JP2022131743A - 部品内蔵配線基板、及び、部品内蔵配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】部品内蔵配線基板の製造方法の品質向上。【解決手段】実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法は、積層体１０を準備することと、積層体１０上に第１樹脂絶縁層１０１及び第１導体層１１１を形成することと、第１導体層１１１上に第２樹脂絶縁層１０２を形成することと、第２樹脂絶縁層１０２及び第１樹脂絶縁層１０１を貫通し底部に積層体１０の一部を露出する凹部ＲＣを形成することと、凹部ＲＣ内に電子部品ＥＣを搭載することと、第３樹脂絶縁層１０３を形成し、電子部品ＥＣを凹部ＲＣ内に封止することと、を含んでいる。第２樹脂絶縁層１０２は第１導体層１１１の上面と第２樹脂絶縁層１０２の上面との最短距離が１０μｍ以上且つ２０μｍ以下となるように形成され、第３樹脂絶縁層１０３は第３樹脂絶縁層１０３の厚さと前記最短距離との和の０．３５倍以上且つ０．４５倍以下の厚さを有するように形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、部品内蔵配線基板及び部品内蔵配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、電子部品内蔵基板、及び、電子部品内蔵基板の製造方法が開示されている。開示されている電子部品内蔵基板の製造方法では、第２樹脂絶縁層上に形成される第２導体配線層を被覆する第３樹脂絶縁層を形成し、レーザー光によって第３及び第２樹脂絶縁層を貫通し、内部に電子部品を収容するキャビティを形成することが開示されている。キャビティ内に収容される電子部品は、キャビティ内及び第３樹脂絶縁層上に延在する第４樹脂絶縁層で埋設され、第４樹脂絶縁層上には第３導体配線層が形成される。第２導体配線層と第３導体配線層との間に介在する樹脂絶縁層は２層の樹脂絶縁層（第３樹脂絶縁層及び第４樹脂絶縁層）によって構成される。

特開２０１５－１０６６１０号公報

特許文献１に開示されている電子部品内蔵基板では、第２導体配線層と第３導体配線層との間に、第３樹脂絶縁層と第４樹脂絶縁層とからなる２層構造の樹脂絶縁層が介在している。第２導体配線層と第３導体配線層との間の距離、すなわち第３樹脂絶縁層と第４樹脂絶縁層とからなる２層構造の樹脂絶縁層の厚さに制限がある場合には、第３樹脂絶縁層は比較的薄く形成される必要があると考えられる。第３樹脂絶縁層を第２導体配線層上に積層する際に、第２導体配線層が第３樹脂絶縁層から突出する虞があると考えられる。

本発明の部品内蔵配線基板の製造方法は、絶縁層及び導体層が交互に積層されてなる積層体を準備することと、前記積層体上に第１樹脂絶縁層を形成し、前記第１樹脂絶縁層上に第１導体層を形成することと、前記第１導体層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通し底部に前記積層体の一部を露出する凹部を形成することと、前記凹部内に電子部品を搭載することと、前記凹部内及び前記第２樹脂絶縁層上に第３樹脂絶縁層を形成し、前記電子部品を前記凹部内に封止することと、を含んでいる。前記第２樹脂絶縁層を形成することは、前記第１導体層の上面と前記第２樹脂絶縁層の上面との最短距離が１０μｍ以上、且つ、２０μｍ以下となるように前記第２樹脂絶縁層を形成することを含み、前記第３樹脂絶縁層を形成することは、前記第３樹脂絶縁層の厚さと前記最短距離との和の０．３５倍以上、且つ、０．４５倍以下の厚さを有するように、前記第３樹脂絶縁層を形成することを含んでいる。

本発明の部品内蔵配線基板は、絶縁層及び導体層が交互に積層されてなる積層体と、前記積層体上に形成されている第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通し底部に前記積層体の一部を露出する凹部と、前記凹部内に収容される電子部品と、前記凹部内を充填することで前記電子部品を前記凹部内に封止すると共に、前記第２樹脂絶縁層上に形成される第３樹脂絶縁層と、前記第３樹脂絶縁層上に形成される第２導体層と、を含んでいる。前記第１導体層の上面と前記第２樹脂絶縁層の上面との距離が最も小さい部分において、前記第２樹脂絶縁層の厚さは１０μｍ以上、且つ、２０μｍ以下であり、前記第２樹脂絶縁層の厚さは、前記第３樹脂絶縁層の厚さと前記第２樹脂絶縁層の厚さとの和の０．５５倍以上、且つ、０．６５倍以下である。

本発明の実施形態によれば、第２樹脂絶縁層と第３樹脂絶縁層との界面における、異物の残留や層間剥離などの不良の発生が抑制され得る部品内蔵配線基板、及び、部品内蔵配線基板の製造方法が提供される。

本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の一例を示す断面図。 図１の部品内蔵配線基板の部分拡大図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の部品内蔵配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の部品内蔵配線基板の一例である部品内蔵配線基板１００を示す断面図である。図２には、図１における一点鎖線で囲まれた領域IIの拡大図が示されている。

図１に示される例の、部品内蔵配線基板１００はコア基板１を有している。コア基板１は、絶縁層３を有しており、その厚さ方向において対向する一方の面及び他方の面の上には、導体層２が形成されている。なお、コア基板１を構成する絶縁層３はコア絶縁層３とも称され、コア基板１を構成する導体層２はコア導体層２とも称される。

コア基板１の厚さ方向における一方の面及び他方の面の上には、絶縁層１１及び導体層１２が交互に積層されている。図示の例では、コア基板１の一方の面及び他方の面の上に、それぞれ４層の絶縁層１１及び導体層１２が積層され、コア基板１と共に積層体１０を構成している。積層体１０は、その最外の表面として、導体層１２及び導体層１２から露出する絶縁層１１によって構成される第１面１０Ａと、第１面１０Ａと厚さ方向における反対側の第２面１０Ｂとを有している。

なお、本明細書における各実施形態の説明では、部品内蔵配線基板１００の厚さ方向においてコア基板１から遠い側は「上側」、「外側」、もしくは「上方」、又は単に「上」、「外」とも称され、コア基板１に近い側は「下側」、「内側」もしくは「下方」、又は単に「下」、「内」とも称される。さらに、配線基板１００の各構成要素において、コア基板１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１側を向く表面は「下面」とも称される。

積層体１０の第１面１０Ａ上、及び、第２面１０Ｂ上には、それぞれ３層の樹脂絶縁層１０１、１０２、１０３、及び２層の導体層１１１、１１２が形成されている。第１面１０Ａの上に形成される樹脂絶縁層１０１、１０２には、その厚さ方向を貫通して、第１面１０Ａに達する貫通孔ＲＴが形成され、貫通孔ＲＴ内に露出する第１面１０Ａには電子部品ＥＣが載置されている。具体的には、図示の例では、貫通孔ＲＴ内には、導体層１２が有する導体パッド１２Ｐが露出し、この導体パッド１２Ｐ上に電子部品ＥＣが接続部材ＢＥを介して載置されている。貫通孔ＲＴ内には樹脂絶縁層１０３を構成する樹脂が充填され、電子部品ＥＣは貫通孔ＲＴ内に封止されている。

図示される例の部品内蔵配線基板１００は、樹脂絶縁層１０３及び導体層１１２を覆うソルダーレジスト層ＳＲを含んでおり、ソルダーレジスト層ＳＲに形成される開口からは、部品内蔵配線基板１００の最も外側の導体層１１２が露出する。なお、積層体１０上に接して形成される樹脂絶縁層１０１は第１樹脂絶縁層１０１とも称され、樹脂絶縁層１０２は第２樹脂絶縁層１０２とも称され、樹脂絶縁層１０３は第３樹脂絶縁層１０３とも称される。導体層１１１は第１導体層１１１とも称され、導体層１１２は第２導体層１１２とも称される。樹脂絶縁層１０１、１０２、１０３、導体層１１１、１１２はソルダーレジスト層ＳＲと共に、部品内蔵配線基板１００の表層部を構成する。また、本明細書の説明においては、部品内蔵配線基板１００は単に配線基板１００とも称され、絶縁層１０１、１０２によって構成されている貫通孔ＲＴの内壁及び第１面１０Ａで構成されている電子部品ＥＣが収容される部分は、凹部ＲＣと称される。

コア絶縁層３は、コア絶縁層３の厚さ方向を貫通し、コア絶縁層３の両面に形成されているコア導体層２同士を接続するスルーホール導体４を含んでいる。積層体１０は、各絶縁層１１を貫通し、絶縁層１１を介して隣接する導体層（導体層１２同士、又は、導体層１２と導体層２）を接続するビア導体１３を含んでいる。そして配線基板１００の表層部も、第１樹脂絶縁層１０１を貫通し第１導体層１１１と積層体１０の第１面１０Ａを構成する導体層１２とを接続するビア導体１１３、及び、第２樹脂絶縁層１０２及び第３樹脂絶縁層１０３を貫通し第２導体層１１２と第１導体層１１１とを接続するビア導体１２３を有している。電子部品ＥＣの上面に形成されている電極パッドｅｐは、第３樹脂絶縁層１０３の一部を貫通するビア導体１２３ｅを介して第２導体層１１２と接続されている。

絶縁層３、１１、１０１、１０２、１０３は、任意の絶縁性樹脂によって形成され得る。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３は、ガラス繊維やアラミド繊維で形成される芯材（補強材）を含んでおり、絶縁層１１、１０１、１０２、１０３は芯材を有していない。しかしながら、任意の絶縁層１１、１０１、１０２、１０３がガラス繊維などからなる芯材を含む場合がある。絶縁層３、１１、１０１、１０２、１０３は、さらに、無機フィラーを含み得る。各樹脂絶縁層に含まれる無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどからなる微粒子が例示される。

導体層２、１２、１１１、１１２、スルーホール導体４、及びビア導体１３、１１３、１２３、１２３ｅは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、コア導体層２は、金属箔２１、金属膜２２、及びめっき膜２３を含む３層構造を有している。スルーホール導体４は、金属膜２２及びめっき膜２３によって構成され、コア導体層２と一体的に形成されている。また、導体層１２、１１１、１１２及びビア導体１３、１１３、１２３、１２３ｅは、金属膜２２及びめっき膜２３を含む２層構造を有している。金属箔２１としては、銅箔又はニッケル箔が例示される。めっき膜２３は、例えば電解銅めっき膜である。金属膜２２は、例えば無電解銅めっき膜であり、めっき膜２３を電解めっきで形成する際の給電層として機能する。

各導体層２、１２、１１１、１１２は、任意の導体パターンを有するように形成され得る。図示の例では、積層体１０の第１面１０Ａを構成する導体層１２は、凹部ＲＣの底面に対応する導体パッド１２ｐを有するように形成される。配線基板１００の表層部における最も外側の導体層（第２導体層）１１２は、例えば外部の回路と接続され得る導体パッド１１２ｐを有するように形成される。コア基板１に関して凹部ＲＣが形成される側の表層部における第２導体層１１２には、凹部ＲＣ内に搭載されている電子部品ＥＣの電極パッドｅｐとビア導体１２３ｅを介して接続される導体パッド１１２ｐｅが形成されている。ソルダーレジスト層ＳＲは、接続パッド１１２ｐを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層ＳＲの開口から露出する導体パッド１１２ｐ、１１２ｐｅは、例えば、はんだなどの接続部材を介して外部回路との接続に用いられる。

配線基板１００を構成する導体層２、１２、１１１、１１２のそれぞれは、同一の層内で、厚さにおいて設計値からの偏差を有する場合がある。すなわち、同一の導体層内で厚さがバラつく場合がある。具体的には、設計値に対して±２０％程度の偏差が生じる場合がある。各導体層２、１２、１１１上に接して形成される絶縁層１１、１０１、１０２は、各導体層２、１２、１１１の最大の厚さを有する部分が絶縁層１１、１０１、１０２を貫通しない程度の厚さを有するように形成される。すなわち、各導体層２、１２、１１１上に接して形成される絶縁層１１、１０１、１０２は、少なくとも、導体層２、１２、１１１の最大厚さよりも大きい厚さを有するように形成される。特に、本実施形態の部品内蔵配線基板においては、第１導体層１１１上に接して形成される第２樹脂絶縁層１０２は、第１導体層１１１の最大厚さより１０μｍ以上大きい厚さを有する。

電子部品ＥＣは、凹部ＲＣ内に収容され、接続部材ＢＥを用いて導体パッド（部品実装パッド）１２ｐに接合されている。電子部品ＥＣは、電子部品ＥＣと外部回路との接続に用いられ得る電極パッドｅｐを含んでいる。電子部品ＥＣとしては、半導体装置などの能動部品や、抵抗体のような受動部品が例示される。電子部品ＥＣは、半導体基板上に形成された微細配線を含む配線材であってもよい。接続部材ＢＥには、任意の材料が用いられ得る。接続部材ＢＥとしては、はんだ、銀などの任意の導電性粒子を含む導電性接着剤、並びに、単にエポキシ樹脂などで構成される絶縁性接着剤などが例示される。

導体パッド１２ｐは、電子部品ＥＣを安定して配線基板１００に搭載するための実装パッドとして機能する。また、部品実装パッド１２ｐは、電子部品ＥＣの裏面（部品実装パッド１２ｐに対向する面）を所定の電位に設定するための電極としても機能し得る。図示される例の部品実装パッド１２ｐは、第１面１０Ａの所定の範囲に亘って連続的に延在する所謂ベタパターンである。

続いて、図１において一点鎖線で囲われる領域IIの拡大図である図２を参照して、部品内蔵配線基板１００の表層部における層構造が詳述される。配線基板１００の積層体１０の上側の表層部における第１樹脂絶縁層１０１及び第２樹脂絶縁層１０２には凹部ＲＣを構成する貫通孔ＲＴが形成される。貫通孔ＲＴは、凹部ＲＣの形成箇所に対応した位置に、例えば炭酸ガスレーザー、又はＹＡＧレーザーなどのレーザー光を第２樹脂絶縁層１０２の上側から照射することで形成され得る。第２樹脂絶縁層１０２は、貫通孔ＲＴの穿孔後の前述の導体パッド１２ｐの表面のソフトエッチング処理において、エッチング液から第１導体層１１１を保護する保護層として機能し得る。貫通孔ＲＴの穿孔の後に第２樹脂絶縁層１０２上に積層される第３樹脂絶縁層１０３は、第２樹脂絶縁層１０２と共に、第１導体層１１１と第２導体層１１２との間の層間絶縁層を構成する。

先述したように、第１導体層１１１は、その層内で導体の厚さにバラつきを有し得る。従って、レーザー光から第１導体層１１１を保護する観点から、第２樹脂絶縁層１０２は、第１導体層１１１の最も厚い部分において第１導体層１１１が第２樹脂絶縁層１０２の上面から突出しない程度の厚さに形成される。具体的には、第１導体層１１１の最も厚い部分、すなわち、第２樹脂絶縁層１０２の上面と第１導体層１１１の上面との距離が最も小さい部分において、その距離（すなわち第２樹脂絶縁層１０２の厚さ）ｔは、１０μｍ以上とされる。また、距離ｔは、第１導体層１１１と第２導体層１１２との間の層間絶縁層の厚さの粗大化を抑制する観点から、２０μｍ以下とされる。

上述の第２樹脂絶縁層の厚さに関する構成によって、詳しくは配線基板１００の製造方法の説明において後述されるように、第２樹脂絶縁層１０２と第３樹脂絶縁層１０３との密着性が向上することがある。加えて、第１導体層１１１の最も厚い部分（すなわち距離ｔが最も地裁部分）における、第３樹脂絶縁層１０３の厚さは、第１導体層１１１と第２導体層１１２との距離（すなわち、第３樹脂絶縁層１０３の厚さと第２樹脂絶縁層１０２の厚さの和）Ｔの０．３５倍以上である。この構成により、第１導体層１１１と第２導体層１１２との極端な近接が抑制され短絡などの不良の発生が抑制され得る。また、第１導体層１１１の最も厚い部分における、第３樹脂絶縁層１０３の厚さは、第１導体層１１１と第２導体層１１２との間の層間絶縁層の厚さの粗大化を抑制する観点から、距離Ｔの０．４５倍以下とされる。すなわち、距離ｔは距離Ｔの０．６５倍以下、且つ、０．５５倍以上とされる。一例として、第３樹脂絶縁層が略１０μｍに形成され、第１導体層１１１の最も厚い部分における第２樹脂絶縁層１０２の厚さｔが略１５μｍとなるように形成され得る。

配線基板１００の表層部を構成する樹脂絶縁層１０１、１０２、１０３は、積層体１０を構成する絶縁層１１と同様の材料を用いて形成され得るが、第２樹脂絶縁層１０２のフィラー含有率は、他の絶縁層１１、１０１、１０３のフィラー含有率よりも低くされる場合がある。具体的には、第２樹脂絶縁層１０２は、７５ｗｔ％以下のフィラー含有率を有し得る。

次に、一実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法が、図１の部品内蔵配線基板１００を例に用いて図３Ａ～図３Ｇを参照して説明される。

先ず、図３Ａに示されるように、例えば、コア基板１の樹脂絶縁層３となる樹脂絶縁層と、この樹脂絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔２１を含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板１の導体層２及びスルーホール導体４が形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によってスルーホール導体４の形成位置に貫通孔４ｔが穿孔され、貫通孔４ｔ内及び金属箔２１上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜２２が形成される。そしてこの金属膜２２を給電層として用いる電解めっきによってめっき膜２３が形成される。その結果、３層構造の導体層２、及び、２層構造のスルーホール導体４が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１が得られる。

次いで、図３Ｂに示されるように、コア基板１の厚さ方向において対向する一方の面及び他方の面上に、絶縁層１１及び導体層１２が交互に形成され、積層体１０が形成される。図示の例では、コア基板１の厚さ方向における一方及び他方の面にそれぞれ４層の絶縁層１１及び４層の導体層１２が形成される。

絶縁層１１の形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板１の上、又は先に形成された絶縁層１１及び導体層１２の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、各絶縁層１１が形成される。各絶縁層１１には、ビア導体１３を形成するための貫通孔が、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。各導体層１２は、それぞれ、例えばセミアディティブ法によって形成される。すなわち、各導体層１２の下地となる絶縁層１１上の全面及びその絶縁層１１に穿孔された貫通孔内に無電解めっきやスパッタリングによって金属膜が形成される。その金属膜を給電層として用いる電解めっきを含むパターンめっきによってめっき膜が形成される。各絶縁層１１に穿孔された貫通孔内にはビア導体１３が形成される。その後、金属膜の不要部分が例えばエッチングなどで除去される。その結果、所定の導体パターンを含む２層構造の各導体層１２が形成される。各導体層１２は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。積層体１０の第１面１０Ａを構成する導体層１２は、所定の領域に亘って広がる導体パッド１２ｐを含むように形成される。

次いで図３Ｃに示されるように、積層体１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂにおいて導体層１２上に第１樹脂絶縁層１０１及び第１導体層１１１が形成される。第１導体層１１１及び第１導体層１１１のパターンから露出する第１樹脂絶縁層１０１上には第２樹脂絶縁層１０２が形成される。

第２樹脂絶縁層１０２の形成においては、図示されるように、第２樹脂絶縁層１０２となるフィルム状の樹脂絶縁層（樹脂フィルム）が、その片面にカバーフィルムＣＦが貼着された状態で、第１導体層１１１及び第１導体層１１１のパターンから露出する第１樹脂絶縁層１０１の上に積層される。片面にカバーフィルムＣＦが貼着された樹脂絶縁層１０２は、例えば、その一方にカバーフィルムが貼着され、他方にベースフィルムが貼着された樹脂絶縁層で構成される、３層構造の樹脂フィルムのベースフィルムを剥離したものである。カバーフィルムＣＦは、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）を主成分としており、離型剤（図示せず）を介して樹脂絶縁層１０２に貼着されている。

配線基板１００の説明において上述したように、配線基板１００を構成する導体層はその厚さにおいて、設計値からの偏差を有し得る。第１導体層１１１においても、第１導体層１１１内で導体厚さが比較的厚い部分が存在し得る。従って、第２樹脂絶縁層１０２の積層において、第２樹脂絶縁層１０２の厚さが比較的薄いと、第１導体層１１１の比較的厚い部分が第２樹脂絶縁層１０２の上面から上側に突出し、カバーフィルムＣＦと接触する場合がある。また、第１導体層１１１とカバーフィルムＣＦとが接触せずとも、導体層１１１の厚さの偏差に追従して第２樹脂絶縁層１０２が隆起して、カバーフィルムＣＦと第２樹脂絶縁層１０２との間に介在する離型剤を押し除け、第２樹脂絶縁層１０２の隆起部がカバーフィルムＣＦと接触する場合もある。その結果、続くカバーフィルムＣＦの剥離の工程において、カバーフィルムＣＦの一部が第２樹脂絶縁層１０２の上面に残留する場合がある。

第２樹脂絶縁層１０２上にカバーフィルムＣＦが異物として残留すると、第２樹脂絶縁層１０２と第２樹脂絶縁層１０２上に積層される構成要素との剥離が生じ得る。従って、本実施形態の製造方法では、導体層１１１の最も導体厚さが大きい部分における、第１導体層１１１の上面と第２樹脂絶縁層１０２の上面との距離（すなわち第２樹脂絶縁層１０２の厚さ）が１０μｍ以上となるように第２樹脂絶縁層１０２が形成される。これにより、第２樹脂絶縁層１０２の形成においてカバーフィルムＣＦが異物として残留する虞が低減され、続く第２樹脂絶縁層１０２上側の構成要素の形成における層間剥離などの不良の発生が抑制され得る。また、導体層１１１の最も導体厚さが大きい部分における第２樹脂絶縁層１０２の厚さは、配線基板１００の厚さ方向における粗大化を避けるために２０μｍ以下とされている。

第１導体層１１１上に積層される第２樹脂絶縁層１０２は、そのフィラー含有率において比較的低いことが好ましく、第１導体層１１１下側の第１樹脂絶縁層１０１のフィラー含有率よりも低いことが好ましい。第２樹脂絶縁層１０２を構成する材料のうち、エポキシなどの樹脂とフィラーとでは、一般的に、エポキシなどの樹脂の方が無機フィラーよりも高い流動性を有している。フィラー含有率が低いことで、第１導体層１１１上への積層工程における第２樹脂絶縁層１０２の流動性が向上し、上述した、導体層１１１の形状に追従した第２樹脂絶縁層１０２の隆起が抑制される場合がある。具体的には、第２樹脂絶縁層１０２のフィラー含有率は７５ｗｔ％以下とされることが好ましい。

次いで、図３Ｄに示されるように、カバーフィルムＣＦが樹脂絶縁層１０２から除去される。

次いで、図３Ｅに示されるように、積層体１０の第１面１０Ａ側の表層部において、第２樹脂絶縁層１０２及び第１樹脂絶縁層１０１を貫通して、積層体１０の一部を露出させる貫通孔ＲＴ（凹部ＲＣ）が形成される。凹部ＲＣは、例えば、第２樹脂絶縁層１０２の上側から凹部ＲＣの形成領域全体に渡ってレーザー光をピッチ送りしながら照射することによって形成され得る。レーザー光としては、炭酸ガスレーザー光が例示される。図示の例では、第１面１０Ａを構成する導体層１２が含む部品実装パッド１２ｐは、平面視で、凹部ＲＣの底面全体を含む領域に形成されている。従って、部品実装パッド１２ｐは、凹部ＲＣの形成時のレーザー光のストッパとして機能し得る。

凹部ＲＣを形成する方法は、レーザー光の照射に限定されず、例えば、ドリル加工によって凹部ＲＣが形成されてもよい。また、凹部ＲＣの底面となるべき導体層１２（導体パッド１２ｐ）への剥離膜（図示せず）の配置、及びこの剥離膜上に積層された樹脂絶縁層及び導体層の除去などによって凹部ＲＣが形成される場合がある。凹部ＲＣの形成後、凹部ＲＣ内に残存する樹脂残渣（スミア）が、例えば、過マンガン酸塩などを含む薬液を用いた処理によって除去（デスミア処理）され得る。デスミア処理に続いて、導体パッド１２ｐの表面は、エッチング液を使用するソフトエッチング処理により所望の表面粗さに粗化され得る。第１導体層１１１は第２樹脂絶縁層１０２で被覆されており、従って、貫通孔ＲＴの穿孔後の導体パッド１２ｐの表面のソフトエッチング処理において、導体層１１１の導体パターンはエッチング液から保護され得る。

続いて、図３Ｆに示されるように、凹部ＲＣ内に露出する導体パッド１２ｐに電子部品ＥＣが載置される。例えば、導電性もしくは絶縁性のペーストが、マウンタやディスペンサを用いて接続部材ＢＥとして部品実装パッド１２ｐ上に供給され、さらに、電子部品ＥＣがダイボンダなどによって載置される。電子部品ＥＣは、例えば、半導体装置などの能動部品、抵抗体のような受動部品、又は、微細配線を含む配線材などである。電子部品ＥＣは接続部材ＢＥが硬化することで部品実装パッド１２ｐに接合される。

続いて、凹部ＲＣ内に載置された電子部品ＥＣ及び第２樹脂絶縁層１０２を覆う第３樹脂絶縁層１０３が形成され、第３樹脂絶縁層１０３の材料で凹部ＲＣが充填される。第３樹脂絶縁層１０３の形成時に、第３樹脂絶縁層１０３を構成すべく積層される、例えばフィルム状のエポキシ樹脂などが、加圧によって凹部ＲＣ内に流入する。凹部ＲＣ内が、第３樹脂絶縁層１０３を構成する材料（例えばエポキシ樹脂）で充填され、電子部品ＥＣが、樹脂絶縁層１０３を構成する材料で凹部ＲＣ内に封止される。積層体１０に関して凹部ＲＣと反対側の、すなわち第２面１０Ｂ側の絶縁層１０２上にも樹脂絶縁層１０３が形成される。

第３樹脂絶縁層１０３は、第１導体層１１１の導体厚さの最も大きい部分における第２樹脂絶縁層１０２の厚さ（すなわち第２樹脂絶縁層１０２の上面と第１導体層１１１の上面との最短距離）と第３樹脂絶縁層１０３の厚さの和の、０．３５倍以上の厚さを有するように形成される。第３樹脂絶縁層１０３がこのような厚さを有するように形成されることで、第３樹脂絶縁層１０３を構成する材料による凹部ＲＣの充填は確実に実現され得る。電子部品ＥＣがより確実に凹部ＲＣ内に封止され得る。また、第３樹脂絶縁層１０３は、第１導体層１１１の導体厚さの最も大きい部分における第２樹脂絶縁層１０２の厚さと第３樹脂絶縁層１０３の厚さの和の０．４５倍以下であるように形成される。配線基板１００における厚さの粗大化が抑制され得る。例えば、第１導体層１１１の導体厚さの最も大きい部分における第３樹脂絶縁層１０３の厚さは略１０μｍであり、第２樹脂絶縁層１０２の厚さは略１５μｍである。

次いで、図３Ｇに示されるように、積層体１０の第１面１０Ａ側の表層部において、ビア導体１２３、１２３ｅ及び第２導体層１１２が形成され、積層体１０の第２面１０Ｂ側においてもビア導体１２３及び第２導体層１１２が形成される。ビア導体１２３は第３樹脂絶縁層１０３及び第２樹脂絶縁層１０２を貫通して第２導体層１１２と第１導体層１１１とを接続するように形成される。ビア導体１２３ｅは、電子部品ＥＣ上の電極パッドｅｐ上に形成され、電極パッドｅｐと第２導体層１１２とを接続するように形成される。第２導体層１１２はパターニングにより導体パッド１１２ｐを有するように形成される。特に、凹部ＲＣ上側の第２導体層１１２は、導体パッド１１２ｐｅを有するパターンに形成される。なお、表層部における樹脂絶縁層１０１、１０２、１０３、導体層１１１、１１２、及びビア導体１１３、１２３の形成は、積層体１０の形成における、導体層１１及びビア導体１５の形成方法と同様の方法及び同様の材料を用いて形成され得る。

次いで、第２導体層１１２及び樹脂絶縁層１０３上にソルダーレジスト層ＳＲが形成されると共に、ソルダーレジスト層ＳＲに導体パッド１１２ｐ、１１２ｐｅを露出させる開口が形成され、部品内蔵配線基板１００の形成が完了する（図１）。ソルダーレジスト層ＳＲ、及び各ソルダーレジスト層ＳＲの開口は、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成され得る。ソルダーレジスト層ＳＲの開口に露出する接続パッド１１２ｐ、１１２ｐｅ上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

実施形態の部品内蔵配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の部品内蔵配線基板は、任意の層数の導体層及び絶縁層を有し得る。実施形態では積層体１０は、コア基板１を中心に対称な層構造を有するものが示されたが、積層体１０はコア基板１を有する形態に限定されない。

本実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序等は適宜変更されてよい。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

１００ 部品内蔵配線基板
１ コア基板
２ コア導体層
３ コア絶縁層
４ スルーホール導体
１０ 積層体
１０Ａ 第１面
１０Ｂ 第２面
１１ 絶縁層
１２ 導体層
１０１ 第１樹脂絶縁層
１１１ 第１導体層
１０２ 第２樹脂絶縁層
１１２ 第２導体層
１０３ 第３樹脂絶縁層
ＲＣ 凹部
ＲＴ 貫通孔
ＥＣ 電子部品
ＳＲ ソルダーレジスト層

Claims (7)

1. 絶縁層及び導体層が交互に積層されてなる積層体を準備することと、
   前記積層体上に第１樹脂絶縁層を形成し、前記第１樹脂絶縁層上に第１導体層を形成することと、
   前記第１導体層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、
   前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通し底部に前記積層体の一部を露出する凹部を形成することと、
   前記凹部内に電子部品を搭載することと、
   前記凹部内及び前記第２樹脂絶縁層上に第３樹脂絶縁層を形成し、前記電子部品を前記凹部内に封止することと、
   を含む、部品内蔵配線基板の製造方法であって、
   前記第２樹脂絶縁層を形成することは、前記第１導体層の上面と前記第２樹脂絶縁層の上面との最短距離が１０μｍ以上、且つ、２０μｍ以下となるように前記第２樹脂絶縁層を形成することを含み、
   前記第３樹脂絶縁層を形成することは、前記第３樹脂絶縁層の厚さと前記最短距離との和の０．３５倍以上、且つ、０．４５倍以下の厚さを有するように、前記第３樹脂絶縁層を形成することを含んでいる。
2. 請求項１記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記第２樹脂絶縁層を形成することは、カバーフィルムが貼着された樹脂フィルムを前記樹脂フィルムが前記第１導体層と接するように積層することと、前記カバーフィルムを前記樹脂フィルムから剥離することを含んでいる。
3. 請求項１記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記第２樹脂絶縁層は、前記第１樹脂絶縁層よりも低いフィラー含有率を有するように形成される。
4. 請求項３記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記第２樹脂絶縁層は、フィラー含有率が７５ｗｔ％以下であるように形成される。
5. 請求項１記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記積層体を準備することは、前記積層体の表面に導体パッドを備える導体層を形成することを含み、前記凹部を形成することは、前記底部に前記導体パッドを露出させることを含んでいる。
6. 請求項１記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記第２樹脂絶縁層は前記最短距離が略１５μｍに形成され、前記第３樹脂絶縁層は略１０μｍの厚さに形成される。
7. 絶縁層及び導体層が交互に積層されてなる積層体と、
   前記積層体上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
   前記第１樹脂絶縁層上に形成されている第１導体層と、
   前記第１導体層上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
   前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通し底部に前記積層体の一部を露出する凹部と、
   前記凹部内に収容される電子部品と、
   前記凹部内を充填することで前記電子部品を前記凹部内に封止すると共に、前記第２樹脂絶縁層上に形成される第３樹脂絶縁層と、
   前記第３樹脂絶縁層上に形成される第２導体層と、
   を含む、部品内蔵配線基板であって、
   前記第１導体層の上面と前記第２樹脂絶縁層の上面との距離が最も小さい部分において、前記第２樹脂絶縁層の厚さは１０μｍ以上、且つ、２０μｍ以下であり、
   前記第２樹脂絶縁層の厚さは、前記第３樹脂絶縁層の厚さと前記第２樹脂絶縁層の厚さとの和の０．５５倍以上、且つ、０．６５倍以下である。

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