TW201312675A - 晶粒接合器及接合方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是提供一種尤其是對於已接合的晶粒，即使旋轉晶粒180度予以層積，也可得到高品質的製品的晶粒接合器或接合方法。本發明的一種晶粒接合器或接合方法，是使用拾取頭從晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒載置於對準平台，使用接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒，並接合於基板或是已被接合的晶粒上，其特徵為：上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，在平行於上述接合之一面的一面以預定角度來旋轉上述晶粒的姿勢。

Description

晶粒接合器及接合方法
本發明是關於一種晶粒接合器及接合方法，尤其是關於一種高製品品質的晶粒接合器及接合方法。
在將晶粒(半導體晶片)(以下，僅簡稱為晶粒)裝載於配線基板或導線架等的基板並裝配封裝體的工序的一部分，具有：從半導體晶圓(以下，僅稱為晶圓)分割晶粒的工序，及將分割的晶粒裝載於基板上或是層積於已接合的晶粒的接合工序。
作為進行接合工序的方法，有將拾取的晶粒暫時載置於零件載置平台(對準平台)，使用接合頭從零件載置平台再拾取晶粒，並接合於搬運來的基板的方法(專利文獻1)。另一方面，在快閃記憶體(Flash Memory)或移動性隨機存取記憶體(Random Access Memory)等，有將未旋轉的0度的晶粒與旋轉180度的晶粒層積而進行接合的要求。在暫時載置如專利文獻1的晶粒的技術中，為了響應其要求，旋轉接合頭180度來進行接合。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2009-246285號公報
然而，當旋轉接合頭，則利用旋轉軸之歪斜或旋轉軸與夾頭之歪斜，使接合面傾斜。以0度或180度的至少一方進行調整，惟即使可正確地調整任一姿勢，在另一方的姿勢也會歪斜。結果，若對於已接合的晶粒進行旋轉180度而層積晶粒並進行接合時，則在晶粒與晶粒之間有發生空隙之慮。還有，發生因歪斜所導致的旋轉中心偏差，使層積精度降低。結果，利用此些主要原因會降低製品的品質。還有，單純地將晶粒接合於基板或以另一方的姿勢進行接合也同樣地會傾斜，雖與層積時相比較並不嚴重，惟存在著同樣的課題。
因此，本發明的目的，是提供一種尤其是對於已接合的晶粒，即使旋轉晶粒180度予以層積，也可得到高品質的製品的晶粒接合器或接合方法。
本發明是為了達成上述目的，至少具有以下的特徵。
本發明是一種晶粒接合器，具有：晶粒供應部、及拾取頭、及接合頭、以及晶粒旋轉手段；該晶粒供應部，是保持晶圓，該拾取頭，是從上述晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒載置於對準平台，該接合頭，是從上述對準平台拾取上述晶粒，並接合於基板或是已被接合的晶粒上，該晶粒旋轉手段，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，在平行於上述接合之一面的一面以預定角度來旋轉上 述晶粒的姿勢，做為第1特徵。
又，本發明是一種晶粒接合方法，具有：拾取步驟、及接合頭步驟、以及晶粒旋轉步驟；該拾取步驟，是使用拾取頭從晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒載置於對準平台，該接合頭步驟，是使用接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒，並接合於基板或是已被接合的晶粒上，該晶粒旋轉步驟，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，在平行於上述接合之一面的一面以預定角度來旋轉上述晶粒的姿勢，做為第2特徵。
還有，在上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，判斷是否以上述預定角度來旋轉上述晶粒，做為第3特徵。
又，本發明是交互地進行以上述預定角度旋轉上述晶粒所進行的接合，與未以上述預定角度旋轉上述晶粒所進行的接合，做為第4特徵。
還有，本發明為，上述晶粒旋轉是旋轉上述對準平台所進行，做為第5特徵。
又，本發明為，上述晶粒旋轉是以預定角度來旋轉上述拾取頭所進行，做為第6特徵。
還有，本發明為，上述預定角度是180度或90度，做為第7特徵。
又，本發明為，設置2台上述對準平台，從複數的上述晶圓各別拾取晶粒，並以上述複數的單位交互地載置於2台的上述對準平台，以上述複數的單位從2台的上述對 準平台交互地拾取上述晶粒，朝向平行於上述接合頭的移動方向互相相反方向地移動2台的上述對準平台，做為第8特徵。
因此，依照本發明，可提供一種尤其是對於已接合的晶粒，即使旋轉晶粒180度予以層積，也可得到高品質的製品的晶粒接合器或接合方法。
以下，使用圖式來說明本發明的實施形態。
(實施形態1)
第1圖是本發明的實施形態1的晶粒接合器10的概略前視圖。第2圖是說明表示在第1圖中由箭形符號A方向觀看的本實施形態之特徵的構造與其動作的圖式。
晶粒接合器10是大致具有：晶粒供應部1、及拾取部2、及對準部3、及接合部4、及搬運部5、及基板供應部6、及基板搬出部7、以及控制部8；該晶粒供應部1是供應安裝於基板P的晶粒D，該拾取部2是從晶粒供應部1拾取晶粒，該對準部3是中間性地暫時載置被拾取的晶粒D，該接合部4是拾取對準部的晶粒D並接合於基板P或是已被接合的晶粒上，該搬運部5是將基板P搬運至安裝位置，該基板供應部6是在搬運部5供應基板，該基 板搬出部7是接受被安裝的基板P，該控制部8是監控各部的動作。
首先，晶粒供應部1是具有：保持晶圓11的晶圓保持台12、與從晶圓11頂推晶粒D之以虛線所表示的頂推單元13。晶粒供應部1是藉由未圖示的驅動手段朝向XY方向移動，並將拾取的晶粒D移動至頂推單元13的位置。
拾取部2是具有將以頂推單元13所頂推的晶粒D吸附保持於前端的夾頭22(也參照第2圖)，且具有：拾取晶粒D並載置於對準部3的拾取頭21，及朝向Y方向移動拾取頭21的拾取頭的Y驅動部23。拾取頭21是具有使夾頭22昇降、旋轉及X方向移動的未圖示的各驅動部。
對準部3是具有：暫時性地載置晶粒D的對準平台31，及為了辨識對準平台31上的晶粒D的平台辨識照相機32。
接合部4是具有：具有與拾取頭相同的構造，從對準平台31拾取晶粒D，並接合於被搬來的基板P的接合頭41，及朝向Y方向移動接合頭41的Y驅動部43，及攝影被搬來的基板P的位置辨識標誌(未圖示)，並辨識應接合的晶粒D的接合位置的基板辨識照相機44。
藉由此種構造，接合頭41，是依據平台辨識照相機32的攝影資料來修正拾取位置或姿勢，又從對準平台31拾取晶粒D，並依據基板辨識照相機44的攝影資料將晶粒D接合於基板P。
搬運部5是具備：載置一枚或複數枚的基板(在第1圖為4枚)的基板搬運托板51，及基板搬運托板51所移動的托板軌道52，具有並行所設置的同一構造的第1、第2搬運部。基板搬運托板51是藉由以沿著托板軌道52所設置的未圖示的滾珠螺栓來驅動設於基板搬運托板的未圖示的螺帽進行移動。
藉由此種構造，基板搬運托板51是以基板供應部6載置基板，並沿著托板軌道52移動至接合位置，經接合之後移動至基板搬出部7並將基板交給基板搬出部7。第1、第2搬運部是互相獨立地被驅動，在被載置於一方的基板搬運托板51的基板P接合晶粒D中，另一方的基板搬運托板51是搬出基板P，回到基板供應部6，進行載置新基板等的準備。
本實施形態的特徵，是在於接合頭41拾取晶粒D之前，設置在平行於晶粒D的接合面的一面旋轉180度的晶粒旋轉手段。結果，未將接合頭41旋轉180度，可經常地以相同0度的姿勢接合晶粒D，因而可減低發生晶粒與晶粒之間的空隙。還有，歪斜所導致的旋轉中心偏移也不會發生，可精度優異地層積晶粒。又，尤其是將調整接合頭41的歪斜的姿勢精度優異地做為0度。
(實施例1)
第2圖是表示本發明的實施形態1之特徵的晶粒旋轉手段的第1實施例1的構造與動作的圖式。
實施例1的晶粒旋轉手段9，是將對準平台31如箭形符號R所示地旋轉180度的手段。晶粒旋轉手段9是具有：作為驅動源的馬達91，及將馬達的旋轉傳動至對準平台31的馬達軸92。藉由該構造，使用拾取頭21將晶粒D載置於對準平台之後，將對準平台31予以旋轉180度。結果，接合頭是可經常地以0度的相同姿勢接合晶粒D。
第3圖是表示圖示於第2圖的實施例1的動作流程的圖式。以下，一面參照第2圖一面說明動作流程。
首先，利用拾取頭21，使用夾頭22來吸附利用頂推單元13被頂推的晶粒D進行拾取(步驟1)，並載置於對準平台31(步驟2)。又，拾取頭21是返回，俾以拾取載置晶粒D的下一晶粒。第2圖是表示其狀態。
然後，判斷是否需要旋轉晶粒D的姿勢180度(步驟3)。若需要，則將對準平台31藉由旋轉手段9進行旋轉180度(步驟4)，移行至下一步驟5。若不需要則直接移行至步驟5。
之後，藉由平台辨識照相機32來辨識晶粒D及晶粒的載置狀態(步驟5)。接合頭41，是依據上述辨識結果，來修正位置或姿勢並拾取晶粒(步驟6)。這時候，接合頭41是依據辨識進行旋轉來修正姿勢，惟該修正是頂多±1度以內，而且視時候使修正量不相同。因此，與旋轉本發明的特徵的預定角度不相同。
然後，接合頭41，是將使用夾頭42進行吸附而所拾 取的晶粒D對於基板P或是已接合的晶粒進行層積(接合)(步驟7)。又，第2圖的接合頭41，是表示經接合晶粒D之後，為了拾取下一晶粒D而朝向對準平台31的情況。
最後，判斷是否接合預定個數的晶粒D(步驟8)，若未接合則回到步驟1，而若有接合則完成處理。
第3圖的處理流程是也考慮到晶粒的姿勢在0度的情形或是180度的情形隨機發生的例子。若晶粒的姿勢在0度的情形或是180度的情形交互地發生，則未進行步驟3之判斷，而串聯地設置各別的處理流程也可以。
(實施例2)
第4圖是表示本發明的實施形態1之特徵的晶粒旋轉手段的第2實施例2的構造與動作的圖式。
實施例2與實施例1不相同之處，為了旋轉晶粒D的姿勢180度，在實施例1中是旋轉對準平台31，180度，惟在實施例2中，如箭形符號R所示，旋轉180度拾取頭21，之後，將晶粒D載置於對準平台31。旋轉180度的拾取頭21之位置若在從頂推單元13的位置被載置於對準平台之間即可。
還有，表示於第4圖的狀態，是拾取頭21來到對準平台31的上部而將晶粒D旋轉180度，並欲載置於對準平台31的情形。另一方面，接合頭41，是同步於拾取頭21的動作，並對於基板P或是已接合的晶粒D再加以接 合的情形。
第5圖是表示圖示於第4圖的實施例2的動作流程的圖式。以下，一面參照第4圖一面說明與表示於第3圖的實施例1的動作流程不相同之處。
在實施例2中，為了使用拾取頭21進行旋轉晶粒D的姿勢180度(步驟13)，將旋轉晶粒D的姿勢180度的判斷(步驟12)，在將晶粒D載置於對準平台31(步驟14)之前進行。亦即，與實施例1，是判斷旋轉180度晶粒D的姿勢的步驟，及將晶粒D載置於對準平台31的步驟成為替換的流程。其他之處，是與實施例1相同。
第5圖的處理流程是也考慮到晶粒的姿勢在0度的情形與180度的情形隨機發生的例子。若晶粒的姿勢在0度的情形與180度的情形交互地發生，則與實施例1同樣地，未進行步驟3之判斷，而串聯地設置各別的處理流程也可以。
依照上述所說明的實施例1及2，因未將接合頭41旋轉180度，而經常地以相同0度的姿勢來接合晶粒D，因比可減低發生晶粒與晶粒之間的空隙。還有，也不會發生因歪斜所導致的旋轉中心偏移，而可精度優異地層積晶粒。
結果，依照實施例1及2，提供一種尤其是對於已接合的晶粒，即使旋轉晶粒180度予以層積，也可得到高品質的製品的晶粒接合器及接合方法。
依照以上所說明的實施例1及2，是在對準平台31 設置1個晶粒，惟拾取頭21與接合頭41是一面同步一面進行處理。為了緩和其同步，在對準平台31設置2個晶粒也可以。
(實施形態2)
第6圖是本發明的實施形態2的晶粒接合器10A的概略前視圖。第7圖是說明表示在第6圖中從箭形符號A方向觀看的本實施形態之特徵的構造與其動作的圖式。在第6圖及第7圖中，具有與實施形態1同一構造或同一功能者給予同一符號。
實施形態2與實施形態1不相同之處，第1是將複數種類的晶粒D對於基板或是已接合的晶粒做成可層積之處。為了此，以可供應複數種類的晶圓的方式設置複數(在第6圖為4台)晶圓保持台12。4台晶圓保持台12，是被固定於以虛線表示的保持平台14的4邊側。晶圓保持平台14是與實施形態1同樣地，具有：將預定晶粒移動在基本上被固定的頂推單元13上之未予圖示的XY驅動部，及為了選擇4台晶圓保持台12(晶圓11)，又設置於XY驅動部上的未予圖示的旋轉驅動部。基本上，也表示具有微調整機構。
晶圓保持台12的數量是未被限制於4台，2台、3台或是5台以上也可以。還有，晶粒D的種類也與晶圓保持台12的數量不一致也可以。亦即，在複數的晶圓保持台12設置同一種類的晶粒D也可以。
在實施形態2中也與實施形態1同樣地，具有設置在接合頭41拾取晶粒D之前把晶粒D旋轉180度的晶粒旋轉手段的特徵。
(實施例3)
第7圖是表示作為本發明的實施形態2之特徵之具有晶粒旋轉手段的第3實施例3的構造與動作的圖式。
實施例3，是為了有效率地接合，設置可載置複數個晶粒D的2台對準平台31A、31B。而且，如箭形符號K所示，2台對準平台31A、31B，是成為藉由未予圖示之移動手段朝向互相相反的方向可往復移動不相同高度的位置。還有，對準平台31A、31B，是可藉由未圖示之昇降手段進行昇降，俾以可在同一高度位置載置及拾取晶粒D。當然，未設置昇降手段，而擴展拾取頭21及接合頭41的運轉範圍，並以2台對準平台來變更載置及拾取的高度位置也可以。
實施例3是如下述地可對應於各個晶粒D之姿勢的方式具有晶粒旋轉手段9，該晶粒旋轉手段9是如箭形符號R所示地將實施例2所表示的拾取頭21旋轉180度。
在實施例3中，一面控制晶圓保持平台14，一面從全部或是預定的複數晶圓依次拾取晶粒D，之後例如載置於位在拾取頭21側的對準平台31B。當載置各個晶粒D時，則判斷晶粒的姿勢為0度的情形與180度並進行載置。另一方面，接合頭41是在拾取頭21載置於對準平台 31B之期間，將已被載置於對準平台31A的複數晶粒D依次層積於基板P或已被接合的晶粒並進行接合。
第7圖是表示拾取頭21載置4個晶粒於對準平台31A之後，在移動至頂推單元13側的對準平台31B欲載置第1個晶粒的狀態。還有，第7圖是表示從接合頭41移動至基板側的對準平台31A拾取第1個晶粒，並予以接合的狀態。
(實施例4)
在實施例3中，設置可載置複數個晶粒的2台對準平台31A、31B，惟與實施例1及2同樣地設置可載置1個或2個晶粒的1台對準平台31。因此，做為實施例4的晶粒旋轉手段9，可使用實施例1及2的手段的任一手段。
在實施例3及4中，因也未將接合頭41旋轉180度，而經常以相同0度的姿勢來接合晶粒D，因比可減低發生晶粒與晶粒之間的空隙。還有，不會發生因歪斜所導致的旋轉中心偏移，可精度優異地層積晶粒。
結果，在實施例3及4中，提供一種尤其是對於已接合的晶粒，即使旋轉晶粒180度予以層積，也可得到高品質的製品的晶粒接合器及接合方法。
還有，以上所說明的實施例1至4，是表示將晶粒D的姿勢予以旋轉180度的情形。晶粒為正方形的情形，是不僅旋轉180度，也有旋轉±90度來進行的情形。這時 候，是將對準平台31或拾取頭21予以旋轉±90度來進行。
如以上地針對本發明的實施形態加以說明，惟依據以上的說明對於熟習該項技術者而言可做各種代替例、修正或變形，本發明是在未超越其趣旨的範圍包含上述的各種代替例、修正或變形者。
1‧‧‧晶粒供應部
10、10A‧‧‧晶粒接合器
11‧‧‧晶圓
12‧‧‧晶圓保持台
13‧‧‧頂推單元
14‧‧‧晶圓保持平台
2‧‧‧拾取部
21‧‧‧拾取頭
22‧‧‧夾頭
23‧‧‧拾取頭的Y驅動部
3‧‧‧對準部
31、31A、31B‧‧‧對準平台
32‧‧‧平台辨識照相機
4‧‧‧接合部
41‧‧‧接合頭
42‧‧‧夾頭
43‧‧‧接合頭的Y驅動部
44‧‧‧基板辨識照相機
5‧‧‧搬運部
6‧‧‧基板供應部
7‧‧‧基板搬出部
8‧‧‧控制部
D‧‧‧晶粒
P‧‧‧基板
第1圖是本發明的實施形態1的晶粒接合器10的概略前視圖。
第2圖是表示本發明的實施形態1之特徵的晶粒旋轉手段的第1實施例1的構造與動作的圖式。
第3圖是表示圖示於第2圖的實施例1的動作流程的圖式。
第4圖是表示本發明的實施形態1之特徵的晶粒旋轉手段的第2實施例2的構造與動作的圖式。
第5圖是表示圖示於第4圖的實施例2的動作流程的圖式。
第6圖是本發明的實施形態2的晶粒接合器10A的概略前視圖。
第7圖是表示作為本發明的實施形態2之特徵之具有晶粒旋轉手段的第3實施例3的構造與動作的圖式。
13‧‧‧頂推單元
21‧‧‧拾取頭
22‧‧‧夾頭
31‧‧‧對準平台
32‧‧‧平台辨識照相機
41‧‧‧接合頭
42‧‧‧夾頭
D‧‧‧晶粒
R‧‧‧箭形符號

Claims (14)

  1. 一種晶粒接合器，其特徵為：具有：晶粒供應部、及拾取頭、及接合頭、以及晶粒旋轉手段；該晶粒供應部，是保持晶圓，該拾取頭，是從上述晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒載置於對準平台，該接合頭，是從上述對準平台拾取上述晶粒，並接合於基板或是已被接合的上述晶粒上，該晶粒旋轉手段，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，在平行於上述接合之一面的一面以預定角度來旋轉上述晶粒的姿勢。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒接合器，其中，具有：判斷手段；該判斷手段，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，判斷是否以上述預定角度來旋轉上述晶粒。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒接合器，其中，上述晶粒旋轉手段，是旋轉上述對準平台的手段。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的晶粒接合器，其中，上述晶粒旋轉手段，是以預定角度來旋轉上述拾取頭的手段。
  5. 如申請專利範圍第1項或第4項所述的晶粒接合器，其中，上述預定角度是180度或90度。
  6. 如申請專利範圍第3項或第4項所述的晶粒接合器，其中，上述晶粒供應部是保持1枚晶圓，而上述對準平台是可載置1個或2個的上述晶粒。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的晶粒接合器，其中，上述晶粒供應部是保持複數枚晶圓，並設置2台的上述對準平台，而2台的上述對準平台是具有可載置複數個晶粒，並朝向平行於上述接合頭的移動方向互相相反方向地移動2台的上述對準平台的手段。
  8. 一種接合方法，其特徵為：具有：拾取步驟、及接合頭步驟、以及晶粒旋轉步驟；該拾取步驟，是使用拾取頭從晶圓拾取晶粒，並將上述晶粒載置於對準平台，該接合頭步驟，是使用接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒，並接合於基板或是已被接合的上述晶粒上，該晶粒旋轉步驟，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，在平行於上述接合之一面的一面以預定角度來旋轉上述晶粒的姿勢。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的接合方法，其中，具有：判斷步驟；該判斷步驟，是上述接合頭從上述對準平台拾取上述晶粒之前，判斷是否以上述預定角度來旋轉上述晶粒。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的接合方法，其中， 交互地進行上述旋轉步驟與未以上述預定角度旋轉而接合上述晶粒的步驟。
  11. 如申請專利範圍第8項所述的接合方法，其中，上述晶粒旋轉步驟，是旋轉上述對準平台所進行。
  12. 如申請專利範圍第8項所述的接合方法，其中，上述晶粒旋轉步驟，是以預定角度來旋轉上述拾取頭所進行。
  13. 如申請專利範圍第8項或第12項所述的接合方法，其中，上述預定角度是180度或90度。
  14. 如申請專利範圍第9項所述的接合方法，其中，設置2台上述對準平台，上述拾取步驟，是從複數的上述晶圓各別拾取晶粒，並以上述複數的單位交互地載置於2台的上述對準平台，上述接合頭步驟，是以上述複數的單位從2台的上述對準平台交互地拾取上述晶粒，2台的上述對準平台，朝向平行於上述接合頭的移動方向互相相反方向地移動的步驟。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI624905B (zh) * 2017-01-23 2018-05-21 多晶粒壓合機
TWI626696B (zh) * 2014-09-10 2018-06-11 捷進科技有限公司 Die splicer
TWI677047B (zh) * 2017-02-13 2019-11-11 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5865639B2 (ja) * 2011-09-15 2016-02-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
KR101923531B1 (ko) * 2011-12-23 2018-11-30 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치
KR20140146852A (ko) * 2013-06-18 2014-12-29 삼성테크윈 주식회사 플립칩 마운터 및 이를 이용한 마운팅 방법
JP6341641B2 (ja) * 2013-08-09 2018-06-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
JP6276553B2 (ja) * 2013-10-04 2018-02-07 ファスフォードテクノロジ株式会社 ボンディングヘッドの回転軸の姿勢検出方法並びにダイボンダ及びボンディング方法
JP5662603B1 (ja) * 2014-02-27 2015-02-04 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
IL232079B (en) 2014-04-10 2018-05-31 Hanita Metal Works Ltd A cutting tool with improved chip removal capability and a method for its preparation
USD774573S1 (en) 2014-04-10 2016-12-20 Kennametal Inc Cutting tool with W-shaped flute gully
JP6400938B2 (ja) * 2014-04-30 2018-10-03 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ及びボンディング方法
USD783692S1 (en) * 2014-05-21 2017-04-11 Brewer Science Inc. Spin coater/developer
USD785058S1 (en) * 2014-05-21 2017-04-25 Brewer Science Inc. Spin coater
JP2016162914A (ja) * 2015-03-03 2016-09-05 株式会社ディスコ 真空ピンセット
JP6510837B2 (ja) * 2015-03-11 2019-05-08 ファスフォードテクノロジ株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法
JP6510838B2 (ja) * 2015-03-11 2019-05-08 ファスフォードテクノロジ株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法
JP6470088B2 (ja) * 2015-04-02 2019-02-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ボンディング装置及びボンディング方法
US9878379B2 (en) 2015-04-22 2018-01-30 Kennametal Inc. Cutting tool with enhanced chip evacuation capability and method of making same
CN107134422A (zh) * 2016-02-29 2017-09-05 上海微电子装备（集团）股份有限公司 芯片键合装置及方法
CN107134418B (zh) 2016-02-29 2020-02-18 上海微电子装备（集团）股份有限公司 倒装芯片键合装置及键合方法
CN107134421A (zh) * 2016-02-29 2017-09-05 上海微电子装备有限公司 一种自动键合设备
CN107134446B (zh) * 2016-02-29 2019-05-31 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片键合装置及键合方法
CN107134419B (zh) * 2016-02-29 2020-04-10 上海微电子装备（集团）股份有限公司 倒装芯片键合装置及其键合方法
CN107134427B (zh) * 2016-02-29 2020-05-01 上海微电子装备（集团）股份有限公司 芯片键合装置及方法
CN107134423B (zh) * 2016-02-29 2020-11-20 上海微电子装备（集团）股份有限公司 倒装芯片键合装置及其键合方法
JP6667326B2 (ja) 2016-03-17 2020-03-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダおよびボンディング方法
KR102580580B1 (ko) * 2016-04-26 2023-09-20 세메스 주식회사 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하기 위한 장치 및 방법
JP6797569B2 (ja) * 2016-06-13 2020-12-09 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
WO2018154760A1 (ja) * 2017-02-27 2018-08-30 ヤマハ発動機株式会社 部品実装装置
CN108511364B (zh) * 2017-02-28 2020-01-24 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种芯片键合装置
JP7033878B2 (ja) * 2017-10-16 2022-03-11 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US11540399B1 (en) * 2020-04-09 2022-12-27 Hrl Laboratories, Llc System and method for bonding a cable to a substrate using a die bonder
DE102021105594B3 (de) * 2021-03-09 2022-06-09 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Positionskorrektur von Bauteilen mit einer Aufnahmevorrichtung, Aufnahmevorrichtung, Computerprogrammprodukt und computerlesbares Medium
CN113471107B (zh) * 2021-06-29 2022-04-19 深圳新益昌科技股份有限公司 固晶机及固晶方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103429A (en) * 1980-01-22 1981-08-18 Shinkawa Ltd Die bonder
JPS61247039A (ja) * 1985-04-24 1986-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体組立装置
JP3443193B2 (ja) * 1993-11-26 2003-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 ペレットボンディング装置
KR0155774B1 (ko) * 1994-10-29 1998-12-01 이대원 다이 본딩방법 및 그 장치
JP3728889B2 (ja) * 1997-08-20 2005-12-21 松下電器産業株式会社 ２素子マウント装置
US6113811A (en) * 1998-01-13 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Dichroic polarizing film and optical polarizer containing the film
KR100278603B1 (ko) * 1998-09-30 2001-01-15 윤종용 미세간극 볼 그리드 어레이 패키지용 다이본딩 설비 및 다이본딩 방법
JP3546376B2 (ja) * 2000-08-07 2004-07-28 澁谷工業株式会社 ボンディング装置
JP4780858B2 (ja) * 2001-06-06 2011-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP3636127B2 (ja) * 2001-10-12 2005-04-06 松下電器産業株式会社 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP4056978B2 (ja) * 2004-01-19 2008-03-05 株式会社新川 ダイボンディング方法及びその装置
JP2006135013A (ja) * 2004-11-04 2006-05-25 Renesas Technology Corp 実装装置及び実装方法
JP2007158102A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Shibuya Kogyo Co Ltd ボンディング装置
JP2007165351A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Shibuya Kogyo Co Ltd ダイボンディング方法
JP2008270278A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Nec Electronics Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP5065969B2 (ja) 2008-03-31 2012-11-07 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ 部品実装装置
KR101657531B1 (ko) * 2009-11-17 2016-10-04 세메스 주식회사 다이 이송 유닛, 이를 포함하는 다이 본딩 장치 및 다이 이송 방법
TWM498413U (zh) * 2014-07-25 2015-04-01 Pei-Qiang Lin 延長線電源供應器排插

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI626696B (zh) * 2014-09-10 2018-06-11 捷進科技有限公司 Die splicer
TWI624905B (zh) * 2017-01-23 2018-05-21 多晶粒壓合機
TWI677047B (zh) * 2017-02-13 2019-11-11 日商捷進科技有限公司 半導體製造裝置及半導體裝置的製造方法

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Publication number Publication date
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