻璃上膜(film on glass，FOG)接合製程(bonding process)、玻璃上晶片(chip on glass，COG)接合製程等。

為確保穩定地壓縮品質，通過光學視覺偵測壓縮部分(如，準線(alignment)或壓痕(indentation))之壓縮特性。然而，這樣使用光學視覺的偵測過程因為不能夠數位化損壞程度，而可能增加成品的劣率，且損壞可能引起累進損壞與可靠度損壞。

為降低或最小化損壞程度，可使用能夠數位化損壞程度並轉換損壞程度為客觀損壞數據(objective failure data)之電性偵測方法。因此，使用探針量測壓縮部分的電阻，但電阻量測可能依據例如探針接觸壓縮部分的深度、複數個探針接腳之間的平整度等因素而產生差異。

此外，當通過探針施加之電源電流明顯地高於壓縮部分可承受的電流時，壓縮部分可能損壞。當電源電流明顯地低於壓縮部分的電阻時，則會因為雜訊而不能準確地量測壓縮部分的電阻。

上述於背景部分所揭露之資訊只為加強對所述技術之背景的理解，且其可包含未構成所屬領域具有通常知識者已知之先前技術的資訊。

本揭露技術提供一種用於偵測壓縮品質以減少或最小化由於量測偏差或量測雜訊而造成的量測電阻之誤差之電阻量測設備、及使用其之量測方法。

根據本揭露之一實施例之用以偵測壓縮品質之電阻量測設備可包含配置以藉由接觸顯示裝置之壓縮電阻量測標記而量測電阻的探針、用以支撐探針的探針支件、以及耦合至探針支件且配置以控制探針的位置的轉矩馬達，。

電阻量測設備可進一步包含耦合至探針支件且配置以感測探針之位移的位移感測器。

探針可包含配置以直接接觸壓縮電阻量測標記的複數個探針接腳。

探針接腳之垂直位置可由轉矩馬達控制。

電阻量測設備可進一步包含配置以具有顯示裝置架設於其上，且配置以控制顯示裝置的垂直位置的台階。

本揭露之另一實施例提供一種用於偵測壓縮品質之量測電阻的方法。此方法可包含以探針支件中之位移感測器來感測探針之位移、根據所感測之探針之位移以探針支件中之轉矩馬達來控制探針的位置、以及藉由探針之複數個探針接腳接觸顯示裝置之壓縮電阻量測標記而量測顯示裝置之壓縮部分之電阻。

電阻量測可包含依序地施加相對較小的偵測電流至相對較大的偵測電流於壓縮電阻量測標記。

電阻量測可進一步包含施加第一偵測電流至壓縮電阻量測標記、以及當第一量測電阻大於第一參考電阻時，輸出根據第一偵測電流所量測的第一量測電阻。

方法可進一步包含當第一量測電阻小於第一參考電阻時，施加大於第一偵測電流之第二偵測電流至壓縮電阻量測標記、以及當第二量測電阻大於第二參考電阻時，輸出根據第二偵測電流所量測的第二量測電阻。

方法可進一步包含當第二量測電阻小於第二參考電阻時，施加大於第二偵測電流之第三偵測電流至壓縮電阻量測標記、以及輸出根據第三偵測電流所量測的第三量測電阻。

根據本揭露之實施例，當探針接腳接觸壓縮電阻量測標記時，用於偵測壓縮品質之電阻量測設備可使用位移感測器與轉矩馬達而控制垂直壓力，且可藉由精確地控制探針接腳的平整度來降低或最小化量測的偏差，以從而精準地量測壓縮部分的電阻。

壓縮品質可量化為客觀數據(objective data)，且可避免由於人為主觀判斷所導致之溢流誤差(outflow error)。

更進一步，不單僅是起始過程損壞，透過單純視覺偵測所無法偵測之潛在累進損壞亦可事先檢測出。

當施加偵測電流時，依據壓縮部分之電阻範圍而可變動地改變偵測電流，以可降低或最小化由於量測雜訊所造成之量測電阻中之誤差，從而精準地量測壓縮部分的電阻，且根據本發明之部分實施例之用於偵測壓縮品質之電阻量測設備可應用於包含具有各種電阻範圍之壓縮部分的顯示裝置。

10．．．探針

11．．．探針接腳

20．．．探針支件

30．．．轉矩馬達

40．．．位移感測器

50．．．台階

100．．．顯示裝置

120．．．薄膜上晶片

121、131．．．壓縮電阻量測標記

122．．．驅動晶片

123、124．．．各向異性導電膜

125、135．．．連接線

126、136．．．壓縮部分

130．．．可撓式印刷電路板

I1、I2、I3．．．偵測電流

第1圖係根據本揭露之一實施例之用於偵測壓縮品質之電阻量測設備的示意圖。

第2圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置的側視圖。

第3圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置之薄膜上晶片(chip on film，COF)的頂部平面圖。

第4圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置之可撓式印刷電路板(FPCB)的頂部平面圖。

第5圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備之電阻量測之方法的流程圖。

於下文中，本發明之實施例將參考其中繪示本發明之各種實施例之附圖而更完整的描述。所屬領域具通常知識者將理解的是，在未脫離本發明之各種實施例之精神與範疇下，描述之實施例可以不同方式修改。

圖式與描述係關於本質上的說明而非予以限制。於說明書中，相同的參考符號表示相同的元件。此外，於圖式中所繪示之各構件之尺寸及厚度可為了理解及便於說明而任意地繪示，但本發明之實施例不限制於此。

將理解的是，當元件，如層、膜、區域、或基板係稱為在另一元件之「上(on)」時，其可直接於另一元件上，或亦可存在一或多個中間元件。

第1圖係根據本揭露之一實施例之用於偵測壓縮品質之電阻量測設備的示意圖。第2圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置之側視圖。第3圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置之薄膜上晶片(chip on film，COF)的頂部平面圖。第4圖係根據本揭露之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備執行偵測之顯示裝置之可撓式印刷電路板(FPCB)的頂部平面圖。

如第1圖所示，根據一實施例之用於偵測壓縮品質之電阻量測設備可包含用以量測壓縮部分之電阻的探針10、用以支撐探針10的探針支件20、貼附於探針10以控制探針10的位置的轉矩馬達30、貼附於探針支件20以感測探針10的位移的位移感測器40、以及架設顯示裝置100以控制顯示裝置100的垂直位置的台階50。

根據本發明之一實施例，探針10藉由接觸用於量測顯示裝置100的壓縮電阻之壓縮電阻量測標記121與131(繪示於第2圖)來量測電阻。如第2圖所示，顯示裝置100使用包含驅動晶片122的薄膜上晶片(COF)120而與可撓式印刷電路板(FPCB) 130耦合。顯示裝置100通過各向異性導電膜123耦合於薄膜上晶片120之壓縮部分126，而薄膜上晶片120通過各向異性導電膜124耦合於可撓式印刷電路板130之壓縮部分136。

如第3圖所示，根據本發明之一實施例，壓縮電阻量測標記121係形成於薄膜上晶片120中。這樣的壓縮電阻量測標記121因為壓縮電阻量測標記121與穿過薄膜上晶片120之壓縮部分126的連接線125耦合，故可量測壓縮部分126的電阻。儘管已說明兩端子(2-terminal)之壓縮電阻量測標記，但根據本發明之一些實施例，亦可運用多端子(如，4端子)之壓縮電阻量測標記。

如第4圖所示，根據本發明之一實施例之壓縮電阻量測標記131係形成於可撓式印刷電路板130中。這樣的壓縮電阻量測標記131因為壓縮電阻量測標記131與穿過可撓式印刷電路板130之壓縮部分136的連接線135耦合，故可量測壓縮部分136的電阻。

於部分實施例中，探針10包含配置以分別與壓縮電阻量測標記121和131直接接觸的複數個探針接腳11。探針接腳11之垂直位置可由轉矩馬達30控制。

於部分實施例中，位移感測器40提供於探針支件20之下方部分，且配置以量測與壓縮電阻量測標記121和131接觸之探針接腳11的平整度。

轉矩馬達30使用藉由用於使探針接腳11均勻地接觸壓縮電阻量測標記121和131之位移感測器40所量測之探針接腳11的平整度來控制探針接腳11之垂直位置。

根據本發明之一實施例，當探針接腳11的垂直位置(使用位移感測器40與轉矩馬達30控制)與壓縮電阻量測標記121和131接觸時，藉由準確地控制探針接腳11的平整度，可減少或最小化量測的差異。

根據本發明之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備之量測電阻的方法現將參照第1圖至第5圖而詳細描述。

如第1圖所示，根據本發明之一實施例之使用用於偵測壓縮品質之電阻量測設備之量測方法係使用提供於探針支件20中之位移感測器40來感測探針10的位移。

使用提供於探針支件20中之轉矩馬達30參照所感測之探針10的位移來控制探針10的位置。

藉由探針10之複數個探針接腳11與壓縮電阻量測標記121與131接觸而可量測壓縮部分126與136的電阻。

如第5圖所示，根據本發明之一實施例，為了量測壓縮部分126與136的電阻而依序地施加相對較小之偵測電流I1至相對較大之偵測電流I3於壓縮電阻量測標記121及131。藉由施加這些偵測電流(I1至I3)，而可施加自動糾偏(automatic offset)至探針10，以減少或消除探針10的電阻。

參照第5圖，此於下文中將進一步地詳細描述。

根據本發明之一實施例，第一偵測電流I1施加至壓縮電阻量測標記121與131。當由第一偵測電流I1量測的第一量測電阻大於第一參考電阻時，輸出第一量測電阻。當第一量測電阻小於(如，小於或相等於)第一參考電阻時，則施加大於第一偵測電流I1的第二偵測電流I2至壓縮電阻量測標記。

當由第二偵測電流I2量測的第二量測電阻大於第二參考電阻時，輸出第二量測電阻。當第二量測電阻小於(如，小於或相等於)第二參考電阻時，則施加大於第二偵測電流I2的第三偵測電流I3至壓縮電阻量測標記。而後，輸出由第三偵測電流I3量測的第三量測電阻。

因此，於本實施例中，第二參考電阻小於第一參考電阻，且第三偵測電流小於破壞電流(destruction current)(如，可破壞壓縮部分之電阻的電流)。

舉例來說，當施加100μA的第一偵測電流I1，則當第一量測電阻大於100Ω的第一參考電阻時，輸出第一量測電阻。當第一量測電阻小於100Ω的第一參考電阻時，施加500 μA的第二偵測電流I2至壓縮電阻量測標記121與131。更進一步，當第二量測電阻大於第二參考電阻時，輸出第二量測電阻。當第二量測電阻小於50Ω的第二參考電阻時，施加1mA的第三偵測電流I3至壓縮電阻量測標記121與131，以輸出第三量測電阻。

根據部分實施例，分別各具有不同大小的電流之第一偵測電流I1、第二偵測電流I2、及/或第三偵測電流I3係依據壓縮部分126與136的電阻範圍施加於壓縮電阻量測標記121與131，以輸出第一量測電阻、第二量測電阻、或第三量測電阻。因此，漸進地增加偵測電流(例如，I1、I2、及I3)，以避免因施加明顯大於壓縮部分126與136可承受的偵測電流的偵測電流而破壞壓縮部分126與136。此外，因施加明顯小於壓縮部分126與136的電阻之偵測電流，亦可避免發生量測到雜訊。

亦即，當施加偵測電流至壓縮部分126與136時，，可依據壓縮部分126與136的電阻範圍而改變偵測電流的強度，以從而量測壓縮部分126與136的精確電阻。

於本發明之部分實施例中，可使用利用偵測電流的固定電流量測方法以量測電阻。本發明之一實施例之固定電流量測方法係藉由在電壓對電流曲線(圖式)中於最低偵測電流與最高偵測電流之間產生一斜率(slope)而量測電阻。因此，因減少之電阻量測點使穩定測量的時間相對較短，因而縮短適用於量測電阻之時間。更進一步，由於電阻量測點的數量較少因而減少量測誤差的發生，所以根據固定電流量測方法所獲得之電阻量測可為精準的。

於部分實施例中，在所量測之電阻中可能包含來自探針或周遭環境之極少量雜訊，其可通過平均雜訊來過濾。

雖然此揭露已配合目前考量可實行之例示性實施例來描述，要理解的是本發明不侷限於所揭示之實施例，而是相反的，旨在涵蓋包含於所附申請專利範圍及其等效物中之精神與範疇內之各種修改及等效配置。

10．．．探針

11．．．探針接腳

20．．．探針支件

30．．．轉矩馬達

40．．．位移感測器

50．．．台階

100．．．顯示裝置

Claims (10)

1. 一種用於偵測壓縮品質之電阻量測設備，該電阻量測設備包含：
   一探針，配置以藉由接觸一顯示裝置之一壓縮電阻量測標記而量測電阻；
   一探針支件，用以支撐該探針；以及
   一轉矩馬達，耦合至該探針支件且配置以控制該探針之位置。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電阻量測設備，其進一步包含耦合至該探針支件且配置以感測該探針之位移之一位移感測器。
3. 如申請專利範圍第2項所述之電阻量測設備，其中該探針包含配置以直接接觸該壓縮電阻量測標記之複數個探針接腳。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電阻量測設備，其中該複數個探針接腳之垂直位置係由該轉矩馬達控制。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電阻量測設備，其進一步包含配置以具有該顯示裝置架設於其上，且配置以控制該顯示裝置之垂直位置之一台階。
6. 一種用於偵測壓縮品質之量測電阻之方法，該方法包含：
   以一探針支件中之一位移感測器來感測一探針之位移；
   以該探針支件中之一轉矩馬達根據所感測之該探針之位移來控制該探針之位置；以及
   藉由將該探針之複數個探針接腳接觸一顯示裝置之一壓縮電阻量測標記而量測該顯示裝置之一壓縮部分之電阻。
7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中量測電阻包含依序地施加一相對較小偵測電流至一相對較大偵測電流於該壓縮電阻量測標記。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中量測電阻進一步包含：
   施加一第一偵測電流至該壓縮電阻量測標記；以及
   當一第一量測電阻大於一第一參考電阻時，輸出根據該第一偵測電流所量測之該第一量測電阻。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其進一步包含：
   當該第一量測電阻小於該第一參考電阻時，施加大於該第一偵測電流之一第二偵測電流至該壓縮電阻量測標記；以及
   當一第二量測電阻大於一第二參考電阻時，輸出根據該第二偵測電流所量測之該第二量測電阻。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其進一步包含：
    當該第二量測電阻小於該第二參考電阻時，施加大於該第二偵測電流之一第三偵測電流至該壓縮電阻量測標記；以及
    輸出根據該第三偵測電流所量測之一第三量測電阻。