TW201423836A - 液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

[課題]使去除藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，以謀求排氣之有效利用，並且謀求刪減排出至工場側之排氣流量及刪減工場側排氣動力，降低朝向處理杯之供給風量。[解決手段]具備：被配設在上端開放之處理杯(50)內，水平保持晶圓(W)之旋轉吸盤(41)；對晶圓表面供給光阻液之光阻噴嘴(44)；及將晶圓之周圍氛圍予以排氣之排氣機構(60)，排氣機構具備：被連接於處理杯之排氣口(54)，鼓風機(62)介於中間的排氣流路(61)；從排氣流路分歧而與處理杯連通之循環流路(63)；介於排氣流路中包含分歧部之該分歧部之一次側或循環流路的霧氣補集器(64)；介於排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥(Va)；及介於霧氣補集器之二次側之排氣流路之間的可開關的第2調整閥(Vb)。

Description

液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體
該發明係關於液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體。
在半導體製造工程中，進行一面將例如半導體晶圓等之基板保持水平之狀態下使旋轉，一面對基板表面供給屬於處理液之光阻液而形成光阻膜之光阻塗佈處理、用以蒸發除去光阻塗佈後之光阻膜內之殘存溶劑之加熱處理(預烘烤)、對光阻膜曝光成既定圖案之曝光處理、於曝光後用以激起光阻膜內之化學反應的加熱處理(曝光後烘烤)、將被曝光之光阻膜予以顯像之顯像處理等之光微影工程，在晶圓上形成既定之光阻圖案。
例如，光微影工程通常使用在塗佈顯像處理裝置連接曝光裝置之處理系統。
在處理系統中之光阻工程中，一般進行使用旋轉塗佈法之液處理。就以往之該種液處理手法而言，所知的有具備下述構件之液處理裝置：被配設在上端開口之處理杯內，水平保持基板之基板保持部；使該基板保持部 繞垂直軸旋轉之旋轉機構；和對基板表面供給處理液之處理液供給部；從被設置在處理杯之底部的排氣口吸引處理杯內之不需要的氛圍的吸引手段；和用以將外氣吸引到處理杯內之吸引口(例如，參考專利文獻1)。
在上述專利文獻1所記載之技術中，在處理杯內，因設置有用以吸引外氣之吸引口，和用以排氣至處理杯外之排氣口，故在處理杯內形成排氣流路，即使小的吸引力，亦可以排出藉由液處理(塗佈膜形成處理)所產生之霧氣。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-67059號公報(申請專利範圍、第4圖)
然而，隨著近年來基板之大口徑化，從既有的300mm 使用450mm 之基板，在該450mm 基板之液處理(塗佈膜形成處理)中，可預想要在既有之液處理裝置之構造中，防止霧氣產生所需之處理杯排氣流量，為既有的製程比增加約2倍。再者，為了確保液處理裝置之內壓所需的處理杯內之供給風量，也與處理杯排氣流量同樣地增加。因此，有液處理裝置之運用成本所佔的工場動力 相對性增加之虞。
但是，在專利文獻1所記載之技術中，因藉由介於與排氣口連接之排氣流路之間的吸引手段之吸引力將從吸引口吸引在處理杯內產生之不需要的氛圍之外氣，排出至裝置外部之工場側，故有不會使朝向工場側之排氣量減少，無法刪減液處理裝置之運用成本所佔之工場動力之虞。
本發明係鑒於上述情形而創作出，其目的在於提供使去除藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，以謀求排氣之有效利用，並且謀求刪減排出至工場側之排氣流量及刪減工場側排氣動力，降低朝向處理杯之供給風量之液處理裝置及液處理方法以及液處理用記憶媒體。
為了解決上述課題，該發明之第1液處理裝置具備：被設置在上端開放之處理杯內，水平保持基板之基板保持部；使上述基板保持部繞垂直軸旋轉之旋轉機構；對上述基板之表面供給處理液之處理液供給部；和將被保持於上述基板保持部之基板之周圍氛圍予以排氣之排氣機構，該液處理裝置之特徵為：上述排氣機構具備：連接於被設置在上述處理杯之底部的排氣口，使排氣裝置介於中間的排氣流路；和從上述排氣流路分歧與上述處理杯連通的循環流路；包含上述排氣流路中之上述分歧部的介 於該分歧部之一次側或上述循環流路之氣液分離器，和介於上述排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥，和介於上述氣液分離器之二次側之排氣流路之間的可開關的第2調整閥(申請專利範圍第1項)。
在該發明中，在較上述處理杯中之開放部和基板之周緣部之間隙更下方側設置供給口，連通該供給口和上述循環流路(申請專利範圍第2項)。此時，在上述循環流路之供給口，設置有阻止從上述循環流路流入上述處理杯內之氣體朝向基板側之流動的擋板(申請專利範圍第7項)，或是將上述循環流路之供給口對上述基板保持部所保持之基板朝外方側開口(申請專利範圍第8項)為佳。
再者，申請專利範圍第3項所記載之發明係在申請專利範圍第1或2項所記載之發明中，又具備控制上述旋轉機構、排氣裝置、第1及第2調整閥之驅動的控制部，根據來自上述控制部之控制訊號，從上述處理液供給部對旋轉之基板表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜之處理工程中，開啟上述第1調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從上述循環流路流入至上述處理杯內，而藉由流入至處理杯內之氣體將處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至上述排氣口側，於上述處理工程停止後，關閉上述第1調整閥，並開啟上述第2調整閥而進行排氣。
再者，申請專利範圍第4項所記載之發明係在申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置中，以可 調整開度之方式形成上述第2調整閥，在上述循環流路中從上述氣液分離器朝向供給口側依序設置第3調整閥和測量有機濃度之濃度感測器，具備控制上述旋轉機構、排氣裝置、第1及第2調整閥之驅動，並且接收來自上述濃度感測器之檢測訊號而控制上述第3調整閥之驅動的控制部，根據來自上述控制部之控制訊號，從上述處理液供給部對旋轉之基板表面供給處理液之處理工程中，開啟上述第1及第3調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從上述循環流路流入至上述處理杯內，而藉由流入至處理杯內之氣體將處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至上述排氣口側，於上述處理工程停止後，關閉上述第1及第3調整閥，並開啟上述第2調整閥而進行排氣，並且，藉由上述濃度感測器，上述循環流路中之氣體所含之有機濃度為特定濃度以上之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣，於上述有機濃度低於特定濃度高於容許濃度之時，打開上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣之後，關閉上述第1調整閥而排出上述排氣流路中之殘留氣體，於上述有機濃度為容許濃度以下之時，開啟上述第1及第3調整閥，縮小上述第2調整閥之開度後關閉，而進行上述處理工程。
在該發明之液處理裝置中，以調整上述第1調整閥之開度而將在上述循環流路流動之氣體之流量控制成一定為佳(申請專利範圍第5項)。
再者，在該發明之液處理裝置中，在上述循環流路中之上述氣液分離器之二次側之間設置調整溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器且藉由控制部控制上述溫濕度調整器，並藉由上述控制部將從上述處理杯之上方流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度和從上述循環流路流入至上述處理杯內之氣體之溫度及/或濕度調整成一定為佳(申請專利範圍第6項)。
該發明之第1液處理方法係使用液處理裝置之液處理方法，該液處理裝置具備：被設置在上端開放之處理杯內，水平保持基板之基板保持部；使上述基板保持部繞垂直軸旋轉之旋轉機構；對上述基板之表面供給處理液之處理液供給部；和將被保持於上述基板保持部之基板之周圍氛圍予以排氣之排氣機構，上述排氣機構具備：連接於被設置在上述處理杯之底部的排氣口，使排氣裝置介於中間的排氣流路；和從上述排氣流路分歧與上述處理杯連通的循環流路；包含上述排氣流路中之上述分歧部的介於該分歧部之一次側或上述循環流路之氣液分離器，和介於上述排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥，和介於上述氣液分離器之二次側之排氣流路之間的可開關的第2調整閥，該液處理方法之特徵為：從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程；開啟上述第1調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從循環流路流入至上述處理杯內之排氣循環工程；及關閉上述第 1調整閥，開啟上述第2調整閥而排出上述排氣流路中之排氣的排出工程，在上述處理工程中，藉由進行上述排氣循環工程而從上述循環流路流入上述處理杯之氣體將上述處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至排氣口側，於上述處理工程及排氣循環工程停止後，進行上述排出工程(申請專利範圍第9項)。
該發明之第2液處理方法係使用如申請專利範圍第4項所記載之液處理裝置的液處理方法，具備：從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程；開啟上述第1調整閥及第3調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從循環流路流入至上述處理杯內之排氣循環工程；開啟上述第1調整閥及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而排出上述排氣流路中之排氣的排出工程；及藉由上述濃度感測器，測量上述循環流路中之氣體所含之有機濃度的濃度測量行程，在上述處理工程中，藉由進行上述排氣循環工程而從上述循環流路流入上述處理杯內之氣體將上述處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至排氣口側，於上述處理工程後進行上述濃度測量工程，於上述循環流路中之氣體所含之有機濃度為特定濃度以上之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣，於上述有機濃度低於特定濃度高於容許濃度之時，打開上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣之後，關閉上述第1調整閥而排出上述排氣流路中之殘 留氣體，於上述有機濃度為容許濃度以下之時，開啟上述第1及第3調整閥，縮小上述第2調整閥之開度後關閉，而進行上述處理工程(申請專利範圍第10項)。
在該發明之液處理方法中，以調整上述第1調整閥之開度而將在上述循環流路流動之氣體之流量控制成一定為佳(申請專利範圍第11項)。
再者，在該發明之液處理裝置中，藉由控制部控制在上述循環流路中之上述氣液分離器之二次側調整溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器，而將從上述處理杯之上方流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度和從上述循環流路流入至上述處理杯內之氣體之溫度及/或濕度調整成一定為佳(申請專利範圍第12項)。
該發明之液處理用記憶媒體為記憶有使電腦實行控制程式之軟體的電腦可讀取之記憶媒體，其特徵為：上述控制程式於實行時以實行如申請專利範圍第9至12項中之任一項所記載之工程之方式，電腦控制液處理裝置(申請專利範圍第13項)。
若藉由申請專利範圍第1~3、9、13所記載之發明時，於從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程中，開啟介於排氣流路中之氣液分離器之一次側之間的第1調整閥，關閉介於氣液分離器之二次側之間的第2調整閥，使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，並且藉由流入處理杯內之氣流所產生之抽射效應可以 將處理杯內之基板之周圍氛圍誘導至排氣口側。此時，因藉由調整第1調整閥的開度，可以將在循環流路流動之氣體之循環流量保持一定，故可謀求處理性能之安定化(申請專利範圍5、11)。
再者，於處理工程及排氣循環工程之停止後，關閉第1調整閥，開啟第2調整閥而排出排氣流路中之排氣，依此可以將包含排液流路中殘留之霧氣的排氣排出至工場側。
若藉由申請專利範圍第4、10、13所記載之發明時，於從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程中，開啟介於排氣流路中之氣液分離器之一次側之間的第1調整閥及介於循環流路中之氣液分離器之二次側的第3調整閥，關閉介於氣液分離器之二次側之間的第2調整閥，使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，並且藉由流入處理杯內之氣流所產生之抽射效應可以將處理杯內之基板之周圍氛圍誘導至排氣口側。此時，因藉由調整第1調整閥，可以將在循環流路流動之氣體之循環流量保持一定，故可謀求處理性能之安定化(申請專利範圍5、11)。
並且，於處理工程後，藉由濃度感測器測量循環流路中之氣體所含之有機濃度，循環流路中之氣體所含之有機濃度為特定濃度以上之時，開啟第1及第2調整閥，關閉第3調整閥而予以排氣，於有機濃度低於特定濃 度高於容許濃度之時，開啟第1及第2調整閥，關閉第3調整閥而予以排氣之後，可以關閉第1調整閥而排出排氣流路中之殘留氣體。再者，於有機濃度為容許濃度以下之時，開啟第1及第3調整閥，於縮小第2調整閥之開度後關閉，進行上述處理工程，如上述般，當使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環，並且藉由流入處理杯內之氣流所導致之抽射效應，可以將處理杯內之基板之周圍氛圍誘導至排氣口側。
若藉由申請專利範圍第6、12項所記載之發明時，藉由控制部控制在循環流路中之氣液分離器之二次側調整溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器，而將從處理杯之上方流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度和從循環流路流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度調整成一定，可以使處理杯內之處理氛圍成為一定。
若藉由該發明時，藉由使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯內循環而將在處理杯之開口部和基板之周緣部之間隙流動之氣體誘導至排氣口側，可以謀求排氣之有效利用，並且可以謀求朝向工場側排出之排氣流量之刪減及工場側排氣動力之刪減，並且可以降低朝向處理杯的供給流量。
40、40A‧‧‧光阻塗佈處理裝置(液處理裝置)
41‧‧‧旋轉吸盤(基板保持部)
42‧‧‧旋轉機構
44‧‧‧光阻噴嘴(處理液供給部)
50‧‧‧處理杯
50a‧‧‧開放部
54‧‧‧排氣口
56‧‧‧供給口
57‧‧‧擋板
60‧‧‧排氣機構
61‧‧‧排氣流路
62‧‧‧鼓風機(排氣裝置)
63‧‧‧循環流路
64‧‧‧霧氣補集器(氣液分離器)
70‧‧‧過濾風扇單元
90‧‧‧控制電腦
90a‧‧‧控制部
100‧‧‧濃度感測器
200‧‧‧溫濕度調整器
圖1為表示在適用與該發明有關之液處理裝置之塗佈顯像處理裝置連接曝光裝置之處理系統之全體的概略俯視圖。
圖2為上述處理系統之概略斜視圖。
圖3為適用與該發明之第1實施形態有關之液處理裝置的塗佈處理裝置之概略縱剖面圖。
圖3A為表示與上述第1實施形態有關之塗佈處理裝置之重要部分的放大剖面圖。
圖4為表示該發明中之處理杯和循環流路之連接部的剖面斜視圖。
圖5為表示該發明中之處理杯之循環流之供給部不同之形態的放大剖面圖。
圖6為適用與該發明之第2實施形態有關之液處理裝置的塗佈處理裝置之概略縱剖面圖。
圖7為表示與該發明之第2實施形態有關的液處理方法之工程的流程圖。
以下，針對該發明之實施形態，根據附件圖面予以說明。在此，針對將與該發明有關之液處理裝置適用於光阻塗佈處理裝置，且適用於塗佈顯像處理裝置連接曝光處理裝置之處理系統之時予以說明。
上述處理系統具備：用以將密閉收納複數片 例如25片屬於被處理基板之半導體晶圓W(以下稱為晶圓W)的載體10之載體站1，和對從該載體站1取出之晶圓W施予光阻塗佈、顯像處理等之處理部2，和在晶圓W之表面形成透過光之液層之狀態下對晶圓W之表面進行浸潤式曝光之曝光部4，和被連接於處理部2和曝光部4之間，進行晶圓W之收授的介面部3。
載體站1設置有排列複數個載體10而可載置之載置台11，和從該載置台11觀看被設置在前方之壁面的開關部12，和用以經開關部12而從載體10取出晶圓W之收授手段A1。
再者，在載體站1之深側連接有以框體20包圍周圍之處理部2，在該處理部2從載體站1觀看從左手前側依序配置使加熱冷卻系統之單元多層化的棚架單元U1、U2、U3，在右手配置液處理單元U4、U5。在棚架單元U1、U2、U3之間進行各單元間之晶圓W之收授的主搬運手段A2、A3與棚架單元U1、U2、U3交互配列而被設置。再者，主搬運手段A2、A3係被設置在以從載體站1觀看被配置在前後方向之棚架單元U1、U2、U3側之一面部，和後述之例如右側之液處理單元U4、U5側之一面部，和構成左側之一面的背面部所構成之區隔壁21所包圍之空間內。再者，在載體站1和處理部2之間，處理部2和介面部3之間，配置有具備在各單元所使用之處理液之溫度調節裝置或溫濕度調節用之導管等之溫濕度調節單元22。
介面部3係利用在處理部2和曝光部4之間被前後設置之第1搬運室3A及第2般運室3B所構成，各設置有第1晶圓搬運部30A及第2晶圓搬運部30B。
棚架單元U1、U2、U3係被構成以複數層例如10層疊層用以在液處理單元U4、U5所進行之處理之前處理及後處理的各種單元，其組合含有加熱(烘烤)晶圓W之加熱單元(HP)、冷卻晶圓W之冷卻單元(CPL)等。再者，液處理單元U4、U5係被構成例如圖2所示般，以複數層例如5層疊層在光阻或顯像液等之藥液收納部上塗佈反射防止膜之底部反射防止膜塗佈單元(BCT)23、塗佈單元(COT)24、對晶圓W供給顯像液而進行顯像處理之顯像單元(DEV)25等。與該發明有關之液處理裝置之光阻塗佈處理裝置40被設置在塗佈單元(COT)24。
接著，針對上述處理系統中之晶圓W之流程予以簡單說明。首先，當收納有晶圓W之載體10從外部被載置在載置台11時，載體10之蓋體與開關部12一起脫離而藉由收授手段A1取出晶圓W。然後，晶圓W經構成棚架單元U1之一層的收授單元而被收授至主搬運手段A2，在棚架單元U1~U3內之一個棚架，作為塗佈處理之前處理，進行反射防止膜之形成或藉由冷卻單元的基板之溫度調整等。
之後，藉由主搬運手段A2，晶圓W被搬入至塗佈單元(COT)24內，在晶圓W之表面形成光阻膜。形成光阻膜之晶圓W藉由主搬運手段A2被搬出至外部，被 搬入至加熱單元而以特定溫度被進行烘烤處理。結束烘烤處理之晶圓W在冷卻單元被冷卻之後，經由棚架單元U3之收授單元而被搬入至介面部3，經由該介面部3而被搬入至曝光部4內。並且，於在光阻膜上塗佈浸潤式曝光用之保護膜之時，在上述冷卻單元被冷卻之後，在處理部2中之無圖示之單元進行保護膜用之藥液的塗佈。之後，晶圓W係被搬入至曝光部4而進行浸潤式曝光。此時，即使於浸潤式曝光之前，在被設置在介面部3之無圖示的基板洗淨裝置進行洗淨亦可。
結束浸潤式曝光之晶圓W係藉由第2晶圓搬運部30B從曝光部4取出，被搬入至構成棚架單元U6之一層的加熱單元(PEB)。之後，晶圓W係藉由第1晶圓搬運部30A而從加熱單元(PEB)被搬出，被收授至主搬運手段A3。然後，藉由該主搬運手段A3係被搬入至顯像單元25內。在顯像單元25進行基板之顯像，又進行洗淨。之後，晶圓W藉由主搬運手段A3從顯像單元25被搬出，經由主搬運手段A2、收授手段A1而返回至載置台11上之原來的載體10。
(第1實施形態)
針對適用該發明之液處理裝置之光阻塗佈處理裝置之實施形態，參照圖3至圖5，予以說明。
光阻塗佈處理裝置40係如圖3所示般，具備：被配設在上端開放之處理杯50內，水平保持晶圓W 基板保持部之旋轉吸盤41；使旋轉吸盤41繞垂直軸旋轉之旋轉機構42；使旋轉吸盤41升降之升降機構43；對晶圓W之表面供給(吐出)屬於處理液之光阻液的處理液供給部之光阻供給噴嘴44(以下，稱為光阻噴嘴44)；對晶圓W之表面供給(吐出)屬於光阻液之溶媒的稀釋劑等之溶劑的溶劑供給噴嘴45(以下稱為稀釋劑噴嘴45)；將光阻噴嘴44移動至旋轉吸盤41所保持之晶圓W之上方和晶圓W之周緣外方側之待機位置(無圖示)之第1噴嘴移動機構46；使稀釋劑噴嘴45移動至旋轉吸盤41所保持之晶圓W之上方和晶圓W之周緣外方側之待機位置(無圖示)之第2噴嘴移動機構47；和將旋轉吸盤41所保持之晶圓W之周圍氛圍排氣的排氣機構60。
並且，旋轉吸盤41被構成藉由無圖示之吸引機構吸附晶圓W而保持。再者，構成從處理杯50之上方，從過濾風扇單元70朝向晶圓W以下向流方式供給潔淨之空氣80。
處理杯50主要由配置成包圍晶圓W之外周的外杯51，和在外杯51之內側從晶圓W之下方之近接部朝向外杯51側而形成擴開錐狀，配置成包圍旋轉吸盤41之氣流控制用之中間杯52，和在外杯51之內側，被配置成較中間杯52更下方之內杯53所構成。
此時，外杯51係由圓筒狀之主體部51a，從該主體部51a之上端朝向內側圓弧狀地延伸之頭部51b，和一體形成在頭部51b之內周緣，內周面朝向外側外方擴 徑的內周緣部51c所構成。並且，藉由內周緣部51c形成用以對處理杯50搬入搬出晶圓W的開放部50a。
中間杯52係由下述構件所構成：包圍旋轉吸盤41之擴開錐狀之基部52a，和一體形成在基部52a之上端，內周面朝向內側下方縮徑的內周緣片52b，和將從基部52a之下端往垂直方向垂下而被回收至處理杯50內之光阻引導至內杯53內的垂下片52c。
內杯53係在外杯51之主體部51a之內側形成圓筒狀。此時，在內杯53之外周壁部53a和外杯51之主體部51a之下端部之間，設置有具有後述循環流路63之流入口53b之甜甜圈狀之緩衝部53c，在緩衝部53c之頂部53d設置有環狀槽縫53e(參照圖4)。構成如此之緩衝部53c中，從流入口53b流入至緩衝部53c之循環流經環狀槽縫53e而均等地流入處理杯50內。再者，在內杯53之底部53f，設置有用以將產生在處理杯50內之霧氣排氣的排氣口54，和用以將回收於內杯53內之光阻液排出的排液口55。
被收容在形成上述般之處理杯50內之晶圓W，持有晶圓W之周緣部比處理杯50之開放部50a低的間隙S而被配置。
依此，在處理杯50內被甩掉之飛散光阻液，與處理杯50內周緣部51c衝突而被回收至處理杯50內。再者，因僅從開放部50a和晶圓W之周緣部之間隙S被吸引，故包含在處理杯50內成為霧狀之光阻液的不須要 的氛圍不會洩漏至晶圓W之上方。
上述排氣機構60具備：被連接於處理杯50之底部53f之排氣口54，屬於排氣裝置之鼓風機62介於中間的排氣流路61；從排氣流路61分歧而與處理杯50連通之循環流路63；介於排氣流路61和循環流路63之分歧部，分離包含在處理杯50內產生之霧氣的排氣中的霧氣和氣體之氣液分離器64(以下，稱為霧氣補集器64)；由介於排氣流路61之間的可開關及調整開度之自動空調所構成之第1調整閥Va；介於霧氣補集器64之二次側之排氣流路61之間的可開關之第2調整閥Vb；和控制上述旋轉機構42、鼓風機62、第1調整閥Va及第2調整閥Vb之驅動的控制部90a。
在上述處理杯50中較開放部50a和晶圓W之周緣部之間隙S更下方側設置有開口之供給口56，該供給口56和循環流路63連通。此時，必須使從循環流路63之供給口56流入至處理杯50內之氣體不會流至晶圓W側。因此，供給口56朝向下方側開口。但是，為了使藉由從供給口56流入至處理杯50內之氣體所產生之抽射效應更有效果，以盡量使供給口56接近處理杯50之開放部50a和晶圓W之周緣部之間隙S為佳。因此，如圖5(a)所示般，將供給口56開口於晶圓W側，並且設置阻止從供給口56流入至處理杯50內之氣體流至晶圓W側之擋板57。或是，如圖5(b)所示般，以使供給口56從晶圓W之附近側朝向對於晶圓W之外方側開口為佳。
並且，無圖示之吸引裝置介於排氣流路61之間，藉由吸引裝置將排氣排出至工場側。
再者，控制部90a係控制移動光阻噴嘴44之第1噴嘴移動機構46，和移動稀釋劑噴嘴45之第2噴嘴移動機構47之驅動。
控制部90a係被內藏在控制電腦90，控制電腦90除控制部90a之外，內藏有控制程式儲存部90b和讀取部90c，該控制程式儲存部90b係儲存光阻塗佈裝置40所進行之後述之動作中用以實行各處理工程的程式。再者，控制電腦90係被構成具有被連接於控制部90a之輸入部90e，和顯示用以作成處理工程之處理工程畫面之顯示部90d，和被插裝於讀取部90c，並且記憶有使控制電腦90實行控制程式之軟體的電腦可讀取之記憶媒體，根據控制程式對上述各部輸出控制訊號。此時，第1調整閥Va之開度調整係以被儲存於控制部90a之控制程式儲存部90b的製程配方(例如，晶圓W之旋轉數、旋轉時間、光阻液之供給量、下向流之風量等)之程式而可任意設定。
再者，控制程式被儲存於硬碟、CD、快閃記憶體、軟碟、記憶卡等之記憶媒體90f，從該些記憶媒體90f被安裝於控制電腦90而被使用。
接著，針對上述般所構成之光阻塗佈處理裝置之動作態樣予以說明。當藉由主搬運手段A2，晶圓W被搬運至光阻塗佈處理裝置40時，晶圓W藉由以升降機 構43被移動至上方之旋轉吸盤41略水平地吸附保持。
被旋轉吸盤41吸附保持之晶圓W藉由升降機構43移動並被收容至處理杯50內，在晶圓W之表面中央部從稀釋劑45被供給(吐出)特定量之溶劑。接著，旋轉吸盤41係藉由旋轉機構42被旋轉，被供給至晶圓W上之溶劑在晶圓W上被擴散。
在溶劑之擴散中，從光阻噴嘴44供給(吐出)光阻液，隔著溶劑之膜，光阻液擴散，在晶圓W形成光阻膜(處理工程)。在該處理工程中，從晶圓W飛散至周圍的多餘光阻液藉由處理杯50被回收，一部分成為霧氣而產生在處理杯50內。
另外，處理工程中，根據來自控制部90a之訊號，第1調整閥Va開啟，第2調整閥Vb關閉，在霧氣補集器64分離之氣體在循環流路63流動而從供給口56流入至處理杯50內(排氣循環工程)。依此，藉由流入至處理杯50內之氣體的抽射效應，將在處理杯50之開放部50a和晶圓W之周緣部之間隙S流動之氣體，即是將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側。此時，在該處理工程中之循環流路63流動之氣體之循環流量在處理性能上必須維持一定。因此，根據來自控制部90a之製程配方，藉由控制訊號，進行第1調整閥Va之開度調整而控制循環流量。
再者，於處理工程之停止後，關閉第1調整閥Va，開啟第2調整閥Vb，將含有藉由霧氣補集器64 而分離之霧氣的排氣排出至工場側(排出工程)。
以上之一連串之工程係藉由控制電腦90讀出被儲存於控制電腦90之記憶體內之控制程式，且根據其讀出之命令輸出用以使先前所述之各機構動作之控制訊號而被實行。該係使記憶有使控制電腦90實行控制程式之軟體的可讀取記憶媒體90f插裝於讀取部90c而進行。
即是，上述控制程式於實行時，係以實行從光阻噴嘴44對繞垂直軸旋轉之晶圓W表面供給(吐出)光阻液而在晶圓表面形成光阻膜之處理工程；可調整開度地開啟第1調整閥Va，關閉第2調整閥Vb，將在霧氣補集器64分離之氣體(排氣)從循環流路63之供給口56流入至處理杯50內之排氣循環工程；關閉第1調整閥Va，開啟第2調整閥Vb而排出排氣流路61中之排氣之排氣工程，並且在處理工程中，藉由進行排氣循環工程而從循環流路63之供給口56流入至處理杯50內之氣流，將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側，於處理工程及排氣循環工程停止後，實行排出工程之方式，控制電腦90控制光阻塗佈處理裝置。
若藉由第1實施形態之光阻塗佈處理裝置(方法)時，於自光阻噴嘴44對繞垂直軸旋轉之晶圓W之表面供給光阻液而在晶圓表面形成光阻膜的處理工程中，開啟介於排氣流路61中之霧氣補集器64之一次側之間的第1調整閥Va，關閉介於霧氣補集器64之二次側之間的第2調整閥Vb，使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處 理杯50內循環，並且藉由流入處理杯50內之氣流所產生之抽射效應可以將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側。此時，由於藉由根據製程配方調整第1調整閥Va之開度，可以將在循環流路63流動之氣體之循環流量保持一定，故可謀求處理性能之安定化。
再者，藉由於處理工程及排氣循環工程之停止後，關閉第1調整閥，開啟第2調整閥而排出排氣流路中之排氣，可以將包含排氣流路61中殘留之霧氣的排氣排出至工場側。因此，可以謀求排氣之有效利用，並且可以謀求減少排出至工場側之排氣流量及刪減工場側排氣動力，並且可以謀求降低朝處理杯50之供給流量。
(第2實施形態)
第2實施形態係抑制由於在處理杯50內被循環供給之氣體(排氣)而對液處理壞影響之情形。在此，就以上述壞影響之主要原因而言，可舉出被循環供給之氣體(排氣)中所含之有機成分之存在佔多數，其他被循環供給之氣體(排氣)之溫度和處理杯50內之溫度差及濕度差。
接著，針對與第2實施形態有關的光阻塗佈處理裝置，參照圖6予以說明。並且，在第2實施形態中，因液處理部及處理杯與第1實施形態相同，故對相同之部分賦予相同符號省略說明。
第2實施形態之光阻塗佈處理裝置40A係介於排氣流路61中之霧氣補集器64之二次側之間的第2調 整閥Vb被形成可開關及調整開度。再者，在從排氣流路61分歧之循環流路63，從介於分歧部之間的霧氣補集器64朝向供給口側依序設置有可開關之第3調整閥Vc；測量在循環流路63流動之氣體(排氣)中之有機濃度的濃度感測器100；調整在循環流路63流動之氣體之溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器200。若藉由該溫濕度調整器200時，可以將在循環流路63流動之氣體之溫度及/或濕度調整成一定。並且，在需要僅調整循環流路63流動之氣體的溫度，或濕度之時，溫濕度調整器200即使使用僅調整溫度之溫度調整器亦可，或是即使使用僅調整濕度之濕度調整器亦可。再者，即使在需要溫度、濕度之雙方的調整之時，使用單功能的溫度調整器和濕度調整器亦可。
上述第2調整閥Vb之開關及開度調整驅動、第3調整閥Vc之開關驅動及溫濕度調整器200之驅動係藉由上述控制部90a而執行。再者，控制部90a係接收來自濃度感測器100之檢測訊號，在濃度感測器100所測量到之有機濃度，判別被判斷成有害的特定濃度(B/ppm)、容許濃度(A/ppm)。再者，藉由控制部90a從處理杯50之上方流入至處理杯50內之下向流之氣體(空器80)之溫度及濕度，和在循環流路63流動之氣體(排氣)之溫度及濕度被調整成一定例如23℃/45%RH。
接著，針對第2實施形態之光阻塗佈處理裝置40A之動作態樣，參照圖7所示之流程圖而說明。並 且，因處理工程與第1實施形態相同，故在此省略說明。
在第2實施形態中，處理工程中，根據來自控制部90a之訊號，開啟第1調整閥Va及第3調整閥Vc，關閉第2調整閥Vb，在霧氣補集器64分離之氣體在循環流路63流動而從供給口56流入至處理杯50內(排氣循環工程)。依此，藉由流入至處理杯50內之氣體的抽射效應，將在處理杯50之開放部50a和晶圓W之周緣部之間隙S流動之氣體，即是將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側。此時，在該處理工程中之循環流路63流動之氣體之循環流量，因在處理性能上需要保持一定，故藉由根據來自控制部90a之製程配方之控制訊號，進行第1調整閥Va之開度調整而控制循環流量。
再者，於處理工程之停止後，關閉第1調整閥Va及第3調整閥Vc，開啟第2調整閥Vb而將包含藉由霧氣補集器64而分離之霧氣的排氣排出至工場側(排出工程)。
如此一來，完成第1次之塗佈製程處理(步驟S-1)。之後，從處理杯50內搬出晶圓W(步驟S-2)。
於從處理杯50內搬出晶圓W之後，藉由有機濃度感測器100測量循環流路63內之氣體(排氣)之有機濃度(步驟S-3)。判斷所測量到之有機濃度(X/ppm)是否為被判斷成有害之特定濃度(B/ppm)以上(步驟S-4)，於循環流路63中之氣體(排氣)所含之有機濃度為特定濃度(B/ppm)以上之時，開啟第1調整閥Va及第2調整閥 Vb，關閉第3調整閥Vc而將排氣排出至工場側(有機成分置換動作(1)：步驟S-4a)。
判斷有機濃度是否在特定濃度(B/ppm)和容許濃度(A/ppm)之範圍內(步驟S-5)，有機濃度低於特定濃度(B/ppm)高於容許濃度(A/ppm)之時，開啟第1調整閥Va和第2調整閥Vb，關閉第3調整閥Vc而排出排氣流路中之排氣(有機成分置換動作(2)：步驟S-5a)，之後，關閉第1調整閥Va而排出排氣流路61中之殘留氣體(有機成分取代動作(3)：步驟S-5b)。然後，有機濃度為容許濃度(A/ppm)以下之時，對處理杯50內搬入晶圓W(步驟S-6)，開始塗佈製程處理(步驟S-7)。該塗佈製程處理中關閉第1調整閥Va及第3調整閥Vc，於縮小第2調整閥Vb之開度後關閉，而與上述相同將從在排氣流路61流動之排氣分離霧氣之氣體(排氣)從循環流路63之供給口56流入至處理杯50內而將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側(塗佈製程處理動作：步驟S-7a)。如此一來，完成第2次之塗佈製程處理(步驟S-8)。
以上之一連串之工程係藉由控制電腦90讀出被儲存於控制電腦90之記憶體內之控制程式，且根據其讀出之命令輸出用以使先前所述之各機構動作之控制訊號而被實行。該係使記憶有使控制電腦90實行控制程式之軟體的可讀取記憶媒體90f插裝於讀取部90c而進行。
即是，上述控制程式於實行時係以實行：對繞垂直軸旋轉之晶圓W之表面從光阻噴嘴44供給(吐出) 光阻液而在晶圓表面形成光阻膜之處理工程；以可調整開度之方式開啟第1調整閥Va，並且開啟第3調整閥Vc，關閉第2調整閥Vb，將在霧氣補集器64分離之氣體(排氣)從循環流路63之供給口56流入至處理杯50內之排氣循環工程，和開啟第1調整閥Va及第2調整閥Vb，關閉第3調整閥Vc，排出排氣流路61中之排氣的排出工程，和藉由濃度感測器100測量循環流路63中之氣體(排氣)所含之有機濃度的有機濃度測量工程，並且於處理工程後進行濃度測量工程，實行循環流路中之氣體(排氣)所含之有機濃度為被判斷成有害之特定濃度(B/ppm)以上之時，開啟第1調整閥Va及第2調整閥Vb，關閉第3調整閥Vc而將排氣排出至工場側，於有機濃度低於特定濃度(B/ppm)高於容許濃度(A/ppm)之時，開啟第1調整閥Va及第2調整閥Vb，關閉第3調整閥Vc而排出排氣流路中之排氣之後，關閉第1調整閥Va而排出排氣流路61中之殘留氣體之排出工程之方式，控制電腦90控制光阻塗佈處理裝置。
若藉由第2實施形態之光阻塗佈處理裝置(方法)時，於自光阻噴嘴44對繞垂直軸旋轉之晶圓W之表面供給光阻液而在晶圓表面形成光阻膜的處理工程中，開啟介於排氣流路61中之霧氣補集器64之一次側之間的第1調整閥Va及第3調整閥Vc，關閉第2調整閥Vb，使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯50內循環，並且藉由流入處理杯50內之氣流所產生之抽射效應可以 將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側。此時，由於藉由根據製程配方調整第1調整閥Va之開度，可以將在循環流路63流動之氣體之循環流量保持一定，故可謀求處理性能之安定化。
並且，於處理工程後，藉由濃度感測器100測量循環流路63中之氣體(排氣)所含之有機濃度，循環流路63中之氣體(排氣)所含之有機濃度為被判斷成有害之特定濃度(B/ppm)以上之時，開啟第1及第2調整閥Va、Vb，關閉第3調整閥Vc而予以排氣，於有機濃度低於特定濃度高於容許濃度(A/ppm)之時，開啟第1及第2調整閥Va、Vb，關閉第3調整閥Vc而予以排氣之後，可以關閉第1調整閥Va而排出排氣流路61中之殘留氣體。再者，於有機濃度為容許濃度(A/ppm)以下之時，開啟第1及第3調整閥Va、Vc，於縮小第2調整閥Vb之開度後關閉，進行上述處理工程，如上述般，當使除去藉由液處理所產生之霧氣的排氣在處理杯50內循環，並且藉由流入處理杯50內之氣流所導致之抽射效應，可以將處理杯50內之晶圓W之周圍氛圍誘導至排氣口54側。
再者，藉由控制部90a控制介於循環流路63之溫濕度調整器200，使從處理杯50之上方流入至處理杯50內之氣體之溫度及/或濕度和從循環流路63流入至處理杯50內之氣體的溫度及/或濕度，可以使處理杯50內之處理氛圍成為一定。
(其他實施形態)
以上，雖然參照幾個實施形態而說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態，只要在附件的申請專利範圍所含之事項的範圍內可做各種變形。
例如，在上述實施形態中，雖然針對霧氣補集器64介於排氣流路61和循環流路63之分歧部之間的情形而予以說明，但是霧氣補集器64不需要設置在分歧部，例如即使將霧氣補集器64介於排氣流路63中包含分歧部之分歧部之一次側(流入側)或是循環流路63之間亦可。
再者，在第1實施形態中，在循環流路63，設置用以調整在該循環流路63流動之氣體之溫度或濕度之至少一方之溫濕度調整器200，藉由以控制部90a控制，可以將從處理杯50之上方流入至處理杯50內之氣體之溫度及/或濕度和從循環流路63流入至處理杯50內之氣體之溫度及/或濕度調整成一定，並可以使處理杯50內之處理氛圍成為一定。
再者，在上述實施形態中，雖然針對循環的氣體(排氣)從被設置在外杯51之供給口56供給之情形予以說明，但設置供給口之位置若為循環氣體(排氣)難以到達基板上方之空間的位置時，即使設置在其他處亦可。例如，藉由在旋轉吸盤41之下方設置供給口，除了循環氣體難以到達基板表面側且不會對基板之液處理造成影響之外，因可以緩和隨著基板之旋轉使得基板之背面側之空間成為 負壓，故可以降低處理液或處理液氛圍包覆至基板背面側，其結果，可以防止基板背面之污染。
再者，在上述實施形態中，針對在光阻塗佈處理裝置適用與該發明有關之液處理裝置(方法)之情形予以說明，但是該發明除光阻塗佈處理裝置之外，亦可以適用於具備有排氣機構的液處理裝置，該排氣機構係從處理液供給部對被收容於處理杯50內之晶圓等之基板之表面供給處理液而形成處理液之液膜，對被基板保持部所保持之基板之周圍進行排氣。
再者，該發明不僅對矽晶圓，對於平面顯示器用之玻璃基板也可以適用。
40‧‧‧光阻塗佈處理裝置
41‧‧‧旋轉吸盤
42‧‧‧旋轉機構
43‧‧‧升降機構
44‧‧‧光阻噴嘴(處理液供給部)
45‧‧‧稀釋劑噴嘴
46‧‧‧噴嘴移動機構
47‧‧‧第2噴嘴移動機構
50‧‧‧處理杯
50a‧‧‧開放部
51‧‧‧外杯
51a‧‧‧主體部
51b‧‧‧頭部
52‧‧‧中間杯
52a‧‧‧基部
52b‧‧‧外周緣片
52c‧‧‧垂下片
53‧‧‧內杯
53a‧‧‧外周壁部
53b‧‧‧流入口
53c‧‧‧緩衝部
53e‧‧‧環狀槽縫
53f‧‧‧底部
54‧‧‧排氣口
55‧‧‧排液口
56‧‧‧供給口
60‧‧‧排氣機構
61‧‧‧排氣流路
62‧‧‧鼓風機
63‧‧‧循環流路
64‧‧‧霧氣補集器
70‧‧‧過濾風扇單元
Va‧‧‧第1調整閥
Vb‧‧‧第2調整閥
S‧‧‧間隙
W‧‧‧晶圓
90‧‧‧控制電腦
90a‧‧‧控制部
90b‧‧‧控制程式儲存部
90c‧‧‧讀取部
90e‧‧‧輸入部
90d‧‧‧顯示部
90f‧‧‧記憶媒體

Claims (13)

  1. 一種液處理裝置，具備：被設置在上端開放之處理杯內，水平保持基板之基板保持部；使上述基板保持部繞垂直軸旋轉之旋轉機構；對上述基板之表面供給處理液之處理液供給部；和將被保持於上述基板保持部之基板之周圍氛圍予以排氣之排氣機構，該液處理裝置之特徵為：上述排氣機構具備：連接於被設置在上述處理杯之底部的排氣口，使排氣裝置介於中間的排氣流路；和從上述排氣流路分歧與上述處理杯連通的循環流路；和包含上述排氣流路中之上述分歧部的介於該分歧部之一次側或上述循環流路之氣液分離器；和介於上述排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥；和介於上述氣液分離器之二次側之排氣流路之間的可開關的第2調整閥。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之液處理裝置，其中在較上述處理杯中之開放部和基板之周緣部之間隙更下方側設置供給口，連通該供給口和上述循環流路。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中又具備控制上述旋轉機構、排氣裝置、第1及第2調整閥之驅動的控制部，根據來自上述控制部之控制訊號，從上述處理液供給部對旋轉之基板表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜之處理工程中，開啟上述第1調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從上述循環流路流入至上述處理杯內，而藉由流入至 處理杯內之氣體將處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至上述排氣口側，於上述處理工程停止後，關閉上述第1調整閥，並開啟上述第2調整閥而進行排氣。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之液處理裝置，其中以可調整開度之方式形成上述第2調整閥，在上述循環流路中從上述氣液分離器朝向供給口側依序設置第3調整閥和測量有機濃度之濃度感測器，具備控制上述旋轉機構、排氣裝置、第1及第2調整閥之驅動，並且接收來自上述濃度感測器之檢測訊號而控制上述第3調整閥之驅動的控制部，根據來自上述控制部之控制訊號，從上述處理液供給部對旋轉之基板表面供給處理液之處理工程中，開啟上述第1及第3調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從上述循環流路流入至上述處理杯內，而藉由流入至處理杯內之氣體將處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至上述排氣口側，於上述處理工程停止後，關閉上述第1及第3調整閥，並開啟上述第2調整閥而進行排氣，並且，藉由上述濃度感測器上述循環流路中之氣體所含之有機濃度為特定濃度以上之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣，於上述有機濃度低於特定濃度高於容許濃度之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣之後，關閉上述 第1調整閥而排出上述排氣流路中之殘留氣體，於上述有機濃度為容許濃度以下之時，開啟上述第1及第3調整閥，縮小上述第2調整閥之開度後關閉，而進行上述處理工程。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中之任一項所記載之液處理裝置，其中調整上述第1調整閥之開度而將在上述循環流路流動之氣體之流量控制成一定。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中之任一項所記載之液處理裝置，其中在上述循環流路中之上述氣液分離器之二次側之間設置調整溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器，藉由控制部控制上述溫濕度調整器，藉由上述控制部將從上述處理杯之上方流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度和從上述循環流路流入至上述處理杯內之氣體之溫度及/或濕度調整成一定。
  7. 如申請專利範圍第2項所記載之液處理裝置，其中在上述循環流路之供給口設置有阻止從上述循環流路流入至上述處理杯內之氣體流至基板側的擋板。
  8. 如申請專利範圍第2項所記載之液處理裝置，其中使上述循環流路之供給口對上述基板保持部所保持之基板朝外方側開口。
  9. 一種液處理方法，使用液處理裝置之液理方法，該液處理裝置具備：被設置在上端開放之處理杯內，水平保 持基板之基板保持部；使上述基板保持部繞垂直軸旋轉之旋轉機構；對上述基板之表面供給處理液之處理液供給部；和將被保持於上述基板保持部之基板之周圍氛圍予以排氣之排氣機構，上述排氣機構具備：連接於被設置在上述處理杯之底部的排氣口，使排氣裝置介於中間的排氣流路；和從上述排氣流路分歧與上述處理杯連通的循環流路；包含上述排氣流路中之上述分歧部的介於該分歧部之一次側或上述循環流路之氣液分離器，和介於上述排氣流路之間的可開關及調整開度之第1調整閥，和介於上述氣液分離器之二次側之排氣流路的可開關的第2調整閥，該液處理方法之特徵為：具備：從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程；開啟上述第1調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從循環流路流入至上述處理杯內之排氣循環工程；及關閉上述第1調整閥，開啟上述第2調整閥而排出上述排氣流路中之排氣的排出工程，在上述處理工程中，藉由進行上述排氣循環工程而從上述循環流路流入上述處理杯內之氣流將上述處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至排氣口側，於上述處理工程及排氣循環工程停止後，進行上述排出工程。
  10. 一種液處理方法，係使用如申請專利範圍第4項 所記載之液處理裝置的液處理方法，其特徵為：具備從處理液供給部對繞垂直軸旋轉之基板之表面供給處理液而在基板表面形成處理液之液膜的處理工程；開啟上述第1調整閥及第3調整閥，關閉上述第2調整閥，使在上述氣液分離器分離之氣體從循環流路流入至上述處理杯內之排氣循環工程；開啟上述第1調整閥及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而排出上述排氣流路中之排氣的排出工程；及藉由上述濃度感測器，測量上述循環流路中之氣體所含之有機濃度的濃度測量行程，在上述處理工程中，藉由進行上述排氣循環工程而從上述循環流路流入上述處理杯內之氣體將上述處理杯內之基板的周圍氛圍誘導至排氣口側，於上述處理工程後進行上述濃度測量工程，於上述循環流路中之氣體所含之有機濃度為特定濃度以上之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣，於上述有機濃度低於特定濃度高於容許濃度之時，開啟上述第1及第2調整閥，關閉上述第3調整閥而予以排氣之後，關閉上述第1調整閥而排出上述排氣流路中之殘留氣體，於上述有機濃度為容許濃度以下之時，開啟上述第1及第3調整閥，縮小上述第2調整閥之開度後關閉，而進行上述處理工程。
  11. 如申請專利範圍第9或10項所記載之液處理方法，其中 調整上述第1調整閥之開度而將在上述循環流路流動之氣體之流量控制成一定。
  12. 如申請專利範圍第9至11項中之任一項所記載之液處理方法，其中藉由控制部控制在上述循環流路中之上述氣液分離器之二次側調整溫度或濕度之至少一方的溫濕度調整器，而將從上述處理杯之上方流入至處理杯內之氣體之溫度及/或濕度和從上述循環流路流入至上述處理杯之氣體之溫度及/或濕度調整成一定。
  13. 一種液處理用記憶媒體，記憶有使電腦實行控制程式之軟體的電腦可讀取之記憶媒體，其特徵為：上述控制程式於實行時以實行如申請專利範圍第9至12項中之任一項所記載之工程之方式，電腦控制液處理裝置。
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