TW201431987A - 矽氧烷樹脂的去除劑、使用其的矽氧烷樹脂的去除方法以及半導體基板製品及半導體元件的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的矽氧烷樹脂的去除劑是用以將附於半導體基板上的矽氧烷樹脂去除的去除劑，且含有極性非質子性溶劑及四級銨氫氧化物。

Description

矽氧烷樹脂的去除劑、使用其的矽氧烷樹脂的去除 方法以及半導體基板製品及半導體元件的製造方法
本發明是有關於一種矽氧烷樹脂的去除劑、使用其的矽氧烷樹脂的去除方法以及半導體基板製品及半導體元件的製造方法。
近年來，半導體基板的高性能化及積體化日益進步。隨之，半導體基板或使用其的元件的大型化或配線的微細化、多層化等進一步加速發展。另一方面，為了高密度安裝化，而封裝尺寸(package size)的小型化及薄型化成為必需。針對此種要求，提出有稱為多晶片封裝(Multi Chip Package，MCP)的技術。該技術中，於一個配線基板上以高密度安裝多個半導體元件。其中，將具有稱為矽通孔(Through Silicon Via，TSV)的貫通電極的半導體晶片積層體安裝於配線基板的一面的技術備受矚目(例如，參照專利文獻1~專利文獻3)。
於利用上述TSV的半導體基板的製造中，採用縮薄矽基板(silicon substrate)的步驟，此時為了使薄的矽基板在不破損的情況下進行加工而採用接著於支持基板進行研削的加工法。該支持基板與半導體基板是經由接著層而接合，成為適於用以使基板薄化的加工的形態。因此，對該接著劑要求良好的平坦性、使兩基板接著的接著性、矽基板的背面研削時的耐研削性。進而，就生產性及製造品質的觀點而言，耐熱性、耐化學品性、剝離性等成為必需。作為此種用途中所使用的材料，專利文獻4中提出有矽酮系樹脂。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-251145號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-212786號公報
[專利文獻3]日本專利特開2010-056139號公報
[專利文獻4]日本專利特開2012-004200號公報
與上述支持基板的暫時接合中所使用的接著層必須於加工後去除。就該觀點而言，理想為接著力受到抑制且分解性或溶解性高的接著層。另一方面，若無法維持充分的接著力與耐化學品性，則無法耐受研削加工等，兩者成為對立的性能項目。對此，本發明者針對上述半導體的TSV形成技術，以利用發揮出充分的性能的矽氧烷樹脂(矽酮樹脂)為前提，研究於無損其基本 性能的情況下將上述樹脂較佳地去除的技術。另一方面，於將該樹脂去除的步驟中，有已形成有利用鋁等的電極的情況。因此，探索可盡可能不損傷此種電極構件而將上述矽氧烷樹脂有效地去除的材料及其調配成分。
本發明的目的在於提供一種可將矽氧烷樹脂較佳地去除、並且視需要鋁等的電極的保護性(耐損傷性)優異的去除劑、使用其的矽氧烷樹脂的去除方法以及半導體基板製品及半導體元件的製造方法。
上述課題可藉由以下手段而解決。
[1]一種矽氧烷樹脂的去除劑，其是用以將附於半導體基板上的矽氧烷樹脂去除的去除劑，且含有極性非質子性溶劑及四級銨氫氧化物。
[2]如[1]所述的去除劑，更含有醇類化合物。
[3]如[1]或[2]所述的去除劑，其中極性非質子性溶劑為二甲基亞碸(dimethyl sulfoxide，DMSO)。
[4]如[1]至[3]中任一項所述的去除劑，其中上述四級銨氫氧化物為四甲基銨氫氧化物(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)、四乙基銨氫氧化物(tetraethylammonium hydroxide，TEAH)、四丁基銨氫氧化物(tetrabutylammonium hydroxide，TBAH)、或苄基三甲基銨氫氧化物(benzyl trimethyl ammonium hydroxide)。
[5]如[2]至[4]中任一項所述的去除劑，其中上述醇類化合物為2-乙基己醇(2-ethylhexanol)、苯甲醇(benzyl alcohol)、或單乙醇胺(monoethanolamine)。
[6]如[1]至[5]中任一項所述的去除劑，更含有磷酸、硼酸、有機酸、或矽化合物作為金屬腐蝕抑制劑。
[7]如[1]至[6]中任一項所述的去除劑，含有40質量%~95質量%的上述極性非質子性溶劑，含有0.1質量%~10質量%的上述四級銨氫氧化物。
[8]如[1]至[7]中任一項所述的去除劑，含有70質量%~95質量%的上述極性非質子性溶劑，含有1質量%~8質量%的上述四級銨氫氧化物。
[9]如[2]至[8]中任一項所述的去除劑，含有1質量%~50質量%的含有醇類化合物。
[10]如[2]至[9]中任一項所述的去除劑，含有0.1質量%~30質量%的金屬腐蝕抑制劑。
[11]如[1]至[10]中任一項所述的去除劑，其中矽氧烷樹脂包含聚有機矽氧烷(polyorganosiloxane)。
[12]如[1]至[10]中任一項所述的去除劑，其中矽氧烷樹脂為聚有機矽氧烷與具有環氧基(epoxy group)的樹脂的混合物，或矽酮改質環氧樹脂(silicone-modified epoxy resin)。
[13]如[1]至[12]中任一項所述的去除劑，其中矽氧烷樹脂為接著劑。
[14]如[2]至[13]中任一項所述的去除劑，其中上述醇類化合物為下述式(O-1)、下述式(A-1)或下述式(A-2)所表示的化合物，R11-(-O-R12-)n-O-H…(O-1)
(R11為碳數1以上、5以下的烷基、碳數6~10的芳基、碳數7~11的芳烷基；R12為直鏈狀或分支狀的碳數1以上、4以下的伸烷基鏈；於存在多個R12時，各個R12亦可不同；n為0以上、20以下的整數)
NRN1 2-LN1-OH…(A-1)
NRN2 2-(LN2-Y)m-LN3-OH…(A-2)
(RN1及RN2分別獨立地為氫原子、烷基、芳基、或芳烷基；LN1~LN3分別獨立地為伸烷基；Y為氧原子或亞胺基(imino group，-NRN-)，RN與RN1相同；m為1~20的整數)。
[15]如[6]至[14]中任一項所述的防蝕劑，其中上述金屬防蝕劑為下述式(S1)所表示的化合物，RS1 4Si…(S1)
(式中，RS1表示碳數1~10的烷基、碳數1~10的烷氧基、碳數6~22的芳基、或碳數6~22的芳氧基、碳數2~10的烯基、碳數1~10的醯氧基、碳數7~25的芳醯氧基、碳數2~10的肟基(oxime group)、氫原子；然而，不存在RS1全部為氫原子的情況)。
[16]一種矽氧烷樹脂的去除方法，其是使如[1]至[15]中任一項所述的去除劑接觸於附於半導體基板上的矽氧烷樹脂，而將樹脂去除。
[17]一種半導體基板製品的製造方法，包括：於半導體基板上附設矽氧烷樹脂的層的步驟；使半導體基板經由矽氧烷樹脂層接著於支持基板的步驟；對半導體基板的與支持基板相反之側進行研削而使之薄化的步驟；將支持基板自經薄化的半導體基板剝離的步驟；及使如[1]至[15]中任一項所述的去除劑接觸於附著於經薄化的半導體基板的矽氧烷樹脂，而將矽氧烷樹脂去除的步驟。
[18]如[17]所述的半導體基板製品的製造方法，其中於矽氧烷樹脂層的與半導體基板相反之側配置剝離層，經由剝離層與支持基板接著。
[19]一種半導體元件的製造方法，其是使用利用如[17]或[18]所述的製造方法獲得的半導體基板製品而製造半導體元件。
根據本發明，可將矽氧烷樹脂較佳地去除，並且可視需要實現對鋁等的電極的保護(損傷的抑制)。
本發明的上述及其他特徵及優點根據下述的記載及隨附的圖式將變得更為明確。
1a‧‧‧半導體基板
1b‧‧‧半導體基板製品(矽通孔晶片)
2‧‧‧樹脂層
3‧‧‧剝離層
4‧‧‧支持基板
9a‧‧‧孔
9b‧‧‧通孔
11‧‧‧反應容器
12‧‧‧旋轉桌台
13‧‧‧噴出口
A‧‧‧供給部
fc、fd‧‧‧流路
M‧‧‧旋轉驅動部
p‧‧‧被研削部
r‧‧‧方向
S‧‧‧半導體基板(半導體基板1a的背面)
t‧‧‧移動軌跡線
圖1是以示意的方式表示本發明的一實施方式中的半導體基板的製作步驟例(TSV形成)的剖面圖。
圖2是表示關於本發明的較佳實施方式的去除裝置的一部分的裝置構成圖。
圖3是以示意的方式表示本發明的一實施方式中噴嘴相對於半導體基板的移動軌跡線的平面圖。
本發明的去除劑含有極性非質子性溶劑及四級銨氫氧化物。於說明該成分組成等的詳情之前，基於隨附的圖式對可較佳地應用該去除劑的TSV的形成步驟(實施方式)進行說明。
[TSV形成步驟]
圖1是表示對形成有TSV(矽通孔：Through Silicon Via)的半導體基板1a進行加工而製成半導體基板製品(矽通孔晶片)1b的過程的步驟說明圖。於本實施方式的製造例中，於矽晶圓(silicon wafer)上形成有孔9a(步驟a)。此時，對矽晶圓除TSV以外亦可賦予特定的電路配線或元件構造。繼而，於上述基板1a的形成有通孔的面側依序配設樹脂層2及剝離層3(步驟b、步驟c)。其後，將上述基板1a、樹脂層2、剝離層3的複合體翻轉(flip)並 經由剝離層與支持基板4接合(步驟d)。將包括該支持基板的複合體例如連接、或載置於加工裝置，自半導體基板1a的背面S側實施研削加工(步驟e)。該研削加工只要藉由旋轉研磨等常規方法進行即可，藉由該研削將被研削部p去除，孔9a成為貫通的形態的通孔(through hole)9b。繼而，使該4層的複合體翻轉(flip)(步驟f)，將支持基板4剝離(步驟g)。此時，樹脂層2及剝離層3成為殘留於半導體基板製品1b側的狀態，藉由去除劑將其去除(步驟h)。本發明的去除劑於該樹脂層及剝離層的去除步驟中發揮出優異的效果。
本發明並不受上述說明限定而解釋。例如可列舉如下形態：不使用剝離層的形態、或製成使孔中填充有金屬的孔塞(via plug)後實施研削加工的形態、於支持基板的剝離後僅樹脂層及剝離層的一部分殘留於半導體基板側的形態、於將接著層剝離的步驟中於研削面側具有切割保護膠帶(dicing tape)等支持體的形態等。
此外，於稱為矽基板或半導體基板、或簡稱為基板時，為不僅包含矽晶圓，而且亦包含於矽晶圓上實施有電路構造的基板構造體的含義。所謂基板的構件，是指構成上述所定義的矽基板的構件，可包含一種材料，亦可包含多種材料。有時將加工完畢的半導體基板區別稱為半導體基板製品。視需要進而對其進行加工、切割並取出，將所取出的晶片及其加工、組裝製品稱為半導體元件或半導體裝置。關於基板的定向，只要無特別說明，則就圖1而言，將與矽晶圓相反之側(剝離層側)稱為「上」或「頂」， 將支持基板側稱為「下」或「底」。
[去除劑]
其次，對本發明的較佳實施方式的去除劑進行說明。
(極性非質子性溶劑)
成為去除劑的含有成分的極性非質子性溶劑可列舉：二甲基亞碸、環丁碸(sulfolane)、乙二醇二甲醚(ethylene glycol dimethyl ether)、二乙二醇二甲醚(diethylene glycol dimethyl ether)、丙二醇二甲醚(propylene glycol dimethyl ether)、丙二醇二甲醚、丙二醇正二丁醚(propylene glycol-n-dibutyl ether)、二丙二醇二甲醚(dipropylene glycol dimethyl ether)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇正二丁醚(dipropylene glycol-n-dibutyl ether)等，較佳為二甲基亞碸、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇正二丁醚，其中，尤佳為二甲基亞碸(DMSO)。
極性非質子性溶劑相對於本實施方式的去除劑的總質量，較佳為含有40質量%以上，更佳為含有50質量%以上，進而較佳為含有60質量%以上，進而更佳為含有70質量%以上，尤佳為含有80質量%以上。上限較佳為95質量%以下，進而較佳為90質量%以下。藉由設為上述上限值以下，可抑制金屬配線(例如鋁、銅)的腐蝕，故而較佳。設為上述下限值以上時，可將矽氧烷樹脂快速地去除，故而較佳。
上述極性非質子性溶劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
(四級銨氫氧化物)
四級銨氫氧化物較佳為四烷基銨氫氧化物(tetraalkyl ammonium hydroxide)(較佳為碳數4~25)。此時，於無損本發明的效果的範圍內烷基亦可經任意的取代基(例如，羥基、烯丙基(allyl group)、芳基)取代。另外，烷基可為直鏈亦可為分支，亦可為環狀。具體而言，可列舉：四甲基銨氫氧化物(TMAH)、四乙基銨氫氧化物(TEAH)、苄基三甲基銨氫氧化物、乙基三甲基銨氫氧化物(ethyl trimethyl ammonium hydroxide)、2-羥乙基三甲基銨氫氧化物(2-hydroxyethyl trimethyl ammonium hydroxide)、苄基三乙基銨氫氧化物(benzyl triethyl ammonium hydroxide)、十六烷基三甲基銨氫氧化物(hexadecyl trimethyl ammonium hydroxide)、四丁基銨氫氧化物(TBAH)、四己基銨氫氧化物(tetrahexyl ammonium ammonium hydroxide)、四丙基銨氫氧化物(tetrapropyl ammonium hydroxide)等。
其中，更佳為具有三個以上的甲基及/或乙基的四烷基銨氫氧化物。最佳為四甲基銨氫氧化物、或乙基三甲基銨氫氧化物。
四級銨氫氧化物相對於本實施方式的去除劑的總質量，較佳為含有0.1質量%以上，更佳為含有0.5質量%以上，進而較佳為含有1質量%以上，進而更佳為1.5質量%以上，尤佳為含有2質量%以上。上限較佳為含有10質量%以下，更佳為9質量%以下，進而較佳為8質量%以下。藉由設為上述上限值以下，可抑制四級銨氫氧化物的析出，故而較佳。設為上述下限值以上 時，可將矽氧烷樹脂更快速地去除，故而較佳。
上述四級銨氫氧化物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
(醇類化合物)
本發明的去除劑較佳為含有醇類化合物。醇類化合物並無特別限定，可為單元醇化合物，亦可為多元醇化合物，其中較佳為單元醇化合物。具體而言，較佳為下述的式(1)所表示的化合物。
R-OH…(1)
R為烷基(較佳為碳數1~10，更佳為碳數1~8，進而較佳為碳數3~8)、芳基(較佳為碳數6~22，更佳為碳數6~10)、或芳烷基(較佳為碳數7~23，更佳為碳數7~11)。上述的烷基、芳基、芳烷基亦可具有取代基，該取代基可列舉：胺基(amino group)(較佳為碳數0~6，進而較佳為碳數0~3)、烯丙基、鹵基(halogen group)、羧基、磺酸基(sulfo group)等。此時，烷基中亦可介隔存在醚鍵(-O-)、酯鍵(-COO-)、亞胺鍵(-NRN-：RN為碳數1~6的烷基或碳數6~10的芳基)。R較佳為直鏈或分支的未經取代的烷基(較佳為碳數1~10，更佳為碳數1~8，進而較佳為碳數3~8)、芳烷基(較佳為碳數7~23，更佳為碳數7~11)、或經胺基取代的烷基(較佳為碳數1~10，更佳為碳數1~6，進而較佳為碳數3~6)，更佳為分支的未經取代的烷基或經 -NH2取代的烷基(較佳為碳數1~10，更佳為碳數3~8)。
醇類化合物進而較佳為下述式(O-1)的化合物。
R11-(-O-R12-)n-O-H…(O-1)
．R11
R11為碳數1以上、5以下(較佳為1以上、3以下)的烷基、碳數6~10的芳基、碳數7~11的芳烷基。
．R12
R12為直鏈狀或分支狀的碳數1以上、4以下的伸烷基鏈(alkylene chain)。於存在多個R12時，各個R12亦可不同。
．n
n為0以上、20以下的整數，較佳為0以上、10以下，更佳為0以上、5以下。
醇類化合物亦較佳為下述式(A-1)或下述式(A-2)所表示的化合物。
NRN1 2-LN1-OH…(A-1)
NRN2 2-(LN2-Y)m-LN3-OH…(A-2)
RN1及RN2分別獨立地為氫原子或烷基(較佳為碳數1~10，更佳為碳數1~6，進而較佳為碳數1~3)、或芳基(較佳為碳數6 ~22，更佳為碳數6~10)、或芳烷基(較佳為碳數7~23，更佳為碳數7~11)。LN1~LN3為伸烷基(alkylene group)(較佳為碳數1~10，更佳為碳數1~6，進而較佳為碳數1~3)。Y為氧原子或亞胺基(-NRN-)，RN與RN1相同。式(A-1)及式(A-2)中的烷基及伸烷基可為直鏈亦可為分支，亦可為環結構。m為1~20的整數，較佳為1~10的整數，更佳為1~3的整數。
關於醇類化合物，若就閃點(flash point)而言，則較佳為50℃以上，更佳為60℃以上。上限並無特別限制，實際上為150℃以下。
醇類化合物的含量並無特別限定，於去除劑中，較佳為含有1質量%以上，更佳為含有2質量%以上，尤佳為含有3質量%以上。上限並無特別限制，較佳為50質量%以下，更佳為40質量%以下，尤佳為30質量%以下。藉由設為上述上限值以下，可將矽氧烷樹脂快速地去除，故而較佳。就溶解四級銨氫氧化物的觀點而言較佳為設為上述下限值以上。
上述醇類化合物可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
(水介質(aqueous medium))
本發明的去除劑中亦可含有水，較佳為使用蒸餾水或離子交換水、或超純水等淨化處理水。但是，較佳為限制水的量，較佳為抑制在20質量%以下，更佳為10質量%以下，進而更佳為8質量%以下，進一步更佳為6質量%以下，尤佳為5質量%以下。下限實際上為1%以上。藉由設為上述上限值以下，可有效地抑制金 屬配線(例如鋁、銅)的腐蝕，故而較佳。本發明的去除劑中的水分量可利用JIS標準中所記載的卡爾費雪法(Karl Fischer's method)較佳地測定(JISK0113)。
(pH值)
於本發明中，較佳為將去除劑的pH值調整為10以上，更佳為設為12以上。就將矽氧烷樹脂快速地去除的觀點而言較佳為設為上述下限值以上。
(金屬腐蝕抑制劑)
另外，為了防止金屬配線的進一步的腐蝕，亦可添加添加劑。具體而言，可列舉：磷酸、硼酸、有機酸(例如較佳為碳數2~8的有機酸，更佳為苯二甲酸(phthalic acid)、抗壞血酸(ascorbic acid)、己二酸(adipic acid)、蘋果酸(malic acid)、草酸(oxalic acid)、水楊酸(salicylic acid))、矽化合物。其中，可較佳地使用矽化合物作為腐蝕抑制劑，較佳為四乙氧基矽烷(tetraethoxy silane)、四甲氧基矽烷(tetramethoxy silane)、甲基三甲氧基矽烷(methyl trimethoxy silane)、甲基三乙氧基矽烷(methyl triethoxy silane)、乙基三甲氧基矽烷(ethyl trimethoxy silane)、乙基三乙氧基矽烷(ethyl triethoxy silane)、苯基三甲氧基矽烷(phenyl trimethoxy silane)、二苯基二甲氧基矽烷(diphenyl dimethoxy silane)。其中，較佳為甲基三甲氧基矽烷。
若進一步詳細敍述矽化合物，則較佳為下述式(S1)所表示的化合物。
RS1 4Si…(S1)
式中，RS1表示碳數1~10(較佳為1~3)的烷基、碳數1~10(較佳為1~3)的烷氧基、碳數6~22(較佳為6~10)的芳基、或碳數6~22(較佳為6~10)的芳氧基、碳數2~10(較佳為2~4)的烯基(較佳為乙烯基、烯丙基)、碳數1~10(較佳為1~3)的醯氧基、碳數7~25(較佳為7~11)的芳醯氧基、碳數2~10(較佳為2~4)的肟基、氫原子。然而，不存在RS1全部為氫原子的情況。
上述RS1亦可更具有取代基，該取代基較佳為胺基(較佳為碳數為0的胺基、碳數為1~10的烷胺基(alkylamino group)、碳數為6~18的芳胺基(arylamino group))、羥基、羧基、縮水甘油基(glycidyl group)、氧雜環丁烷基(oxetane group)等。該些取代基亦可介隔存在後述任意的連結基L而連結。
此外，如此般亦可更具有取代基的情況於後述RS2~RS3中亦相同，其範圍亦相同。進而，該些取代基的烷基、烯基可為直鏈亦可為分支、或亦可為環狀。
．烷氧基矽烷(alkoxysilane)
其中，有機矽化合物較佳為烷基(單、二、三)烷氧基矽烷或四烷氧基矽烷(以下，稱為特定烷氧基矽烷類)。特定烷氧基矽烷類較佳為下述的式(S2)所表示者。
RS2 m1Si(ORS3)m2…(S2)
RS2表示碳數1~10(較佳為1~3)的烷基、碳數2~10(較佳為2~4)的烯基、碳數6~22(較佳為6~10)的芳基。RS2於存在多個時，可相互相同亦可不同。其中，較佳為烷基，具體而言，可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基等。另外，其中較佳為甲基或乙基，尤佳為甲基。
RS3表示碳數1~10的烷基或碳數6~22(較佳為6~10)的芳基。RS3於存在多個時，可相互相同亦可不同。其中，更佳為碳數1~4(更佳為1~3)的烷基。
m1、m2為1~3的整數，且m1+m2為4。其中，較佳為m1=1、m2=3的三烷氧基矽烷化合物。
金屬腐蝕抑制劑於去除劑中，較佳為含有0.1質量%以上，更佳為含有0.5質量%以上，尤佳為含有1質量%以上。上限並無特別限制，較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，尤佳為10質量%以下。藉由設為上述上限值以下，而不會使樹脂的去除性過度降低，故而較佳。設為上述下限值以上時，可獲得良好的金屬電極的防蝕性，故而較佳。
本發明的去除劑對矽氧烷樹脂發揮出良好的去除性的理由包含尚不明確的方面，但可認為如下所述。即，由四級銨氫氧化物所供給的氫氧化物離子(OH-)作用於矽氧烷樹脂的Si-O 鍵，此處可理解為使樹脂化合物分解。關於該分解物的溶解等，推測其反應區間中極性非質子性溶劑較佳地發揮作用。進而於本發明的較佳實施方式中，可認為醇類化合物更有效地促進上述分解物的溶解等，呈現出高的去除作用。另外，作為另一較佳實施方式，可認為藉由含有上述金屬腐蝕抑制劑，而使其作為保護劑對金屬電極發揮作用，維持對矽氧烷樹脂的充分的去除性，並且提高金屬電極的耐損傷性。
上述金屬腐蝕抑制劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
(界面活性劑)
本發明中的去除劑中亦可含有界面活性劑。界面活性劑有陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、非離子界面活性劑等，並無特別限定。
所謂陰離子界面活性劑，並無特別限定，典型而言，意指分子內具有親水基與親油基，親水基的部分於水溶液中發生解離而成為陰離子、或帶有陰離子性的化合物。此處，陰離子界面活性劑可以伴有氫原子的酸的形式存在，亦可為其發生解離而成的陰離子，亦可為其鹽。若帶有陰離子性，則亦可為非解離性的陰離子界面活性劑，亦包含酸酯(acid ester)等。
上述陰離子界面活性劑較佳為碳數3以上，更佳為碳數5以上，尤佳為碳數10以上的陰離子界面活性劑。上限並不特別，實際上為碳數40以下。
碳數10以上、40以下的陰離子界面活性劑的具體例可列舉：碳數10以上、40以下的羧酸化合物、碳數10以上、40以下的膦酸化合物、碳數10以上、40以下的磺酸化合物。其中，較佳為烷基磺酸(alkyl sulfonic acid)、烷基苯磺酸(alkylbenzene sulfonic acid)、烷基萘磺酸(alkyl naphthalene sulfonic acid)、烷基二苯醚磺酸(alkyl diphenyl ether sulfonic acid)(較佳為單磺酸(monosulfonic acid)或二磺酸(disulfonic acid))、脂肪醯胺磺酸(fatty acid amide sulfonic acid)、聚氧乙烯烷基醚羧酸(polyoxyethylene alkyl ether carboxylic acid)、聚氧乙烯烷基醚乙酸(polyoxyethylene alkyl ether acetic acid)、聚氧乙烯烷基醚丙酸(polyoxyethylene alkyl ether propionic acid)、烷基膦酸(alkylphosphonic acid)、脂肪酸(fatty acid)及該些的鹽。其中，較佳為烷基二苯醚單磺酸(alkyl diphenyl ether monosulfonic acid)、烷基二苯醚二磺酸(alkyl diphenyl ether disulfonic acid)或其鹽或該些的混合物。上述「鹽」可列舉：銨鹽、鈉鹽、鉀鹽、四甲基銨鹽。
陽離子性界面活性劑可列舉氯化十六烷基吡啶(cetyl pyridinium chloride)等烷基吡啶系界面活性劑。
非離子界面活性劑具有碳數為8以上的疏水性基與一個以上的親水性基。疏水性基較佳為分別選自碳數14以上的烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、雜環基、及組合兩個以上該些基團而成的基團中的基團。親水性基較佳為包含一個以上的O原子、 N原子、S原子的基團。進而較佳的親水性基可列舉具有環氧乙烷基(ethylene oxide group)或環氧丙烷基(propylene oxide group)的基團，可列舉具有親水性基的非離子性界面活性劑，上述親水性基具有合計為6個以上的(較佳為6個以上、100個以下)包含上述兩基的重複單元。此時，疏水性基的碳數較佳為14~50，更佳為16~30。環氧乙烷基或環氧丙烷基的碳數的合計較佳為12~1000的整數，更佳為12~200的整數。
界面活性劑亦較佳為下述通式所表示的界面活性劑。
式(A)R-(CH2CH2O)nH
式(B)R-(CH2CH2CH2O)mH
式(C)R-(CH2CH2O)n(CH2CH2CH2O)mH
R表示碳數10以上、50以下的直鏈或具有分支的烴基，n、m表示1以上、100以下的整數。
R可列舉：直鏈、分支鏈、或環式的經取代或未經取代的烷基、烯基、炔基、環烷基、芳基、雜環基、或組合兩個以上該些基團而成的基團，尤佳為直鏈及分支烷基。此外，於本說明書中，關於取代基，於末尾附隨「基」這一用語來稱謂時，意味著該基團亦可具有任意的取代基。
n較佳為6~500的整數，更佳為6~100的整數。
m較佳為6~500的整數，更佳為6~100的整數。
界面活性於金屬防蝕劑中的含量並無特別限定，相對於金屬防蝕劑的總質量，較佳為於0.001質量%~5質量%的範圍內含有，更佳為含有0.01質量%~3質量%，進而較佳為含有0.05質量%~1質量%。
上述界面活性劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
於本說明書中，包括化合物的取代基或連結基的選擇、溫度、厚度等各技術事項，其所列項(list)可分別獨立地記載，亦可相互組合。
(容器)
本發明的去除劑只要抗腐蝕性等不成為問題，則可填充於任意的容器中進行保管、搬運，然後使用。另外，在半導體用途時，較佳為容器的潔淨度(cleanliness)高、雜質的溶出少的容器。可使用的容器可列舉愛賽璐化學股份有限公司(AICELLO CHEMICAL Co.,Ltd.)製造的「Clean Bottle」系列(series)、兒玉樹脂工業股份有限公司(KODAMA PLASTICS Co.,Ltd.)製造的「Pure Bottle」等，但並不限定於該些。
關於本發明的去除劑，鑒於其使用用途，較佳為液中的雜質、例如金屬成分等少。
[處理條件]
於本實施方式中，進行去除處理的條件並無特別限定，可為單片式的處理，亦可為浸漬式(批次式(batch))的處理。於單片式的處理中，使半導體基板沿特定的方向搬送或旋轉，對其空間 賦予(噴射、流入、滴加等)去除劑而接觸於上述半導體基板。另一方面，於批次式的處理中，於包含去除劑的液浴中浸漬半導體基板，於上述液浴內與半導體基板接觸。該些方式只要根據基板的構造或所去除的樹脂材料等而適當區分使用即可。
圖2是表示可較佳地用於本發明的單片式裝置的例子的裝置構成圖。關於本實施方式的去除處理，若使用該圖進行說明，則自供給部A供給所製備的去除劑(溶液組成物)，其後經由流路(flow path)fc移行至噴出口13。其後，去除劑自噴出口13噴射，應用於反應容器11內的半導體基板S的上表面。流路fd表示用以再利用化學溶液的返迴(return)路徑。於本實施方式中，半導體基板S位於旋轉桌台12上，藉由旋轉驅動部M與旋轉桌台一併旋轉。
進行處理的環境溫度較佳為40℃以上，更佳為50℃以上，尤佳為60℃以上。上限較佳為100℃以下，更佳為90℃以下。藉由設為上述上限值以下，使化學溶液起火的可能性降低而可安全地使用，故而較佳。就將矽氧烷樹脂快速地去除的觀點而言，較佳為設為上述下限值以上。
去除劑的供給速度並無特別限定，較佳為設為0.5L/min~3L/min，更佳為設為1L/min~2L/min。藉由設為上述上限值以下，可減少化學溶液的使用量，故而較佳。就提高面內的處理均勻性的觀點而言，較佳為設為上述下限值以上。於使半導體基板旋轉時，亦取決於其大小等，但就與上述相同的觀點而言，較佳為以 50rpm~500rpm旋轉。
在批次式的情況下，根據與上述相同的理由，亦較佳為將液浴設為上述溫度範圍。半導體基板的浸漬時間並無特別限定，較佳為設為0.5分鐘~30分鐘，更佳為設為1分鐘~10分鐘。
於本發明的較佳實施方式的單片式的處理中，較佳為使半導體基板沿特定的方向搬送或旋轉，對其空間噴射去除劑而使上述去除劑接觸於上述半導體基板。關於去除劑的供給速度或基板的旋轉速度，與已敍述者相同。
於本發明的較佳實施方式的單片式的裝置構成中，較佳為如圖3所示般，一面使噴出口(噴嘴(nozzle))移動，一面賦予去除劑。具體而言，於本實施方式中，在對半導體基板S應用去除劑時，基板沿r方向旋轉。另一方面，使噴出口沿著自該半導體基板的中心部分向端部分延伸的移動軌跡線t移動。如此，於本實施方式中，將基板的旋轉方向與噴出口的移動方向設定為不同的方向，藉此使兩者相互進行相對運動。其結果，可對半導體基板的整個表面無遺漏地賦予去除劑，成為可較佳地確保處理的均勻性的構成。
噴出口(噴嘴)的移動速度並無特別限定，較佳為0.1cm/s以上，更佳為1cm/s以上。另一方面，其上限較佳為30cm/s以下，更佳為15cm/s以下。移動軌跡線可為直線亦可為曲線(例如圓弧狀)。任一情況下，移動速度均可根據實際的軌跡線的距離與該移動所花費的時間而算出。
[矽氧烷樹脂]
藉由應用本實施方式的去除劑而去除的材料只要為矽氧烷樹脂則可為任意的矽氧烷樹脂，但較佳為包含聚有機矽氧烷(polyorganosiloxane)，較佳為矽酮改質環氧樹脂或具有環氧基的樹脂與聚有機矽氧烷(不含環氧基的矽酮樹脂)的混合物。
矽酮樹脂較佳為含有由下述式(1)所表示的矽氧烷單元。
-Si(R1)2O-…(1)
R1相互獨立地為碳數1~10的一價烴基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、癸基等烷基，乙烯基、烯丙基、丙烯基(propenyl group)、丁烯基等烯基，苯基、甲苯基等芳基，苄基、苯基乙基等芳烷基，該些烴基的氫原子的一部分或全部經鹵素原子等取代而成的鹵代一價烴基。較佳為甲基或苯基。亦可使R1的一部分成為-O-連結基而形成樹脂基質(matrix)。
矽酮改質環氧樹脂較佳為包含使芳香族聚合物與有機氫(organohydrogen)聚矽氧烷進行加成反應而獲得的矽酮改質環氧樹脂的矽酮改質環氧樹脂。
該芳香族聚合物可列舉下述式(2)所表示的含烯基的化合物。
R2為含縮水甘油基的基團(較佳為碳數2~10)。R3為末端含乙烯基的伸烷氧基(較佳為碳數2~10)。X為鹵素原子(溴原子等)。m為0~3的整數。
上述有機氫聚矽氧烷較佳為下述式(3)所表示的化合物。
HSi(R1)2-O-[Si(R1)2O]n-Si(R1)2H…(3)
R1與上述式(1)含義相同。n為0~200的整數，較佳為5~100。
矽氧烷樹脂亦可製成另外含有硬化劑或其他有機聚矽氧烷等的樹脂組成物。關於該矽氧烷樹脂或樹脂組成物，例如可參照日本專利特開2011-132337號公報、日本專利特開2012-004200號公報等。此外，於本說明書中，稱為「樹脂」時，是用於除特定的樹脂與其他用劑的組成物以外，亦包含該樹脂與其他樹脂的混合物的含義。
矽氧烷樹脂的組成物較佳為含有硬化劑，無特別限定，可使用公知的硬化劑。具體而言，可列舉酚樹脂系硬化劑、胺系硬化劑、酸酐系硬化劑等，其中可較佳地使用酚樹脂系硬化劑。
酚樹脂系硬化劑可使用一分子中具有至少兩個以上的酚性羥基的酚樹脂。具體而言，此種硬化劑可例示：苯酚酚醛清漆樹脂(phenol novolac resin)、甲酚酚醛清漆樹脂(cresol novolac resin)等酚醛清漆型酚樹脂，對二甲苯改質酚醛清漆樹脂、間二甲苯改質酚醛清漆樹脂、鄰二甲苯改質酚醛清漆樹脂，雙酚A(bisphenol-A)、雙酚F(bisphenol-F)等雙酚型樹脂，聯苯型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、苯酚芳烷基樹脂、含聯苯骨架的芳烷基型酚樹脂、三苯酚烷烴型樹脂及其聚合物等酚樹脂，含萘環的酚樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂、脂環式酚樹脂、雜環型酚樹脂等，該些可單獨使用一種，亦可組合使用兩種以上。
上述酚樹脂系硬化劑的軟化點較佳為60℃~150℃，尤佳為70℃~130℃。另外，羥基當量較佳為90~250。另外，酚樹脂系硬化劑較佳為使用其精製過程中殘存的鈉、鉀為10ppm(質量基準)以下的酚樹脂。在使用其精製過程中殘存的鈉、鉀超過10ppm的酚樹脂密封半導體裝置，並將半導體裝置長時間放置於高溫高濕下的情況下，有促進耐濕性的劣化的情況。
關於硬化劑的調配量，在使用環氧樹脂的情況下，只要為硬化的有效量即可，並無特別限制，較佳為相對於環氧樹脂中所含的環氧基1莫耳，與硬化劑中所含的反應性官能基(例如酚 性羥基)的莫耳比較佳為0.4~2.0，尤佳為0.6~1.8。
矽氧烷樹脂的分子量較佳為5,000~200,000，更佳為8,000~100,000。若分子量為上述下限值以上，則所獲得的被膜的強度變高，故而較佳。另一方面，分子量為上述上限值以下的矽氧烷樹脂有富有對溶劑的溶解性，而容易操作的情況。此外，於本說明書中，矽氧烷樹脂的分子量只要無特別說明則為數量平均分子量，是指利用凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography，GPC)獲得的聚苯乙烯換算的數量平均分子量。載體(carrier)只要使用可溶解測定對象樹脂的任意的載體即可，例如可較佳地使用THF(tetrahydrofuran，四氫呋喃)。
於本發明中，矽氧烷樹脂亦較佳為使用與具有環氧基的樹脂(環氧樹脂)的混合物。矽氧烷樹脂可列舉具有上述式(1)的樹脂。環氧樹脂可較佳地使用抗蝕劑(resist)用途等中所應用的通常的樹脂。矽氧烷樹脂與環氧樹脂的混合比並無特別限定。
環氧樹脂並無特別限定，可使用先前公知的各種環氧樹脂，較佳為一分子中具有至少兩個環氧基的環氧樹脂。
環氧樹脂可列舉：雙(4-羥基苯基)甲烷(bis(4-hydroxyphenyl)methane)、2,2'-雙(4-羥基苯基)丙烷(2,2'-bis(4-hydroxyphenyl)propane)或該些的鹵化物的二縮水甘油醚(diglycidyl ether)及該些的縮聚物(所謂的雙酚F型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂等)；丁二烯二環氧化物(butadiene diepoxide)；乙烯環己烯二氧化物(vinylcyclohexene dioxide)；1,2-二羥基苯(1,2-dihydroxybenzene) 的二縮水甘油醚、間苯二酚(resorcinol)的二縮水甘油醚、1,4-雙(2,3-環氧丙氧基)苯(1,4-bis(2,3-epoxypropoxy)benzene)、4,4'-雙(2,3-環氧丙氧基)二苯醚(4,4'-bis(2,3-epoxypropoxy)diphenyl ether)、1,4-雙(2,3-環氧丙氧基)環己烯(1,4-bis(2,3-epoxypropoxy)cyclohexene)等的二縮水甘油醚；己二酸雙(3,4-環氧-6-甲基環己基甲基)酯(bis(3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl)adipate)；使多元酚或多元醇與表氯醇(epichlorohydrin)縮合而獲得的聚縮水甘油醚；使苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚醛清漆型酚樹脂或鹵化酚醛清漆型酚樹脂與表氯醇縮合而獲得的環氧酚醛清漆(即，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂)；藉由過氧化法而進行環氧化的環氧化聚烯烴(polyolefin)或環氧化聚丁二烯(polybutadiene)；含萘環的環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；苯酚芳烷基型環氧樹脂；聯苯芳烷基型環氧樹脂；二環戊二烯(dicyclopentadiene)型環氧樹脂(即，具有二環戊二烯骨架的環氧樹脂)等。
上述樹脂層2及剝離層3(圖1)較佳為使用上述的矽氧烷樹脂或其組成物。於本說明書中，將包含上述矽氧烷樹脂的層、包含含有上述矽氧烷樹脂的樹脂組成物的層、該些的硬化物的層統稱為矽氧烷樹脂層。進一步考慮到耐化學品性、接著性、耐破壞性(耐研削性)，樹脂層2較佳為使用矽酮改質環氧樹脂或矽氧烷樹脂與環氧樹脂的混合物。剝離層3可列舉更優先考慮剝 離性而使用未導入環氧基的矽酮樹脂的例子。樹脂層2的厚度並無特別限定，較佳為10μm~200μm。剝離層的厚度較佳為1μm~50μm。
[電極]
電極中所使用的材料並無特別限定，若列舉近來的製程(process)中所應用的材料，則可列舉：鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鎳(Ni)、錫銀合金(Sn/Ag)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、多晶矽(polysilicon)等。其中，就較佳地表現出本發明的去除劑的效果的觀點而言，較佳為使用鋁、鎢、多晶矽。另外，電極的材料亦可為合金，例如可列舉鋁與銅的合金。電極的露出面的相當於圓的直徑(相當於圖1的通孔9b的寬度)實際上為2μm~100μm左右。
[半導體基板製品的製造]
於本實施方式中，較佳為製造於矽晶圓內具有通孔9b或形成於其中的電極的半導體基板製品，及使用其的半導體元件或半導體製品。具體而言，可列舉包括如下步驟的製造過程：(1)於半導體基板上附設矽氧烷樹脂層的步驟；(2)使上述半導體基板經由上述矽氧烷樹脂層而接著於支持基板的步驟；(3)對上述半導體基板的與上述支持基板相反之側進行研磨而使之薄化的步驟；(4)將上述支持基板自上述經薄化的半導體基板剝離的步驟；及(5)使上述去除劑接觸於附著於上述經薄化的半導體基板的上述矽氧烷樹脂，而將該矽氧烷樹脂層去除的步驟。此時，亦較佳為 於上述樹脂層的與上述基板相反之側配置剝離層，經由該剝離層與上述基板接合。此外，上述各步驟的順序並無特別限定，亦可於發揮出所需的效果的範圍內適當地變更步驟順序，或於步驟間介隔存在其他步驟。例如，上述步驟(4)與步驟(5)可同時進行，亦可將支持基板與接著劑一併去除。
[實施例]
以下，對本發明的實施例進行詳細說明，但本發明並不受該些實施例限定而解釋。此外，實施例中所示的量或比率的規定只要無特別說明則為質量基準。
矽氧烷樹脂是使用將聚二甲基矽氧烷(polydimethylsiloxane)(Mw.10000)與雙酚A二縮水甘油醚混合而成的樹脂作為矽氧烷樹脂A，使用聚二甲基矽氧烷(Mw.40000)作為矽氧烷樹脂B。將矽氧烷樹脂A、矽氧烷樹脂B分別旋轉塗佈於12英吋(inch)晶圓(wafer)，利用加熱板(hot plate)於200℃下加熱30分鐘，藉此獲得矽氧烷層A(圖1的樹脂層2)及矽氧烷層B(圖1的剝離層3)。將上述晶圓及Al的毯覆式晶圓(blanket wafer)切割成1cm×2cm而獲得試驗晶圓(test wafer)。
製成下述組成的化學溶液，於燒杯(beaker)中加溫至70℃之後，浸漬上述試驗晶圓，算出蝕刻速率(etching rate)。此外，膜厚的測定中，矽氧烷層A是使用觸針型膜厚測定計(優貝克股份有限公司(ULVAC,Inc.)製造，商品名Dektak)，矽氧烷層B是使用光學式膜厚計(Filmetrics公司製造，商品名F-20)、 Al是使用四端子型電流計(國際電氣阿爾法(KOKUSAI DENKI ALPHA)公司製造，商品名VR200)。此外，Al是根據電流值而算出膜厚。
成分的調配量的單位是(質量%)
DMSO：二甲基亞碸
TMAH：四甲基銨氫氧化物
ER：蝕刻速率(etching rate)
1Å=0.1nm
開頭為C者為比較例
如上所述，根據本發明的去除劑，可將矽氧烷樹脂較佳地去除。另外，可知於其較佳實施方式中對鋁電極的保護性(耐蝕刻性)優異。
上文對本發明與其實施方式一併進行了說明，但我等認為，只要未特別指定，則於說明的任何細節均未欲限定我等的發明，應於不違背隨附的申請專利範圍所示的發明的精神與範圍的情況下進行廣泛的解釋。
本申請案主張基於2012年12月11日在日本提出專利申請的日本專利特願2012-270787、及2013年2月4日在日本提出專利申請的日本專利特願2013-019764的優先權，並參照該些申請案將其內容作為本說明書的記載的一部分而併入本文中。
1a‧‧‧半導體基板
1b‧‧‧半導體基板製品(矽通孔晶片)
2‧‧‧樹脂層
3‧‧‧剝離層
4‧‧‧支持基板
9a‧‧‧孔
9b‧‧‧通孔
p‧‧‧被研削部
S‧‧‧半導體基板(半導體基板1a的背面)

Claims (19)

  1. 一種矽氧烷樹脂的去除劑，其是用以將附於半導體基板上的矽氧烷樹脂去除的去除劑，且含有極性非質子性溶劑及四級銨氫氧化物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，更含有醇類化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述極性非質子性溶劑為二甲基亞碸(DMSO)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述四級銨氫氧化物為四甲基銨氫氧化物(TMAH)、四乙基銨氫氧化物(TEAH)、四丁基銨氫氧化物(TBAH)、或苄基三甲基銨氫氧化物。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述醇類化合物為2-乙基己醇、苯甲醇、或單乙醇胺。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，更含有磷酸、硼酸、有機酸、或矽化合物作為金屬腐蝕抑制劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，含有40質量%~95質量%的上述極性非質子性溶劑，含有0.1質量%~10質量%的上述四級銨氫氧化物。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，含有70質量%~95質量%的上述極性非質子性溶劑，含有1質量%~8質量%的上述四級銨氫氧化物。
  9. 如申請專利範圍第2項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，含有1質量%~50質量%的上述醇類化合物。
  10. 如申請專利範圍第6項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，含有0.1質量%~30質量%的上述金屬腐蝕抑制劑。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述矽氧烷樹脂包含聚有機矽氧烷。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述矽氧烷樹脂為聚有機矽氧烷與具有環氧基的樹脂的混合物，或矽酮改質環氧樹脂。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述矽氧烷樹脂為接著劑。
  14. 如申請專利範圍第2項所述的矽氧烷樹脂的去除劑，其中上述醇類化合物為下述式(O-1)、下述式(A-1)或下述式(A-2)所表示的化合物，R11-(-O-R12-)n-O-H…(O-1)(R11為碳數1以上、5以下的烷基、碳數6~10的芳基、碳數7~11的芳烷基；R12為直鏈狀或分支狀的碳數1以上、4以下的伸烷基鏈；於存在多個R12時，各個R12亦可不同；n為0以上、20以下的整數) NRN1 2-LN1-OH…(A-1) NRN2 2-(LN2-Y)m-LN3-OH…(A-2)(RN1及RN2分別獨立地為氫原子、烷基、芳基、或芳烷基；LN1~LN3分別獨立地為伸烷基；Y為氧原子或亞胺基(-NRN-)，RN與RN1相同；m為1~20的整數)。
  15. 如申請專利範圍第6項所述的防蝕劑，其中上述金屬防蝕劑為下述式(S1)所表示的化合物，RS1 4Si…(S1)(式中，RS1表示碳數1~10的烷基、碳數1~10的烷氧基、碳數6~22的芳基、或碳數6~22的芳氧基、碳數2~10的烯基、碳數1~10的醯氧基、碳數7~25的芳醯氧基、碳數2~10的肟基、氫原子；然而，不存在RS1全部為氫原子的情況)。
  16. 一種矽氧烷樹脂的去除方法，其是使如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的矽氧烷樹脂的去除劑接觸於附於半導體基板上的矽氧烷樹脂，而將上述樹脂去除。
  17. 一種半導體基板製品的製造方法，包括：於半導體基板上附設矽氧烷樹脂的層的步驟；使上述半導體基板經由上述矽氧烷樹脂層接著於支持基板的步驟；對上述半導體基板的與上述支持基板相反之側進行研削而使之薄化的步驟；將上述支持基板自上 述經薄化的半導體基板剝離的步驟；及使如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的矽氧烷樹脂的去除劑接觸於附著於上述經薄化的半導體基板上的上述矽氧烷樹脂，而將上述矽氧烷樹脂去除的步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的半導體基板製品的製造方法，其中於上述矽氧烷樹脂層的與上述半導體基板相反之側配置剝離層，經由上述剝離層與上述支持基板接著。
  19. 一種半導體元件的製造方法，其是使用利用如申請專利範圍第17項或第18項所述的半導體基板製品的製造方法獲得的半導體基板製品而製造半導體元件。
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