TW202244947A - 透明導電性膜 - Google Patents

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河野文彦
長瀬純一
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種透明導電性膜，其具備包含金屬纖維之導電層，且不易產生由接觸引起之導電性不良。 本發明之透明導電性膜具備：基材；及透明導電層，其配置於基材之至少一側；該透明導電層包含聚合物基質及存在於該聚合物基質中之金屬纖維，該透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra為1.5 μm以上。

Description

透明導電性膜
本發明係關於一種透明導電性膜。
先前，作為觸控感測器之電極等中使用之透明導電性膜，經常使用於樹脂膜上形成有銦-錫複合氧化物層(ITO層)等金屬氧化物層之透明導電性膜。但是，形成有金屬氧化物層之透明導電性膜存在可撓性不足，容易因彎曲等物理應力而產生裂痕之問題。
又，作為透明導電性膜，提出有具備含有包含銀或銅等而成之金屬纖維之導電層之透明導電性膜。此種透明導電性膜具有可撓性優異之優點。另一方面，包含金屬纖維之導電層之耐接觸性較低，具備該導電層之導電性膜存在如下問題：於運輸過程、保管過程等中容易出現導電性不良之缺陷。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特表2009-505358號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為解決上述課題而成者，其目的在於提供一種具備包含金屬纖維之導電層，且不易產生由接觸引起之導電性不良之透明導電性膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之透明導電性膜具備：基材；及透明導電層，其配置於基材之至少一側；該透明導電層包含聚合物基質及存在於該聚合物基質中之金屬纖維，該透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra為1.5 μm以上。 於一實施方式中，上述金屬纖維為金屬奈米線。 於一實施方式中，上述金屬奈米線為銀奈米線。 於一實施方式中，上述透明導電性膜進而具備金屬層。 於一實施方式中，上述金屬層包含銅。 於一實施方式中，上述透明導電層之厚度為50 nm～300 nm。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種具備包含金屬纖維之導電層，且不易產生由接觸引起之導電性不良之透明導電性膜。
A. 透明導電性膜之整體構成圖1係本發明之一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。透明導電性膜100具備：基材10；及透明導電層20，其配置於基材10之至少一側(圖示例中為兩側)。透明導電層20包含聚合物基質及存在於聚合物基質中之金屬纖維。雖未圖示，但透明導電性膜亦可進而包含任意適當之其他層。於一實施方式中，上述透明導電性膜之至少一最外層為透明導電層。
圖2(a)及(b)係本發明之另一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。透明導電性膜200僅於基材10之一側配置有透明導電層20。透明導電性膜300進而具備金屬層30。於圖2(b)之示例中，透明導電性膜300依序配置有透明導電層20、基材10、及金屬層30。
於本發明中，上述透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra為1.5 μm以上。藉由使透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra處於上述範圍內，若為此種範圍，則可獲得即便與透明導電層接觸時亦不易產生導電不良之透明導電性膜。先前之透明導電性膜於以捲筒之形態提供時，由於相互接觸而於表面施加有摩擦力，於具備包含金屬纖維之透明導電層之情形時，該金屬纖維彼此之接合發生脫離而易於產生導電不良。另一方面，本案發明之透明導電性膜即便於以捲筒之形態提供之情形時，亦會維持金屬纖維彼此之接合，從而維持所需之導電性。又，即便上述透明導電性膜為單片，亦能夠防止由積層該透明導電性膜時之接觸、摩擦等引起之金屬纖維彼此之接合脫離。又，上述透明導電性膜不僅可對透明導電性膜彼此之接觸顯示出優異之耐接觸性，對與其他物品之接觸亦顯示出優異之耐接觸性。上述透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra較佳為2.0 μm～5.0 μm，更佳為3.0 μm～4.0 μm，進而較佳為3.0 μm～3.5 μm。若為此種範圍，則上述效果變得顯著。算術平均表面粗糙度Ra可使用原子力顯微鏡進行測定。
本發明之透明導電性膜之表面電阻值較佳為0.01 Ω/□～1000 Ω/□，更佳為0.1 Ω/□～500 Ω/□，特佳為0.1 Ω/□～300 Ω/□，最佳為0.1 Ω/□～100 Ω/□。於一實施方式中，透明導電性膜之表面電阻值為100 Ω/□以下。
本發明之透明導電性膜之霧度值較佳為1%以下，更佳為0.7%以下，進而較佳為0.5%以下。該霧度值越小越佳，但其下限值例如為0.05%。
本發明之透明導電性膜之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，特佳為90%以上。
本發明之透明導電性膜之厚度較佳為10 μm～500 μm，更佳為15 μm～300 μm，進而較佳為20 μm～200 μm。
B. 透明導電層如上所述，透明導電層包含金屬纖維及聚合物基質。
上述透明導電層之厚度較佳為50 nm～300 nm，更佳為80 nm～200 nm。藉由將透明導電層之厚度設為50 nm以上，能夠形成動摩擦係數較小之透明導電層。
上述透明導電層之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。
上述透明導電層相對於該透明導電層之動摩擦係數較佳為2.0以下，更佳為1.8以下，進而較佳為1.5以下，進而較佳為1.2以下，特佳為1.0以下，最佳為0.8以下。透明導電層相對於該透明導電層之動摩擦係數越小越佳，但其下限值例如為0.05。若為此種範圍，則可獲得即便與透明導電層接觸時亦不易產生導電不良之透明導電性膜。所謂「透明導電層相對於該透明導電層之動摩擦係數」意指透明導電性膜所具備之透明導電層/具有與透明導電性膜所具備之透明導電層相同之組成之透明導電層間之動摩擦係數。於本說明書中，動摩擦係數係依據JIS K7125：1999，於測定負載：100 g、測定速度：1 mm/s、測定距離：30 mm下進行測定。
於一實施方式中，使透明導電層及與該透明導電層成為相反側之面接觸時之動摩擦係數較佳為2.0以下，更佳為1.8以下，進而較佳為1.5以下，進而較佳為1.2以下，特佳為1.0以下，最佳為0.8以下。使透明導電層及與該透明導電層成為相反側之面接觸時之動摩擦係數越小越佳，但其下限值例如為0.05。所謂「與該透明導電層成為相反側之面」意指以基材為基準，與成為測定對象之透明導電層之表面為相反側之最外表面。因此，於透明導電性膜為透明導電層A/基材/透明導電層A之構成之情形時，「使透明導電層及與該透明導電層成為相反側之面接觸時之動摩擦係數」為使透明導電層彼此(透明導電層A與透明導電層A)接觸時之動摩擦係數，與「透明導電層相對於該透明導電層之動摩擦係數」含義相同。又，於透明導電性膜為透明導電層/基材之構成之情形時，「使透明導電層及與該透明導電層成為相反側之面接觸時之動摩擦係數」為使透明導電層與基材接觸時之動摩擦係數。若使透明導電層及與該透明導電層成為相反側之面接觸時之動摩擦係數處於上述範圍內，則於積層透明導電性膜時，或者將透明導電性膜製成捲筒之形態時，能夠明顯地防止產生導電不良。
於一實施方式中，上述透明導電層被圖案化。作為圖案化之方法，可根據透明導電層之形態採用任意適當之方法。透明導電層之圖案形狀根據用途可為任意適當之形狀。例如可例舉日本專利特表2011-511357號公報、日本專利特開2010-164938號公報、日本專利特開2008-310550號公報、日本專利特表2003-511799號公報、日本專利特表2010-541109號公報中記載之圖案。於基材上形成透明導電層之後，可根據透明導電層之形態，使用任意適當之方法進行圖案化。
作為上述金屬纖維，較佳可使用金屬奈米線。上述金屬奈米線係指材質為金屬，形狀為針狀或絲狀，直徑為奈米尺寸之導電性物質。金屬奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。若使用包含金屬奈米線之透明導電層，則金屬奈米線成為網狀，藉由分別接合，可形成良好之導電路徑，可獲得電阻較小之透明導電性膜。
上述金屬奈米線之粗細d與長度L之比(長徑比：L/d)較佳為10～100,000，更佳為50～100,000，特佳為100～10,000。若使用如此般長徑比較大之金屬奈米線，則金屬奈米線會良好地交叉，藉由少量金屬奈米線便可表現出較高之導電性。其結果為，可獲得透光率較高之透明導電性膜。再者，於本說明書中，關於「金屬奈米線之粗細」，於金屬奈米線之剖面為圓狀之情形時，意指其直徑，於金屬奈米線之剖面為橢圓狀之情形時，意指其短徑，於金屬奈米線之剖面為多邊形之情形時，意指最長之對角線。金屬奈米線之粗細及長度可藉由掃描式電子顯微鏡或穿透式電子顯微鏡進行確認。
上述金屬奈米線之粗細較佳為未達500 nm，更佳為未達200 nm，特佳為10 nm～100 nm，最佳為10 nm～60 nm。若為此種範圍，則可形成透光率較高之透明導電層。
上述金屬奈米線之長度較佳為1 μm～1000 μm，更佳為1 μm～500 μm，特佳為1 μm～100 μm。若為此種範圍，則可獲得導電性較高之透明導電性膜。
作為構成上述金屬奈米線之金屬，只要為導電性較高之金屬，則可使用任意適當之金屬。作為構成上述金屬奈米線之金屬，例如可列舉：銀、金、銅、鎳等。又，亦可使用對該等金屬進行鍍覆處理(例如鍍金處理)而得之材料。金屬奈米線較佳為包含選自由金、鉑、銀及銅所組成之群中之1種以上之金屬。於一實施方式中，上述金屬奈米線為銀奈米線。
作為上述金屬奈米線之製造方法，可採用任意適當之方法。例如可例舉：於溶液中還原硝酸銀之方法；自探針之前端部使外加電壓或電流作用於前驅物表面，於探針前端部將金屬奈米線拉出，而連續地形成該金屬奈米線之方法等。於在溶液中還原硝酸銀之方法中，可藉由在存在乙二醇等多元醇、及聚乙烯吡咯啶酮之條件下進行硝酸銀等銀鹽之液相還原，而合成銀奈米線。均一尺寸之銀奈米線例如可依據Xia, Y. etal., Chem. Mater. (2002), 14, 4736-4745、Xia, Y. etal., Nano letters (2003) 3 (7),955-960中所記載之方法實現大量生產。
關於上述透明導電層中之金屬奈米線之含有比率，相對於透明導電層之總重量，較佳為80重量%以下。若為此種範圍，則可形成動摩擦係數較小之透明導電層。上述透明導電層中之金屬奈米線之含有比率相對於透明導電層之總重量更佳為30重量%～75重量%，更佳為30重量%～65重量%，進而較佳為45重量%～65重量%。若為此種範圍，則可獲得導電性及透光性優異之透明導電性膜。
作為構成上述聚合物基質之聚合物，可使用任意適當之聚合物。作為該聚合物，例如可例舉：丙烯酸系聚合物；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺等芳香族系聚合物；聚胺基甲酸酯系聚合物；環氧系聚合物；聚烯烴系聚合物；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)；纖維素；矽系聚合物；聚氯乙烯；聚乙酸酯；聚降莰烯；合成橡膠；氟系聚合物等。較佳為使用包含季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)等多官能丙烯酸酯之硬化型樹脂(較佳為紫外線硬化型樹脂)。
透明導電層之密度較佳為1.3 g/cm 3～10.5 g/cm 3，更佳為1.5 g/cm 3～3.0 g/cm 3。若為此種範圍，則可獲得導電性及透光性優異之透明導電性膜。
透明導電層可藉由如下方式形成，即，於基材(或基材與其他層之積層體)上塗佈包含金屬纖維(例如金屬奈米線)之導電層形成用組合物，其後使塗佈層乾燥。導電層形成用組合物中可包含形成聚合物基質之樹脂材料。或者亦可分開準備形成聚合物基質之樹脂材料及導電層形成用組合物，於塗佈導電層形成用組合物，使其乾燥後，於包含金屬纖維之層上塗佈樹脂材料(聚合物組合物、單體組合物)，其後使樹脂材料之塗佈層乾燥或硬化而形成透明導電層。
上述導電層形成用組合物除了金屬纖維(例如金屬奈米線)以外，亦可包含任意適當之溶劑。導電層形成用組合物可以金屬纖維(例如金屬奈米線)之分散液之形式準備。作為上述溶劑，可例舉：水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香族系溶劑等。就降低環境負荷之觀點而言，較佳為使用水。上述導電層形成用組合物可根據目的進而含有任意適當之添加劑。作為上述添加劑，例如可例舉：防止金屬纖維(例如金屬奈米線)之腐蝕之防腐蝕材、防止金屬纖維(例如金屬奈米線)之凝集之界面活性劑等。所使用之添加劑之種類、數及量可根據目的適當設定。
上述導電層形成用組合物中之金屬纖維(例如金屬奈米線)之分散濃度較佳為0.1重量%～1重量%。若為此種範圍，則可形成導電性及透光性優異之透明導電層。
作為上述導電層形成用組合物之塗佈方法，可採用任意適當之方法。作為塗佈方法，例如可例舉：噴霧塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、模嘴塗佈、噴墨塗佈、絲網塗佈、浸漬塗佈、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作為塗佈層之乾燥方法，可採用任意適當之乾燥方法(例如自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)。例如於採用加熱乾燥之情形時，乾燥溫度代表性而言為50℃～200℃，較佳為80℃～150℃。乾燥時間代表性而言為1～10分鐘。
上述聚合物溶液包含構成上述聚合物基質之聚合物、或該聚合物之前驅物(構成該聚合物之單體)。
上述聚合物溶液可包含溶劑。作為上述聚合物溶液中包含之溶劑，例如可例舉：醇系溶劑、酮系溶劑、四氫呋喃、烴系溶劑、或芳香族系溶劑等。該溶劑較佳為具有揮發性。該溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為150℃以下，進而較佳為100℃以下。
C. 基材上述基材代表性而言包含任意適當之樹脂。作為構成上述基材之樹脂，例如可例舉：環烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂等。較佳為使用環烯烴系樹脂。若使用包含環烯烴系樹脂之基材，則可獲得可撓性優異之透明導電性膜。
作為上述環烯烴系樹脂，例如可較佳地使用聚降莰烯。聚降莰烯係指起始原料(單體)之一部分或全部使用具有降莰烯環之降莰烯系單體而獲得之(共)聚合物。作為上述聚降莰烯，市售有各種製品。作為具體例，可例舉：日本瑞翁公司製造之商品名「ZEONEX」、「ZEONOR」、JSR公司製造之商品名「Arton」、TICONA公司製造之商品名「TOPAS」、三井化學公司製造之商品名「APEL」。
構成上述基材之樹脂之玻璃轉移溫度較佳為50℃～200℃，更佳為60℃～180℃，進而較佳為70℃～160℃。若為具有此種範圍之玻璃轉移溫度之基材，則可防止形成透明導電積層體時之劣化。
上述基材之厚度較佳為8 μm～500 μm，更佳為10 μm～250 μm，進而較佳為10 μm～150 μm，特佳為15 μm～100 μm。
上述基材之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，特佳為90%以上。若為此種範圍，則可獲得作為觸控面板等所具備之透明導電性膜較佳之透明導電性膜。
上述基材可視需要進而包含任意適當之添加劑。作為添加劑之具體例，可例舉：塑化劑、熱穩定劑、光穩定劑、潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、著色劑、抗靜電劑、相容劑、交聯劑、及增黏劑等。所使用之添加劑之種類及量可根據目的適當設定。
亦可視需要對上述基材進行各種表面處理。表面處理係根據目的採用任意適當之方法。例如可例舉：低壓電漿處理、紫外線照射處理、電暈處理、火焰處理、酸或鹼處理。於一實施方式中，對透明基材進行表面處理而使透明基材表面親水化。若使基材親水化，則塗佈利用水系溶劑所製備之透明導電層形成用組合物時之加工性優異。又，可獲得基材與透明導電層之密接性優異之透明導電性膜。
D. 金屬層上述金屬層包含任意適當之金屬。較佳為包含銀、金、銅、鎳等導電性金屬。於一實施方式中，上述金屬層包含銅。
上述金屬層可藉由任意適當之方法形成。上述金屬層可藉由蒸鍍法或濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等乾式製程(乾法)、鍍覆等濕式製程等形成。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例任何限定。
[製造例1] (金屬奈米線之製造) 於160℃下向具備攪拌裝置之反應容器中添加無水乙二醇5 ml、PtCl 2之無水乙二醇溶液(濃度：1.5×10 -4mol/L)0.5 ml。經過4分鐘後，歷時6分鐘向所獲得之溶液中同時滴加AgNO 3之無水乙二醇溶液(濃度：0.12 mol/l)2.5 ml、及聚乙烯吡咯啶酮(MW：55000)之無水乙二醇溶液(濃度：0.36 mol/l)5 ml。於該滴加後，加熱至160℃，歷時1小時以上進行反應直至AgNO 3完全被還原，而生成銀奈米線。繼而，向以如上方式獲得之包含銀奈米線之反應混合物中添加丙酮直至該反應混合物之體積達到5倍，其後，對該反應混合物進行離心分離(2000 rpm，20分鐘)，而獲得銀奈米線。使該銀奈米線(濃度：0.2重量%)、及五乙二醇十二烷基醚(濃度：0.1重量%)分散於純水中，製備出銀奈米線墨水。
[實施例1] 使用線棒塗佈器，將製造例1中所獲得之銀奈米線墨水以製膜後之比電阻值成為50 Ω/□之方式塗佈於基材(環烯烴膜)上，於120℃下加熱製膜2分鐘。 進而準備塗佈液a，該塗佈液a係利用異丙醇(IPA)與二丙酮醇(DAA)之混合溶劑(混合比(重量基準)IPA：DAA＝8：2)將以胺基甲酸酯丙烯酸酯作為主成分之光硬化性樹脂稀釋至固形物成分濃度成為1.5%而成，使用旋轉塗佈機，將塗佈液a以乾燥膜厚成為70 nm之方式塗佈於上述銀奈米線墨水塗佈面，於80℃下加熱1分鐘後，利用高壓水銀燈照射累計曝光量為450 mJ/cm 2之紫外線，形成透明導電層A，而獲得包含基材/透明導電層A之透明導電性膜A。 將透明導電性膜A供於以下評估。 (1)相對於透明導電層A之動摩擦係數 使用協和界面化學公司製造之商品名「TSf-503」，並依據JIS K7125：1999，於接點側之樣品(透明導電層A)尺寸：1 cm□、測定負載：100 g、測定速度：1 mm/s、測定距離：30 mm、測定溫度：23℃之條件下，使透明導電層A與透明導電層A滑動而測定動摩擦係數。 (2)靜摩擦係數 使用協和界面化學公司製造之商品名「TSf-503」，並依據JIS K7125：1999，於接點側之樣品(透明導電層A)尺寸：1 cm□、測定負載：100 g、測定速度：1 mm/s、測定距離：30 mm、測定溫度：23℃之條件下，使透明導電層A與透明導電層A滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3)電阻值上升率 除將負載設為300 g以外，於測定上述動摩擦係數時之條件下，將透明導電層A彼此以3 cm之距離滑動1次。 對於上述被滑動位置及除此以外之位置，使用非接觸表面電阻測定器(NAPSON公司製造，商品名「EC-80」，薄片電阻測定模式，室溫：26℃)，測定透明導電層之表面電阻值。 藉由(被滑動位置之表面電阻值/被滑動部以外之表面電阻值)之式求出由滑動引起之電阻值上升率。 (4)透明導電層A之算術平均粗糙度Ra 使用Veeco Instruments公司製造之掃描式探針顯微鏡「NanoscopeIV」AFM輕敲模式，測定透明導電層A之表面之5 μm×5 μm之區域中之算術平均粗糙度Ra。
[參考例1-1] 與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。 (1a)相對於透明導電層A上之銅膜之動摩擦係數 另外，與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。於所獲得之透明導電性膜A之透明導電層A上，以厚度成為100 nm之方式將銅膜進行濺鍍成膜而獲得附有銅膜之透明導電性膜。將接點側之樣品作為該附有銅膜之透明導電性膜，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層A與透明導電層A上之銅膜滑動而測定動摩擦係數。 (2a)靜摩擦係數 另外，與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。於所獲得之透明導電性膜A之透明導電層A上，以厚度成為100 nm之方式將銅膜進行濺鍍成膜而獲得附有銅膜之透明導電性膜。將接點側之樣品作為該附有銅膜之透明導電性膜，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層A與透明導電層A上之銅膜滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3a)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層A與透明導電層A上之銅膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4a)透明導電層A上之銅膜之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定透明導電層A上之銅膜之算術平均粗糙度Ra。
[參考例1-2] 與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。 (1b)相對於透明導電層d之動摩擦係數 使用線棒塗佈器，將製造例1中所獲得之銀奈米線墨水以制膜後之比電阻值成為50 Ω/□之方式塗佈於基材(環烯烴膜)上，於120℃下加熱制膜2分鐘。 進而準備塗佈液a，該塗佈液a係利用甲基異丁基酮將以胺基甲酸酯丙烯酸酯作為主成分之光硬化性樹脂稀釋至固形物成分濃度成為1.5%而成，使用旋轉塗佈機，將塗佈液a以乾燥膜厚成為70 nm之方式塗佈於上述銀奈米線墨水塗佈面，於80℃下加熱1分鐘後，利用高壓水銀燈照射累計曝光量為450 mJ/cm 2之紫外線，形成透明導電層d，而獲得包含基材/透明導電層d之透明導電性膜d。 將接點側之樣品作為透明導電性膜d，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層A與透明導電層d滑動而測定動摩擦係數。 (2b)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為透明導電性膜d，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層A與透明導電層d滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3b)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層A與透明導電層d滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4b)透明導電層d之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定透明導電層d之算術平均粗糙度Ra。
[參考例1-3] 與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。 (1c)相對於環烯烴膜之動摩擦係數 將接點側之樣品作為環烯烴膜(日本瑞翁公司製造，商品名「ZF16」)，藉由上述(1)相同之方法使透明導電層A與環烯烴膜滑動而測定動摩擦係數。 (2c)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為環烯烴膜(日本瑞翁公司製造，商品名「ZF16」)，藉由上述(2)相同之方法使透明導電層A與環烯烴膜滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3c)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層A與上述環烯烴膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4c)環烯烴膜之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定上述環烯烴膜之算術平均粗糙度Ra。
[參考例1-4] 與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。 (1d)相對於PET膜之動摩擦係數 將接點側之樣品作為PET膜(KOLON industry製造，商品名「CE900」)，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層A與PET膜滑動而測定動摩擦係數。 (2d)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為PET膜(KOLON industry製造，商品名「CE900」)，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層A與PET膜滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3d)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層A與上述PET膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4d)PET膜之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定上述PET膜之算術平均粗糙度Ra。
[參考例1-5] 與實施例1同樣地獲得透明導電性膜A。 (1e)相對於丙烯酸膜之動摩擦係數 將接點側之樣品作為丙烯酸膜(東洋鋼鈑公司製造，商品名「HX-40-UF」)，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層A與丙烯酸膜滑動而測定動摩擦係數。 (2e)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為丙烯酸膜(東洋鋼鈑公司製造，商品名「HX-40-UF」)，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層A與丙烯酸膜滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3e)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層A與上述丙烯酸膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4e)丙烯酸膜之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定上述丙烯酸膜之算術平均粗糙度Ra。
[實施例2] 除將塗佈液a之乾燥膜厚設為100 nm以外，與實施例1同樣地獲得包含基材/透明導電層B之透明導電性膜B。 將透明導電性膜B供於以下評估。 (1B)相對於透明導電層B之動摩擦係數 使用協和界面化學公司製造之商品名「TSf-503」，並依據JIS K7125：1999，於接點側之樣品(透明導電層B)尺寸：1 cm□、測定負載：100 g、測定速度：1 mm/s、測定距離：30 mm、測定溫度：23℃之條件下，使透明導電層B與透明導電層B滑動而測定動摩擦係數。 (2B)靜摩擦係數 使用協和界面化學公司製造之商品名「TSf-503」，並依據JIS K7125：1999，於接點側之樣品(透明導電層B)尺寸：1 cm□、測定負載：100 g、測定速度：1 mm/s、測定距離：30 mm、測定溫度：23℃之條件下，使透明導電層B與透明導電層B滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3B)電阻值上升率 除將負載設為300 g以外，於測定上述動摩擦係數時之條件下，將透明導電層B彼此以3 cm之距離滑動1次。 對於上述被滑動位置及除此以外之位置，使用非接觸表面電阻測定器(NAPSON公司製造，商品名「EC-80」，薄片電阻測定模式，室溫：26℃)，測定透明導電層之表面電阻值。 藉由(被滑動位置之表面電阻值/被滑動部以外之表面電阻值)之式求出由滑動引起之電阻值上升率。 (4B)透明導電層B之算術平均粗糙度Ra 使用Veeco Instruments公司製造之掃描式探針顯微鏡「NanoscopeIV」AFM輕敲模式，測定透明導電層B之表面之5 μm×5 μm之區域中之算術平均粗糙度Ra。
[比較例1] 與實施例1同樣地將銀奈米線層予以製膜。進而準備塗佈液c，該塗佈液c係藉由向以胺基甲酸酯丙烯酸酯作為主成分之光硬化性樹脂中添加矽烷偶合劑，利用甲基異丁基酮稀釋至固形物成分濃度成為1.5%而成，使用旋轉塗佈機，將塗佈液c以乾燥膜厚成為70 nm之方式塗佈於上述銀奈米線墨水塗佈面，於80℃下加熱1分鐘後，利用高壓水銀燈照射累計曝光量為450 mJ/cm 2之紫外線，形成透明導電層C，而獲得包含基材/透明導電C之透明導電性膜C。 (1f)相對於透明導電層C之動摩擦係數 將接點側之樣品作為透明導電層C，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層C與透明導電層C滑動而測定動摩擦係數。 (2f)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為透明導電層C，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層C與透明導電層C滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3f)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層C與上述環烯烴膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4f)透明導電層C之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定透明導電層C之算術平均粗糙度Ra。
[比較例2] 藉由與參考例1-2中所記載之方法相同之方法獲得包含基材/透明導電層d之透明導電性膜d。 (1g)相對於透明導電層d之動摩擦係數 將接點側之樣品作為透明導電層d，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層d與透明導電層d滑動而測定動摩擦係數。 (2g)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為透明導電層d，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層d與透明導電層d滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3g)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層d與上述環烯烴膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4g)透明導電層d之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定透明導電層d之算術平均粗糙度Ra。
[比較參考例2-1] 與比較例2同樣地獲得透明導電性膜d。 (1h)相對於透明導電層d上之銅膜之動摩擦係數 另外，與比較例2同樣地獲得透明導電性膜d。於所獲得之透明導電性膜d之透明導電層d上，以厚度成為100 nm之方式將銅膜進行濺鍍成膜而獲得附有銅膜之透明導電性膜。將接點側之樣品作為該附有銅膜之透明導電性膜，藉由與上述(1)相同之方法使透明導電層d與透明導電層d上之銅膜滑動而測定動摩擦係數。 (2h)靜摩擦係數 將接點側之樣品作為上述附有銅膜之透明導電性膜，藉由與上述(2)相同之方法使透明導電層d與透明導電層d上之銅膜滑動而測定開始滑動之摩擦係數(靜摩擦係數)。 (3h)電阻值上升率 藉由與上述(3)相同之方法使透明導電層d與透明導電層d上之銅膜滑動而測定由滑動引起之電阻值上升率。 (4h)透明導電層d上之銅膜之算術平均粗糙度Ra 藉由與上述(4)相同之方法來測定透明導電層d上之銅膜之算術平均粗糙度Ra。
將上述實施例、參考例、比較例、比較參考例中之評估結果示於表1。再者，表中，將動摩擦係數、值上升率中之接點側之樣品記為「與透明導電層接觸之層」。 [表1]
   透明導電層(被滑動面) 與透明導電層接觸之層 動摩擦係數 靜摩擦係數 電阻值上升率 透明樹脂層之Ra(μm) 與透明導電層接觸之層之Ra(μm)
實施例 1 透明導電層A 透明導電層A 0.68 0.62 1 3.1 3.1
參考例1-1 透明導電層A 透明導電層A＋銅膜 0.46 0.46 1 3.1 3.6
參考例1-2 透明導電層A 透明導電層d 0.95 0.97 1 3.6 0.7
參考例 1-3 透明導電層A 環烯烴膜 0.82 0.78 1 3.1 1
參考例1-4 透明導電層A PET膜 0.71 0.68 1 3.1 1.1
參考例1-5 透明導電層A 丙烯酸膜 0.21 0.18 1 3.1 1.3
實施例 2 透明導電層B 透明導電層B 1.44 1 1 2.4 2.4
比較例 1 透明導電層C 透明導電層C 2.97 2.84 1.2 1.1 1.1
比較例 2 透明導電層d 透明導電層d 4.76 7.44 1.5 0.7 0.7
比較例參考例 2-1 透明導電層d 透明導電層d＋銅膜 3.54 1.76 1.4 0.7 1
由表1可知，根據本發明，藉由特定出透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra，可提供具備包含金屬纖維之導電層，且不易產生由接觸引起之導電性不良之透明導電性膜。如參考例所示，即便使此種透明導電性膜與各種膜等接觸、滑動時，電阻值之上升亦會得到抑制。
10:基材 20:透明導電層 30:金屬層 100:透明導電性膜 200:透明導電性膜 300:透明導電性膜
圖1係本發明之一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。 圖2(a)、(b)係本發明之另一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。
10:基材
20:透明導電層
100:透明導電性膜

Claims (6)

  1. 一種透明導電性膜，其具備：基材；及透明導電層，其配置於該基材之至少一側； 該透明導電層包含聚合物基質及存在於該聚合物基質中之金屬纖維， 該透明導電層之算術平均表面粗糙度Ra為1.5 μm以上。
  2. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述金屬纖維為金屬奈米線。
  3. 如請求項2之透明導電性膜，其中上述金屬奈米線為銀奈米線。
  4. 如請求項1至3中任一項之透明導電性膜，其進而具備金屬層。
  5. 如請求項4之透明導電性膜，其中上述金屬層包含銅。
  6. 如請求項1至5中任一項之透明導電性膜，其中上述透明導電層之厚度為50 nm～300 nm。
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