JP2023039074A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層と導体層とが良好な密着性を有する配線基板の提供。【解決手段】実施形態の配線基板の製造方法は、第１導体層１２１、及び、第１導体層１２１を被覆する第１樹脂絶縁層１１１を形成することと、第１樹脂絶縁層１１１を貫通して第１導体層１２１を露出させる開口１３ａを形成することと、開口１３ａにビア導体１３を形成すると共に、第１樹脂絶縁層１１１の上面に接する第２導体層１２２を形成することと、を含んでいる。開口１３ａを形成することの前に、第１樹脂絶縁層１１１の上面に粗化処理が行われる。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、多層プリント配線板の製造方法が開示されている。導体回路上に形成される層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口が形成された後に、開口の内壁と層間樹脂絶縁層の表面とに酸化剤を用いた処理が実施され、粗化面が形成される。

特開２００１－８５８３７号公報

特許文献１に開示されているプリント配線板の製造方法では、層間絶縁層の表面の粗化と開口内壁の粗化とが、酸化剤を使用して同時に実施される。層間絶縁層の表面における望ましい状態（例えば粗化の程度）と開口内における望ましい状態との両立が困難であると考えられる。

本発明の実施形態である配線基板の製造方法は、第１導体層、及び、前記第１導体層を被覆する第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層を貫通して前記第１導体層を露出させる開口を形成することと、前記開口にビア導体を形成すると共に、前記第１樹脂絶縁層の上面に接する第２導体層を形成することと、を含んでいる。前記開口を形成することの前に、前記第１樹脂絶縁層の前記上面に粗化処理が実施される。

本発明の実施形態によれば、第１樹脂絶縁層の上面に望ましい粗面が形成され、併せて、開口内は望ましい状態とされ得る。樹脂絶縁層と導体層との良好な密着性が実現されると同時に、開口内に良好な状態で形成されるビア導体が実現され得る、信頼性の高い配線基板が提供され得る。

本発明の実施形態の方法により製造される配線基板の一例を示す断面図。 図１に示される断面図の部分拡大図。 図２に示される断面図の部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。

本発明の一実施形態である配線基板の製造方法により製造される配線基板が、図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、実施形態の製造方法によって製造される配線基板の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

図１に示される例の配線基板１は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２を含むコア基板１００を有している。コア基板１００の両面上には、それぞれ、絶縁層及び導体層が交互に積層されている。図示の例では、コア基板１００の一方の面Ｆ１上には、絶縁層１１、１１１及び導体層１２、１２１、１２２が積層された第１ビルドアップ部１０が形成されている。また、コア基板１００の他方の面Ｆ２上には、絶縁層２１及び導体層２２が積層された第２ビルドアップ部２０が形成されている。

第１ビルドアップ部１０上には、ソルダーレジスト層１１０が形成されている。第２ビルドアップ部２０上には、ソルダーレジスト層２１０が形成されている。ソルダーレジスト層１１０には開口１１０ａが形成され、開口１１０ａ内には第１ビルドアップ部１０における最も外側の導体層１２が有する導体パッド１２ｐが露出している。ソルダーレジスト層２１０には開口２１０ａが形成され、開口２１０ａ内には第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２が有する導体パッド２２ｐが露出している。

実施形態の配線基板の製造方法、及び製造される配線基板の説明においては、配線基板１における第１ビルドアップ部１０の導体層１２１は、第１導体層１２１とも称される。第１導体層１２１の上側を被覆する絶縁層１１１は第１樹脂絶縁層１１１とも称される。第１樹脂絶縁層１１１の上側に形成される導体層１２２は第２導体層１２２とも称される。

なお、配線基板１及び配線基板１の製造方法の説明においては、コア絶縁層１０１から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア絶縁層１０１に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各絶縁層及び導体層において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。従って、実施形態の製造方法によって製造される配線基板の説明では、第１導体層１２１のコア絶縁層１０１と反対側を向く面は、第１導体層１２１の上面とも称される。第１樹脂絶縁層１１１のコア絶縁層１０１と反対側を向く面、すなわち第１導体層１２１と反対側の面は、第１樹脂絶縁層１１１の上面とも称される。

図示される例において、導体パッド１２ｐ及びソルダーレジスト層１１０それぞれの露出面によって構成される配線基板１の最も外側の表面は、第１面Ｆａと称される。配線基板１における、第１面Ｆａと反対側の、ソルダーレジスト層２１０及び導体パッド２２ｐそれぞれの露出面によって構成される最も外側の表面は、第２面Ｆｂと称される。すなわち、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面Ｆａ、及び第１面Ｆａの反対面である第２面Ｆｂを有している。

配線基板１が有する各導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２は、任意の導体パターンを有するようにパターニングされている。図示の例では、第１ビルドアップ部１０における最も外側の導体層１２は、配線基板１の使用時において配線基板１に実装され得る部品が有する接続用の端子と電気的及び機械的に接続し得るパターンに形成されている導体パッド１２ｐを有している。

すなわち、第１面Ｆａを構成する導体パッド１２ｐは外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用され、配線基板１の第１面Ｆａは複数の部品が搭載され得る部品実装面であり得る。導体パッド１２ｐには、例えば、はんだなどの接合材（図示せず）を介して外部の部品の電極が電気的及び機械的に接続され得る。外部の部品として、例えばベアチップ半導体などの電子部品が部品実装面に実装され得る。

図１に示される例の配線基板１における、第１面Ｆａに対して反対側の面である第２面Ｆｂは、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、第２面Ｆｂは、第１面Ｆａと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。第２面Ｆｂを構成する導体パッド２２ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

コア基板１００の絶縁層１０１には、コア基板１００における一方の面Ｆ１を構成する導体層１０２と他方の面Ｆ２を構成する導体層１０２とを接続するスルーホール導体１０３が形成されている。絶縁層１１、１１１、２１のそれぞれには、絶縁層１１、１１１、２１それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体１３、２３が形成されている。図示の例では、スルーホール導体１０３は、一方の面Ｆ１及び他方の面Ｆ２の両側からコア基板１００の厚さにおける中央部分に向かって縮径するテーパー形状を有し、各ビア導体１３、２３は、配線基板の外側から内側に向かって縮径するテーパー形状を有している。スルーホール導体１０３は長さ方向（コア基板１００の厚さ方向）において径の大きさが略同一に形成されてもよく、あるいは、片方の面から他方の面に向って（例えば、一方の面Ｆ１から他方の面Ｆ２に向って）縮径するテーパー形状を有してもよい。

絶縁層１０１、１１、１１１、２１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。ソルダーレジスト層１１０、２１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２、ビア導体１３、２３、及びスルーホール導体１０３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２、ビア導体１３、２３、及びスルーホール導体１０３は、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔（例えば銅箔）、金属膜（例えば無電解銅めっき膜）、及びめっき膜（例えば電解銅めっき膜）を含む３層構造を有し得る。また、導体層１２、１２１、１２２、２２、ビア導体１３、２３、並びにスルーホール導体１０３は、例えば、金属膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２の表面には、導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２と、導体層１０２、１２、１２１、１２２、２２を被覆する絶縁層１１、１１１、２１との密着性を向上させ得る有機被膜（被覆層）が形成され得る。また、絶縁層１１、１１１、２１の上面は、その上に形成される導体層１２１、１２２、１２、２２との密着性を向上させるために粗化され得る。この、導体層の表面に形成される被覆層、及び、絶縁層の粗化され得る上面について、図２Ａの拡大図が参照されて詳述される。

図２Ａには、図１において一点鎖線で囲まれる、第１導体層１２１、第１樹脂絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む領域IIを拡大した拡大図が示されている。なお、図示される拡大図においては、導体層１２１、１２２が金属膜１２ａ及び電解めっき膜１２ｂの２層を含む例が示されている。図示の例では、第１導体層１２１が有する導体パターンの表面（上面及び側面）は、被覆層ＣＴで被覆されており、第１樹脂絶縁層１１１の上面に接して形成される第２導体層１２２の表面にも被覆層ＣＴが形成されている。

被覆層ＣＴは、例えば、樹脂絶縁層１１、１１１を構成する樹脂などの有機材料、及び、導体層１２１、１２２を構成する金属などの無機材料との両方と結合し得る材料によって形成される。被覆層ＣＴは、導体層１２１、１２２と、その上に形成されている絶縁層１１１、１１との密着性を向上させ得る。被覆層ＣＴに使用される材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング材が例示される。

例えば、導体層１２１、１２２によって高周波信号が伝送される場合、導体層１２１、１２２の表面の粗化により樹脂絶縁層１１１、１１との密着性の向上が図られると、表皮効果の影響により高周波信号の伝送特性が低下することがある。導体層１２１、１２２が粗化されずに、被覆層ＣＴにより導体層１２１、１２２と樹脂絶縁層１１１、１１との密着性の向上が図られることに因り、導体層１２１、１２２における高周波信号の伝送特性が向上する場合がある。

図示されるように、樹脂絶縁層１１、１１１の上面は、粗面化されている。詳しくは配線基板の製造方法に関して後述されるように、特に、第１樹脂絶縁層１１１の上面は、導体層１２２との密着性の観点から望ましい程度に粗化されている。例えば、第１樹脂絶縁層１１１の粗化される上面の表面粗さは、算術平均粗さで０．０３μｍ～１．０μｍ程度とされ得る。樹脂絶縁層１１１と第２導体層１２２の密着性が向上し剥離などの不良が発生する虞が低減され得る。なお、図２Ａにおいては、第１導体層１２１の下に配置されている絶縁層１１の上面も同様に粗化されている例が示されている。

また、特に、第１樹脂絶縁層１１１に形成される開口１３ａの内側は、第１導体層１２１における短絡の発生を抑制する観点から望ましい状態とされ得る。具体的には、図２Ａにおける領域Ｂの拡大図である図２Ｂに示されるように、第１樹脂絶縁層１１１に形成されている開口１３ａの底部の周縁（開口１３ａの内壁と第１導体層１２１との隅部）から第１導体層１２１の上面に沿って拡がる間隙ｓｐが生じる場合がある。この第１導体層１２１と第１樹脂絶縁層１１１との間隙ｓｐの寸法（底部の周縁からの深さ）ｅｘは比較的小さく抑制され得る。従って、開口１３ａ及び間隙ｓｐを充填するビア導体１３は、その底部における第１導体層１２１の上面に沿っての拡がりが比較的小さく抑制され得る。

開口１３ａの底部の周縁から拡がる間隙ｓｐが、第１導体層１２１の上面に沿って比較的大きい寸法を有する場合には、間隙ｓｐを充填する導体が、第１導体層１２１の隣接するパターンに近接し、導体パターン間での短絡が発生する虞が高まる場合がある。このような短絡を抑制する観点から、開口１３ａの底部における隙間ｓｐの寸法は比較的小さく抑制されていることが好ましく、１．０μｍ以下とされていることが好ましい。

詳しくは配線基板の製造方法について後述されるように、第１樹脂絶縁層１１１の上面の、第２導体層１２２との密着性の観点からの望ましい粗面と、開口１３ａの望ましい状態（例えば、残渣除去、及び、短絡抑制の観点から望ましい状態）とは、第１樹脂絶縁層１１１上面への粗面処理が開口１３ａの形成前に行われることで実現され得る。

次に、図３Ａ～図３Ｋを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明される。先ず、図３Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１０２を絶縁層１０１の両面に形成すると共に、スルーホール導体１０３を絶縁層１０１内に形成することによってコア基板１００が用意される。

次いで、図３Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に第１導体層１２１が積層される。コア基板１００の他方の面Ｆ２上には絶縁層２１が形成され、その絶縁層２１上に導体層２２が積層される。例えば各絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２１、２２は、絶縁層１１、２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１３ａ、２３ａを充填するビア導体１３、２３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。絶縁層１１、２１の上面には、絶縁層１１、２１と導体層１２１、２２との密着性を向上させ得る粗化処理が施され得る。導体層１２１、２２の表面には、導体層１２１、２２と導体層１２１、２２上に形成される絶縁層との密着性を向上させる被覆層ＣＴが形成され得る。

続いて、図３Ｃに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１及び他方の面Ｆ２の外側には、さらに絶縁層及び導体層の積層が繰り返される。コア基板１００の一方の面Ｆ１側においては、第１導体層１２１の上には第１樹脂絶縁層１１１が積層され、さらに第１樹脂絶縁層１１１の上に第２導体層１２２が形成される。コア基板１００の他方の面Ｆ２側においては、導体層２２の上に絶縁層２１が形成され、絶縁層２１の上にさらに導体層２２が形成される。

図３Ｃに示される、第１導体層１２１上への第１樹脂絶縁層１１１の形成、及び、第１樹脂絶縁層１１１上への第２導体層１２２の形成について、図３Ｄ～図３Ｊを参照して、さらに詳しく説明される。図３Ｄ～図３Ｊには、図３Ｃに示される、第１導体層１２１、第１樹脂絶縁層１１１、及び第２導体層１２２を含む領域Ｄに対応する部分の拡大図が示されている。

図３Ｂに示される状態に次いで、先ず、図３Ｄに示されるように、例えばフィルム状の絶縁性樹脂を第１導体層１２１及び第１導体層１２１の導体パターンから露出する絶縁層１１上に熱圧着することによって、第１樹脂絶縁層１１１が形成される。

次いで、図３Ｅに示されるように、第１樹脂絶縁１１１の上面に粗化処理が施され、粗面が形成される。例えば、過マンガン酸塩等の酸化剤を含む薬液を使用する湿式処理によって、第１樹脂絶縁層１１１の上面が粗化される。第１樹脂絶縁層１１１の上面の粗化の程度は、使用される薬液の濃度、処理時間、処理温度等によって調整され得る。第１樹脂絶縁層１１１と第１樹脂絶縁層１１１上に接して形成される導体層との密着性を良好なものとする観点から、第１樹脂絶縁層１１１の上面は、算術平均粗さＲａで０．０３μｍ～１．０μｍ程度とされることが好ましい。

次いで、図３Ｆに示されるように、第１樹脂絶縁層１１１の上面に保護層ＰＴが配置され得る。保護層ＰＴは、続く第１樹脂絶縁層１１１へのビア開孔の形成及びビア開孔内へのデスミア処理の工程において、第１樹脂絶縁層１１１の上面に形成されている粗面の粗さの変化などの望ましくない影響を避けるために設けられる。保護層ＰＴは、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）などの樹脂フィルムが第１樹脂絶縁層１１１の上面に貼付されることで設けられ得る。

次いで図３Ｇに示されるように、第１樹脂絶縁層１１１に開口１３ａが形成される。開口１３ａは、保護層ＰＴの上側から、第１樹脂絶縁層１１１の開口１３ａが形成されるべき位置に対してレーザー光が照射されることによって形成され得る。レーザー光としては、例えば、比較的優れた直進性を有し、形成される開口１３ａ内における樹脂残渣の発生量が比較的少なく抑制され得るエキシマレーザーが好ましく使用され得る。開口１３ａは炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーなどの照射によって形成されてもよい。レーザー光の照射により、第１導体層１２１の表面に形成されている被覆層ＣＴも一部除去され、開口１３ａの底部には第１導体層１２１を構成する導体（電解めっき膜１２ｂ）が露出する。

レーザー光による開口１３ａの形成後、第１樹脂絶縁層１１１の上面に保護層ＰＴが配置された状態で、開口１３ａ内に残留し得る樹脂残渣を除去するデスミア処理が施され得る。開口１３ａ内へのデスミア処理としては、好ましくは乾式の処理が実施され、例えば、ＣＦ₄又はＣＦ₄＋Ｏ₂によるプラズマ処理、又はコロナ放電による処理などが施され得る。

デスミア処理が実施される間は、第１樹脂絶縁層１１１の上面は保護層ＰＴで被覆されている。従って、第１樹脂絶縁層１１１の上面へのデスミア処理による影響は阻止されており、第１樹脂絶縁層１１１の上面においては図３Ｅに示される粗度が維持され得る。従って、第１樹脂絶縁層１１１の上面への影響を危惧せずに、例えば乾式で実施される開口１３ａ内へのデスミア処理の処理時間などの条件が決定され得る。よって、デスミア処理は、開口１３ａ内から樹脂残渣を良好に除去し得る条件で実施され得る。

なお、図３Ｇにおける領域Ｈの拡大図である図３Ｈに示されるように、開口１３ａの内面へのデスミア処理によって、開口１３ａの底部の周縁において第１導体層１２１の上面と第１樹脂絶縁層１１１との間隙ｓｐが生じる場合がある。間隙ｓｐはその寸法として、開口１３ａの底部における周縁から間隙ｓｐの開口１３ａから離れた方向における先端までの長さｅｘを有する場合がある。

レーザー光による開口１３ａの形成、及び、開口１３ａの内面へのデスミア処理に続いて、開口１３ａ内面には超音波洗浄が施され得る。開口１３ａの形成において、例えば、レーザー光による第１樹脂絶縁層１１１を構成する樹脂材料のアブレーションにより、樹脂に含まれ得るフィラーが開口内に脱落して残留する場合がある。このような、開口１３ａ内に残留し得るフィラーなどの残留物が超音波洗浄によって除去され得る。

なお、開口１３ａの形成において、開口１３ａ内への残渣の残留が比較的抑制され得るエキシマレーザーなどが使用される場合には、開口１３ａの形成後にデスミア処理が行われず超音波洗浄が実施される場合もあり得る。

なお、上述の第１樹脂絶縁層１１１への開口１３ａの形成、開口１３ａの内面へのデスミア処理、及び超音波洗浄は、上述の第１樹脂絶縁層１１１の上面には保護層ＰＴが設けられず、第１樹脂絶縁層１１１の上面が露出した状態で行われる場合もあり得る。特に、デスミア処理が乾式で行われる場合には、デスミア処理による第１樹脂絶縁層１１１の上面への影響も比較的小さく、保護層ＰＴが設けられない場合においても、第１樹脂絶縁層１１１の上面は、望ましい状態の粗面に維持される場合がある。

開口１３ａの内面に対する超音波洗浄処理が完了した後、図３Ｉに示されるように、保護層ＰＴが第１樹脂絶縁層１１１上から除去され、第１樹脂絶縁層１１１の上面及び開口１３ａの内面の全体に金属膜１２ａが形成される。金属膜１２ａは、無電解めっきやスパッタリングによって、保護層ＰＴの除去により露出する第１樹脂絶縁層１１１の粗化された上面、並びに、開口１３ａの内壁面及び底面の全域に形成される。第１樹脂絶縁層１１１の上面は粗化されているので、第１樹脂絶縁層１１１の上面に対して良好な密着性を有する金属膜１２ａが形成され得る。

金属膜１２ａは開口１３ａの底部の周縁に生じ得る間隙ｓｐをも充填し得る。間隙ｓｐの寸法ｅｘ（図３Ｈ参照）が比較的大きいと、間隙ｓｐを充填する金属膜１２ａが第１導体層１２１の隣接する配線に近接し短絡する虞が高まる場合があり得る。従って、間隙ｓｐの平面方向における寸法ｅｘは比較的小さいことが好ましい。寸法ｅｘは１．０μｍ以下であることが好ましく、開口１３ａの底部の周縁のこのような好ましい状態は、上述の、例えば乾式によるデスミア処理が、適切な条件で実施されることで実現され得る。

次いで、図３Ｊに示されるように、第２導体層１２２が形成される。金属膜１２ａの上に、形成されるべき第２導体層１２２の導体パターンに応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が形成され、その開口内に金属膜１２ａをシード層として用いる電解めっきによって、電解めっき膜１２ｂが形成される。この電解めっきによって、開口１３ａも電解めっき膜１２ｂで充填され、ビア導体１３が形成される。なお、先述された金属膜１２ａの形成において、開口１３ａの底部の周縁の間隙ｓｐに未充填部があった場合、電解めっき膜１２ｂにより未充填部を充填し得る。その後、めっきレジストが除去され、それにより露出する金属膜１２ａが除去される。図示されるように、ビア導体１３と第２導体層１２２とが一体的に形成される。

次いで、第２導体層１２２の上面及び側面には被覆層ＣＴが形成され得る。例えば感光性の材料の露光及び現像によって、被覆層ＣＴが形成されるべき領域を除いた領域を覆うレジスト膜（図示せず）が形成され、レジスト膜に覆われていない部分を被覆する被覆層ＣＴが形成される。被覆層ＣＴは、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への浸漬やスプレーイングによって形成され得る。次いで、レジスト膜が除去され、表面が被覆層ＣＴに覆われた第２導体層１２２の形成が完了する。なお、先述された第１導体層１２１の形成においても同様の工程で被覆層ＣＴが形成され得る。以上、第１導体層１２１および第２導体層１２２において被覆層ＣＴが形成される例が説明されたが、本実施形態の配線基板の製造方法は、被覆層ＣＴの形成を含まなくてもよい。第１及び第２導体層１２１、１２２の表面には被覆層ＣＴが形成されず、第１及び第２導体層１２１、１２２の電解めっき膜１２ｂがその上の絶縁層と接する構成とされてもよい。

本実施形態の配線基板の製造方法では、第１樹脂絶縁層１１１の上面は、第２導体層１２２との密着の観点から良好な程度の表面粗さを有する粗面に形成され、第２導体層１２２と第１樹脂絶縁層１１１とが比較的高い密着性を有するように形成され得る。一方、第１樹脂絶縁層１１１に形成される開口１３ａの内面には、残渣除去の観点から望ましい条件のデスミア処理が施され得る。また、第１樹脂絶縁層１１１に形成される開口１３ａの底部の周縁に生じる間隙ｓｐの寸法ｅｘ（図３Ｈ参照）は比較的小さく抑制されており、第１導体層１２１が短絡する虞は低減されている。

換言すれば、本実施形態の配線基板の製造方法によれば、第１樹脂絶縁層１１１の上面への粗化処理が開口１３ａの形成前に実施されることで、第１樹脂絶縁層１１１と第２導体層１２２との良好な密着が実現されると同時に、開口１３ａの内面は残渣除去の観点から良好な状態とされ得る。加えて、第１導体層１２１の短絡の抑制も実現され得る。開口１３ａの形成後に第１樹脂絶縁層１１１の上面の粗化と開口１３ａ内面へのデスミア処理が同時に実施される場合では、上面の粗化の程度と開口１３ａの内面へのデスミア処理の程度が望ましいものとはされ難く、間隙ｓｐが比較的大きく生じる場合がある。これと比較すると、本実施形態では、第１樹脂絶縁層１１１上への粗化は、開口１３ａの内面への好ましくない影響を与えることなく密着性の観点から望ましい条件で実施され得る。一方、開口１３ａの内面への処理は、必要に応じて、残渣除去及び短絡抑制の観点から望ましい条件で実施され得る。

続いて、図３Ｋに示されるように、コア基板１００の両側において、さらに絶縁層１１、２１及び導体層１２、２２の積層が繰り返される。上述した第１樹脂絶縁層１１１及び第２導体層１２２の形成と同様の方法により、絶縁層１１、２１、及び導体層１２、２２が形成され得る。

次いで、図３Ｌに示されるように、第１ビルドアップ部１０の最外の導体層１２の上面を被覆するソルダーレジスト層１１０が形成される。併せて、第２ビルドアップ部２０の最外の導体層２２の上面を被覆するソルダーレジスト層２１０が形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が導体層１２、２２上に形成される。露光及び現像により、ソルダーレジスト層１１０、２１０には開口１１０ａ、２１０ａが形成される。ソルダーレジスト層１１０の開口１１０ａには導体パッド１２ｐが露出し、ソルダーレジスト層２１０の開口２１０ａからは導体パッド２２ｐが露出する。導体パッド１２ｐ、２２ｐ上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。以上の工程を経る事によって図１に示される配線基板１が完成する。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。本実施形態の製造方法では、少なくとも、第１導体層１２１、第１樹脂絶縁層１１１、及び第２導体層１２２、が形成され、その形成工程において、第１樹脂絶縁層１１１への開口１３ａの形成前に第１樹脂絶縁層１１１上面への粗化処理が行われればよい。従って、実施形態の製造方法によって製造される配線基板は、コア基板１００の両面に第１及び第２ビルドアップ部１０、２０が形成される態様に限定されず、コア基板１００の形成、及び、第２ビルドアップ部２０の形成は省略されてよい。例えば、第１及び第２導体層１２１、１２２、並びに、配線基板１を構成する他の導体層１０２、１２、２２を形成する方法においては、被覆層ＣＴの形成が省略されてよい。また、被覆層ＣＴが形成される領域は、導体パターンの上面及び側面に限定されず、絶縁層の上面にも形成され得る。

実施形態の配線基板の製造方法においては、先に説明された製造方法の条件や順序などは、第１樹脂絶縁層１１１への粗化処理と開口１３ａの形成の順序を除いて、適宜変更され得る。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてよい。

１ 配線基板
１１１ 第１樹脂絶縁層
１２１ 第１導体層
１２２ 第２導体層
１１、２１ 絶縁層
１２、２２ 導体層
１２ｐ、２２ｐ 導体パッド
１１０、２１０ ソルダーレジスト層
１３ａ 開口
１３ ビア導体
ＣＴ 被覆層
ＰＴ 保護層
ｓｐ 間隙

Claims (8)

1. 第１導体層、及び、前記第１導体層を被覆する第１樹脂絶縁層を形成することと、
   前記第１樹脂絶縁層を貫通して前記第１導体層を露出させる開口を形成することと、
   前記開口にビア導体を形成すると共に、前記第１樹脂絶縁層の上面に接する第２導体層を形成することと、
   を含む配線基板の製造方法であって、
   前記開口を形成することの前に、前記第１樹脂絶縁層の前記上面に粗化処理が行われる。
2. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記ビア導体及び前記第２導体層が形成される前に、前記開口の内面にデスミア処理が行われる。
3. 請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記粗化処理は湿式で実施され、前記デスミア処理は乾式で実施される。
4. 請求項２記載の配線基板の製造方法であって、前記デスミア処理は、前記第１樹脂絶縁層の前記上面が保護層で被覆された状態で行われる。
5. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記開口はエキシマレーザーの照射によって形成される。
6. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記ビア導体及び前記第２導体層が形成される前に、前記開口の内面に超音波洗浄が行われる。
7. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記第１導体層の表面には有機被膜により構成される被覆層が形成される。
8. 請求項１記載の配線基板の製造方法であって、前記粗化処理によって前記第１樹脂絶縁層の前記上面は、算術平均粗さで０．０３μｍ以上、且つ、１．０μｍ以下に形成される。

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