TW201318097A - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

基板處理裝置是具有：載體區塊，其係包含分離於左右而設的第1載體載置部及第2載體載置部；處理區塊，其係具有上下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有搬送基板的基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；第1基板移載機構，其係於第1載體載置部上的載體與塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載；及第2基板移載機構，其係於第2載體載置部上的載體與塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本案是主張2011年9月22日申請之日本特願2011-208097及2011年9月22日申請之日本特願2011-208100的優先權，參照日本特願2011-208097及日本特願2011-208100的所有內容而編入者。
本發明是有關從載體取出基板來進行處理的基板處理裝置，基板處理方法及記憶媒體。
半導體製造工程之一的光阻劑工程是藉由基板處理裝置來進行，該基板處理裝置是具備：用以搬入收納複數片的半導體晶圓(以下記載為晶圓)的載體之載體區塊，及處理從載體區塊交接的晶圓之處理區塊。
有時前述處理區塊是將進行光阻劑等的各種的藥液的塗佈處理之塗佈處理用的單位區塊，進行顯像處理之顯像處理用的單位區塊的其中的複數個予以上下層疊而構成。此情況，在設於載體區塊之晶圓的移載機構的移動路的背面側(處理區塊側)設有用以將晶圓交接至各單位區塊之被層疊的平台群。例如，在JP2009-278027A中記載有關作為塗佈、顯像裝置構成之如此的基板處理裝置。
可是，有關前述基板處理裝置是如上述般藉由層疊單位區塊來謀求縮小該基板處理裝置對於設置有基板處理裝 置的無塵室的地面面積所佔的地面面積的比例，但會被要求更縮小此比例。並且，在此基板處理裝置中，除了會檢討提高處理能力以外，在前述載體區塊的晶圓的移載機構發生故障時也會被要求防止處理能力的降低。
另外，在JP2009-260087A是記載有關基板處理裝置，其係具備：設有2個移載機構的載體區塊，及由被層疊的2個單位區塊所構成的處理區塊。移載機構是分別對設在各單位區塊的入口的平台進行存取，經由該平台來搬送晶圓於載體區塊與單位區塊之間，但1個移載機構的存取的平台是限於1個單位區塊的平台，無法解決上述的問題。
本發明是在如此的情事下研發者。本發明的第1態樣是以提供一種可謀求處理能力的提升，且可縮小基板處理裝置的佔有地面面積之技術為目的。本發明的第2態樣是以提供一種可縮小基板處理裝置的佔有地面面積之技術為目的。
本發明的第1態樣的基板處理裝置，係具備：載體區塊，其係包含載置有可收納複數的基板的載體之第1載體載置部及第2載體載置部的載體區塊，第1載體載置部及第2載體載置部係由前述載體區塊的前面側來看彼此分離於左右而設；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上 下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有搬送基板的基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；第1基板移載機構，其係於前述第1載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載之第1基板移載機構，具有保持基板之進退，昇降自如的基板保持構件；及第2基板移載機構，其係於前述第2載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載之第2基板移載機構，具有保持基板之進退，昇降自如的基板保持構件。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，在前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方發生故障時，另一方的基板移載機構亦可進行在對應於該另一方的基板移載機構的載體載置部上的載體與塔單元的基板載置部之間的基板的移載。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方在進行用以從載體送出處理前的基板而將基板移載至塔單元的基板載置部的作業時，亦可以另一方的基板移載機構能夠進行從塔單元的基板載置部接受處理後的基板而移載至載體的作業之方 式，控制前述第1基板移載機構及第2基板移載機構。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，前述載體區塊亦可更包含載體載置部，其係被配置成與前述第1載體載置部及第2載體載置部的至少一方排列於上下。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，對應於前述第1載體載置部及第2載體載置部的前述至少一方的基板移載機構係為了在上側的載體載置部及下側的載體載置部之間分別進行基板的交接，亦可具有上側基板移載機構及下側基板移載機構。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，亦可在下側的載體載置部的側方設有在與位於載體區塊的上方側的載體搬送機構之間搬入或搬出載體的載體暫置部，且設有用以使載體移動於該下側的載體載置部與前述載體暫置部之間的載體移動機構。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，前述載體區塊亦可更包含：被配置成與第1載體載置部排列於上下的第3載體載置部，及被配置成與第2基板移載機構排列於上下的第4載體載置部。
在本發明的第1態樣的基板處理裝置中，第1基板移載機構及第2基板移載機構係含在彼此獨立的基板移載機構區塊，該等基板移載機構區塊亦可構成可分別獨立拉出至左右。
本發明的第1態樣的基板處理方法，係包含：在基板處理裝置的第1載體載置部或第2載體載置部 載置載體之工程；利用前述第1基板移載機構及第2基板移載機構之中的對應的基板移載機構，從載體載置部上的載體取出基板而移載至前述塔單元的基板載置部之工程；藉由前述處理區塊的基板搬送機構來接受被載置於前述塔單元的基板載置部的基板而搬送至處理模組，在處理模組處理基板之工程；從前述處理區塊側搬送處理後的基板至前述塔單元的基板載置部之工程；及藉由第1基板移載機構或第2基板移載機構，從前述塔單元的基板載置部來將處理後的基板移載至對應於該基板移載機構的載體載置部所載置的載體之工程，前述基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為彼此分離於左右的第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；第1基板移載機構，其係於第1載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載；及 第2基板移載機構，其係於第2載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載。
在本發明的第1態樣的基板處理方法中，在前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方發生故障時，另一方的基板移載機構亦可進行在對應於該另一方的基板移載機構的載體載置部上的載體與塔單元的基板載置部之間的基板的移載。
在本發明的第1態樣的基板處理方法中，前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方係進行用以從載體送出處理前的基板而將基板移載至塔單元的基板載置部的作業，期間，另一方的基板移載機構亦可從塔單元的基板載置部取出處理後的基板而移載至載體。
在本發明的第1態樣的基板處理方法中，亦可以能夠與前述第1載體載置部及第2載體載置部的至少一方排列於上下的方式更配置有載體載置部，且在排列於上下的二個載體載置部之中的下側的載體載置部的側方設有載體的搬出入埠，從位於載體區塊的上方側的載體搬送機構搬送載體至前述搬出入埠，其次，位於前述搬出入埠的載體係藉由載體移動機構來使移動至前述下側的載體載置部。
本發明的第1態樣的記憶媒體，係記憶被設用於基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上 下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；及塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為彼此分離於左右的第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部，前述電腦程式係構成可實行如申請專利範圍第12項所記載的基板處理方法。
若根據本發明的第1態樣，則可從被載置於各載體載置部的載體，藉由第1基板移載機構及第2基板移載機構來並行搬送基板至基板載置部，可使處理能力提升。又，若根據本發明的第1態樣，則可抑制塔部與各載體載置部的距離變長，可防止基板處理裝置的大型化。
本發明的第2態樣的基板處理裝置，係具備：載體區塊，其係於上下方向具備複數個載體載置部，該載體載置部載置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分配置於上下的構造，且各階層部分具有搬送基板的基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；及 基板移載機構，其係於前述各載體載置部上的載體與前述塔單元的基板載置部之間，及前述塔單元所含的二個基板載置部之間進行基板的移載，又，前述基板移載機構係具備：第1基板保持構件，其係於載體與基板載置部之間進行基板的移載時專用；及第2基板保持構件，其係於塔單元的基板載置部之間進行基板的移載時專用。
在本發明的第2態樣的基板處理裝置中，前述第1基板保持構件係構成接觸於比基板的下面的周緣部更靠中央的部位而保持該基板，前述第2基板保持構件係具備：支撐部，其係設成包圍基板的周圍的至少一部分；及保持爪，其係設在此支撐部的內周緣，由下方來支撐基板的下面的周緣部；藉由前述第2基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部亦可具有用以載置基板的載置板，在此載置板的外周形成有前述保持爪可通過的缺口部。
在本發明的第2態樣的基板處理裝置中，藉由前述第1基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部亦可以能夠在基板載置部與第1基板保持構件之間進行基板的移轉之方式，在與該第1基板保持構件不平面性地干擾的位置，具有用以使基板昇降的昇降構件。
本發明的第2態樣的基板處理方法，係包含： 從基板處理裝置的前述各載體載置部上的載體，藉由前述基板移載機構的第1基板保持構件來取出基板而移載至前述塔單元的基板載置部之工程；其次藉由前述處理區塊之對應的基板搬送機構來接受前述基板載置部上的基板而搬送至處理模組，在該處理模組處理基板之工程；藉由基板搬送機構來將處理後的基板搬送至前述塔單元的基板載置部之工程；藉由與前述基板移載機構的第1保持構件不同的第2保持構件來接受被載置於前述基板載置部的基板，移載至對應於進行其次的處理的階層部分之前述塔單元的其他的基板載置部之工程；及藉由進行前述其次的處理的階層部分的基板搬送機構來接受前述其他的基板載置部上的基板而搬送至處理模組，在該處理模組處理基板之工程，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係於上下方向具備複數個載體載置部，該載體載置部載置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分的構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；及 基板移載機構，其係於前述各載體載置部上的載體與前述塔單元的基板載置部之間，及前述塔單元所含的二個基板載置部之間進行基板的移載。
在本發明的第2態樣的基板處理方法中，前述第1基板保持構件係構成接觸於比基板的下面的周緣部更靠中央的部位而保持該基板，前述第2基板保持構件係具備：支撐部，其係設成包圍基板的周圍的至少一部分；及保持爪，其係設在此支撐部的內周緣，由下方來支撐基板的下面的周緣部；藉由前述第2基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部係具有用以載置基板的載置板，在此載置板的外周亦可形成有前述保持爪可通過的缺口部。
在本發明的第2態樣的基板處理方法中，藉由前述第1基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部亦可以能夠在基板載置部與前述第1基板保持構件之間進行基板的移轉之方式，在與該第1基板保持構件不平面性地干擾的位置，具有用以使基板昇降的昇降構件。
本發明的第2態樣的記憶媒體，係記憶被設用於基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分的構造，且各階層部分具有基板搬送機構及 處理基板的處理模組；及塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部，前述電腦程式係構成可實行如申請專利範圍第16項所記載的基板處理方法。
若根據本發明的第2態樣，則可謀求基板移載機構的小型化，藉此，基板移載機構的配置佈局的自由度會變高。並且，基板載置部的構成的自由度也會變高。因此，可抑制裝置的佔有地面面積。
(第1實施形態)
首先，說明有關本發明的第1實施形態。第1實施形態，基板處理裝置是構成為塗佈、顯像裝置1。此塗佈、顯像裝置1是與曝光裝置連接而形成光阻劑圖案形成系統。圖1是前述光阻劑圖案形成系統的平面圖，圖2是同概略立體圖，圖3是同概略側面圖。塗佈、顯像裝置1是直線狀地連接載體區塊A1、處理區塊A2及介面區塊A3來構成。介面區塊A3是更在與處理區塊A2相反側連接曝光裝置A4。就此例而言，曝光裝置A4是曝光用的透鏡與基板的晶圓W之間會在氣相的狀態下對該晶圓W進行曝光。塗佈、顯像裝置1是具備對應於如此的曝光裝置A4的處理模組。另外，將載置晶圓W的場所記載為模 組，且以對晶圓W進行液處理或加熱處理等的各種處理的模組作為處理模組。
以後的說明是以區塊A1~A4的配列方向作為前後方向，以載體區塊A1側作為前面側，以曝光裝置A4側作為背面側。首先，說明處理區塊A2的概略。處理區塊A2是被層疊的6個單位區塊B1~B6依號碼順序由下層疊，如圖3所示般，在各單位區塊B1~B6分別設有單位區塊用的基板搬送機構的主晶圓搬送機構51~56。主晶圓搬送機構51~56是構成彼此獨立且並行，可在各單位區塊所設的處理模組間搬送晶圓W。
在單位區塊B1及B2是對晶圓W進行反射防止膜形成處理及光阻劑膜的形成處理。在單位區塊B3，B4是進行被層疊於前述光阻劑膜的上層的反射防止膜的形成處理。在單位區塊B5，B6是進行在曝光裝置A4曝光後的晶圓W的顯像處理。
接著，說明有關載體區塊A1。載體區塊A1是在與圖2所示的頂部搬送機構21之間交接收納有複數片的晶圓W之被稱為FOUP的搬送容器的載體C。並且，載體區塊A1是具有：在載體C與處理區塊A2之間交接晶圓W的任務，及以可在不同的單位區塊B間交接晶圓W的方式昇降搬送晶圓W的任務。
載體區塊A1是具備方形的框體11，在框體11的前面是形成有連通至框體11內的4個晶圓W的搬送口12A~12D。搬送口12A，12B是在框體11的下段側，左右取 間隔形成同高度，搬送口12C，12D是分別在搬送口12A，12B的上方形成同高度。該等的搬送口12A~12D是藉由開閉部13來閉塞。開閉部13是卸下設在載體C的前面的蓋體C1，在保持卸下的蓋體C1的狀態下如圖3所示般進行來自搬送口12A~12D的後退及下降動作，可在載體C內與框體11內之間搬送晶圓W。
在框體11的前面，搬送口12A，12B的下方是成為突出至前方側的支撐台14，藉此框體11是構成側面視L字。在此支撐台14的上面，載體載置部15A，15B會左右彼此分離設置。該等的載體載置部15A，15B是分別設在搬送口12A，12B的前方側，在卸載位置與裝載位置之間移動於前後方向，該卸載位置是用以進行支撐台14的前面側之載體C的交接，該裝載位置是用以在支撐台14的內側，從被載置的載體C進行晶圓W的送出。圖中16是從各載體載置部15A，15B突出至上方的銷，嵌合於載體C的底面所切的溝C3(在此實施形態是省略圖示)。藉此，載體C對載體載置部15的位置會被規制。
支撐台14上面的載體載置部15A，15B間是構成為載體暫置部17A，17B。各載體暫置部17A，17B是為了在頂部搬送機構21與載體載置部15A，15B之間交接載體C，而該載體C為暫時性地被載置的區域，載體暫置部17A是設在載體載置部15A側，載體暫置部17B是設在載體載置部15B側。
在此簡單說明有關頂部搬送機構21，圖2中22是導 軌，繞著設有塗佈、顯像裝置1的無塵室內的頂部。23是沿著導軌22移動的驅動機構。24是被連接至驅動機構23的連接部，構成藉由驅動機構23來往下方伸長自如。25是把持部，設在連接部24的下端，把持設在載體C的上部的被把持部C2。
在支撐台14的左右分別設有載體移動機構26A，26B，在各載體暫置部17A，17B與載體載置部15A，15B之間分別交接載體C。另外，在圖2中，為了容易看圖，而省略載體移動機構26B。若一邊參照圖2一邊說明有關載體移動機構26A，則載體移動機構26A是具備：把持部27、從把持部27延伸於橫方向的桿28及使桿28移動於橫方向的桿移動機構29、使桿移動機構29昇降的昇降機構30。前述把持部27是具備其間隔變更自如的爪部27a，27a，可自由地進行載體C的被把持部C2的把持及開放。有關載體移動機構26B是構成與載體移動機構26A同樣，因此省略詳細的說明。
在搬送口12C，12D的下方且搬送口12A，12B的上方，以能夠從框體11往前方突出的方式分別設有上方支撐台31C，31D，在上方支撐台31C，31D的上面分別設有載體載置部15C，15D。此載體載置部15C，15D是構成與載體載置部15A，15B同樣。在該等的載體載置部15C，15D與頂部搬送機構21之間是不經上述的暫置部17A，17B來直接進行載體C的交接。上方支撐台31C，31D是彼此取間隔形成，利用此間隔，在已述的載體暫置部 17A，17B與頂部搬送機構21之間進行載體C的交接。亦即，上方支撐台31C，31D是被配置成不重疊於載體暫置部17A，17B。
如圖1所示般，在框體11內的左右的中央部設有延伸於上下的塔單元31。此塔單元31中，為了進行往各單位區塊B之晶圓W的搬入及來自各單位區塊B之晶圓W的搬出，而層疊設置複數個一旦載置晶圓W的交接模組。在框體11內，以能夠從左右夾著此塔單元31的方式設有第1晶圓移載單元41及第2晶圓移載單元42。第1晶圓移載單元41是設在面對載體載置部15A，15C的位置，在分別載置於該等載體載置部15A，15C的載體C與設在塔單元31的模組之間搬送晶圓W。第2晶圓移載單元42是設在面對載體載置部15B，15D的位置，在分別載置於該等載體載置部15A，15C的載體C與設在塔單元31的模組之間搬送晶圓W。所謂面對載體載置部的位置是設在晶圓移載單元的後述的移載部本體40可對載置於此載體載置部的載體C進行晶圓W的交接之位置。
若也一邊參照圖4一邊說明有關第1晶圓移載單元41，則第1晶圓移載單元41是具備：導軌43，支撐框44及移載部本體40。導軌43是在框體11的底部朝左右方向鋪設，支撐框44是形成延伸於上下方向，構成沿著導軌43移動自如。移載部本體40是藉由昇降基台45、旋轉台46、第1保持臂47及第2保持臂48所構成。昇降基台45是被支撐框44所支撐，對於支撐框44構成昇降自如。旋 轉台46是被設在昇降基台45上，構成繞著鉛直軸旋轉自如。
基板保持構件的第1保持臂47是構成具有基部47a及從該基部47a分成二股而呈水平延伸出的前端部47b，47b之細長且平型的叉子形狀，構成沿著其長度方向在旋轉台46上進退自如。將此第1保持臂47的伸長方向設為前後方向時，第1保持臂47是在如此地構成下，保持比晶圓W的下面的左右(與伸長方向正交的方向)的周緣部更靠中央的部位。而且，構成在蓋體C1被開啟的載體C內進入自如，可在與載體C之間進行晶圓W的交接。
基板保持構件的第2保持臂48是在旋轉台46上，在第1保持臂47的下方設成重疊於該第1保持臂47，構成在與第1保持臂47相同的方向進退自如。此進退動作是可與第1保持臂47獨立進行。第2保持臂48是具備：基部48a，及以能夠從基部48a朝第2保持臂48的前進方向來包圍晶圓W的側周之方式分成2股而延伸出的支撐部(前端部)48b，48b，及設在各支撐部48b，48b的下方的內周緣的3個保持爪48c。一方的支撐部48b是比另一方的支撐部48b更長，基部48a及支撐部48b，48b是由平面來看大概構成C字狀。保持爪48c是取間隔配置，保持晶圓W的背面周緣部。
接著，一邊參照圖5一邊說明有關設在塔單元31的基板載置部的交接模組CPL及交接模組SCPL。交接模組CPL是具備複數片例如4片彼此取間隔層疊的圓板形狀的 晶圓載置部32，可在各個的載置部32載置晶圓。在晶圓載置部32的背面是形成有水的流路，被載置於晶圓載置部32的晶圓W會被調整成前述水的溫度。
晶圓載置部32的圓周的一部是延伸出至外側，藉此延伸出的部分來構成用以支撐晶圓載置部32的支撐部33。並且，在載置部32的周圍形成朝內側的複數個缺口34。各晶圓移載單元41，42的第2保持臂48對晶圓載置部32上下移動時可通過載置部32的外周。此時，如圖6所示般，保持臂48的保持爪48c會通過缺口34。藉此可在載置部32與各保持臂48之間進行晶圓W的交接。
在此說明有關處理區塊A2的主晶圓搬送機構51~56。主晶圓搬送機構51~56是彼此同樣構成，具備與第2保持臂48大略同樣構成的保持臂(基板保持構件)57。亦即，主晶圓搬送機構51~56的保持臂57是具備：基部57a，及以能夠從基部57a朝保持臂57的前進方向來包圍晶圓W的側周之方式分成2股而延伸出的支撐部(前端部)57b，57b，及設在各支撐部57b，57b的下方的內周緣的保持爪57c。主晶圓搬送機構51~56的保持臂57與晶圓移載單元41，42的保持臂48的差異點是2個支撐部(前端部)57b，57b被形成同長度及保持爪57c設有4個。當保持臂57移動於晶圓載置部32的上下時，與第2保持臂48同樣，保持臂57可通過晶圓載置部32的外周，此時保持臂57的保持爪57c通過缺口34。藉此可在交接模組CPL與保持臂57之間進行晶圓W的交接。
回到圖5，說明有關交接模組SCPL。交接模組SCPL是具備扁平的圓形的晶圓W的載置部35。在此晶圓載置部35的內部形成有未圖示的冷卻水的流路，被載置於晶圓載置部35的晶圓W的溫度會被調整成前述冷卻水的溫度。此冷卻水是經藉由冷卻器來調整溫度的水，因此交接模組SCPL可比交接模組CPL更能夠將所被載置的晶圓W高精度調整成所定的溫度。另外，亦可取代如此地供給冷卻水，將藉由可控制晶圓載置部35的表面的溫度之例如致冷元件等所構成的溫控單元裝入晶圓載置部35。
晶圓載置部35是具備3個昇降構件的昇降銷36。昇降銷36是構成可經由晶圓載置部35的表面所開口的3個孔37，在該表面突没自如。如圖7所示般，此昇降銷36是被配置成可通過晶圓載置部35上移動的第1保持臂47、第2保持臂48，主晶圓搬送機構的保持臂57的一對的支撐部47b，48b，57b間所形成的胯部，藉此可在該等的保持臂47，48，57與載置部35之間進行晶圓W的交接。因此，可經由交接模組SCPL，CPL在第1晶圓移載單元41、第2晶圓移載單元42、及該交接模組CPL，SCPL所位置的高度的單位區塊設置的主搬送機構之間進行晶圓W的交接。
如圖3所示般，在塔單元31中，在單位區塊B1~B4的主晶圓搬送機構51~54可存取的各高度位置設有交接模組CPL及SCPL，分別顯示為CPL1~CPL4及SCPL1~SCPL4。並且，在單位區塊B5及B6的各主晶圓搬送機構 55，56可存取的高度位置設有交接模組SCPL，分別顯示為SCPL5，SCPL6。
而且，在塔單元31中，在主晶圓搬送機構55，56可存取的高度位置設有緩衝模組BU1，BU2。該等緩衝模組BU1，BU2是構成與交接模組CPL大略同樣，可使複數片的晶圓W載置於上下滯留。在不使晶圓W回到載體C時，晶圓W是被搬送至該等緩衝模組BU1，BU2。例如構成可在緩衝模組BU1，BU2，使合計15片的晶圓W滯留。
載體區塊A1的框體11是被分割，藉由複數的分割部所構成。藉由構成第1晶圓移載單元41所移動的區域的底面部、頂面部及與塔單元31對向的側面部來構成一個的分割部，將此分割部及第1晶圓移載單元41設為晶圓移載單元區塊61A。並且，藉由與構成第2晶圓移載單元42所移動的區域的底面部、頂面部及與塔單元31對向的側面部來構成一個的分割部，將此分割部及第2晶圓移載單元42設為晶圓移載單元區塊61B。由正面來看載體區塊A1，晶圓移載單元區塊61A，61B是以可自塔單元31離開的方式來分別往左方向、右方向拉出。圖8，圖9是表示拉出晶圓移載單元區塊61A的狀態。
圖8中62是往左右方向形成的導軌。圖8中63是分別設在晶圓移載單元區塊61A，61B的外側的連接部。連接部63是構成沿著導軌62滑動自如，藉此如上述般可拉出晶圓移載單元區塊61A，61B。在如此的構成下，可容 易進行晶圓移載單元41，42的維修。並且，即使晶圓移載單元41，42的其中任一方動作中，還是可維修另一方，藉此可防止處理能力的降低。另外，在圖2是省略導軌62及連接部63的圖示。
接著，以圖1所示的第1單位區塊B1為代表來說明有關處理區塊A2的各單位區塊。若由前面側來往背面側看處理區塊A2，則在左右的中央部是形成有從塔單元31往介面區塊A3的搬送區域R1。此搬送區域R1是主晶圓搬送機構51的移動路，主晶圓搬送機構51是移動於此搬送區域R1，可對設在第1單位區塊B1的各模組，及在已述的塔單元31和後述的介面塔單元75配置成與第1單位區塊B1同高度的模組進行存取。在搬送區域R1的左側是棚架單元U1~U6會被配置於前後方向，在搬送區域R1的右側是與棚架單元U1~U6對向而配置有液處理單元71。
在液處理單元71是反射防止膜形成模組BCT及光阻劑膜形成模組COT會被設於前後方向。反射防止膜形成模組BCT是具備分別用以處理晶圓W的2個杯72，及在杯72內支撐晶圓W的背面且使晶圓W繞著鉛直軸旋轉的旋轉夾頭73，及共用於2個杯72的藥液供給噴嘴74。藉由旋轉塗佈來將反射防止膜形成用的藥液塗佈於晶圓W。光阻劑膜形成模組COT是除了前述藥液為光阻劑以外，與反射防止膜形成模組BCT同樣構成。棚架單元U1~U5是進行晶圓W的加熱處理的加熱模組例如被層疊成2段 來構成。棚架單元U6是例如藉由彼此層疊的2座周緣曝光模組所構成。
說明有關其他的單位區塊B2~B6。單位區塊B2是與單位區塊B1同樣構成。單位區塊B3，B4是除了取代周緣曝光模組而設置加熱模組，及取代反射防止膜形成模組BCT及光阻劑膜形成模組COT而具備與該等的模組供給的藥液不同的模組TCT以外，與單位區塊B1，B2同樣的構成。前述模組TCT供給至晶圓W的藥液，在此例是用以對光阻劑膜的上層形成反射防止膜或後述的光阻劑保護膜的藥液。單位區塊B5，B6是除了液處理單元71的模組構成為供給顯像液的顯像模組DEV以外，與單位區塊B3，B4同樣構成。
接著，說明有關介面區塊A3。在介面區塊A3的左右的中心部設有延伸於上下方向的介面塔單元75。在介面塔單元75之對應於單位區塊B3~B6的位置設有交接模組TRS，圖3中顯示為TRS13~TRS16。各附上TRS符號的交接模組是除了冷卻水不流通以外，與上述的CPL同樣。並且，在對應於單位區塊B5，B6的位置分別設有交接模組SCPL及緩衝模組BU。各交接模組SCPL是顯示為SCPL15，SCPL16，緩衝模組BU是顯示為BU11，BU12。
並且，在緩衝模組BU11，BU12的下方亦設有緩衝模組BU13，BU14。此介面區塊A3的各緩衝模組BU是具有在曝光前，曝光後使晶圓W暫時性地滯留的任務，緩衝模組BU11，BU12是除此以外還與上述的塔單元31的緩 衝模組BU1，BU2同樣，在不使晶圓W回到載體C時亦具有使晶圓W滯留的任務。例如在緩衝模組BU11，BU12可分別使25片的晶圓W滯留。其他在介面塔單元75中，在其下方側設有交接模組SCPL10，TRS10。
並且，在介面區塊A3，介面臂(介面基板保持構件)76，77會被設成由左右夾著介面塔單元75，在介面塔單元75的各模組間搬送晶圓W。在介面臂76，77的下方設有介面臂78，在曝光裝置A4與交接模組SCPL10，TRS10間進行晶圓W的搬送。
在塗佈、顯像裝置1中設有例如電腦所構成的控制部70。控制部70是具備由程式、記憶體、CPU所構成的資料處理部等。在前述程式中編入有命令(各步驟)，而使能夠從控制部70傳送控制訊號至塗佈、顯像裝置1的各部，使後述的晶圓W的搬送及在處理模組的各處理工程進行。又，例如，在記憶體中設有寫入處理溫度、處理時間、各藥液的供給量或電力值等的處理參數的值之區域。在CPU實行程式的各命令時該等的處理參數會被讀出，對應於該參數值的控制訊號會被送至此塗佈、顯像裝置1的各部位。此程式(亦含有關處理參數的輸入操作或顯示的程式)是被儲存於電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(光磁碟)記憶卡等的記憶媒體，而來安裝於控制部70。
說明有關此光阻劑圖案形成系統的載體C的交接及從載體C送出的晶圓W的搬送路徑。載體C會從頂部搬送 機構21依序交接至處於卸載位置的載體載置部15C，15D及載體暫置部17A，17B。被搬送至載體暫置部17A，17B的載體C是藉由載體移動機構26A，26B來分別交接至載體載置部15A，15B。載置載體C的載體載置部15A~15D會往裝載位置前進，載體C的前面會被推至載體區塊A1的框體11的前面。開閉部13會卸下載體C的蓋體C1，將搬送口12A~12D開放。
圖10，11是概略性地表示此系統中，第1晶圓移載單元41及第2晶圓移載單元42可使用的通常時的晶圓W的搬送路徑。並且，在圖10，圖11顯示此搬送路徑中，晶圓移載單元41，42所使用的保持臂(基板保持構件)。如圖10所示般，此例從被載置於載體載置部15A，15C的載體C送出的晶圓W是通過單位區塊B1→單位區塊B3→曝光裝置A4→單位區塊B5來處理。而且，從被載置於載體載置部15B，15D的載體C送出的晶圓W是通過單位區塊B2→單位區塊B4→曝光裝置A4→單位區塊B6來處理。然後，如圖11所示般，在單位區塊B5，B6所被處理的各晶圓W是回到送出該晶圓W的載體C。從該等載體載置部15A，15C的載體C送出的晶圓W的搬送，及從載體載置部15B，15D的載體C送出的晶圓W的搬送是彼此並行獨立進行。
載體區塊A1的第1晶圓移載單元41是藉由第1保持臂47，從載體載置部15A，15C的載體C之中先被開放蓋體C1的載體C，將晶圓W依序往交接模組SCPL1搬送。 然後，在將該載體C的晶圓W全部送出之後，將後續的載體C的晶圓W同樣地藉由第1保持臂47來依序送出至交接模組SCPL1。
在交接模組SCPL1被溫度調整的晶圓W是藉由主晶圓搬送機構51來取入至第1單位區塊B1。此晶圓W是以反射防止膜形成模組BCT→加熱模組→光阻劑塗佈模組COT→加熱模組→周緣曝光模組的順序來搬送。晶圓W是在表面依序層疊反射防止膜，光阻劑膜之後，搬入至載體區塊A1的交接模組CPL1。
第1晶圓移載單元41是藉由第2保持臂48來接受交接模組CPL1的晶圓W，交接至交接模組SCPL3。在交接模組SCPL3被調整溫度的晶圓W是藉由主晶圓搬送機構53來取入第3單位區塊B3。此晶圓W是藉由主晶圓搬送機構53來以上層側反射防止膜形成模組TCT→加熱模組→交接模組TRS13的順序搬送。藉此在晶圓W的光阻劑膜的上層形成反射防止膜，晶圓W會被搬入至介面區塊A3。
前述晶圓W是以介面臂76→交接模組BU11~BU14→介面臂77→交接模組SCPL10→介面臂78→曝光裝置S4的順序來搬送，接受曝光處理。曝光完了的晶圓W是以介面臂78→交接模組TRS10→介面臂77→緩衝模組BU11~BU14→介面臂76→交接模組TRS15的順序來搬送。
前述晶圓W是藉由主晶圓搬送機構55來取入至第5單位區塊B5。此晶圓W是以加熱模組→交接模組 SCPL15→顯像模組DEV→加熱模組→交接模組SCPL5的順序來搬送，光阻劑膜會被顯像而回到載體區塊A1。交接模組SCPL5的晶圓W是藉由第1晶圓移載單元41的第1保持臂47來回到收納有該晶圓W的載體C。
從載體載置部15B，15D的載體C送出的晶圓W是除了通過的單位區塊不同，及被搬送至對應於該單位區塊的高度的交接模組CPL，SCPL，以及取代第1晶圓移載單元41而藉由第2晶圓移載單元42來搬送以外，與從載體載置部15A，15C的載體C送出的晶圓W同樣搬送處理。簡單說明，載體載置部15B，15D的載體C的晶圓W是藉由第2晶圓移載單元42的第1保持臂47來搬送至交接模組SCPL2。然後，晶圓W是藉由第2單位區塊B2的主晶圓搬送機構52來以反射防止膜形成模組BCT→加熱模組→光阻劑塗佈模組COT→加熱模組→周緣曝光模組→交接模組CPL2的順序搬送。
然後，前述晶圓W藉由第2晶圓移載單元42的第2保持臂48來從交接模組CPL2搬送至交接模組SCPL4。其次，晶圓W藉由第4單位區塊B4的主晶圓搬送機構54來以上層側反射防止膜形成模組TCT→加熱模組→交接模組TRS14的順序搬送。此晶圓W是藉由介面臂76~78來與從載體載置部15A，15C的載體C送出的晶圓W同樣地搬送，曝光處理後，經由緩衝模組BU來搬送至交接模組TRS16。接著，晶圓W藉由第6單位區塊B6的主晶圓搬送機構56來以加熱模組→交接模組SCPL16→顯像模組 DEV→加熱模組→交接模組SCPL6的順序搬送。然後，晶圓W藉由第2晶圓移載單元42的第1保持臂47來回到收納該晶圓W的載體C。
全部的晶圓W返回的載體C是藉由開閉部13來關閉其蓋體C1，該載體C面對的搬送口12會被關閉。載置該載體C的載體載置部15會往卸載位置後退。被載置於載體載置部15C，15D的載體C是直接被交接至頂部搬送機構21。被載置於載體載置部15A，15B的載體C是藉由載體移動機構26A，26B來一旦移載至暫置部17A，17B之後，交接至頂部搬送機構21。在如此將載體C交接至頂部搬送機構21的載體載置部15是從頂部搬送機構21交接後續的載體C。如此，在光阻劑圖案形成系統連續進行晶圓W的處理。
接著，說明有關在晶圓W的搬送中第1晶圓移載單元41形成不可使用時的晶圓W的搬送路徑。圖12，圖13是表示此時的晶圓W的搬送路徑的概略圖。被載置於載體載置部15B，15D的載體C的晶圓W的搬送是與通常時同樣進行。如圖12所示般，來自載體載置部15A及15C的載體C之晶圓W的搬出及往前述載體C之晶圓W的搬入是停止。
在單位區塊B1，B3，B5中有關已被搬入至各個單位區塊的晶圓W是至完成在單位區塊B5的各處理模組的處理為止與通常時大致同樣地搬送。與通常時的搬送的差異點可舉在第1單位區塊B1被處理，送出至交接模組CPL1 的晶圓W，如圖12所示般，藉由第2晶圓移載單元42的第2保持臂48來搬送至交接模組SCPL3，被取入至第3單位區塊B3。然後，被進行在單位區塊B5的各處理的晶圓W是藉由主晶圓搬送機構55，如圖13所示般，被搬送至載體區塊A1的緩衝模組BU1，BU2或介面區塊A3的緩衝模組BU11，BU12而滯留。
當第2晶圓移載單元42形成不可使用時，是與第1晶圓移載單元41形成不可使用時同樣，有關在單位區塊B6完成處理的晶圓W是被滯留於緩衝模組BU。而且，在第2單位區塊B2被處理，被送出至交接模組CPL2的晶圓W往交接模組SCPL4的搬送是藉由第1晶圓移載單元41的第2保持臂48來進行，該晶圓W會被搬入至第4單位區塊B4。而且，對此晶圓W進行與通常時同樣的處理。有關緩衝模組BU11，12的晶圓W是亦可在使裝置的運轉停止後由使用者回收，或在不可使用的晶圓移載單元41，42形成可使用之後，藉由該晶圓移載單元41，42來回到載體C。
並且，在此塗佈、顯像裝置1中，晶圓移載單元41，42為可使用的通常時，可切換搬送模式，使從載體載置部15A~15D之中任一個的載體載置部15的載體C送出的處理前的晶圓W在處理後可搬送至其他的載體載置部15所載置的載體C。之後，在如此搬送晶圓W時，將收納處理前的晶圓W的載體C記載為發送器載體SC，將收納處理後的晶圓W的載體C記載為接受器載體RC。
利用圖14，圖15來說明此發送器載體SC及接受器載體RC間的搬送。在此是在塗佈、顯像裝置1內的晶圓W全部被送出的狀態下，在載體載置部15A，15C載置發送器載體SC，在載體載置部15B，15D載置接受器載體RC。
載體載置部15A的發送器載體SC，載體載置部15C的發送器載體SC的各晶圓W是藉由第1晶圓移載單元41來分別搬入至交接模組SCPL1，SCPL2，如圖14所示般被取入至第1單位區塊B1、第2單位區塊B2。如此分別被搬送至單位區塊B1，B2的晶圓W是例如與參照圖12來說明的方法同樣搬送，在單位區塊B5，B6被處理而搬送至交接模組SCPL5，SCPL6。
被搬送至交接模組SCPL5，SCPL6的晶圓W是藉由第2晶圓移載單元42的第1保持臂47來回到載體載置部15B，15D的接受器載體RC。亦即，從載體載置部15A的發送器載體SC送出的晶圓W是在單位區塊B1，B3，B5被處理而搬送至載體載置部15B的接受器載體RC，從載體載置部15C的發送器載體SC送出的晶圓W是在單位區塊B2，B4，B6被處理而搬送至載體載置部15D的接受器載體RC。
利用圖16，圖17來詳細說明進行如此的搬送時的晶圓移載單元41，42的動作。圖16是概略性地表示在上述的搬送中從發送器載體SC送出的前頭的晶圓W被搬送至交接模組SCPL5或SCPL6為止的晶圓W的搬送路徑，及 在路徑中所被使用的晶圓移載單元41，42。第1晶圓移載單元41是藉由第1保持臂47進行來自發送器載體SC之晶圓W的送出，另一方面，從交接模組CPL1，CPL2往交接模組SCPL3，SCPL4之晶圓W的搬送是第2晶圓移載單元42單獨進行。一旦前述前頭的晶圓W被搬送至交接模組SCPL5，SCPL6，則藉由第2晶圓移載單元42的第1保持臂47開始進行從該等SCPL5及SCPL6往接受器載體RC的搬送。
其他的例子，如圖17所示般，從交接模組CPL1往SCPL3的搬送是亦可藉由第1晶圓移載單元41的第2保持臂48來進行。亦即，第1晶圓移載單元41是繼續負責從發送器載體SC往交接模組SCPL1，SCPL2的搬送，加上負責從交接模組CPL1往SCPL3的搬送。第2晶圓移載單元42是繼續負責從交接模組CPL2往交接模組SCPL4的搬送，加上負責從交接模組SCPL5，SCPL6往接受器載體RC的搬送。
若根據此塗佈、顯像裝置1，則可將晶圓W交接至載體載置部15A及15C所載置的載體C的第1晶圓移載單元41及可將晶圓W交接至載體載置部15B及15D所載置的載體C的第2晶圓移載單元42是在左右夾著具備多數個設在對應於各單位區塊的高度的交接模組之塔單元而設。因此，可抑制塗佈、顯像裝置1的佔有地面面積，且可藉由各晶圓移載單元41，42來對複數的載體C並行交接晶圓W，因此可提高處理能力。
而且，由於晶圓移載單元41，42分別具備：在載體C與交接模組之間移載晶圓W時專用的第1保持臂47，及為了在不同高度的交接模組間交接晶圓W時專用的第2保持臂48，因此相較於設置複數個具備該等保持臂的其中之一個的搬送機構時，可抑制塗佈、顯像裝置1的規模。並且，如之後作為其他的實施形態所示般，可提高晶圓移載單元41，42的構成、配置的佈局的自由度。並且，有關塔單元31的交接模組也是無須構成例如在所有的交接模組具備昇降銷。因此，可提高交接模組的構成的自由度。例如不必在旁邊排列配置交接模組。藉此，可抑制前述佔有地面面積，抑制裝置的大型化。
並且，如上述般，當第1晶圓移載單元41及第2晶圓移載單元42的其中一方的晶圓移載單元形成不可使用時，另一方的晶圓移載單元會替代進行在通常時一方的晶圓移載單元所進行從交接模組CPL1，CPL2往交接模組SCPL3，SCPL4的搬送。因此，可更確實地抑制處理能力的降低。
並且，如上述般，在發送器載體SC與接受器載體RC之間搬送晶圓W時，無須進行從交接模組SCPL5，SCPL6往接受器載體RC之晶圓W的搬送的期間，第2晶圓移載單元42的負荷會變少。此期間，在將第1晶圓移載單元41設為來自發送器載體SC之晶圓W的送出專用，及將第2晶圓移載單元42設為交接模組間的交接專用之下，可迅速地進行前述送出及交接模組間的搬送。而且，晶圓W 被搬入至交接模組SCPL5，SCPL6之後，第1晶圓移載單元41會進行藉由第2晶圓移載單元42所進行的交接模組間的搬送的一部分，藉此可抑制晶圓移載單元41，42的負荷偏倚。因此，可謀求處理能力的提升。
在上述同一構成的單位區塊中，亦可設定成以彼此不同的處理條件來對晶圓W進行處理。亦即，分別針對被載置於載體載置部15A，15C的載體C的晶圓W，及被載置於載體載置部15B，15D的載體C的晶圓W來改變在各模組的藥液的供給量或加熱溫度等的設定而進行處理，以各膜的膜厚彼此不同的方式進行處理。並且，亦可例如將同一構成的單位區塊B設定成以彼此相同的處理條件來對晶圓W進行處理，將同載體C的晶圓W分配成交替通過單位區塊B1，B3，B5的路徑及通過單位區塊B2，B4，B6的路徑來搬送。
並且，在上述的搬送中用於往單位區塊B1，B2搬入晶圓W的交接模組，及交接從單位區塊B1，B2搬出的晶圓W的交接模組亦可為相同。具體而言，例如藉由交接模組SCPL1來將晶圓W搬入至單位區塊B1，從單位區塊B1搬出晶圓W時，亦可將晶圓W搬送至前述交接模組SCPL1，以後藉由晶圓移載單元41的第1保持臂47或第2保持臂48來往交接模組SCPL3搬送晶圓W。
在上述的搬送，發送器載體SC及接受器載體RC的配置並非限於上述的例子，例如亦可在上側的載體載置部15C及15D、下側的載體載置部15A及15B的一方側配置 發送器載體SC，在另一方側配置接受器載體RC。
上述的曝光裝置A4在進行使曝光透鏡與晶圓W之間形成液相而進行曝光的液浸曝光時亦可適用上述的塗佈、顯像裝置1。此情況，例如將設在單位區塊B1，B2的各棚架單元U1的2座的加熱模組構成為2座的疏水化處理模組，對晶圓W供給疏水化處理用的氣體來進行疏水化處理為有效。此情況，例如在塔單元31追加配置用以在此疏水化處理後溫調晶圓W的交接模組SCPL，依交接模組SCPL1，2→疏水化處理模組→交接模組SCPL→反射防止膜形成模組BCT的順序搬送進行處理。
並且，亦可例如將液處理模組TCT構成為塗佈撥水性的保護膜形成用的藥液的模組，取代在光阻劑膜的上層形成反射防止膜，形成前述保護膜來防止在液浸曝光時使用的液浸透至光阻劑膜。並且，亦可設置：在介面臂76，77可存取的範圍內曝光前，在單位區塊B3，B4藉由刷子來洗淨處理後的晶圓W的背面之背面洗淨模組，曝光後往單位區塊B5，B6的搬入前洗淨晶圓W的表面之曝光後洗淨模組。
(第2實施形態)
之後，以和第1實施形態的差異點為中心來說明有關其他的實施形態。圖18是第2實施形態的載體區塊A5的正面圖。此載體區塊A5是取代載體移動機構26A，26B，具備載體移動機構81A，81B。在支撐台14形成有分別從 相當於上述的暫置部17A，17B之處往載體載置部15A，15B的溝部82，82。在此溝部82，82分別設有構成載體移動機構81A，81B的載體底面支撐部83。
載體移動機構81A，81B是彼此同樣地構成，所以在此以載體移動機構81A為代表，一邊也參照顯示其平面的圖19，一邊說明。載體底面支撐部83是構成沿著溝部82在左右方向移動自如，且構成在溝部82內及溝部82的上方昇降自如。圖中84是驅動機構，使載體底面支撐部83昇降且移動於左右方向。圖中85是用以將驅動機構84引導於左右方向的導軌。圖中84a是用以使連接驅動機構84與載體底面支撐部83的連接部85通過的縫隙。在載體底面支撐部83設有朝上方的銷83a。如圖19所示般，各銷83a是嵌合於設在載體C的底面的3個溝C3，規制其位置。
就此例而言，載體載置部15A，15B是形成平面視字型，如圖20所示般，載體底面支撐部83是藉由進入被此字型包圍的區域內，可位於搬送口12A的前面。圖18中86是使載體載置部15A移動於前後方向的驅動機構，圖19中86a是縫隙，連接驅動機構88與載體載置部15A的連接部87會通過。
說明有關利用載體移動機構81A之載體C的交接。如圖18及圖19所示般，載體C會從頂部搬送機構21來交接至移動至不重疊於上方支撐台31C的待機位置之載體底面支撐部83，銷83a會嵌合於載體C的溝C3。此時，以 載體C的底面的位置能夠比載體載置部15A的銷16更高的方式，在溝部82的上方，載體底面支撐部83接受載體C。而且，載體底面支撐部83是移動至搬送口12A的前面之後下降，載體載置部15A的銷16會進入溝C3而嵌合，載體C會被載置於載體載置部15A，且其位置會被固定。載體底面支撐部83再下降於溝部82內，銷83a從溝C3脫出，載體底面支撐部83與溝部82的嵌合會被解除。而且，載體底面支撐部83是在水平移動後上昇而回到前述待機位置。
而且，如圖21所示般接受載體C的載體載置部15A是在前進後，如已述般送出晶圓W。在將載體C交接至頂部搬送機構21時，載體載置部15A及載體底面支撐部83是進行相反的動作，載體C會被交接至載體底面支撐部83，頂部搬送機構21會從載體底面支撐部83接受該載體C。
(第3實施形態)
圖22，圖23是第3實施形態的載體區塊A6的正面圖、縱剖平面圖。若說明與載體區塊A1的差異點，則在此載體區塊A6是不設置上方支撐台31C，31D，支撐台14是從載體區塊A6的前面側跨至側面側形成。在此載體區塊A6的兩側面形成有晶圓W的搬送口12C，12D，搬送口12A~12D是例如設成同高度。對應於搬送口12C，12D而設有載體載置部15C，15D。載體載置部15C，15D 是構成由正面來看載體區塊A6，可在卸載位置與裝載位置之間移動於左右。而且，在此例是支撐台14的各角部構成為暫置部17A，17B。
以蓋體C1能夠朝向裝置的背面側(後方側)之方式，從頂部搬送機構21來對暫置部17A，17B、載體載置部15A，15B交接載體C。被載置於暫置部17A，17B的載體C是藉由載體移動機構91A，91B來以蓋體C1能夠朝向搬送口12C，12D的方式改變方向，載置於載體載置部15C，15D。載體移動機構91A，91B是構成與第1實施形態的載體移動機構26A，26B大略同樣，差異點可舉在桿28的前端側經由轉動部93而設有把持部27，及桿28的基端側會經由前後移動機構94來連接至昇降機構。把持部27會藉由轉動部93在把持載體C的被把持部C2的狀態下構成繞著鉛直軸轉動自如，可藉由前後移動機構94來使把持部27移動於前後方向。
並且，在此載體區塊A6是不設導軌43，第1晶圓移載單元41及第2晶圓移載單元42的支撐框44不會移動於左右方向。第1晶圓移載單元41的移載部本體40是藉由昇降、旋轉及第1保持臂47的進退動作，在載體載置部15A及15C的各載體C與塔單元31之間交接晶圓W。同樣，第2晶圓移載單元42的移載部本體40是藉由昇降、旋轉及第1保持臂47的進退動作，在載體載置部15B及15D的各載體C與塔單元31之間交接晶圓W。即使用如此的載體區塊A6來構成裝置也可取得與第1實施 形態同樣的效果。又，由於此載體區塊A6的佈局是不須晶圓移載單元41，42移動於左右方向，所以可在載體C與塔單元31之間更迅速地搬送晶圓W。因此，可更確實地謀求處理能力的提升。又，由於晶圓移載單元41，42不會移動於左右方向，所以可謀求裝置的佔有地面面積的更進一步的縮小化。
可是，第1晶圓移載單元41及第2晶圓移載單元42是只要可分別對載體C進行存取即可，各載體載置部15並非限於已述的佈局，例如亦可在橫方向配列成一列，或位於不同的高度。並且，配置數也非限於4個，例如亦可只配置2個，也非限於上下2段配置，亦可構成3段以上的段數。
(第4實施形態)
圖24，圖25是第4實施形態的載體區塊A7的正面圖、縱剖平面圖。在此載體區塊A7是與載體區塊A6同樣不設導軌43，晶圓移載單元41，42的支撐框44不移動於左右方向。在此載體區塊A7的框體11的前面側，面對第1晶圓移載單元41、第2晶圓移載單元42的部分會往前方側突出，此框體11的前面側是如圖25所示般，以平面來看成為2座山排列的形狀。而且，在如此形成平面視山形的框體11的前述山的各斜面分別形成有搬送口12A~12D，如圖24所示般，被形成於1座山的各傾斜面的搬送口12的各高度位置是彼此不同。
與載體區塊A1同樣，搬送口12A，12B是被形成於下方側，搬送口12C，12D是被形成於上方側。各載體載置部15A~15D是進退於各搬送口12的開口方向，構成可將載體C交接至各載體載置部15及從載體C送出晶圓W。與第1實施形態同樣，第1晶圓移載單元41是經由搬送口12A，12C來搬送晶圓W，第2晶圓移載單元42是經由搬送口12B，12D來搬送晶圓W。
在此載體區塊A7是設有載體交換機構101。此載體交換機構101是具備昇降軸102及構成沿著昇降軸102來昇降自如且延伸於左右方向的水平軸103，以及其基端側沿著水平軸103來水平移動自如的多間接臂104。在多間接臂104的前端側是設有把持部105，可把持載體C的被把持部C2。藉由如此構成，載體交換機構101可在載體載置部15A~15D間自由地進行載體C的移載。
在頂部搬送機構21與載體載置部15A，15C，15D之間是直接交接載體C。由於載體載置部15C位於載體載置部15B的上方，因此在將載體C交接至載體載置部15B時，頂部搬送機構21是在載體載置部15A，15B，15D的其中任一個一旦載置載體C，載體交換機構101會將該載體C搬送至載體載置部15B。從載體載置部15B將載體C交接至頂部搬送機構21時，進行與此相反的動作。如此構成載體區塊也可取得與第3實施形態同樣的效果。
可是，此載體交換機構101亦可設成其他的各實施形態。例如可在載體區塊A1設置載體交換機構101。在如 此構成的載體區塊A1中，除了上述的載體載置部15A~15D以外，預先設置複數個載體的載置部，如上述般不使用第1晶圓移載單元41時，亦可藉由載體交換機構101的把持部105，在此載置部與載體載置部15A~15D之間更換載體C。前述載體載置部15A~15D以外設在載體區塊的載體的載置部是設在載體交換機構101可存取的範圍，例如構成複數段的棚架狀。亦即，可在棚架的各段載置載體C。
舉一例具體說明有關此情況的載體區塊A1的載體C的搬送。首先，從被配置於載體載置部15A，15C的載體C送出晶圓W。從被配置於載體載置部15A，15C的載體C送出晶圓W終了時，在載體載置部15B，15D配置有別的載體C時，使在前述載體載置部15A，15C送出晶圓W的載體C藉由載體交換機構101來移至前述棚架而待機。 一旦載體載置部15B，15D空出，則將該棚架的載體C移載至載體載置部15B，15D。而且，藉由第2晶圓移載單元42來將停滯於緩衝模組BU的晶圓W交接至載體載置部15B，15D的載體C而回收。若根據此方法，則可使晶圓W回到送出該晶圓W的載體C。在被載置的載體C移至棚架後的載體載置部15A，15C是移載後續的載體C，送出晶圓W。同樣在不使用第2晶圓移載單元42時，使在載體載置部15B，15D送出晶圓W的載體C藉由載體交換機構101來移至前述棚架而待機後，移載至載體載置部15A，15C。而且，藉由第1晶圓移載單元41來將晶圓W 回收於移載至載體載置部15A，15C的前述載體C。藉此，可省去使用者從緩衝模組BU回收晶圓W的麻煩。
除了使用載體交換機構101來如此地在左右的載體載置部15之間搬送載體C以外，亦可在上下的載體載置部15間交接載體C。例如在第1實施形態設置載體交換機構101及前述棚架的裝置中，從被載置於下段側的載體載置部15A，15B的載體C送出晶圓W。前述各載體C是藉由載體交換機構101經由前述棚架來移載至上段側的載體載置部15C，15D。而且，處理完了的前述晶圓W是藉由晶圓移載單元41，42來回到例如送出該晶圓W後的載體C。在載體C被移至棚架後的載體載置部15A，15B是後續的載體C會被搬送，且晶圓W往裝置內的搬入會被繼續。相反的，亦可從上段側的載體載置部15C，15D的載體C送出晶圓W，將送出晶圓W的載體C分別移載至下段側的載體載置部15A，15B，而使處理完了的晶圓W回到該載體C。
像載體區塊A1，A5，A7那樣，載體載置部15被配置於上下方向時，如圖26所示般，亦可將移載部本體40上下配置於一個的支撐框44。上側的移載部本體是對被載置於上側的載體載置部15的載體C進行存取。下側的移載部本體是對被載置於下側的載體載置部15的載體C進行存取。亦即，由機能性來看，將基板移載機構的晶圓移載單元41，42分別設為分割成上下的構成。在第1晶圓移載單元41中，將上側的移載部本體設為40C，將下側 的移載部本體設為40A。在第2晶圓移載單元42中，將上側的移載部本體設為40D，將下側的移載部本體設為40B。
簡單說明有關如此具備移載部本體40A，40C的第1晶圓移載單元41的構成。圖26中，111，111是導軌，分別設在延伸於支撐框44的上下的二根柱部分，將移載部本體40A，40C分別引導於上下。圖中112，112是滑輪。圖中113，113是傳動帶，移載部本體40A，40C的各昇降基台45會分別被卡止。圖中114，114是馬達，分別對應於滑輪112，112而設。傳動帶113，113會分別藉由馬達114，114來獨立驅動，各昇降基台45會沿著導軌111，111來彼此獨立昇降。有關第2晶圓移載單元42是與第1晶圓移載單元41同樣的構成，因此省略說明。
(第5實施形態)
說明有關適用構成具備移載部本體40A~40D的載體區塊S7之裝置的構成例及前述裝置的晶圓W的搬送例。圖27是表示連接此載體區塊A8與處理區塊A9的塗佈裝置121。載體區塊A8是除了如此設有移載部本體40A~40D及塔單元31的交接模組形成對應於處理區塊9的配置以外，與載體區塊A7同樣構成。另外，在圖27基於方便起見將塔單元31及晶圓移載單元41，42錯開於前後顯示。
處理區塊A9是藉由上述的單位區塊B1~B6所構 成，但設在液處理單元71的液處理模組是與第1實施形態不同，在單位區塊B1，B4是搭載有反射防止膜形成模組BCT，在單位區塊B2，B5是搭載有光阻劑塗佈模組COT，在單位區塊B3，B6是搭載有上層側反射防止膜形成模組TCT。在載體區塊的塔單元31是分別設有SCPL21~26，作為往各單位區塊B1~B6之搬入用的交接模組。並且，分別設有CPL21，CPL22，CPL24，CPL25，作為來自單位區塊B1，B2，B4，B5的搬出用交接模組，設有SCPL27，SCPL28，作為來自單位區塊B3，B6的搬出用交接模組。
圖28，29是表示塗佈裝置121的晶圓W的搬送路徑，此例是使晶圓W回到搬出該晶圓W的載體C。在被載置於載體載置部15A，15B的載體C與單位區塊B1~B3之間搬送晶圓W，在被載置於載體載置部15C，15D的載體C與單位區塊B4~B6之間搬送晶圓W。與第1實施形態同樣，該等的2個路徑的搬送是彼此並行。
載體區塊A8的各移載部本體40A，40B是藉由第1保持臂47來從載體載置部15A，15B的各載體C分別將晶圓W交接至交接模組SCPL21。並且，移載部本體40A，40B是藉由第2保持臂48來將在單位區塊B1形成反射防止膜且被搬送至交接模組CPL21的晶圓W搬送至交接模組SCPL22，更將在單位區塊B2形成光阻劑膜且被搬送至交接模組CPL22的晶圓W搬送至交接模組SCPL23(圖28)。而且，移載部本體40A，40B是藉由第1保持 臂47來使在單位區塊B3形成上層側反射防止膜的晶圓W回到被載置於載體載置部15A，15B的載體C(圖29)。
載體區塊A8的上側的移載部本體40C，40D是除了存取的載體C分別為載體載置部15C，15D的載體C，及針對對應於單位區塊B4~B6的高度的交接模組CPL，SCPL存取以外，與移載部本體40A，40B同樣動作，從前述載體C送出的晶圓W是如圖28所示般依序搬送於單位區塊B4，B5，B6而形成各膜之後，如圖29所示般回到前述載體C。
利用圖30來說明有關塗佈裝置121的其他的搬送例。此例是將上述的發送器載體SC載置於載體載置部15A，15C，將接受器載體RC載置於載體載置部15B，15D而進行搬送。從載體載置部15A的發送器載體SC送出的晶圓W是如上述般搬送於單位區塊B1~B3，形成各膜之後搬入至載體載置部15B的接受器載體RC。並且，從載體載置部15C的發送器載體SC送出的晶圓W是如上述搬送於單位區塊B4~B6，形成各膜之後搬入至載體載置部15D的接受器載體RC。另外，亦可將接受器載體RC載置於載體載置部15A，15C，將發送器載體SC分別載置於載體載置部15B，15D而進行搬送。如此將載體區塊及處理區塊構成為塗佈裝置時，也是與構成為塗佈、顯像裝置時同樣可取得處理能力的提升及佔有地面面積的低減化的效果。
(第6實施形態)
亦可以能夠在單位區塊B1~B3間，單位區塊B4~B6間分別並行搬送晶圓W進行塗佈、顯像處理的方式構成裝置。圖31是表示如此構成的塗佈、顯像裝置131。與塗佈裝置121的差異點可舉構成處理區塊A10的單位區塊B2，B4是具備光阻劑塗佈模組COT及上層側反射防止膜形成模組TCT，單位區塊B3，B6是具備顯像模組DEV。此實施形態的載體區塊A8是除了塔單元31的交接模組形成對應於處理區塊的配置以外，與第5實施形態同樣。在介面塔單元75是以能夠將在單位區塊B2，B5處理完了的晶圓W搬送至曝光裝置，將曝光完了的晶圓W搬送至單位區塊B3，B6的方式配置有交接模組TRS。
在此塗佈、顯像裝置131中是與塗佈裝置121大致同樣進行晶圓W的搬送。若一邊參照圖32，33，一邊以差異點為中心進行說明，則載體區塊A8的移載部本體40A，40B是藉由第1保持臂47從載體載置部15A，15B的各載體C來將晶圓W經由交接模組SCPL而往單位區塊B1送出，然後，經由移載部本體40A，40B的第2保持臂48往單位區塊B2搬送的晶圓W是在光阻劑膜形成後形成上層側反射防止膜。然後，前述晶圓W是經由介面區塊A3來搬入至曝光裝置A4之後，往單位區塊B3搬入而接受顯像處理(圖32)。而且，藉由移載部本體40A，40B的第1保持臂47來回到前述載體C(圖33)。
載體載置部15C，15D的各載體C的晶圓W是除了取 代移載部本體40A，40B而將移載部本體40C，40D使用於搬送，及在單位區塊B4~B6接受處理，以及被搬送至對應於該等單位區塊B4~B6的高度的交接模組以外，與從載體載置部15A，15B的各載體C送出的晶圓W同樣搬送。並且，與塗佈裝置121同樣在塗佈、顯像裝置131中亦可在載體載置部15A，15B的任一方載置發送器載體SC，在另一方載置接受器載體RC而進行晶圓W的搬送，或在載體載置部15C，15D的任一方載置發送器載體SC，在另一方載置接受器載體RC而進行晶圓W的搬送。如此的塗佈、顯像裝置131也是可取得與塗佈、顯像裝置1同樣的效果。
(第7實施形態)
在圖34顯示塗佈、顯像裝置141。與塗佈、顯像裝置131的差異點，可舉構成處理區塊A11的單位區塊B1，B2具備反射防止膜形成模組BCT，單位區塊B3，B4是具備光阻劑塗佈模組COT及上層側反射防止膜形成模組TCT，單位區塊B5，B6具備顯像模組DEV。
圖35是表示塗佈、顯像裝置141的晶圓W的搬送路徑。此例是在載體載置部15A，15B載置發送器載體SC，在載體載置部15C，15D載置接受器載體RC。然後，在單位區塊B1，B3，B5依序處理載體載置部15A的發送器載體SC的晶圓W，而交接至載體載置部15C的接受器載體RC，在單位區塊B2，B4，B6依序處理載體載置部15B的 發送器載體SC的晶圓W，而交接至載體載置部15D的接受器載體RC。
更說明有關從前述載體載置部15A的發送器載體SC搬送的晶圓W的路徑。該晶圓W是藉由移載部本體40A的第1保持臂47來搬送至塔單元31的交接模組SCPL而於單位區塊B1被處理之後，藉由移載部本體40A或移載部本體40B的第2保持臂48來搬送至交接模組SCPL，而搬送至單位區塊B3。藉此，在表面形成各種的膜之後，晶圓W是與塗佈、顯像裝置131同樣被搬送至曝光裝置A4而曝光，然後，被搬送至單位區塊B5而顯像處理後，被搬送至交接模組SCPL，藉由移載部本體40C的第1保持臂47來交接至載體載置部15C的接受器載體RC。
從載體載置部15B的發送器載體SC送出的晶圓W是除了從該載體SC送出時取代移載部本體40A而使用移載部本體40B，及在單位區塊B2，B4，B6接受處理，及搬送至對應於該等單位區塊B2，B4，B6的高度的交接模組，及被搬送至接受器載體RC時取代移載部本體40C而使用移載部本體40D以外，與載體載置部15A的發送器載體SC的晶圓W同樣搬送。另外，此例是移載部本體40C，40D的第2保持臂48未被使用進行搬送。
可是，在已述的各實施形態中亦可與第1實施形態同樣，將從相同的載體C送出的晶圓W分配至相異的單位區塊來搬送，或在同一構成的單位區塊以相異的處理條件來處理晶圓W。並且，在發送器載體SC與接受器載體RC 之間進行搬送時，至晶圓W被搬入至用以進行往塔單元31的接受器載體RC的搬入之交接模組為止，亦可將任務分成晶圓W的送出用及晶圓W的昇降搬送用來使用各移載本體部。
(第8實施形態)
處理區塊的構成並非限於各設置2個同一構成的單位區塊。例如在圖36的塗佈、顯像裝置151的處理區塊A12中，單位區塊B1，B2，B3分別具備反射防止膜形成模組BCT，光阻劑膜形成模組COT，上層側反射防止膜形成模組TCT，單位區塊B4~B6具備顯像模組DEV。從載體載置部15A，15B的發送器載體SC送出的晶圓W是依移載部本體40A，40B的第1保持臂47→交接模組SCPL→單位區塊B1→交接模組CPL→移載部本體40A，40B的第2保持臂48→交接模組SCPL→單位區塊B2→交接模組CPL→移載部本體40A，40B的第2保持臂48→單位區塊B3→曝光裝置S4的順序搬送。然後，在被搬送至單位區塊B4~B6的任一個之後，藉由移載部本體40C，40D的第1保持臂47來交接至載體載置部15C，15D的接受器載體RC。
有關此塗佈、顯像裝置151也是可將從同載體C送出的晶圓W交接至單位區塊B4~B6之中同一的單位區塊，例如依從同載體C送出的順序來分配搬送至單位區塊B4~B6。並且，在塗佈、顯像裝置141，151中，亦可在載 體載置部15A，15B中使晶圓W全部被送出的載體C藉由載體交換機構101來移動至載體載置部15C，15D，將處理完了的晶圓W收納於此移動的載體C。並且，單位區塊的層疊數只要是複數即可，並非限於6個。並且，處理區塊A2是亦可只將顯像用的單位區塊層疊構成。並且，在第5~第8實施形態並非限於使用載體區塊A8，亦可使用在載體區塊A1等已述的其他構成的載體區塊適用上下的移載本體部的構成的載體區塊來構成裝置。
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
A1‧‧‧載體區塊
A2‧‧‧處理區塊
A3‧‧‧介面區塊
A4‧‧‧曝光裝置
B1~B6‧‧‧單位區塊
BCT‧‧‧反射防止膜形成模組
BU‧‧‧緩衝模組
C‧‧‧載體
C1‧‧‧蓋體
C2‧‧‧被把持部
COT‧‧‧光阻劑膜形成模組
SCPL‧‧‧交接模組
TCT‧‧‧上層側反射防止膜形成模組
TRS‧‧‧交接模組
U1~U6‧‧‧棚架單元
W‧‧‧晶圓
11‧‧‧框體
12A~12D‧‧‧搬送口
13‧‧‧開閉部
14‧‧‧支撐台
15A，15B‧‧‧載體載置部
16‧‧‧銷
17A，17B‧‧‧載體暫置部
21‧‧‧頂部搬送機構
22‧‧‧導軌
23‧‧‧驅動機構
24‧‧‧連接部
25‧‧‧把持部
26A，26B‧‧‧載體移動機構
27‧‧‧把持部
27a‧‧‧爪部
28‧‧‧桿
29‧‧‧桿移動機構
30‧‧‧昇降機構
31‧‧‧塔單元
31C，31D‧‧‧上方支撐台
32‧‧‧晶圓載置部
33‧‧‧支撐部
34‧‧‧缺口
35‧‧‧晶圓載置部
36‧‧‧昇降銷
37‧‧‧孔
40‧‧‧移載部本體
41‧‧‧第1晶圓移載單元
42‧‧‧第2晶圓移載單元
43‧‧‧導軌
44‧‧‧支撐框
45‧‧‧昇降基台
46‧‧‧旋轉台
47‧‧‧第1保持臂
47a‧‧‧基部
47b‧‧‧前端部
48‧‧‧第2保持臂
48a‧‧‧基部
48b‧‧‧支撐部
51~56‧‧‧主晶圓搬送機構
57‧‧‧保持臂
57a‧‧‧基部
57b‧‧‧支撐部(前端部)
57c‧‧‧保持爪
61A‧‧‧晶圓移載單元區塊
61B‧‧‧晶圓移載單元區塊
70‧‧‧控制部
71‧‧‧液處理單元
72‧‧‧杯
73‧‧‧旋轉夾頭
74‧‧‧藥液供給噴嘴
75‧‧‧介面塔單元
76~78‧‧‧介面臂
81A，81B‧‧‧載體移動機構
82‧‧‧溝部
83‧‧‧載體底面支撐部
83a‧‧‧銷
84‧‧‧驅動機構
84a‧‧‧縫隙
85‧‧‧連接部
86‧‧‧驅動機構
101‧‧‧載體交換機構
102‧‧‧昇降軸
103‧‧‧水平軸
104‧‧‧多間接臂
105‧‧‧把持部
111‧‧‧導軌
112‧‧‧滑輪
113‧‧‧傳動帶
121‧‧‧塗佈裝置
141，151‧‧‧塗佈、顯像裝置
圖1是本發明的基板處理裝置的塗佈、顯像裝置的平面圖。
圖2是前述塗佈、顯像裝置的立體圖。
圖3是前述塗佈、顯像裝置的縱剖側面圖。
圖4是設在前述塗佈、顯像裝置的載體區塊的晶圓移載機構的立體圖。
圖5是設在前述載體區塊的交接模組的立體圖。
圖6是用以說明前述交接模組之晶圓的交接的說明圖。
圖7是用以說明前述交接模組之晶圓的交接的說明圖。
圖8是將構成前述載體區塊的基板移載機構區塊拉出後的狀態的載體區塊的正面圖。
圖9是前述載體區塊的平面圖。
圖10是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖11是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖12是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖13是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖14是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖15是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖16是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖17是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖18是表示第2實施形態的載體區塊的正面圖。
圖19是表示設在前述載體區塊的載體移動機構的平面圖。
圖20是表示設在前述載體區塊的載體移動機構的平面圖。
圖21是表示設在前述載體區塊的載體移動機構的平面圖。
圖22是第3實施形態的載體區塊的正面圖。
圖23是前述載體區塊的橫剖平面圖。
圖24是第4實施形態的載體區塊的正面圖。
圖25是前述載體區塊的橫剖平面圖。
圖26是表示晶圓移載機構的其他構成的正面圖。
圖27是第5實施形態的塗佈裝置的概略側面圖。
圖28是前述塗佈裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖29是前述塗佈裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖30是前述塗佈裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖31是第6實施形態的塗佈、顯像裝置的概略側面圖。
圖32是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖33是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖34是第7實施形態的塗佈、顯像裝置的概略側面圖。
圖35是前述塗佈、顯像裝置的晶圓的搬送路徑的概略圖。
圖36是第8實施形態的塗佈、顯像裝置的概略側面圖。
1‧‧‧塗佈、顯像裝置
A1‧‧‧載體區塊
A2‧‧‧處理區塊
A3‧‧‧介面區塊
A4‧‧‧曝光裝置
BCT‧‧‧反射防止膜形成模組
C2‧‧‧被把持部
COT‧‧‧光阻劑膜形成模組
U1~U6‧‧‧棚架單元
11‧‧‧框體
13‧‧‧開閉部
14‧‧‧支撐台
15C，15D‧‧‧載體載置部
16‧‧‧銷
17A‧‧‧暫置部
17B‧‧‧載體暫置部
26A、26B‧‧‧載體移動機構
27‧‧‧把持部
28‧‧‧桿
29‧‧‧桿移動機構
30‧‧‧昇降機構
31‧‧‧塔單元
31C，31D‧‧‧上方支撐台
40‧‧‧移載部本體
41‧‧‧第1晶圓移載單元
42‧‧‧第2晶圓移載單元
43‧‧‧導軌
44‧‧‧支撐框
45‧‧‧昇降基台
46‧‧‧旋轉台
47‧‧‧第1保持臂
48‧‧‧第2保持臂
48c‧‧‧保持爪
51‧‧‧主晶圓搬送機構
57‧‧‧保持臂
61A‧‧‧晶圓移載單元區塊
61B‧‧‧晶圓移載單元區塊
62‧‧‧導軌
63‧‧‧連接部
71‧‧‧液處理單元
72‧‧‧杯
73‧‧‧旋轉夾頭
74‧‧‧藥液供給噴嘴
75‧‧‧介面塔單元
76~78‧‧‧介面臂
R1‧‧‧搬送區域

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，係具備：載體區塊，其係包含載置有可收納複數的基板的載體之第1載體載置部及第2載體載置部的載體區塊，第1載體載置部及第2載體載置部係由前述載體區塊的前面側來看彼此分離於左右而設；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有搬送基板的基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；第1基板移載機構，其係於前述第1載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載之第1基板移載機構，具有保持基板之進退，昇降自如的基板保持構件；及第2基板移載機構，其係於前述第2載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載之第2基板移載機構，具有保持基板之進退，昇降自如的基板保持構件。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，在前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方發生故障時，另一方的基板移載機構係進行在對應於該另一方的 基板移載機構的載體載置部上的載體與塔單元的基板載置部之間的基板的移載。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方在進行用以從載體送出處理前的基板而將基板移載至塔單元的基板載置部的作業時，以另一方的基板移載機構能夠進行從塔單元的基板載置部接受處理後的基板而移載至載體的作業之方式，控制前述第1基板移載機構及第2基板移載機構。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述載體區塊更包含載體載置部，其係被配置成與前述第1載體載置部及第2載體載置部的至少一方排列於上下。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，對應於前述第1載體載置部及第2載體載置部的前述至少一方的基板移載機構係為了在上側的載體載置部及下側的載體載置部之間分別進行基板的交接，而具有上側基板移載機構及下側基板移載機構。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，在下側的載體載置部的側方設有在與位於載體區塊的上方側的載體搬送機構之間搬入或搬出載體的載體暫置部，設有用以使載體移動於該下側的載體載置部與前述載體暫置部之間的載體移動機構。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，有關第1基板移載機構及第2基板移載機構的哪個皆被配置 成載體載置部複數排列於上下。
  8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，第1基板移載機構及第2基板移載機構係含在彼此獨立的基板移載機構區塊，該等基板移載機構區塊係構成可分別獨立拉出至左右。
  9. 一種基板處理裝置，係具備：載體區塊，其係於上下方向具備複數個載體載置部，該載體載置部載置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分的構造，且各階層部分具有搬送基板的基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；及基板移載機構，其係於前述各載體載置部上的載體與前述塔單元的基板載置部之間，及前述塔單元所含的二個基板載置部之間進行基板的移載，又，前述基板移載機構係具備：第1基板保持構件，其係於載體與基板載置部之間進行基板的移載時專用；及第2基板保持構件，其係於塔單元的基板載置部之間進行基板的移載時專用。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，前述第1基板保持構件係構成接觸於比基板的下面的周緣部更靠中央的部位而保持該基板，前述第2基板保持構件係具備：支撐部，其係設成包圍基板的周圍的至少一部分；及保持爪，其係設在此支撐部的內周緣，由下方來支撐基板的下面的周緣部；藉由前述第2基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部係具有用以載置基板的載置板，在此載置板的外周形成有前述保持爪可通過的缺口部。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，藉由前述第1基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部係以能夠在基板載置部與第1基板保持構件之間進行基板的移轉之方式，在與該第1基板保持構件不平面性地干擾的位置，具有用以使基板昇降的昇降構件。
  12. 一種基板處理方法，係包含：在基板處理裝置的第1載體載置部或第2載體載置部載置載體之工程；利用前述第1基板移載機構及第2基板移載機構之中的對應的基板移載機構，從載體載置部上的載體取出基板而移載至前述塔單元的基板載置部之工程；藉由前述處理區塊的基板搬送機構來接受被載置於前述塔單元的基板載置部的基板而搬送至處理模組，在處理模組處理基板之工程； 從前述處理區塊側搬送處理後的基板至前述塔單元的基板載置部之工程；及藉由第1基板移載機構或第2基板移載機構，從前述塔單元的基板載置部來將處理後的基板移載至對應於該基板移載機構的載體載置部所載置的載體之工程，前述基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為彼此分離於左右的第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；第1基板移載機構，其係於第1載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載；及第2基板移載機構，其係於第2載體載置部上的載體與前述塔單元的各基板載置部之間進行基板的移載。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，在前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方發生故障時，另一方的基板移載機構係進行在對應於該另一方的基板移載機構的載體載置部上的載體與塔單元的基板載置部之間的基板的移載。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，前述第1基板移載機構及第2基板移載機構的一方係進行用以從載體送出處理前的基板而將基板移載至塔單元的基板載置部的作業，期間，另一方的基板移載機構係從塔單元的基板載置部取出處理後的基板而移載至載體。
  15. 如申請專利範圍第12項之基板處理方法，其中，以能夠與前述第1載體載置部及第2載體載置部的至少一方排列於上下的方式更配置有載體載置部，在排列於上下的二個載體載置部之中的下側的載體載置部的側方設有載體的載體暫置部，從位於載體區塊的上方側的載體搬送機構搬送載體至前述載體暫置部，其次，位於前述搬出入埠的載體係藉由載體移動機構來使移動至前述下側的載體載置部。
  16. 一種基板處理方法，係包含：從基板處理裝置的前述各載體載置部上的載體，藉由前述基板移載機構的第1基板保持構件來取出基板而移載至前述塔單元的基板載置部之工程；其次藉由前述處理區塊之對應的基板搬送機構來接受前述基板載置部上的基板而搬送至處理模組，在該處理模組處理基板之工程；藉由基板搬送機構來將處理後的基板搬送至前述塔單元的基板載置部之工程；藉由與前述基板移載機構的第1保持構件不同的第2保持構件來接受被載置於前述基板載置部的基板，移載至 對應於進行其次的處理的階層部分之前述塔單元的其他的基板載置部之工程；及藉由進行前述其次的處理的階層部分的基板搬送機構來接受前述其他的基板載置部上的基板而搬送至處理模組，在該處理模組處理基板之工程，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係於上下方向具備複數個載體載置部，該載體載置部載置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分的構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部；及基板移載機構，其係於前述各載體載置部上的載體與前述塔單元的基板載置部之間，及前述塔單元所含的二個基板載置部之間進行基板的移載。
  17. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中，前述第1基板保持構件係構成接觸於比基板的下面的周緣部更靠中央的部位而保持該基板，前述第2基板保持構件係具備：支撐部，其係設成包圍基板的周圍的至少一部分；及保持爪，其係設在此支撐部的內周緣，由下方來支撐基板的下面的周緣部； 藉由前述第2基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部係具有用以載置基板的載置板，在此載置板的外周形成有前述保持爪可通過的缺口部。
  18. 如申請專利範圍第16項之基板處理方法，其中，藉由前述第1基板保持構件來進行基板的交接之基板載置部係以能夠在基板載置部與前述第1基板保持構件之間進行基板的移轉之方式，在與該第1基板保持構件不平面性地干擾的位置，具有用以使基板昇降的昇降構件。
  19. 一種記憶媒體，係記憶被設用於基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體；處理區塊，其係設在前述載體區塊的背面側，具有上下配置複數的階層部分的階層構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；及塔單元，其係由前述處理區塊側來看載體區塊，設在成為彼此分離於左右的第1載體載置部及第2載體載置部之間的位置，包含被配置在藉由各對應的階層部分的基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部，前述電腦程式係構成可實行如申請專利範圍第12項所記載的基板處理方法。
  20. 一種記憶媒體，係記憶被設用於基板處理裝置的電腦程式之記憶媒體，該基板處理裝置係具備：載體區塊，其係配置有可收納複數的基板的載體； 處理區塊，其係具備上下配置用以依序處理基板的複數的階層部分的構造，且各階層部分具有基板搬送機構及處理基板的處理模組；及塔單元，其係包含被配置在藉由各對應的階層部分的前述基板搬送機構來進行基板的交接的高度位置之複數的基板載置部，前述電腦程式係構成可實行如申請專利範圍第16項所記載的基板處理方法。
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