TW201208513A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

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201208513 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於電路板之製造方法，尤其係關於從絕緣層 露出導體圖案之技術。 【先前技術】 專利文獻1中揭示一種藉由對阻焊層（絕緣層）照射co2雷 射而於阻焊層上形成開口，使墊於其開口部露出之電路板 之製造方法。 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開平10-308576號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 專利文獻1所揭不之製造方法中，由於c〇2雷射對導體 (例如銅）之吸收率較低（例如約丨〇%)，因此有因c〇2雷射之 照射而產生熱反應，使阻焊層（絕緣層）碳化之虞。又且結 果，該碳化之阻焊層於塾上變成殘渣，而有在外層導體中 焊錫之濕潤I·生下降，在内層導體中通孔之連接可靠性下降 之虞。 又 a 2射之照射，無法去除墊表面之氧化被 、而有使t*(it孔連接料或外部連接端子等）之導通電 阻變高之虞。 本發明係鑑於如此實情 6 ^ α 滑而元成者，其目的係於内層導體 中提高通孔之連接可糞ί!4 # 生’於外層導體中提高焊錫之濕潤 156670.doc 201208513 性ο [解決問題之技術手段] 根據本發明之-觀點之電路板之製造方法，包含： 體圖案上’形成以約2〜60 wt%之比率含有氧化矽系填充劑 之樹脂絕緣層；藉由對前述樹脂絕緣層照射對前述導體圖 案之吸收率在約30〜60%範圍内之雷射光 述導體圆案之開口部。 [發明之效果] 根據本發明，可於内層導體中提高通孔之連接可靠性， 於外層導體中提高焊錫之濕潤性。 【實施方式】 以下，針對本發明之實施形態，一面參照附圖詳細說 明。另，圖中箭頭Zl、Z2分別指相當於電路板之主面（表 背面）之法線方向（或核心基板之厚度方向）之電路板之積層 方向。另一方面，箭頭XI、X2及Y1、丫2分別指與積層方 向正父之方向（與電路板之主面平行之方向電路板之主 面成為X-Y平面。又，電路板之側面成為χ_ζ平面或γ_ζ平 面。 根據本實施形態，將朝向相反法線方向之2個主面稱作 第1面（Ζ1側之面）、第2面（Ζ2側之面）^即，第1面之相反側 之主面係第2面，第2面之相反側之主面係第1面。於積層 方向’將靠近核心之側稱作下層（或内層側），將遠離核心 之側稱作上層（或外層側）。 所謂導體層，是指含導體圖案之層。導體層之導體圖案 156670.doc 201208513 為任意’若有含構成導體電路之佈線（亦包含接地線）或 塾、焊盤（land)等之情形，則亦有不構成導體電路之實體 圖案等之情形。又’内建電子零件或其他電路板之電路板 中’其電子零件之電極或其他電路板之墊亦包含在導體圖 案内。所謂塾’除外部連接端子外，亦包含通孔連接端子 或電子零件之電極等。所謂絕緣層，除層間絕緣層外，亦 包含阻焊層等《所謂開口部，除孔或槽外，亦包含切口或 缺口等。所謂孔’亦包含導通孔及穿孔。將形成於孔内之 導體中’形成於孔内面（側面及底面）之導體膜稱作被覆導 體’將填充於孔内之導體稱作填充導體。 所謂鍵敷’是指於金屬或樹脂等之表面層狀地析出導體 (例如金屬）時，析出之導體之層（例如金屬層）。鍍敷除電 解鍍敷或無電解鑛敷等濕式鑛敷以外，亦包含PVD(物理 氣相沉積）或CVD(化學氣相沉積）等乾式鍍敷。 雷射光不限於可見光。雷射光除可見光外，亦包含紫外 線或X線等短波長之電磁波，或紅外線等長波長之電磁 波。雷射光對各材料之吸收率係由分光光度計測定之值。 本實施形態之電路板100如圖1(剖面圖）及圖2(平面圖）所 示’係例如多層印製電路板（兩面剛性電路板）。電路板1〇〇 具有基板200(核心基板）、絕緣層1 〇 1〜〖〇4(層間絕緣層）、 阻焊層105、106(絕緣層）、導體層113〜116。此處，於基板 200之第1面側交互積層有2層絕緣層ιοί、1〇3與2層導體層 113、115。又。於基板200之第2面側交互積層有2層絕緣 層102、104與2層導體層114、116。並且，於第1面側之最 156670.doc 201208513 卜層形成有阻焊層l〇5，於第2面側之最外層形成有阻焊層 106。本實施形態巾，導體層113〜ιΐ6包含分別以佈線或塾 (¼子）#構成之導體電路。但不限於此，導體層m〜丨16之 導體圖案為任意需每次對各層電路化。又，本實施形 態中，絕緣層101〜104及阻焊層1〇5、1〇6相當於樹脂絕緣 層。 如圖3所示，於電路板〗〇〇之表面（單面或兩面）例如利用 焊錫1000a安裝電子零件1〇〇〇(或其他電路板等電路板 100例如可作為手機等電路基板使用。 另電路板1 〇〇可為剛性電路板，亦可為軟性電路板。 又，電路板100可為兩面電路板，亦可為單面電路板。導 體層及絕緣層之層數為任意。 基板200具有絕緣層i〇〇a、導體層lu、112。作為基板 200，可使用例如兩面覆銅箔積層板。又，基板2〇〇亦可將 兩面覆銅箔積層板或絕緣板作為起始材料，利用鑛敷等製 造。 圖4係將圖1中之區域R1放大顯示。 墊63係導體層116(進而導體圖案）之一部分，發揮作為外 部連接端子之功能。另’於墊63上形成焊錫i〇〇〇a(圖3) 時，亦可於整63表面形成例如Ni/Au等保護導體膜。 墊63由導體63a與氧化被膜63b構成。氧化被膜63b形成 於導體63 a表面，覆蓋導體63a。但，於阻焊層1〇6上形成 開口部106a(例如孔）’於開口部106a，去除氧化被膜63b。 藉此，導體63 a(墊63之面F1)於其開口部i〇6a露出，於塾63 156670.doc ⑧ 201208513 上設置焊錫1000a(圖3)之情形中，認為不會引起因氧化被 膜63b所致之導通電阻之增大。另，無需於導體63a表面形 成氧化被膜63b。 此處，如圖5及圖6(面F1之一部分放大圖）所示，於面 Fl(露出之導體層116之表面）形成有凹凸。藉此，認為墊63 之面F1與焊錫l〇〇〇a(圖3)等之連接強度可提高。面以之十 點平均粗糙度較好在約0.5〜1 μηι範圍内。 再者’如圖2及圖5所示’於開口部10以之邊緣形成有凸 Ρ1又，圖5中於開口部1 〇6a露出之面F1與阻焊層106之 開口部106a側之側面F2所成角度0例如約為9〇。以上。 阻焊層106(絕緣層）係於樹脂61内以約2〜6〇糾％比率含 有填充劑62而成。樹脂61具有絕緣性及熱硬化性。填充劑 62包含氧化矽系填充劑。填充劑62之含量在上述範圍内 時，認為不會損傷墊63表面，可以低雷射強度於阻焊層 1〇6上形成開口部106a(詳細後述）。又，作為印刷電路板， 認為亦可滿足阻焊層106之低CTE(熱膨脹率）化之要求。 作為氧化矽系填充劑，使用矽酸鹽礦物較佳。作為矽酸 鹽礦物較好包含氧㈣、滑石、雲母、高嶺土切酸狀 至少1種’其中較好包含氧化妙、以氧化錢行表面處理 之金屬化合物及滑石之至少1種。 較佳之1例係，阻焊層1〇6含有包含約1〇〜2〇 之滑石 (3MgO’4Si〇2.H2〇)及約1〇〜2〇糾％之氧化石夕之氧化矽系填 充劑，即合計約2〇〜4〇wt%之氧化矽系填充劑。 作為氧化碎，較好使用破碎氧化⑦、球形氧化♦、溶融 156670.doc 201208513 氧化矽及結晶氧化矽之至少!種。於本實施形態，填充劑 62(氧化石夕系填充劑）包含破碎狀之無定形氧化石夕（以下稱作 破碎氧化矽）《»破碎氧化矽與球形氧化矽相比反射率較 低，因此認為容易藉由填充劑62之含4，對於提高後述雷 射吸收率減低效果及阻焊層〗叫除效率之效果進行微調 整。尤其填充劑62(氧化矽系填充劑）之5〇 wt%以上為破碎 氧化矽較佳。如此填充劑62之主成份（一半以上）為破碎氧 化矽時，認為填充劑62藉由反射雷射而減小對導體之損壞 或增大延遲損壞進行之效果（詳細後述）^但不限於此，破 碎氧化矽之含量亦可少於50 wt%，進而填充劑62亦可不含 破碎氧化矽（參照後述之圖1 7)。 填充劑62(氧化矽系填充劑）之平均粒徑在約〇 5〜2〇 之 範圍内較佳。填充劑62之平均粒徑在上述範圍内時，認為 填充劑62所致之雷射吸收率降低效果（詳細後述）變大。 根據本實施形態，樹脂61包含熱硬化性環氧樹脂。作不 限於此，作為樹脂61(熱硬化性樹脂），除環氧樹脂以外， 亦可使用苯酚樹脂、聚伸苯醚（ΡΡΕ)、聚苯醚（ρρ〇)、氟系 樹脂、LCP(液晶聚合物）、聚酯樹脂、醯亞胺樹脂（聚醯亞 胺）、ΒΤ樹脂、烯丙基化聚苯醚樹脂（Α·ΡΡΕ樹脂）或聚芳醯 胺樹脂等。又’樹脂61不僅含熱硬化性樹脂，亦可含紫外 線硬化性樹脂。作為紫外線硬化性樹脂，例如可舉出環氧 丙烯酸酯樹脂或丙烯酸樹脂等。 包含墊63在内’導體層113〜116係包含例如無電解錢敷 膜與電解鑛敷膜2層。但不限於此，例如塾63等亦可以金 156670.doc _8_ ⑧ 201208513 電解鍍敷膜之3層構成 屬羯（例如銅猪）與無電解鍍敷膜、 (參照後述圖16)。 根據本實施形態，無電解㈣鼓 二形成無電解鍵数膜時，使用料為觸:膜二： 此，無電解鍍敷膜及 -不限於 «外之金屬)。又，：::=可含其他材料(例如钢 構成。觸媒之種類亦為任又/不同材料之複數層 媒。 為任意。又若無必要則亦可不使用觸 根據本實施形態，絕緣層10〇a及絕緣層101〜1〇4包含敎 硬化性環氧樹脂。但不限於此，絕緣層⑽&及絕緣層 1〇1〜1〇4之材料為任意。作為構成絕緣層1G1〜1()4之樹月t， 熱硬化性樹脂或熱可塑性樹脂較佳。作為熱硬化性樹月;， 除環氧樹脂外，例如可使用醢亞胺樹脂（聚酿亞胺）、BT樹 脂、烯丙基化聚笨鍵樹脂（A_ppE樹脂）、$乡酿胺樹脂 等。又，作為熱可塑性樹脂，例如可使用液晶聚合物 (LCP)、PEEK樹脂、PTFE樹脂（氟樹脂）等。該等材料例如 由絕緣性、介電特性、耐熱性或機械特性等觀點觀之，宜 根據必要時加以選擇。又，於上述樹脂中，亦可含有硬化 劑、穩定劑、填充劑等作為添加劑。又，各絕緣層亦可由 含不同材料之複數層構成。 電路板100可藉由例如於基板200上交互增層絕緣層 101〜1〇4與導體層113〜II6後，於最外層設置阻焊層1〇5、 106而製造。 絕緣層101〜104可藉由例如使用樹脂薄膜之真空層壓而 156670.doc 201208513 形成（積層）。導體層113〜116例如可以板鍵敷法、圖案链敷 法、全加成法、半加成（SAP)法、減除法及蓋孔（Tenting) 法之任一者或任意組合該等之2者以上之方法形成。阻焊 層105、1 06例如可利用網版印刷、親塗或層壓等而製造。 上述電路板1 〇〇(尤其圖4所示之結構）係以例如如圖7所 示之順序製造。 首先’於步驟S11，於絕緣層（下層絕緣層）上形成導體 層。 具體&之，例如準備含熱硬化性環氧樹脂之絕緣層 1 〇4(下層絕緣層），藉由例如蝕刻而使絕緣層1 〇4之第2面粗 化。接著，例如藉由浸潰而使觸媒吸附於絕緣層i 〇4之第2 面（粗化面）。該觸媒例如係纪。浸潰可使用例如氯化絶或 鈀膠體等溶液。為了固定觸媒，亦可在浸潰後進行加熱處 理。 接著，如圖8 A所示，例如利用化學鐘敷法於絕緣層i 〇4 之第2面上形成例如無電解鍍敷膜1〇〇1。作為鍍敷液，例 如可使用添加有還原劑等之硫酸銅溶液等。作為還原劑， 例如可使用福馬林、次磷酸鹽、乙醛酸等。 接著，如圖8B所示，於無電解鍍敷膜1〇〇1上形成鍍敷抗 银劑1002。鍍敷抗蝕劑1002於特定位置上具有開口部 1002a。接著，例如利用圖案鍍敷法，於阻焊層1〇〇2之開 口部1002a上形成例如銅之電解鍍敷膜1〇〇3。具體言之， 對陽極連接鍍敷材料的銅（含磷銅），對陰極連接被鍍敷材 的無電解鍍敷膜1001，浸潰於鍍敷液中。然後，於兩極間 156670.doc •10· 201208513 施加直流電壓而使電流通過，使錮把山认^ 1之纲析出於陰極露出之無電 解鍍敷膜1001之第2面上。藉此，於 ft%於無電解鍍敷膜1001上 部分形成電解鍍敷膜1003。作為舻齡、％ ,, 今銀敷液’例如可使用硫酸 銅溶液、焦磷酸銅溶液、氰化錮湓达 々技 別/合液、或氟硼酸銅溶液 等。 接著’如圖8C所示，例如利用特定之制離液去除鍍敷抗 触劑1002。接著，例如利用雷射或#刻去除不需要之無電 解鍍敷膜1001後，如圖9所示，形成導體63a，於導體63& 之表面形成氧化被膜63b。其結果，於導體層116中形成塾 63。另’墊63之導體63a之結構不限於無電解鍍敷膜及電 解鍍敷膜之2層結構，而為任意（參照後述之圖16)。 接著，於圖7之步驟S12,於絕緣層1〇4(下層絕緣層）上 以覆蓋墊63(導體圖案）之方式形成阻焊層（上層絕緣層）。 具體言之，如圖10所示，例如藉由網版印刷、輥塗 '層 壓等，於絕緣層104上形成阻焊層1〇6(上層絕緣層）。藉 此，墊63以阻焊層106覆蓋。如前述，阻焊層1〇6係例如於 含熱硬化性環氧樹脂之樹脂61中以約2〜40 wt%之比率含有 包含氧化矽系之填充劑62。於該階段，阻焊層106變成半 硬化狀態。又，阻焊層106之顏色考慮到與後述之綠色雷 射之色相性，較好成綠色系、黑色系或藍色系較佳。 接著’於圖7之步驟S13’藉由照射雷射光而去除墊 63(導體圖案）上之阻焊層106，使墊63露出於該部分。 具體α之，例如如圖1 1及圖1 2所示，於被照射體（阻焊 層1〇6等）之第2面側設置具有開口部i〇〇4a之遮光光罩1〇〇4 156670.doc 201208513 之狀態下，對被照射體之全面（詳細為第2面所有區域）照射 綠色雷射。此處，所謂綠色雷射，是指波長約1〇64 nm之 基本波之第2諸波’波長約5 3 2 nm之雷射光。 該雷射光之照射係在阻焊層106半硬化之狀態下進行。 將上述綠色雷射照射於被照射體全面之情形中，較佳為 例如將被照射體固定，使綠色雷射（嚴格言之為其對準）移 動，或相反地固定綠色雷射（嚴格言之為其對準），使被照 射體移動。使綠色雷射移動之情形中，例如藉由電流計鏡 (galvanometer mirror)使綠色雷射移動（掃描）較佳。又使 被照射體移動之情形中，例如利用柱面光學透鏡將綠色雷 射作為線狀光，將其照射於特定位置且利用輸送帶使被照 射體移動較佳。 另，雷射強度（光量）之調整以脈衝控制進行較佳。具體 言之，例如改變雷射強度之情形中，每丨衝擊（1次照射）之 雷射強度不改變地變更衝擊數（照射次數）。即，於〗次衝擊 無法獲得期望之雷射強度之情形中，對相同照射位置再次 "、、射雷射光。根據如此之控制方法，由於可省略改變照射 條件之時間，故認為可提高處理量。 但不限於此，雷射強度之調整方法為任意。例如對每個 . …、射位置決定照射條件，亦可使照射次數固定（例如每1個 照射位置1次衝擊）。又，於相同照射位置進行複數次雷射 照射之情形中，亦可每次衝擊改變雷射強度。 此處，顯示利用電流計鏡使綠色雷射移動之情形之條件 之例。圖13中，雷射光之光點徑d21例如為30 μηι。該例 156670.doc ⑧ 12 201208513 中，使雷射光之掃描方向為χ方向。χ方向之單位移動量 d22(相鄰光點之照射中心ρ間之距離）例如為2〇 又，γ 方向之單位移動量d23(相鄰光點之照射中心ρ間之距離）例 為5 μιη ®射光之知描速度例如為3000 mm/sec。即， 每1次衝擊使雷射光於χ方向掃描2〇 μιη之情形中雷射光 每1秒照射15萬次衝擊。 以下’以在如此條件下進行雷射照射之情形為例，針對 雷射照射態樣之一例進行說明。 該例中，首先對被照射體之χ_γ平面上之第1線，例如 (〇,〇)〜(χχ，ο)進行雷射照射。具體言之，對最初之照射位 置（〇’〇)進行雷射照射，該雷射照射結束後，僅朝Χ2側移動 單位移動量d22，對下一照射位置（2〇,〇)進行雷射照射。然 後’如圖Π中箭頭所示’重複雷射照射及朝χ2側之移動， 對設於被照射體之χ方向之各照射位置依次進行雷射照 射。如此’對於被照射體之χ方向所有區域之綠色雷射之 照射結束後’結束對於第1線之雷射照射。 接著’對被照射體之Χ-Υ平面上之第2線，例如 (〇，15)〜(Χ，15)進行雷射照射。具體言之，綠色雷射如圖1 中箭頭所示，從第1線之最後照射位置（χχ，0)使X座標返回 至原點’且使γ座標僅向Y1側移動單位移動量d23，從照 射位置（0,15)再次與第1線相同地朝X2側掃描雷射光。如 此’對各線依次進行雷射照射，從而可對被照射體之第2 面（X-Y平面）所有區域照射綠色雷射。 此處，雖顯示沿著χ方向掃描雷射光之例，但亦可沿著 156670.doc •13- 201208513 γ方向掃描雷射光。又，亦可不使用遮光光罩1004，在非 照射部分停止雷射照射，僅對於欲照射之部分照射雷射 光。此外，照射位置或雷射強度之控制方法等亦為任意。 圖7之步驟S13令之雷射光之照射係對每丨個被照射體進 行1次掃描。藉此’可以高生產效率製造電路板1〇〇。但， 電路板100之製造方法不限於如此之掃描方法，亦可對每i 個被照射體進行2次以上雷射掃描。 再者’於阻焊層106上形成開口部丨06a，使墊63露出後 亦接著雷射照射並進行除污。具體言之，對墊63(鋼）之表 面照射雷射，將墊63上之樹脂殘渣及墊63表面之氧化被膜 63b(氧化銅）去除。藉此’認為墊63上之樹脂殘渣減少，可 抑制因樹脂殘渣引起之焊錫濕潤性之下降。又，藉由導體 63a(墊63之面F1)露出於開口部i〇6a，而於墊63上設置焊錫 1000a(圖3)之情形中，認為變得不會引起因氧化被膜63b所 致之導通電阻之增大。並且開孔（阻焊層1〇6之去除）及除污 係藉由共通之雷射照射步驟進行，因此無需另外設置除污 步驟。又，於導體63a(墊63之面F1)上形成粗化面之情形 中’對塾63(銅）之表面進行雷射照射而平滑化，藉此，可 減少其後於墊之表面處理（例如Ni/Au鑛敷）中之殘留空隙， 可期待焊錫之防脫落效果。 又’利用該雷射光之照射，在從阻焊層1 〇6露出之墊63 之面Fl(導體層116之表面）上形成凹凸（參照圖5及圖6)。藉 此’認為可提高墊63之面F1與焊錫l〇〇〇a(圖3)等之接合強 度。 156670.doc 201208513 根據本實施形態，於用於上述開孔及除污之雷射照射 (圖7之步驟S13)中，藉由使用綠色雷射而可將雷射照射後 之墊63(導體圖案）上之樹脂殘渣去除，可將墊幻表面之氧 化被膜63b去除。又，認為藉由將填充劑62之含量等調整 在適虽範圍内，可以低雷射強度，亦即以較少衝擊數（例 如1衝擊）於阻焊層106上形成開口部106a。以下，參照圖 14等對此進行說明。 圖14係顯示對各環氧樹脂（線L11)、銅（線L12)及氧化矽 (線L13)照射雷射光之情形中，雷射光之波長與吸收率之 關係之圖。另，認為即使將環氧樹脂換成其他樹脂（尤其 熱硬化性樹脂），亦可獲得大致相同之結果。 首先，將波長約532 nm之雷射光LZ3(綠色雷射），與波 長約10640 nm之雷射光LZ5進行比較。作為雷射光LZ3， 例如可使用YAG或YVO4雷射之第2諧波。作為雷射光LZ5 之光源，可使用例如C02雷射。 如圖14所示，雷射光LZ5之吸收率在環氧樹脂（線Lu)及 氧化矽（線L13)兩方雖較高，但雷射光LZ3之吸收率於環氧 樹脂（線L11)係高如約50〜70%，於氧化矽（線L丨3)則低如未 達約10°/〇。本實施形態中’阻焊層106中不僅含樹脂6丨（環 氧樹脂），亦含填充劑62(氧化矽系填充劑），因此將綠色雷 射照射於阻焊層106之情形時，認為藉由填充劑62而抑制 阻焊層106之分解反應（光化學反應）之進行。其結果，認為 於用以對阻焊層106開孔之雷射照射（圖7之步驟sn)中， 阻焊層106下之墊63不易過度地去除。尤其於雷射sLZ3, 156670.doc •15· 201208513 於氧化矽（線L13)之吸收率未達約10%，因此認為如此效果 較大。 此處，本實施形態之電路板之製造方法中之填充劑62之 含量在約2〜40 wt%範圍内。由發明人之實驗結果等，認為 填充劑62之含量未達約2 wt%時有對墊63表面造成損壞之 虞’另一方面，填充劑62之含量超過約40 wt°/〇時，阻焊層 106之去除變困難。因此，認為若將阻焊層1〇6中所含之填 充劑62之含量調整為2〜40 wt% ’則可無損墊63表面地以較 少衝擊數於阻焊層106上形成開口部l〇6a。並且，藉由選 擇性地去除阻焊層1〇6中所含之樹脂成份，可使填充劑62 濃縮在阻焊層106與墊63之界面附近。因此其結果，認為 利用其界面附近之填充劑62，而抑制雷射光之照射能量， 可不過度去除墊63，而僅去除氧化被膜63b。 又認為，填充劑62(氧化矽系填充劑）之平均粒徑在約 0_5~20 μιη之範圍内較佳。認為填充劑62之平均粒徑未達 0.5 μηι時，有對墊63表面造成損壞之虞，另一方面，填充 劑62之平均粒徑超過約2〇 μιη時，阻焊層1〇6之去除變困 難。因此，認為若將阻焊層106中所含之填充劑62之平均 粒徑調整在約0.5〜20 μιη之範圍内，則可以較少衝擊數於 阻焊層106上形成開口部1〇6a。 ，如圖14所不，於銅（線U2)之吸收率，雷射光比雷射 光LZ5尚。開空後之除污中，認為於鋼之雷射光吸收率某 程度地高較佳。係易去除氧化被膜63b之故。但，於銅之 雷射光吸收率過高時，有導致銅（導體6叫被過度地削去等 156670.doc ⑧ •16- 201208513 問題產生之虞。由於綠色雷射適度地被銅吸收，因此認為 該點適於用以除污之雷射照射。認為於銅之雷射光吸收率 較佳約50%。 又’認為具有小於波長約1064 nm之雷射光LZ4之波長的 雷射光主要利用光化學反應而分解被照射體，具有大於雷 射光LZ4之波長的雷射光主要利用熱反應而分解被照射 體。比較2個反應’認為相較於將光轉換為熱所使用之熱 反應，將光直接使用之光化學反應其能量效率較高。因 此，認為綠色雷射就能量效率方面而言亦優良。 接著，將波長約200 nm之雷射光LZ1、波長約355 nm之 雷射光LZ2(UV雷射）與波長約532 nm之雷射光LZ3(綠色雷 射光）進行比較。另’作為雷射光LZ1之光源，例如可使用 準分子雷射。作為雷射光LZ2，例如可使用YAG或YV04雷 射之第3諧波。 認為該等雷射光LZ1〜LZ3在主要由光化學反應分解被照 射體之方面係共通。但，如圖14所示，關於在環氧樹脂 (線L11)、銅（線L12)及氧化石夕（線L13)之吸收率，雷射光 LZ1最高，接著雷射光LZ2次高，雷射光LZ3最低。更詳細 觀察，雷射光LZ2、LZ3之吸收率從高到低依次為環氧樹 脂（線L11)、銅（線L11)、氧化矽（線L13)，但雷射光LZ1之 吸收率從高到低依次為環氧樹脂（線LI 1)、氧化碎（線 L13)、銅（線L12)。並且’於雷射光LZ1，於環氧樹脂（線 L11)之吸收率與於氧化矽（線Li3)之吸收率間完全無差別。 因此’先前之雷射照射步驟（圖7之步驟S13)中，使用準分 156670.doc •17- 201208513 子雷射時’認為因填充劑62而使雷射吸收率降低之效果較 低。 由上’認為用於上述開孔及除污之雷射照射（圖7之步驟 S13)所使用之雷射光主要可利用光化學反應而分解被照射 體’亦即具有約1064 nm以下之波長較佳◦又，認為較好 雷射光之吸收率從高到低依次為環氧樹脂（線LU)、銅（線 L12)、石夕（線l 13)之順序，以使於銅之雷射光吸收率某程 度地變高。因此，認為上述雷射光之波長在圖14中之範圍 R21，亦即約300〜1064 nm之範圍内較佳。再者，考慮到因 填充劑62之雷射吸收率減低之效果，或去除阻焊層1〇6之 效果等’認為上述雷射光之波長在約450〜600 nm之範圍 (範圍R22)内較佳，其中約500〜560 nm之範圍（範圍R23)更 佳。 作為光源’ s忍為YAG雷射、YVO4雷射、氮離子雷射或 銅蒸汽雷射較佳。例如將YAG雷射或YV04雷射作為光源 時’由基本波而獲得波長約1064 nm之雷射光，由第2譜波 而獲得波長約532 nm之雷射光’由第3諧波而獲得波長約 355 nm之雷射光。又，利用氬離子雷射可獲得具有約 488〜515 nm範圍波長之雷射光》又，利用銅蒸汽雷射可獲 得具有約5 11〜5 78 nm範圍波長之雷射光。但，光源不限於 該等’根據必要之雷射光之波長選擇適當者較佳。又，可 使用各光源之基本波，亦可使用各光源之諧波。 認為用於上述開孔及除污之雷射照射（圖7之步驟S13)所 使用之雷射光對墊63(銅）之吸收率在約30〜60%之範圍内較 156670.doc -18 - ⑧ 201208513 佳。以下對此參照圖15進行說明。 圖15係顯示將波長不同之5個雷射光LZ1-LZ5照射於阻 焊層106，進行上述開孔及除污之結果之圖表。 如圖15所示，認為對銅之吸收率超過約60%時（例如雷射 光LZ1、LZ2)有損壞墊63表面之虞，另一方面，對銅之吸 收率未達約30%時（例如雷射光LZ4、LZ5)中，阻焊層106 或氧化被膜63b之去除變困難。因此，認為若使用對墊 63(銅）之吸收率在約30〜60°/。範圍内之雷射光（例如雷射光 LZ3) ’則可抑制對塾63表面之損害同時可減少雷射照射後 之墊63(導體圖案）上之樹脂殘渣。 由雷射照射步驟（圖7之步驟S13)，完成電路板1〇〇(尤其 圖4所示之結構）。如上述’認為利用該雷射照射步驟而可 去除墊63上之樹脂殘渣，且可去除墊63表面之氧化被膜 63b。又其結果，認為可提高電路板1〇〇之墊63(外部連接 端子）之電特性。 以上針對本發明之實施形態之電路板之製造方法進行了 說明，但本發明不限於上述實施形態。 墊63之導體63a不限於含無電解鍍敷膜及電解鍍敷膜之2 層結構。例如如圖16(對應於圖4之剖面圖）所示，亦可為從 絕緣層104側依次積層有包含金屬箔2〇〇1(例如銅箔）、例如 銅之無電解鍍敷膜2002、及例如銅之電解鍍敷膜之3 層結構之導體63a。再者，導體63a之層數不限於2層或3 層，例如亦可為以4層以上構成之導體63ae 根據上述實施形態，阻焊層106中所含之填充齊⑹（氧化 156670.doc 201208513 石夕系填充劑）之50 wt%以上為破碎氧化矽，但不限於此， 可將任意之氧化矽系填充劑作為填充劑62採用。例如如圖 17所示’阻焊層106中所含之填充劑62(氧化矽系填充劑）之 50 wt%以上亦可為球形氧化矽。 作為墊63(尤其導體63a)之材料，亦可使用銅以外之導 體。認為若可獲得以圖14之關係為準之關係，則可獲得以 前述效果為準之效果。 根據上述實施形態，雖提及使用圖7及圖8〜圖12所示之 方法形成圖1中之區域R1之結構（外層部位）之情形，但上 述方法亦可用以形成圓18中之區域R2之結構（内層部位）而 採用。此時，取代絕緣層丨〇4，絕緣層丨〇2(層間絕緣層）變 為下層絕緣層，取代阻焊層1〇6，絕緣層1〇4(層間絕緣層） 變為上層絕緣層。該例中，絕緣層104以約2〜60 wt%之比 率於樹脂中含有填充劑而成等，較好包含與上述實施形態 所示之阻焊層1 〇6相同之材料.。 根據上述實施形態，於圖7之步驟S13，藉由照射雷射光 而使作為外部連接端子發揮功能之墊63露出。但不限於 此，露出其他導體圖案（内置於電路板之電子零件或其他 電路板之墊等）時，亦可使用上述方法。又，藉由前述雷 射照射不僅可形成用以配置外部連接端子（焊錫凸塊等）之 孔’亦可形成於内層之導通孔或穿孔等之開口部。再者， 亦可藉由前述雷射照射而形成孔以外之開口部（例如槽或 切口等）。 例如如圖19所示，利用上述方法製造内置電子零件301a 156670.doc ⑧ •20- 201208513 之電路板301時，可藉由上述雷射照射而使電子零件3〇1& 之電極301b(導體層301c中之導體圖案）露出。藉此，可形 成電子零件301a之電極301b與其上層導體層之通孔連接部 R31。 例如如圖20所示，利用上述方法製造印製剛性軟性結合 電路板302時，亦可藉由上述雷射照射而使軟性電路板 302a之墊302b(導體層302c中之導體圖案）露出。藉此，可 形成軟性電路板302a之墊302b與剛性部（例如上層導體層） 之通孔連接部R3 2。 例如如圖21所示，利用上述方法製造内置其他電路板 3〇3a(例如高密度電路板）之電路板3〇3時，亦可藉由上述雷 射照射而使其他電路板303a之墊3〇3b(導體層3〇3c中之導 體圖案）露出。藉此，可形成其他電路板3〇3a之墊3〇扑與 其上層導體層之通孔連接部R33。 關於其他點，電路板100之構成及其構成要素之種類、 性月b、尺寸、材質、形狀、層數或配置等在不脫離本發明 主曰之範圍内可任意變更。例如通孔連接部R3 1〜R33可為 被覆導體，亦可為填充導體。 電路板100之製造方法不限於圖7所示之内容，在不脫離 本發明主旨之範圍内可任意改變順序或内容。又，亦可根 據用途等而省略不需要之步驟。 上述貫施形態及各變形例可任意組合。根據用途等選擇 適當之組合較佳。 以上’針對本發明之實施形態進行了說明，但應理解由 156670.doc 21- 201208513 含在對應於「申請專利範圍 =計上之方便或其他原因而所必要之各種修正或組合包 」所記載之發明或「實施方 式」所記載之具體例之發明範圍内 [產業上之可利用性] 本發明之電路板之製造方㈣於電子㈣之電路 之製造。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之實施形態之電路板之剖面圖； 圖2係本發明之實施形態之電路板之平面圖； 圖3係顯示於本發明之實施形態之電路板表面安裝電子 零件之例之圖； 圖4係將圖1中之一部分放大顯示之圖； 圖5係將圖4中之一部分放大顯示之圖； 圖6係將從阻焊層露出之導體層表面之一部分放大顯示 之圖； 圖7係顯示本發明之實施形態之電路板之製造方法之流 程圖； 驟.之 之 圖8 A係用以說明於絕緣層上形成導體層之第j步 圖； 圖8B係用以說明於絕緣層上形成導體層之第2步 圆， 圖8C係用以說明於絕緣層上形成導體層之第3步驟之 圖； 圖9係顯示根據圖8Α〜圖8C之步驟形成之導體層（塾）之 156670.doc ⑧ •22· 201208513

成覆蓋墊（導體圖案）般之 圖ίο係用以說明於絕緣層上形 阻焊層之步雜之圖； 圖11係用以說明雷射步驟之平面圖； 圖12係用以說明雷射照射步驟之剖面圖； 之係其對準）移動之情形 圖13係用以說明使雷射（嚴格言 之條件的一例之圖； 圖14係顯示關於各材料之雷射波長與吸收率之關 圖； ’、之 圖15係顯示照射波長不同之5個雷射光，進行阻焊層之 開孔及除污之結果之圖表； 圖16係顯示塾（導體圖案）包含金屬膜、無電解錄敷膜及 電解鑛敷膜3層結構之電路板之一例之剖面圖； 、 圖17係顯示阻焊層（絕緣層）所含之填充劑主要由球形氧 化石夕構成之例之圖； 圖18係顯示為形成電路板之内層部位而採用上述實施形 態之製造方法之例之圖； 圖19係顯不為製造内置電子零件之電路板而採用上述實 施形態之製造方法之例之圖； 圖2〇係顯示為製造剛性軟性結合電路板而採用上述實施 开> 態之製造方法之例之圖；及 圖21係顯示為製造内置其他電路板之電路板而採用上述 實施形態之製造方法之例之圖。 【主要元件符號說明】 156670.doc -23- 201208513 61 樹脂 62 填充劑 63 墊 63a 導體 63b 氧化被膜 100 電路板 100a 絕緣層 101 絕緣層 102 絕緣層 103 絕緣層 104 絕緣層 105 阻焊層（絕緣層） 106 阻焊層（絕緣層） 106a 開口部 111 導體層 112 導體層 113 導體層 114 導體層 115 導體層 116 導體層 200 基板 301 電路板 303 電路板 302 剛性軟性結合電路板 156670.doc - 24 - ⑧ 201208513 301a 電子零件 302a 軟性電路板 303a 其他電路板 301b 電極 302b 墊 303b 墊 301c 導體層 302c 導體層 303c 導體層 1000 電子零件 1000a 焊錫 1001 無電解鍍敷膜 1002 鍍敷抗蝕劑 1002a 開口部 1003 電解鍍敷膜 1004 遮光光罩 1004a 開口部 2001 金屬箔 2002 無電解鍍敷膜 2003 電解鍍敷膜 FI 面 F2 側面 PI 凸部 R31 通孔連接部 -25- 156670.doc 201208513 R32 R33 通孔連接部 通孔連接部 156670.doc

Claims (1)

1. 201208513 七、申請專利範圍： 1. 一種電路板之製造方法，其包含： 於導體圖案上，形成以約2〜60 wt%之比率含有氧化矽 系填充劑之樹脂絕緣層； • 藉由對前述樹脂絕緣層照射對前述導體圖案之吸收率 S約30〜6G%範圍内之雷射力’而形成到達前述導 之開口部。 茶 2. 如請求I之電路板之製造方法，其中前述導體圖 含銅； 前述雷射光具有在約450〜600 nm範圍内之波長。 3. 如請求項2之電路板之製造方法，其中前述雷射光具有 在約500〜560 nm範圍内之波長。 4. 如請求項1或2之電路板之製造方法，其中前述導體 包含銅； ' 前述雷射光之光源係YAG雷射、YV〇4雷射、氣離子雷 射及鋼蒸汽雷射之任一者。 5. 如請求項1或2之電路板之製造方法’其中前述導體圖案 包含銅； . 前述雷射光係YAG雷射或YVO4雷射之第2諸波。 - 6.如請求項1或2之電路板之製造方法，其中前述雷射光之 照射係以對1個被照射體掃描1次進行。 7.如請求項1或2之電路板之製造方法，其中前述雷射光之 照射係對被照射體之全面進行。 8，如請求項1或2之電路板之製造方法，其中利用前述雷射 156670.doc 201208513 光之照射，去除前述露 姐叫來衣曲之礼化被膜。 9·如請求項1或2之電路板之製造方法，其中 咏 穴丁〜用前述番 光之照射，於前述露出之導體圖案之表面形成凹凸/射 10. 如請求項1或2之電路板之製造方法，其 ° 兵中則述雷射 刖述氧化石夕系填充劑之吸收率未達約1 〇 %。 11. 如請求項1或2之電路板之製造方法，其中前述氧化石 填充劑之平均粒徑在約0.5〜20 μϊη之範圍内。 系 12. 如請求们或2之電路板之製造方法，其中前述氧化妙 填充劑包含氧化石夕、以氧切進行表面處理之金屬化= 物及滑石之至少1種。 Q 13. 如請求項13戈2之電路板之製造方法，其中前述氧化矽系 填充劑包含破碎狀之無定形氧化碎。 “ Μ.如請求項_之電路板之製造方法，其中前述雷射光之 照射係在則述樹脂絕緣層半硬化之狀雜下進行 156670.doc 2-