TW201335616A - 防污層、防污性基材、顯示裝置及輸入裝置 - Google Patents

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Abstract

防污性基材,係具備具表面之基材、與設置於基材表面之防污層。防污層,係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一者。在防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下。

Description

防污層、防污性基材、顯示裝置及輸入裝置
本技術,係關於防污層、防污性基材、顯示裝置及輸入裝置。詳言之,係關於抑制表面污垢之防污層。
近年來,將觸控面板作為用戶介面(UI)經搭載情報顯示裝置正迅速普及。觸控面板,具有直接以手指觸碰顯示螢幕可直觀操作機器之利點的反面,有由於指紋之附著使螢幕之可見性惡化的問題。於此,正追求即使指紋附著亦難以看見之耐指紋表面。
從以往至今於含有觸控面板之顯示表面,已使用氟系化合物或矽系化合物等設計如出於最表面之防污層(例如參照專利文獻1)。此係藉由形成撥水撥油表面以減弱構成指紋之油脂成分的附著力,以布等擦掉輕易就有效果。然而,只要不以布等擦掉,因為油脂成分被排斥於層表面而出現液滴,將光散射後有指紋明顯的問題。
作為此對策,已提案不脫落油脂成分之撥水親油表面(例如參照專利文獻2)。因為附著於此表面之指紋的油脂成分擴散未形成液滴,難以看見指紋。惟,為了殘留指紋圖樣只要不以布等擦掉,以起因於此之光散射使附著指紋完全看到。又,使指紋連續附著時,結局就是附著指紋明顯。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
日本特許第04666667號公報
[專利文獻2]
日本特開2010-128363號公報
雖期望難以看見如上述之附著指紋的表面,考慮靜電容量觸控面板等之用途時,被認為以手指擦掉指紋之表面(亦即,使用當中指紋變為不明顯之表面)為重要。但是,關於藉由手指提高指紋擦拭性之技術到目前為止尚未被研究。
因此,本技術之目的,係提供一種藉由手指可提高指紋擦拭性之防污層、防污性基材、顯示裝置及輸入裝置。
為了解決上述之課題,第1技術為一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,防污層係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物、及具環狀烴基之第2化合物的至少一者, 第1化合物及上述第2化合物的至少一者,係吸附於上述基材的表面,在防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下。
第2技術為一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,防污層,係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一者,第1化合物係以下述之式(1)或式(2)表示,第2化合物係以下述之式(3)或式(4)表示,在防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下, (式中,R1係含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基,R2為碳數2個以上之基)
(式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)
第3技術為一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於基材表面之防污層,其中,防污層,係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一者,防污層在含有第2化合物之同時,於末端進一步包含具鏈狀烴基之第3化合物,第3化合物,係以下述之式(5)或式(6)表示,在防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下,
第4技術為一種防污層,其係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一者, 第1化合物及第2化合物的至少一者,係吸附於基材的表面,在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下。
第5技術為一種防污層,其係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一者,第1化合物係以下述之式(1)或式(2)表示,第2化合物係以下述之式(3)或式(4)表示在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下、 (式中,R1係含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基,R2為碳數2個以上之基)
(式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)
第6技術為一種防污層,其係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具環狀烴基之第2化合物的至少一種,其中,防污層,在含有上述第2化合物之同時,於末端進一步包含具有鏈狀烴基之第3化合物,第3化合物係以下述之式(5)或式(6)表示,在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下、
於本技術,因為將在輸入面、顯示面或表面之油酸的前進接觸角作為15°以下,將油酸之後退接觸角作為10°以下,可將附著於輸入面、顯示面或表面之指紋以手指等擦拭讓濕潤漫延變薄,變為不明顯。
如以上說明,根據本技術,藉由手指可提高指紋擦拭性。
對本技術之實施形態依以下之順序說明。
1.第1實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)
2.第2實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)
3.第3實施形態(具有耐指紋表面之防污性基材之例)
4.第4實施形態(具有耐指紋表面之顯示裝置之例)
5.第5實施形態(具有耐指紋表面之輸入裝置之例)
<1.第1實施形態> [防污性基材之構成]
圖1,為表示關於本技術之第1實施形態之防污性基材的一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖1所示,具備設置於基材1與基材1之一邊的主面之防污層2。防污性基材,係於設置防污層2側之表面上具有耐指紋表面(防污性表面)S。
關於第1實施形態之防污性基材,係適用於顯示裝置之顯示面、輸入裝置之輸入面、及機殼表面等之合適者。又,於此等之各種表面亦以直接適用無基材1之防污層2為佳。防污性基材或防污層2作為適用於顯示面之顯示裝置,例如雖可列舉電視、個人電腦(PC)、行動機器( 例如,智慧手機、平板電腦等)、相框等,然而並非限定於此者。防污性基材或防污層2作為適用於輸入面之輸入裝置,以具有以手或指觸碰之輸入部分之輸入裝置為佳。作為如此之輸入裝置,例如,雖可列舉觸控面板、滑鼠、鍵盤等,然而並非限定於此者。作為觸控面板,例如雖可列舉設置於電視、個人電腦、行動機器(例如,智慧手機、平板電腦等)、相框等之觸控面板,然而並非限定於此者。防污性基材或防污層2作為適用之機殼,例如雖可列舉電視、個人電腦、行動機器(例如,智慧手機、平板電腦等)、相框等之機殼等,然而並非限定於此者。
防污性基材或防污層2所適用之對象,並非限定於上述之電子機器或機殼者,若為具有以手或指觸碰之表面者為可適當地適用。作為上述之電子機器或機殼以外之物品之例,例如雖可列舉紙、塑膠、玻璃製品等之最表面等(具體而言例如、相片、相框、塑膠外殼、玻璃窗、框架等之最表面等),然而並非限定於此者。
在耐指紋表面S之油酸的前進接觸角為15°以下,油酸之後退接觸角為10°以下。由此,將附著耐指紋表面S之指紋以手指擦拭時,可使指紋濕潤漫延變薄,可將指紋變為不明顯。從而,將防污性基材或防污層2適用於輸入裝置或顯示裝置等時,使用此等之裝置當中可將指紋變為不明顯。於此,前進接觸角及後退接觸角,係油酸之動態接觸角,由滑動法(轉落法)測定。滑動法,係將乘載液滴之固體試料傾斜使液滴滑動之方法。
圖2,係為了說明由滑動法測定前進接觸角及後退接觸角之概略圖。如圖2所示,前進接觸角θa、後退接觸角度θr,係於各自將乘載油酸之液滴10之耐指紋表面S傾斜時,液滴10開始轉落時之前進接觸角度、後退接觸角度。於此,所謂前進接觸角θa,係液滴10濕潤漫延側(液滴前進之側)之接觸角。所謂後退接觸角θr,係液滴10收縮側(與液滴前進側之相反側)之接觸角。
油酸係構成指紋成分之一種,其動態接觸角,被認為係定量表示以手指擦拭指紋之際於材料表面之濕潤漫延程度。因此,油酸之動態接觸角於上述特定值以下之表面,被認為以手指擦拭使指紋濕潤漫延變薄,變為不明顯。
(基材)
基材1,例如,為具有透明性之無機基材或塑膠基材。作為基材1之形狀,例如,可使用薄膜狀、薄片狀、板狀、塊狀等。作為無機基材之材料,例如可列舉石英、藍寶石、玻璃等。作為塑膠基材之材料,例如可使用眾知之高分子材料。作為眾知之高分子材料,具體而言例如可列舉三乙酸纖維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、芳醯胺、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚碸、聚碸、聚丙烯(PP)、雙乙醯纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、環氧樹脂、尿素樹脂、胺基甲酸乙酯樹脂、三聚氰胺樹脂、 環烯烴聚合物(COP)等。
基材1亦可加工作為電子機器等之外裝或顯示之一部份。又,基材1之表面形狀並非限定於平面者,亦可為凹凸面、多角形面、曲面或此等之形狀之組合。作為曲面,例如可列舉球面、橢圓面、拋物面、自由曲面等。又,於基材1之表面,例如,亦可藉由UV轉印、熱轉印、壓轉印、熔融擠壓等附賦予特定之構造。
(防污層)
防污層2,係包含含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一者的表面改質層。防污層2係以含有第1化合物及第2化合物的至少一種,可提高指紋擦拭性。於此,表示末端與主鏈及側鏈之末端。防污層2,例如,為由濕式製程或乾式製程所形成之塗佈層。
於防污層2含有第2化合物時,防污層2,以進一步含有與第2化合物同時於末端具有鏈狀烴基之第3化合物為佳。由此,可進一步提高指紋擦拭性。於此,表示末端與主鏈及側鏈之末端。在防污層2第2化合物與第3化合物之含有比率雖並未特別限定,因為第3化合物係具有比較容易聚集於耐指紋性表面S之性質,考慮此性質以選擇上述含有比率為佳。
防污層2,如有必要,亦可進一步含有聚合起始劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、觸媒、著色劑、抗靜電劑、潤 滑劑、整平劑、消泡劑、聚合促進劑、抗氧化劑、阻燃劑、紅外線吸收劑、界面活性劑、表面改質劑、觸變劑等之添加劑。又,防污層2,為了將AG(Anti-Glare)機能賦予於耐指紋表面S,亦可進一步含有散射光之有機樹脂填料等之光散射粒子。於賦予AG機能時,光散射粒子即使從防污層2之耐指紋表面S突出,亦可以包含於防污層2之樹脂等覆蓋。又,光散射粒子與或不與為下層之基材1接觸皆可。防污層2之平均膜厚,例如為單分子厚度以上且為1mm以下,較佳為單分子厚度以上且為100μm厚度以下,特佳為單分子厚度以上且為10μm以下之範圍內。
第1化合物及/或第2化合物,例如,為防污層2構成材料之主成分、及副成分的至少一者。於此,防污層2係由濕式製程而形成之層時,所謂主成分,例如為基體樹脂,所謂副成分,例如為上述之整平劑等之添加劑等。以第1化合物、第2化合物及第3化合物為添加劑為佳。由此,因為可抑制基體樹脂之硬度劣化等。以如此方式化合物為添加劑時,以添加劑為整平劑為佳。第1化合物、第2化合物及第3化合物為整平劑等之添加劑時,以第1化合物、第2化合物及第3化合物為由聚合反應等鍵結於基體樹脂為佳。因為可提高耐指紋性表面S之耐久性。
(第1化合物)
第1化合物,只要有酯鍵於末端以外部分即可,無論 有機材料或是有機-無機之複合材料,又或高分子材料或單分子材料。又,第1化合物,只要有酯鍵,對其以外之分子構造並沒有特別限制,即所謂可具有官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為第1化合物,例如可使用於分子內具有下述之式(1)或式(2)所表示之構造之化合物。
(式中,R1為含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基;含有此等原子之基,例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等;R2為碳數2個以上之基,例如為含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基;含有此等原子之基,例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等)
(式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti等原子之基;含有此等原子之基,例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸 鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。
(第2化合物)
第2化合物,具有環狀烴基。環狀烴基,例如只要為不飽和環狀烴基及飽和環狀烴基之任一種即可,亦可於分子內具有不飽和環狀烴基及飽和環狀烴基之雙方。防污層2,可含有具有不飽和環狀烴基之第2化合物與具有飽和環狀烴基之第2化合物雙方。環狀烴基可為單環式及多環式之任一種。又此等之環狀烴基亦可具有別的取代基。作為別的取代基,例如為烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。第2化合物,只要含有環狀烴基無論有機材料或是有機-無機之複合材料,又或高分子材料或單分子材料皆可。第2化合物,只要有環狀烴基,對其以外之分子構造並沒有特別限制,即所謂可具有官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為飽和環狀烴基,例如可列舉具有碳數5以上之單環、雙環、三環、四環構造等之基。更具體而言,可列舉環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十二烷基、金剛烷基、降金剛烷基、三環癸基、四環十二烷基、降冰片基、異莰基、類固醇基等。作為不飽和 環狀烴基,例如可列舉苯基、萘基、芘基、稠五苯基、蒽基等。
作為有機材料,例如可使用於分子內具有下述之式(3)所表示構造之化合物。
作為有機-無機之複合材料,例如可使用於分子內具有下述之式(4)所表示構造之化合物。
(第3化合物)
第3化合物,係於末端具有鏈狀烴基(非環系烴基)。鏈狀烴基,例如可為不飽和鏈狀烴基及飽和鏈狀烴基之任一者,亦可於分子內具有不飽和鏈狀烴基及飽和鏈狀烴基之雙方。鏈狀烴基可為直鏈及分支鏈之任一者,可於分子內具有直鏈烴基及分支鏈烴基之雙方。又,鏈狀烴基亦可具有別的取代基。作為別的取代基,例如可列舉烴基、磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、醯胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基等。
作為第3化合物若是於末端具有鏈狀烴基之化合物, 即使是有機材料或是有機-無機之複合材料,又或是高分子材料或單分子材料皆可使用。第3化合物,只要於末端具有鏈狀烴基,對其以外之分子構造並沒有特別限制,即所謂可具有官能基、鍵結部位、雜原子、鹵素原子及金屬原子等。作為不飽和鏈狀烴基,例如可列舉碳數2以上之不飽和鏈狀烴基。更具體而言,可列舉丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十二烯基等。作為飽和鏈狀烴基,例如可列舉碳數2以上之飽和鏈狀烴基。更具體而言,可列舉乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、異己基、庚基、異庚基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十二烷基、異十二烷基、月桂基、十三烷基、異十三烷基、十四基(Myristyl)、異十四基(Isomyristyl)、十六烷基、異十六烷基、硬脂醯基、異硬脂醯基、二十烷基、異二十烷基、二十二烷基、異二十二烷基、膽固醇基等。
作為有機材料,例如可使用於分子內具有下述之式(5)所表示構造之化合物。
作為有機-無機之複合材料,例如,例如可使用於分子內具有下述之式(6)所表示構造之化合物。
(耐指紋表面之確認方法)
防污性基材是否具有耐指紋表面S,例如可如以下進行加以確認。首先,測定防污性基材表面之動態接觸角,確認油酸之前進接觸角是否為15°以下,油酸之後退接觸角是否為10°以下之範圍內。然後,若油酸之前進接觸角及油酸之後退接觸角於上述範圍內,可判定防污性基材具有耐指紋表面S。
又,亦可如以下進行加以確認。
首先,將防污性基材表面之材料以溶劑萃取後,以氣相色譜儀質量分析法(Gas Chromatograph-Mass Spectrometry:GC-MASS)進行組成分析。然後,若能檢出上述之第1化合物及第2化合物之至少一種,可判定防污性基材具有耐指紋表面S。
亦可組合上述之二種確認方法,確認防污性基材是否具有耐指紋表面S。
[防污性基材之製造方法]
以下,對使用濕式製程之防污性基材之製造方法的一例進行說明。
(樹脂組成物之調製)
首先,將樹脂成分溶解於溶劑中調製樹脂組成物。作為溶劑,例如可使用水或有機溶劑。樹脂組成物,係將能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物之至少一者作為主成分。
所謂能量線硬化性樹脂組成物,係意味著可藉由照射能量線使其硬化之樹脂組成物。所謂能量線,係表示成為觸發與電子線、紫外線、紅外線、雷射光線、可見光、電離放射線(X光、α線、β線、γ線等)、微波、高週波等之自由基、陽離子、陰離子等之聚合反應之能量線。能量線硬化性樹脂組成物,如有必要,亦可與其他樹脂組成物混合使用,例如可與熱硬化性樹脂組成物等之其他硬化性樹脂組成物混合使用。又,能量線硬化性樹脂組成物,可為有機無機混合材料。又,可混合作為2種以上之能量線硬化性樹脂組成物使用。能量線硬化性樹脂組成物,以使用由紫外線而硬化之紫外線硬化樹脂組成物為佳。
能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂,例如,含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一種。能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂,從提高指紋擦拭性之觀點來看,以進一步含有於末端具有鏈狀烴基之第3化合物為佳。
能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂,含有基體樹脂及添加劑(含有起始劑)。第1化合物、第2化合物及第3化合物,係以為能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物等之添加劑為佳。於此情況,添加劑,係以 為整平劑為佳。
紫外線硬化性樹脂組成物,例如含有具(甲基)丙烯醯基之(甲基)丙烯酸酯及起始劑。於此,係意味著(甲基)丙烯醯基,丙烯醯基或甲基丙烯醯基。又,(甲基)丙烯酸酯,係意味著丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。紫外線硬化性樹脂組成物,例如含有單官能單體、雙官能單體、多官能單體等,具體而言,係將以下所示材經單獨或複數混合者。
作為單官能單體,例如可列舉羧酸類(丙烯酸)、羥基類(2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、4-羥丁基丙烯酸酯)、烷基、脂環類(異丁基丙烯酸酯、t-丁基丙烯酸酯、異辛基丙烯酸酯、月桂基丙烯酸酯、硬脂醯丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯)、其他機能性單體(2-甲氧乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧乙基丙烯酸酯、四氫糠基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺丙基丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、丙烯醯基嗎啉、N-異丙基丙烯醯胺、N,N-二乙基丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯啶酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥丙基丙烯酸酯、2-(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2,4,6-三溴酚丙烯酸酯、2,4,6-三溴酚甲基丙烯酸酯、2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、2-乙基己基丙烯酸酯等。
作為雙官能單體,例如可列舉三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯等。
作為多官能單體,例如可列舉三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙季戊四醇五及六丙烯酸酯、二三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。
作為起始劑,例如可列舉2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等。
溶劑,例如從樹脂成分之塗佈性、安定性、及塗膜之平滑性等觀點來看,係配合於樹脂組成物中使用。不要的情況時可無溶劑。具體而言,例如可混合甲苯、二甲苯等之芳香族系溶劑;甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、丙二醇單甲基醚等之醇系溶劑;乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯等之酯系溶劑;丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮系溶劑;2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、丙二醇乙基醚等之甘醇醚類;2-甲氧乙基乙酸酯、2-乙氧乙基乙酸酯、2-丁氧乙基乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯等之甘醇醚酯類;氯仿、二氯甲烷、三氯甲烷、二氯甲烷等之氯系溶劑;四氫呋喃、二乙基醚、1,4-二噁烷、1,3-二氧戊環等之醚系溶劑;N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二甲基乙醯胺等之1種或2種以上混合使用。為了抑制 塗佈面狀之乾燥不均或裂縫,進而添加高沸點溶劑,亦可控制溶劑之蒸發速度。例如可列舉丁基溶纖劑、二丙酮醇、丁基三甘醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單異丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單甲基醚二乙二醇二乙基醚、二丙二醇單甲基醚、三丙二醇單甲基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇異丙基醚、二丙二醇異丙基醚、三丙二醇異丙基醚、甲甘醇。此等之溶劑可單獨使用,又亦可複數組合。
(樹脂組成物之塗佈)
其次,將經調製之樹脂組成物塗佈或印刷於基材之一主面或雙主面。作為塗佈方法,例如可使用線棒塗佈、刀塗佈、旋轉塗佈、逆向輥塗法、模塗佈、噴塗、輥塗、凹板塗佈、微凹板塗佈、唇塗、氣刀塗佈、簾式塗佈、刮刀式塗佈法、浸漬法等。作為印刷方式,例如可使用凸版印刷法、平版印刷法、凹板印刷法(Gravure printing)、凹版印刷法(Intaglio printing)、橡膠板印刷法、噴墨法、網印法等。
(乾燥)
其次,如有必要,由使樹脂組成物乾燥,而揮發溶劑。乾燥條件並非特別限定,可為自然乾燥,亦可為調整乾燥溫度或乾燥時間等之人工乾燥。惟,於乾燥時塗料表面 面臨風時,以於塗膜表面不產生風紋為佳。又,乾燥溫度及乾燥時間可藉由包含於塗料中之溶劑的沸點適當決定。該情況,乾燥溫度及乾燥時間,係考量基材11之耐熱性,以選定由熱收縮使不引起基材11變形的範圍為佳。
(硬化)
其次,例如,由電離放射線照射或熱,使經塗佈於基材1之一主面的樹脂組成物硬化。由此,形成防污層2於基材1之一主面或雙主面上。作為電離放射線,例如可使用電子線、紫外線、可見光、伽瑪射線、電子線等,從生產設備觀點來看,以紫外線為佳。累積照射量,以考慮樹脂組成物之硬化特性、樹脂組成物或基材11之黃變抑制等適宜選擇為佳。又,作為照射之雰圍,以因應樹脂組成物之種類適宜選擇為佳、例如可列舉空氣、氮氣、氬氣等之惰性氣體的雰圍。
由以上,得到作為目的之防污性基材。
(效果)
根據第1實施形態,因為在防污性基材之耐指紋表面S將油酸之前進接觸角作為15°以下,將油酸之後退接觸角作為10°以下,可將附著於防污性基材之耐指紋表面S之指紋以手指擦拭讓濕潤漫延變薄,變為不明顯。從而,藉由手指等可提高指紋擦拭性。
[變形例]
於上述之第1實施形態,防污層2,雖將含有具環狀烴基之第2化合物與、於末端具有鏈狀烴基之第3化合物之雙方化合物的構成作為例子說明,然而本技術並非限定於此例者。防污層2,可採用含有具環狀烴基、且於末端具有鏈狀烴基之第4化合物的構成。即使於此情況,可得到與上述之第1實施形態同樣之指紋擦拭性。
又,於上述之第1實施形態,雖將設置隣接於基材1之一主面之防污層2的構成作為例子說明,然而防污性基材之構成並非限定於此例者。在以下,對防污性基材之變形例進行說明。
(第1變形例)
圖3,為表示關於第1變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖3所示,在進一步具備設置於基材1與防污層2之間的錨層3(Anchor layer 3)之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。藉由以如此具備設置於基材1與防污層2之間的錨層3,可提高基材1與防污層2之密著性。
作為錨層3之材料,例如可使用廣泛選擇來自以往所眾知之天然高分子樹脂及合成高分子樹脂。作為此等之樹脂,例如可使用透明之熱可塑性樹脂、以電離放射線照射或熱硬化之透明硬化性樹脂。作為熱可塑性樹脂,例如可使用聚氯乙烯、氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚甲基甲 基丙烯酸酯、硝化纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。作為透明硬化性樹脂,例如可使用甲基丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯、異氰酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。作為電離放射線,例如可使用電子線、光(例如紫外線、可見光等)、伽瑪射線、電子線等,從生產設備觀點來看,以紫外線為佳。
錨層3之材料亦可進一步含有添加劑。作為添加劑,例如可列舉界面活性劑、黏度調整劑、分散劑、硬化促進觸媒、可塑劑、抗氧化劑或硫化抑制劑等之安定劑等。
(第2變形例)
圖4,為表示關於第2變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖4所示,在進一步具備設置於基材1與防污層2之間的硬塗層4之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。於使用塑膠薄膜等之樹脂基材作為基材1時,以如此設置硬塗層4為特佳。如上述藉由具備硬塗層4於基材1與防污層2之間,可提高實用特性(例如耐久性或鉛筆硬度等)。
作為硬塗層4之材料,例如可使用廣泛選擇來自以往所眾知之天然高分子樹脂及合成高分子樹脂。作為此等之樹脂,例如可使用透明之熱可塑性樹脂、以電離放射線照射或熱硬化之透明硬化性樹脂。作為熱可塑性樹脂,例如可使用聚氯乙烯、氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚甲基 甲基丙烯酸酯、硝化纖維素、氯化聚乙烯、氯化聚丙烯、乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素等。作為透明硬化性樹脂,例如可使用甲基丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯、異氰酸酯、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等。作為電離放射線,例如可使用電子線、光(例如紫外線、可見光等)、伽瑪射線、電子線等,從生產設備觀點來看,以紫外線為佳。
硬塗層4之材料亦可進一步含有添加劑。作為添加劑,例如可列舉界面活性劑、黏度調整劑、分散劑、硬化促進觸媒、可塑劑、抗氧化劑或硫化抑制劑等之安定劑等。又,硬塗層4,為了賦予AG(Anti-Glare)機能於耐指紋表面S上,亦可進一步含有散射光之有機樹脂填料等之光散射粒子。
於此情況,光散射粒子即使從硬塗層4之表面或防污層2之耐指紋表面S突出,亦可以由包含於硬塗層4或防污層2之樹脂覆蓋。光散射粒子可能不與為下層之基材1接觸。硬塗層4及防污層2之雙層,可進一步含有光散射粒。又,代替AG(Anti-Glare)機能,或加上AG(Anti-Glare)機能,可將AR(Anti-Reflection)機能賦予防污性基材。AR(Anti-Reflection)機能,例如可賦予形成AR層於硬塗層4上。作為AR層,例如可使用低折射率層之單層膜、低折射率層與高折射率層交互層合之多層膜。
(第3變形例)
圖5,為表示關於第3變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖5所示,在進一步具有設置於基材1與防污層2之間的硬塗層4與設置於基材1與硬塗層4之間的錨層3之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。於使用塑膠薄膜等之樹脂基材作為基材1時,以如此設置硬塗層4為特佳。
(第4變形例)
圖6,為表示關於第4變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖6所示,在進一步於基材1之雙主面具備硬塗4之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。防污層2,係設置在設置於基材1雙主面之硬塗層4其中之一的表面上。於使用塑膠薄膜等之樹脂基材作為基材1時,以如此設置硬塗層4為特佳。
(第5變形例)
圖7,為表示關於第5變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。此防污性基材,如圖7所示,在進一步於基材1之雙主面具備錨層3及硬塗4之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。錨層3,係設置於基材1與硬塗層4之間。防污層2,係設置在設置於基材1雙主面之硬塗層4其中之一的表面上。於使用塑膠薄膜等之樹脂基材作為基材1時,以如此設置硬塗層4為特佳。
<2.第2實施形態> [防污性基材之構成]
圖8A~圖8C為表示關於本技術之第2實施形態之防污性基材之構成例的模式圖。關於第2實施形態之防污性基材,使吸附化合物2a吸附於基材1一邊之主面上,而形成防污層2之觀點,與關於第1實施形態之防污性基材不同。於此,基材1可含有防污層以外之層(錨層(Anchor layer)、硬塗層等)。防污層2,例如,為由吸附化合物2a而形成之單分子層。吸附吸附化合物2a之區域,並非限定於基材1一邊之主面上,可為基材1之雙主面、或其一部份之區域,可選擇性地使吸附化合物2a僅吸附於以手或指等頻繁觸碰之主面或區域。
對於基材1表面之吸附化合物2a的吸附位置,可為吸附化合物2a之側鏈及主鏈末端之任一者,兩者亦可吸附於基材1的表面。於圖8A,表示吸附化合物2a之主鏈的單末端吸附於基材1之表面的構成。於圖8B,表示吸附化合物2a之側鏈的末端吸附基材1之表面的構成。於圖8C,表示、吸附化合物2a之主鏈吸附於基材1之表面的構成。吸附,可為物理吸附及化學吸附之任一種,從耐久性之觀點來看時,以化學吸附為佳。作為吸附,具體而言,例如可列舉由酸鹼反應、共價鍵、離子鍵、氫鍵等之吸附。
作為吸附化合物2a,例如,對於在上述之第1實施 形態的第1化合物及第2化合物,可進一步使用賦予吸附於基材1之表面的吸附基。設置吸附基之位置,可為吸附化合物2a之末端及側鏈之任一種,亦可為賦予複數吸附基於一個吸附化合物2a中。
作為吸附基,可吸附基材1即可。具體而言,為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基、硫醇基等。如此之吸附基,至少一個存在於吸附化合物2a中即可。
作為具有吸附基之第1化合物,例如可使用於分子內具有下述之式(7)所表示構造之化合物。
(式中,X,例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等)
作為具有吸附基之第2化合物,例如可使用於分子內具有下述之式(8)所表示構造之化合物。
(式中,X,例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等)
作為具有吸附基之第3化合物,例如可使用於分子內具有下述之式(9)所表示構造之化合物。
(式中,X,例如為磺基(包含磺酸鹽)、磺醯基、羧酸基(包含羧酸鹽)、胺基、磷酸基(包含磷酸鹽、磷酸酯)、膦基、環氧基、異氰酸酯基或硫醇基等)
[防污性基材之製造方法]
以下,對使用濕式製程之防污性基材的製造方法之一例進行說明。
(吸附化合物溶液之調製)
首先,將吸附化合物2a溶解於溶劑調製處理溶液。吸附化合物2a於常溫為液體時,或實施加熱處理等為液體狀態時,有時亦可直接使用。藉由此處理溶液接近於基材1之表面,而使吸附化合物2a吸附。因為增加處理溶液中吸附化合物之量則提高吸附速度,故化合物濃度以大者為宜,具體而言以0.01質量%以上為佳。
溶劑,可適當選擇使用將吸附化合物2a能溶解於特定濃度者。具體而言,例如可混合甲苯、二甲苯等之芳香族系溶劑;甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、丙二醇單甲基醚等之醇系溶劑;乙酸甲酯、乙酸乙酯 、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯等之酯系溶劑;丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮系溶劑;2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、二乙二醇二甲基醚、丙二醇乙基醚等之甘醇醚類;2-甲氧乙基乙酸酯、2-乙氧乙基乙酸酯、2-丁氧乙基乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯等之甘醇醚酯類;氯仿、二氯甲烷、三氯甲烷、二氯甲烷等之氯系溶劑;四氫呋喃、二乙基醚、1,4-二惡烷、1,3-二氧戊環等之醚系溶劑;N-甲基吡咯啶酮、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、二甲基乙醯胺等之1種或2種以上使用。
(吸附)
其次,例如,或是將係處理對象物之基材1浸漬處理溶液,或是係處理對象物之基材1的一主面或雙主面上塗佈或印刷一定量之處理溶液。
作為塗佈法,例如可使用線棒塗佈、刀塗佈、旋轉塗佈、逆向輥塗法、模塗佈、噴塗、輥塗、凹板塗佈、微凹板塗佈、唇塗、氣刀塗佈、簾式塗佈、刮刀式塗佈法、浸漬法等。作為印刷法,例如可使用凸版印刷法、平版印刷法、凹板印刷法、凹版印刷法、橡膠板印刷法、噴墨法、網印法等。
使用浸漬法時,係處理對象物之基材1準備充分浸漬量之處理溶液,以將基材1浸漬0.1秒~48小時為佳。於浸漬後,如有必要,將基材1以吸附化合物2a之良溶劑 洗淨,可沖洗未吸附之吸附化合物2a。然後,如有必要,由使其乾燥,而完成吸附處理。作為乾燥方法,例如,可使用自然乾燥、及由加熱裝置等之人工乾燥的任一者。又,將係處理對象物之基材1浸漬的期間,藉由進行加熱處理及/或超音波處理等,可加速吸附化合物2a之吸附速度。
於使用塗佈法時,於將處理溶液塗佈於基材1之際,可對基材1併用加熱處理及/或超音波處理等。塗佈後,如有必要,將基材1以吸附化合物2a之良溶劑洗淨,可沖洗未吸附之吸附化合物2a。然後,如有必要,由使其乾燥,而完成吸附處理。作為乾燥方法,例如,可使用自然乾燥、及由加熱裝置等之人工乾燥的任一種。沒必要以1次塗佈達成所期望之處理溶液的塗佈量,藉由重複數次上述之塗佈及洗淨步驟,可達成所期望之處理溶液的塗佈量。
(效果)
根據第2實施形態,使吸附化合物2a吸附於基材1之表面,因為將防污層2形成於基材1之表面,可得到與上述之第1實施形態同樣的效果。
[變形例]
於上述之第1實施形態及第2實施形態,雖將作為防污性基材之製造方法使用濕式製程之方法作為例子說明, 然而防污性基材之製造方法並非限定於此例者,亦可使用乾式製程。亦即,由乾式製程,亦可將上述之第1實施形態或第2實施形態之防污層2直接成膜於基材1之表面上。
作為乾式製程,例如可使用濺射法、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法、電漿CVD法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、離子電鍍法等。防污層2之膜厚,例如為單分子厚度以上且為1mm以下,較佳為單分子厚度以上且為100μm厚度以下,特佳為單分子厚度以上且為10μm以下之範圍內。
<3.第3實施形態>
圖9A,為表示關於本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖9B,為表示關於本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的平面圖。
關於第3實施形態之防污性基材,在設置凹部2a於防污層2之耐指紋表面S之觀點,與第1實施形態不同。
在凹部2a設置於耐指紋表面S之油酸的前進接觸角為9.8°以下,油酸之後退接觸角為4°以下。由此,將附著於耐指紋表面S之指紋以手指擦拭時,與耐指紋表面S為平面之情況相比,可將指紋濕潤漫延變薄,進一步使指紋變得不明顯。從而,將防污性基材或防污層2適用於輸入裝置或顯示裝置等時,正在使用此等之裝置進一步可使指紋變得不明顯。
凹部2a,係表現對於在耐指紋表面S之液體表面上之正毛細管壓力,且係為了增加表面積者。藉由將如此之凹部2a設置於耐指紋表面S,將在表面上之油酸的前進接觸角及後退接觸角,與耐指紋表面S為平面之情況相比可減低。亦即,可藉由手指等進一步提高指紋擦拭性。
圖10A,為了說明在耐指紋表面對毛細管壓力之方向的示意圖。毛細管壓力P,係從作用於遠離耐指紋表面S之面內方向當中之液滴11的方向。於此,將從作用於遠離耐指紋表面S上之液滴11的方向之毛細管壓力P定義為正毛細管壓力P。藉由作用於耐指紋表面S上之液滴11的正毛細管壓力P,可將液滴11濕潤漫延變薄。以於正毛細管壓力P亦加上於深度方向進一步使毛細管壓力P作用為佳,由此,因為可進一步將液滴11濕潤漫延變薄。
複數之凹部2a,例如以規則或任意圖樣設置於防污層2之耐指紋表面S。作為凹部2a,例如可使用孔部、溝部,從將指紋等濕潤漫延之觀點來看時,以使用溝部為佳。
作為溝部,例如,可使用一個方向延伸之一次元溝、或二個方向延伸之2次元溝,從將指紋等以2次元濕潤漫延之觀點來看時,以使用2次元溝為佳。
作為對於從垂直方向見到之耐指紋表面S之溝部形狀,雖可列舉條紋狀、格子狀、網狀、同心圓狀、螺旋狀等,然而並非限定於此者。又,可將溝部搖晃於面內方向。又,可將溝部之深度及/或寬面對其延伸方向使其周期性 或任意地變動。尚且,於圖9B,表示將具有格子狀之形狀的溝部作為凹部2a之例。
將溝部於垂直其延伸方向切斷之剖面形狀,若為可增加毛細管壓力之表現及表面積之形狀,就沒有特別限制,若例示,例如可列舉U字狀、V字狀、半圓形狀、半橢圓形狀等。
作為孔部之形狀,例如可使用柱狀、錐體狀、半球狀、半橢圓球狀、不規則形狀等,然而並非限定於此者。作為孔部之排列,可為規則及任意圖樣之任一種,可組合兩者使用。
凹部2a,可為設置於突起間之凹部。作為突起之形狀,例如雖可使用柱狀、錐體狀、半球狀、半橢圓球狀、不規則形狀等,然而並非限定於此者。作為突起之排列,可為規則及任意圖樣之任一種,可組合兩者使用。
凹部2a之寬W及深度D,為可增加毛細管壓力之表現及表面積之寬及深度。具體而言,凹部2a之寬W,以為1nm以上且為1mm以下之範圍內為佳。另一方面,凹部2a之深度D,以為1nm以上且為1mm以下之範圍內為佳。
凹部2a之間距P,為可增加毛細管壓力之表現及表面積之間距。具體而言,凹部2a之間距P,以為1nm以上且為1mm以下之範圍內為佳。
藉由設置於防污層2之耐指紋表面S之複數凹部2a的凹凸面,若可表現表示於以下之二個效果(毛細管壓力 及表面積增加之效果),被認為凹凸面之接觸角比平面更小。
(毛細管壓力)
圖10B,為了說明在凹凸面對毛細管現象之示意圖。在凹凸面之毛細管現象,由以下Lucas-Washburn之式(1)表示。
L=√(r γ cos θ t/2 η)...(1)
L=變位(前進距離)、r:毛細管半徑、γ cos θ:浸透力、γ:液體之表面張力、θ:接觸角、η:黏度、t:時間
(表面積增加)
圖10C,係為了說明在凹凸面之接觸角之概略圖。凹凸面之接觸角,由以下Wenzel之式(2)表示。
cos θ*=r cos θ...(2)
r(實面積係數):Aact/Aapp(Aact:實際之面積、Aapp:表觀之面積)、θ*:凹凸面之接觸角、θ:平滑面之接觸角
根據第3實施形態,因為設置複數凹部2a於耐指紋表面(防污性表面)S,與第1實施形態相比在耐指紋表面S之油酸的前進接觸角及油酸的後退接觸角可減低。從而,進一步可由手指等提高指紋擦拭性。
[變形例]
圖11,為表示關於變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。設置凹部1a於基材1之表面,可如按照此凹部1a設置防污層2之凹部2a。於此構成之防污性基材,可採用作為防污層2之第2實施形態之防污層2。亦即,於複數之凹部1a所設置之基材1的表面,可使吸附化合物2a吸附,而設置防污層2。
<4.第4實施形態>
圖12,為表示關於本技術之第4實施形態之顯示裝置之一構成例的透視圖。如圖12所示,設置防污層2於顯示裝置101之顯示面S1。於圖12,雖表示將防污層2直接設置於顯示裝置101之顯示面S1之例,由將防污性基材適用於顯示裝置101之顯示面S1,可將防污層2設置於顯示裝置101之顯示面S1。對適用於如此之顯示面S1之防污性基材時,可採用將防污性基材透過貼合層貼合於顯示裝置101之顯示面S1之構成。於採取此構成時,作為防污性基材之基材1,以使用具有透明性及可撓性之薄片等為佳。
作為顯示裝置101,例如可使用液晶顯示、CRT(Cathode Ray Tube)顯示、電漿顯示(Plasma Display Panel:PDP)、電致發光(Electro Luminescence:EL)顯示、表面傳導電子發射顯示器(Surface-conduction Electron-emitter Display:SED)等之各種顯示裝置。
根據第4實施形態,因為可將顯示裝置101之顯示面S1作為耐指紋表面S,將附著於顯示裝置之顯示面S1的指紋以手指等擦拭可使其濕潤漫延變薄,而變得不明顯。從而,可提高顯示裝置101之可見性。
<5.第5實施形態>
圖13A,為表示關於本技術之第5實施形態之顯示裝置之一構成例的透視圖。如圖13A所示,設置輸入裝置102於顯示裝置101之顯示面S1上。因此,設置防污層2於輸入裝置102之輸入面S2上。所謂顯示裝置101與輸入裝置102,例如係透過由黏著劑等所構成之貼合層貼合。於圖13A,雖表示將防污層2直接設置於輸入裝置102之輸入面S2上之例,由將防污性基材適用於輸入裝置102之輸入面S2,可將防污層2設置於輸入裝置2之顯示面S1。對適用於如此之輸入面S2之防污性基材時,可採用將防污性基材透過貼合層貼合於輸入裝置102之輸入面S2之構成。於採取此構成時,作為防污性基材之基材1,以使用具有透明性及可撓性之薄片等為佳。
輸入裝置102,例如為電阻膜方式或靜電容量方式之觸控面板。作為電阻膜方式之觸控面板,例如可列舉矩陣電阻膜方式之觸控面板。作為靜電容量方式之觸控面板,例如可列舉Wire Sensor方式或ITO Grid方式之投影型靜電容量方式觸控面板。
根據第5實施形態,因為可將輸入裝置102之輸入面 S2作為耐指紋表面S,將附著於輸入裝置102之輸入面S2的指紋以手指等擦拭可使其濕潤漫延變薄,而變得不明顯。從而,可提高輸入裝置102所設置之顯示裝置101之可見性。
[變形例]
圖13B,為表示關於本技術之第5變形例之輸入裝置之變形例的分解透視圖。如圖13B所示,可進一步具備前面板(表面構件)103於輸入裝置102之輸入面S2。於此情況,設置防污層2於前面板103之面板表面S3。所謂輸入裝置102與前面板(表面構件)103,例如係由黏著劑等所構成之貼合層貼合。
[實施例]
對本技術之實施例用以下之順序說明。
1.含有具酯鍵之化合物之表面
2.含有具環狀烴基之化合物之表面
3.動態接觸角
4.具有溝形狀之表面
以下,雖由實施例具體說明本技術,本技術並非僅限定於此等之實施例。
<1.含有具酯鍵之化合物之表面> (實施例1)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),藉由於80℃下乾燥2分鐘,形成防污層於TAC薄膜上。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(10)所表示構造之化合物:10質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
分子量(Mw):100000
R1、R2、R6為烴基,R3為碳數2個以上之烴基,R5為碳數2個以上之基,於中間及/或末端具有胺基。
(實施例2)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),藉由於80℃下乾燥2分鐘,形成防污層於TAC薄膜上。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(11)所表示構造之化合物:10質量%
溶劑(甲基乙基酮):90質量%
分子量(Mn):8000
R1~R4為烴基。
(實施例3)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用5號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,於氮氣雰圍下藉由UV硬化,而形成防污層於TAC薄膜上。
(樹脂組成物之摻合)
親水硬塗(中國塗料股份有限公司製,商品名:Folder Seed 440C-M無起始劑):38.4質量%
多官能丙烯酸酯(新中村化學工業股份有限公司製,商品名:A-TMM-3L):10.5質量%
光聚合起始劑(千葉Specialty Chemicals公司製,商品名:Irgacure-127):1.1質量%
溶劑(乙醇):50質量%
進而,於下述之摻合處理溶液以室溫浸漬10秒,吸附化合物於親水硬塗表面。然後,以乙腈進行充分清洗,於80℃下使其乾燥2分鐘。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(處理溶液之摻合)
具有下述之式(12)所表示構造之化合物:10質量%
溶劑(乙腈):90質量%
分子量(Mw):100000
R1、R2、R6為烴基,R3為碳數2個以上之烴基,R5為碳數2個以上之基,於中間及/或末端具有胺基。
(實施例4)
將下述之摻合的樹脂組成物,使用10號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,於氮氣雰圍下藉由UV硬化,而形成防污層於TAC薄膜上。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(Sartomer公司製,商品名:CN9006):9.4質量%
光聚合起始劑(千葉Specialty Chemicals公司製,商品名:Irgacure-184):0.5質量%
溶劑(t-丁醇):90質量%
整平劑(具有下述之式(13)所表示構造之化合物):0.1質量%
R1~R4為烴基。
(比較例1)
將含有氟原子,具有下述之式(14)所表示構造之化合物,使用蒸鍍法附著於玻璃基板。由此,得到作為目的之表面處理基板。
R1為含有氟原子之烴基,R2為碳數5以下之烴基。
(比較例2)
將下述之摻合的樹脂組成物,使用5號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,於氮氣雰圍下藉由UV硬化,而形成防污層於TAC薄膜上。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(Sartomer公司製、商品名:CN9006):9.4質量%
光聚合起始劑(千葉Specialty Chemicals公司製、 商品名:Irgacure-184):0.5質量%
溶劑(t-丁醇):90質量%
親油化劑(十六烷基丙烯酸酯):0.1質量%
其次,對如上述進行而得到之實施例1~4、比較例1、2之防污性薄膜表面,進行「動態接觸角之評價」、「指紋之指擦拭性評價」及「硬度之評價」。其結果表示於表1。
(水及油酸靜的接觸角之評價)
使用攜帶接觸角計(協和界面化學股份有限公司製,商品名:PCA-1)以下述條件評價水及油酸之靜的接觸角。其結果表示於表1。
.水放入塑膠注射器,安裝不銹鋼製針(15G)於其先端而滴下於評價面。
.油酸放入塑膠注射器,安裝鐵氟龍製針(18G)於其先端而滴下於評價面。
.液滴滴下量:2μl(水)、1μl(油酸)
.測定溫度:25℃
(動態接觸角之評價)
使用自動接觸角計(協和界面化學股份有限公司製,商品名:DM-501),以下述條件藉由滑動法評價油酸之轉落開始時之前進接觸角與後退接觸角。其結果表示於表1。於此,前進接觸角及後退接觸角之定義,參照圖2如 說明所述。
.油酸放入塑膠注射器,安裝不銹鋼製針於其先端而滴下於評價面。
.油酸滴下量:5μl
.測定溫度:25℃
.轉落開始之判定為液滴之傾斜下側開始動時。
.前進接觸角與後退接觸角由接線法求得。
(指紋之指擦拭性的評價)
首先,將經準備之試料,使用兩面黏著薄片貼合於使其評價面置於上之黑色壓克力板(三菱Rayon股份有限公司製,商品名:Acrylic light)(日東電工股份有限公司製,商品名:LUCIACS CS9621T)。其次,附指紋於評價面將其部分以手指擦拭5次之中,將螢光燈打在其表面,以目視觀察表面,用以下之基準評價。其結果表示於表1。
4:比評價結果「3」進而更看不到指紋附著污垢。
3:指紋附著污垢幾乎看不到。
2:指紋附著污垢不明顯。
1:指紋附著污垢明顯。
(硬度之評價)
硬度,由馬氏硬度評價。馬氏硬度,以PICODENTOR HM500(商品名;(股)Fischer. Instruments製)評價。荷重為3mN。作為針使用鑽石錐體,以面角136°測定。
(臨界表面張力之評價)
使用攜帶接觸角計(協和界面化學股份有限公司製,商品名:PCA-1)以下述條件評價水、乙二醇及十六烷之靜的接觸角,然後使用Zisman Plot算出臨界表面張力。其結果表示於表1。
.水及乙二醇放入塑膠注射器,安裝不銹鋼製針(15G)於其先端而滴下於評價面。
.十六烷放入塑膠注射器,安裝鐵氟龍製之針(22G)於其先端而滴下於評價面。
.液滴滴下量:2μl
.測定溫度:25℃
表1,表示實施例1~4及比較例1、2之評價的結果。
(考察)
從表1理解以下之事。
實施例1、2:因為由具有酯鍵之化合物而形成防污層,油酸之動態接觸角低落,得到良好之擦拭性。
實施例3:即使於將具有酯鍵之化合物吸附於表面的情況,表現良好之擦拭性。
實施例4:即使為由將丙烯酸系化合物作為主成分之材料而形成防污層的情況,藉由使其含有具酯鍵之化合物作為整平劑於其材料,可抑制表面之動態接觸角,並改善擦拭性。
比較例1:於撥水撥油防污表面,動態接觸角提高,以手指之擦拭性不佳。
比較例2:即使為附著指紋難以看見之親油薄膜,因動態接觸角高,以手指之擦拭性不佳。
<2.含有具環狀烴基之化合物的表面> (實施例5)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化,而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(15)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.5質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例6)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(16)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.5質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例7)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(17)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.4905質量%
具有下述之式(18)所表示構造之1官能甲基丙烯酸酯:0.0095質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例8)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(19)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.4525質量%
具有下述之式(20)所表示構造之1官能甲基丙烯酸酯:0.0475質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例9)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(21)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.405質量%
具有下述之式(22)所表示構造之1官能甲基丙烯酸酯:0.095質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚 合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例10)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(23)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.31質量%
具有下述之式(24)所表示構造之1官能甲基丙烯酸酯:0.19質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例11)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度100μm之ZEONOR薄膜(日本Zeon股份有限公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,氮氣雰圍下藉由UV硬化而形成防污層。由此,而得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(25)所表示構造之雙官能丙烯酸酯:9.4525質量%
具有下述之式(26)所表示構造之1官能丙烯酸酯:0.0475質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):0.5質量%
溶劑(甲基異丁基酮):90質量%
(實施例12)
於具有下述之摻合的樹脂組成物,將厚度1.3mm之載玻片(松浪硝子工業公司製)於常溫下2小時浸漬。然後,以丙酮清洗於80℃下乾燥2分鐘,進而於150℃下2小時使其硬化。由此,而得到作為目的之防污性表面。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(27)所表示構造之化合物:1質量%
具有下述之式(28)所表示構造之化合物:1質量%
溶劑(丙酮):98質量%
(動態接觸角之評價)
與上述之實施例1~4及比較例1、2同樣方式進行評價動態接觸角。其結果表示於表3。
(指紋之指擦拭性的評價)
與上述之實施例1~4及比較例1、2同樣進行評價指紋之指擦拭性。其結果表示於表2。
表2,實表示施例5~12之評價結果。
(考察)
從表2瞭解以下之事。
於實施例5、6,因為於表面含有具環狀烴基之化合物,油酸之動態接觸角低落,得到良好之擦拭性。
於實施例7~10,因為於表面含有具環狀烴基之化合物與於單末端具有鏈狀烴基之化合物之雙方,油酸之動態接觸角低落,得到良好之擦拭性。
於實施例11,於表面含有為具有分支鏈之鏈狀烴基之化合物。即使於此情況,得到與實施例7~10同樣之效果。
於實施例12,將含有具鏈狀烴基之化合物與於單末端具有鏈狀烴基之化合物雙方的矽烷偶合劑包含於表面。即使於此情況,得到與實施例7~10同樣之效果。
當具有環狀烴基之化合物與具有鏈狀烴基之化合物組合使用時,雖無法確定進一步提高指紋之擦拭性之理由, 然而被認為如以下。環狀烴基部分比較大,被認為於形成耐指紋表面之際,於環狀烴基彼此之間多少存在著間隙。於該部分因沒有原子,於該部分指紋成分上分子間作用力幾乎無法作用,無法吸引指紋成分。而且,當具有環狀烴基之化合物與具有鏈狀烴基之化合物組合使用時,被認為滲入鏈狀烴基之一部分於環狀烴基之間的間隙,可填補其間隙。其結果,吸引耐指紋表面之指紋成分之力增加,提高指紋之擦拭性。
由以上,即使於將具有環狀烴基之化合物包含於表面的情況,與將具有上述之酯鍵之化合物包含於表面的情況相同,而得到良好之擦拭性。
於將具有環狀烴基之化合物與具有鏈狀烴基之化合物雙方包含於表面的情況,將具有環狀烴基之化合物、或具有酯鍵之化合物與單獨包含於表面的情況相比,進一步得到良好之擦拭性。
<3.動態接觸角> (比較例3)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),藉由於80℃下乾燥2分鐘,形成塗佈層於TAC薄膜上。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
三乙酸纖維素(和光純藥製):10質量%
溶劑(二氯甲烷):90質量%
(比較例4)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),藉由於150℃下乾燥30分鐘,形成塗佈層於TAC薄膜上。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
聚醯胺醯亞胺(東洋紡公司製、商品名:HR-11NN):10質量%
溶劑(N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)):90質量%
(比較例5)
將具有下述之摻合的樹脂組成物,使用3號線棒塗佈於厚度80μm之TAC薄膜(富士薄膜公司製),於80℃下乾燥2分鐘後,於氮氣雰圍下藉由UV硬化,而形成塗佈層於TAC薄膜上。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
胺基甲酸乙酯丙烯酸酯(Sartomer公司製,商品名:CN9006):9.5質量%
光聚合起始劑(千葉Specialty Chemicals公司製,商品名:Irgacure-184):0.5質量%
溶劑(t-丁醇):90質量%
其次,對上述各種薄膜之表面,將「動態接觸角之評價」及「指紋之指擦拭性評價」如以下方式進行。
(動態接觸角之評價)
與上述之實施例1~4、比較例1、2同樣進行評價指紋之動態接觸角。其結果表示於表3。
(指紋之指擦拭性評價)
與上述之實施例1~4、比較例1、2同樣進行評價指紋之指擦拭性。其結果表示於表3。
表3,表示比較例3~5之評價結果。
(考察)
綜合表示於表1~表3之評價結果時,對油酸之動態接觸角及防污層材料之分子構造瞭解以下之事。
(油酸之動態接觸角)
當油酸之前進接觸角為15°以下,後退接觸角為10°以下時,擦拭性優異,將附著評價面之指紋僅以手指擦拭,指紋附著污垢幾乎看不見。
(防污層材料之分子構造)
於實施例1~12,使用於分子內具有酯鍵或環狀烴基(飽和環狀烴基或不飽和環狀烴基之材料作為防污層之材料。於如此之防污層,在防污層表面上油酸之動態接觸角小,得到良好之擦拭性。
於比較例3,雖使用於分子內具有酯鍵之材料(三乙酸纖維素)作為防污層之材料,在防污層表面上油酸之動態接觸角大,得不到良好之擦拭性。此被認為係因為酯鍵位於側鏈等之末端。
於比較例4、5,使用於分子內具有醯胺鍵或胺基甲酸乙酯鍵之材料(聚醯胺醯亞胺、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯)作為防污層之材料。於如此之防污層,在防污層表面上油酸之動態接觸角大,得不到良好之擦拭性。
綜合以上之評價結果,指紋擦拭性係與油酸之動態接觸角相關,藉由將在表面上油酸之前進接觸角作為15°以 下,油酸之後退接觸角作為10°以下,理解到可提高指紋擦拭性。
又,藉由將於非末端部分上具有酯鍵之化合物、或具有環狀烴基之化合物包含於表面,理解到得到具有上述之動態接觸角數值範圍之表面。
<4.具有溝形狀之表面> (實施例13)
首先,將Cr(鉻)層以厚度1μm蒸鍍於 150mm之玻璃基板(Atokku公司製,AN100材)上。其次,旋轉塗佈光阻(AZ電子材料股份有限公司製)於Cr層上,於100℃下預焙烤2分鐘。由此,成膜為膜厚約1μm之光阻層。
其次,使用描繪圖樣之鉻玻璃光罩,曝光經成膜之光阻層。其次,使用AZ300MIF(AZ電子材料公司製),顯像經曝光之光阻層,於110℃下進行後烘烤2分鐘。其次,使用Cr蝕刻液(Nagase Chemtech股份有限公司製,商品名:11N),將鉻層蝕刻5分鐘。
其次,使用剝離液(東京應化工業股份有限公司製,商品名:106),將光阻層於80℃下處理5分鐘,從經蝕刻之Cr層剝離。其次,將光阻層旋轉塗佈防水劑於經剝離之玻璃基板上(信越化學工業公司製,商品名:KP-801),進行脫模處理。由此,轉印圖樣得到設置於一主面之玻璃基板(模型)。其次,塗佈下述組成之樹脂組成物於 PET基材(三菱聚酯公司製,商品名:O300E)之後,由將作為模型之玻璃基板之轉印圖樣UV轉印於樹脂組成物,而於表面形成具有格子狀溝(圖9B)之防污層。尚且,P:100μm、寬W:10μm、深度D:0.9μm作為格子狀溝之間距。由此,得到作為目的之防污性薄膜。
(樹脂組成物之摻合)
具有下述之式(29)所表示構造之樹脂:95質量%
Irgacure-184(千葉Specialty Chemicals公司製光聚合起始劑):5質量%
(形狀之評價)
將如上述進行而得到之實施例13之防污性薄膜的表面形狀以雷射顯微鏡確認。其結果表示於圖14A。
(動態接觸角之評價)
與上述之實施例1~4及比較例1、2同樣進行評價動態接觸角。其結果表示於表4。
表4,表示實施例13之評價結果。尚且,於表4,為了比較評價結果,亦表示實施例6之評價結果。
(考察)
從表4理解到以下之事。
於實施例6,因為使用具有環狀烴基之樹脂組成物而形成平面,後退接觸角可減低6.7°。
於實施例13,因為使用與實施例6相同之樹脂組成物而形成具有格子狀溝之表面,後退接觸角與實施例6相比進而可再減低4.7°。
從而,將動態接觸角進一步減低,為了提高指紋之指擦拭性,以將溝等之凹部設置於防污層之表面為佳。
以上,雖對本技術之實施形態及實施例具體說明,然而本技術並非限定於上述之實施形態者,基於本技術之技術思想各種變形是為可能。
例如,在上述之實施形態及實施例所列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只不過是例子,如有必要亦可使用與此不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又,上述之實施形態之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等,不脫離本技術精神的範圍下,可彼此組合。
又,本技術亦可採用以下之構成。
(1)一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,上述防污層,係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一者,在上述防污層表面上油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面上油酸之後退接觸角為10°以下。
(2)如(1)之防污性基材,其中上述防污層,為具有設置凹部之表面。
(3)如(2)之防污性基材,其中上述凹部,為對於上述防污層表面之液體施加正毛細管壓力。
(4)如(2)或(3)之防污性基材,其中上述凹部之寬W為1nm以上且1mm以下之範圍內,上述凹部之深度D為1nm以上且1mm以下之範圍內。
(5)如(1)至(4)中任一種之防污性基材,其中上述第1化合物及上述第2化合物的至少一種,係吸附於上述基材之表面上。
(6)如(1)至(5)中任一種之防污性基材,其中上述防 污層,為含有上述第1化合物及上述第2化合物的至少一種之單分子層。
(7)如(1)至(6)中任一種之防污性基材,其中,上述防污層為塗佈層。
(8)如(7)之防污性基材,其中上述塗佈層,為含有能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物的至少一種,上述能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物,為含有上述第1化合物、及上述第2化合物的至少一種。
(9)如(7)或(8)之防污性基材,其中,上述第1化合物及上述第2化合物為添加劑。
(10)如(9)之防污性基材,其中,上述添加劑為整平劑。
(11)如(1)至(10)中任一種之防污性基材,其中,上述防污層,在含有上述第2化合物之同時,於末端進一步包含具有鏈狀烴基之第3化合物。
(12)如(1)至(11)中任一種之防污性基材,其中, 上述第1化合物,係以下述之式(1)或式(2)表示、上述第2化合物,係以下述之式(3)或式(4)表示, (式中,R1係含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基,R2為碳數2個以上之基)
(式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)。
(13)如(12)之防污性基材,其中,上述式(1)及式(2)之R1、R2各自獨立為烴基、磺基、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基、胺基、醯胺基、磷酸基、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基、或羥基。
(14)如(11)之防污性基材,其中,上述第3化合物, 係以下述之式(5)或式(6)表示。
(15)一種輸入裝置,其係具有設置防污層之輸入面,上述防污層,係具有含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一種之輸入面,在上述防污層表面上油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面上油酸之後退接觸角為10°以下。
(16)一種顯示裝置,其係具有設置防污層之顯示面,上述防污層,係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一種,在上述防污層表面上油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面上油酸之後退接觸角為10°以下。
(17)一種防污層,其係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一種,在表面上油酸之前進接觸角為15°以下、在表面上油酸之後退接觸角為10°以下。
1‧‧‧基材
1a‧‧‧凹部
2‧‧‧防污層
2a‧‧‧凹部
2a‧‧‧吸附化合物
3‧‧‧錨層(Anchor layer)
4‧‧‧硬塗層
101‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧輸入裝置
103‧‧‧前面板
S‧‧‧耐指紋表面(防污性表面)
S1‧‧‧顯示面
S2‧‧‧輸入面
S2‧‧‧面板表面
θa‧‧‧前進接觸角
θr‧‧‧後退接觸角
圖1為表示關於本技術之第1實施形態之防污性基材的一構成例的剖面圖。
圖2係為了說明由滑動法測定前進接觸角及後退接觸角之概略圖。
圖3為表示關於第1變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖4為表示關於第2變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖5為表示關於第3變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖6為表示關於第4變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖7為表示關於第5變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖8A~圖8C為表示關於本技術之第2實施形態之防污性基材之構成例的模式圖。
圖9A為表示關於本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的剖面圖。圖9B為表示關於本技術之第3實施形態之防污性基材之一構成例的平面圖。
圖10A係為了說明在耐指紋表面對毛細管壓力之方向的示意圖。圖10B,係為了說明在凹凸面對毛細管現象之示意圖。圖10C,係為了說明在凹凸面之接觸角之概略 圖。
圖11為表示關於變形例之防污性基材之一構成例的剖面圖。
圖12為表示關於本技術之第4實施形態之顯示裝置之一構成例的分解透視圖。
圖13A為表示關於本技術之第5實施形態之輸入裝置之一構成例的分解透視圖。圖13B為表示關於本技術之第5實施形態之輸入裝置之變形例的分解透視圖。
圖14A、圖14B為表示實施例13之防污性薄膜之表面形狀的評價結果之圖。
1‧‧‧基材
2‧‧‧防污層
S‧‧‧耐指紋表面

Claims (17)

  1. 一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,上述防污層,係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一者,上述第1化合物及上述第2化合物的至少一者係吸附於上述基材的表面,在上述防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下。
  2. 一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,上述防污層,係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物、及具環狀烴基之第2化合物的至少一者,上述第1化合物,係以下述之式(1)或式(2)表示,上述第2化合物,係以下述之式(3)或式(4)表示,在上述防污層表面的油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面的油酸之後退接觸角為10°以下, (式中,R1係含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基,R2 為碳數2個以上之基) (式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)
  3. 一種防污性基材,其係具備具表面之基材、與設置於上述基材表面之防污層,其中,上述防污層,係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一種,上述防污層在含有上述第2化合物之同時,於末端進一步包含具鏈狀烴基之第3化合物,上述第3化合物,係以下述之式(5)或式(6)表示,在上述防污層表面上油酸之前進接觸角為15°以下,在上述防污層表面上油酸之後退接觸角為10°以下,
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之防污性基材,其中,上述防污層具有設置凹部之表面。
  5. 如申請專利範圍第4項之防污性基材,其中,上述凹部為對位於上述防污層表面之液體施加正毛細管壓力。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之防污性基材,其中上述凹部之寬W為1nm以上且1mm以下之範圍內,上述凹部之深度D為1nm以上且1mm以下之範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項之防污性基材,其中上述防污層為含有上述第1化合物及上述第2化合物的至少一者之單分子層。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之防污性基材,其中,上述防污層為塗佈層。
  9. 如申請專利範圍第8項之防污性基材,其中,上述塗佈層,為含有能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物的至少一種,上述能量線硬化性樹脂組成物及熱硬化性樹脂組成物,為含有上述第1化合物及上述第2化合物的至少一種。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之防污性基材,其中,上述第1化合物及上述第2化合物為添加劑。
  11. 如申請專利範圍第10項之防污性基材,其中,上述添加劑為整平劑。
  12. 如申請專利範圍第2項之防污性基材,其中上述式(1)及式(2)之R1、R2各自獨立為烴基、磺基、磺醯基、磺醯胺基、羧酸基、胺基、醯胺基、磷酸基、膦基、矽烷醇基、環氧基、異氰酸酯基、氰基、硫醇基或羥基。
  13. 一種輸入裝置,其係具備如申請專利範圍第1至12項中任一項之防污性基材。
  14. 一種顯示裝置,其係具備如申請專利範圍第1至12項中任一項之防污性基材。
  15. 一種防污層,其係含有於末端以外的部分具有酯鍵之第1化合物、及具有環狀烴基之第2化合物的至少一者,上述第1化合物及上述第2化合物的至少一者,係吸附於上述基材的表面,在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下。
  16. 一種防污層,其係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物及具有環狀烴基之第2化合物的至少一種,上述第1化合物係以下述之式(1)或式(2)表示,上述第2化合物係以下述之式(3)或式(4)表示 在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下、 (式中,R1係含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基,R2為碳數2個以上之基) (式中,R1、R2各自獨立為含有C、N、S、O、Si、P或Ti之基)
  17. 一種防污層,其係含有於末端以外的部分具酯鍵之第1化合物及具環狀烴基之第2化合物的至少一種,其中,上述防污層在含有上述第2化合物之同時,於末端進一步包含具鏈狀烴基之第3化合物,上述第3化合物,係以下述之式(5)或式(6)表示,在表面的油酸之前進接觸角為15°以下、在表面的油酸之後退接觸角為10°以下、
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