JP2014052432A - 防汚体、表示装置、入力装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面を有する防汚体を提供する。
【解決手段】防汚体は、微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。
【選択図】図１

Description

本技術は、防汚体、それを備える表示装置、入力装置および電子機器に関する。詳しくは、表面の汚れを抑制する防汚層に関する。

近年、タッチパネルをユーザインタフェース（ＵＩ）として搭載した情報表示装置が急速に普及しつつある。タッチパネルは、表示画面を直接指で触ることで直感的に機器を操作できるという利点を持っている反面、指紋の付着によって画面の視認性を悪化させてしまう問題がある。そこで、指紋が付着しても見えにくい耐指紋表面が求められている。

従来からタッチパネルを含むディスプレイ表面には、フッ素系化合物やシリコン系化合物などが最表面にでるように設計された防汚層が用いられている（例えば特許文献１参照）。この防汚層の最表面は撥水撥油表面であるため、指紋を構成している油脂成分の付着力が弱まり、布などでの指紋を拭き取ることが容易になる。

また、油脂成分をはじかない撥水親油表面が提案されている（例えば特許文献２参照）。この表面に指紋が付着すると、付着した指紋の油脂成分は液滴を形成せず広がるため、指紋が見え難くなる。

特許第０４６６６６６７号公報

特開２０１０−１２８３６３号公報

上述のように付着した指紋が見えにくい表面が望まれているが、静電容量タッチパネルなどの用途を考えると、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面（耐指紋表面）が重要であると考えられる。

したがって、本技術の目的は、表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる表面を有する防汚体、それを備える表示装置、入力装置および電子機器を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体である。

第２の技術は、
微細な凹凸構造が設けられた入力面を有し、
凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる入力装置である。

第３の技術は、
微細な凹凸構造が設けられた表示面を有し、
凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表示装置である。

第４の技術は、
微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる電子機器である。

第５の技術は、
微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚性物品である。

本技術において、防汚体は、防汚層、防汚構造層または防汚性基材であることが好ましい。ここで、防汚構造層とは、複数の構造体と、これらの構造体の表面に倣うように設けられた防汚層とを備える構造層を意味する。

本技術では、表面に微細な凹凸構造が設けられ、この凹凸構造には、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方が含まれている。このため、表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。

以上説明したように、本技術によれば、表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂの一部を拡大して表す断面図である。 図２Ａは、板状の原盤の一構成例を示す平面図である。図２Ｂは、図２Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。 図３は、板状の原盤を作製するためのレーザ加工装置の一構成例を示す概略図である。 図４Ａ〜図４Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図５Ａ〜図５Ｃは、エネルギー線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いる構造形成工程の一例を説明するための工程図である。 図６Ａ〜図６Ｃは、熱可塑性樹脂組成物を用いる構造構成工程の一例を説明するための工程図である。 図７Ａは、第１の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図７Ｂは、第２の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図７Ｃは、第３の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。 図８Ａは、第４の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図８Ｂは、第５の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図８Ｃは、第６の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。 図９Ａは、本技術の第２の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図９Ｂは、図９Ａの一部を拡大して表す断面図である。 図１０Ａは、本技術の第３の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図１０Ｂは、図１０Ａの一部を拡大して表す断面図である。 図１１Ａ〜図１１Ｃは、本技術の第４の実施形態に係る防汚性基材の構成例を示す模式図である。 図１２Ａは、ロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す平面図である。図１２Ｃは、図１２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。 図１３は、ロール原盤を作製するためのレーザ加工装置の一構成例を示す概略図である。 図１４Ａ〜図１４Ｃは、本技術の第５の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１５Ａ、図１５Ｂは、エネルギー線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いる構造形成工程の一例を説明するための工程図である。 図１６Ａ、図１６Ｂは、熱可塑性樹脂組成物を用いる構造形成工程の一例を説明するための工程図である。 図１７は、本技術の第６の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。 図１８Ａは、本技術の第７の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１８Ｂは、本技術の第７の実施形態に係る入力装置の変形例を示す分解斜視図である。 図１９Ａは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。図１９Ｂは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。 図２０Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。図２０Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。 図２１Ａは、実施例１の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図２１Ｂは、図２１Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。 図２２Ａは、実施例２の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図２２Ｂは、図２２Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。 図２３Ａは、実施例３の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図２３Ｂは、図２３Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。 図２４Ａは、実施例４の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。 図２５Ａは、実施例５の防汚性フィルム表面のＡＦＭ像を示す図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示したａ−ａ線における断面プロファイルを示す図である。

本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
２．第２の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
３．第３の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
４．第４の実施形態（耐指紋表面を有する防汚性基材の例）
５．第５の実施形態（防汚性基材の製造方法の例）
６．第６の実施形態（耐指紋表面を有する表示装置の例）
７．第７の実施形態（耐指紋表面を有する入力装置の例）
８．第８の実施形態（耐指紋表面を有する電子機器の例）

＜１．第１の実施形態＞
［防汚性基材の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂの一部を拡大して表す断面図である。防汚性基材（防汚体）は、耐指紋機能を有する耐指紋表面（防汚性表面）Ｓを有している。この耐指紋表面Ｓは、後述する特定の分子構造を含有する化合物を含み、さらに表面に微細な凹凸構造を有している。このため、耐指紋表面Ｓに付着した指紋が、何もせずとも濡れ広がり、見えにくくなり易い。また、耐指紋表面Ｓに付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。微細凹凸面Ｓは、形状に揺らぎを有している。このように形状に揺らぎを有することで、分光を防ぐことができる。

防汚性基材は、基材１１と、この基材１１の表面に設けられた防汚層１２とを備える。ここでは、基材１１と防汚層１２とを備える防汚性基材を防汚体の一例として説明するが、防汚体はこの例に限定されるものではなく、防汚層１２を単独で防汚体としてもよい。

第１の実施形態に係る防汚性基材は、手や指などで触れることがある装置の表面に適用して好適なものである。この装置の表面としては、例えば、表示面、入力面および筐体表面などの少なくとも一箇所が挙げられる。また、装置の表面に基材１１なしで防汚層１２を直接適用することも好適である。手や指などで触れることがある具体的な装置としては、例えば、表示装置、入力装置および電子機器が挙げられる。

表示装置としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、および表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置が挙げられる。

入力装置としては、例えば、タッチパネル、マウスおよびキーボードなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。タッチパネルとしては、例えば、テレビ装置、パソコン、モバイル機器（例えば、スマートフォン、スレートＰＣなど）およびフォトフレームなどに設けられるタッチパネルが挙げられるが、これに限定されるものではない。

電子機器としては、表示装置、入力装置および筐体などの少なくとも１種を有するものが好ましい。このような電子機器としては、例えば、テレビ装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイル機器（例えば、スマートフォン、スレートＰＣなど）およびフォトフレームなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。

防汚性基材または防汚層１２が適用される対象は、上述の装置に限定されるものではなく、手や指で触れる表面を有するものであれば好適に適用可能である。上述の装置以外の物品（防汚性物品）の例としては、例えば、紙、プラスチック、ガラス、金属製品（具体的には例えば、写真、写真立て、プラスチックケース、金属ケース、ガラス窓、プラスチック窓、額縁、レンズ、家具、電化製品）などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

（基材）
基材１１は、例えば、透明性を有する無機基材またはプラスチック基材である。基材１１の形状としては、例えば、フィルム状、シート状、板状、ブロック状などを用いることができる。無機基材の材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。プラスチック基材の材料としては、例えば、公知の高分子材料を用いることができる。公知の高分子材料としては、具体的には例えば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、アラミド、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ジアセチルセルロース、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、ＰＣ／ＰＭＭＡ積層体、ゴム添加ＰＭＭＡなどがあげられる。基材に図柄や模様が印刷或いは蒸着されていても良い。外装用途に使用する場合、基材１１は透明性を有しなくても良い。材料としては、例えば、ステンレス鋼、マグネシウム合金、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン合金、ガルバリウム鋼、炭素繊維強化プラスチックなどがあげられる。

基材１１が電子機器などの外装やディスプレイの一部として加工されていてもよい。また、基材１１の表面形状は平面に限定されるものではなく、凹凸面、多角形面、曲面またはこれらの形状の組み合わせであってもよい。曲面としては、例えば、球面、楕円面、放物面、自由曲面などが挙げられる。防汚性基材を、例えば、インモールド成型プロセスにより、上記曲面に成型しても良い。インモールド成型では、防汚性基材を金型内に設置し、プラスチックなどの樹脂の射出を行い、成型と表面加飾を同時に行う工法である。或いは、防汚性基材自体を、プレス金型を使用してプレス加工を行い、上記曲面に成型しても良い。これらのような成型プロセスにて、防汚性基材の表面の突起を損傷から保護するため、防汚性基材の防汚層上に保護フィルムを設置しても良い。また、基材１１の表面に、例えば、ＵＶ転写、熱転写、圧転写、溶融押し出しなどによって所定の構造が付与されていてもよい。

（防汚層）
防汚層１２は、耐指紋表面Ｓに微細な凹凸構造を有している。この凹凸構造は、ランダムなナノ構造である。より具体的には、この凹凸構造は、基材１１の表面にランダムに設けられたナノサイズの複数の構造体１２ａにより構成されている。このように凹凸構造をランダムなナノ構造とすることで、分光を防ぐことができる。

凹凸構造は、例えば、１次元的または２次元的に凸部および凹部が延在された延在構造、または針状の凸部が２次元的に設けられた針状構造を有している。これらの構造は、形状に揺らぎを有している。このように構造が揺らぎを有することで、分光を防ぐことができる。凹凸構造が上記延在構造を有している場合には、その揺らぎは、例えば、凹凸構造のうちの凸部の幅方向のゆらぎ、凹凸構造のうちの凹部の幅方向のゆらぎ、凹凸構造のうちの凸部の突出方向のゆらぎ、および凹凸構造のうちの凹部の凹み方向のゆらぎである。凹凸構造が針状構造を有している場合には、その揺らぎは、例えば、針状の凸部の大きさのゆらぎ、および隣接する針状の凸部間のピッチ（隣接する針状の凸部の頂点間の距離）のゆらぎである。ここで、針状の凸部の大きさのゆらぎには、凸部の底面の大きさ、および凸部の高さの揺らぎが含まれる。

防汚層１２は、基材１１と複数の構造体１２ａとの間に基底層１２ｂをさらに備えていてもよい。基底層１２ｂは、構造体１２ａの底面側に構造体１２ａと一体成形された層であり、構造体１２ａと同様の材料により構成されている。防汚層１２は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表面改質層である。防汚層１２が第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含むことで、指紋払拭性を向上することができる。ここで、末端とは、主鎖および側鎖の末端を示す。防汚層１２は、例えば、ウエットプロセスまたはドライプロセスにより形成されるコーティング層である。

防汚層１２が第２の化合物を含む場合には、防汚層１２が、第２の化合物と共に、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。これにより、指紋払拭性をさらに向上することができる。ここで、末端とは、主鎖および側鎖の末端を示す。防汚層１２における第２の化合物と第３の化合物との含有比率は特に限定されるものではないが、第３の化合物は耐指紋性表面Ｓに比較的集まりやすい性質を有しているため、この性質を考慮して上記含有比率を選択することが好ましい。

防汚層１２は、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる。これらの樹脂組成物が、例えば、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。これらの樹脂組成物が、第２の化合物を含んでいる場合には、この第２の化合物と共に第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。

防汚層１２は、必要に応じて、重合開始剤、光安定剤、紫外線吸収剤、触媒、着色剤、帯電防止剤、滑剤、レベリング剤、消泡剤、重合促進剤、酸化防止剤、難燃剤、赤外線吸収剤、界面活性剤、表面改質剤、チキソトロピー剤、可塑剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。また、防汚層１２は、ＡＧ（Anti-Glare）機能を耐指紋表面Ｓに付与するために、光を散乱する有機樹脂フィラーなどの光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。ＡＧ機能を付与する場合には、光散乱粒子が防汚層１２の耐指紋表面Ｓから突出していても、防汚層１２に含まれる樹脂などで覆われていてもよい。また、光散乱粒子は下層である基材１１に接触していてもしていなくてもよい。防汚層１２の平均膜厚は、例えば単分子厚さ以上１ｍｍ以下、好ましくは単分子厚さ以上１００μｍ厚さ以下、特に好ましくは単分子厚さ以上１０μｍ以下の範囲内である。

第１の化合物および／または第２の化合物は、例えば、防汚層１２の構成材料の主成分、および副成分の少なくとも一方である。ここで、防汚層１２がウエットプロセスにより形成される層である場合には、主成分とは、例えば、ベース樹脂であり、副成分とは、例えば、上述のレベリング剤などの添加剤などである。第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物は添加剤であることが好ましい。これにより、ベース樹脂の硬度劣化等を抑制できるからである。このように化合物が添加剤である場合、添加剤はレベリング剤であることが好ましい。第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物がレベリング剤などの添加剤である場合、第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物はベース樹脂に重合反応などにより結合していることが好ましい。耐指紋性表面Ｓの耐久性を向上することができるからである。

（構造体）
複数の構造体１２ａは、基材１１の表面に対して凸状を有している。複数の構造体１２ａは、基材１１の表面にランダムに設けられている。構造体１２ａの形状としては、例えば、ストライプ状、網目状または針状を用いることができる。図１Ａでは、構造体１２ａがストライプ状である例が示されている。構造体１２ａの形状としては、例えば、ストライプ状、網目状または針状を用いることができる。ここで、ストライプ状および網目状は、耐指紋表面Ｓに対して垂直な方向から見たときの形状である。また、針状は、耐指紋表面Ｓの面内方向から見たときの形状である。

ストライプ状または網目状を有する構造体１２ａは、構造体１２ａの高さ方向（すなわち基材１１の幅方向）および構造体１２ａの幅方向（すなわち基材１１の面内方向）にランダムな揺らぎを有している。針状を有する構造体１２ａは、基材１１の面内方向にランダムに２次元的に設けられている。針状を有する構造体１２ａの高さは、ランダムに変位している。ここで、ストライプ状には、複数の構造体１２ａが一方向に向かって連続的に延在された構造のみならず、複数の構造体１２ａが一方向に向かって断続的に延在された構造も含まれる。また、ストライプ状には、一方向に向かって延在されたランダム長さの複数の構造体１２ａを２次元的に充填配列した構造も含まれる。

構造体１２ａの平均ピッチＰｍは、好ましくは１ｎｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチＰｍが１ｎｍ以上、１ｍｍ以下であると、指紋のパターンが効果的に濡れ広がる。なお、個々の構造体１２ａのピッチにはバラつきがあってもよい。

ここで、構造体１２ａの平均ピッチＰｍは、以下のようにして求めたものである。
まず、耐指紋表面Ｓを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察する。次に、そのＡＦＭ像の断面プロファイルから、隣接する任意の２つの構造体１２ａを選び出し、それらの構造体間の距離（最小繰り返し構造のトップ間の最短距離）をピッチとして求める。次に、この手順を耐指紋表面の任意の１０箇所で行い、ピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０を求める。次に、これらのピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０を単純に平均（算術平均）して平均ピッチＰｍを求める。

耐指紋表面Ｓの算術平均粗さＲａは、好ましくは１ｎｍ以上１ｍｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である。算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上、１ｍｍ以下であると、指紋のパターンが効果的に濡れ広がる。

ここで、耐指紋表面Ｓの算術平均粗さＲａは、以下のようにして求めたものである。
まず、耐指紋表面Ｓを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により視野３μｍ×３μｍで観察する。次に、そのＡＦＭ像の断面プロファイルから、算術平均粗さｒａ求める。次に、この手順を耐指紋表面の任意の１０箇所で行い、ｒａ１、ｒａ２、・・・、ｒａ１０を求める。次に、これらのｒａ１、ｒａ２、・・・、ｒａ１０を単純に平均（算術平均）して算術平均粗さＲａを求める。

耐指紋表面Ｓの凹凸構造間の凹部（すなわち耐指紋表面Ｓの構造体１２ａ間の凹部）が、耐指紋表面Ｓに液体がある場合、その液体に対して正の毛管圧力を発現することが好ましい。耐指紋表面Ｓ上にある液滴に対して正の毛管圧力が作用することで、液滴を薄く濡れ広がらせることができる。正の毛管圧力に加えて深さに方向にもさらに毛管圧力を作用させることが好ましい、これにより、液滴をさらに薄く濡れ広がらせることができるからである。ここで、耐指紋表面Ｓ上にある液滴から遠ざかる方向に作用する毛管圧力を正の毛管圧力と定義する。

（第１の化合物）
第１の化合物は、末端以外の部分にエステル結合を有していればよく、有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも構わない。また、第１の化合物は、エステル結合を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。第１の化合物としては、例えば、下記の式（１）または式（２）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。
（式中、Ｒ₁はＣ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。Ｒ₂は炭素数が２個以上の基であり、例えば、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。）

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉなどの原子を含む基である。これらの原子を含む基は、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。

（第２の化合物）
第２の化合物は、環状炭化水素基を有している。環状炭化水素基は、例えば、不飽和環状炭化水素基および飽和環状炭化水素基のいずれであってもよく、不飽和環状炭化水素基および飽和環状炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。防汚層１２が、不飽和環状炭化水素基を有する第２の化合物と飽和環状炭化水素基を有する第２の化合物とを両方含んでいてもよい。環状炭化水素基は単環式および多環式のいずれであってもよい。またこれらの環状炭化水素基は別の置換基を有していてもよい。別の置換基としては、例えば、炭化水素基、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、アミド基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などである。第２の化合物は、環状炭化水素基を含んでいれば有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも構わない。第２の化合物は、環状炭化水素基を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。飽和環状炭化水素基としては、例えば、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造などを有する基を挙げることができる。より具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、アダマンチル基、ノルアダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ステロイド基などを挙げることができる。不飽和環状炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ピレニル基、ペンタセニル基、アントリル基などを挙げることができる。

有機材料としては、例えば、下記の式（３）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

有機−無機の複合材料としては、例えば、下記の式（４）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

（第３の化合物）
第３の化合物は、末端に鎖状炭化水素基（非環系炭化水素基）を有している。鎖状炭化水素基は、例えば、不飽和鎖状炭化水素基および飽和鎖状炭化水素基のいずれであってもよく、不飽和鎖状炭化水素基および飽和鎖状炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。鎖状炭化水素基は直鎖および分岐鎖のいずれであってもよく、直鎖の炭化水素基および分岐鎖の炭化水素基の両方を分子内に有していてもよい。また、鎖状炭化水素基は別の置換基を有していてもよい。別の置換基としては、例えば、炭化水素基、スルホ基（スルホン酸塩含む）、スルホニル基、スルホンアミド基、カルボン酸基（カルボン酸塩含む）、アミノ基、アミド基、リン酸基（リン酸塩、リン酸エステル含む）、フォスフィノ基、シラノール基、エポキシ基、イソシアネート基、シアノ基、チオール基または水酸基などが挙げられる。

第３の化合物としては末端に鎖状炭化水素基を有する化合物であれば、有機材料でも有機−無機の複合材料でも、また高分子材料でも単分子材料でも用いることができる。第３の化合物は、末端に鎖状炭化水素基を有してさえいれば、それ以外の分子構造については特に限定されるものではなく、いかなる官能基、結合部位、ヘテロ原子、ハロゲン原子および金属原子などを有していてもよい。不飽和鎖状炭化水素基としては、例えば炭素数２以上の不飽和鎖状炭化水素基を挙げることができる。より具体的には、プロペン基、ブテン基、ペンテン基、ヘキセン基、ヘプテン基、オクテン基、デセン基、ドデセン基、テトラデセン基、ヘキサデセン基、オクタデセン基、ドコセン基などを挙げることができる。飽和鎖状炭化水素基としては、例えば炭素数２以上の飽和鎖状炭化水素基を挙げることができる。より具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、イソヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ドデシル基、イソドデシル基、ラウリル基、トリデシル基、イソトリデシル基、ミリスチル基、イソミリスチル基、セチル基、イソセチル基、ステアリル基、イソステアリル基、アラキル基、イソアラキル基、ベヘニル基、イソベヘニル基、コレステロール基などを挙げることができる。

有機材料としては、例えば、下記の式（５）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

有機−無機の複合材料としては、例えば、下記の式（６）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

（耐指紋表面の確認方法）
防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有しているか否かは、例えば以下のようにして確認することができる。まず、防汚性基材の表面の動的接触角を測定し、オレイン酸の前進接触角が１５°以下であり、オレイン酸の後退接触角が１０°以下の範囲内であるか否かを確認する。そして、オレイン酸の前進接触角およびオレイン酸の後退接触角が上記範囲内であれば、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有していると判断できる。また、耐指紋表面Ｓの表面形状は、走査型電子顕微鏡や原子間力顕微鏡などによる表面観察により確認が可能である。

また、以下のようにして確認することも可能である。
まず、防汚性基材の表面の材料を溶剤で抽出後、組成分析をガスクロマトグラフ質量分析法（Gas Chromatograph-Mass Spectrometry：ＧＣ−ＭＡＳＳ）で行う。そして、上述の第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方が検出されれば、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有していると判断できる。
上述の２つの確認方法を組み合わせて、防汚性基材が耐指紋表面Ｓを有しているか否かを確認するようにしてもよい。

［原盤の構成］
図２Ａは、板状の原盤の一構成例を示す斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図２Ｃは、図２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。板状の原盤３１は、上述した構成を有する防汚性基材を作製するための原盤、より具体的には、上述した基材表面に複数の構造体１２ａを成形するための原盤である。原盤３１は、例えば、微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、その表面が基材表面に複数の構造体１２ａを成形するための成形面とされる。この成形面には、例えば、複数の構造体３２が設けられている。構造体３２は、成形面に対して凹状を有している。原盤３１の材料としては、金属材料を用いることができる。金属材料としては、例えば、Ｎｉ、ＮｉＰ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、またはその合金を用いることができる。合金としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）を用いることが好ましい。ステンレス鋼としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）としては、例えば、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ４２０Ｊ２などが挙げられるが、これに限定されるものではない。

板状の原盤３１の成形面に設けられた複数の構造体３２と、上述の基材１１の表面に設けられた複数の構造体１２ａとは、反転した凹凸関係にある。すなわち、板状の原盤３１の構造体３２の配列、大きさ、形状、配置ピッチおよび高さなどは、基材１１の構造体１２ａと同様である。

［１−４．レーザ加工装置の構成］
図３は、板状の原盤を作製するためのレーザ加工装置の一構成例を示す概略図である。レーザ本体４０は、例えば、サイバーレーザー株式会社製のＩＦＲＩＴ（商品名）である。レーザ加工に用いるレーザの波長は、例えば８００ｎｍである。ただし、レーザ加工に用いるレーザの波長は、４００ｎｍや２６６ｎｍなどでもかまわない。繰り返し周波数は、加工時間と、形成される凹凸の狭ピッチ化とを考慮すると、大きいほうが好ましく、１０００Ｈｚ以上であることが好ましい。レーザのパルス幅は短い方が好ましく、２００フェムト秒（１０^-15秒）〜１ピコ秒（１０^-12秒）程度であることが好ましい。

レーザ本体４０は、垂直方向に直線偏光したレーザ光を射出するようになっている。そのため、本装置では、波長板４１（例えばλ／２波長板）を用いて、偏光方向を回転などさせることで、所望の方向の直線偏光または円偏光を得るようにしている。また、本装置では、四角形の開口を有するアパーチャー４２を用いて、レーザ光の一部を取り出すようにしている。これは、レーザ光の強度分布がガウス分布となっているので、その中央付近のみを用いることで、面内強度分布の均一なレーザ光を得るようにしている。また、本装置では、直交させた２枚のシリンドリカルレンズ４３を用いて、レーザ光を絞ることにより、所望のビームサイズになるようにしている。板状の原盤３１を加工する際には、リニアステージ４４を等速で移動させる。

原盤３１へ照射されるレーザのビームスポットは、四角形形状であることが好ましい。ビームスポットの整形は、例えば、アパーチャーやシリンドリカルレンズ等によって行うことが可能である。また、ビームスポットの強度分布は、なるべく均一であることが好ましい。これは、型に形成する凹凸の深さなどの面内分布をなるべく均一化したいためである。一般的には、ビームスポットのサイズは加工を行いたい面積よりも小さいため、ビームを走査することで加工を行いたい面積すべてに凸凹形状を付与する必要がある。

耐指紋用表面Ｓの形成に用いられる原盤（型）は、例えば、ＳＵＳ、ＮｉＰ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅなどの金属等の基板に、パルス幅が１ピコ秒（１０^-12秒）以下の超短パルスレーザ、いわゆるフェムト秒レーザを用いてパターンを描画することにより形成される。また、レーザ光の偏光は直線偏光であっても円偏光であっても楕円偏光であってもよい。このとき、レーザ波長、繰り返し周波数、パルス幅、ビームスポット形状、偏光、サンプルへ照射するレーザ強度、レーザの走査速度等を適宜設定することにより、所望の凹凸を有するパターンを形成することができる。

所望の形状を得るために変化させることが可能なパラメーターには以下のような物がある。フルエンスは、パルス１つあたりのエネルギー密度（Ｊ／ｃｍ²）であり、以下の式で求められるものである。
Ｆ＝Ｐ／（ｆＲＥＰＴ×Ｓ）
Ｓ＝Ｌｘ×Ｌｙ
Ｆ：フルエンス
Ｐ：レーザのパワー
ｆＲＥＰＴ：レーザの繰り返し周波数
Ｓ：レーザの照射位置での面積
Ｌｘ×Ｌｙ：ビームサイズ
なお、パルス数Ｎは、１箇所に照射されたパルスの数であり、以下の式で求められるものである。
Ｎ＝ｆＲＥＰＴ×Ｌｙ／ｖ
Ｌｙ：レーザの走査方向のビームサイズ
ｖ：レーザの走査速度

また、所望の形状を得るために原盤３１の材質を変化させてもいい。原盤３１の材質によってレーザー加工される形状は変化する。ＳＵＳ、ＮｉＰ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅなどの金属等を用いるほかに原盤表面に、例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの半導体材料を被膜してもよい。原盤表面に半導体材料を被膜する方法としては、たとえばプラズマＣＶＤやスパッタリングなどがある。被膜する半導体材料としては、ＤＬＣのほかにも、たとえばフッ素（Ｆ）を混入したＤＬＣ（以下、ＦＤＬＣという。）、窒化チタン、窒化クロムなどを使用できる。被膜の厚みは、例えば１μｍ程度とすればよい。

［防汚性基材の製造方法］
図４Ａ〜図５Ｃは、本技術の第１の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。

（レーザ加工工程）
まず、図４Ａに示すように、板状の原盤３１を準備する。この原盤３１の被加工面である表面３１Ａは、例えば、鏡面状態となっている。なお、この表面３１Ａは鏡面状態となっていなくてもよく、例えば、表面３１Ａに、転写用のパターンよりも細かな凹凸が形成されていてもよいし、転写用のパターンと同等か、それよりも粗い凹凸が形成されていてもよい。

次に、図３に示したレーザ加工装置を用いて、以下のようにして原盤３１の表面３１Ａをレーザ加工する。まず、原盤３１の表面３１Ａに対して、パルス幅が１ピコ秒（１０^-12秒）以下の超短パルスレーザ、いわゆるフェムト秒レーザを用いてパターンを描画する。例えば、図４Ｂに示したように、原盤３１の表面３１Ａに対して、フェムト秒レーザ光Ｌｆを照射すると共に、その照射スポットを表面３１Ａに対してスキャンさせる。

このとき、レーザ波長、繰り返し周波数、パルス幅、ビームスポット形状、偏光、表面３１Ａへ照射するレーザの強度、レーザの走査速度等が適宜設定されることにより、図４Ｃに示すように、所望の形状を有する複数の構造体３２が形成される。

（構造形成工程）
次に、上述のようにして得られた板状の原盤３１を用いて、樹脂材料に形状転写し、基材１１の表面に複数の構造体１２ａを形成することにより、上述の第１の実施形態に係る防汚性基材を作製する。形状転写の方法としては、例えばエネルギー線硬化性樹脂を用いる転写法（以下「エネルギー線転写法」という。）、熱硬化性樹脂を用いる転写法（以下「熱硬化転写法」という。）、または熱可塑性樹脂組成物を用いる転写法（以下「熱転写法」という。）を用いることができる。ここで、エネルギー線転写法には、２Ｐ転写法（Photo Polymerization：光硬化を利用した形状付与法）も含まれる。以下、構造形成工程を、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程と、熱転写法を用いた構造形成工程とに分けて説明する。

［エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程］
（樹脂組成物の調製工程）
図５Ａ〜図５Ｃは、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、必要に応じて樹脂組成物を溶媒に溶かして希釈する。この際、必要に応じて樹脂組成物に各種添加剤を添加するようにしてもよい。溶媒による希釈は必要に応じて行われ、希釈不要の場合には、樹脂組成物を無溶媒で用いてもよい。

樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方を含んでいる。エネルギー線硬化性樹脂組成物とは、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物を意味する。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂組成物と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂組成物などの他の硬化性樹脂組成物と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂組成物を用いることが好ましい。

エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂は、例えば、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。エネルギー線硬化性樹脂組成物および／または熱硬化性樹脂は、指紋払拭性の向上の観点から、第２の化合物に加えて、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。

樹脂組成物が、ベース樹脂に加えて添加剤（開始剤を含む）をさらに含んでいる場合には、第１の化合物、第２の化合物および第３の化合物は添加剤であってもよい。この場合、添加剤は、レベリング剤であることが好ましい。

紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレートおよび開始剤を含んでいる。ここで、（メタ）アクリロイル基は、アクリロイル基またはメタアクリロイル基を意味する。また、（メタ）アクリレートは、アクリレートまたはメタアクリレートを意味する。紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどを含み、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。

単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチルアクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。

二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。

多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。

開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。

溶媒は、例えば、樹脂成分の塗工性、安定性、および塗膜の平滑性などの観点から、樹脂組成物中に配合して用いられる。溶媒としては、例えば、水または有機溶媒が用いることができる。具体的には例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキエタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；２−メトキシエチルアセタート、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロメタン、塩化メチレンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソランなどのエーテル系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの１種または２種以上を混合して用いることができる。塗布面状の乾燥ムラやクラックを抑えるため、高沸点溶媒をさらに添加して、溶媒の蒸発速度をコントロールすることもできる。例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いられてもよく、また複数を組み合わせてもよい。

（塗布工程）
次に、図５Ａに示すように、調製した樹脂組成物３３を基材の表面に塗布または印刷する。塗布方法としては、例えば、ワイヤーバーコーティング、ブレードコーティング、スピンコーティング、リバースロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、リップコーティング、エアーナイフコーティング、カーテンコーティング、コンマコート法、ディッピング法などを用いることができる。印刷方式としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、インクジェット法、スクリーン印刷法などを用いることができる。

（乾燥工程）
次に、樹脂組成物３３が溶媒を含んでいる場合には、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。乾燥条件は特に限定されるものではなく、自然乾燥であっても、乾燥温度や乾燥時間などを調整する人工的乾燥であってもよい。但し、乾燥時に塗料表面に風を当てる場合、塗膜表面に風紋が生じないようすることが好ましい。また、乾燥温度および乾燥時間は塗料中に含まれる溶媒の沸点によって適宜決定することが可能である。その場合、乾燥温度および乾燥時間は、基材１１の耐熱性を配慮し、熱収縮により基材１１の変形が起きない範囲で選定することが好ましい。

（硬化工程）
次に、図５Ｂに示すように、板状の原盤３１と、基材１１の表面に塗布された樹脂組成物３３とを密着させ、樹脂組成物３３を硬化させた後、硬化した樹脂組成物３３と一体となった基材１１を剥離する。これにより、図５Ｃに示すように、複数の構造体１２ａが基材１１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、必要に応じて、構造体１２ａと基材１１との間に基底層１２ｂをさらに形成するようにしてもよい。

ここで、硬化方法は、樹脂組成物３３の種類によって異なる。樹脂組成物３３としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いる場合には、板状の原盤５１を樹脂組成物３３に押し付けて両者を密着させると共に、紫外線（紫外光）などのエネルギー線をエネルギー線源３４から樹脂組成物３３に基材１１を介して照射することにより、樹脂組成物３３を硬化する。

エネルギー線源３４としては、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、ガンマ線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、または高周波などエネルギー線を放出可能なものであればよく、特に限定されるものではないが、生産設備の観点から、紫外線を放出可能なものが好ましい。積算照射量は、樹脂組成物の硬化特性、樹脂組成物や基材１１の黄変抑制などを考慮して適宜選択することが好ましい。また、照射の雰囲気としては、樹脂組成物の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば、空気、窒素、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気が挙げられる。

なお、基材１１が紫外線などのエネルギー線を透過しない材料で構成されている場合には、エネルギー線を透過可能な材料（例えば石英）で板状の原盤３１を構成し、板状の原盤３１の裏面（成形面とは反対側の面）から樹脂組成物３３に対してエネルギー線を照射するようにしてもよい。

樹脂組成物３３として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合には、板状の原盤３１を樹脂組成物３３に押しつけ両者を密着させると共に、板状の原盤３１により樹脂組成物３３を硬化温度まで加熱し、硬化させる。この際、樹脂組成物３３が塗布または印刷される側とは反対側となる基材１１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材１１の熱負けを防止するようにしてもよい。ここで、板状の原盤３１は、その内部または裏面にヒータなどの熱源を備えており、板状の原盤３１の成形面に密着した脂組成物３３を加熱可能に構成されている。

［熱転写法を用いた構造形成工程］
図６Ａ〜図６Ｃは、熱転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、図６Ａに示すように、転写層としての樹脂層３５が表面に設けられた基材１１を形成する。樹脂層３５は、例えば、熱可塑性樹脂組成物を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物は、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物が、第２の化合物を含む場合には、この第２の化合物と共に第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。

次に、図６Ｂに示すように、板状の原盤３１を樹脂層３５に押しつけ両者を密着させると共に、例えば樹脂層３５をそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、板状の原盤３１の成形面の形状を形状転写する。次に、形状転写した樹脂層３５を基材１１と共に板状の原盤３１から剥離する。これにより、図６Ｃに示すように、複数の構造体１２ａが基材１１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、必要に応じて、構造体１２ａと基材１１との間に基底層１２ｂをさらに形成するようにしてもよい。また、樹脂層３５が設けられた側とは反対側となる基材１１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材１１の熱負けを防止するようにしてもよい。

［効果］
第１の実施形態によれば、防汚層１２が末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含み、防汚層１２の耐指紋表面Ｓには複数の構造体１２ａが設けられている。したがって、防汚性基材の耐指紋表面Ｓに指紋を付着させた場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。また、微細凹凸面Ｓが形状に揺らぎを有することで、分光を防ぐことができる。

また、防汚性基材の耐指紋表面Ｓに付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、指などによる指紋払拭性を向上できる。この防汚性基材またはその防汚層１２を入力装置や表示装置などの電子機器に適用した場合には、これらの機器を使っているうちに指紋を目立たなくできる。したがって、耐指紋性に優れた電子機器を提供することができる。

［変形例］
上述の第１の実施形態では、防汚層１２が、環状炭化水素基を有する第２の化合物と、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物との両方の化合物を含む構成を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。防汚層１２が、環状炭化水素基を有し、かつ、末端に鎖状炭化水素基を有する第４の化合物を含む構成を採用してもよい。この場合にも、上述の第１の実施形態と同様の指紋払拭性を得ることができる。

また、上述の第１の実施形態では、基材１１の表面に隣接して防汚層１２を設けた構成を例として説明したが、防汚性基材の構成はこの例に限定されるものではない。以下に、防汚性基材の変形例について説明する。

（第１の変形例）
図７Ａは、第１の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図７Ａに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたアンカー層１３をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。このように基材１１と防汚層１２との間に設けられたアンカー層１３を備えることで、基材１１と防汚層１２との密着性を向上することができる。アンカー層１３の表面に微細な凹凸構造を設け、この凹凸構造に倣うようにして防汚層１２を設けることで、複数の構造体１２ａを構成するようにしてもよい。

アンカー層１３の材料としては、例えば、従来公知の天然高分子樹脂および合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。これらの樹脂としては、例えば、透明な熱可塑性樹脂組成物、電離放射線照射組成物または熱で硬化する透明硬化性樹脂組成物を使用することができる。熱可塑性樹脂組成物としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどを用いることができる。透明硬化性樹脂としては、例えば、メタクリレート、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。電離放射線としては、例えば、電子線、光（例えば紫外線、可視光線など）、ガンマ線、電子線などを用いることができ、生産設備の観点から、紫外線が好ましい。

アンカー層１３の材料が添加剤をさらに含むようにしてもよい。添加剤としては、例えば、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。

（第２の変形例）
図７Ｂは、第２の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図７Ｂに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたハードコート層１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。上述したように基材１１と防汚層１２との間にハードコート層１４を備えることで、実用特性（例えば耐久性や鉛筆硬度など）を向上することができる。ハードコート層１４の表面に微細な凹凸構造を設け、この凹凸構造に倣うようにして防汚層１２を設けることで、複数の構造体１２ａを構成するようにしてもよい。

ハードコート層１４の材料としては、例えば、従来公知の天然高分子樹脂および合成高分子樹脂から広く選択して使用することができる。これらの樹脂としては、例えば、透明な熱可塑性樹脂組成物、電離放射線または熱で硬化する透明硬化性樹脂を使用することができる。熱可塑性樹脂組成物としては、例えば、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリメチルメタクリレート、ニトロセルロース、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリプロピレン、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどを用いることができる。透明硬化性樹脂としては、例えば、メタクリレート、メラミンアクリレート、ウレタンアクリレート、イソシアネート、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。電離放射線としては、例えば、電子線、光（例えば紫外線、可視光線など）、ガンマ線、電子線などを用いることができ、生産設備の観点から、紫外線が好ましい。

ハードコート層１４の材料が添加剤をさらに含むようにしてもよい。添加剤としては、例えば、界面活性剤、粘度調整剤、分散剤、硬化促進触媒、可塑剤、酸化防止剤や硫化防止剤などの安定剤などが挙げられる。また、ハードコート層１４が、ＡＧ（Anti-Glare）機能を耐指紋表面Ｓに付与するために、光を散乱する有機樹脂フィラーなどの光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。この場合、光散乱粒子がハードコート層１４の表面または防汚層１２の耐指紋表面Ｓから突出していても、ハードコート層１４または防汚層１２に含まれる樹脂により覆われていてもよい。光散乱粒子は下層である基材１１に接触していてもしていなくてもよい。ハードコート層１４および防汚層１２の両層が、光散乱粒子をさらに含んでいてもよい。また、ＡＧ（Anti-Glare）機能に代えて、もしくはＡＧ（Anti-Glare）機能に加えて、ＡＲ（Anti-Reflection）機能を防汚性基材に付与するようにしてもよい。ＡＲ（Anti-Reflection）機能は、例えば、ハードコート層１４上にＡＲ層を形成させることに付与することができる。ＡＲ層としては、例えば、低屈折率層の単層膜、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した多層膜を用いることができる。

（第３の変形例）
図７Ｃは、第３の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図７Ｃに示すように、基材１１と防汚層１２との間に設けられたハードコート層１４と、基材１１とハードコート層１４との間に設けられたアンカー層１３とをさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。

（第４の変形例）
図８Ａは、第４の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図８Ａに示すように、基材１１の両面にハードコート層１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。防汚層１２は、基材１１の両面に設けられたハードコート層１４のうちの一方の表面上に設けられる。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。

（第５の変形例）
図８Ｂは、第５の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、図８Ｂに示すように、基材１１の両面にアンカー層１３およびハードコート層１４をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。アンカー層１３が、基材１１とハードコート層１４との間に設けられる。防汚層１２は、基材１１の両面に設けられたハードコート層１４のうちの一方の表面上に設けられる。基材１１としてプラスチックフィルムなどの樹脂基材を用いる場合には、このようにハードコート層１４を設けることが特に好ましい。

（第６の変形例）
図８Ｃは、第６の変形例に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。この防汚性基材は、防汚性を有する透明導電性基材であり、図８Ｃに示すように、防汚層１２の側とは反対側となる基材１１の表面に、透明導電層１５をさらに備える点において、第１の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。透明導電層１５は、所定の電極パターンを有する透明電極であってもよい。電極パターンとしては、ストライプ状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。透明導電層１５の表面に必要に応じてオーバーコート層をさらに備えるようにしてもよい。基材１１と透明導電層１５との間に必要に応じてハードコート層および／またはアンカー層をさらに備えるようにしてもよい。

透明導電層１５の材料としては、例えば、電気的導電性を有する金属酸化物材料、金属材料、炭素材料および導電性ポリマーなどからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などが挙げられる。金属材料としては、例えば、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤーなどの金属ナノフィラーを用いることができる。それらの具体的材料としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイルおよびナノホーンなどが挙げられる。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができる。

透明導電層１５の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを用いることができるが、これに限定されるものではない。

＜２．第２の実施形態＞
図９Ａは、本技術の第２の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図９Ｂは、図９Ａの一部を拡大して表す断面図である。この防汚性基材は、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、基材２１と複数の構造体２２とが一体的に形成されている点において、第１の実施形態とは異なっている。基材２１と構造体２２の材料としては、上述の第１の実施形態における防汚層１２と同様の材料が用いられる。具体的には、基材２１と構造体２２の材料としては、熱可塑性樹脂組成物を含むものが好ましい。この場合、熱可塑性樹脂組成物は、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。基材２１および構造体２２はそれぞれ、構成材料以外の点では上述の第１の実施形態における基材１１および構造体１２ａと同様である。

防汚性基材の作製方法としては、例えば溶融押し出し法または転写法などを用いることができる。溶融押し出し法としては、例えば、ダイから熱可塑性樹脂組成物をフィルム状などに吐出した直後に、２つのロールにてニップしてロール表面の形状を樹脂材料に転写する方法が用いられる。ここで、２つのロールのうちの一方としては、ロール原盤を用いることができる。なお、ロール原盤については後述する。転写法としては、例えば、原盤の成形面を基材に押し当てそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、原盤の成形面の形状を転写する熱転写方法を用いることができる。原盤としては、上述の第１の実施形態における板状の原盤３１を用いることができる。

［効果］
第２の実施形態では、基材２１と複数の構造体２２とが一体的に形成されているので、防汚性基材の構成を簡略化することができる。また、基材２１と複数の構造体２２とが透明性を有している場合には、基材２１と複数の構造体２２との間の界面反射を抑制することができる。

＜３．第３の実施形態＞
［防汚性基材の構成］
図１０Ａは、本技術の第３の実施形態に係る防汚性基材の一構成例を示す断面図である。図１０Ｂは、図１０Ａの一部を拡大して表す断面図である。この防汚性基材は、基材１１と、この基材１１の表面に設けられた防汚構造層２３とを備える。防汚構造層２３は、基材１１の表面に設けられた微細構造層２４と、この微細構造層２４の微細構造面に設けられた防汚層２５とを備える。なお、第３の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

防汚層２５の耐指紋表面Ｓには複数の表面構造体（第１構造体）２３ａが設けられている。微細構造層２４の表面には複数の内部構造体（第２構造体）２４ａが設けられている。表面構造体２３ａは、内部構造体２４ａに倣うように防汚層２５を設けることで構成されている。表面構造体２３ａの配置、形状、ピッチ（平均ピッチ）、および算術平均粗さなどは、上述の第１の実施形態における構造体１２ａと同様である。微細構造層２４が、必要に応じて基材１１の表面と内部構造体２４ａとの間に基底層２４ｂをさらに備えるようにしてもよい。基材１１と微細構造層２４とが一体成形された構成を有していてもよい。

防汚層２５の材料としては、第１の実施形態における防汚層１２の材料と同様である。微細構造層２４は、アンカー層やハードコート層などの機能層であってもよい。微細構造層２４の材料としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物および熱可塑性樹脂組成物の少なくとも１種を用いることができる。防汚層２５の膜厚は、例えば、防汚層２５を微細構造層２４の表面に形成する際に、内部構造体２４ａの形状が微細構造層２４内に埋まってしまわないように選択される。具体的には、防汚層２５の膜厚は、例えば単分子厚さ以上１０μｍ以下、好ましくは単分子厚さ以上１μｍ以下、特に好ましくは単分子厚さ以上１００ｎｍ以下の範囲内である。

［防汚性基材の製造方法］
次に、上述の構成を有する防汚性基材の製造方法について説明する。
まず、上述の第１の化合物および第２の化合物のいずれの材料も含まれていない従来公知のエネルギー線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を用いる以外は、上述の第１の実施形態と同様にして、基材１１の表面に内部構造体２４ａを形成する。但し、内部構造体２４ａの高さおよびアスペクト比などは、後工程で形成される表面構造体２３ａの高さおよびアスペクト比などが上述の第１の実施形態における構造体１２ａと同様になるように設定される。この工程において、必要に応じて基材１１の表面と内部構造体２４ａとの間に基底層２４ｂを設けるようにしてもよい。

次に、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる樹脂組成物を調製する。この樹脂組成物としては、上述の第１の実施形態において防汚層１２の形成に用いた樹脂組成物と同様のものを用いることができる。

次に、調製した樹脂組成物を、複数の内部構造体２４ａが設けられた基材１１の表面に塗布または印刷する。この際、内部構造体２４ａの表面形状に倣うように、樹脂組成物を塗布または印刷する。なお、次工程に乾燥工程が設けられている場合には、乾燥工程後に樹脂組成物が内部構造体２４ａの表面形状に倣うようにしてもよい。次に、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させた後、硬化させる。これにより、複数の内部構造体２４ａ上にこれらの内部構造体２４ａの表面に倣うようにして防汚層２５が形成される。すなわち、複数の表面構造体２３ａを有する耐指紋表面Ｓが基材１１の表面上に形成される。以上により、目的とする防汚性基材が得られる。

［効果］
第３の実施形態では、微細構造層２４の複数の内部構造体２４ａに倣うように防汚層２５を設け、複数の表面構造体２５を耐指紋表面Ｓに構成しているので、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜４．第４の実施形態＞
図１１Ａ〜図１１Ｃは、本技術の第４の実施形態に係る防汚性基材の構成例を示す模式図である。第４の実施形態に係る防汚性基材は、内部構造体２４ａの表面に吸着化合物２５ａが吸着されて、防汚層２５が形成されている点において、第３の実施形態に係る防汚性基材とは異なっている。ここで、基材１１の表面に防汚層２５以外の機能層（アンカー層、ハードコート層など）がさらに設けられていてもよい。防汚層２５は、例えば、吸着化合物２５ａにより形成される単分子層である。吸着化合物２５ａが吸着される領域は、内部構造体２４ａが設けられた基材１１の一方の表面に限定されるものではなく、基材１１の両方の表面、またはそれらの一部の領域であってもよく、手や指などで頻繁に触れる表面または所定の領域のみに選択的に吸着化合物２５ａを吸着させるようにしてもよい。

内部構造体２４ａの表面に対する吸着化合物２５ａの吸着位置は、吸着化合物２５ａの側鎖および主鎖の末端のいずれでもよく、両者が基材１１の表面に吸着していてもよい。図１１Ａでは、吸着化合物２５ａの主鎖の片末端が内部構造体２４ａの表面に吸着している構成が示されている。図１１Ｂでは、吸着化合物２５ａの側鎖の末端が内部構造体２４ａの表面に吸着している構成が示されている。図１１Ｃでは、吸着化合物２５ａの主鎖が内部構造体２４ａの表面に吸着している構成が示されている。吸着は、物理吸着および化学吸着のいずれであってもよいが、耐久性の観点からすると、化学吸着が好ましい。吸着としては、具体的には例えば、酸塩基反応、共有結合、イオン結合、水素結合などによる吸着が挙げられる。

吸着化合物２５ａとしては、例えば、上述の第１の実施形態における第１の化合物および第２の化合物に対して、基材１１の表面に吸着する吸着基をさらに付与したものを用いることができる。吸着基を設ける位置は、吸着化合物２５ａの末端および側鎖のいずれでもよく、１つの吸着化合物２５ａ中に複数の吸着基を付与するようにしてもよい。

吸着基としては、内部構造体２４ａに吸着することができればよい。具体的には、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基、チオール基などである。このような吸着基が、吸着化合物２５ａ中に少なくとも１つ存在していれば良い。

吸着基を有する第１の化合物としては、例えば、下記の式（７）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）

吸着基を有する第２の化合物としては、例えば、下記の式（８）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）

吸着基を有する第３の化合物としては、例えば、下記の式（９）に示す構造を分子内に有する化合物を用いることができる。

（式中、Ｘは、例えば、スルホ基(スルホン酸塩含む)、スルホニル基、カルボン酸基(カルボン酸塩含む)、アミノ基、リン酸基(リン酸塩、リン酸エステル含む)、フォスフィノ基、エポキシ基、イソシアネート基またはチオール基などである。）

［防汚性基材の製造方法］
以下、ウエットプロセスを用いた防汚性基材の製造方法の一例について説明する。

（処理溶液の調製）
まず、吸着化合物２５ａを溶媒に溶かして処理溶液を調製する。吸着化合物２５ａが常温で液体である場合、または加熱処理などを施して液体状態にした場合には、吸着化合物２５ａを溶媒に溶かさずに、そのまま用いるようにしてもよい。この処理溶液が内部構造体２４ａの表面に接近することで、吸着化合物２５ａが吸着される。処理溶液中の吸着化合物の量を増やしたほうが吸着速度は向上するため、化合物濃度は大きいほうが好ましく、具体的には０．０１質量％以上が好ましい。

溶媒は、吸着化合物２５ａを所定濃度に溶解可能なものを適宜選択して用いることができる。具体的には例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒；メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉｓｏ−ブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどのエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキエタノール、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；２−メトキシエチルアセタート、２−エトキシエチルアセタート、２−ブトキシエチルアセタート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロメタン、塩化メチレンなどの塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソランなどのエーテル系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの１種または２種以上を混合して用いることができる。

（吸着）
次に、例えば、処理対象物である基材１１を処理溶液に浸漬するか、もしくは処理対象物である基材１１の一方または両方の表面に一定量の処理溶液を塗布または印刷する。

塗布法としては、例えば、ワイヤーバーコーティング、ブレードコーティング、スピンコーティング、リバースロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、マイクログラビアコーティング、リップコーティング、エアーナイフコーティング、カーテンコーティング、コンマコート法、ディッピング法などを用いることができる。印刷法としては、例えば、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、凹版印刷法、ゴム版印刷法、インクジェット法、スクリーン印刷法などを用いることができる。

浸漬法を用いる場合、処理対象物である基材１１が十分に浸る量の処理溶液を準備し、基材１１を０．１秒〜４８時間浸漬することが好ましい。浸漬後に、必要に応じて、基材１１を吸着化合物２５ａの良溶媒で洗浄し、未吸着の吸着化合物２５ａを洗い流すようにしてもよい。その後、必要に応じて、乾燥させることにより、吸着処理が完了する。乾燥方法としては、例えば、自然乾燥、および加熱装置などによる人工的乾燥のいずれを用いてもよい。また、処理対象物である基材１１を浸漬している間、加熱処理および／または超音波処理などを行うことで、吸着化合物２５ａの吸着速度を速めることができる。

塗布法を用いる場合には、処理溶液を基材１１に塗布する際に、基材１１に対する加熱処理および／または超音波処理などを併用してもよい。塗布後、必要に応じて、基材１１を吸着化合物２５ａの良溶媒で洗浄し、未吸着の吸着化合物２５ａを洗い流すようにしてもよい。その後、必要に応じて、乾燥させることにより、吸着処理が完了する。乾燥方法としては、例えば、自然乾燥、および加熱装置などによる人工的乾燥のいずれを用いてもよい。所望とする処理溶液の塗布量は１回の塗布で達成される必要はなく、上述の塗布および洗浄工程を複数回繰り返すことによって、所望とする処理溶液の塗布量が達成されるようにしてもよい。

（効果）
第４の実施形態によれば、内部構造体２４ａの表面に吸着化合物２５ａを吸着させて、防汚層２５を内部構造体２４ａの表面に形成しているので、上述の第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

［変形例］
上述の第３の実施形態および第４の実施形態では、防汚層２５の形成方法としてウエットプロセスを用いる方法を例として説明したが、防汚層２５の形成方法はこの例に限定されるものではなく、ドライプロセスを用いることも可能である。すなわち、ドライプロセスにより、上述の第３の実施形態または第４の実施形態の防汚層２５を内部構造体２４ａの表面に直接成膜することも可能である。

ドライプロセスとしては、例えば、スパッタ法、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、プラズマＣＶＤ法、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、イオンプレーティング法などを用いることができる。

＜５．第５の実施形態＞
第５の実施形態は、ロール原盤を用いて防汚性基材を製造する点において、第１の実施形態とは異なっている。

［原盤の構成］
図１２Ａは、ロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図１２Ｂは、図１２Ａに示したａ−ａ線に沿った断面図である。図１２Ｃは、図１２Ｂの一部を拡大して表す断面図である。ロール原盤５１は、上述した構成を有する防汚性基材を作製するための原盤、より具体的には、上述した基材表面に複数の構造体１２ａを成形するための原盤である。ロール原盤５１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面が基材表面に複数の構造体１２ａを成形するための成形面とされる。この成形面には、例えば、複数の構造体５２が設けられている。構造体５２は、成形面に対して凹状を有している。

ロール原盤５１の成形面に設けられた複数の構造体５２と、基材１１の表面に設けられた複数の構造体１２ａとは、反転した凹凸関係にある。すなわち、ロール原盤５１の構造体５２の配列、大きさ、形状、配置ピッチおよび高さなどは、基材１１の構造体１２ａと同様である。

［レーザ加工装置の構成］
図１３は、ロール原盤を作製するためのレーザ加工装置の一構成例を示す概略図である。レーザ加工装置は、リニアステージ４４に代えて、ロール原盤５１を回転させる構成を有している点以外は、上述の第１の実施形と同様である。

［防汚性基材の製造方法］
図１４Ａ〜図１６Ｂは、本技術の第５の実施形態に係る防汚性基材の製造方法の一例を説明するための工程図である。なお、第５の実施形態において第１または第３の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

（レーザ加工工程）
まず、図１４Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤５１を準備する。このロール原盤５１の被加工面である表面５１Ａは、例えば、鏡面状態となっている。なお、この表面５１Ａは鏡面状態となっていなくてもよく、例えば、表面５１Ａに、転写用のパターンよりも細かな凹凸が形成されていてもよいし、転写用のパターンと同等か、それよりも粗い凹凸が形成されていてもよい。

次に、図１３に示したレーザ加工装置を用いて、以下のようにしてロール原盤５１の表面５１Ａをレーザ加工する。まず、ロール原盤５１の表面５１Ａに対して、パルス幅が１ピコ秒（１０^-12秒）以下の超短パルスレーザ、いわゆるフェムト秒レーザを用いてパターンを描画する。例えば、図１４Ｂに示したように、ロール原盤５１の表面５１Ａに対して、フェムト秒レーザ光Ｌｆを照射すると共に、その照射スポットを表面５１Ａに対してスキャンさせる。

このとき、レーザ波長、繰り返し周波数、パルス幅、ビームスポット形状、偏光、表面５１Ａへ照射するレーザの強度、レーザの走査速度等が適宜設定されることにより、図１４Ｃに示すように、所望の形状を有する複数の構造体５２が形成される。

（構造形成工程）
次に、上述のようにして得られたロール原盤５１を用いて、樹脂材料に形状転写し、基材１１の表面に複数の構造体１２ａを形成することにより、上述の第１の実施形態に係る防汚性基材を作製する。形状転写の方法としては、例えばエネルギー線転写法、熱硬化転写法、または熱転写法を用いることができる。以下、構造形成工程を、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程と、熱転写法を用いた構造形成工程とに分けて説明する。

［エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程］
（樹脂組成物の調製工程）
図１５Ａ、図１５Ｂは、エネルギー線転写法または熱硬化転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、必要に応じて樹脂組成物を溶媒に溶かして希釈する。この際、必要に応じて樹脂組成物に各種添加剤を添加するようにしてもよい。溶媒による希釈は必要に応じて行われ、希釈不要の場合には、樹脂組成物を無溶媒で用いてもよい。

（塗布工程）
次に、図１５Ａに示すように、調製した樹脂組成物３３を基材の表面に塗布または印刷する。

（乾燥工程）
次に、樹脂組成物３３が溶媒を含んでいる場合には、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。

（硬化工程）
次に、図１５Ｂに示すように、ロール原盤５１と、基材１１の表面に塗布された樹脂組成物３３とを密着させ、樹脂組成物３３を硬化させた後、硬化した樹脂組成物３３と一体となった基材１１をロール原盤５１から剥離する。これにより、図１５Ｃに示すように、複数の構造体１２ａが基材１１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、必要に応じて、構造体１２ａと基材１１との間に基底層１２ｂをさらに形成するようにしてもよい。

ここで、硬化方法は、樹脂組成物３３の種類によって異なる。樹脂組成物３３としてエネルギー線硬化性樹脂組成物を用いる場合には、ロール原盤５１を樹脂組成物３３に押し付けて両者を密着させると共に、紫外線（紫外光）などのエネルギー線をエネルギー線源３４から樹脂組成物３３に照射することにより、樹脂組成物３３を硬化する。

なお、基材１１が紫外線などのエネルギー線を透過しない材料で構成されている場合には、エネルギー線を透過可能な材料（例えば石英）でロール原盤５１を構成し、ロール原盤５１の内部から樹脂組成物３３に対してエネルギー線を照射するようにしてもよい。

樹脂組成物３３として熱硬化性樹脂組成物を用いる場合には、ロール原盤５１を樹脂組成物３３に押しつけ両者を密着させると共に、ロール原盤５１により樹脂組成物３３を硬化温度まで加熱し、硬化させる。この際、樹脂組成物３３が塗布または印刷される側とは反対側となる基材１１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材１１の熱負けを防止するようにしてもよい。ここで、ロール原盤５１は、その内部にヒータなどの熱源を備えており、ロール原盤５１の成形面に密着した樹脂組成物３３を加熱可能に構成されている。

［熱転写法を用いた構造形成工程］
図１６Ａ、図１６Ｂは、熱転写法を用いた構造形成工程の一例を説明するための工程図である。まず、図１６Ａに示すように、基材２１を形成する。基材２１は、例えば、熱可塑性樹脂組成物を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物は、第１の化合物および第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる。熱可塑性樹脂組成物が、第２の化合物を含む場合には、この第２の化合物と共に第３の化合物をさらに含んでいることが好ましい。

次に、図１６Ｂに示すように、ロール原盤５１を基材２１に押しつけ両者を密着させると共に、例えば基材２１をそのガラス転移点付近またはそれ以上に加熱することにより、ロール原盤５１の成形面の形状を形状転写する。次に、形状転写した基材２１をロール原盤５１から剥離する。これにより、複数の構造体２２が基材２１の表面に形成された防汚性基材が得られる。この際、複数の構造体２２が形成される側とは反対側となる基材２１の表面に対して冷却ロールを押し当て、基材２１の熱負けを防止するようにしてもよい。

上述の熱転写の例では、ロール原盤５１を基材２１に押し当て、基材２１の表面に構造体２２を形成する例について説明したが、熱転写の例はこれに限定されるものではない。例えば、上述の第１の実施形態における転写方法と同様に、基材１１の表面に樹脂層３５を形成し、この樹脂層３５にロール原盤５１を押し当て、樹脂層３５の表面に構造体１２ａを形成するようにしてもよい。

［効果］
第５の実施形態によれば、原盤としてロール原盤５１を用いるので、ロール・ツー・ロール工程などにより防汚性基材を作製することができる。したがって、防汚性基材の生産性を向上することができる。

＜６．第６の実施形態＞
図１７は、本技術の第６の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１７に示すように、表示装置１０１の表示面Ｓ₁に防汚体１００が設けられている。防汚体１００としては、例えば、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚体として防汚性基材を用いる場合には、防汚性基材を表示装置１０１の表示面Ｓ₁に貼合層を介して貼り合わせる構成を採用することができる。この構成を採用する場合には、防汚性基材の基材１１としては、透明性および可撓性を有するシートなどを用いることが好ましい。

表示装置１０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。

［効果］
第６の実施形態によれば、表示装置１０１の表示面Ｓ₁を耐指紋表面Ｓとすることができるので、表示装置１０１の表示面Ｓ₁に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、表示装置１０１の視認性を向上することができる。

また、表示装置１０１の表示面Ｓ₁に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。

＜７．第７の実施形態＞
図１８Ａは、本技術の第７の実施形態に係る表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１８Ａに示すように、表示装置１０１の表示面Ｓ₁上に入力装置１０２が設けられている。そして、入力装置１０２の入力面Ｓ₂上に防汚体１００が設けられている。表示装置１０１と入力装置１０２とは、例えば粘着剤などからなる貼合層を介して貼り合わされている。防汚体１００としては、例えば、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚体として防汚性基材を用いる場合には、防汚性基材を入力装置１０２の入力面Ｓ₂に貼合層を介して貼り合わせる構成を採用することができる。この構成を採用する場合には、防汚性基材の基材１１としては、透明性および可撓性を有するシートなどを用いることが好ましい。

入力装置１０２としては、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルを用いることができるが、タッチパネルの方式はこれに限定されるものではない。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。

［効果］
第７の実施形態によれば、入力装置１０２の入力面Ｓ₂を耐指紋表面Ｓとすることができるので、入力装置１０２の入力面Ｓ₂に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、入力装置１０２が設けられた表示装置１０１の視認性を向上することができる。

また、入力装置１０２の入力面Ｓ₂に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、入力装置１０２が設けられた表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。

［変形例］
図１８Ｂは、本技術の第７の実施形態に係る入力装置の変形例を示す分解斜視図である。図１８Ｂに示すように、入力装置１０２の入力面Ｓ₂にフロントパネル（表面部材）１０３をさらに備えるようにしてもよい。この場合、フロントパネル１０３のパネル表面Ｓ₃に防汚体１００が設けられる。入力装置１０２とフロントパネル（表面部材）１０３とは、例えば粘着剤などからなる貼合層により貼り合わされる。

＜８．第８の実施形態＞
本技術の第８の実施形態に係る電子機器は、第６の実施形態、または第７の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１を備えている。この電子機器の筐体の表面には、必要に応じて防汚体が設けられている。防汚体としては、防汚層、防汚構造層または防汚性基材が用いられる。防汚層としては、例えば、第１の実施形態に係る防汚層１２が用いられる。防汚構造層としては、例えば、第３または第４の実施形態に係る防汚構造層２３が用いられる。防汚性基材としては、例えば、第１〜第４の実施形態に係る防汚性基材のいずれかが用いられる。防汚性基材自体により電子機器の筐体を構成するようにしてもよい。
以下に、本技術の第８の実施形態に係る電子機器の例について説明する。

図１９Ａは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。テレビ装置１１１は、筐体１１２と、この筐体１１２に収容された表示装置１１３とを備える。ここで、表示装置１１３は、第６の実施形態、または第７の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１１２の表面には必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１１２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。

図１９Ｂは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ１２１は、コンピュータ本体１２２と、表示装置１２５とを備える。コンピュータ本体１２２および表示装置１２５はそれぞれ、筐体１２３および筐体１２４に収容されている。ここで、表示装置１２５は、第６の実施形態、または第７の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１２３および筐体１２４の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１２３および筐体１２４自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。

図２０Ａは、電子機器として携帯電話の一例を示す外観図である。携帯電話１３１は、いわゆるスマートフォンであり、筐体１３２と、この筐体１３２に収容された表示装置１３３とを備える。ここで、表示装置１３３は、第７の実施形態またはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１３２の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１３２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。

図２０Ｂは、電子機器としてタブレット型コンピュータの一例を示す外観図である。タブレット型コンピュータ１４１は、筐体１４２と、この筐体１４２に収容された表示装置１４３とを備える。ここで、表示装置１４３は、第７の実施形態またはその変形例に係る表示装置１０１である。筐体１４２の表面に必要に応じて防汚体を設けてもよく、もしくは筐体１４２自体を必要に応じて防汚性基材により構成してもよい。

［効果］
第８の実施形態によれば、電子機器が第６の実施形態、または第７の実施形態もしくはその変形例に係る表示装置１０１を備えているので、電子機器の表示装置１０１の視認性を向上することができる。また、電子機器の表示装置１０１の視認性をさらに向上することができる。

電子機器の筐体表面に防汚体を設けた場合には、電子機器の筐体表面に指紋が付着した場合、何もせずとも指紋のパターンが濡れ広がり、見えにくくなる。したがって、筐体表面の汚れを目立たなくすることができる。電子機器の筐体表面に付着した指紋を指などで擦ってうすく濡れ広がらせて、目立たなくすることができる。したがって、筐体表面の汚れをさらに目立たなくすることができる。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

本実施例では、レーザ加工装置としては、図３に示した装置を用いた。レーザー本体４０としては、サイバーレーザー株式会社製のＩＦＲＩＴ（商品名）を用いた。レーザ波長は８００ｎｍ、繰り返し周波数は１０００Ｈｚ、パルス幅は２２０ｆｓとした。

（実施例１〜４）
まず、基材表面にＤＬＣを被膜することにより、原盤を作製した。次に、この原盤のＤＬＣ膜の表面に対して、フェムト秒レーザを利用して微細な凹凸構造を形成した。この際、表１に示すレーザ加工条件にてレーザ加工を行った。以上により、形状転写用の板状の原盤が得られた。なお、原盤のサイズは、２ｃｍ×２ｃｍの矩形状とした。

次に、上述のようにして得られた原盤を用いて、ＵＶインプリントにより微細な凹凸構造をゼオノアフィルム（日本ゼオン社製、登録商標）の表面に形成した。具体的には、上述のようにして得られた原盤と、下記の配合を有する紫外線硬化性樹脂組成物（以下「ＵＶ硬化性樹脂」という。）を塗布したゼオノアフィルムとを密着させ、紫外線を照射し硬化させた後に剥離した。以上により、目的とする防汚性フィルムが得られた。

（ＵＶ硬化性樹脂の配合）
下記の式（１０）に示す構造を有する化合物：９５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：５質量％
（環状炭化水素基を有する第２の化合物）

（実施例５）
まず、上述の実施例１〜４と同様にして、ＵＶインプリントにより微細な凹凸構造をゼオノアフィルム（日本ゼオン社製、登録商標）の表面に形成した。次に、以下のようにして微細な凹凸構造の表面にコーティング層をさらに形成した。

得られた光学フィルムの形状転写面に、下記の配合を有するＵＶ硬化性樹脂をスピンコートで塗布し、乾燥させることにより、光学フィルム表面の複数の突起に倣った塗膜を形成した。次に、この塗膜に紫外線を照射して硬化することにより、防汚層を表面に形成した。以上により、目的とする防汚性フィルムが得られた。

（ＵＶ硬化性防汚樹脂の配合）
下記の式（１０）に示す構造を有する化合物：１．５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．０７５質量％
シクロヘキサノン： ９６．３２５質量％
（環状炭化水素基を有する第２の化合物）

（実施例６）
光学フィルムの形状転写面に、下記配合を有するＵＶ硬化性樹脂をスピンコートで塗布したこと以外は実施例５と同様にして防汚性フィルムを作製した。ここで、ＵＶ硬化性樹脂としては、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物を含むものを用いた。

（ＵＶ硬化性樹脂の配合）
ジペンタエリスリトール ヘキサアクリレート（DPHA）：３．５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン：９６．３２５質量％

（実施例７）
光学フィルムの形状転写面に、下記配合を有するＵＶ硬化性樹脂をスピンコートで塗布したこと以外は実施例５と同様にして防汚性フィルムを作製した。ここで、ＵＶ硬化性樹脂としては、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物を含むものを用いた。

（ＵＶ硬化性樹脂）
フッ素原子及びシロキサン部位を有するアクリレートオリゴマー：１．７５質量％
ジペンタエリスリトール ヘキサアクリレート（DPHA）：１．７５質量％
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名：イルガキュアー１８４）：０．１７５質量％
シクロヘキサノン：９６．３２５質量％

（比較例１）
ゼオノアフィルムの表面にＵＶ硬化性樹脂を塗布し、形状転写せずに硬化することにより、平坦な表面を有する防汚性フィルムを得た。なお、ＵＶ硬化性樹脂としては、上述の実施例１〜７と同様のものを用いた。

［評価］
上述のようにして得られた実施例１〜７、比較例１の防汚性フィルムの（ａ）転写面の凹凸形状（表面構造、平均ピッチ、算術平均粗さ）、（ｂ）ＡＲ機能、（ｃ）指紋のパターン見え、および（ｄ）指払拭性を評価した。

（ａ）転写面の凹凸形状
（表面構造）
微細な凹凸構造を有する耐指紋表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により観察し、表面構造を確認した。図２１Ａ、図２２Ａ、図２３Ａ、図２４Ａ、図２５Ａはそれぞれ、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４、実施例５の反射防止フィルム表面のＡＦＭ像を示す。図２１Ｂ、図２２Ｂ、図２３Ｂ、図２４Ｂ、図２５Ｂはそれぞれ、図２１Ａ、図２２Ａ、図２３Ａ、図２４Ａ、図２５Ａのａ−ａ線に沿った断面プロファイルを示す。

（平均ピッチ）
平均ピッチＰｍはＡＦＭ像の断面プロファイルから以下のようにして求めた。まず、ＡＦＭ像の断面プロファイルから、隣接する任意の２つの構造体を選び出し、それらの構造体間の距離（最小繰り返し構造のトップ間の最短距離）をピッチとして求めた。次に、この手順を耐指紋表面の任意の１０箇所で行い、ピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０を求めた。次に、これらのピッチＰ１、Ｐ２、・・・、Ｐ１０を単純に平均（算術平均）して平均ピッチＰｍを求めた。

（算術平均粗さ）
算術平均粗さＲａはＡＦＭ像から以下のようにして求めた。
まず、耐指紋表面Ｓを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により視野３μｍ×３μｍで観察する。次に、そのＡＦＭ像の断面プロファイルから、算術平均粗さｒａ求める。次に、この手順を耐指紋表面の任意の１０箇所で行い、ｒａ１、ｒａ２、・・・、ｒａ１０を求める。次に、これらのｒａ１、ｒａ２、・・・、ｒａ１０を単純に平均（算術平均）して算術平均粗さＲａを求める。

（ｂ）ＡＲ機能
防汚性フィルムのＡＲ機能を以下のようにして評価した。
防汚性フィルムをその評価面（耐指紋表面）が上になるように黒色アクリル板（三菱レイヨン株式会社製、商品名：アクリライト）に両面粘着シート（日東電工株式会社製、商品名：LUCIACS CS9621T）を用いて貼合した。次に、外光を斜め４５°から入射させ、以下の基準で評価を行った。
×：構造がない部分と比較しても差が分からない場合
○：構造がない部分と比較して黒みが増していた場合
◎：構造がない部分と比較して評価結果「○」よりもさらに黒みが増していた場合

（ｃ）指紋のパターン見え
防汚性フィルムをその評価面（耐指紋表面）が上になるように黒色アクリル板（三菱レイヨン株式会社製、商品名：アクリライト）に両面粘着シート（日東電工株式会社製、商品名：LUCIACS CS9621T）を用いて貼合した。次に、耐指紋表面に指紋を付着させ、３分後に蛍光灯を写し込み、目視で表面を観察し、以下の基準で評価をおこなった。
×：指紋のパターンが消えなかった場合
○：指紋のパターンが消え、見えにくくなっていた場合
◎：指紋のパターンが消え、評価結果「○」よりもさらに見えにくくなっていた場合

（ｄ）指払拭性
耐指紋表面にわざと通常よりも液量の多い指紋を付着させ、指で１０往復払拭後に蛍光灯を写し込み、目視で表面を観察し、以下の基準で評価をおこなった。
◎：油よごれがなくなっていた場合
○：油よごれがわずかに残っていた程度の場合
×：油よごれがかなり残っていた場合

表１は、実施例１〜７、比較例１の原盤の材質およびレーザ加工条件を示す。

表２は、実施例１〜７、比較例１の防汚性フィルムの評価結果を示す。

表１、表２では、以下のことがわかる。
複数のナノ構造体を耐指紋表面に形成すると共に、それらの構造体に第２の化合物を含ませることで、指紋のパターン見えを抑制することができる。
複数のナノ構造体を耐指紋表面に形成することで、ＡＲ機能を得ることができる。

また、実施例７にてフッ素原子及びシロキサン部位を有するアクリレートオリゴマーを配合することにより、実施例６と比較して表面摩擦力が低減した。実施例６においても表面凹凸があるため、表面に付着した指紋をティッシュ（エリエール）で払拭する際の拭き心地は良い。これは、表面凹凸により、ティッシュに対する摩擦力が低くなったためと考えられる。表面摩擦力がより低減した実施例７においては拭き心地はさらに向上した。

以上、本技術の実施形態および実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態および実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態および実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態および実施例の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体。
（２）
上記凹凸構造は揺らいでいる（１）に記載の防汚体。
（３）
上記凹凸構造は、ランダムなナノ構造により構成されている（１）から（２）のいずれかに記載の防汚体。
（４）
上記凹凸構造は、ストライプ状、網目状または針状の構造体を含んでいる（１）から（３）のいずれかに記載の防汚体。
（５）
上記表面の算術平均粗さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である（１）から（４）のいずれかに記載の防汚体。
（６）
表面を有する基材と、
上記基材の表面に設けられた防汚層と
を備え、
上記防汚層は、上記凹凸構造が設けられた上記表面を有している（１）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（７）
上記防汚層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方の樹脂組成物を含み、
上記樹脂組成物は、上記第１の化合物、および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる（６）に記載の防汚体。
（８）
上記第１の化合物および上記第２の化合物は、添加剤である（１）から（７）のいずれかに記載の防汚体。
（９）
上記添加剤は、レベリング剤である（８）に記載の防汚体。
（１０）
上記基材の表面には複数の構造体が設けられ、
上記基材の複数の構造体の表面に倣うように上記防汚層が設けられている（６）に記載の防汚体。
（１１）
上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方は、上記基材の複数の構造体の表面に吸着されている（１０）に記載の防汚体。
（１２）
上記防汚層は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含む単分子層である（１１）に記載の防汚体。
（１３）
上記構造体は、熱可塑性樹脂組成物を含み、
上記熱可塑性樹脂組成物は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（１４）
上記第１の化合物は、下記の式（１）または式（２）で表され、
上記第２の化合物は、下記の式（３）または式（４）で表される（１）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（式中、Ｒ₁は、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基、Ｒ₂は、炭素数が２個以上の基である。）
（式中、Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基である。）
（１５）
上記防汚層が、上記第２の化合物とともに、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の防汚体。
（１６）
上記第３の化合物は、下記の式（５）または式（６）で表される（１５）に記載の防汚体。
（１７）
上記凹凸構造間の凹部は、上記表面にある液体に対して正の毛管圧力を及ぼす（１）から（１６）のいずれかに記載の防汚体。
（１８）
防汚体が設けられた入力面を有し、
上記防汚体は、（１）から（１７）のいずれかに記載の防汚体である入力装置。
（１９）
防汚体が設けられた表示面を有し、
上記防汚体は、（１）から（１７）のいずれかに記載の防汚体である表示装置。
（２０）
（１）から（１７）のいずれかに記載の防汚体を備える電子機器。
（２１）
（１）から（１７）のいずれかに記載の防汚体を備える防汚性物品。

１１、２１ 基材
１２、２５ 防汚層
１２ａ、２２ 構造体
１２ｂ、２４ｂ 基底層
１３ アンカー層
１４ ハードコート層
１５ 透明導電層
２３ 防汚構造層
２３ａ 表面構造体（第１構造体）
２４ 微細構造層
２４ａ 内部構造体（第２構造体）
２５ａ 吸着化合物
３１ 板状の原盤
３２、５２ 構造体
５２ ロール原盤
１０１、１１３、１２５、１３３、１４３ 表示装置
１０２ 入力装置
１０３ フロントパネル
１１１ テレビ装置
１１２、１２４、１３２、１４２ 筐体
１２１ ノート型パーソナルコンピュータ
１３１ 携帯電話
１４１ タブレット型コンピュータ
Ｓ 耐指紋表面（防汚性表面）
Ｓ₁ 表示面
Ｓ₂ 入力面

Claims (21)

1. 微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
   上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚体。
2. 上記凹凸構造は揺らぎを有している請求項１に記載の防汚体。
3. 上記凹凸構造は、ランダムなナノ構造である請求項１に記載の防汚体。
4. 上記凹凸構造は、ストライプ状、網目状または針状の構造体を含んでいる請求項１に記載の防汚体。
5. 上記表面の算術平均粗さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲内である請求項１に記載の防汚体。
6. 表面を有する基材と、
   上記基材の表面に設けられた防汚層と
   を備え、
   上記防汚層は、上記凹凸構造が設けられた上記表面を有している請求項１に記載の防汚体。
7. 上記防汚層は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方の樹脂組成物を含み、
   上記樹脂組成物は、上記第１の化合物、および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる請求項６に記載の防汚体。
8. 上記第１の化合物および上記第２の化合物は、添加剤である請求項１に記載の防汚体。
9. 上記添加剤は、レベリング剤である請求項８に記載の防汚体。
10. 上記基材の表面には複数の構造体が設けられ、
    上記基材の複数の構造体の表面に倣うように上記防汚層が設けられている請求項６に記載の防汚体。
11. 上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方は、上記基材の複数の構造体の表面に吸着されている請求項１０に記載の防汚体。
12. 上記防汚層は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含む単分子層である請求項１１に記載の防汚体。
13. 上記構造体は、熱可塑性樹脂組成物を含み、
    上記熱可塑性樹脂組成物は、上記第１の化合物および上記第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる請求項１に記載の防汚体。
14. 上記第１の化合物は、下記の式（１）または式（２）で表され、
    上記第２の化合物は、下記の式（３）または式（４）で表される請求項１に記載の防汚体。
    （式中、Ｒ₁は、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基、Ｒ₂は、炭素数が２個以上の基である。）
    （式中、Ｒ₁、Ｒ₂はそれぞれ独立に、Ｃ、Ｎ、Ｓ、Ｏ、Ｓｉ、ＰまたはＴｉを含む基である。）
    
15. 上記防汚層が、上記第２の化合物とともに、末端に鎖状炭化水素基を有する第３の化合物をさらに含んでいる請求項１に記載の防汚体。
16. 上記第３の化合物は、下記の式（５）または式（６）で表される請求項１５に記載の防汚体。
    
17. 上記凹凸構造間の凹部は、上記表面にある液体に対して正の毛管圧力を及ぼす請求項１に記載の防汚体。
18. 微細な凹凸構造が設けられた入力面を有し、
    上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる入力装置。
19. 微細な凹凸構造が設けられた表示面を有し、
    上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる表示装置。
20. 微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
    上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる電子機器。
21. 微細な凹凸構造が設けられた表面を有し、
    上記凹凸構造は、末端以外の部分にエステル結合を有する第１の化合物、および環状炭化水素基を有する第２の化合物の少なくとも一方を含んでいる防汚性物品。