TW201243518A - Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method - Google Patents

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TW101116087A
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Marco Koert Stavenga
Richard Joseph Bruls
Hans Jansen
Martinus Hendrikus Antonius Leenders
Peter Franciscus Wanten
Johannes Wilhelmus Jacobus Leonardus Cuijpers
Raymond Gerardus Marius Beeren
Jong Anthonius Martinus Cornelis Petrus De
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Asml Netherlands Bv
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Description

201243518 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置及一 種清洗微影裝 置之方 法。 【先前技術】 微影裝置係-機器’其將所需圖案施加至基板上，通常 係施加至該基板之-目#部分上。微影裝置可用於（例如） 積體電路(ic)之製造。在該實例巾，可使用一圖案化器件 (另稱為光罩或標線片)以產生一欲形成於積體電路之個別 層上的電路圖案，此圖案轉移至一基板(例如石夕晶圓) 上之目標部分(例如包含一或數個晶粒之部分)上。通常經 由成像將圖案轉移至該基板上所提供卜輻射㈣㈣ (光阻)層上。-般而言，一單一基板將包含連續圖案化之 …私邵分之一網路。熟知的微影裝置包括所謂步進 機，其中藉由一次將整個圖案曝光於目標部分上來照射各 目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在一給定方向（”掃描" 方向）上透㈣射光束掃描圖案’同時與此方向平行或反 平行地同步掃描基板來照射各目標部分。亦可能藉由將該 圖案壓印至基板上而將該圖案從該圖案化器件轉移至該基 板0 已提出將該微影投影裝置中之基板沉浸式在-折射率相 對較同的液體(例如水)中，以填充該投影系統之最後元件 與6亥基板間的空間。因為曝光輕射於液體中將具有較短波 長，故此點致能成像較小特徵。（液體之效應亦可視為增 I61373.doc 201243518 加該系統的有效ΝΑ，且亦增加焦點深度）。已經提出其他 沉浸式液體，包括具有懸浮於其中之固體粒子（例如石英） 的水。 然而’使該基板或基板與基板台沈入一液體槽中（例 如，參見美國專利第4,509,852號）意謂著必須在掃描曝光 期間加速大量的液體。此需要額外或多個有力之馬達且 液體中的擾動可能導致不合需要且無法預期的效應。 針對液體供應系統而提出的解決方案之一係使用一液體 限制系統僅在該基板的局部區域上及該投影系統之最後元 件與該基板（該基板的表面積一般大於該投影系統之最後 元件）間提供液體。一種為此提出之配置方式已在pCT專利 申請公開案第WO 99/49504號中加以揭示。如圖2及3所 示，液體係藉由至少一入口 IN而供應至該基板上（較佳係 沿該基板相對於最後元件之移動方向），且在該投影系統 下通過後’藉由至少一出口 OUT而移除。即，隨著在元件 下依-X方向掃描基板’會在元件的+X側處供應液體並 在-X側處將其帶走。圖2示意性顯示該配置，其中經由入口 IN供應液體’並藉由出口 OUT(其係連接至一低壓源）在元 件的另一側上將其帶走。在圖2之說明中，沿基板相對於 最後元件之移動方向供應液體，雖然實際情況不一定需要 如此。可能有各種方位及數目的入口及出口定位於該最後 元件周圍’其一範例係顯示於圖3中，其中四組入口（在任 一側上皆有一、口）係以規則圖案提供於最後元件周圍。 圖4顯示另一具有局部液體供應系統之沉浸式微影解決 16l373.doc 201243518 方案。藉由投影系統PL任一側上之兩溝槽入口 IN供應液 體’且藉由沿入口 IN之徑向向外所配置之複數個離散出口 OUT將液體移除。入口 IN及OUT可配置在一·板中，該板在 其中心具有一孔且透過該孔投射投影光束。藉由投影系統 PL之一側上之一溝槽入口 IN供應液體，且藉由投影系統 PL之另一側上之複數個離散出口 out將液體移除，造成投 影系統PL與基板W之間之一液體之薄膜的流動。選擇使用 入口 IN與出口 0UT的哪一組合，可取決於基板w的移動方 向（入口 IN與出口 0UT之另一組合不起作用）。 在歐洲專利申請公開案第EP 1420300號及美國專利申請 公開案第US 2004-0136494號（每一公開案均係以引用方式 王文併入本文中）中揭示一成對或雙級沉浸式微影裝置之 概念。此-裝置係具有用於支撑—基板之兩個台。調平測 量係採用第一位置處之一台來實行’其無沉浸式液體；而 曝光則係㈣第二位置處之—台來實行，纟中存在沉浸式 液體。或者，該裝置僅具有一台。 沉浸式液體可帶走來^、 疋术自微衫裝置之部分及/或基板之碎 屑或粒子（例如製程中所_ @ 4 p i 所留下之碎屑或粒子）或腐蝕組件以 致於引入粒子。此碎屑可能 J月b隨後在成像之後留在基板上或 可能懸浮於投影系統與基板間之液體中而干擾成像。因 此，％浸式《裝置中的污_題應加以解決。 【發明内容】 例如，需要提供一種 壯班' 很今易且有效地加以清洗的微影 裝置以及提供一種有效、吝兮丄 令政清洗》儿浸式微影裝置之方法。 I61373.doc -5- 201243518 依據本發明之女π , 八. 方面，耠供一種沉浸式微影投影裝置， 、 基板α，其係構造且配置成用以固持一基板； :技影系統’其係組態成用以將一圖案化輻射光束投射至 該士板上’·一百萬赫茲超音波變換器，其係組態成用以清 先表面，及一液體供應系統，其係構造且配置成用以在 該百萬赫兹超音波變換器與該待清洗表面之間供應液體。 據本發明之彳面，提供一種沉浸式微影投影裝置， 其包3 基板σ ’其係構造且配置成用以固持一基板； -投影系、统，其係組態成用以將m㈣光束投射至 該基板上；-百萬_超音㈣換器，其係組態成用以清 洗^表面’該百萬難超音波變換器係可相對於該表面移 動則更，在一清洗模式中，在該百萬赫茲超音波變換器與 該表面之时在-穿過液體的直接筆直路徑；及—液體供 應系統，其係組態成用以在該變換器與該表面之間提 依據本發明之-方面，提供—種清m切影投影 裝置之-表面的方法’其包含：使該待清洗表面之至少一 部分覆蓋在液體中；及將百萬赫兹超音波引入至該液體 中0 【實施方式】 圖1示意性說明依據本發明之一具體實施例的一微影裝 置。該裝置包含： 〜、 -照明系統(照明器”L，其係組態成用以調節輪射光束 B(例如UV輻射或DUV輻射）； J6l373.doc 201243518 H结構（例如光罩台）MT，其係構造成支撐一圖案 器件（例如光罩）μα並連接至一第—定位器pM，該第一 定位器PM係組態成用以依據某些參數來精確定位該圖案 化器件； 一基板台（例如晶圓台）WT,其係構造成固持一基板（例 如光阻塗布的晶圓）W且係連接至一第二定位器ρψ，該第 二定位器PW係組態成用以依據某些參數來精敎位該基 板；及 一投影系統（例如，—折射式投影透鏡系統）PS，其係組 態成用以將藉由圖案化器件MA賦予該輻射光束8之一圖案 投射至該基板w的-目標部分c(例如，包含m固晶粒）
上Q 該照明系統可包括各種類型光學組件，例如折射、反 射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件或其任何組 合，用於導引、成形或控制輻射。 該支撐結構以取決於圖案化器件之方位、微影裝置之設 計及其他條件（例如該圖案化器件是否係固持於真空環境 中）之一方式來固持圖案化器件^該支撐結構可使用機 械、真空、靜電或其他夾緊技術來固持圖案化器件。該支 撐結構可係（例如）一框架或一台，其可視需要而固定或可 移動。該支撐結構可確保該圖案化器件係處於一所需位置 (例如相對於投影系統）。本文所使用的任何術語，，標線片" 或"光罩"皆可視為與更通用術語"圖案化器件"同義。 本文中所使用的術語"圖案化器件"應廣泛地解釋成指可 161373.doc 201243518 2以在輻射光束之斷面中賦予—圖案而（例如）在該基板之 目‘。p分令建立一圖案之任何器件。應注意，例如，若 該圖案包括相移特徵或所謂的辅助特徵，貝丨j已賦予該輻射 光束之圖案可能不會確實對應於該基板之目標部分十的所 需圖案。一般而言，已賦予該輻射光束之圖案將對應於在 該目標部分（例如積體電路）中所建立的一器件中之一特定 功能層。 該圖案化器件可為透射式或反射式。圖案化器件之範例 =括光罩、可程式鏡陣列以及可程式LCD面板。光罩在微 影中係為人所熟知，且包括（例如）二進制、交替式相移及 衣減式相移等光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式 鏡陣歹J之一範例採用小鏡的矩陣配置，各鏡可個別地傾 斜，以朝不同方向反射一進入輻射光束。該等傾斜鏡將一 圖案賦予該鏡矩陣所反射之一輻射光束内。 本文使用的術語"投影系統"應廣泛地解釋為涵蓋適合所 使用之曝光輻射或其他因素（例如使用沉浸式液體或使用 真空)的任何類型投影系統’其包括折射、反射、折反 射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。本文中 任何地方使用之術語"投影透鏡"皆可視為與更通用術語"投 影系統"同義。 如在此所描述’該裝置係透射類型（例如採用一透射式 光罩）。或者，該裝置可為反射類型（例如採用一上述類型 之可程式鏡陣列，或採用一反射光罩）。 該微影裝置可係具有兩個(雙級)或更多基板台（及，或兩 161373.doc 201243518 個或更多支撐結構）之一類型。在此類"多級"機器中，可平 行使用額外的台，或可在使用一或多個其他台進行曝光時 在一或多個台上實行準備步驟。 參考圖1，照明器IL接收來自一輻射源8〇之—輻射光 束。例如，當該輻射源為準分子雷射時，該輻射源與該微 影裝置可為分離實體。在此類情況下，該輻射源不會被視 為形成微影裝置之部分，且會借助於一光束輸送系統 BD(例如包含合適導引鏡及/或光束擴展器）將輻射光束從 輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，該輻射源可為 該微影裝置之一整合部分，例如當該輻射源為一汞燈時。 可將輻射源SO與照明器IL(如有必要，連同該光束輸送系 統BD)稱為一輕射系統。 该照明器IL可包含一用於調整該輻射光束之角強度分佈 的調整器AD。一般而言，可以調整該照明器之一光瞳平 面中強度分佈的至少外及/或内徑範圍（一般分別稱為〇•外 及σ-内）。此外’該照明器比可包含各種其他組件，例如 一積分器IN及一聚光器C0。該照明器可用以調節輻射光 束’以便在其斷面中具有所需均勻度及強度分佈。 輻射光束B係入射至固持於支撐結構（例如光罩台）Μτ上 的圖案化器件（例如光罩）MA上’並藉由該圖案化器件加 以圖案化。在行經圖案化器件MA之後，輻射光束b穿過投 影系統PS，其將光束聚焦在基板W之目標部分c上。借助 於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉器件、線性 編碼器或電容式感測器），便可精確地移動基板台WT，例 161373.doc 201243518 如用以在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分c。同樣 也了使用第一疋位器卩^及另_位置感測器（未明示於圖1 中）來相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件 MA，例如在以機械方式自光罩庫中取回之後或在掃描期 間。一般而言，支撐結構Μτ之移動可借助於一長衝程模 組（粗略定位）及一短衝程模組（精細定位）來實現，該等模 組形成該·第-定位器PM之部分。同樣地，基板台资之移 動可使用-長衝程模組及—短衝程模組來實現，該等模叙 形成該第二定位器Pw之部分。在步進機的情況下⑽掃描 器相反），支撐結構MT可僅連接至一短衝程致動器，或可 為固定可使用圖案化器件對齊標記M1、M2及基板對齊 標》己PI、P2來對齊圖案化器件MA與基板w。雖然如上所 述基板對齊標記佔用專用目標部分，不過其可位於目標部 分(此等係稱為劃線道對齊標記)間的空間内。同樣地，在 圖案化器件Μ A上乂供多倘晶粒的情形中’該等圖案化器 件對齊標記可位於該等晶粒之間。 所述裝置可用於以下模式中的至少一模式中： •在步進模式中，支撐結構MT及基板台WT基本上保 持靜止’同時將賦予該韓射光束之整個圖案一次(即單二、 靜態曝光）投射至一目標部分C上。隨後’讓該基板台WT 在X及/或Y方向上偏移，以便能曝光一不同的目標部分 C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單一靜態曝光 中所成像的目標部分C之尺寸。 2. 在掃描模式中 同步掃描該支撐結構MT與該基板 161373.doc 201243518 :wt ’同時將賦予該輻射光束之一圖案投射至一目標部 刀C上（即’單—動態曝光）。該基板台资相對於該支撲結 構猜的速度及方向，可藉由投影系統PS之（縮）放率及影像 反轉特徵來決定。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制 單一動態曝光中該目標部分之寬度（在非掃描方向上），而 掃描運動之長度決定該目標部分之高度(在掃描方向上 3·在另一模式中，支撐結構MT係基本上保持靜止地 固持一可程式圖案化器#，且移動或掃描基板台WT，同 時將賦予輻射光束之一圖案投射到一目標部分c上。在此 模式中’-般採用—脈衝式㈣源，且視需要在掃描期間 基板台WT之各移動後’或在連續㈣脈衝間更新該可程 式圖案化器件。此操作模式可很容易應詩採用可程式圖 案化器件(例如上述類型的可程式鏡陣列)的無光罩微影 中。 亦可採用上述使用模式的組合及/或變異或完全不 使用模式。 已經提出的另一沉浸式微影解決方案（局部液體供應系 先解決方案）係為液體供應系統提供一障壁部件，該障壁 部件會沿著該投影系統之最I元件與該基板台間Μ間之 至少一部分邊界延伸。圖5顯示此一解決方案。雖然在2方 向（光學軸之方向）上可能有某些相對移動，但該障壁部件 相對於ΧΥ平面中之投影系統係實質上靜止。在—具體實 施例中，在障壁部件與基板之表面間形成一密封件且其 可為無接觸密封件，例如氣體密封件。 161373.doc 11 201243518 障壁部件12在投影系統PS之最後元件與基板〜間的空間 1 H至少部分包含液體。可在投影系統之影像場周圍形 成針對基板之無接觸密封件16，因此可將液體限制在基 板表面與投影系統之最後元件間的空間内。該空間係至少 部分藉由位於投影系統PS之最後元件下方且圍繞該最後元 件之障壁部件12而形成。藉由液體入口 13將液體引入至位 於投影系統下方且在障壁部件12内之空間中，且可藉由液 體出口 13移除液體。障壁部件12可在投影系統之最後元件 上方稍微延伸’且液體位準升至高於最後元件以便提供液 體之緩衝器。障壁部件12具有一内部周邊，在一具體實施 例中，該内部周邊在上端處會與該投影系統之形狀或其最 後70件之形狀非常一致，而且可（例如）為圓形。在底部 處，内部周邊與影像場之形狀（例如矩形）非常一致，不過 實際情況不一定需要如此。 藉由一氣體密封件16將液體包含在空間丨丨内，在使用中 氣體密封件16係在障壁部件12之底部及基板w之表面間形 成。該氣體密封件係由氣體（例如空氣或合成空氣，但在 一具體實施例中係氮氣或另一惰性氣體）形成，其係在壓 力下經由入口 15提供給障壁部件丨2與基板間之間隙，且經 由出口 14加以擷取。對氣體入口 15上之超壓、出口 14上的 真空位準及間隙的幾何形狀加以配置以便具有一限制液體 之南速氣體向内流動。此等入口 /出口可為圍繞空間丨丨之 環狀溝槽且氣流16可有效地將液體包含於空間u中。在美 國專利申請公開案第US 2004-0207824號（其係以引用方式 I61373.doc •12· 201243518 全文併入本文中）中揭示此一系統。 如上所述，沉浸式微影裝置係一透過液體使基板成像的 微影裝置。即，在投影系統ps之最後元件與基板之間提供 沉浸式液體。此配置可引起一或多個特定問題^特定言' 之，應將液體限制於裝置中且亦應儘可能地避免液體中包 含外物粒子，其可能會在成像期間及/或由於成像之後下 游處理之刖留在基板表面上而造成缺陷。有時特意使沉浸 式液體包括懸浮粒子。 本發明之一或多個具體實施例藉由提供一種裝置及一種 用以清洗沉浸式微影投影裝置之方法來解決外物粒子之問 題，在該方法中，將一清洗液體施加於待清洗表面並將百 萬赫兹超音波引入至該液體中以清洗表面。；青洗液體可與 沉浸式液體相同，或者可不相同。其可(例如)為超純水。 土與超音波相比，百萬料超音波產生料小因而可極其 靠近待清洗表面之空化氣泡（其内爆或振動）。不過，使用 百萬赫兹超音波可弓丨人至液體中之能量之數量有一限制。 一般而言’儘管可將超音波能量引入至液體任何位置處且 可在整個液體中分佈該能量’但僅局部位置處之百萬赫兹 超音波能量較高’因此必須將其直接導引至待清洗表面。 即，在引入百萬赫茲超音波之變換器與待清洗表面之間必 須存在一直接路徑（視線/直線）。應採用液體填充該路徑之 總長度。 叙為百萬赫茲超音波之頻率係在750 kHz至3 MHz之 1基於本發明之目的，使用高於大約75〇 kHz、高於j 16i373.doc -13- !1 201243518 MHz或高於1.5 mHz之頻率。 隨者引入聲能之頻率增加，清洗流體中靠近待清洗物體 表面的一停滯邊界層會變薄。在百萬赫茲超音波頻率下， 藉由清洗流體中具有高速壓力波之聲流以及氣泡振動（有 較小程度地空化與氣泡破裂）部分完成清洗。 在百萬赫茲超音波頻率下，可移除直徑小於〇 5 μηι之粒 子而不會損傷正在清洗之表面。如上所述，必須存在一自 變換器至正在清洗之表面的通暢路徑（視線卜為了進—步 提高清洗效率，可將氣體溶解到液體中以促進空化（氣泡 形成）。合適的氣體係氮氣、二氧化碳或氧氣，不過其他 氣體（例如臭氧或氩氣（包含水））也可能適合。在液體中使 用表面活性劑可進一步增強清洗效率。其他用以增強清洗 效率之可能方法包括在清洗液體中使用清潔劑或溶劑或添 加Η202溶液。 /儿次式微影裝置中可能需要清洗的物體包括但不受限 於，支撐基板W之基板台貿丁（其頂部表面）' 投影系統“之 最後元件（其在成像期間係沉浸式在沉浸式液體中）及成像 期間在投影系統PS之最後元件與基板w間提供液體之液體 限制系統之部分（例如圖2至5所示部分）。 在一具體實施例中，提供一液體供應系統以在百萬赫茲 超曰波變換器與待清洗表面之間提供液體。在該具體實施 例中液體供應系統提供一液體流以便隨著表面之清洗將 液體移除，從而將自表面移除之粒子帶走。一合適的液體 係超純形式之水。不過’其他類型之液體也可能適合。此 161373.doc 201243518 外，為液體添加一添加物（例如 上这表面活性劑）亦可能較 佳。其他清洗液體係（例如）水/過氧化氨、水/乙醇、水蜞 =⑽）' 水/氨或水/丙㈣合物。其他可用作添加物之 化學品包括丁ΜΑΗ與SC-1或SC-2。 將氣體（或某些溶劑）引入至液體中的-原因係此可促進 穩定空化。此導致在液體中形成穩定氣泡。接著藉由百萬 赫兹超音波使此等氣泡㈣，其可導致執行清洗，該清洗 對正在清洗之表面之損傷可能會小於所謂的瞬時空化(其 係溶劑蒸發而形成氣泡1後内爆或破裂之空化此等 強烈内爆可能導致損傷表面，而且通常在超音波頻率下會 看到此類内爆，而在百萬赫茲超音波頻率下（其中所產生 之氣泡傾向於小於超音波頻率下所產生之氣泡）此類内爆 不明顯。不過，如上所述，需要在待清洗表面之視線上供 應百萬赫兹超音波。 在大約1 MHz之頻率下，最多1〇〇秒之處理時間可導致 最大100%之粒子移除效率。若聲頻遠遠超過3 MHz，則在 剛剛高於1 MHZ之頻率上粒子移除效率會顯著減小。將氣 體引入至液體中主要會影響粒子移除效率。按2〇 ppm之位 準將氧氣引入至液體中時’直徑為34 nm之Si〇2.子之移 除的移除效率可從零增至30%。因此，高於大約5 ppm2 氣體濃度可能會有用。 溫度也可能很重要，而且應在高溫（即55。〇下的較快反 應時間與高溫下溶解較少氣體之間尋求一平衡。 液體之pH也有影響。pH低時，液體中存在許多矿離 161373.doc 201243518
=導：一正表面電荷，地，PH高時，液體包含許 多〇H離子，其導致一負表面電荷。因此，確體匕U
遠離pH 7可確保粒子在移除 ’、2pH 表面均帶相同電荷（帶正電或 祖子與 貝冤）時兩者間之靜雷妯沁 有助於帶走表面上之粒子。 變換器之功率廊& n 9 , 2 β ^20 mm^ n " ⑽之馬，照射距離應在5 與mm之間，而清洗時間應在_9〇秒之間 百萬赫茲超音波變換器之聲波、 萬赫錄超音波變換 器订進-直接路㈣至待清洗表面），提以干用以 沉浸式微影裝置之不同部分之設計。 广說明-第一具體實施例，其可用以(例如)清洗基板 。资之頂部表面。在此具體實施例中，液體供應系統包 含一障壁部件12 ’其圍繞變換器2〇。該障壁部件12可類似 於圖5之液體限制系統之障壁部件，因為其包含氣體密封 器件14' 15以使用氣流16在障壁部件12之 7之頂部表面間建立-密封件。因此，可極其靠Si 台WT之表面來定位配合於障壁部件12内之變換器。此 係一優點，因為變換器20應相當小以便配合於障壁部件12 内，進而應相對較靠近基板台WT之正在清洗頂部表面定 位變換器20(因為其具有低功率）。在一具體實施例中，百 萬赫兹超音波變換器20係小於1.5 mm或小於16 mm(與其 正在清洗之表面相差很多）。橫跨障壁部件12提供一液體 流且使變換器20之底部覆蓋在液體中。 基板台WT及/或障壁部件12與變換器20係彼此相對移 16l373.doc • 16 · 201243518 動，因此基板台wt之整個頂部表面均可得以清洗。可以 自動化方式在微影裝置内執行清洗或可採用Μ藉由某一 工具以手動方式使障壁部件12與變換請在基板台资之 頂部表面上方運動而執行清洗。 若自動執行清洗程序，則此之—配置方式係將障壁部件 12與變換器20配置成可自一靜止儲存位置移至一（靜止）清 洗位置且在變換器處於該（靜止）清洗位置處時可相對於變 換器來移動基板台Wh清洗器件之液體供應系統啟動 之前’可能需要沿z軸移動基板台WT。一旦建立氣流16, 即為障壁部件12供應液體且在χ_γ平面中移動基板台资， 以便可清洗需要清洗之表面。 圖7說明一第二具體實施例，其係用以清洗一液體限制 系統LCS(例如圖2至5所示液體限制系統），其係位於投影 系統PS之最後元件周圍。在圖7中，以範例方式說明一依 據圖5所示液體限制系統的液體限制系統。 在此具體實施例中，提供一可移動槽5〇，其在其底部表 面上具有一百萬赫茲超音波變換器2〇。該第二具體實施例 之百萬赫故超θ波變換器2〇可大於第一具體實施例之百萬 赫兹超音波變換器’因為沒有特定尺寸限制。因此，可使 百萬赫茲超音波變換器與待清洗表面（液體限制系統之底 表面）間之距離更大且最大為5〇 。在一具體實施例 中’該距離係小於40 mm或小於3 〇 mm。 一控制器控制可在一儲存位置與一清洗位置（如圖所示） 間移動的槽50之位置且其控制槽5〇中流體之位準。在一具 161373.doc 201243518 體實施例中，對流體之位準加以控制以便覆蓋液體限制系 統LCS之底部表面，但不會覆蓋投影系統ps之最後元件。 因此，不採用液體填充間隙75。此係用以保護投影系統之 最後元件以免聲波及/或清洗液體損傷該最後元件。以附 加或替代方式，可使用一護罩（可能採用板之形式）來屏蔽 投影系統之最後元件以免遭百萬赫茲超音波及/或液體之 損傷。在一具體實施例中’此槽配置可用以清洗投影系統 ps之最後元件，而且在該情況下，控制器使槽5〇中液體之 位準增加以便使投影系統PS之最後元件覆蓋在液體中。 在圖7所示第二具體，實施例中，槽50及/或變換器20可相 對於處於清洗位置處之投影系統PS以及液體限制系統L(：s 移動以便可清洗液體限制系統LCS之整個下表面。當然， 右變換器20大得足以在無需移動之情況下清洗液體限制系 、·先L C S之整個底部表面（或僅僅其一所需部分），則無需執 行此操作。 在圖8所示第三具體實施例（其係用以清洗（例如）基板台 wt之頂部表面）中，基板台WT具有一可伸縮障壁8〇，其 處於其清洗位置處時係在基板台WT之待清洗頂部表面上 方及其周圍延伸。障壁8〇一旦升至其清洗位置，即可在待 清洗表面上提供液體且百萬赫茲超音波變換器2〇可在基板 。WT之表面上方移動（液體覆蓋變換器2〇之底部表面）及/ 或基板台WT可在變換器20下方移動，藉此清洗基板台WT 之頂部表面。當然，可採用一類似具體實施例，其中障壁 80不可伸縮而係永久地附著於基板台或為一可移除部 161373.doc 201243518 分。在清洗操作期間’變換器20可固定或可移動（尤其是 沿Z方向）及/或亦可沿X/Y軸移動。 清洗基板台WT之頂部表面時，亦可同時清洗一或多個 提供於基板台WT之頂部表面上之感測器。感測器之類型 之範例包括透射式影像感測器、透鏡干涉計及/或點感測 器。 在一具體實施例中，確保變換器所產生之聲波以9〇。照 射在待清洗表面上可能會有用。基於此目的，可提供一測 微計以調整變換器20相對於待清洗表面之傾斜度。在一具 體貫施例中，可較佳地以相對於該表面傾斜之方式提供變 換器’同樣地’此可使用測微計加以調整。測微計亦可用 以調整自變換H至待清洗表面之距離。在所有具體實施例 中’希望液體流橫跨變換器與待清洗表面間之距離，不過 未必一定如此。 上述百萬赫茲超音波清洗機極其適合移除表面上之粒 子。不過’將此等粒子移除之後，若其中懸浮有該等粒子 之液體未快速移走，則該等粒子本身有時會重新附著於表 因此需要在百萬赫茲超音波變換器與正在清洗之表 面間提供液體流°特定言之，需要對該裝置加以設計使 得不存在流速為零之位置（停滞區）。 另用以防止或至少降低粒子重新附著於表面之方法係 ㈣變換器與表面間之液體之特性以確保粒子之ζ (zeta)電 =與表面之ς電位使得該等粒子不會附著於表面，較佳使 得表面排斥該等粒子。 161373.doc -19- 201243518 ζ電位係表面處於液體中之電位β ζ電位一般隨離表面之 距離而減小。對於一特定類型的液體，給定類型之材料具 有給定ζ電位。一種改變表面之ς電位之方法係改變液體中 電解質之濃度，且另一改變ς電位之方法係改變液體之 藉由仔細選擇液體中電解質（例如，鹽）之濃度或液體 之PH，可選擇⑴自其移除粒子之表面（及/或欲避免黏附之 任何其他表面）之ς電位，及（ii)粒子之ς電位。較佳地選擇 此等兩ζ電位使得其具有相同極性，因而相互排斥。 藉由正在凊洗之表面之製造材料之知識以及該等粒子可 能採用之製造材料之類型之知識選擇液體之姆/或電解 質之濃度。若該等材料係相同的，則應报容易選擇表面與 粒子之C電位為非零之ρΗ.或電解質濃度。在該情況下，表 =與粒子之電位均為正或負以便其相互排斥而粒子不可能 重新黏附於表面。若續笼从把 雷鮭哲心 右該4材科不同，則可能難以選擇ΡΗ或 電解質漠度，不過，可能在 了犯存在至少一 PH及/或濃度，在該 或濃度下’兩材料之ς電位將具有相同極性。 變液體之沖可能會負面影響材料之溶解性（其本 身可導致污染或材料整體丨 解質请声雜之知失），所以較佳地改變電 /又。右藉由添加鹽（NaCl)來執行此操作， 明顯影響液體之pH(即液體保持中性）。 •組合使用以上所右枯#，丄，u 改變ζ電位及使用矣；l尤其是改變阳與電解質濃度以 =電位及使用表面活性劑)可能為最好的方法。 雖然本文特別參考製造 解，本文所述之微影裝置可具手有使/#農置’但應瞭 應用’例如製造整合 161373.doc •20· 201243518 型光學系統、用於磁域記憶體的導引與偵測圖案、平板顯 不器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者 將瞭解，就此類替代應用而言，本文任何地方所使用的術 浯”晶圓”或"晶粒"均可分別視為更通用術語"基板"或"目標 部份”的同義詞。本文所參考的基板可在曝光前或後，在 (例如）一循跡工具（係通常會將一光阻層施加於基板上並顯 影經曝光光阻的工具）、計量工具及/或檢驗工具中進行處 理。只要可應用，可將本文之揭示内容應用於此類及其他 基板處理工具。此外，（例如）為了建立一多層積體電路， 可處理該&板-次以±，因巾纟文所使用之術語基板亦可 指已包含多個處理層的一基板。 本文所使用的術語"輻射，，與”光束"涵蓋所有類型的電磁 輻射，包括紫外線（UV)輻射（例如，具有約365、248、 193、157或 126 nm之波長）。 如情況允許，術語"透鏡"可指各種類型光學組件（包括折 射與反射型光學組件）中的任一類型光學組件或組合。 儘管以上已說明本發明<特定具體實施Μ,但應明白本 發明可以所述以外之其他方式實施。例如，本發明可採取 以下形式：-電腦程式，其包含描述如上所揭示方法的機 器可讀取指令之-或多個序歹，"或一資料儲存媒體(例如 半導體記憶體、磁碟或光碟），《具有儲存於其中的此一 電腦程式。 本發明之-或多個具體實施例可應用於任何沉浸式微影 裝置’尤其是（但並不排外）以上所揭示且沉浸式液體係以 161373.doc •21 · 201243518 槽之形式而提供或僅提供於基板之一局部表面區域上的此 等類型。應廣泛地解釋本文所涵蓋之液體供應系統《在某 些具體實施例中，其可為將液體提供至一介於投影系統與 基板及/或基板台間之空間的一機制或結構組合。其可包 含將液體提供至該空間之一或多個結構、一或多個液體入 口、一或多個氣體入口、一或多個氣體出口及，或一或多 個液體出口之一組合。在一具體實施例中，該空間的一表 面可為基板及/或基板台的一部分’或該空間的一表面可 完全覆蓋基板及/或基板台的一表面，或該空間可包圍該 基板及/或基板台。液體供應系統可視需要進一步包括一 或多個元件以控制液體的位置、數量、品質、形狀、流動 速率或任何其他特徵。 該裝置中使用的沉浸式液體依據所需特性及所使用的曝 光輻射之波長而可具有不同組成物。對於193 〇111之曝光波 長，可使用超純水或以水為主的組成物，而基於此原因有 時將該沉浸式液體稱為水，且可以使用（例如）親水、疏 水、濕度等與水有關的術語。 以上描述旨在說明而非限制。因士匕，熟習此項技術者將 明白，可如上所述對本發明進行修&，而不脫離以下所提 出之申請專利範圍的範嘴。 【圖式簡單說明】 以上僅藉由範例並參考隨附示意圖說明本發明之具體實 施例’其中對應參考符號指示對應部分，且其中：、 圖1說明根據本發明之-具體實施例的-微影裝置； 16I373.doc -22- 201243518 圖2與3說明用於一微影投影裝置中的一液體供應系統； 圖4說明用於一微影投影裝置中的另一液體供應系統； 圖5說明於斷面中用於一沉浸式微影裝置中的另一液體 供應系統； 圖6說明於斷面中本發明之一用以清洗基板台之第一具 體實施例； 圖7說明於斷面中本發明之一用以清洗液體供應系統之 第二具體實施例；及 圖8說明於斷面中本發明之一用以清洗基板台之第三具 體實施例。 【主要元件符號說明】 11 空間 12 障壁部件 13 液體入口 /液體出口 14 出口/氣體密封器件 15 入口/氣體密封器件 16 無接觸密封件/氣體密封件/氣流 20 變換器 50 槽 75 間隙 80 障壁 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束輸送系統 161373.doc -23- 201243518 c 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明系統/照明器 IN 入口 /積分器 LCS 液體限制系統
Ml 圖案化器件對齊標記 M2 圖案化器件對齊標記 MA 圖案化器件 MT 支撐結構 OUT 出口 P1 基板對齊標記 P2 圖案化器件對齊標記 PL 投影系統 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 161373.doc -24-

Claims (1)

  1. 201243518 七、申請專利範圍： 1. 一種沉浸式微影投影裝置，其包含： 一基板台，其係構造且配置成用以固持一基板； 一投影系統，其係組態成用以將一圖案化輻射光束投 射至該基板上，該投影系統具有一最後元件； 一百萬赫茲超音波變換器，其係組態成用以清洗一表 面；及 一液體供應系統，其係構造且配置成用以在該百萬赫 兹超音波變換器與該待清洗表面之間供應液體； 其中最後元件可被保護免於超音波及/或清洗液體造成 之損傷。 如青求項1之裝置，其進一步包含一護罩以保護該投影 系統之δ亥最後元件，免受該超音波及或該清洗液體所造 成之損傷。 3·如請求項2之裝置，其中該護罩包含一平板。 4·如前述4求項任一項之裝置，其中該液體供應系統包含 一液體限制結構，以將液體僅提供至該基板之一局部區 域上及該投影系統之該最後元件與該基板之間。 5.如清求項4之裝置’其中該液體位準係被控制，以覆蓋 。亥液體限制結構之該底部表面，但未覆蓋該投影系統之 該最後元件。 6_如明求項5之裝置，其中該最後元件及該液體位準之間 具有一間隙，且該間隙並未填滿液體。 7·如凊求項4之裝置，其中該待清洗表面係為該液體限制 161373.doc 201243518 結構之底部。 8. t »青求項4之裝置，其中該液體限制結構包含一障壁部 ::其圍繞該百萬赫兹超音波變換器之一較低端且在該 件與該待清洗表面之間形成—密封件，藉此以在 '，赫II超音波變換器與該待清洗表面間包含液體。 月求項8之裝置，其中該障壁部件、該變換器或兩者 均可相對於該表面移動。 10.如請求項9之驴番，好丄 聚置其中該表面係該基板台之一頂部表 面。 11. 如4求項！或2之褒置’其中該液體供應系統係構造且配 置成用以在該表面上方提供一液體流。 12. 士凊求項W2之裝置’其中該百萬赫茲超音波變換器在 清洗模式中係定位成面對該表面，以便沿一視線（Ugh Path)將聲波導引至該待清洗表面。 13. 如凊求項丨或2之裝置，其中該液體供應系統包含一槽及 控制器，該控制器係組態成用以採用液體將該槽填充 至某一位準。 14. 一種清洗一沉浸式微影投影裝置之一表面的方法，該沉 浸式微影投影裝置包含一投影系統之一最後元件，該方 法包含： 使該待清洗表面之至少一部分覆篕在液體中； 將百萬赫茲超音波引入至該液體中；及 利用該百萬赫茲超音波及/或清洗液體來保護該最後元 件免於損傷。 161373.doc
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US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
US7804576B2 (en) * 2004-12-06 2010-09-28 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20080031376A (ko) * 2005-07-11 2008-04-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8125610B2 (en) 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
KR20090018024A (ko) * 2006-05-18 2009-02-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 메인터넌스 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
SG172607A1 (en) * 2006-05-22 2011-07-28 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
EP2034515A4 (en) * 2006-05-23 2012-01-18 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
EP2043134A4 (en) * 2006-06-30 2012-01-25 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR20090060270A (ko) * 2006-09-08 2009-06-11 가부시키가이샤 니콘 클리닝용 부재, 클리닝 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20080156356A1 (en) * 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US8654305B2 (en) 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US20080204687A1 (en) * 2007-02-23 2008-08-28 Nikon Corporation Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure
US7866330B2 (en) * 2007-05-04 2011-01-11 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8011377B2 (en) * 2007-05-04 2011-09-06 Asml Netherlands B.V. Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
US7916269B2 (en) 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
NL1035942A1 (nl) * 2007-09-27 2009-03-30 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus.
SG151198A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-30 Asml Netherlands Bv Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
NL1036273A1 (nl) * 2007-12-18 2009-06-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus.
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
KR101423611B1 (ko) * 2008-01-16 2014-07-30 삼성전자주식회사 기판 처리 장치, 노광 장치 및 클리닝 툴의 세정 방법
US8339572B2 (en) 2008-01-25 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036571A1 (nl) 2008-03-07 2009-09-08 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Methods.
KR101160948B1 (ko) 2008-04-16 2012-06-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치
US8619231B2 (en) * 2009-05-21 2013-12-31 Nikon Corporation Cleaning method, exposure method, and device manufacturing method
NL2005610A (en) 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.
WO2011090690A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
US20120160264A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-28 Richard Endo Wet Processing Tool with Site Isolation
US8974606B2 (en) 2011-05-09 2015-03-10 Intermolecular, Inc. Ex-situ cleaning assembly
JP5893882B2 (ja) * 2011-09-28 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 パーティクル捕集装置及びパーティクルの捕集方法
US9005366B2 (en) 2011-10-06 2015-04-14 Intermolecular, Inc. In-situ reactor cleaning in high productivity combinatorial system
CN102629567B (zh) * 2011-10-19 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种基板固定装置及制作方法以及固定基板的方法
JP5963929B1 (ja) * 2015-09-04 2016-08-03 株式会社日立パワーソリューションズ 超音波検査装置、超音波検査システム、及び超音波検査方法
US10256132B2 (en) * 2016-04-28 2019-04-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Reticle processing system
CN107619098A (zh) * 2016-08-19 2018-01-23 Mag技术株式会社 碳酸氢气水及其在基板表面的应用
CN109994372A (zh) * 2019-04-15 2019-07-09 西安奕斯伟硅片技术有限公司 晶圆清洗方法及晶圆清洗装置
CN110711739A (zh) * 2019-09-29 2020-01-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种用于深紫外CaF2光学基底的清洗方法

Family Cites Families (169)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1242527A (en) * 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) * 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) * 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) * 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) * 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4405701A (en) * 1981-07-29 1983-09-20 Western Electric Co. Methods of fabricating a photomask
US5040020A (en) * 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
US5143103A (en) * 1991-01-04 1992-09-01 International Business Machines Corporation Apparatus for cleaning and drying workpieces
US5121256A (en) * 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JP3198899B2 (ja) * 1995-11-30 2001-08-13 アルプス電気株式会社 ウエット処理方法
US6629640B2 (en) * 1995-12-18 2003-10-07 Metrologic Instruments, Inc. Holographic laser scanning method and system employing visible scanning-zone indicators identifying a three-dimensional omni-directional laser scanning volume for package transport navigation
KR980012021A (ko) * 1996-07-29 1998-04-30 김광호 반도체 소자의 세정방법
US6104687A (en) * 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
AU1175799A (en) 1997-11-21 1999-06-15 Nikon Corporation Projection aligner and projection exposure method
JPH11162831A (ja) * 1997-11-21 1999-06-18 Nikon Corp 投影露光装置及び投影露光方法
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
US5837662A (en) * 1997-12-12 1998-11-17 Memc Electronic Materials, Inc. Post-lapping cleaning process for silicon wafers
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) * 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP2000323396A (ja) 1999-05-13 2000-11-24 Canon Inc 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
US6743301B2 (en) * 1999-12-24 2004-06-01 mFSI Ltd. Substrate treatment process and apparatus
US6523210B1 (en) * 2000-04-05 2003-02-25 Nicholas Andros Surface charge controlling apparatus for wafer cleaning
US6539952B2 (en) * 2000-04-25 2003-04-01 Solid State Equipment Corp. Megasonic treatment apparatus
US6927176B2 (en) * 2000-06-26 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP2002075947A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd ウェット処理装置
US20020163629A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) * 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
WO2003040830A2 (en) * 2001-11-07 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
US6955485B2 (en) * 2002-03-01 2005-10-18 Tokyo Electron Limited Developing method and developing unit
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US8236382B2 (en) * 2002-09-30 2012-08-07 Lam Research Corporation Proximity substrate preparation sequence, and method, apparatus, and system for implementing the same
US7240679B2 (en) * 2002-09-30 2007-07-10 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG135052A1 (en) * 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101382738B (zh) * 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
DE60335595D1 (de) * 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4423559B2 (ja) 2002-12-03 2010-03-03 株式会社ニコン 汚染物質除去方法
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
AU2003302830A1 (en) 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
EP1429189B1 (en) * 2002-12-13 2008-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
USRE48515E1 (en) 2002-12-19 2021-04-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7399978B2 (en) 2002-12-19 2008-07-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
SG2014015135A (en) * 2003-04-11 2015-06-29 Nippon Kogaku Kk Cleanup method for optics in immersion lithography
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI503865B (zh) * 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP1486827B1 (en) * 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1849182A (zh) * 2003-06-11 2006-10-18 艾奎昂技术股份有限公司 用过饱和清洁溶液进行强超声波清洁
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7370659B2 (en) * 2003-08-06 2008-05-13 Micron Technology, Inc. Photolithographic stepper and/or scanner machines including cleaning devices and methods of cleaning photolithographic stepper and/or scanner machines
JP2005072404A (ja) 2003-08-27 2005-03-17 Sony Corp 露光装置および半導体装置の製造方法
JP4305095B2 (ja) 2003-08-29 2009-07-29 株式会社ニコン 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4438747B2 (ja) * 2003-09-26 2010-03-24 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法
TW200513809A (en) * 2003-09-29 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Liquid-soaked lens system and projecting exposure apparatus as well as component manufacturing method
JP4513299B2 (ja) * 2003-10-02 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2005036623A1 (ja) * 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
US7458226B2 (en) * 2003-12-18 2008-12-02 Calsonic Kansei Corporation Air conditioning system, vehicular air conditioning system and control method of vehicular air conditioning system
US7460206B2 (en) * 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
DE602004028511D1 (de) * 2003-12-23 2010-09-16 Koninkl Philips Electronics Nv Bestrahlungsverfahren
JP2005191381A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP2005191393A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4018647B2 (ja) * 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
EP1724815B1 (en) * 2004-02-10 2012-06-13 Nikon Corporation Aligner, device manufacturing method, maintenance method and aligning method
JP4513590B2 (ja) * 2004-02-19 2010-07-28 株式会社ニコン 光学部品及び露光装置
JP2005286068A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Canon Inc 露光装置及び方法
JP4510494B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置
US7091502B2 (en) * 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
EP1783822A4 (en) 2004-06-21 2009-07-15 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
DE102004033208B4 (de) * 2004-07-09 2010-04-01 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv
US7307263B2 (en) 2004-07-14 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap
CN100490065C (zh) * 2004-07-16 2009-05-20 尼康股份有限公司 光学构件的支撑方法及支撑构造、光学装置、曝光装置、以及元件制造方法
JP2006032750A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Canon Inc 液浸型投影露光装置、及びデバイス製造方法
US7224427B2 (en) * 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP4772306B2 (ja) * 2004-09-06 2011-09-14 株式会社東芝 液浸光学装置及び洗浄方法
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP2006120674A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Canon Inc 露光装置及び方法、デバイス製造方法
US7156925B1 (en) * 2004-11-01 2007-01-02 Advanced Micro Devices, Inc. Using supercritical fluids to clean lenses and monitor defects
JP2006134999A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Sony Corp 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法
US7362412B2 (en) * 2004-11-18 2008-04-22 International Business Machines Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system
WO2006054719A1 (ja) * 2004-11-19 2006-05-26 Nikon Corporation メンテナンス方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7804576B2 (en) * 2004-12-06 2010-09-28 Nikon Corporation Maintenance method, maintenance device, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006261606A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006310706A (ja) 2005-05-02 2006-11-09 Nikon Corp 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US7315033B1 (en) * 2005-05-04 2008-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
JP2007029973A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Sony Corp レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法
JP2007088328A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Toshiba Corp 液浸型露光装置の洗浄方法
JP2007103658A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
CN1963673A (zh) 2005-11-11 2007-05-16 台湾积体电路制造股份有限公司 浸润式微影曝光设备及方法
JP2007142217A (ja) 2005-11-18 2007-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法
JP2007150102A (ja) 2005-11-29 2007-06-14 Fujitsu Ltd 露光装置及び光学素子の洗浄方法
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
US7462850B2 (en) 2005-12-08 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus
US7405417B2 (en) * 2005-12-20 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP4704221B2 (ja) * 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP2007227543A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Toshiba Corp 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法
JP2007227580A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Sony Corp 液浸型露光装置および液浸型露光方法
WO2007105645A1 (ja) * 2006-03-13 2007-09-20 Nikon Corporation 露光装置、メンテナンス方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP2007266074A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム
JP2007294817A (ja) 2006-04-27 2007-11-08 Sokudo:Kk 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置
US7628865B2 (en) 2006-04-28 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus
KR20090018024A (ko) * 2006-05-18 2009-02-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 메인터넌스 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7969548B2 (en) * 2006-05-22 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method
EP2034515A4 (en) * 2006-05-23 2012-01-18 Nikon Corp MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
JP2007317987A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) * 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US7916269B2 (en) * 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
US20090025753A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method
NL2005610A (en) * 2009-12-02 2011-06-06 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and surface cleaning method.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI576657B (zh) * 2014-12-25 2017-04-01 台灣積體電路製造股份有限公司 光罩清潔設備以及光罩清潔方法

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