TW201133595A - Apparatus and system for cleaning a substrate - Google Patents

Description

201133595 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於基板之清理設備及系統 【先前技術】 在製造半導體裝置如積體電路、記情触即_ 間，施行—系列的製造操作以將特徵部开 類似者之期 上。該些晶圓受到處理以包含了以多芦 ' 肢晶圓（晶圓） 上的積體電路裝置。在基板層級，形θΐ° ^式形成於矽基板 在隨後的層級中，圖型化内連線金電晶體農置。 置’以形成所欲之積體電路裝置。又”電晶體裝 介電材料來與其他導電層絕緣。 θ匕之泠電層係藉由 在一系列的製造操作期間晶圓表 =Ο基本上，任何存在於製造操作中白;;染 例如，污染源尤其可包含處理氣體、化與〇白^曰在如染源。 各種污染物可以微粒形式而沈積 及液體。 染，㈣置將除;= = = 徵部的情況下，以實質上清洗完= ^ a '月洗/亏杂物。然而，微粒污染的尺寸等、級、i a瓦 物二不===界尺寸。要移除此類小微^染 務。tsaW上的特徵部產生不良影響可能會是極困難的任 表面大多倚賴機械力來自晶圓 因施加機械力至晶圓；面弱時’ 例如，且有料官士二軸政藉生知*的機率大為增加。 倒塌或Ϊ裂。除拿更進，:在受到足夠的機械力衝擊時’容易 特徵部尺寸前進亦使得微丄，更小 污染可能會難以到達晶圓表如 201133595 槽部°因此在現代半導體製造期間中，有效並^損 i到隨著晶圓清洗技術的持續進步峨 製造為二=面顯示器用之製造操作與上述之積體電路 主工ί^34觀點’需要—種更有效並造紐少祕之清理曰圓 表面的清理設備、，魏及方法。 力理曰曰因 【發明内容】 统及本發明藉由提供較佳之晶κ表面清洗的設備、系 包含求。應注意：可以數種方式來施行本發明， —去及'τ、、，'充。以下將闡述本發明的數個新穎實施例。 在ήΐ施例中’揭露—縣板的清理設備。該設備具有第- 單"°。該第―頭單元係位於基板表面之附近，且 二有形成_部且並用以將泡沫供給至基板表_第— 之位置實質上與第-頭相鄰且靠近基板表面。第二及 ΐ於第二頭單㈣。第二列管道係用以將流體供 、-，σ至基板表，。第三列管道係用以將真空供給至基板表面。 、在另一實施例中，揭露一種基板的清理方法。提供具有粒子 沈積於上之基板。產生包含複數三相體之鉍，各個三相體且 ，體部:液體部及氣體部。經由第—組施加器將鱗施加至£板 表面。經由第二組施加器將足量之流體施加至基板表面，以實質 上自基板表面移除該泡床。經由第三組施加器將真空施加至基板 表面，以貫質上自基板表面移除該流體。 ，仍另一實施例中，揭露一種基板的清理設備。該設備包含： 封閉官道、複數支撐件、入口端閥件及出口端閥件。控制 (containment)管道係用以將壓力施加至流動越過基板表面之泡沫 上，以建立自入口端至出口端之泡沫流動。複數支撐件被包圍在 控制(⑺ntaimnent)管道内’並用以支撐基板。入口端閥件及出口端 閥件係用以調整進、出該控制(containment)管道的泡沫流。與入口 4 201133595 端閥件及出口端閥件交流之控制器控制了流經控制(containment) 管道的泡沫流。 在仍更另一實施例中，揭露一種基板的清理方法。將具有粒 子沈積於上之基板插入至控制(containment)管道中。經由控制 (containment)管道之入口閥來將泡沫供給至該控#(c〇ntain^ent)管 道。經由控制(containment)管道之入口閥來供給壓力以建立由壓力 所驅動之泡洙流，俾使泡沫移動越過基板表面並與基板表面_]^之 粒子產生父互作用。經由該控制(containment)管道的出口閥自該控 制(containment)管道將泡沫與粒子一起移除。 工 在仍另一貫施例中，揭露一種基板的清理系統。該系統包含： 第一清理區、第一清理區及能夠支樓基板之載具。第一清理區包 含：流動單元，由壓力驅動並用以施加泡沫至基板表面。第二清 理區包含：施加器，用以分散流體以實f上自基板表面移除泡珠月。 5亥載具係用以將基板自第一清理區傳送至第二清理區。 _在更仍另一貫施例中，揭露一種基板的清理系統。該系統包 含：流體分散器、泡沫施加器及旋轉夾頭。該流體分散器係位於 基板表面附近，並用以將流體輸送至基板表面。泡沫施加器位於 基板表面附近，並用以將泡沫施加至基板表面。旋轉夾頭係用以 支撐基板並對基板提供旋轉速度，同時複數夾持件係用以將基板 固定於旋轉夾頭上。 【實施方式】 針對清理基板表蚊設備、系統及方法來敘述本發明。 =此，技藝者應明白：可在糾用某些或全部上述特定細節的 以 方式下貫施本發明。在其他實例中便不贅述習知之處理操作， 免不必要地模糊本發明。 ” 文中湘之二相體清理材料包含複數三相體，三相體包含 虱歧。Ρ、液體部及固體部。在一實施例中， 媒介以將固體部帶至基板表面上之污染物粒===；；= 5 201133595 構成固體部之例示性材料類型為包含：脂肪族酸、羧酸、石臘、 聚合物、聚苯乙稀、纽肽及其他_性材料。@體部材料應以 超過其在液體部内之>谷解限度的濃度存在。此外應瞭解：與特定 固體部相_清洗效能可作為濃度、溫度、阳及其他環境條件 函數來改變。 脂肪族酸基本上代表任何由有機化合物所形成之酸，其中碳 刀子形成開鍵。脂肪酸為脂肪族酸的一實例，其可用來作為二相 體清理材_之m體部。可肋作朗體部之麟酸實例尤其包 含.月桂酸(launc)、棕櫚酸(paimitic)、硬脂酸(伽池)、油酸(〇idc)、 亞麻/由酸(linoleic)、次亞麻油酸(此此也）、花生四烯酸 (arachidonic)、鳕烯酸(gad〇leic)、十八稀酸(eurcic)、丁酸(butyrk)、 己酸(caproic)、辛酸(capryiic)、肉豆蔻酸(myristic)、十七酸 (marganc)、山奋酸(behenic)、(lignoseric)、肉豆蔻烯酸(myrist〇leic)、 棕櫚烯酸(palmitoleic)、神經酸(nervonic)、杷荏酸(▲ 碳五烯酸(timnodonic)、順廿二碳·u _稀酸(brassic)、蠑魚酸 (dupanodomc acid)、木臘酸(lignoceric acid)、蠟酸(cer〇tic 其混合物。 ) 固體部在清理期間與粒子交互作用以達成粒子之移除。此文 =所用之基板表示半導體晶圓、平面顯示表面(例如，液晶顯示器 等)及在製造操作期間可能會受到污染之晶圓處理設備及硬體。 —，1A係根據本發明之一實施例顯示用以清理基板表面之近 接^單元的下表面。在此圖中，所示之近接頭單元1〇2具有：複 數三相體分散出口 1()4，用以分散三相體清理材料；複數流體分 出口 106，用以分散流體；及複數真空開口 1〇8，用以施加直空至 基板表面。 在一實施例中，三相體分散出口 104、流體分散出口 1〇6及真 =開口 108係以縱列方式相繼設置而橫跨近接頭單元1〇2，近接^ 單兀102係用以覆蓋於基板之整個直徑上方。例如，近接頭單元 102上的第一組三列出口可為三相體分散出口 1〇4，接著為兩列流 6 201133595 體分散出口 106’再接下來為兩 不同類型之出口/開口可斤姑、二8。應瞭解·此僅為 構的-實例，實際上有之方式之可能結 口/開口類型及可指定予每一出 ^ ^的=順，出 開口結構僅受限於應用之需求 單I之歹構。出口/ .口數目及可被包含作為近接頭單員可谷納之出口/開 型。 队㈣早％搬之—部分的出π/開口類 姑料’三相體分散出口104係用以供給三相體清理 Ϊί ί ί二f目體清理材料可為包含複數三相體之泡沫或 巧。在-，'施例中’流體分散出口 1()6係用以分 ， m皮錢之某麵型之液_實例包含了 ：去土板 (DIW)、過氧化銨_4〇H)、過氧化氫(祕）、似溶^ h”2o2/h2o)、消泡劑等。然而應瞭解：基本上，可使用任何能4 ，應，之需求適切地自基板表面移除三相體清理材料 在又 中，體分散出口1Q6係用以分散氣體至基板表面 Z被机體htdSD 106所分散之某些細之氣體 異，醇_蒸氣、二氧化石炭(c〇2)、空氣、氮氣既)、' m ，氣㈣、臭氧(〇3)等。基本上，可分散任何類型之氣體ϋ該 越肋在不損害基板表面上所形成之多層次結構的情況下 適=地乾絲板表面。在-實施例巾，真空開口係肋施加直* 至^板表面。可將真纽力之設定最佳化以實質上齡沈積於^ 扳表面上的任何三相體清理材料及/或液體。 _扣圖1B係根據本發明之一實施例之用以清理基板表面之近 頭單兀的側視圖。如此圖中所示，當基板116在近接頭單元ι〇2 下方水平地移動時，具有三相體材料(即，泡沫)供給管線ιι〇、流 體供給管線112及真空供給管線114之近接頭單元1〇2係位於基 板116之上表面附近。如上所討論，依據三相體清理材料之應^ 及化學組成，可將三相體清理材料作為泡沫或乳膠來分散。 如所示，初始利用三相體清理材料來處理基板116之表面， 201133595 ::去清;材料，接著施加真空以自表面移除去 近，且實質上盘上近接頭頭位於基板116之下表面的附 施加真空來進行=及去料水來處理基板服之下表面，接著 頭單發明之—實施例之用以清理基板表面之近接 自Ιίϊϊ =面圖。在此圖中，所示之近接頭單元搬3 102之下# ^上表面上之入口/開口延伸經過近接頭單元 單元搬W ^目^理口^的複數管道。如圖所示，近接頭 202伊仏？用;ίΓ月理材料入口 208，用以將三相體清理材料 絲板，；:===:出去:輸送 表面“管‘'真允入口肢 ’遍、液面2〇/之形式之流體輸送至基板 表面供ϋ ^ϋ =雕用以將真空供給至用以對基板116之 206供J至二?上’矣：：:共給入口 214，用以經由用以將氣體 氣、C、〇H 管道來供給氣體2〇6(例如，脱蒸 在近接寺）。在—實施例中，於清理操作期間，基板⑽ :相ί ΐ二Γ::作ΐί移動’在近接頭單元102下方處將 ”1'，表面施加上述者。在另一實施例中，*清理 i 兀搬係用以在基板116之表面的上方作水平移動。 在一貫施例中，可設置控制系統(如圖1B中所 = 3制ί入ΐ流出近接頭單元1〇2的流體流量。控“量可 is .利用k量計及控制器來確保形成適當的彎液面。者 ::在，頭單元K)2及基板116之表面間維持f液面^ 保了清理流體及三相體的精確控制。 ’ 圖2B顯示另-結構，在此結構中設置真空入口 216以將直* 鈿加至三相體清理材料202及流體204。在此實施例中，真空义= 216可具有複祕散歧管(例如’孔洞或接口）的形式，其將^材 201133595 間具有較佳的介面。在—實施射，可想像提 ϋΓ tit 口 216將助於降低材料202 *流體204間的 主一W Μ·* Γ 早 可具有許多不同的配置而此僅 iririn近接頭單元收的配置可依照使用近接頭 需求來包含不同_及數目之管道。 理;㈣=本發明之實施例之用以清理基板表面之整合式清 神圖。如圖所示，其中基板116水平地朝向整入式、、音 部=及?頭 tit ίΐί ΐ 平移動時’將三相體清理材料供給至 王右ί體分散部302係用以供給三相體清理材料，t青 ;分部與基板116之表面上之污 f子1卑=亥些三相體的固體部與沈積於基板116表面ί之污染物 ^，品我又互作用。在晶圓並非水平的情況下，該力可非為向下 :相對於晶圓位置之力。三 粒; :ί作：導;已自基板116之表面隨著三相體被 些交ί作用鮮種機制包含_、碰撞及糾力來建立此 而卜ΐϊ頭部304包含：用以將液體彎液面施加至基板116之奈 口及用以對基板116之表面施加真空的開口。在臭;^ 間，近接頭部3〇4係用以自基板上= 相_理材料及相關的污染物粒子。液體彎液面及基板 201133595 進行快速交換之區域所定義，液體快速交換導致 ii? ηί之表面實質上移除清理材料。可使用之液體之某些類 瓜勺貫例匕含：去離子水(DIW)、過氧化銨_4〇11)、過氧化、 公0;): 溶液、消泡劑等。應瞭解：美本 夠依應用之需求而自基板116之表面適當地移除三相 體π理材料及污染物粒子的液體皆可使用。 “ ^續參照圖3 ’氣體分散部306係用以在近接頭部3〇4已每所 i私理材料後，供給氣體以實質上自基板η6移除貝液貝 ί、戶i分散之氣體的實例包含了：異丙醇(ιρα择 S)二氣、氮购、氬购、氧氣㈣、臭氧 二^4士媒沾^上，、可用以在不損害形成於基板116之表面上之多層 散。、月况下適當地乾無絲116之表面的任何氣體類型皆可曰 V主王 之用以清理基板表面的非整合 歧管單元爾近接 广兩者實質上協====:之及巧 單元搬及近接頭離實f财，歧管 下方，首辭移越過歧管單元_ 2其ίίί ί頭早兀102下方。歧管單元4〇2係用以供& π理基板116之表面的三相體清理材料， :。 液體及ίϊ以自基板116之表面移除清理材ί 清理於年ί 表面之附近，且用以將三相體 體的泡 二!將; i固邮邱ίΐί：ΓΜ勿粒子404間產生交互作用的力。：相體 之固以知染物粒子間的交互作用導致已隨著三相Lit 10 201133595 面被移除之粒子受到移除。如前所 及吸引力的一或多個機制來建立交二^ °、及由包含黏附、碰撞 之表面被移除時，污染物亦被移除。。當二相體自基板116 面附之表 該表面實質上移除任何三相體清理材料及m…液面，以自 (DIW)、過氧化銨(Nh4〇h)、過氧 ^貝灼匕s .去離子水 η2〇2_)、消泡劑等。在一實施^^〇2)、SC]溶液_卿 以將氣體供給錄板單元⑽更包含用 所分散之氣體的實例包含：異丙醇為此些出σ 氧_、臭氧剛。基本氬氣㈤、 』用以在不損害形成於基板ιΐό 何情況下適當地乾燥基板116之表面的任 側視Ξ ㈣之—實糊之用崎理基絲面之系統的 側視圖在此圖中，糸統包含三相體清理材料分5〇2八 t嘴504及旋轉夹頭508。三相體分散器5〇2係盘液體分散^ ^相鄰歹並^藉由複數基板夾具5〇6所支撐之基板μ的表面 呈^06 係用以將基板116固定於旋轉夾頭508上。夾 Ιτ何數目之結構，且常可被稱為指狀物伽㈣、支 ri、轉輪(wheels)、滾轴(rollers)、握爪(g邱㈣^ ϋ之本體的結構_於旋轉-沖洗-乾燥模組L本發明之 2 = 502已經過校正以確保將三相體適當地輸送至基板η 表面上。 、、如所述二在一實施例中，三相體分散器5〇2係用以分散具有 泡本幵y式之二相體清理材料。在另一實施例中，三相體 係用以分散具有乳膠形式的三相體清理材料。在一實施例中°°，三 相體分散器502係用以分散三相體清理村料，該清理材料呈有^ 以使清理材料之H]體部與基板116表面上之污染粒子間產线互 201133595 =用的力。二相體之固體部與污染物粒子間之交互作用導致已隨 著二相體自基板表面被移除之粒子受到移除。在另—實施例中， 系統更包含施力件，用以對三相體清理材料施加向下力以 之固體部與基板116之表面上之污染物粒子間產生交互作用。 液體分散喷嘴504位於基板116之表面附近，並用以將液體 /刀散至基板116之表面上。可被分散之液體的實例包含：去離子 f (DIW)、過氧化銨、過氧化氫(Η2〇2)、§(Μ溶液师卿 自I。細鱗解：基本上，任概触應用之 ί:=ί=刪當地移除三相體清理材料賴 且Γ旋轉夹頭508係用以執行旋乾操作，由固定至夾 二二5 iff斤支樓的基板116則藉由該旋乾編^ 速度下補，该速度足以實質上移除; 的三相體材料及/或液體。在一實施例中並未使^ 表面上 具有足夠力量心基板 固定況;層將三相體施加至 .亦可使用空氣葉片來進行乾燥===施加至基板表面上。 可使用近接頭來施行如上所述之乾^操$持在乾燥狀態。此外， 圖6係根據本發明之—實施 用此方法之清理設備的圖係顯示理1 法600開始於操作6〇2，提供 汍 及4中。方 文中所用來作為範例的基板代表半導tn。如前所討論’本 玻璃基板及平面顯示表面、液晶顯以:=上;;： 12 201133595 方法=00繼續操作604，產生三相體泡沫。該泡沫包含複數三相 ^ ’每一二相體具有固體部、液體部及液體部。為了更進一步地 解釋二相體清理材料之組成及其機制，見2〇〇6年2月3日申請且

名為「METHOD FOR REMOVING CONTAMINATION FROM A SUBSTRATE AND FOR MAfQNG A CLEANING s〇LUTI〇N」的 美國專利申凊案（11/346,894)(代理人備忘錄編號1^1^2?546)。 方法600接著進行操作6〇6，經由第一組施加器將三相體泡沫 施加至基板表面。在一實施例中，第一組施加器係以充分之力量 來供，泡沫，以在三相翻隨部與沈積於紐表面上之粒子間 營生父互作用。方法600進行至操作6〇8，經由第二阻施加器將足 量的流體^給至基板表面，以自基板表面實f上移除泡沐。適合 使用於此刼作中之流體的實例包含：去離子水(mw)、過氧化銨 (N^OH)、過氧化氫咖2)' SCM溶液卿⑽即瓜〇)、消泡 ，等。應瞭解：基本上任何能夠依翻之需求而自基板表面適當 地移除二相體清理材料的液體皆可使用。 仍麥照，6，方法600前進至操作61〇 ,經由第三組施加器將 二，Ϊ至ί板表面’以自基板表面實質上移除任何流體。在-^加歹\ ’ ϊ"7及第二組施加器係包含於第—近接頭單元中，而 弟含於第二近接頭單元中。在另—實施例中，第 衫料—近接頭單元中，而第二及第三組施加器 單元中。在仍另-實施例中，第-、第二及 弟二組細加4包含於單—的整合式近接頭單元中。 發明之實補’顯示清理基板用之壓力驅動式 $含二導。如所示1壓力驅動式之流動基板清理裝置700 、-龄^十+，限制導管702包含入口閥704、出口閥7〇6、 ϊϋϊί ί 1牛，及材料儲槽708。入口閥704及出口閥706 5導其理材料的流量’並分別將流體輸人及輸出限 i儲才戶祕C理材料係錄作性地連接至入口閥704的材 201133595 而畜？：經ί Ϊ制導管702來調整三相體清理材料的流入及流出 旦減:’亚對與基板116表面相鄰的三相體來施加此力 ^七®二目=之固體部與基板116表面上之污染物粒子間的交 姊、*梦相月豆之固體部與污染物粒子間的交互作用使得當三相 言1二日二ί子自基板116的表面被移除。藉由操作性地連接 於卩卩制^出口，706的控制器710來控制此兩閥。被包圍 中。^内的複數魏夹持件701係用以在經升高的位置 故音^ f ，亚對基板116提供限制以防止清理操作期間的非 116 照在—實施财，織體域體，具有乾燥基板 矣而/或對ΐ相肢供給力以在三相體之固體部與沈積於基板別 7义幢子間產生交互作用的功用。氣體源(未圖示於圖 7nt fl作連接至入口闕7〇4，以將氣體供給至限制導管 6 之氣體的實例包含：空氣、氮氣㈣、氬氣⑽、 ==2)六、氧(〇3)、二氧化碳(c〇2)等。基本上，只要不盥三相體 於严—116之表面上的多層次結構反應任何氣體類型皆 一相:一貫施例中，該流體為用以㈣板116表面沖洗 一相胆α理材料的流體。一流體儲槽係操作性地連接至入口 iit’ 體供給至限制導管702。適合之流體的實例包含：去 氧倾师4〇H)、過氧化氫_2)、SC·1溶液 而自4其你#202/h20)、消泡劑等。基本上’任何能夠依應用之需求 而自基板表面適當地移除三相體清理材料的液體皆可使用。 圖=係根據本發明之一實施例之基板清理系統的處理流程 sU ώ处理圖中所詳細敘述，首先在第一清理區802藉由房力 驅=式_清理設縣清雜板。壓力_式流動清理設備 t皁=二相體之固體部與沈積於基板表面上之污染物粒子間產生 用的方式來將二相體施加至基板表面。三相體之固體部盥 粒子間的交互作用使得當三相體被移除時，粒子自基板^ 面被私除。在經過壓力驅動式流動清理設備之清理後，使用位於 14 201133595 連接至第一 802與第二804清理區之軌道上的基板載具自第一清 理區802將基板移至第二清理區8〇4。第二清理區8〇4包含一或多 個施加器，該施加器係用以分散流體以實質上沖洗與乾燥殘留在 基板表面上的任何三相體材料、流體及/或污染粒子。適合使用之 流體的實例包含：去離子水(DIW)、過氧化銨(ΝΉ4ΟΗ)、過氧化氫 (H2〇2)、SC-1溶液(ΝΉ4〇Η/Η2〇2/Η2〇)、消泡劑等。基本上，任何 月b夠依應用之需求而自基板表面適當地移除三相體清理材料及污 染物粒子的液體皆可使用。 圖8B係根據本發明之一實施例之基板清理系統的處理流程 圖。在此處理流程圖中，首先在第一清理區8〇2藉由壓力驅動式 流動α理沒備來清理基板。如上所討論，壓力驅動式流動清理設 備係用以俾使三相體之固體部與沈積於基板表面上之污染物粒子 間產生父互作用的方式來將三相體施加至基板表面。在經過壓力 驅動式流動清理設備之清理後，使用位於連接至第一 與第二 806清理區之軌道上的基板載具自第一清理區8〇2將基板移至第 一清理區806。第一清理區8〇6包含近接頭單元，此近接頭單元係 用以供給液體彎液面以沖洗掉任何殘留在基板表面的三相體清理 材料，並用以施加直空而乾燥殘留在基板表面上的液體。在—實 施例中，近接頭單元更用以供給氣體，以促進基板表面的乾燥。 適合使麟此應用之氣體的實例包含：ΙΡΑ蒸氣、氮氣㈣、 (Ar)、氧氣(〇2)、臭氧(〇3)。 圖9係根據本發明之-實施例之基板清理方法的流程圖。在 此方法中所使用之清理設備的圖係顯示於圖7、8人及8B。 900開始於操作902 ’將具有粒子沈積於上之基板插入至污染導管 ^。^前所討論’基板可為半導體晶圓或LCD平板。方法9〇〇繼 繽至操作，，經由限料管的人口閥將三減泡沫供給至限制 管、。如前所討論’#由操作性地連接至入口閥的儲槽來供給三相 體泡沬。又，二相體、絲包含概三相體，每― 部、液體部及氣體部。 15 201133595 方法900進行至操作906，經由限制導管之入口閥來施加壓 • ^建立泡_之壓力，鶴流，俾使泡沫移動越過基板之表面 板表面上的污雜粒子交互作用。如前所揭露，包含泡沐 體部為與污染物粒子交互個的泡沫成分。經由一 ίίϊΐ建立此些交互仙，包含黏著、碰撞及吸引力。 〇 J9 ’方法_先魅操作908，經由限制導管的出 ;施力:液移除。藉著透過限制導管之入 …中洗掉基板表面的三相體泡沐以達到泡床之移 =空限制導管。三相體之固體部與污染物 除。S、又 使传當二相體被移除時，粒子自基板表面被移 技蓺僅=_本發明的數個實施例，但熟知此項 其:特ί的形式來神以情況下侧^ 細節，在隨附之申円iiT並不限於此文中所提供之 寸之申明專利乾圍的㈣内可變化本發明並加以實施。 【圖式簡單說明】 編號細敛述，本發明將更清晰，類似之參考 接頭^元^H本明之—錢觸示用以清理基板表面之近 頭單據本發明之一貫施例之用以清理基板表面之近接 近魏攸肋輕魏表面之 清理發明之一實施例之用以清理基板表面之整合式 圖4係根據本發明之一實施例之用以清理基板表面之非整合 16 201133595 型清理設備 側視=係根據本發明之1關之用以清理級表面之系統的 Ξ 施例之基板ί理方法的流程圖。 動式流動設備的示i圖。心例之用心理基板表面之壓力驅 圖 圖 圖sa仏根據本糾之—實施例之基板清㈣統的處理流程 11 8B係根據本發明之—實施例之基板清理线的處理流程 圖9係根據本發明之—實施例之基板清理方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 102 近接頭單元 104 三相體分散出〇 106 流體分散出口 108 真空開口 110 二相體材料(即’泡沫)供給管線 112 流體供給管線 114 真空供給管線 116 基板 202 二相體清理材料 204 流體彎液面 206 氣體 208 二相體清理材料入口 210 流體入口 212 真空入口 214 氣體供給入口 216 真空入Π 201133595 300 :清理設備 302 .二相體清理材料分散部 304 :近接頭部 306 :氣體分散部 402 :歧管單元 404 :污染物粒子 502 :三相體清理材料分散器 504 :液體分散喷嘴 506 :基板夹具 508 :旋轉夾頭 600 :方法 602 :操作 604 :操作 606 :操作 608 :操作 610 :操作 700 :清理裝置 701 :基板夾持件 702 :限制導管 704 :入口閥 706 :出口閥 708 :材料儲槽 802 :第一清理區 804 :第二清理區 806 ··第二清理區 900 :方法 902 :操作 904 :操作 906 :操作 18 201133595 908 :操作 19

Claims (1)

1. 201133595 七、申請專利範圍： 1. 種基板清理設備，包含 於該位ΐ基板之表面附近，該第—頭單元具有形成 道"及、凡内且用以供給泡珠至該基板之該表面的第-列管 之該t頭S二巧匕與該第—頭單元相鄰並靠近該基板 該基; Γ於該第二頭單元内並用以供給流體至 該基ίΐίίί ’形成於該第二頭單元内並用以供給真空至 第-頭單元及 3.如申請專利笳固结 二相俨，兮-4 Γ 項之基板清理設備’其中該泡洗包含複數 一相版1亥二相體包含固體部、液體部及氣體部。 肪酉1申μ專利耗圍第3項之基板清财備，其中該固體部包含脂 5.如申請專利範圍第 液體之其中一者。 項之基板清理設備，其中該流體為氣體或 項之基板清理設備，其中該液體為去離子 6·如申請專利範圍第5 水或消泡劑之其中—者 7·如申請專利範圍第 臭氧(〇3)、氧氣(〇2)、 20 1 項之基板清理設備，其中該氣體為空氣、 氮氣(Ν2)及氬氣之其中一者。 201133595 8·如申請專利範圍第1項之基板清理設備’其中該設備係用以水 平地移動越過該基板之該表面。 9·如申請專利範圍第1項之基板清理設備’其中該第二頭單元更 包含： 、 第四列管道，形成於該第二頭單元内並用以供給異 瘵氣或二氧化碳(c〇2)至該基板之該表面。 — 10· —種基板清理設備，包含： 歧管單元内且用官單元具有形成於該 近接頭料，基板2表面的第-列管道；及 該表面，該近接頭單元H14魏官早70相鄰並靠近該基板之 該基^成於該近接頭單元内並用以供給流體至 該基:形成於該近接頭單元内並用以供給真空至 她備，射繼單元及 數三相體，備’財沫包含複 月固體部、液體部及氣體部。 其中該固體部包含 =申請專利軸12項之基板清理設備， 其中該流體為氣體 14·如申__第1()項之基板清理設備， 21 201133595 或液體之其中一者。 ις ‘由"·主宙1 #中该液體為去離 15. 士申5月專利範圍第I4項之基板清理設備，其 子水或消泡劑之其中一者。 1 r ^ 4 cj?该氣體為空 予如申，專利範圍第M項之基板清理設備，其中 瑕J、六、乳(〇3)、氧氣(〇2)、氮氣(n2)及氬氣之其中/ 17. 如申請專利範圍第1〇項之基板清理設備，其中Jf系用以 水平地移動越過該基板之該表面。 18. 如申請專初範圍第10項之基板清理設備，其中該近接頭單70 更包含： 一々第四列管道’形成於該近接頭單元内並用以供給異丙醇(IPA) 条氣或二氧化碳(C〇2)至該基板之該表面。 八、圖式： 22