TW201214467A - Shielded electrical cable - Google Patents

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201214467 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於包括一或多個EMI吸收層之電 纜。 本申請案係關於2010年8月31曰申請之在申請中的美國 專利申請案第 61/378868號「Shielded Electrical Cable with Dielectric Spacing」（代理人案號66869US002)、2010年 8月 31曰申請之在申請中的美國專利申請案第61/378856號 「High Density Shielded Electrical Cable and Other Shielded Cables，Systems, and Methods」（代理人案號 668701^002)、2010年8月31日申請之在申請中的美國專利 申請案第 61/378902 號「Electrical Characteristics of Shielded Electrical Cables」（代理人案號 66874US002)、 2010年8月31曰申請之在申請中的美國專利申請案第 61/378877 號「Connector Arrangements for Electrical Cables」（代理人案號66887US002)及2010年8月31日申請之 在申請中的美國專利申請案第61/378872號「Shielded Electrical Cable」（代理人案號66903US002)，該等申請案 係以全文引用之方式併入本文中。 【先前技術】 用於電信號之傳輸的電纜係熟知的。一普通類型之電纜 為同軸纜線。同軸纜線通常包括由絕緣體圍繞之導電線。 電線及絕緣體由屏蔽物圍繞，且電線、絕緣體及屏蔽物由 護套圍繞。另一普通類型之電纜為包含由屏蔽層（例如， 153056.doc 201214467 由金屬箔形成）圍繞的一或多個絕緣信號導線之屏蔽電 纜。 【發明内容】 大體上，本發明係關於屏蔽電纜。在一實施例中，一屏 蔽電纜包括沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬 度彼此間隔開的複數個導線組。每一導線組包括一或多個 絕緣導線，及安置於該纜線之相反的第一側及第二側上之 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜。該第一膜及該第二膜包括蓋罩 部分及壓緊部分，該等蓋罩部分及該等壓緊部分經配置以 使得在橫向截面中’該第一膜及該第二膜之該等蓋罩部分 組合地實質上圍繞每一導線組，且該第一膜及該第二膜之 該等壓緊部分組合地在每一導線組之每一側上形成該纜線 之壓緊部分。每-導線組進一步包括一安置於該鏡線之該 第-側上之第- EMI吸收層，及一在該鏡線之該等壓緊部 分中將該第-屏蔽媒結合至該第二屏蔽膜之第一黏著層。 該複數個導線組包括_第一導線組，該第一導線組包括相 鄰之第-絕緣導線及第二絕緣導線且具有該第一屏蔽膜及 該第二屏蔽膜之對應第一蓋罩部分及在該第一導線组之_ 側上形成該規線之-第-壓緊區的該第-屏蔽膜及該第二 屏蔽膜之對應第-㈣部分n屏蔽膜及該第二屏蔽 膜之該等第一蓋罩部分之門县 1刀之間的最大間隔為D。該第一 膜及該第二屏蔽膜之該等第厭替 d dm…” 部分之間的最小間隔為 1 ; 。在該第一絕緣導線組與該第二絕緣導 線之間的-區中該第1蔽膜及該第二屏蔽膜之該等^導 153056.doc 201214467 蓋罩部分之間的最小間隔為i。d2/D大於0.33。在一些情 況下，d〗/D小於0.1 »在一些情況下，該第一EMI吸收層安 置於該第一屏蔽膜與該複數個導線組之間。在一些情況 下’該第一屏蔽膜安置於該第一 EMI吸收層與該複數個導 線組之間》在一些情況下，該纜線進一步包括一安置於該 纜線之該第二側上之第二EMI吸收層。 在另一實施例中’一屏蔽電纜包括沿著該纜線之一長度 延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間隔開的複數個導線組。 每一導線組包括一或多個絕緣導線，及安置於該缆線之相 反的第一側及第二側上之第一屏蔽膜及第二屏蔽膜。該第 一膜及該第二膜包括蓋罩部分及壓緊部分，該等蓋罩部分 及該等壓緊部分經配置以使得在橫向截面中，該第一膜及 該第二膜之該等蓋罩部分組合地實質上圍繞每一導線組， 且該第一膜及該第二膜之該等壓緊部分組合地在每一導線 組之每一側上形成該纜線之壓緊部分。每一導線組進一步 包括一女置於該规線之該第一側上之第一 吸收層，及 一在該纜線之該等壓緊部分中將該第一屏蔽膜結合至該第 二屏蔽膜之第一黏著層。該複數個導線組包括一第一導線 組m線組包括相鄰之第—絕緣導線及第二絕緣導 線且具有該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之對應第一蓋罩部 分及在該第-導線組之__側上形成u緊缆線部分的 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之對應第一壓緊部分。該第 一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之間的最大 間隔為D»該第-屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一壓緊 153056.doc 5 201214467 部分之間的最小間隔為旬。di/D小於0.25。該第一絕緣導 線相對於該第二絕緣導線之高頻電隔離實質上小於該第一 導線組相對於一鄰近導線組之高頻電隔離。在一些情況 下，d〗/D小於0.1。在一些情況下，該第一絕緣導線相對於 該第一導線之尚頻隔離為在3-15 GHz之一指定頻率範圍及 1公尺之一長度下之一第一遠端申擾^，且該第一導線組 相對於該鄰近導線組之高頻隔離為該指定頻率下之一第二 遠端串擾C2，且C2比C1低至少10 dB。在一些情況下，該 第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等蓋罩部分組合地藉由包 覆每一導線組之一周長的至少70%而實質上圍繞每一導線 組。 在另一實施例中，一屏蔽電纜包括沿著該纜線之一長度 延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間隔開的複數個導線組。 每一導線組包括一或多個絕緣導線，及包括同心部分、麗 緊部分及過渡部分之第一屏蔽膜及第二屏蔽膜，該等部分 經配置以使得在橫向截面中，該等同心部分實質上與每一 導線組之一或多個末端導線同心，該第一屏蔽膜及該第二 屏蔽膜之該等壓緊部分組合地在該導線組之兩側上形成該 缓線之壓緊區，且該等過渡部分提供該等同心部分與該等 壓緊部分之間的逐漸過渡。每一導線組亦包括一安置於該 複數個導線組上之第一 EMI吸收層。每一屏蔽膜包括一導 電層。該等過渡部分中之一第一過渡部分接近該一或多個 末端導線中之一第一末端導線且具有一界定為該第一屏蔽 膜及該第二屏蔽膜之該等導電層、該等同心部分及接近該 153056.doc 201214467 第-末端導線的該等壓緊部分中之—第—壓緊部分之間的 區域之截面區域义。山小於該第一末端導線之截面區 域°每-屏蔽膜之橫向截面可以m線之寬度改變的 曲率半徑為特徵。料屏蔽財之每—者的該曲率半徑為 跨越規線之寬度的至少剛微米。在—些情況下，截面區 域山包括該第-壓緊部分之—邊界作為一邊界。該邊界由 沿著該第-壓緊部分之位置界定，在該位置處，該第一屏 蔽膜與該第二屏蔽膜之間的一間隔d為在該第一壓緊部分 處該第-屏蔽膜與該第二屏蔽膜之間的一最小間_丨之約 1.2倍至約1.5倍。在一些情況下，截面區域山包括一線段 作為-邊界’該線段具有—在㈣—屏蔽膜之—拐點處之 第一端點。在一些情況下，該線段具有一在該第二屏蔽膜 之一拐點處之第二端點。 在另一實施例中，一屏蔽電纜包括沿著該纜線之一長度 延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間隔開的複數個導線組。 每一導線組包括一或多個絕緣導線，及包括同心部分、壓 緊部分及過渡部分之第一屏蔽膜及第二屏蔽膜’該等部分 經配置以使得在橫向截面中，該等同心部分實質上與每一 導線組之一或多個末端導線同心，該第一屏蔽膜及該第二 屏蔽膜之該等壓緊部分組合地在該導線組之兩側上形成該 纜線之壓緊區，且該等過渡部分提供該等同心部分與該等 壓緊部分之間的逐漸過渡。每一導線組亦包括一安置於該 複數個導線組上之第一 EMI吸收層。該兩個屏蔽膜中之一 者包括該等同心部分中之一第一同心部分、該等壓緊部分 153056.doc

S 201214467 中之一第一壓緊部分及該等過渡部分中之一第一過渡部 分。該第一過渡部分將該第一同心部分連接至該第一壓緊 部分。該第一同心部分具有一曲率半徑R!且該過渡部分具 有一曲率半徑Γι。至15之範圍内。 【實施方式】 可結合附圖考慮本發明之各種實施例之以下詳細描述來 更完全地理解及瞭解本發明。 本發明大體而言係關於纜線，其包括複數個間隔開之導 線組及用於藉由主要吸收電磁場來防止或減小相鄰導線組 之間的串擾之一或多個ΕΜΙ吸收層。 圖1為屏蔽電纜2之三維示意圖，該屏蔽電纜包括沿著窺 線2之寬度w(沿著y轴）之全部或一部分彼此間隔開且沿著 镜線2之長度L(沿著X軸）延伸的複數個導線組4。纜線2可 大體配置成如圖1中所說明之平坦組態，或可沿著其長度 及/或寬度在一或多處摺疊成一摺疊組態。在一些情況 下’纜線2之某些部分可配置成一平坦組態，且該纜線之 其他部分可摺疊。在一些情況下，纜線2之導線組4中之至 少一者包括沿著纜線2之長度L延伸之兩個絕緣導線6，其 中每一絕緣導線包括由絕緣體补圍繞之導線6a。導線組4 之兩個絕緣導線6可沿著纜線2之長度L之全部或一部分實 質上平行地配置。爲 力線或絕緣接地線。 一侧及第二側上。 絕緣導線6可包括絕緣信號線、絕緣電 。兩個屏蔽膜8安置於纜線2之相反的第

153056.doc -9- 201214467 中，纜線2包括蓋罩區14及壓緊區18。在纜線2之蓋罩區“ 中，第一屏蔽膜及第二屏蔽膜8之蓋罩部分7在橫向截面中 實質上圍繞每一導線組4。舉例而言，屏蔽膜之蓋罩部分 可共同包覆任何給定導線組之周長的至少75%，或至少 8〇%，或至少85%，或至少90%。第一屏蔽膜及第二屏蔽 膜之壓緊部分9在每一導線組4之每一側上形成纜線2之壓 緊區18。在纜線2之壓緊區18中’屏蔽膜8中之一者或兩者 偏轉’從而使屏蔽膜8之壓緊部分9更接近。在一些情況 下，如圖1中所說明，屏蔽膜8兩者皆在壓緊區18中偏轉以 使壓緊部分9更接近。在一些組態中，在纜線為平坦或未 摺疊組態時屏蔽膜中之一者可在壓緊區18中保持相對扁 平，且纜線之相反側上的另一屏蔽膜可偏轉以使屏蔽膜之 壓緊部分更接近。 導線及/或接地線可包括任何合適之導電材料且可具有 夕種截面形狀及大小。舉例而言，在截面中，導線及/或 接地線可為圓形、卵形、矩形或任何其他形狀。纜線中之 一或多個導線及/或接地線可具有一不同於纜線中之其他 一或多個導線及/或接地線之形狀及/或大小。導線及/或接 地線可為實心線或絞合線。纜線中之導線及/或接地線全 部可為絞合線，全部可為實心線，或一些可為絞合線且一 些為實心線。絞合導線及/或接地線可呈現不同大小及/或 形狀。連接器及/或接地線可經各種金屬及/或金屬材料（包 括金、銀、錫及/或其他材料）塗佈或電鍍。 用以使導線組之導線絕緣之材料可為達成纜線之所要電 153056.doc 201214467 性質的任何合適材料。在一些情沉 可為發泡絕緣材料（其包 吏用之絕緣材料 總厚度。«心之—者或小纜線之介電常數及 電聚合層。導電層可包括^7//括—導電層及一非導 不限於nl 1 適料電㈣，包_ 藏至〇〇5mH及其合金。屏蔽膜可具有在⑽ 麵或小於^^圍㈣厚度，且料之總厚度可小於2 纜線2亦可包括_立 匕栝女置於屏蔽膜8之間、至少安置於题替 刀V後此結合。黏者層i 〇可或 於纜線2之蓋罩區14中。 飞了不存在 在一些情況下，導線組4在橫向截面（yz平面）中具有一實 質上曲線形狀之包絡區或周$，且屏蔽膜8係安置在導線 組4周圍以便沿著料2之長度L之至少部分且較佳沿著境 線:之長㈣實質上全部而實質上保形於該截面形狀且維 持該截面形狀。維持戴面形狀將維持如導線組4之設計時 所希望的導線組4之電特性。此為優於一些習知屏蔽電纜 之優勢，在習知屏蔽電纜中在一導線組周圍安置一導電屏 蔽物會改變該導線組之截面形狀。 雖然在圖1中所說明之實施例中，每一導線組4具有兩個 絕緣導線6，但在其他實施例中，該等導線組之一些或全 可僅包括一個絕緣導線，或可包括兩個以上的絕緣導線 6 °舉例而言’ 一在設計上類似於圖1之屏蔽電纜的替代屏 蔽電繞可包括具有八個絕緣導線6之一個導線組，或各自 153056.doc •11· 201214467 僅具有一個絕緣導線6之八個導線組。導線組及絕緣導線 之配置上的此靈活性允許以適合於廣泛的各種各樣之預期 應用的方式組態所揭示之屏蔽電纜《舉例而言，導線組及 絕緣導線可經組態以形成：多重雙軸纜線（亦即，各自具 有兩個絕緣導線之多個導線組）；多重同軸纜線（亦即，各 自僅具有一個絕緣導線之多個導線組）；或其組合。在— 些實施例中，一導線組可進一步包括一安置於該—或多個 絕緣導線周圍的導電屏蔽物（未圖示），及一安置於該導電 屏蔽物周圍的絕緣護套（未圖示）。 在圖1中所說明之實施例中，屏蔽電纜2進一步包括可選 接地導線12。接地導線12可包括接地線或加蔽線。接地導 線12可與絕緣導線6間隔開且在與絕緣導線6實質上相同的 方向上延伸。屏蔽膜8可安置於接地導線12周圍。黏著層 可在接地導線12之兩側上的壓緊部分9中將屏蔽膜8彼此 結合。接地導線12可電接觸屏蔽膜8中之至少一者。 屏蔽電纜2進一步且視情況包括安置於纜線2之兩側上之 EMI吸收層15 ^ EMI吸收層15主要藉由吸收電磁場來使該 場衰減。屏蔽膜8主要藉由反射電磁場來使該場衰減。通 常，纜線2可不具有屏蔽膜8或具有一或多個屏蔽膜8及/或 不具有EMI吸收層15或具有一或多個emi吸收層15。在一 些情況下，屏蔽膜8及EMI吸收層15組合地（而非個別地）將 相鄰導線組4之間的串擾減小至一可接受且預定之程度。 在此等情況下，屏蔽膜8及EMI吸收層15中之每一者將串 擾減小至一大於預定及理想程度之程度，但該等層組合地 •12· 153056.doc

S 201214467 將串擾減小至一等於或小於預定及理想程度之程度。 EMI吸收層1 5可包括能夠主要經由吸收而使電磁場衰減 的任何類型之材料。舉例而言，在一些情況下，EMI吸收 材料可為在所要頻率範圍中具有大於1或大於2或大於3之 磁導率的介電材料，且該介電材料展現不可忽略之磁損耗 角正切。EMI吸收材料之實例包括EMI Absorbers AB-2000 系列或EMI Absorbers AB-5000系列，其均可自3M Company(St. Paul, Minn)購得。EMI Absorbers AB-2000 系 列包括利用丙烯酸系壓敏黏著劑由聚矽氧橡膠及磁性材料 製成之薄的可撓襯底。EMI Absorbers AB-5 000系列包括具 有丙浠酸系黏著劑系統及可卸除式襯套之聚合物樹脂中的 可撓軟金屬碎片填充劑。EMI吸收材料之實例包括鐵磁材 料’諸如鐵氧體材料。鐵氧體材料可由非導電之鐵氧化物 化合物（包括FezO3及/或Fe^4)以及其他金屬氧化物形成。 在一些情況下，EMI吸收材料可形成為包括鐵磁性粉末之 聚合樹脂。在一些情況下，可選擇EMI吸收材料之組成及 結構以吸收大體上與導線組所產生之電磁場相關聯之一或 多個頻率的電磁波。在一些情況下，複合式EMI吸收材料 可吸收一頻率範圍上之電磁波。 圖2a至圖2g之截面圖可表示各種屏蔽電纜或纜線之部 分。在圖2a中’屏蔽電纜i〇2a包括一單一導線組1〇4。導 線組104沿著纜線之長度（沿著x軸或方向）延伸且僅具有一 單一絕緣導線106。若需要，可使纜線丨〇2a包括跨越纜線 102a之寬度（沿著y軸）彼此間隔開且沿著缆線之長度延伸的 153056.doc •13. 201214467 多個導線組104。兩個屏蔽膜108安置於纜線之相反側上。 此外，兩個EMI吸收層115在纜線之相反的第一側及第二 側上安置於該等屏蔽膜上。此外，兩個EMI吸收層11 5在 纜線之相反側上安置於該等屏蔽膜上。纜線1 〇2a包括一蓋 罩區114及多個壓緊區118。在纜線l〇2a之蓋罩區114中， 屏蔽膜108包括覆蓋導線組1〇4之蓋罩部分107 ^在yZ平面 中的橫向截面中，蓋罩部分107組合地實質上圍繞導線組 104。在纜線l〇2a之壓緊區118中，屏蔽膜1〇8包括在導線 組104之每一側上之壓緊部分1 〇9。 在例示性纜線102a中，屏蔽膜安置於EMI吸收層與導線 組之間。在一些情況下’ EMI吸收層可安置於屏蔽膜與導 線組之間。在圖2a中未清楚展示的一些情況下，屏蔽膜可 在缆線之相同側上安置於兩個EMI吸收層之間，或EMI吸 收層可在纜線之相同側上安置於兩個屏蔽膜之間。在一些 情況下，纜線可包括屏蔽膜與EMI吸收層之交替層。 可選黏著層110可安置於屏蔽膜108之間。屏蔽電缆1〇2a 進一步包括可選接地導線1 12。接地導線1 12與絕緣導線 106間隔開且在與絕緣導線1〇6實質上相同的方向（乂軸）上延 伸。導線組104及接地導線Π2可經配置以使得其大體處於 一平面（諸如，Xy平面）中，如圖2a中所說明。 屏蔽膜108之第二蓋罩部分113安置於接地導線112周圍 且覆蓋接地導線112。黏著層110可在接地導線U2之兩側 上將屏蔽膜108彼此結合。接地導線112可電接觸屏蔽膜 108中之至少一者。在圖2a中，絕緣導線106及屏蔽膜1〇8 153056.doc 14- 201214467 貫際上配置成一同轴繞線組態’其中在導線組之兩側上有 延伸部分。圖2a之同軸纜線組態可用於一單端電路配置 中。 如圖2a之橫向截面圖中所說明，屏蔽膜ι〇8之蓋罩部分 107之間存在最大間隔D，且屏蔽膜1〇8之壓緊部分ι〇9之間 存在最小間隔山。 圖2a展示黏著層110，其安置於纜線1〇23之壓緊區U8* 的屏蔽膜108之壓緊部分109之間且安置於纜線i〇2a之蓋罩 區114中的屏蔽膜108之蓋罩部分1〇7與絕緣導線106之間。 在此配置中，黏著層110在纜線之壓緊區118中將屏蔽膜 108之壓緊部分109結合在一起，且在纜線1〇2&之蓋罩區 114中將屏蔽膜1〇8之蓋罩部分1〇7結合至絕緣導線106。 圖2b之屏蔽纜線l〇2b類似於圖2a之纜線l〇2a，其中類似 元件藉由類似參考數字識別。在圖2b中，可選黏著層11〇 不存在於纜線l〇2b之蓋罩區114中的屏蔽膜1〇8之蓋罩部分 107與絕緣導線1〇6之間。在此配置中，黏著層n〇在纜線 之壓緊區118中將屏蔽膜1〇8之壓緊部分1〇9結合在一起， 但黏著層110不在纜線⑺】!^之蓋罩區114中將屏蔽膜108之 蓋罩部分107結合至絕緣導線1 〇6。 參看圖2c ’屏蔽電纜202c類似於圖2a之屏蔽電纜102a。 規線202c具有一具有兩個絕緣導線206之單一導線組204。 若需要’可使纜線2〇2c包括跨越纜線202c之寬度間隔開且 沿著纜線之長度延伸的多個導線組204。絕緣導線206大體 配置於單一平面（xy平面）中且實際上配置成雙轴組態。圖 153056.doc 15 201214467 2c之雙軸規線組態可用於差分對電路配置中或單端電路配 置中。 兩個屏蔽媒208及EMI吸收層115安置於導線組204之相 反側上。规線202c包括一蓋罩區214及多個壓緊區218。在 纜線202c之蓋罩區214中，屏蔽膜208包括覆蓋導線組204 之蓋罩部分207。在橫向截面中，蓋罩部分2〇7組合地實質 上圍繞導線組204。在纜線2〇2c之壓緊區218中，屏蔽膜 208包括在導線組2〇4之每一側上之壓緊部分2〇9。 可選黏著層210c可安置於屏蔽膜2〇8之間.屏蔽電纜 2〇2c進一步包括可選接地導線212。接地導線212與沿著X 轴之絕緣導線206間隔開且在與沿著χ軸之絕緣導線2〇6實 質上相同的方向上延伸。導線組2(M及接地導線212可經配 置以使得其大體處於一平面（諸如，xy平面）中如圖以中 所說明。 如圖2c之截面中所說明，在屏蔽膜2〇8之蓋罩部分2〇7之 間存在最大間隔D ;在屏蔽膜2〇8之壓緊部分2〇9之間存在 最小間隔山，且在絕緣導線2〇6之間的屏蔽膜2〇8之間存在 最小間隔»纜線202c可以屏蔽膜108之蓋罩部分1〇7之間 的最大間隔D、屏蔽膜1〇8之蓋罩部分1〇7之間的最小間隔 旬及屏蔽膜108之壓緊部分1〇9之間的最小間隔1為特徵。 在一些情況下，比率d】/D小於0.25或小於〇.1 ^在一些情況 下 ’ d2/D大於 0.33。 圖2c展示黏著層21〇c，其安置於缆線2〇2之壓緊區218中 的屏蔽膜208之壓緊部分209之間且安置於纜線2〇2c之蓋罩 153056.doc

S -16- 201214467 區214中的屏蔽膜208之蓋罩部分207與絕緣導線206之間。 在此配置中’黏著層21〇c在纜線2〇2c之壓緊區218中將屏 蔽膜208之壓緊部分209結合在一起，且亦在纜線2〇2c之蓋 罩區214中將屏蔽膜2〇8之蓋罩部分2〇7結合至絕緣導線 206 ° 圖2d之屏蔽纜線202d類似於圖2c之纜線2〇2c，其中類似 元件藉由類似參考數字識別，惟以下除外：在纜線2〇2d 中，可選黏著層210d不存在於纜線之蓋罩區214中的屏蔽 膜208之蓋罩部分2〇7與絕緣導線206之間。在此配置中， 黏著層210d在纜線之壓緊區218中將屏蔽膜208之壓緊部分 209結合在一起，但在纜線2〇2d之蓋罩區214中不將屏蔽膜 208之蓋罩部分207結合至絕緣導線206。 現參看圖2e ’吾人看到在許多方面類似於圖2&之屏蔽電 纜102a的屏蔽電纜302之橫向截面圖。然而，在纜線1〇2& 包括一僅具有一單一絕緣導線1〇6之單一導線組1〇4之情況 下，緵線302包括一具有沿著纜線3〇2之長度（沿著χ軸或方 向）延伸之兩個絕緣導線306的單—導線組3〇4。可使纜線 3 02具有跨越纜線3 02之寬度彼此間隔開且沿著纜線3 〇2之 長度延伸的多個導線組304。絕緣導線3〇6實際上配置成雙 絞線纜線配置，藉此絕緣導線3〇6彼此纏繞且沿著纜線3〇2 之長度（沿著χ轴或方向）延伸。 圖2f描繪另一屏蔽電繞4〇2，其在許多方面亦類㈣圖 2a之屏蔽電纜102a。然而，在纜線⑺。包括一僅具有一單 -絕緣導線⑽之單-導線組1〇4之情況下，瘦線4〇2包括 153056.doc •17- 201214467 一具有沿著规線402之長度（沿著x軸或方向）延伸之四個絕 緣導線406的單一導線組404。可使纜線402具有跨越缆線 3〇2之寬度（沿著7軸）彼此間隔開且沿著纜線3〇2之長度（沿 著X轴）延伸的多個導線組404。 絕緣導線406實際上配置成四心纜線配置，藉此當絕緣 導線406沿著纜線402之長度（沿著\軸）延伸時，絕緣導線 406可以或可不彼此纏繞。 回頭參看圖2a至圖2f ’屏蔽電缆之其他實施例可包括大 體配置於單一平面中的複數個間隔開之導線組1〇4、2〇4、 304或404 ’或其組合。視情況，屏蔽電纜可包括與導線組 之絕緣導線間隔開且在與導線組之絕緣導線大體相同的方 向上延伸之複數個接地導線丨12 ^在一些組態中，導線組 及接地導線可大體配置於單一平面中。圖2g說明此屏蔽電 規之一例示性實施例。 參看圖2g ’屏蔽電纜502包括大體配置於xy平面中的複 數個間隔開之導線組504a、504b，其中每一導線組包括一 個或兩個絕緣導線506。屏蔽電纜504進一步包括安置於導 線組504a、504b之間且在屏蔽電纜502之兩側或邊緣處的 可選接地導線112。 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜508安置於纜線502之相反的第 一側及第一側上且經配置以使得在橫向截面中，在yz平面 中，纜線502包括蓋罩區524及壓緊區528。在纜線之蓋罩 區524中，第一屏蔽膜及第二屏蔽膜5〇8之蓋罩部分517在 橫向截面中實質上圍繞每一導線組5〇4a、504b。舉例而 153056.doc •18· 201214467 言’該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等蓋罩部分組合地 藉由包覆每一導線組之一周邊的至少70%而實質上圍繞每 一導線組。第一屏蔽膜及第二屏蔽膜508之壓緊部分519在 每一導線組5(Ma、5〇4b之兩側上形成壓緊區518。 屏蔽膜508安置於接地導線112周圍。可選黏著層51〇安 置於屏蔽膜208之.間’且在每一導線組504a、504b之兩側 上的壓緊區528中將屏蔽膜508之壓緊部分5 19彼此結合。 屏蔽電窺502包括同軸境線配置（導線組5〇4a)與雙軸魔線配 置（導線組504b)之組合’且可因此被稱為混合纜線配置。 在一些情況下’纜線502可包括在纜線之一側或兩側上安 置於導線組上之一或多個EMI吸收層（圖2g中未清楚展 示）。 所揭示之屏蔽纜線中所用之屏蔽膜可具有各種組態且可 以各種方式製成。圖7a至圖7d說明根據本發明之態樣的屏 蔽電纜之四個例示性實施例。圖3a至圖3d說明屏蔽電窥之 屏蔽膜之建構的各種實例。在一態樣中，該等屏蔽膜中之 至少一者可包括一導電層及一非導電聚合層。導電層可包 括任何合適的導電材料’包括（但不限於）銅、銀、紹、金 及其合金。非導電聚合層可包括任何合適的聚合材料，包 括（但不限於）聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺·醯亞胺、聚四氟乙 烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二酯、聚 碳酸醋、聚石夕氧橡膠、〔稀-丙稀-二缚橡夥、心甲酸 醋、丙稀㈣、聚⑦氧、天然、橡膠、環氧樹脂及合成橡膠 黏著劑。非導電聚合層可包括-或多種添加劑及/或填充 153056.doc •19· 201214467 劑以提供適合於預期應用之性質。在另—態樣中，屏蔽膜 中之至少—者可包括一安置於導電層與非導電聚合層之間 的層壓黏著層。針對具有_安置於一非導電層上之導電層 之屏蔽膜，或以其它方式具有一導電之主要外部表面及一 實質上非導電之相反主要外部表面之賤膜而言，該屏蔽 膜可按需要以若干不同定向併入至屏蔽纜線中。在一些情 況下’例如’冑電表面可面向具有絕緣線及接地線之導線 組且在一些情況下，非導電表面可面向彼等組件。在將 兩個屏蔽膜用於缆線之相反側上之情況下該等膜可經定 向以使得其導電表面彼此面向且各自面向導線組及接地 線或該等膜可經定向以使得其#導電表面彼此面向且各 自面向導線組及接地線，或該等膜可經定向以使得一個屏 蔽膜之導電表面面向導線組及接地線，而另一屏蔽膜之非 導電表面自纜線之另一側面向導線組及接地線。 在一些情況下，屏蔽膜中之至少一者可包括一獨立導電 膜諸如，柔性或可撓性金屬箔。可基於適合於預期應用 之若干設計參數（諸如，屏蔽電纜之可撓性、電效能及組 態（諸如，接地導線之存在及位置））來選擇屏蔽膜之建構。 在些情況下’屏蔽膜具有一體式形成之建構。在一些情 況下’屏蔽膜可具有在〇.〇1 mm至0.05 mm之範圍中的厚 度°屏蔽膜理想地提供導線組之間的隔離、屏蔽及精確間 距’且允許實現更為自動化且較低成本的纜線製造過程。 此外’屏蔽膜為導電片且防止被稱為「信號吸出」或共振 (藉此在特定頻率範圍下發生高信號衰減）的現象。此現象 I53056.doc • 20· 201214467 通常發生於導電屏蔽物包在導線組周圍之習知屏蔽電繼 中〇 圖3a為跨屏蔽電纜802之寬度的截面圖，其展示一單一 導線組804。導線組804包括沿著纜線8〇2之長度（沿著χ軸） 延伸之兩個絕緣導線806。纜線802可包括跨越纜線802之 寬度（沿著y抽）彼此間隔開的多個導線組8〇4 ^兩個屏蔽膜 808安置於緵線802之相反側上，其中每一屏蔽膜包括一安 置於一非導電聚合層808b上之導電層8〇8a。非導電聚合層 808b面向絕緣導線806。可使用任何合適方法將導電層 8〇8a沈積至非導電聚合層8081)上。在yz平面中的橫向截面 中，屏蔽膜808之蓋罩部分807組合地在纜線8〇2之蓋罩區 814中實質上圍繞導線組8〇4。舉例而言，該第一屏蔽膜及 該第二屏蔽膜之該等蓋罩部分組合地藉由包覆每一導線組 之一周邊的至少70〇/。而實質上圍繞每一導線組。屏蔽膜 808之壓緊部分809在導線組8〇4之每一側上形成纜線8〇2之 壓緊區818。 屏蔽膜808可包括在纜線8〇2之壓緊區818中將屏蔽膜8〇8 之壓緊部分809彼此結合之可選黏著層81〇a、810b。黏著 層810a安置於非導電聚合層8〇8b中之一者上，且黏著層 81〇b安置於非導電聚合層8〇8b中之另一者上。黏著層 810a、810b可以或可不存在於纜線8〇2之蓋罩區814中。若 存在’則黏著層810a、810b可跨越屏蔽膜808之蓋罩部分 807之寬度完全或部分地延伸，從而將屏蔽膜8〇8之蓋罩部 分807結合至絕緣導線806。 153056.doc •21- 201214467 在此實例中，絕緣導線806及屏蔽膜808大體配置於單一 平面（諸如，xy平面）中且實際上配置成可用於單端電路配 置或差分對電路配置中之雙軸組態。 圖3b為跨屏蔽電纜902之寬度的截面圖，其展示一單一 導線組904。導線組904包括沿著纜線902之長度（沿著X軸） 延伸之兩個絕緣導線906。纜線902可包括沿著纜線902之 一寬度（沿著y轴）彼此間隔開且沿著纜線902之一長度延伸 的多個導線組904 »兩個屏蔽膜908安置於纜線902之相反 側上，其中每一屏蔽膜包括一安置於一非導電聚合層908b 上之導電層908a。導電層908a面向絕緣導線906。可使用 任何合適方法將導電層908a沈積至非導電聚合層908b上。 在橫向截面中，屏蔽膜908之蓋罩部分907組合地在纜線 902之蓋罩區914中實質上圍繞導線組904。屏蔽膜908之壓 緊部分909在導線組904之每一侧上形成纜線902之壓緊區 918。 一或多個可選黏著層910a、91 Ob在導線組904之兩側上 在壓緊區域918中將屏蔽膜908之壓緊部分909彼此結合。 黏著層910a、91 Ob可跨越屏蔽膜908之蓋罩部分907之寬度 完全或部分地延伸。絕緣導線906大體配置於單一平面中 且實際上形成雙軸规線組態，且可用於單端電路配置或差 分對電路配置中。 圖3c為跨屏蔽電纜1002之寬度的截面圖，其展示一單一 導線組1004。導線組1004包括沿著纜線1002之一長度（沿 著X轴）延伸之兩個絕緣導線1006。觋線1 〇〇2可包括沿著规 •22· 153056.doc

S 201214467 線10 0 2之·一寬度（沿者y轴）彼此間隔開且沿著繞線1 〇 〇 2之一 長度延伸的多個導線組1004。兩個屏蔽膜1008安置於鐵線 1002之相反側上且包括蓋罩部分1007。在橫向截面中，蓋 罩部分1007組合地在纜線1002之蓋罩區1〇14中實質上圍繞 導線組1004。屏蔽膜1008之壓緊部分1〇〇9在導線組1〇〇4之 每一側上形成纜線1002之壓緊區1018。 纔線1002包括一或多個可選黏著層ιοί 〇a、1010b，該一 或多個黏著層在導線組1004之兩侧上在壓緊區1〇18中將屏 蔽膜1008之壓緊部分1〇〇9彼此結合。黏著層1010a、1010b 可跨越屏蔽膜1008之蓋罩部分1007之寬度完全或部分地延 伸。絕緣導線1006大體配置於單一平面（諸如，xy平面）中 且實際上配置成可用於單端電路配置或差分對電路配置中 之雙軸纜線組態。屏蔽膜1008包括一獨立之導電膜。 圖3d為屏蔽電纜1102之截面圖，其展示一單一導線組 1104。導線組1104包括沿著纜線1102之一長度（沿著X軸）延 伸之兩個絕緣導線1106。纜線1102可包括沿著纜線1102之 一寬度（沿著y轴）彼此間隔開且沿著纜線1102之一長度延伸 的多個導線組1104。兩個屏蔽膜1108安置於纜線1102之相 反側上且包括蓋罩部分1107。在橫向截面中，蓋罩部分 1107組合地在纜線11〇2之蓋罩區1114中實質上圍繞導線組 1104。屏蔽膜11〇8之壓緊部分11〇9在導線組1104之每一側 上形成纜線1102之壓緊區1118。 屏蔽膜1108包括一或多個可選黏著層lll〇a、1110b，該 一或多個黏著層在導線組1104之兩側上在壓緊區1118中將 153056.doc -23· 201214467 屏蔽膜1108之壓緊部分1109彼此結合。黏著層1〇1〇a、 1010b可跨越屏蔽膜1108之蓋罩部分11〇7之寬度完全或部 分地延伸。 絕緣導線1106可大體配置於單一平面（諸如，xy平面）中 且實際上配置成雙軸規線組態。雙軸規線組態可用於單端 電路配置中或差分對電路配置中。屏蔽膜1108包括一導電 層1108a、一非導電聚合層ll〇8b及一安置於導電層u〇8a 與非導電聚合層1108b之間的層壓黏著層1108c，藉此將導 電層1108a層壓至非導電聚合層ii〇8t^導電層u〇8a面向 絕緣導線1106。 如本文中別處所論述，在纜線建構中可使用黏著劑材料 以在纜線之蓋罩區處將一個或兩個屏蔽膜結合至導線組中 之一者、一些或全部，及/或可使用黏著劑材料在缆線之 壓緊區處將兩個屏蔽膜結合在一起^ 一黏著劑材料層可安 置於至少一屏蔽膜上，且在將兩個屏蔽膜用於纜線之相反 侧上之情況下，可將一黏著劑材料層安置於該兩個屏蔽膜 上。在後一情況下，一個屏蔽膜上所使用之黏著劑較佳與 另一屏蔽膜上所使用之黏著劑相同，但若需要可與另一屏 蔽膜上所使用之黏著劑不同。給定黏著層可包括電絕緣黏 著劑，且可提供兩個屏蔽膜之間的絕緣結合。此外，給定 黏著層可提供屏蔽膜中之至少一者與導線組中之一者、一 些或全部之絕緣導線之間，及屏蔽膜中之至少一者與接地 導線（右存在）中之一者、一些或全部之間的絕緣結合。或 者’給定黏著層可包括導電黏著劑’且可提供兩個屏蔽膜 153056.doc

-24- 201214467 導電結 之間的導電結合。此外，給定黏著層可提供屏蔽膜中之至 少一者與接地導線（若存在）中之一者、一些或全部之間的 合適的導電黏著劑包括導電粒子以提供電流之 流動。導電粒子可為當前所使用的粒子之類型中之任一 者’諸如’球'薄片、棒、立方體'非晶形或其他粒子形 狀。該等導電粒子可為實心或實質上實心之粒子，諸如， 碳黑、碳纖維、鎳球、鎳塗佈之銅球、金屬塗佈之氧化 物、金屬塗佈之聚合物纖維或其他類似導電粒子。此等導 電粒子可由以諸如銀、！g、錄或氧化銦錫之導電材料電鑛 或塗佈的電絕緣材料製造。金屬塗佈之絕緣材料可為實^ 上中空之粒子（諸如’中空玻璃球），或可包含諸如玻璃珠 或金屬氧化物之實心材料。導電粒子可為大約數十微米至 奈米大小之材料，諸如，碳奈米管。合適的導電黏著劑亦 可包括導電聚合基質。 當在一給定纜線建構中使用時，黏著層較佳可相對於纜 線之其他元件在形狀上實質上保形，且可關於纜線之彎曲 運動保形。在一些情況下’給定黏著層可為實質上連續 的，例如，沿著一給定屏蔽膜之給定主要表面之實質上整 個長度及寬度延伸。在一些情況下，黏著層可為實質上不 連續的。舉例而t，黏著層可僅存在於沿著給定屏蔽膜之 長度或寬度之一些部分中。不連續黏著層可（例如）包括複 數個縱向黏著帶，該複數個縱向黏著帶安置於（例如）每一 導線組之兩側上的屏蔽膜之壓緊部分之間及接地導線（若 存在）旁邊的屏蔽膜之間。給定黏著劑材料可為或可包括 153056.doc -25- 201214467 壓敏黏著劑、熱溶黏著劑、熱固性黏著劑及可固化黏著劑 中之至少一者。黏著層可經組態以提供實質上比一或多個 絕緣導線與屏蔽膜之間的結合強的屏蔽膜之間的結合。此 了（例如）藉由適g地選擇黏著劑調配物達成。此黏著組態 之一優勢在於，使屏蔽膜可易於自絕緣導線之絕緣材料剝 離。在其他情況下，黏著層可經組態以提供實質上同等強 的在屏蔽膜之間的結合及一或多個絕緣導線與屏蔽膜之間 的結合。此黏著組態之一優勢在於，絕緣導線錨定於屏蔽 膜之間。當彎曲具有此建構之屏蔽電纜時，此允許實現極 小的相對移動，且因此減小使屏蔽膜皺曲的可能性。可基 於預期應用挑選合適的結合強度。在一些情況下可使用 具有小於約0.13 mm之厚度的可保形黏著層。在例示性實 施例中’黏著層具有小於約〇 〇5 mm之厚度。 給定黏著層可保形以達成屏蔽電纜之所要機械及電效能 特性。舉例而言，黏著層可保形以在導線組之間的區域中 之屏蔽膜之間較薄，此至少增加屏蔽纜線之侧向可撓性。 此可允許將屏蔽纜線較容易地置放至曲線狀外部護套中。 在些情況下，黏著層可保形以在緊鄰導線組之區域中較 厚，且實質上保形於導線組。此可增加機械強度且允許在 此等區域中形成曲線形狀之屏蔽膜，其可增加屏蔽纜線 (例如）在规線之撓曲期間之_久性。此外，此可幫助沿著 屏蔽纜線之長度維持絕緣導線相對於屏蔽膜之位置及間 距，其可導致屏蔽規線之較均一之阻抗及優越之信號完整 性0 153056.doc -26-

S 201214467 給定黏著層可保形以實際上在處於導線組之間的區域中 (例如，纜線之壓緊區中）之屏蔽膜之間被部分或完全地移 除。結果，屏蔽膜可在此等區域中彼此電接觸，其可增加 纜線之電效能《在一些情況下，黏著層可保形以實際上在 屏蔽膜中之至少一者與接地導線之間被部分或完全地移 除。結果，在此等區域中接地導線可電接觸屏蔽膜中之至 少一者，其可增加纜線之電效能。甚至在一薄黏著層保留 在屏蔽膜中之至少一者與一給定接地導線之間的情況下， 接地導線上之粗糙突起亦可穿透該薄黏著層而視需要建立 電接觸。 圖4a至圖4c為屏蔽電纜之三個例示性實施例的截面圖， 其說明屏蔽電纜中之接地導線之置放之實例。屏蔽電纜之 一惑樣為屏蔽物之適當接地，且此接地可以許多方式實 現。在一些情況下，給定接地導線可電接觸屏蔽膜中之至 少一者，以使得將給定接地導線接地亦會將該或該等屏蔽 膜接地。亦可將此接地導線稱為「加蔽線」。屏蔽膜與接 地導線之間的電接觸可以—相對較低之DCf阻（例如，小 於1〇歐姆或小於2歐姆，或為實質上〇歐姆之Dc電阻）為特 徵。在-些情況下，給定接地導線不與屏蔽膜電接觸，而 可為缓線建構中之個別元件’其獨立地端接至任何合適端 接組件之任何合適個別接觸元件，諸如印刷電路板、開關 板或其他器件上之導電路徑或其他接觸元件。亦可將此接 地導線稱為「接地線」。圖乜說明一例示性屏蔽電瘦，豆 中接地導線定位於屏蔽膜外部。圖4b至圖4e說明接地導線 153056.doc -27· 201214467 疋位於屏蔽膜之間且可包括於導線組中之實施例。可將一 或多個接地導線置放於在屏蔽膜外部、在屏蔽膜之間或兩 者之組合的任何合適位置中。 參看圖4a ’屏蔽電纜12〇2包括一沿著纜線1202之長度 (沿著X軸）延伸之單一導線組12〇4 ^導線組12〇4包括兩個絕 緣導線1206，亦即一對絕緣導線。纜線12〇2可包括跨越規 線之寬度（沿著y軸）彼此間隔開且沿著缆線丨202之長度延伸 的多個導線組1204。兩個屏蔽膜1208安置於纜線1202之相 反的第一側及第二側上且包括蓋罩部分12〇7及壓緊部分 1209。在橫向截面中，蓋罩部分1207組合地實質上圍繞導 線組1204。可選黏著層1210安置於屏蔽膜12〇8之壓緊部分 1209之間’且在導線組1204之兩側上將屏蔽膜12〇8彼此結 合。絕緣導線1206大體配置於單一平面（諸如，xy平面）中 且實際上配置成可用於單端電路配置或差分對電路配置中 之雙軸瘦線組態。屏蔽電规1202進一步包括定位於屏蔽膜 1208外部的複數個接地導線1212 ^接地導線1212置放於導 線組1204之上方、下方及兩側。視情況，屏蔽電規1202包 括圍繞屏蔽膜1208及接地導線1212之保護膜122〇。保護膜 1220包括保護層1220a及將保護層1220a結合至屏蔽膜1208 及接地導線1212之黏著層1220b。或者，屏蔽膜12〇8及接 地導線1212可由一外部導電屏蔽物（諸如，導電編織物）及 一外部絕緣護套（未圖示）圍繞。在一些情況下，至少一保 護層1220a及黏著層1220b可為導電的。 參看圖4b，屏蔽電规1302包括一沿著规線13〇2之長度 153056.doc • 28 · 201214467 (沿著X轴）延伸之單一導線組1304 β導線組13〇4包括兩個絕 緣導線1306。纜線1302可包括跨越纜線13〇2之寬度（沿著y 轴）彼此間隔開且沿著纜線1302之長度延伸的多個導線組 1304 ^兩個屏蔽膜1308安置於纜線13〇2之相反的第一側及 第二側上且包括蓋罩部分1307及壓緊部分13〇9。在橫向截 面中，蓋罩部分組合地實質上圍繞導線組丨3 〇4。可選黏著 層1310安置於屏蔽膜1308之壓緊部分13〇9之間，且在導線 組1304之兩側上將屏蔽膜13〇8彼此結合。絕緣導線^⑽大 體配置於單-+ ®中且實際上配置成雙轴或差分對纜線配 置。屏蔽電纜13 02進一步包括定位於屏蔽膜13〇8之間的複 數個接地導線1312。接地導線1312中之兩者包括於導線組 1304中，且接地導線1312中之兩者與導線組13〇4間隔開。 參看圖4c，屏蔽電镜1402包括一沿著缓線14〇2之長度 (沿著X軸）延伸之單一導線組14〇4。導線組14〇4包括兩個絕 緣導線1406 〇纜線1402可包括跨越纜線14〇2之寬度（沿著y 轴）彼此間隔開且沿著纜線14〇2之長度延伸的多個導線組 1304。兩個屏蔽膜1408安置於纜線14〇2之相反的第一側及 第二側上且包括蓋罩部分1407及壓緊部分1409 ^在橫向截 面中，蓋罩部分1407組合地實質上圍繞導線組14〇4。可選 黏著層1410安置於屏蔽膜1408之壓緊部分14〇9之間，且在 導線組1404之兩側上將屏蔽膜14〇8彼此結合。絕緣導線 1406大體配置於單一平面中且實際上配置成雙軸或差分對 繞線配置《屏蔽電纜1402進一步包括定位於屏蔽膜148〇之 間的複數個接地導線1412。所有接地導線1412包括於導線 153056.doc •29· 201214467 組1404中。接地導線1412中之兩者及絕缘導線ι儀大體配 置於單一平面（諸如，xy平面）中。#蔽電規14〇2進一步包 括在纜線之兩側上安置於屏蔽膜14〇8及導線組14〇4上之 EMI吸收層1450。 圖5a至圖5g說明製造可實f上與圖i所示之屏蔽電規相 同的屏蔽電纜之例示性方法。 在圖5a中所說明之步驟中，使用任何合適方法（諸如， 擠壓）形成絕緣導線6或以其@方式提供絕緣導線6。絕緣 導線6包括由絕緣體6b圍繞之導線&且可以任何合適長度 形成。可接著照此提供絕緣導線6或將其切割至所要長 度。可以類似方式形成並提供接地導線12(參見圖化）。 在圖5b中所說明之步驟中，形成—或多個屏蔽膜8。可 使用任何合適方法（諸如，連續寬腹板處理）形成單層或多 層腹板。每一屏蔽膜8可以任何合適長度形成。可接著照 此提供屏蔽膜8或將其切割至所要長度及/或寬度。屏蔽膜 8可經預成形以具有橫向部分摺疊以增加縱向方向上之可 撓性。屏蔽膜8中之一或兩者可包括可保形黏著層10，其 可使用任何合適方法（諸如，層壓、塗佈或濺鍍）形成於屏 蔽膜8上。 在圖5c中所說明之步驟中，提供複數個絕緣導線6、接 地導線12及屏蔽膜8。提供一成形工具24。成形工具以包 括一對成形輥26a、26b ,其具有對應於屏蔽電纜2之所要 截面形狀之形狀，該成形工具亦包括輥縫28。絕緣導線 6、接地導線12及屏蔽膜8根據所要屏蔽電纜2(諸如，本文 153056.doc

S •30· 201214467 中所示及/或所描述之纜線之任一者）之组態而配置，且定 位於接近成形輥26a、261)處，此後，同時將其饋入至成形 輥26a、26b之輥縫28且安置於成形輥26a、26b之間。成形 工具24在導線組4及接地導線12周圍形成屏蔽膜8，且在每 一導線組4及接地導線12之兩側上將屏蔽膜8彼此結合。可 施加熱以促進結合《雖然在此實施例中，在導線組4及接 地導線12周圍形成屏蔽膜8且在每一導線組4及接地導線12 之兩側上將屏蔽膜8彼此結合發生於單一操作中，但在其 他實施例中，此等步驟可在分離的操作中發生。 其他層可包括於被饋入至成形親26a及26b之輥縫28中的 配置中。舉例而言，一或多個EMI吸收層、一或多個保護 層及/或一或多個護套層可包括於該配置中且饋入至輥縫 28申。 圖5d說明當由成形工具24形成時之屏蔽電纜2。在圖& 中所說明之可選步驟中，使縱向裂縫18形成於導線組4之 間。可使用任何合適方法（諸如，雷射切割或衝壓）使裂縫 18形成於屏蔽電纜2中。 在圖5f中所說明之另一可選步驟中，屏蔽電纜2之屏蔽 膜8可沿著麗緊區在長度方向上多次摺疊成一束且可使 用任何合適方法在摺疊的束周圍提供一外部導電屏蔽物 3〇。亦可使用任何合適方法(諸如’擠壓)在圖中所示意 說明之外部導電屏蔽物3〇周圍提供一外部替32。在一些 實施例中可省略外部導電屏蔽物3Q，且可在經摺疊屏蔽 瘦線周圍提供外部護套32。 153056.doc -31- 201214467 圖6a至圖6c說明一製造屏蔽電纜之例示性方法之細節。 圓6a至圖6c說明在屏蔽膜之形成及結合期間可以保形方式 塑形一或多個黏著層的方式。 在圖6a中所說明之步驟中，提供一絕緣導線16〇6、一與 、·邑緣導線1606間隔開之接地導線1612及兩個屏蔽膜16〇8。 屏蔽膜1608各自包括-可保形黏著層1610。在圖6b至圖6c 中所說月之步驟中’在絕緣導線16G6及接地導線周圍 形成屏蔽膜1608，且將該等屏蔽膜彼此結合。最初，如圖 6b中所說明，黏著層161〇仍具有其原始厚度。隨著屏蔽膜 1608之形成及結合進行，可保形黏著層161〇保形以達成屏 蔽電纜1602(圖6c)之所要機械及電效能特性。 如圖6c中所說明，黏著層161〇保形以在絕緣導線16〇8及 接地導線1606之兩側上的屏蔽膜16〇8之間較薄；黏著層 1610之一部分移位離開此等區域。另外，可保形黏著層 1610保形以在緊鄰絕緣導線16〇6及接地導線1612之區域中 較厚，且實質上保形於絕緣導線丨6〇6及接地導線丨6丨2 ;黏 著層1610之一部分移位至此等區域中。另外，可保形黏著 層1610保形以實際上在屏蔽膜丨6〇8與接地導線丨6丨2之間被 移除；可保形黏著層1610移位離開此等區域，以使得接地 導線1612電接觸屏蔽膜1608。 在一些方法中，可使用較厚之金屬或金屬材料作為屏蔽 膜來形成半硬質纜線。舉例而言，可在此方法中使用鋁或 其他金屬，而無聚合物背襯膜。使鋁（或其他材料）通過成 形沖模以在鋁中產生形成蓋罩部分及壓緊部分之皺褶。將

153056.doc S 201214467 絕緣導線置放於形成蓋罩部分之㈣中。若使用加蔽線， 則可形成較小皱褶以用於加蔽線。使絕緣導線及視情況之 ::蔽線夾在相對的皺褶鋁層之間。舉例而言，鋁層可用黏 著劑《或溶接。上部及下部的敏褶之銘屏蔽膜之 間的連接可經由不絕緣之加蔽線。或者，可壓印、進」步 壓緊及/或衝壓穿透！g之壓緊部分以在敵權之屏蔽層之間 提供正接觸。 在例示性實施例中，屏蔽電纜之蓋罩區包括定位於給定 導線組之一側或兩側上之同心區及過渡區。給定屏蔽膜在 同〜區中之部分被稱為屏蔽膜之同心部分，且該屏蔽膜在 過渡區中之部分被稱為屏蔽膜之過渡部分。該等過渡區可 經組態以提供屏蔽電纜之高可製造性及應變及應力消除。 沿著屏蔽電纜之長度維持實質上恆定組態（包括諸如大 小、形狀、内含物及曲率半徑之態樣）之過渡區可幫助屏 蔽電纜具有實質上均一的電性質，諸如，高頻隔離、阻 抗、偏斜、插入損耗、反射、模式轉換、眼圖張開度及抖 動。 另外，在特定實施例（諸如，導線組包括沿著纜線之長 度延伸、大體配置於單一平面中且實際上配置為可連接成 差分對電路配置之雙軸纜線的兩個絕緣導線之實施例） 中’沿著屏蔽電纜之長度維持實質上恆定組態之過渡部分 可有益地為導線組中之兩個導線提供相對於理想同心情況 的實質上相同的電磁場偏差《因此，仔細控制沿著屏蔽電 纜之長度的此過渡部分之組態可對纜線之有利電效能及特 153056.doc •33· 201214467 性有幫助。圖7a至圖9b說明屏蔽電觋之各種例示性實施 例’其包括安置於導線組之一側或兩側上的屏蔽膜之過渡 區。 屏蔽電纜1702(在圖7a及圖7b中以截面展示其）包括沿著 纜線1702之長度（沿著x-)延伸之單一導線組17〇4。可使屏 蔽電缆1702具有沿著规線1 702之寬度（沿著y軸）彼此間隔開 且沿著纜線1 702之長度延伸的多個導線組〗7〇4。雖然圖7a 中僅展示一個絕緣導線丨7〇6，但若需要，可將多個絕緣導 線包括於導線組1704中》 將最靠近纜線之壓緊區定位的導線組之絕緣導線視為導 線組之末端導線。如所示，導線組丨7〇4具有一單一絕緣導 線1706，且該絕緣導線亦為末端導線，因為其最靠近屏蔽 電纜1702之壓緊區1718定位。 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜17〇8安置於纜線之相反側上且 包括蓋罩部分1707。在橫向截面中，蓋罩部分實質上 圍繞導線組1704。可選黏著層1710安置於屏蔽膜17〇8之壓 緊部分1709之間，且在導線組17〇4之兩側上在纜線17〇2之 壓緊區1718中將屏蔽膜1708彼此結合。可選黏著層171〇可 部分或完全地跨越屏蔽膜1708之蓋罩部分1707延伸，例 如，自導線組1704之一側上的屏蔽膜17〇8之壓緊部分17〇9 延伸至導線組1704之另一側上的屏蔽膜17〇8之壓緊部分 1 709。纜線1702進一步包括在纜線之兩側上安置於導線組 1704及屏蔽膜1708上之EMI吸收層1750。 絕緣導線17 0 6實際上配置為同軸规線，其可用於單端電 •34· 153056.doc

S 201214467 路配置中。屏蔽膜1708可包括一導電層17〇8a及一非導電 聚合層1708b。在一些實施例中，如圖7a及圖7b所說明， 兩個屏蔽膜之導電層1708a面向絕緣導線。或者，可颠倒 屏蔽膜1708中之一者或兩者之導電廣之定向，如本文中別 處所論述。 屏蔽膜1708包括與導線組1704之末端導線1706實質上同 心之同心部分。屏蔽電纜1702包括過渡區1736。纜線1702 之過渡區1736中的屏蔽膜1708之部分為屏蔽膜1708之過渡 部分1734。在一些實施例中，屏蔽電纜17〇2包括定位於導 線組1704之兩側上之過渡區1736，且在一些實施例中，過 渡區1736可僅定位於導線組1704之一側上。 過渡區1736係由屏蔽膜1708及導線組1704界定》過渡區 1734中的屏蔽膜1708之過渡部分1734提供屏蔽膜1708之同 心部分1708與壓緊部分1709之間的逐漸過渡。與諸如直角 過渡或過渡點（與過渡部分相對比）之急劇過渡相比，逐漸 或平滑過渡（諸如，實質上S型之過渡）為過渡區1736中之 屏蔽膜1708提供應變及應力消除，且阻止在屏蔽電纜17〇2 在使用中時（例如，當側向或軸向地彎曲屏蔽電魔丨7〇2時） 對屏蔽膜1708之損害。此損害可包括（例如）導電層17〇8£1中 之破裂及/或導電層17〇8a與非導電聚合層17〇813之間的脫 結。此外’逐漸過渡防止在屏蔽電缆17〇2之製造中對屏蔽 膜1708之損害，該損害可包括（例如）導電層1708a及/或非 導電聚合層1708b之裂開或剪斷。將所揭示過渡區用在帶 狀屏蔽電纜中之-個、—些或全部導線組之—側或兩側上 153056.doc -35· 201214467 表示了相對於習知纜線組態（諸如，典型同轴纜線，其中 屏蔽物大體連續地安置於單一絕緣導線之周圍，或典型習 知雙軸纜線，其中屏蔽物連續地安置於一對絕緣導線周 圍）之偏離。 根據所揭示之屏蔽電纜之至少一些之一態樣，可藉由減 小過渡區之電影響（例如’藉由減小過渡區之大小及/或仔 細地控制沿著屏蔽電纜之長度的過渡區之組態）來達成可 接受電性質。減小過渡區之大小減小電容偏差且減小多個 導線組之間的所需空間，藉此減小導線組中心距及/或增 加導線組之間的電隔離。對沿著屏蔽電纜之長度的過渡區 之組態之仔細控制對獲得可預測之電行為及一致性有幫 助，此提供高速傳輸線，以便可更可靠地傳輸電資料。當 過渡部分之大小接近一大小下限時，對沿著屏蔽電纜之長 度的過渡區之組態之仔細控制為一因素。 常被考慮之電特性為傳輸線之特性阻抗。沿著傳輸線之 長度的任何阻抗改變可使電力被反射回至電源，而不是傳 輸至目標。理想地，傳輸線沿著其長度應無阻抗變化，但 視預期應用而定，高達5-10%之變化可為可接受的。雙軸 纜線（差分驅動）中常要考慮之另一電特性為成對之兩條傳 輸線沿著其長度之至少-部分之偏斜或不#的傳輸速度。 偏斜產生差分信號至可反射回至電源的共模信號之轉換、 減小傳輸信號強度、產生電磁輻射，且可顯著增加位元錯 誤率（詳言之，抖動）。理想地，一對傳輸線應不具有偏 斜，但視預期應用而定，在高達所關心頻率（諸如，6 153056.doc

S -36- 201214467 GHz)時小於-25至-30 dB的差分S參數SCD21或SCD12值（表 示自傳輸線的一個末端至另一末端之差分至共模轉換）可 為可接受的。或者，偏斜可在時域中加以量測且與一所需 規格相比較。本文中所描述之屏蔽電纜（例如）在高達約1 〇 Gbps之資料傳送速度下可達成小於約20皮秒/公尺（psec/m) 或小於約10 psec/m之偏斜值。 再次參看圖7a至圖7b，部分地為了幫助達成可接受之電 性質，屏蔽電纜1702之過渡區1736可各自包括截面過渡區 域1736a。過渡區域1736a小於絕緣導線1706之截面區域 1706a。如圖7b中最佳所示’過渡區1736之截面過渡區域 1736a係由過渡點1734’及1734”界定。 過渡點1734'出現在屏蔽膜偏離於與導線組1704之末端 絕緣導線1706實質上同心之處。過渡點！734,為屏蔽膜1708 之拐點，在該等拐點處，屏蔽膜17〇8之曲率改變正負號。 舉例而言，參看圖7b，上部屏蔽膜1708之曲率在為圖中之 上部過渡點1734'之拐點處自向下凹過渡至向上凹。下部屏 蔽膜1708之曲率在為圖中之下部過渡點ι734,之拐點處自向 上凹過渡至向下凹。其他過渡點1734"出現在屏蔽膜17〇8 之壓緊部分1709之間的間隔超出壓緊部分1709之最小間隔 di預疋倍數（例如，1.2或1.5)處。此外，每一過渡區域 1736&可包括空隙區域1736b。導線組1704之任一側上之空 隙區域1736b可實質上相同。此外，黏著層171〇可具有在 屏蔽膜1708之同心部分1711處的厚度Tac，及在屏蔽膜17〇8 之過渡部分1734處的大於厚度Tac之厚度。類似地，黏著層

S 153056.doc -37- 201214467 1710可具有在屏蔽膜1708之壓緊部分1709之間的厚度 Tap，及在屏蔽膜1708之過渡部分1734處的大於厚度Tap之 厚度。黏著層1710可表示至少25%之截面過渡區域1736a。 黏著層1710存在於過渡區域1736a中（詳言之，以大於厚度 Tac或厚度Tap之厚度）對過渡區1736中的纜線1702之強度有 幫助。 對屏蔽電纜1702之各種元件的製造過程及材料特性之仔 細控制可減少過渡區1736中的空隙區域1736b及可保形黏 著層1710之厚度的變化，此又可減少截面過渡區域1736a 之電容之變化。屏蔽電纜1702可包括定位於導線組1704之 一側或兩側上的過渡區1736，其包括實質上等於或小於導 線1706之截面區域1706a的截面過渡區域1736a。屏蔽電規 1702可包括定位於導線組1704之一側或兩側上的過渡區 1736，其包括一沿著導線1706之長度實質上相同的截面過 渡區域1736a。舉例而言，截面過渡區域1736a可在1公尺 之長度上變化小於50%。屏蔽電纜1702可包括定位於導線 組1704之兩側上的各自包括一截面過渡區域之過渡區 1736 ’其中截面區域1734a之總和沿著導線1706之長度實 質上相同。舉例而言，截面區域1734a之總和在1公尺之長 度上可變化小於50%。屏蔽電纜1702可包括定位於導線組 1704之兩側上的各自包括截面過渡區域1736&之過渡區 1736，其中截面過渡區域m6a實質上相同。屏蔽電规 1702可包括定位於導線組17〇4之兩側上的過渡區1736，其 中過渡區1736實質上相等。絕緣導線1706具有絕緣厚度 153056.doc -38- 201214467

Ti ’且過渡區1736可具有小於絕緣厚度乃之側向長度Lt« 絕緣導線1706之中心導線具有直徑Dc，且過渡區1736可具 有小於直徑De之側向長度Lt。上文所描述之各種組態可提 供保持在所要範圍内（諸如，在給定長度（諸如，1公尺）上 在目標阻抗值（諸如50歐姆）之5-10%内）之特性阻抗。 可影響沿著屏蔽電纜Π02之長度的過渡區1736之組態的 因素包括製造過程、導電層1708a及非導電聚合層1708b、 黏著層1710之厚度及絕緣導線1706與屏蔽膜1708之間的結 合強度（僅舉幾個例子）。 在一態樣中，導線組1704、屏蔽膜1708及過渡區1736可 按阻抗控制關係合作地組態。阻抗控制關係意謂著導線組 1 704、屏蔽膜1708及過渡區1736經合作地組態以控制屏蔽 電纜之特性阻抗》 圖8a至圖8b以橫向截面說明一導線組中具有兩個絕緣導 線之屏蔽電瘦的兩個例示性實施例。參看圖8a，屏蔽電瘦 1802大體處於xy平面中且包括一單一導線組18〇4，該單一 導線組包括沿著纜線1 802之長度（沿著X轴）延伸的兩個個別 絕緣之導線1806。兩個屏蔽膜1808安置於纜線1802之相反 側上且組合地實質上圍繞導線組1804。可選黏著層181〇安 置於屏蔽膜1808之壓緊部分1809之間，且在導線組1804之 兩側上於纜線1802之壓緊區1818中將屏蔽膜18〇8彼此結 合。絕緣導線1806可大體配置於單一平面（諸如，xy平面） 中且實際上配置成雙軸纜線組態。雙軸纜線組態可用於差 分對電路配置中或單端電路配置中。屏蔽膜1808可包括導 153056.doc -39· 201214467 電層1808a及非導電聚合層1808b，或可包括導電層1808a 而無非導電聚合層1808b。圖8a展示面向絕緣導線1806之 導電層1808a，但在替代實施例中，屏蔽膜中之一者或兩 者可具有顛倒的定向。纜線1802進一步包括在纜線之兩側 上安置於導線組1804及屏蔽膜1808上之EMI吸收層1850。 屏蔽膜1808中之至少一者之蓋罩部分1807包括與導線組 1804之對應末端導線1806實質上同心之同心部分1811。在 纜線1802之過渡區1836中，屏蔽膜1808之過渡部分1834介 於屏蔽膜1808之同心部分1811與壓緊部分1809之間。過渡 部分1836定位於導線組1804之兩側上，且每一此部分包括 截面過渡區域1836a。截面過渡區域1836a之總和較佳沿著 導線1806之長度實質上相同。舉例而言，截面區域m6a 之總和可在1公尺之長度上變化小於50〇/〇。 此外，該兩個截面過渡區域1836a可實質上相同及/或實 質上相等。過渡區之此組態對每一導線18〇6(單端的）之特 性阻抗及差分阻抗有幫助，該兩種阻抗皆保持在所要範圍 内（諸如，在給定長度（諸如，1 m)上在目標阻抗值之5_ 10〇/〇内）。此外，過渡區1836之此組態可使沿著兩個導線 1806之長度之至少一部分的該等導線18〇6之偏斜最小化。 當規線處於未指疊之平坦組態時，在橫向截面中，屏蔽 膜之每一者可以跨越纜線1802之寬度改變之曲率半徑為特 徵。屏蔽膜18G8之最大曲率半徑可出現（例如）在規線_ 之壓緊部分蘭處，或靠近圖8a中所說明的多導線規線組 1804之蓋罩部分1807之中心點。在此等位置，膜可為實質 • 40· 153056.doc

201214467 上扁平的，且曲率半徑可為實質上無窮大。屏蔽臈刪之 最小曲率半&可出現在（例如）屏蔽膜18G8之過渡部分1834 處。在-些實施例中，跨越魔線之寬度的屏蔽膜之曲率半 徑為至少約5G微米，亦即，在纜線之邊緣之間在沿著纔線 之寬度的任-點處曲率半徑之量值皆不小於％微米。在一 些實施例中’對於包括過渡部分之屏蔽膜而言，屏蔽膜之 過渡部分之曲率半徑類似地為至少約5〇微米。 、 在未摺疊之平坦組態下，包括同心部分及過渡部分之屏 蔽膜1808可以圖8a中所說明的同心部分之曲率半徑&及/ 或過渡部分之曲率半徑r〗為特徵。在一些實施例中，心… 在2至15之範圍内。 參看圖8b，屏蔽電纜19〇2在一些態樣中類似於屏蔽電纜 1802。屏蔽電缓18〇2具有個別絕緣之導線18〇6，而屏蔽電 纜1902具有聯合絕緣之導線19〇6。儘管如此，過渡區1936 實質上類似於過渡區1836且將相同益處提供給屏蔽電纜 1902。 圖9a至圖9b說明過渡部分之位置及組態之變化。在此等 例示性實施例中’屏蔽膜2008、2108具有不對稱組態，其 相對於較對稱之實施例（諸如’圖8a之實施例）改變了過渡 部分之位置。屏蔽電纜2002(圖9a)及2102(圖9b)具有屏蔽 膜2008、2108之壓緊部分2009，其處於一相對於絕緣導線 2006、2106之對稱平面偏移之平面中。結果，過渡區 203 6、213 6具有相對於其他所描繪之實施例有點偏移之位 置及組態。然而’藉由確保過渡區2036、2136相對於對應 153056.doc -41 - 201214467 絕緣導線2〇06、2106(例如，相對於導線2006、2106之間 的垂直平面）實質上對稱地定位，且確保過渡區203 6、 2136之組態沿著屏蔽電纜2002、2102之長度得以仔細控 制，屏蔽電纜2002、2102可經組態為仍提供可接受之電性 質。纜線2002進一步包括在纜線之兩側上安置於導線組 2004及屏蔽膜2008上之EMI吸收層2050。规線2102進一步 包括在缆線之兩側上安置於導線組2104及屏蔽膜2108上之 EMI吸收層2150。 圖10a至圖10c、圖13及圖14說明屏蔽電纜之額外例示性 實施例。圖11a至圖llg、圖12a至圖12b及圖15a至圖15f說 明屏蔽電缆之壓緊部分之若干例示性實施例。圖1 〇a至圖 15f說明經組態以電隔離屏蔽電纜之導線組的壓緊部分之 實例。導線組可與鄰近導線組電隔離（例如，以最小化鄰 近導線組之間的串擾，圖l〇a至圖1〇c及圖Ua至圖丨lg)，或 與屏蔽電規之外部環境電隔離（例如，以最小化來自屏蔽 電纜之電磁輻射洩漏且最小化來自外部源之電磁干擾，圖 14及圖15a至圖15f)。在兩種情況下，壓緊部分皆可包括各 種機械結構以改變電隔離。實例包括屏蔽膜之緊密接近 性、屏蔽膜之間的高介電常數材料、與屏蔽膜中之至少一 者直接或間接電接觸的接地導線、鄰近導線組之間的延伸 之距離、鄰近導線組之間的實體斷裂、屏蔽膜彼此間直接 縱向、橫向或兩者的間歇性接觸、_吸收層之間的間距 的減小，及導電黏著劑（僅舉幾個例子）^在一態樣中，屏 蔽膜之壓緊部分經界定為不覆蓋導線組的屏蔽膜之部分。 153056.doc

S •42· 201214467 圖10a以截面展示屏蔽電纜2202，其包括跨越纜線2202 之寬度（沿著y軸）間隔開且沿著纜線2202之長度（沿著X軸） 縱向地延伸的兩個導線組2204a、2204b。每一導線組 2204a、2204b包括兩個絕緣導線2206a、2206b。兩個屏蔽 膜2208安置於纜線2202之相反側上。此外，兩個EMI吸收 層2250在纜線2202之相反側上安置於該等屏蔽膜上。在橫 向截面中，屏蔽膜2208之蓋罩部分2207在纜線2202之蓋罩 區2214中實質上圍繞導線組2204a、2204b。舉例而言，屏 蔽膜2208之蓋罩部分2207組合地藉由包覆每一導線組 2204a、2204b之一周邊的至少70%而實質上圍繞每一導線 組2204a、2204b。在纜線2202之壓緊區2218中，在導線組 2204a、2204b之兩側上，屏蔽膜2208包括壓緊部分2209。 在屏蔽電纜2202中，當纜線2202處於平坦及/或未摺疊配 置時，屏蔽膜2208之壓緊部分2209及絕緣導線2206大體配 置於單一平面中。定位於導線組2204a、2204b之間的壓緊 部分2209經組態以將導線組2204a、2204b彼此電隔離。 當配置成大體平坦之未摺疊配置時，如圖l〇a中所說 明，導線組2204中之第一絕緣導線2206a相對於導線組 2204中之第二絕緣導線2206b的高頻電隔離實質上小於第 一導線組2204a相對於第二導線組2204b的高頻電隔離。舉 例而言，該第一絕緣導線相對於該第二導線之高頻隔離為 在3-15 GHz之一指定頻率及1公尺之一長度下之一第一遠 端串擾C1，且該第一導線組相對於該鄰近導線組之高頻隔 離為該指定頻率下之一第二遠端串擾C2，且其中C2比C1 153056.doc -43- 201214467 低至少10 dB。 如圖10a之截面中所說明，纜線22〇2可以屏蔽膜22〇8之 蓋罩部分2207之間的最大間隔D、屏蔽膜22〇8之蓋罩部分 2207之間的最小間隔t及屏蔽膜22〇8之壓緊部分22〇9之間 的最小間隔d〗為特徵。在一些實施例中，di/D小於〇 25或 小於〇.1。在一些實施例中，d2/D大於〇 33。 如所示，可包括一介於屏蔽膜22〇8之壓緊部分22〇9之間 的可選黏著層2210。黏著層2210可連續或不連續。在一些 實施例中，該黏著層在纜線2202之蓋罩區2214中（例如， 在屏蔽膜2208之蓋罩部分2207與絕緣導線2206a、2206b之 間）完全或部分地延伸。黏著層2210可安置於屏蔽膜22〇8 之蓋罩部分2207上且可自導線組2204a、2204b之一侧上的 屏蔽膜2208之壓緊部分2209完全或部分地延伸至導線組 2204a、2204b之另一側上的屏蔽膜2208之壓緊部分2209。 屏蔽膜2208可以跨越纜線2202之寬度之曲率半徑R及/或 以屏蔽膜之過渡部分2212之曲率半徑[丨及/或以屏蔽膜之同 心部分2211之曲率半徑r2為特徵。 在過渡區2236中’可配置屏蔽膜2208之過渡部分2212以 提供屏蔽膜2208之同心部分2211與屏蔽膜2208之壓緊部分 2209之間的逐漸過渡》屏蔽膜2208之過渡部分2212自第一 過渡點2221 (其為屏蔽膜2208之拐點且標記同心部分2211 之結束）延伸至第二過渡點2222(在此處，屏蔽膜之間的間 隔超出壓緊部分2209之最小間隔I一預定倍數）。 在一些實施例中，纜線2202包括至少一屏蔽膜，其具有

153056.doc -44- S 201214467 至少約50微米的跨越纜線之寬度之曲率半徑R及/或屏蔽膜 22〇2之過渡部分2212之最小曲率半徑!"丨為至少約50微米。 在一些實施例中，同心部分之最小曲率半徑與過渡部分之 最小曲率半徑之比^仏在〗至15之範圍内。 圖10b為屏蔽電纜2302之截面圖，該屏蔽電纜包括跨越 纜線23 02之寬度（沿著y軸）彼此間隔開且沿著纜線23 〇2之長 度（沿著X麵）縱向地延伸的兩個導線組2304。每一導線組 23 04包括一個絕緣導線2306、安置於纜線2302之相反側上 的兩個屏蔽膜2308及兩個EMI吸收層2350。在橫向截面 中，屏蔽膜2308之蓋罩部分2307在纜線2302之蓋罩區2314 中組合地實質上圍繞導線組23 04之絕緣導線2306。在瘦線 2302之壓緊區2318中’在導線組2304之兩側上，屏蔽膜 2308包括壓緊部分2309。在屏蔽電纜2302中，當纜線2302 處於平坦及/或未摺疊配置時，屏蔽膜2308之壓緊部分 2309及絕緣導線2306大體配置於單一平面中。屏蔽膜2308 之蓋罩部分2307及/或纜線2302之壓緊部分2309經組態以 使導線組2304彼此電隔離。 如圖10b之截面中所示’纜線2302可以屏蔽膜2308之蓋 罩部分2307之間的最大間隔D，及屏蔽膜2308之壓緊部分 2309之間的最小間隔d!為特徵。在一些實施例中，山/D小 於0.25或小於0.1。 可包括一介於屏蔽膜2308之壓緊部分2309之間的可選黏 著層2310。黏者層2310可連續或不連續〃在一些實施例 中’黏著層23 10在纜線之蓋罩區2314中（例如，在屏蔽膜 153056.doc -45· 201214467 2308之蓋罩部分2307與絕緣導線2306之間）完全或部分地 延伸。黏著層23 10可安置於屏蔽膜2308之蓋罩部分2307上 且可自導線組2304之一側上的屏蔽膜2308之壓緊部分2309 完全或部分地延伸至導線組2304之另一側上的屏蔽膜2308 之壓緊部分2309。 屏蔽膜2308可以跨越纜線2302之寬度之曲率半徑R及/或 以屏蔽膜2308之過渡部分23 12中之最小曲率半徑1^及/或以 屏蔽膜2308之同心部分2311之最小曲率半徑r2為特徵。在 纜線2302之過渡區2236中，屏蔽膜2302之過渡部分2312可 經組態以提供屏蔽膜2308之同心部分2311與屏蔽膜2308之 壓緊部分2309之間的逐漸過渡。屏蔽膜2308之過渡部分 2312自第一過渡點2321(其為屏蔽膜2308之拐點且標記同 心部分23 11之結束）延伸至第二過渡點2322(在此處，屏蔽 膜之間的間隔等於壓緊部分2309之最小間隔ch或超出山一 預定倍數）。 在一些實施例中，跨越纜線之寬度的屏蔽膜之曲率半徑 R為至少約50微米，及/或屏蔽膜之過渡部分中之最小曲率 半徑為至少50微米。 圖10c以截面展示屏蔽電纜2402，其包括跨越纜線2402 之寬度（沿著y軸）彼此間隔開且沿著纜線2402之長度（沿著X 軸）縱向地延伸的兩個導線組2404a、2404b。每一導線組 2404a、2404b包括兩個絕緣導線2206a、2206b。兩個屏蔽 膜2408a、2408b及兩個EMI吸收層2450a、2450b安置於纜 線2402之相反側上。在橫向截面中，屏蔽膜2408a、2408b 153056.doc -46- s 201214467 之蓋罩部分2407組合地在纜線2402之蓋罩區2414中實質上 圍繞導線組2404a、2404b。在纜線2402之壓緊區2418中’ 在導線組2404a、2404b之兩側上，上部屏蔽膜及下部屏蔽 膜2408a、2408b包括壓緊部分2409。 在屏蔽電纜2402中，當纜線2402處於平坦及/或未摺疊 配置時，屏蔽膜2408之壓緊部分2409及絕緣導線2406a、 2406b大體配置於不同平面中》屏蔽膜2408b中之一者為實 質上扁平的。本文中將纜線2402之壓緊區2418中的實質上 扁平之屏蔽膜2408b之部分稱為壓緊部分2409(即使在壓緊 區2418中幾乎沒有屏蔽膜2408b之平面外偏差）。當纜線 2402處於平坦或未摺疊組態時，屏蔽膜2408b之同心部分 2411、過渡部分2412及壓緊部分2407實質上共平面。 導線組2404a、2404b之間的纜線2402之蓋罩部分2407及 /或壓緊部分2409經組態以使導線組2404a、2404b彼此電 隔離。當配置成大體平坦之未摺疊配置時，如圖l〇c中所 說明，第一導線組2404a中之第一絕緣導線2406相對於第 一導線組2404a中之第二絕緣導線2406b的高頻電隔離實質 上小於第一導線組2404a之任一導線2406a、2406b相對於 第二導線組2404b之任一導線2406a、2406b的高頻電隔 離，如上文論述。 如圖10c之截面中所說明，纜線2402可以屏蔽膜2408a、 2408b之蓋罩部分2407之間的最大間隔D、屏蔽膜2408a、 2408b之蓋罩部分2407之間的最小間隔d2及屏蔽膜2408a、 2408b之壓緊部分2409之間的最小間隔1為特徵。在一些 153056.doc -47· 201214467 實施例中，山/D小於0.25或小於〇. 1。在一些實施例中， d2/D 大於 0.33。 可選黏著層2410可安置於屏蔽膜2408a、2408b之壓緊部 分2409之間。黏著層2410可連續或不連續。在一些實施例 中，黏著層2410在纜線2402之蓋罩區2414中（例如’在屏 蔽膜2408a、2408b中之一或多者的蓋罩部分2407與絕緣導 線2406a、2406b之間）完全或部分地延伸。黏著層2410可 安置於一或多個屏蔽膜2408a、2408b的蓋罩部分2407上且 可自導線組2404a、24〇4b之一側上的屏蔽膜2408a、2408b 之壓緊部分2409完全或部分地延伸至導線組2404a、2404b 之另一側上的屏蔽膜2408a、2408b之壓緊部分2409。 彎曲之屏蔽膜2408a之過渡部分2412提供屏蔽膜2408a之 同心部分2411與屏蔽膜2408a之壓緊部分2409之間的逐漸 過渡。屏蔽膜2408a之過渡部分2412自第一過渡點 2421a(其為屏蔽膜2408a之拐點）延伸至第二過渡點 2422a(在此處，屏蔽膜之間的間隔等於壓緊部分2409之最 小間隔i或超出山一預定倍數）。實質上扁平之屏蔽膜 2808b之過渡部分自第一過渡點2421b延伸至第二過渡點 2422b(在此處，屏蔽膜之間的間隔等於壓緊部分2409之最 小間隔1或超出d,—預定倍數）。第一過渡點242lb係由一 與屏蔽膜2408a之第一過渡點242 la相交的正交於實質上扁 平之屏蔽膜2408b之線界定。 彎曲之屏蔽膜2408a可以跨越纜線2402之寬度之曲率半 徑R及/或以屏蔽膜2408a之過渡部分2412之最小曲率半徑r丨 153056.doc •48·

S 201214467 及/或以屏蔽膜之同心部分2411之最小曲率半徑。為特徵。 在一些實施例中，纜線2402包括至少一屏蔽膜2408，其具 有至少約50微米的跨越纜線之寬度之曲率半徑及/或至少 約50微米的屏蔽膜之過渡部分之最小曲率半徑q。在一些 實把例中，屏蔽膜之同心部分之最小曲率半徑〇與屏蔽膜 之過渡部分之最小曲率半徑Γι之比^化在之至15之範圍内。 在圖11a中，屏蔽電纜25〇2包括一壓緊區域2518，其中 屏蔽膜2508間隔開一距離。間隔開之屏蔽膜25〇8(亦即， 不使屏蔽膜2508沿著其接縫連續地直接電接觸）增加壓緊 區25 18之強度。具有相對薄且脆弱的屏蔽膜之屏蔽電纜在 製造期間若被迫使沿著其接縫連續地直接電接觸就可能破 裂或裂開。若不使用有效的方式減小串擾可能性，則間隔 開之屏蔽膜2508可准許鄰近導線組之間發生串擾。減小串 擾涉及封鎖一個導線組之電場及磁場，使得其不作用於 (impinge on)鄰近導線組。在圖Ua中所說明之實施例中’ 對杬串擾之有效屏蔽係藉由提供屏蔽膜25〇8之間的低dc 電阻來達成。低DC電阻可藉由使屏蔽膜25〇8緊密接近地 疋向來達成。舉例而言，屏蔽膜25〇8之壓緊部分25〇9在壓 緊區域2518之至少一位置中可間隔開小於約〇13 屏 蔽膜2508之間的所得DC電阻可小於約15歐姆，且鄰近導 線組之間的所得串擾可小於約_25 dB。在一些情況下，纜 線2502之壓緊區2518具有小於約〇nmm之最小厚度。 屏蔽膜25G8可由分離介f間隔i分離介f可包括可保 形黏著層251〇。舉例而言’分離介質可具有至少15之介 153056.doc •49· 201214467 電常數。高介電常數減小屏蔽膜2508之間的阻抗，藉此增 加鄰近導線組之間的電隔離且減少鄰近導線組之間的串 擾。屏蔽膜2508可在壓緊區25 18,之至少一位置中彼此直接 電接觸。可在選定位置中迫使屏蔽膜2508在一起，使得可 保形黏著層25 10之厚度在該等選定位置中減小。在選定位 置中迫使屏蔽膜在一起可（例如）藉由在此等位置中在屏蔽 膜2508之間進行間歇性壓緊接觸的圖案化之工具來實現。 可縱向或橫向圖案化此等位置。在一些情況下，分離介質 可導電以允許實現屏蔽膜2508之間的直接電接觸。鄰近導 線組之間的串擾可藉由包括在纜線25〇2之兩側上安置於屏 蔽膜2508上之EMI吸收層2550來進一步減小。 在圖lib中，屏蔽電纜2602包括一包括安置於屏蔽膜 2608之間且沿著规線2602之一長度（沿著x軸）延伸之接地導 線2612的壓緊區2618。接地導線2612可與兩個屏蔽膜2608 間接電接觸，例如，屏蔽膜2608之間的低但非零之Dc電 阻》在一些情況下，接地導線2612可在壓緊區2618之至少 一位置中與屏蔽膜2608中之至少一者直接或間接電接觸。 屏蔽電纜2602可包括一可保形黏著層261〇 ,該黏著層安置 於屏蔽膜2608之間且經組態以提供屏蔽膜26〇8中之至少一 者與接地導線2612的受控制之分離。可保形黏著層261〇可 具有一允許接地導線2612在選擇性位置中與屏蔽膜26〇8中 之至少一者直接或間接電接觸之非均勻厚度。在一些情況 下，接地導線2612可包括表面粗糙突起或可變形電線（諸 如，絞合線）以提供接地導線2612與屏蔽膜2608中之至少 •50· I53056.doc

S 201214467 一者之間的受控制之電接觸。可藉由包括在纜線2602之兩 側上安置於屏蔽膜2608上之EMI吸收層2650來進一步減小 鄰近導線組之間的串擾。 在圖11c中，屏蔽電纜2702包括一壓緊區2718。接地導 線2712安置於屏蔽膜2708之間且與兩個屏蔽膜2708直接電 接觸。 在圖lid中，屏蔽電纜2802包括一壓緊區2818，在其中 屏蔽膜2808藉由任何合適構件（諸如，導電元件2844)而彼 此直接電接觸。導電元件2 844可包括導電性電鍵之介層窗 或通道、導電性填充之介層窗或通道，或導電黏著劑（僅 舉幾個例子）。鄰近導線組之間的串擾可藉由包括在纜線 2802之兩側上安置於屏蔽膜2808上之EMI吸收層2850來進 一步減小。 在圖lie中，屏蔽電纜2902包括一壓緊區2918，該壓緊 區具有一在壓緊區2918之至少一位置中的開口 2936，其中 開口 2936包括屏蔽膜2908及EMI吸收層2950中之開口。換 言之，壓緊區2918不連續。開口 2936可包括洞、穿孔、狹 縫及任何其他合適元件。開口 2936提供至少某一等級之實 體分離’其對壓緊區291 8之電隔離效能有幫助，且至少增 加屏蔽電纜2902之側向可撓性。此分離可沿著壓緊區2918 之長度不連續’且可跨越壓緊區2918之寬度不連續。 在圖Ilf中，屏蔽電纜30〇2包括一壓緊區3〇 18，在該壓 緊區3018中屏蔽膜3008中之至少一者包括一在壓緊區3018 之至少一位置中的斷裂3038。換言之，屏蔽膜3008中之至 153056.doc 51· 201214467 少一者不連續。在一些情況下，斷裂3038亦包括兩個emi 吸收層3050中之至少一者中的不連續性。斷裂3〇38可包括 洞、穿孔、狹縫及任何其他合適元件。斷裂3〇38提供至少 某一等級之實體分離，其對壓緊區3〇18之電隔離效能有幫 助，且至少增加屏蔽電纜3002之側向可撓性。此分離可沿 著壓緊區之長度不連續或連續，且可跨越壓緊部分3〇18之 寬度不連續。 在圖llg中，屏蔽電纜3102包括一在摺疊組態中分段 (piecewise)平坦之壓緊區3 U 8。在所有其他條件相等的情 況下，分段平坦之壓緊區具有比具有相同投影寬度之平坦 壓緊區大的實際表面積。若壓緊區之表面積比屏蔽膜31〇8 之間的間距大得多，則DC電阻減小，此改良壓緊區3118 之電隔離效能。在一實施例中，小於5歐姆至1〇歐姆之DC 電阻導致良好的電隔離。在一實施例中，屏蔽電規31〇2之 壓緊部分3118具有至少5之實際寬度對最小間距比。在一 實施例中，壓緊區3118預彎曲，且藉此至少增加屏蔽電纜 3 102之側向可撓性。壓緊區3 118可在任何其他合適組態中 為分段平坦的。在一些情況下，EMI吸收層3 150在壓緊區 3 118中亦分段平坦。 圖12a至圖12b說明關於在例示性屏蔽電纜之製造期間之 壓緊區的細節。屏蔽電纜3202包括兩個屏蔽膜3208及兩個 EMI吸收層3250且包括一壓緊區3218，其中屏蔽膜3208可 實質上平行。屏蔽膜3208包括一非導電聚合層3208b、一 安置於非導電聚合層3208b上之導電層3208a及一安置於導 153056.doc -52- 201214467 電層3208a上之終止層3208d。可保形黏著層3210安置於終 止層3208d上。壓緊區3218包括一安置於屏蔽膜3 2〇8之間 的縱向接地導線3212 » 在包圍接地導線強行把屏蔽膜合成一體之後，接地導線 3212與屏蔽膜3208之導電層3208a間接電接觸。此間接電 接觸由導電層3208a與接地導線3212的受控制之分離實 現’该分離係由終止層3 2 0 8 d提供。在，些情況下，終止 層3208d可為或包括一非導電聚合層。如圖中所示，使用 外部壓力（參見圖12a)將導電層3208a按壓在一起且迫使可 保形黏著層3210在接地導線周圍保形（圖丨2b)。因為終止層 3208d至少在相同處理條件下不保形，所以其防止接地導 線3212與屏蔽膜3208之導電層3208a之間的直接電接觸， 但達成間接電接觸。可選擇終止層3208d之厚度及介電性 質以達成低的目標DC電阻，亦即間接類型之電接觸。在 一些實施例中’接地導線與屏蔽膜之間的特性DC電阻可 (例如）小於10歐姆或小於5歐姆’但大於〇歐姆以達成所要 的間接電接觸。在一些情況下，如下可為理想的：在一給 定接地導線與一個或兩個屏蔽膜之間建立直接電接觸，因 此此接地導線與此（等）屏蔽膜之間的DC電阻可實質上為〇 歐姆。 圖13展示一摺疊之屏蔽纜線3302。屏蔽纜線3302包括安 置於間隔開之導線組3304周圍的兩個屏蔽膜3308。屏蔽纜 線3302亦包括在纜線之一側上安置於導線組33〇4及屏蔽膜 3308上之EMI吸收層3350。屏蔽膜3308安置於纜線3302之 153056.doc •53· 201214467 相反側上且包括導線組3304之每一側上之壓緊區3318。壓 緊區33 18經組態以按至少30。之角α側向彎曲》壓緊區33 18 之此側向可換性使屏蔽電缆3 3 02能夠按任何合適組態（諸 如，可在圓纜線中使用之組態（例如，見圖5g))摺疊。在一 實施例中，具有相對薄的個別層之屏蔽膜33〇8增加壓緊區 33 18之側向可撓性。為了維持此等個別層之完整性（尤其 在彎曲條件下），此等層之間的結合最好保持完整。舉例 而s，麈緊區3318可具有小於約0.13 mm之最小厚度，且 在處理或使用期間在受熱之後’個別層之間的結合強度可 為至少 17.86 g/mm(l 碎/>»寸）。 在一態樣中，在導線組之兩側上壓緊區具有大致相同的 大小及形狀對屏蔽電纜之電效能係有益的。任何尺寸改變 或不平衡可產生沿著平行部分之長度的電容及電感之不平 衡。此不平衡又可引起沿著壓緊區之長度的阻抗差異及鄰 近導線組之間的阻抗不平衡。至少出於此等原因，可能需 要控制屏蔽膜之間的間距（spacing)。在一些情況下，導線 組之兩側上的纜線之壓緊區中之屏蔽膜之壓緊部分彼此間 距不超過約0.05 mm。 在圖14中，屏蔽電纜3402包括兩個導線組3404，每一導 線組包括兩個絕緣導線3406，及在導線組3404周圍安置於 電纜3402之相反側上的兩個大體屏蔽膜3408及兩個EMI吸 收層3450 »屏蔽膜3408包括壓緊部分3418。定位於屏蔽電 纜3402之邊緣處或附近的壓緊部分3418經組態以將導線組 3404與外部環境電隔離。在屏蔽電觋3402中，屏蔽膜3408 • 54· 153056.doc

S 201214467 之壓緊部分3418及絕緣導線3406大體配置於單一平面中。 在圖15a中，屏蔽電纜3 502包括一壓緊區3518，在其中 屏蔽膜3508之壓緊部分3509間隔開。壓緊區351 8類似於上 文所描述且在圖11a中說明之壓緊區2518。壓緊區2518定 位於導線組之間，而壓緊區3518定位於屏蔽電纜3502之邊 緣處或附近。 在圖15b中，屏蔽電纜3 602包括一壓緊區3618，該壓緊 區包括一安置於屏蔽膜3608之間的縱向接地導線3612。壓 緊區3618類似於上文所描述且在圖lib中說明之壓緊區 2618。壓緊區26 18定位於導線組之間，而壓緊區3618定位 於屏蔽電纜3602之邊緣處或附近。 在圖15c中，屏蔽電纜3 702包括一壓緊區3718，該壓緊 區包括一安置於屏蔽膜3708之間的縱向接地導線3712。壓 緊區3718類似於上文所描述且在圖ilc中說明之壓緊區 2718。壓緊區2718定位於導線組之間，而壓緊區3718定位 於屏蔽電纜3702之邊緣處或附近。 在圖15d中，屏蔽電纜3 802包括一壓緊區3818,其中屏 蔽膜3808之壓緊部分3809藉由任何合適構件（諸如，導電 元件3844)而彼此直接電接觸。導電元件3844可包括導電 性電鍍之介層窗或通道、導電性填充之介層窗或通道或導 電黏著劑（僅舉幾個例子）^壓緊區3818類似於上文所描述 且在圖lid中說明之壓緊區2818。壓緊區2818定位於導線 組之間，而壓緊區3818定位於屏蔽電纜3802之邊緣處或附 近0 153056.doc -55- 201214467 在圖15e中，屏蔽電纜3902包括一在摺疊組態中分段平 坦之壓緊區3918。壓緊區391 8類似於上文所描述且在圖 Ug中說明之壓緊區3118。壓緊區3118定位於導線組之 間’而壓緊區3918定位於屏蔽電纜3902之邊緣處或附近。 在圖15f中，屏蔽電纜4002包括一壓緊區4018，該壓緊 區在彎曲之組態中分段平坦且定位於屏蔽電纜4002之邊緣 處或附近。在一些情況下，屏蔽纜線3502至4002中之一或 多者可包括安置於導線組上之一或多個EMI吸收層。 根據本發明之一態樣的屏蔽電纜可包括至少一縱向接地 導線、一在與接地導線實質上相同的方向上延伸之電物 品’及安置於屏蔽電纜之相反側上的兩個屏蔽膜及兩個 EMI吸收層《在橫向截面中’屏蔽膜及emi吸收層實質上 圍繞接地導線及電物品。在此組態中，屏蔽膜、EMI吸收 層及接地導線經組態以電隔離電物品。接地導線可延伸超 出屏蔽膜之末端中的至少一者’例如，以用於將屏蔽膜端 接至任何合適端接點之任何合適個別接觸元件（諸如，印 刷電路板上之接觸元件或電連接器之電接觸點）。有益 地，僅有限數目個接地導線為纜線建構所需，且該有限數 目個接地導線可與屏蔽膜一起完成對電物品之電磁封閉 (enclosure) ^電物品可包括沿著纜線之長度延伸的至少一 導線、沿著规線之長度延伸的至少一導線組（包括一或多 個絕緣導線）、一可挽性印刷電路或需要電隔離之任何其 他合適電物品。圖16a至圖16b說明此屏蔽電纜組態之兩個 例示性實施例。 153056.doc -56- 201214467 在圖16a中，屏蔽電纜4102包括沿著纜線4102之長度（沿 著X轴）延伸的兩個間隔開之接地導線4112、一定位於接地 導線4112之間且在與接地導線4112實質上相同的方向上延 伸之電物品4140，及安置於纜線之相反側上的兩個屏蔽膜 4108及兩個EMI吸收層4150。在橫向截面中，屏蔽膜4108 及EMI吸收層4150組合地實質上圍繞接地導線4112及電物 品4140。 電物品4140包括跨越纜線4102之寬度（沿著y軸）間隔開 的三個導線組4104。每一導線組4104包括沿著纜線之長度 延伸的兩個實質上絕緣之導線4106。接地導線4112可與兩 個屏蔽膜4108間接電接觸，從而導致接地導線4112與屏蔽 膜4108之間的低但非零之阻抗。在一些情況下，接地導線 4112可在屏蔽膜4108之至少一位置中與屏蔽膜41 〇8中之至 少一者直接或間接電接觸。在一些情況下，黏著層411〇安 置於屏蔽膜4108之間且在接地導線4112及電物品4140之兩 側上將屏蔽膜4108彼此結合。黏著層4110可經組態以提供 屏蔽膜4108中之至少一者與接地導線4112的受控制之分 離。在一態樣中’此意謂黏著層4110具有非均一的厚度， 其允許接地導線4112在選擇性位置中與屏蔽膜41〇8中之至 少一者直接或間接電接觸。接地導線4112可包括表面粗链 突起或可變形電線（諸如，絞合線）以提供接地導線41丨2與 屏蔽膜4108中之至少一者之間的此受控制之電接觸。在屏 蔽膜4108之至少一位置中，屏蔽膜41〇8可間隔開一最小間 距’在該位置中接地導線4112具有大於該最小間距之厚 153056.doc -57- 201214467 度。舉例而言，屏蔽膜4108可具有小於約0.025 mm之厚 度。 在圖16b中，屏蔽電纜4202包括沿著纜線4202之長度（沿 著X軸）延伸的兩個間隔開之接地導線4212、一定位於接地 導線4212之間且在與接地導線4212實質上相同的方向上延 伸之電物品4240 ’及安置於貌線4202之相反側上的兩個屏 蔽膜4208及兩個EMI吸收層4250。在橫向截面中，屏蔽膜 及EMI吸收層組合地實質上圍繞接地導線4212及電物品 4240。屏蔽電规4202在一些方面類似於上文所描述且在圖 16a中說明之屏蔽電纜4102。在屏蔽電纜41 02中，電物品 4140包括各自包括兩個實質上平行之縱向絕緣導線41〇6的 三個導線組4104’而在屏蔽電纜4202中，電物品4240包括 一包括三個導線組4242之可撓印刷電路。 在一些情況下，單一屏蔽膜可為給定應用提供可接受等 級之電磁干擾（EMI)隔離，且可減少接近性效應，藉此減 小信號衰減。圖17說明此種僅包括一個屏蔽膜之屏蔽電纜 的一個實例。 圖17中所說明之屏蔽電纜43〇2包括兩個間隔開之導線組 43 04及一單一屏蔽膜43 08及一單一 ΕΜΙ吸收層4350。每一 導線組4304包括一沿著纜線4302之長度（沿著X軸）延伸之單 一絕緣導線4306。絕緣導線4306大體配置於單一平面（諸 如，xy平面）中且實際上配置成可用於單端電路配置中之 同軸纜線組態。纜線43 02包括壓緊區4318。在壓緊區4318 中’屏蔽膜4308包括自每一導線組4304之兩側延伸之壓緊 153056.doc -58- 201214467 部分4309。壓緊區43 18合作地界定一大體平坦之屏蔽膜。 屏蔽膜4308包括各自部分地覆蓋導線組4304之兩個蓋罩部 分4307。每一蓋罩部分4307包括一與對應導線4306實質上 同心之同心部分4311。屏蔽膜4308包括一導電層4308a及 一非導電聚合層4308b。導電層4308a面向絕緣導線4306。 纜線4302可視情況包括一非導電載體膜4346。載體膜4346 包括壓緊部分4346"，該等壓緊部分自每一導線組4304之 兩側延伸且與屏蔽膜4308之壓緊部分4309相對。載體膜 4346包括兩個蓋罩部分4346"'，其各自部分地覆蓋導線組 4304、與屏蔽膜4308之蓋罩部分4307相對。每一蓋罩部分 4346"'包括一與對應導線4306實質上同心之同心部分 4346'。載體膜4346可包括任何合適的聚合材料，其包括 (但不限於）聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺-醯亞胺、聚四氟乙 烯、聚丙烯、聚乙烯、聚苯硫醚、聚萘二曱酸乙二酯、聚 碳酸酯、聚矽氧橡膠、乙烯-丙烯-二烯橡膠、聚胺基曱酸 酯、丙烯酸酯、聚矽氧、天然橡膠、環氧樹脂及合成橡膠 黏著劑。載體膜4346可包括一或多種添加劑及/或填充劑 以提供適合於預期應用之性質。載體膜4346可用以完成對 導線組4304之實體覆蓋，且增加屏蔽電纜4302之機械穩定 性。 參看圖18，屏蔽電纜4402在一些方面類似於上文所描述 且在圖17中說明之屏蔽電纜43 02。屏蔽電纜4302包括各自 包括一單一絕緣導線4306之導線組4304，而屏蔽電纜4402 包括具有兩個絕緣導線4406之導線組4404。絕緣導線4406 153056.doc -59- 201214467 大體上配置於單一平面中且實際上配置成可用於單端電路 配置或差分對電路配置中之雙軸纜線組態。 參看圖19，屏蔽電纜4502在一些方面類似於上文所描述 且在圖18中說明之屏蔽電纜4402。屏蔽電纜4402具有個別 絕緣之導線4406，而屏蔽電纜4502具有聯合絕緣之導線 4506 〇 在一態樣中’如在圖17至圖19中可見，屏蔽膜在鄰近導 線組之間凹入。換言之，屏蔽膜包括一安置於鄰近導線組 之間的壓緊部分。此壓緊部分經組態以將鄰近導線組彼此 電隔離。壓緊部分可消除對定位於鄰近導線組之間的接地 導線之需要，其尤其簡化纜線建構且增加纜線可撓性。壓 緊部分可定位於大於絕緣導線之直徑的約三分之一的深度 t (圖17)處。在一些情況下，壓緊部分可定位於大於絕緣 導線之直徑的約二分之一的深度句處。視鄰近導線組之間 的間距、傳輸距離及傳訊方案（差分對單端）而定，屏蔽膜 之此凹入組態非常充分地將導線組彼此電隔離。 可按阻抗控制關係合作地組態導線組及屏蔽膜。在一態 樣中’此意§胃在沿者屏蔽電缆之長度的所要之幾何形狀一 致性的情況下實現屏蔽膜對導線組之部分覆蓋，以便提供 適合於預期應用的可接受之阻抗變化。在一實施例中，沿 著代表性纜線長度（諸如’ 1 m)，此阻抗變化小於5歐姆， 且較佳地小於3歐姆。在另一態樣中，若絕緣導線實際上 配置成雙軸及/或差分對纜線配置，則此意謂在一對中之 絕緣導線間的所要之幾何形狀一致性的情況下實現屏蔽膜 153056.doc -60· 201214467 對導線組之部分覆蓋，以便提供適合於預期應用的可接受 之阻抗變化。在一些情況下，沿著代表性纜線長度（諸 如，1 m)，阻抗變化小於2歐姆，且較佳地小於0.5歐姆。 圖20a至圖20d說明屏蔽膜及/或EMI吸收層對導線組之部 分覆蓋的各種實例。屏蔽膜及EMI吸收層之覆蓋量在該等 實施例之間變化。在圖20a中所說明之實施例中，導線組 具有最多覆蓋。在圖20d中所說明之實施例中，導線組具 有最少覆蓋。在圖20a及圖20b中所說明之實施例中，導線 組之大於一半的周邊被屏蔽膜及EMI吸收層覆蓋。在圖20c 及圖20d中所說明之實施例中，導線組之小於一半的周邊 被屏蔽膜及EMI吸收層覆蓋。較大的覆蓋量提供較好的電 磁干擾（EMI)隔離及減小之信號衰減（由於接近性效應之減 小）。 參看圖20a，屏蔽電纜4602包括一導線組4604及一屏蔽 膜4608及一 EMI吸收層4650。導線組4604包括沿著纜線 4602之長度（沿著X軸）延伸之兩個絕緣導線4606。屏蔽膜 4608及EMI吸收層4650包括自導線組4604之兩側延伸的壓 緊部分4609。壓緊部分4609合作地界定一大體平坦之屏蔽 膜及EMI吸收層。屏蔽膜4608進一步包括一部分地覆蓋導 線組4604之蓋罩部分4607。蓋罩部分4607包括與導線組 4604之對應末端導線4306實質上同心之同心部分4611。屏 蔽電纜4602亦可具有一可選非導電載體膜4646。載體膜 4646包括壓緊部分4646"，該部分自導線組4604之兩側延 伸且與屏蔽膜4608之壓緊部分4609相對地安置。載體膜 153056.doc •61 · 201214467 4646進一步包括一部分地覆蓋導線組4604之蓋罩部分 4646'"，該部分與屏蔽膜4608之蓋罩部分4607相對。屏蔽 膜4608之蓋罩部分4607覆蓋導線組4604之頂側及整個左側 及右側。載體膜4646之蓋罩部分4646'"覆蓋導線組4604之 底側，從而完成對導線組4604之實質封閉。在此實施例 中，載體膜4646之壓緊部分4646π及蓋罩部分4646'"實質上 共平面。 參看圖20b，屏蔽電纜4702在一些方面類似於上文所描 述且在圖20a中說明之屏蔽電纜4602。然而，在屏蔽電纜 4702中，屏蔽膜4708及EMI吸收層4750之蓋罩部分4707覆 蓋導線組4704之頂側及大於一半的左側及右側。載體膜 4746之蓋罩部分4746'"覆蓋導線組4704之底側及左側及右 側的剩餘部分（小於一半），從而完成對導線組4704之實質 封閉。載體膜4746之蓋罩部分4746’"包括與對應導線4706 實質上同心之同心部分4746·。 參看圖20c，屏蔽電纜4802在一些方面類似於上文所描 述且在圖20a中說明之屏蔽電缆4602。在屏蔽電纜4802 中，屏蔽膜4808及EMI吸收層4850之蓋罩部分4807覆蓋導 線組4804之頂側及小於一半的左側及右側。載體膜4846之 蓋罩部分4846’"覆蓋導線組4804之頂側及左側及右侧的剩 餘部分（大於一半），從而完成對導線組4804之封閉。 參看圖20d，屏蔽電纜4902類似於上文所描述且在圖20a 中說明之屏蔽電纜4602。然而，在屏蔽電纜4902中，屏蔽 膜4908及EMI吸收層4950之蓋罩部分4907覆蓋導線組4904 -62- 153056.doc

S 201214467 之底側。載體膜4946之蓋罩部分4946，"覆蓋導線組49〇4之 頂側及整個左側及右側，從而完成對導線組4904之實質封 閉。在一些情況下，屏蔽膜4908之壓緊部分4909與蓋罩部 分4907實質上共平面。 類似於包括在一導線組周圍及/或在複數個間隔開之導 線組周圍安置於纜線之相反側上的兩個屏蔽膜及一或多個 EMI吸收層的屏蔽電纜之實施例，包括一單一屏蔽膜及一 單一 EMI吸收層的屏蔽電纜之實施例可包括至少一縱向接 地導線。在一態樣中此接地導線促進屏蔽膜與任何合適 端接點之任何合適個別接觸元件（諸如，印刷電路板上之 接觸元件或電連接器之電接觸點）之電接觸。接地導線可 延伸超出屏蔽膜之末端中之至少一者以促進此電接觸。接 地導線可在沿著其長度之至少一位置中與屏蔽膜直接或間 接電接觸，且可置放於屏蔽電纜之合適位置中。 圖21說明僅具有一個屏蔽膜5008及一emi吸收層5050之 屏蔽電纜5002。絕緣導線5006被配置成各自僅具有一對絕 緣導線之兩個導線組5004 ’儘管亦預期具有其他數目個如 本文中所論述之絕緣導線之導線組。屏蔽電纜5〇〇2經展示 為包括在各種例示性位置中之接地導線5〇12，但若需要可 省略接地導線5012中之任一者或全部，或可包括額外接地 導線。接地導線5012在與導線組5〇〇4之絕緣導線5006實質 上相同的方向上延伸且定位於屏蔽膜5〇〇8與載體膜5〇46之 間。一個接地導線5012包括於屏蔽膜5〇〇8及EMI吸收層 5050之壓緊部分5009中，且三個接地導線5〇12包括於一導 153056.doc •63- 201214467 線組5004中。此等三個接地導線5〇12中之一者定位於絕緣 導線5006與屏蔽膜5008之間，且此等三個接地導線5〇12中 之兩者與絕緣導線5006大體配置於單一平面中。 圖22a至圖22d為說明根據本發明之態樣的屏蔽電缆之各 種例示性實施例的截面圖。圖22a至圖22d說明在不存在載 體膜之情況下屏蔽膜及EMI吸收層對導線組之部分覆蓋的 各種實例。屏蔽膜及EMI吸收層的覆蓋量在該等實施例之 間變化。在圖22a中所說明之實施例中，導線組具有最多 覆蓋。在圖22d中所說明之實施例中，導線組具有最少覆 蓋。在圖22a及圖22b中所說明之實施例中，導線組之大於 一半的周邊被屏蔽膜及EMI吸收層覆蓋《在圖22c中所說明 之實施例中’導線組之約一半的周邊被屏蔽膜及Emi吸收 層覆蓋。在圖22d中所說明之實施例中，導線組之小於一 半的周邊被屏蔽膜及EMI吸收層覆蓋。較大的覆蓋量提供 較好的電磁干擾（EMI)隔離及減小之信號衰減（由於接近性 效應之減小）。雖然在此等實施例中，導線組包括兩個實 質上平行之縱向絕緣導線’但在其他實施例中，導線組可 包括一個縱向絕緣導線或兩個以上實質上平行之縱向絕緣 導線。 參看圖22a ’屏蔽電规5102包括一導線組51 〇4及一屏蔽 膜5108及一 EMI吸收層5150。導線組5104包括沿著規線 5 102之長度（沿著X轴）延伸之兩個絕緣導線5 1 〇6 ^屏蔽膜 5108及EMI吸收層5150包括自導線組5104之兩側延伸的麼 緊部分5109 ^壓緊部分5109合作地界定xy平面中之一大體 -64 · 153056.doc

S 201214467 平坦之屏蔽膜^屏蔽膜5108進一步包括一部分地覆蓋導線 組5104之蓋罩部分5107。蓋罩部分5107包括與導線5104之 對應末端導線5106實質上同心之同心部分5111。在圖22a 中，屏蔽膜5108之蓋罩部分5107覆蓋導線組5104之底側及 整個左側及右側。 參看圖22b，屏蔽電纜5202在一些方面類似於上文所描 述且在圖22a中說明之屏蔽電欖5102。然而，在屏蔽電纜 5202中，屏蔽膜5208及EMI吸收層5250之蓋罩部分5207覆 蓋導線組52〇4之底側及大於一半的左側及右側。 參看圖22c ’屏蔽電瘦5302類似於上文所描述且在圖22a 中說明之屏蔽電纜5 102。然而，在屏蔽電纜5302中，屏蔽 膜5308及EMI吸收層53 50之蓋罩部分5307覆蓋導線組5304 之底側及約一半的左側及右側。 參看圖22d ’屏蔽電纜5402在一些方面類似於上文所描 述且在圖22a中說明之屏蔽電纜51〇2。然而，在屏蔽電纜 5402中，屏蔽膜5408及EMI吸收層5450之蓋罩部分5411覆 蓋導線組5404之底側及小於一半的左側及右側。 舉例而言，作為對載體膜之替代，根據本發明之態樣的 屏蔽電纜可包括一可選非導電支撐件。此支撐件可用以完 成對導線組之實體覆蓋，且增加屏蔽電纜之機械穩定性。 圖23a至圖23d為說明根據本發明之態樣的包括一非導電支 撐件之屏蔽電纜之各種例示性實施例的戴面圖。雖然在此 等實施例巾’非導電支撐件是與包括兩個絕緣導線之導線 組-起制，但在其他實施财，非導電支撐件可與包括 153056.doc •65- 201214467 一個縱向絕緣導線或兩個以上實質上平行的縱向絕緣導線 之導線組一起使用或與接地導線一起使用。支撐件可包括 任何合適的聚合材料，其包括（但不限於）聚酯、聚醯亞 胺、聚醯胺-醯亞胺、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚 苯硫醚、聚萘二曱酸乙二酯、聚碳酸酯、聚矽氧橡膠、乙 烯-丙烯-二烯橡膠、聚胺基曱酸酯、丙烯酸酯、聚矽氧、 天然橡膠、環氧樹脂及合成橡膠黏著劑。支撐件可包括一 或多種添加劑及/或填充劑以提供適合於預期應用之性 質。 參看圖23a，屏蔽電纜5502類似於上文所描述且在圖22a 中說明之屏蔽電纜51 02,但進一步包括一與屏蔽膜55〇8及 EMI吸收層5550之蓋罩部分5507相對的部分地覆蓋導線組 5504之非導電支撐件5548。支撐件5548可覆蓋導線組55〇4 之頂側，以封閉絕緣導線5506。支撐件5548包括一大體平 坦之頂表面5548a。頂表面5548a及屏蔽膜5508之壓緊部分 5509實質上共平面。 參看圖23b，屏蔽電纜5602類似於上文所描述且在圖22b 中說明之屏蔽電纜5202，但進一步包括一與屏蔽膜56〇8及 EMI吸收層5650之蓋罩部分5607相對的部分地覆蓋導線組 5604之非導電支撐件5648。支撐件5648僅部分地覆蓋導線 組5604之頂側，從而使絕緣導線56〇6部分地曝露。 參看圖23c，屏蔽電纜5702類似於上文所描述且在圖22c 中說明之屏蔽電纜53 02，但進一步包括一與屏蔽膜57〇8及 EMI吸收層5750之蓋罩部分5707相對的部分地覆蓋導線組 •66· 153056.doc

S 201214467 5704之非導電支撐件5748。切件5748基本上覆蓋導線組 5704之整個頂側，從而基本上完全封閉絕緣導線57〇6。支 撐件5748之至少一部分與絕緣導線57〇6實質上同心。支撐 件5748之一部分安置於絕緣導線57〇6與屏蔽膜57〇8之間。 參看圖23d，屏蔽電纜58〇2類似於上文所描述且在圖22d 中說明之屏蔽電纜5402，但進一步包括一與屏蔽膜58〇8及 EMI吸收層5850之蓋罩部分58〇7相對的部分地覆蓋導線組 5804之非導電支撐件5848。支撐件5848僅部分地覆蓋導線 組5804之頂側，從而使絕緣導線58〇6部分地曝露。支撐件 5848之一部分安置於絕緣導線58〇6與屏蔽膜58〇8之間。 現參看圖24a及圖24b，各別透視圖及截面圖展示根據本 發明之一實例實施例的纜線建構。大體言之，帶狀電纜 20102包括一或多個導線組2〇1〇4。每一導線組2〇1〇4包括 沿著纜線20102之長度（沿著乂軸）自端到端延伸的兩個或兩 個以上導線（例如’電線）20106。導線20106中之每一者係 藉由第一介電質20108沿著該纜線之長度包覆。導線2〇1〇6 附接至自纜線20102之端到端延伸且安置於纜線2〇1〇2之相 反側上的第一膜20110、第二膜20112。沿著纜線20102之 長度在每一導線組2〇 1〇4之導線201 06之第一介電質20108 之間維持一致間距20114。第二介電質20116安置於間距 20114内。介電質20116可包括氣隙/空隙及/或某一其他材 料。 可使導線組20104之部件之間的間距20114足夠一致，以 使得境線20102具有與標準包裹式雙轴纜線相同或比標準 153056.doc •67· 201214467 包裹式雙軸纜線好的電特性，連同端接之改良之容易性及 端接之改良之信號完整性。膜2〇 11〇、2〇 112可包括諸如金 屬箔之屏蔽材料及/或EMI吸收材料，且膜2〇11〇、20112可 以保形方式塑形成實質上圍繞導線組2〇丨〇4。在所說明之 實例中，膜20110、20112被壓緊在一起以形成在導線組 20104外部及/或導線組2〇 1 〇4之間沿著纜線2〇丨〇2在長度方 向上延伸的扁平部分20118。在扁平部分29118中，膜 201 10 20112實質上圍繞導線組2〇 1 〇4(例如，圍繞導線組 20104之周長），惟在較小層（例如，絕緣體及/或黏著劑之 較小層）處，膜20110、20112彼此接合。舉例而言，屏蔽 膜之蓋罩部分可共同包覆任何給定導線組之周長的至少 75%，或至少80%，或至少85%，或至少9〇%〇雖然膜 20110、20112可在此處（及本文中之別處）展示為分離片之 膜，但熟習此項技術者將瞭解，膜2〇11〇、2〇112可替代性 地由單一片膜形成，例如，圍繞縱向路徑/線摺疊以包覆 導線組20104。 纜線20102亦可包括額外特徵，諸如一或多條加蔽線 20120。加蔽線20120可沿著纜線2〇1〇2之長度連續地或在 離散位置處電耦接至屏蔽膜2〇11〇、20112〇大體言之，加 蔽線20102在纜線之一個或兩個末端處為電端接屏蔽材料 (例如，使屏蔽材料接地）提供了便利的接取點。加蔽線 20120亦可經組態以在膜20110、20112之間提供某一程产 之DC耦合，例如，其中兩個膜2〇11〇、2〇112皆包括屏蔽 材料及EMI吸收材料。 153056.doc •68· 201214467 項目1為一屏蔽電纜，其包含： 沿著該窥線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間 隔開的複數個導線組，每一導線組包括一或多個絕緣導 線； 安置於該纜線之相反的第一側及第二側上之第一屏蔽膜 及第二屏蔽膜，該第一膜及該第二膜包括蓋罩部分及壓緊 部分，該等蓋罩部分及該等壓緊部分經配置以使得在橫向 截面中，該第一膜及該第二膜之該等蓋罩部分組合地實質 上圍繞母一導線組，且該第一膜及該第二膜之該等壓緊部 分組合地在每一導線組之每一側上形成該纜線之壓緊部 分； ' 女置於該，纜線之該第一側上之第一 Εμι吸收層；及 -在該纜線之該等壓緊部”將該第一屏蔽膜結合至該 第二屏蔽膜之第一黏著層； 其中： 該複數個導線組包含一第一導線組，該第一導線组包含 相鄰之第一絕、緣導線及第二絕緣導線且具㈣第_屏蔽膜 及該第二屏蔽膜之對應第一蓋罩部分及在該第一導線組之

一側上形成該纜線之一第一壓緊部分的該第一屏蔽膜及該 ‘ 第二屏蔽膜之對應第一壓緊部分； X 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之間 的一最大間隔為D ; 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一壓緊部分之間 的一最小間隔為山； 153056.doc -69· 201214467 d"D小於 0.25 ; 在該第一絕緣導線組與該第二絕緣導線之間的一區中的 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之間的 一最小間隔為d2 ;且 d2/D 大於 0.33。 項目2為項目1之纜線’其中di/D小於〇」。 項目3為項目1之纜線，其中該第一 ΕΜΙκ收層安置於該 第一屏蔽膜與該複數個導線組之間。 項目4為項目1之纜線，其中該第一屏蔽膜安置於該第一 ΕΜΙ吸收層與該複數個導線組之間。 項目5為項目1之纜線，其進一步包含一安置於該纜線之 該第二側上之第二ΕΜΙ吸收層。 項目6為一屏蔽電缆，其包含： 沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間 隔開的複數個導線組，每一導線組包括一或多個絕緣導 線； 安置於該纜線之相反的第一側及第二側上之第一屏蔽膜 及第二屏蔽膜，該第一膜及該第二膜包括蓋罩部分及壓緊 部分，§亥等蓋罩部分及該等壓緊部分經配置以使得在橫向 截面中，該第一膜及該第二膜之該等蓋罩部分組合地實質 上圍繞每一導線組，且該第一臈及該第二膜之該等壓緊部 分組合地在每一導線組之每一側上形成該纜線之壓緊部 分； 一安置於該纜線之該第一側上之第一 ΕΜΙ吸收層；及 •70- 153056.doc

S 201214467 -在純線之料壓緊部分巾將該第—屏蔽膜結合至該 第'一屏蔽膜之第一黏著層； 其中： 該複數個導線組包含-第-導線組，該第一導線組包含 相鄰之第-絕緣導線及第二絕緣導線且具有該第一屏蔽膜 纟該第二屏蔽膜之對應第一蓋罩部分及在該第一導線組之 -侧上形成一第一壓緊纜線部分的該第一屏蔽膜及該第二 屏蔽膜之對應第一壓緊部分； 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之間 的一最大間隔為D ; °玄第屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一壓緊部分之間 的一最小間隔為I ; di/D小於〇 25 ;且 —該第一絕緣導線相對於該第二絕緣導線之一高頻電隔離 實質上小於該第一導線組相對於一鄰近導線組之一高頻電 隔離。 項目7為項目6之纜線’其中dVD小於〇.1。 項目8為項目6之纜線，其中該第一絕緣導線相對於該第 二導線之該高頻隔離為在3_15 GHz之一指定頻率範圍及工 公尺之—長度下之一第一遠端串擾Cl，且該第一導線組相 對於該鄰近導線組之該高頻隔離為該指定頻率下之一第二 遠端串擾C2，且其中C2比C1低至少10 dB。 項目9為項目6之纜_線，其中該第一屏蔽膜及該第二屏蔽 膜之該等蓋罩部分組合地藉由包覆每一導線組之—周邊的 153056.doc •71· 201214467 至少70〇/〇而實質上圍繞每一導線組。 項目10為一屏蔽電纜，其包含： 沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此間 隔開的複數個導線組，每一導線組包括一或多個絕緣導 線； 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分及過 渡部分，該等部分經配置以使得在橫向截面中，該等同心 邰刀實質上與每一導線組之一或多個末端導線同心，該第 一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等壓緊部分組合地在該導線 、、且之兩側上形成該規線之壓緊部分，且該等過渡部分提供 該等同心部分與該等壓緊部分之間的逐漸過渡；及 一安置於該複數個導線組上之第一EMI吸收層；其中 每一屏蔽膜包含一導電層； 該等過渡部分中之一第一過渡部分接近該一或多個末端 導線中之第一末端導線且具有一界定為該第一屏蔽膜及 該第二屏蔽膜之該等導電層、該等同心部分及接近該第一 末i而導線的該等壓緊部分中之一第一壓緊部分之間的一區 域之截面區域d中4小於該第—末端導線之一截面區 域；且 每一屏蔽膜之橫向截面可以一跨越該纜線之該寬度改變 的曲率半徑為特徵，該等屏蔽膜中之每一者的該曲率半徑 為跨越該纜線之該寬度的至少100微米。 項目11為項目10之纜線，其中該截面區域山包括該第一 壓緊部分之一邊界作為一邊界’該邊界由沿著該第一壓緊 153056.doc

S •72· 201214467 部分之位置界定，在該位置處’該第一屏蔽膜與該第二屏 蔽膜之間的-間隔d為在該第一壓緊部分處該第— 與該第二屏蔽膜之間的一最小間隔d〗之約i 2倍至約η 倍0 、. 六丁蛾m面區域七包括 在該第—屏蔽膜之一拐點處之 項目12為項目11之纜線 作為一邊界， 第一端點。 項目13為項目u之纜線，其中該線段具有一在該第二屏 蔽膜之一拐點處之第二端點。 項目14為一屏蔽電纜，其包含： 沿著該徵線之-長度延伸且沿著賴線之—寬度彼此間 隔開的複數個導線組’每-導線組包括—或多個絕緣導 線； 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分及過 渡部分’肖等部分經配置以使得在橫向截面中，該等同心 4分實質上與每-導線組之—或多個末端導線同心，該第 -屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等壓緊部分組合地在該導線 組之兩側上形成該纜線之壓緊區，且該等過渡部分提供該 等同心部分與該等壓緊部分之間的逐漸過渡；及 一女置於該複數個導線組上之第一 ΕΜΙ%收層；其中 該兩個屏蔽膜中之一者包括該等同心部分中之一第一同 心部分、該等壓緊部分中之—第—壓緊部分及該等過渡部 分中之H渡部分，該第—過渡部分將該第—同心部 分連接至該第一壓緊部分； 153056.doc -73- 201214467 該第一同心部分具有一曲率半徑Ri且該過渡部分具有一 曲率半徑Γι ;且

Ri/ιί在2至15之範圍内。 出於描述較佳實施例之目的，本文中已說明並描述本發 明中所論述之實施例，但一般熟習此項技術者應瞭解，在 不脫離本發明之範疇的情況下，可以經計算以達成同樣目 的之廣泛的各種各樣之替代及/或等效實施方案取代所展 示並描述之具體實施例。熟習機械、機電及電氣技術者將 易於瞭解，本發明可實施於非常廣泛的各種各樣之實施例 中。本申請案意欲涵蓋本文中所論述之較佳實施例之任何 調適或變化。因此，顯然希望本發明僅受申請專利範圍及 其等效物限制。 【圖式簡單說明】 圖1為屏蔽電规之例示性實施例的透視圖； 圖2a至圖2g為屏蔽電纜之七個例示性實施例的前視截面 圃， 圖3 a至圖3 d為屏蔽電纜之四個其他例示性實施例的前視 截面圖； 圖4 a至圖4 c為屏蔽電规之三個其他例示性實施例的前視 截面圖； 圖5a至圖5e及圖5f至圖5g為分別說明製造屏蔽電缆之例 示性方法的透視圖及前視截面圖； 圖6a至圖6c為說明製造屏蔽電纜之例示性方法之細節的 前視截面圖； 153056.doc •74· 201214467 圖7a至圖7b分別為根據本發明之一態樣的屏蔽電缓之另 一例示性實施例之前視截面圖及對應詳圖； 圖8a至圖8b為根據本發明之一態樣的屏蔽電缓之兩個其 他例示性實施例之前視截面圖； 圖9a至圖9b為屏蔽電鑽《之兩個其他例示性實施例的前視 截面圖； 圖10a至圖10c為屏蔽電纜之三個其他例示性實施例的前 視截面圖； 圖1 la至圖1 lg為說明屏蔽電緵之平行部分之七個例示性 實施例的前視截面詳圖； 圖12a至圖12b為屏蔽電窥之平行部分之另一例示性實施 例的前視截面詳圖； 圖1 3為彎曲組態下的屏蔽電欖之另一例示性實施例的前 視截面詳圖； 圖14為屏蔽電纜之另一例示性實施例的前視截面詳圖； 圖15 a至圖15 f為說明屏蔽電繞之平行部分之六個其他例 示性實施例的前視戴面詳圖； 圖16a至圖16b為屏蔽電纜之兩個其他例示性實施例的前 視截面圖； 圖17為屏蔽電纜之另一例示性實施例的前視截面圖； 圖18為屏蔽電纜之另一例示性實施例的前視截面圖； 圖19為屏蔽電纜之另一例示性實施例的前視截面圖； 圖20a至圖20d為屏蔽電纜之四個其他例示性實施例的前 視截面圖； 153056.doc •75· 201214467 圖21為屏蔽電纜之另一例示性實施例的前視截面圖； 圖22a至圖22d為屏蔽電纜之四個其他例示性實施例的前 視截面圖； 圖23a至圖23d為屏蔽電纜之四個其他例示性實施例的前 視截面圖； 圖24a為實例纜線建構之透視圖；且 圖24b為圖24a之實例纜線建構的截面圖。 字指代具有 相 在說明書中，多個圖中所使用之相同參考數 同或類似性質及功能性之相同或類似元件 【主要元件符號說明】 2 屏蔽電纜 4 導線組 6 絕緣導線 6a 導線 6b 絕緣體 7 屏蔽膜之蓋罩部分 8 屏蔽膜 9 屏蔽膜之壓緊部分 10 黏著層 12 接地導線 14 蓋罩區 15 EMI吸收層 18 壓緊區 24 成形工具 153056.doc •76· 201214467 26a 成形輥 26b 成形輥 28 輥縫 30 外部導電屏蔽物 32 外部護套 102a 屏蔽電纜 102b 屏蔽電纜 104 導線組 106 絕緣導線 107 屏蔽膜之蓋罩部分 108 屏蔽膜 109 屏蔽膜之壓緊部分 110 黏著層 112 接地導線 113 屏蔽膜之蓋罩部分 114 蓋罩區 115 EMI吸收層 118 壓緊區 202c 屏蔽電纜 202d 屏蔽電纜 204 導線組 206 絕緣導線 207 屏蔽膜之蓋罩部分 208 屏蔽膜 153056.doc ·77· 201214467 209 屏蔽膜之壓緊部分 212 接地導線 214 蓋罩區 218 壓緊區 302 屏蔽電纜 304 導線組 306 絕緣導線 402 屏蔽電纜 404 導線組 406 絕緣導線 502 屏蔽電纜 504a 導線組 504b 導線組 506 絕緣導線 508 屏蔽膜 510 黏著層 517 屏蔽膜之蓋罩部分 519 屏蔽膜之壓緊部分 524 蓋罩區 528 壓緊區 802 屏蔽電纜 804 導線組 806 絕緣導線 807 屏蔽膜之蓋罩部分 153056.doc -78- s 201214467 808 屏蔽膜 808a 導電層 808b 非導電聚合層 809 屏蔽膜之壓緊部分 810a 黏著層 810b 黏著層 814 蓋罩區 818 壓緊區 902 屏蔽電纜 904 導線組 906 絕緣導線 907 屏蔽膜之蓋罩部分 908 屏蔽膜 908a 導電層 908b 非導電聚合層 909 屏蔽膜之壓緊部分 910a 黏著層 910b 黏著層 914 纜線之蓋罩區 918 壓緊區 1002 屏蔽電纜 1004 導線組 1006 絕緣導線 1008 屏蔽膜 153056.doc -79- 201214467 1007 屏蔽膜之蓋罩部分 1009 屏蔽膜之壓緊部分 1010a 黏著層 1010b 黏著層 1014 蓋罩區 1018 壓緊區 1102 屏蔽電纜 1104 導線組 1106 絕緣導線 1108 屏蔽膜 1107 屏蔽膜之蓋罩部分 1108a 導電層 1108b 非導電聚合層 1108c 層壓黏著層 1109 屏蔽膜之壓緊部分 1110a 黏著層 1110b 黏著層 1114 蓋罩區 1118 壓緊區 1202 屏蔽電纜 1204 導線組 1206 絕緣導線 1207 屏蔽膜之蓋罩部分 1208 屏蔽膜 -80 - 153056.doc 201214467 1209 屏蔽膜之壓緊部分 1210 黏著層 1212 接地導線 1220 保護膜 1220a 保護層 1220b 黏著層 1302 屏蔽電纜 1304 導線組 1306 絕緣導線 1307 屏蔽膜之蓋罩部分 1308 屏蔽膜 1309 屏蔽膜之壓緊部分 1310 黏著層 1312 接地導線 1402 屏蔽電纜 1404 導線組 1406 絕緣導線 1407 屏蔽膜之蓋罩部分 1408 屏蔽膜 1409 屏蔽膜之壓緊部分 1410 黏著層 1412 接地導線 1450 EMI吸收層 1602 屏蔽電纜 153056.doc -81 - 201214467

1606 絕緣導線 1608 屏蔽膜 1610 可保形黏著層 1612 接地導線 1702 屏蔽電纜 ' 1704 導線組 1706 絕緣導線/末端導線 1706a 絕緣導線之截面區域 1707 屏蔽膜之蓋罩部分 1708 屏蔽膜 1708a 屏蔽膜之導電層 1708b 屏蔽膜之非導電聚合層 1709 屏蔽膜之壓緊部分 1710 黏著層 1711 屏蔽膜之同心部分 1718 壓緊區 1734 過渡部分 1734' 過渡點 1734" 過渡點 _ 1736 纜線之過渡區 · 1736a 過渡區域 1736b 空隙區域 1750 EMI吸收層 1802 屏蔽電纜 153056.doc -82 - S 201214467 1804 導線組 1806 絕緣導線 1807 屏蔽膜之蓋罩部分 1808 屏蔽膜 1808a 導電層 1808b 非導電聚合層 1809 屏蔽膜之壓緊部分 1810 黏著層 1811 同心部分 1818 壓緊區 1834 屏蔽膜之過渡部分 1836 過渡區/過渡部分 1836a 過渡區域 1850 EMI吸收層 1902 屏蔽電纜 1906 絕緣導線 1936 過渡區 2002 屏蔽電纜 2004 導線組 2006 絕緣導線 2008 屏蔽膜 2009 屏蔽膜之壓緊部分 2036 過渡區 2050 EMI吸收層 153056.doc • 83 - 201214467 2102 屏蔽電纜 2104 導線組 2106 絕緣導線 2108 屏蔽膜 2136 過渡區 2150 EMI吸收層 2202 屏蔽電纜 2204a 導線組 2204b 導線組 2206a 絕緣導線 2206b 絕緣導線 2207 屏蔽膜之蓋罩部分 2208 屏蔽膜 2209 屏蔽膜之壓緊部分 2211 屏蔽膜之同心部分 2212 屏蔽膜之過渡部分 2214 蓋罩區 2218 壓緊區 2221 第一過渡點 2222 第二過渡點 2236 過渡區 2250 EMI吸收層 2302 屏蔽電纜 2304 導線組 -84- 153056.doc s 201214467 2306 絕緣導線 2307 屏蔽膜之蓋罩部分 2308 屏蔽膜 2309 屏蔽膜之壓緊部分 2311 屏蔽膜之同心部分 2312 屏蔽膜之過渡部分 2314 蓋罩區 2318 壓緊區 2321 第一過渡點 2322 第二過渡點 2350 EMI吸收層 2402 屏蔽電纜 2404a 導線組 2404b 導線組 2406a 絕緣導線 2406b 絕緣導線 2407 屏蔽膜之蓋罩部分 2408 屏蔽膜 2408a 屏蔽膜 2408b 屏蔽膜 2409 屏蔽膜之壓緊部分 2410 黏著層 2411 同心部分 2412 過渡部分 153056.doc -85- 201214467 2414 蓋罩區 2418 壓緊區 2421a 第一過渡點 2422a 第二過渡點 2422b 第二過渡點 2450a EMI吸收層 2450b EMI吸收層 2502 屏蔽電纜 2508 屏蔽膜 2509 屏蔽膜之壓緊部分 2510 可保形黏著層 2518 壓緊區域 2550 EMI吸收層 2602 屏蔽電纜 2608 屏蔽膜 2610 可保形黏著層 2612 接地導線 2618 壓緊區域 2650 EMI吸收層 2702 屏蔽電纜 2708 屏蔽膜 2712 接地導線 2718 壓緊區 2802 屏蔽電纜 -86 - 153056.doc s 201214467 2808 屏蔽膜 2818 壓緊區 2844 導電元件 2850 EMI吸收層 2902 屏蔽電纜 2908 屏蔽膜 2918 壓緊區 2936 開口 2950 EMI吸收層 3002 屏蔽電纜 3008 屏蔽膜 3018 壓緊區 3038 斷裂 3050 EMI吸收層 3102 屏蔽電纜 3108 屏蔽膜 3118 壓緊區 3150 EMI吸收層 3202 屏蔽電纜 3208 屏蔽膜 3208b 非導電聚合層 3208d 終止層 3210 可保形黏著層 3212 縱向接地導線 -87- 153056.doc 201214467 3218 壓緊區 3250 EMI吸收層 3302 屏蔽電纜 3304 導線組 3308 屏蔽膜 3350 EMI吸收層 3402 屏蔽電纜 3404 導線組 3406 絕緣導線 3408 屏蔽膜 3418 屏蔽膜之壓緊部分 3450 EMI吸收層 3502 屏蔽電纜 3508 屏蔽膜 3509 屏蔽膜之壓緊部分 3518 壓緊區 3602 屏蔽電纜 3608 屏蔽膜 3612 縱向接地導線 3618 壓緊區 3702 屏蔽電纜 3708 屏蔽膜 3712 縱向接地導線 3718 壓緊區 153056.doc -88- s 201214467 3802 屏蔽電纜 3808 屏蔽膜 3809 屏蔽膜之壓緊部分 3818 壓緊區 3844 導電元件 3902 屏蔽電纜 3918 壓緊區 4002 屏蔽電纜 4018 壓緊區 4102 屏蔽電纜 4104 導線組 4106 絕緣導線 4108 屏蔽膜 4110 黏著層 4112 接地導線 4140 電物品 4150 ΕΜΙ吸收層 4202 屏蔽電纜 4208 屏蔽膜 4212 接地導線 4240 電物品 4242 導線組 4250 ΕΜΙ吸收層 4302 屏蔽電纜 153056.doc ·89· 201214467 4304 導線組 4306 絕緣導線 4307 屏蔽膜之蓋罩部分 4308 屏蔽膜 4308a 屏蔽膜之導電層 4308b 屏蔽膜之非導電聚合層 4309 屏蔽膜之壓緊部分 4311 同心部分 4318 壓緊區 4346 非導電載體膜 4346' 載體膜之同心部分 4346" 載體膜之壓緊部分 4346"， 載體膜之蓋罩部分 4350 EMI吸收層 4402 屏蔽電纜 4404 導線組 4406 絕緣導線 4502 屏蔽電纜 4506 絕緣導線 4602 屏蔽電纜 4604 導線組 4606 絕緣導線 4607 屏蔽膜之蓋罩部分 4608 屏蔽膜 -90- 153056.doc s 201214467 4609 壓緊部分 4611 同心部分 4646 非導電載體膜 4646" 載體膜之壓緊部分 4646"' 載體膜之蓋罩部分 4650 EMI吸收層 4702 屏蔽電纜 4704 導線組 4706 導線 4707 蓋罩部分 4708 屏蔽膜 4746 載體膜 4746' 同心部分 4746'" 載體膜之蓋罩部分 4750 EMI吸收層 4802 屏蔽電纜 4804 導線組 4807 屏蔽膜之蓋罩部分 4808 屏蔽膜 4846 載體膜 4846'" 載體膜之蓋罩部分 4850 EMI吸收層 4902 屏蔽電纜 4904 導線組 153056.doc •91 · 201214467 4908 屏蔽膜 4907 屏蔽膜之蓋罩部分 4909 屏蔽膜之壓緊部分 4946 載體膜 4946'" 載體膜之蓋罩部分 4950 EMI吸收層 5002 屏蔽電纜 5004 導線組 5006 絕緣導線 5008 屏蔽膜 5009 壓緊部分 5012 接地導線 5046 載體膜 5050 EMI吸收層 5102 屏蔽電纜 5104 導線組 5106 絕緣導線 5108 屏蔽膜 5107 蓋罩部分 5109 壓緊部分 5111 蓋罩部分之同心部分 5150 EMI吸收層 5202 屏蔽電纜 5204 導線組 -92- 153056.doc 201214467 5208 屏蔽膜 5250 EMI吸收層 5207 蓋罩部分 5302 屏蔽電纜 5304 導線組 5308 屏蔽膜 5350 EMI吸收層 5307 蓋罩部分 5402 屏蔽電纜 5404 導線組 5408 屏蔽膜 5450 EMI吸收層 5411 蓋罩部分 5502 屏蔽電纜 5504 導線組 5506 絕緣導線 5508 屏蔽膜 5507 蓋罩部分 5509 屏蔽膜之壓緊部分 5548 非導電支撐件 5548a 頂表面 5550 EMI吸收層 5 602 屏蔽電纜 5604 導線組 •93- 153056.doc 201214467 5606 5608 5607 5648 5650 5702 5704 5706 5708 5707 5748 5750 5802 5804 5806 5808 5807 5848 20102 20104 20106 20108 20110 20112 153056.doc 絕緣導線 屏蔽膜 蓋罩部分 非導電支撐件 EMI吸收層 屏蔽電纜 導線組 絕緣導線 屏蔽膜 蓋罩部分 非導電支撐件 EMI吸收層 屏蔽電纜 導線組 絕緣導線 屏蔽膜 蓋罩部分 非導電支撐件 帶狀電纜 導線組 導線 第一介電質 第一膜 第二膜 -94- 201214467 20114 間距 20116 第二介電質 20118 扁平部分 20120 加蔽線 D 屏蔽膜之第一蓋罩部分之間的最大間隔 Dc 絕緣導線之中心導線之直徑 di 屏蔽膜之第一壓緊部分之間的最小間隔 d2 屏蔽膜之第一蓋罩部分之間的最小間隔 d〗 深度 L 纜線之長度 Lt 過渡區之側向厚度 R 屏蔽膜之曲率半徑 ri 屏蔽膜之過渡部分之曲率半徑 r2 屏蔽膜之同心部分之曲率半徑 Tac 屏蔽膜之同心部分處的厚度 Tap 屏蔽膜之壓緊部分之間的厚度 Ti 絕緣導線之絕緣厚度 w 纜線之寬度 •doc -95-

Claims (1)

1. 201214467 七、申請專利範圍： 1· 一種屏蔽電纜，其包含： 沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此 間隔開的複數個導線組’每一導線組包括一或多個絕緣 導線； 女置於該缓線之相反的第一側及第二側上之第一屏蔽 膜及第二屏蔽膜’該第一膜及該第二膜包括蓋罩部分及 壓緊部分，該等蓋罩部分及該等壓緊部分經配置以使得 在橫向截面中，該第一膜及該第二膜之該等蓋罩部分組 合地實質上圍繞每一導線組，且該第一膜及該第二膜之 該等壓緊部分組合地在每一導線組之每一侧上形成該纜 線之壓緊部分； 一安置於該纜線之該第一側上之第一 EMI吸收層；及 一在s玄镜線之該等壓緊部分中將該第一屏蔽膜結合至 該第二屏蔽膜之第一黏著層； 其中： 該複數個導線組包含-第-導線組，該第一導線組包 含相鄰之第一絕緣導線及第二絕緣導線且具有該第一屏 蔽膜及該第二屏蔽膜之對應第一蓋罩部分及在該第一導 線組之一側上形成該纜線之一第—壓緊部分的該第一屏 蔽膜及該第二屏蔽膜之對應第一壓緊部分； 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之 間的一最大間隔為D ; 該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等第一壓緊部分之 153056.doc 201214467 間的一最小間隔為; i/D小於 0.25 ; 在該第一絕緣導線與該第二絕緣導線之間的一區中該 第一屏蔽膜及該帛二屏蔽膜之該等第一蓋罩部分之間的 一最小間隔為d2 ;且 d2/D大於0.33。 2，如請求項1之纜線’其中^/Ε)小於〇1。 3. 如請求们之隐，其中該第一 EMI吸收層安置於該第一 屏蔽膜與該複數個導線，纟且之間。 4. 如請求項！之規線，其中該第一屏蔽膜安置於該第一讓 吸收層與該複數個導線組之間。 5. 如4求項1之纜線，其進一步包含一安置於該纜線之該 第二側上之第二EMI吸收層。 6· 一種屏蔽電纜，其包含： 沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此 間隔開的複數個導線組，每—導線组包括_或多個絕緣 導線； 第屏蔽膜及第二屏蔽膜包括同心部分、堡緊部分及 過渡部分，該等部分經配置以使得在橫向截面中，該等 同心部分f質上㈣一導線組之一或多冑末端導線同 心，該第一屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等壓緊部分組合 地在該導線組之兩側上形成該纜線之壓緊部分，且該等 過渡。P刀提供該等同心部分與該等壓緊部分之間的逐漸 過渡；及 153056.doc S -2 201214467 一安置於該複數個導線組上之第-麵吸收層；其中 每一屏蔽膜包含一導電層； 該等過渡部分十之一第一過渡部分接近該一或多個末 端導線中之-第一末端導線且具有一界定為該第一屏蔽 膜及該第二屏蔽膜之該等導電層、該等同心部分及接近 該第-末端導線的該等壓緊部分令之—第__壓緊部分之 間的-區域之截面區域七’其中A小於該第一末端導線 之一截面區域；且 每一屏蔽膜之橫向截面可以一跨越該纜線之該寬度改 變的曲率半徑為特徵，該等屏蔽射之每—者的該曲率 半徑為跨越該纜線之該寬度的至少100微米。 7. 如請求項6之纜線，其中該截面區域（包括該第一壓緊 部分之一邊界作為一邊界，該邊界由沿著該第一壓緊部 刀之位置界疋，在該位置處，該第一屏蔽膜與該第二屏 蔽膜之間的一間隔d為在該第一壓緊部分處該第一屏蔽 膜與該第二屏蔽膜之間的一最小間隔A之約12倍至約 1.5倍。 8. 如請求項7之纜線，其中該截面區域山包括—線段作為 一邊界，該線段具有一在該第一屏蔽膜之一拐點處之第 一端點。 9. 如請求項7之纜線，其中該線段具有一在該第二屏蔽膜 之一拐點處之第二端點。 10· —種屏蔽電纜，其包含： 沿著該纜線之一長度延伸且沿著該纜線之一寬度彼此 153056.doc 201214467 間隔開的複數個導線組，每一導線組包括一或多個絕緣 導線； 第一屏蔽膜及第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分及 過渡部分，該等部分經配置以使得在橫向截面中，該等 同〜部分實質上與每__導線組之__或多個末端導線同 〜《亥第屏蔽膜及該第二屏蔽膜之該等壓緊部分組合 地在該導線組之兩側上形成該纜線之壓緊區且該等過 渡部分提供該等同心部分與該等壓緊部分之間的逐漸過 渡；及 一安置於該複數個導線組上之第一EMI吸收層丨其中 該兩個屏蔽膜中之一者包括該等同心部分中之一第— 同心部分、該等壓緊部分中之—第—壓緊部分及該等過 渡部分中之-第-過渡部分，該第__過渡部分將該第一 同心部分連接至該第一壓緊部分； 該第一同心部分具有一曲率半徑Ri且該過渡部分具有 一曲率半徑r,;且 在2至15之範圍内。 153056.doc