TW201128005A - Method for producing silicon carbide crystal and silicon carbide crystal - Google Patents

Description

201128005 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種碳化矽（Sic)結晶之製造方法及Sic結 晶。 【先前技術】

Sic結晶之能帶隙大，且最大絕緣破壞電場及熱傳導率 比矽（Si)更大，另一方面，載子之遷移率係與Si同程度地 大，且電子之飽和漂移速度及耐壓亦較大。因此，業界期 待其旎適用於要求高效率化、高耐壓化及大容量化之半導 體裝置。 如此之半導體裝置等所使用之Sic結晶之製造方法係揭 示於例如曰本特開2001_114599號公報（專利文獻1}。具體 而。專利文獻1揭示有：在可導入氬（Ar)氣體之真空容 态（加熱爐）中利用加熱器進行加熱，藉此將晶種之溫度保 持於較SlC原料粉末之溫度低10〜100X：左右之低溫，從而 使SiC結晶生長於晶種上。 先前技術文獻 專利文獻 • 專利文獻1 :曰本特開2001-114599號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 為生長S i C結晶’必須以南溫加熱s i C原料。 ’、’、而，本發明者發現，在上述專利文獻1所揭示之製造方 法中，為提高Sic結晶之生長速度，若降低環境之壓力， 151879.doc 201128005 則會引起生長條件不安定。因而會導致生長之Sic結晶之 結晶性惡化。 因此’本發明係關於—種可使SiC結晶之結晶性良好化 之SiC結晶之製造方法，以及Sic結晶。 解決問題之技術手段 本發明者已就導致生長條件不安定之原因進行潛心研 九其、”σ果’發現上述問題係在生長氛圍為Ar氣體之情形 下，因Ar電離而引起放電所致。本發明者亦發現，該問題 在利用將加熱器之溫度設為高於掛堝之高溫的電阻加熱法 令SiC結晶生長時，尤爲顯著。 因此，本發明之Sic結晶之製造方法，係藉由昇華法製 造奴化矽（SiC)結晶之方法，其特徵為令使Sic結晶生長之 環境氣體包含氦（He)» 根據本發明之SiC結晶之製造方法，係使用離子化能高 於Ar之He作為環境氣體。因此，由於可抑制^成爲電離 狀態，故即使在非常高溫之氛圍下使Sic結晶生長之情形 下，亦可抑制放電的發生。因此，能夠安定化生長條件， 故可使製造之SiC結晶之結晶性良好。 上述SiC結晶之製造方&中，錢的是其特徵為上述環 境氣體進一步包含氮（N)。 N與環境氣體及結晶製造裝置之反應性較低，且其為sic 之η型摻雜物。因此，能夠安定化生長條件地製造η型 結晶，故可使製造之n型Sic結晶之結晶性良好。 上述SiC結晶之製造方法中’較佳的是其特徵為上述環 151879.doc 201128005 境氣體進一步包含選自由氖（Ne)、Ar、氪（Kr)、氙（xe)及 氡（Rn)所組成之群中至少一種氣體。 環境氣體若包含He，則即使進一步包含其他稀有氣體， 亦可安定化生長條件。 上述SiC結晶之製造方法中，較佳的是其特徵為在環境 氣體中，He之分壓為40%以上。上述SiC結晶之製造方法 中’較佳的是其特徵為使SiC結晶生長之環境之壓力為300 Torr以下。 本發明者潛心研究之結果發現，藉由將He分壓及環境之 壓力控制於上述範圍内，可進一步安定Sic結晶之生長條 件。因此’可使製造之SiC結晶之結晶性更佳。 上述SiC結晶之製造方法中，較佳的是其特徵為藉由電 阻加熱法使SiC結晶生長。 如上所述，可藉由於環境氣體中包含He，而安定生長條 件。因此，即使在藉由使加熱器之溫度高於坩堝之加熱溫 度之電阻加熱法使SiC結晶生長之情形下，亦可安定生長 條件。再者，由於電阻加熱法容易控制在内部生長sic結 晶之坩堝之溫度分佈，因此可使製造之Sic結晶之結晶性 更佳。 上述Sic結晶之製造方法中，較佳的是其特徵為藉由使 用石墨製之加熱器之電阻加熱法令Sic結晶生長。 藉此，亦可加熱至200(TC以上之高溫，故可進一步使製 造之SiC結晶之結晶性更佳。 本發明之SiC結晶之特徵為，其係根據上述任一項之以匸 151879.doc 201128005 結晶之製造方法所製造之SiC結晶，且為單晶。由於本發 明之SiC結晶係使結晶生長中之生長條件安定化而製造， 故為單晶，且可使結晶性良好。 上述SiC結晶，較佳的是其特徵為多晶型（p〇ly型）為4H_ SiC。藉此’可實現高耐壓之裝置之材料。 發明之效果 根據本發明之SiC結晶之製造方法及Sic結晶，由於環境 氣體為包含He之氣體，故可使Sic結晶之結晶性良好。 【實施方式】 以下，茲基於圊式說明本發明之實施形態。另，以下之 圖面中，針對相同或相當之部份係附注相同之參照符號， 且不重複其說明。 首先，參照圖1，說明本發明之一實施形態之Sic結晶 1〇。Sic結晶ίο為單晶，且結晶性良好。sic結晶1〇之多晶 型並無特別限定’較佳為4H-SiC。 其··入，參照圖1〜圖4，說明本實施形態之sic結晶1〇之製 造方法。 首先，準備圖2〜圖4所示之Sic結晶1〇之製造裝置1〇〇。 此處，參照圖2及圖3，說明Sic結晶1〇之製造裝置1〇〇之主 要構成。該製造裝置1〇〇係藉由昇華法使Sic結晶生長之裝 置。即，製造裝置100係使含Sic之原料17昇華，且使昇華 之原料氣體析出於晶種11，藉此使SiC結晶10生長之裝 置。 如圖2所不，製造裝置100主要具備坩堝1〇1、絕熱材 15I879.doc 201128005 121、反應容器123、及加熱部124。 坩堝1 01係將晶種丨丨及原料丨7配置於内部。該坩堝1 〇丨較 佳為例如包含石墨。由於石墨在高溫下較穩定，故可抑制 掛禍101之破裂。又，由於構成坩堝1〇1之C為SiC結晶之構 成元素’故假設即使坩堝1〇1昇華而混入siC結晶之情形， 亦可抑制其變成雜質。因此，可使製造之SiC結晶之結晶 性更佳。 又’如圖3所示’坩堝1〇ι包含：供將原料收容於内部之 底部101 a、及供將晶種丨丨配置於内部之蓋部丨〇丨b。蓋部 1 〇 1 b之前端係折彎狀態，以便於能夠嵌合於底部丨〇丨a。底 部1 〇 1 a與蓋部1 〇 1 b係以連接部1 〇 1 c連接。 如圖2及圖4所示，加熱部124係覆蓋該坩堝1 〇 1之外周， 且加熱坩堝101之内部。加熱部124包含加熱器125、與電 "6加熱器12 5例如為石墨加熱器。電極12 6例如為銅 (Cu) 〇 再者，加熱部124並不限定於利用電阻加熱法之方式， 亦可為高頻加熱線圈等。 、”邑熱材121係覆蓋該加熱部124之外周。絕熱材121較佳 =包含例如碳氈。由於碳氇具有絕熱效果，且可抑制sic 結晶生長中之生長條件之變化，故可使製造之結晶之 結晶性良好。 該1熱材121之周圍設置有反應容器丨23。反應容器123 :兩端邛形成有.用於使環境氣體流入反應容器⑵内之 氣體‘人口 123a，及用於將環境氣體朝反應容器123之外 151879.doc 201128005 部排出之氣體排放口 123b。 反應谷器1 2 3之上部及下部設置有用於測定堆瑪工〇 1之上 方及下方之溫度的放射溫度計127b、127a。 再者，上述製造裝置100可包含上述以外之各種要素， 但為便於說明而省略該等要素之圖示及說明。 其次，如圖2所示，於坩堝1〇丨内配置原料17。原料丨了可 為粉末，亦可為燒結體，可準備例如多晶之Sic粉末或sic 燒結體。在本實施形態中，係將原料17配置於坩堝ι〇ι之 下部。 其次，如圖2所示’在坩堝1〇1内，以與原料17對向的方 式配置晶種11。在本實施形態中，係以與原料丨7相互對向 的方式’將晶種11配置於坩堝1 〇丨之上部。晶種丨丨之結晶 構造並無特別限定’可為與生長之SiC結晶10相同之結晶 構造，亦可為不同之結晶構造。從提高生長之Sic結晶10 之結晶性之觀點考慮，準備相同結晶構造之Sic結晶作為 晶種11較佳。 其次’藉由在坩堝101内加熱原料17使之昇華，而將原 料氣體析出於晶種11，藉此使SiC結晶1 〇生長。使SiC結晶 10生長之生長氛圍係包含He之環境氣體。 具體而言，係將包含He之氣體從反應容器123之氣體導 入口 123a流入至反應容器i23内。藉此可於反應容器^内 填充包含He之氣體。又，亦可使包含He之氣體從坩堝ι〇1 之連接部1(Hc流入至坩堝101之内部。因此，坩堝ιοί之内 部將成為包含He之環境氣體。 151879.doc 201128005 而後，藉由加熱部丨24將原料17加熱至使原料i7昇華之 溫度。加熱方法並無特別限定，較佳為使用電阻加熱法， 更佳為利用使用石‘墨製之加熱ϋ 125之電阻加熱法。再 者’、，可使用高頻加熱法。藉由該加熱，使原料17昇華而 生成昇華氣體（原料氣體）。 使該昇華氣體在設置成比原料17更低溫之晶種u之表面 再人固化《舉生長溫度之一例，例如將原料Η之溫度保持 於23〇rc以上240(rc以下，將晶種11之溫度保持於210(rc 以上2200t以下。藉此於晶種11上Sic結晶生長。生長溫 度有於生長中保持於-定溫度之情形，亦有於生長中按草 種比例變化之情形。 按某 一在XV驟中，上述環境氣體可進一步包含乂氣體等之 氮。該情形下，由於型搀雜物，故可動型邮結晶 生長。雖可適當使用c作為坩堝1〇1、絕熱材12丨等之材 料’但相較於其他摻雜物’ N2氣體與反應性較低。 又，由於N2氣體相車交於其他之換雜物可省略特殊之設備， 故可降低成本。 又’私境氣體可進一步包含選自由Ne、Ar、Kr、“及 所、、且成之群中至少—種氣體。即使環境氣體包含該等稀 有氣體’亦能夠展現包含He之效果。又，包含Ar之情形 下，可降低製造成本，且使熱傳導良好。 又，在環境氣體中，He之分壓較佳為4〇%以上，更佳為 60%以上’尤佳為8〇%以上。該情形下可有效地抑制放 電的發生。 151879.doc 201128005 又，在上述使SiC結晶ι〇生長之 我之步驟中’生長環境之壓 力較佳為300 Torr以下，更佔氣ς 旯佳為50 Torr以下，尤佳為3〇

Torr以下。該情形下，可提高生長速度。 其次’將製造裝置100之内部冷卻至室溫。其後將製 造之SiC結晶H)從製造裝置⑽取出。藉此可製造具備晶種 11、與形成於晶種11上之SiC έ士 s沾固^一 日日的圖1所不之Sic結晶 10(SiC晶錠）。 另，藉由從SiC晶錠除麥a猫η . A1 日日狄降云日日種U ’亦可製造圖〗所示之 sic結晶ίο。進行除去時’可僅除去晶種u，亦可除去晶 種11及已生長之SiC結晶之一部份。 除去之方法並無特別限定，例如可使用切割、研削、劈 開等機械式除去方法。切割是指以具有電沉積金剛石刀刃 7之切割機等，機械地從Sic晶錠至少除去晶種u。研削 疋私面旋轉磨石一面接觸於表面，於厚度方向進行削 除。劈開是指沿著晶格面分割結晶。再者，亦可使用㈣ 等化學除去方法。 又在製這之SiC結晶10之厚度較大之情形下，可藉由 從生長之sic結晶切下複數片Sic結晶’而製造圖1所示之

SiC結晶10。該情形下，可降低每丨片sic結晶1〇之製造成 本。 其後’根據需要’可藉由研削、研磨等將SiC結晶之一 面或兩面平坦化。 其次’與圖5所示之專利文獻1的Sic結晶之製造方法進 仃比較，說明本實施形態之sic結晶10之製造方法的效 151879.doc 201128005 果。 首先，專利文獻1之SiC結晶之製造方法與本實施形態之 SiC結晶10之製造方法基本上具備相同之構成，不同點在 於使SiC結晶生長之生長氛圍包含Ar氣體。 锿境氣體為Ar之情形，若為提高Sic結晶之生長速度而 降低壓力，則會因Ar電離而引起放電。此認為是Ar在製造 裝置100内之溫度較高之區域即加熱部124周邊發生電離所 導致。該情形下，如圖5所示，於坩堝1〇1之配置有原料17 之側之外周，即相對被加熱於高溫者之外周，有析出物2卫 析出。例如，在絕熱材121包含c之情形下，析出物21為 C，且析出物21為黑色。 若環境氣體之放電發生，則會導致溫度變動等生長條件 不安定。當生長條件不安定時，會於生長之Sic結晶產生 缺陷’或使多晶型變成非預期者。因此，存在製造之sic 結晶之結晶性惡化之問題。 另一方面’在本實施形態中，生長sic結晶1〇之生長氛 圍（環境氣體）包含He。由於He之離子化能高於Ar，故電子 不易分離。因此，可抑制He成爲電離狀態，故即使在非常 尚之氣圍下使S i C結晶生長之情形下，亦可抑制放電之 發生。再者’本實施形態中’由可減少析出物2丨（圖5)之產 生此點亦可確認可抑制放電。如此，由於可使生長條件安 定’故可抑制製造之SiC結晶10產生缺陷，且可製造期望 之多晶型之SiC結晶等，從而可使SiC結晶1〇之結晶性良好 化。 151879.doc 201128005 實施例1 本實施例中’調查了使SiC結晶生長之環境氣體包含He 之效果。 (本發明例1~6) 在本發明例1〜6中’根據上述實施形態之SiC結晶之製造 方法，製造了 SiC結晶10。 具體而言’首先’準備石墨製之圖3所示形狀之坩堝 101。坩堝101之外徑為140 mm ’内徑為12〇 mm，高度為 100mmo 又’於坩堝101之外周配置包含石墨製之加熱器125、與 Cu製電極126之加熱部124。又，於坩堝1〇1及加熱部124之 外周，配置包含碳毯之絕熱材121。 又’於掛竭101内之下部配置原料1 7。原料17係使用sic 粉末。又’於坩堝101内之上部，以與原料17對向之方式 配置晶種11。晶種11係使用具有75 mm之外徑之4H-SiC。 其次，於反應容器123中，作為環境氣體而流以流量為 0.5 slm之He氣體、與流量為（u “爪之乂氣體，並藉由加 熱部124使坩堝1 〇 1内之溫度升溫。在測定坩堝！ 〇丨之原料 17側之溫度之放射溫度計127a的指示值達到規定之溫度 後，以坩堝1〇1内為下述之表丨記载之壓力，使原料17側之 _ 放射溫度計127a之測定溫度為24〇(rc、晶種u側之放射溫 · 度計127b之溫度為22〇(rc之方式進行功率控制。藉此，使 sic氣體由原料17昇華’將生長時間設為5〇個小時，於晶 種11上使SiC結晶生長。其後，將製造裝置1〇〇内部之溫度 I51879.doc •12- 201128005 冷卻至室溫。藉此製造SiC結晶。 (比較例1〜6) 比較例1〜6之SiC結晶之製造方法各者基本上係與本發明 例1〜6相同，其不同點在於使用包含流量為0.5 slm之Ar氣 體、與流量為0.1 slm之N2氣體之環境氣體。即，不同點在 於比較例1〜6之SiC結晶之製造方法各者，代替本發明例 1〜6之He氣體，而使用Ar氣體。 (測定方法） 就本發明例1〜6及比較例1〜6，作為加熱器電流擺動幅 度，而測定了電流之擺動幅度相對於平均電流值之比例。 將其結果顯示於下述之表1。具體而言，其顯示加熱器電 流擺動幅度越小越不會產生放電。又，在表1中，「< 1」 是指小於1%，「1-2」是指1%以上2%以下。 [表1] 環境氣體 壓力(Torr) 加熱器電流擺動幅度(％) 本發明例1 He 600 <1 本發明例2 He 300 <1 本發明例3 He 100 <1 本發明例4 He 50 <1 本發明例5 He 30 <1 本發明例6 He 10 <1 比較例1 Ar 600 1-2 比較例2 Ar 300 1-2 比較例3 Ar 100 1-2 比較例4 Ar 50 5-10 比較例5 Ar 30 10-20 比較例6 Ar 10 25-30 151879.doc 13· 201128005 (測定結果） 士表1所示，作為環境氣體而包含He之本發明例丨〜6之加 熱裔電流擺動φ忌$在^ f 1。/ 又係j於1 /。。由此可知藉由包含He作為 環境氣體’可抑制放電。 如表1所示，作為環境氣體包含He之本發明例i —各 者在相同壓力下，與未包含He作為環境氣體比較例卜6進 行比杈，可降低加熱器電流擺動幅度，即，可抑制放電。 又’亦可知當環境之壓力為3〇〇 T〇rr以下，更佳為5〇 Torr以下時’尤其可顯著地抑制放電。 综上所述’根據本實施例，能夠確認藉由令使sic結晶 生長之環境氣體包含He，可抑制放電。從可抑制放電此點 來看，可知可安定化生長條件，故可使製造之Sic結晶之 結晶性良好》 實施例2 在本實施例中，進一步調查了令使SiC結晶生長之環境 氣體包含He之效果。 (本發明例7〜12及比較例7〜12) 本發明例7〜12及比較例7〜12之SiC結晶之製造方法各者 基本上與本發明例1〜6及比較例1〜6相同，但不同點在於係 令原料17側之溫度為2300°C。具體而言，在使SiC結晶生 長之步驟中，係以使原料1 7側之放射溫度計127&之測定溫 度為23 00T：、使晶種11側之放射溫度計127b之溫度為 2100°C的方式進行功率控制。 (測定方法） 151879.doc •14· 201128005 與本發明例1〜6及比較例1〜6同樣地，亦就本發明例7〜12 及比較例7〜12進行了加熱器電流擺動幅度之測定。將其結 果顯示於下述之表2。 [表2] 環境氣體 壓力(Torr) 加熱器電流擺動幅度(°/〇) 本發明例7 He 600 <1 本發明例8 He 300 <1 本發明例9 He 100 <1 本發明例10 He 50 <1 本發明例11 He 30 <1 本發明例12 He 10 <1 比較例7 Ar 600 1-2 比較例8 Ar 300 1-2 比較例9 Ar 100 1-2 比較例10 Ar 50 3-5 比較例11 Ar 30 10-20 比較例12 Ar 10 20-30 (測定結果） 如表2所示，作為環境氣體包含He之本發明例7〜12之加 熱器電流擺動幅度係小於1 %。由此可知藉由包含He作為 環境氣體，可抑制放電。 又，如表2所示，作為環境氣體包含He之本發明例7〜12 各者，在相同壓力下，與未包含He作為環境氣體之比較例 7〜12進行比較，可降低加熱器電流擺動幅度，即，可抑制 放電。 151879.doc •15- 201128005 又，亦可知當環境之壓力為100 Torr以下，更佳為⑼ Ton*以下時，尤其可顯著地抑制放電。 综上所述，根據本實施例，能夠確認藉由令使SiC結晶 生長之環境氣體包含He ’可抑制放電。從可抑制放電此點 來看，可知可安定化生長條件，故可使製造之sic結晶之 結晶性良好。 實施例3 在本實施例中，進一步調查了令使sic結晶生長之環境 氣體包含He之效果。且，亦調查了環境氣體iHe分壓之 較佳範圍。 (本發明例13〜17) 本發明例13〜17基本上與本發明例12相同，但其環境氣 體不同。具體而言’未流以A氣體。又，本發明例14〜17 為達到下述之表3所示之分壓（He/(He+Ar))，而與He氣體 一起進而流以Ar氣體。即，本發明例13之環境氣體僅為 He ’而本發明例14〜17之環境氣體包含He與Ar。另，分壓 係由He之分壓/(He之分壓+Ar之分壓）之算式求得之值。 (本發明例18〜22) 本發明例18~22基本上與本發明例11相同，但其環境氣 體不同。具體而言’未流以N2氣體。又，本發明例a〜22 為達到下述之表3所示之分壓（He/(He+Ar))，而與He氣體 —起進而流動Ar氣體。即，本發明例18之環境氣體僅為 He，而本發明例19〜22之環境氣體包含He與Ar。 (比較例13及14) 151879.doc -16- 201128005 比較例13及14各者基本上與本發明例13及18相同，其不 同點在於代替He氣體，而使用Ar氣體。即，比較例13及14 之環境氣體僅為Ar。 (測定方法） 與本發明例1〜6及比較例1〜6同樣地，亦就本發明例 13〜22及比較例13、14進行了加熱器電流擺動幅度之測 定。將其結果顯示於下述之表3。 [表3]

He/(He+Ar)(%) 壓力(Torr) 加熱器電流擺動幅度(％) 本發明例13 100 10 <1 本發明例14 80 10 <1 本發明例15 60 10 1-2 本韻'明例16 40 10 1-2 本發明例17 20 10 10-20 本發明例18 100 30 <1 本發明例19 80 30 <1 本發明例20 60 30 <1 本發明例21 40 30 1-2 本發明例22 20 30 1-2 比較例13 0 10 25-35 比較例14 0 30 10-20 (測定結果） 如表3所示，作為環境氣體包含He之本發明例13〜17及 18〜22各者在相同壓力下，與未包含He作為環境氣體之比 較例1 3及14進行比較，其可降低加熱器電流擺動幅度， 151879.doc 201128005 即，可抑制放電。 又’ He之分壓為40%以上之本發明例13〜16、及18〜21在 相同之壓力下，與僅有He之分壓不同（不同點僅為He之分 麼小於40。/。）之本發明例17及22進行比較，其可進一步降低 加熱益電流擺動幅度’即’可進一步抑制放電。 综上所述，根據本實施例，可確認藉由令使Sic結晶生 長之環境氣體為包含He之氣體，可抑制放電。又，還可確 認藉由令He之分壓為40%以上，可進一步抑制放電。 如上所述’雖已就本發明之實施形態及實施例進行了說 明’但自最初即已預定適宜組合各實施形態及實施例之特 徵。又’上文所揭示之實施形態及實施例係以所有層面例 示’但應可思及本發明並非受其限制。本發明之範圍並非 上述之實施形態及實施例，而是由申請專利範圍表示，且 意圖包含與申請專利範圍均等之意義及在範圍内之所有變 更。 【圖式簡單說明】 圖1係概略性顯示本發明實施形態之sic結晶之剖面圖。 圖2係概略性顯示可用於本發明實施形態之Sic結晶之製 造的製造裝置之剖面圖。 圖3係本發明實施形態之坩禍之放大剖面圖。 圖4係沿者圖2之IV-IV線之概略别面圖。 圖5係概略性顯示比較例之SiC結晶之製造步驟的剖面 圖。 【主要元件符號說明】 15l879.doc •18· 201128005 ίο 11 17 21 100 101 101a 101b 101c 121 123 123a 123b 124 125 126 127a ' 127b

SiC結晶 晶種 原料 析出物 製造裝置 坩堝 底部 蓋部/ 連接部 絕熱材 反應容器 氣體導入口 氣體排放口 加熱部 加熱器 電極 放射溫度計 19- 151879.doc

Claims (1)

1. 201128005 七、申請專利範圍： l 一種碳化矽結晶（1〇)之製造方法，其係藉由昇華法製造 石反化石夕結晶（1 〇)，其特徵為： 令使上述碳化矽結晶（10)生長之環境氣體包含氦。 2·如請求項1之碳化石夕結晶（10)之製造方法，其中上述環境 氣體進一步包含氮。 3.如請求们之碳化石夕結晶⑽之製造方法，其中上述環境 氣體進—步包含選自由氖、氬、氪、氣及氡所組成之群 中至少一種氣體。 4·如請求項！之碳化石夕結晶⑽之製造方法，其中在上述環 境氣體中，氦之分壓為40%以上。 5·如請求们之碳化石夕結晶⑽之製造方法，其中使 化石夕結晶⑽生長之環境之㈣為3〇〇^以下。 6. 如請求们之碳化石夕結晶⑽之製造方法，其係藉由電阻 加熱法使上述碳化矽結晶（1〇)生長。 7. 如請求項6之碳化石夕結晶⑽之製造方法，其係藉由使用 石墨製之加熱器之上述電阻加熱法，使上述 社曰 (10)生長。 日日 8. -種碳切結晶⑽，其特徵為其係藉由請求項1之碳化 石夕結晶（10)之製造方法而製成，且 反 其為單晶（10)。 9. 如請求項8之碳化石夕結晶〇 〇)，其中多晶型為你沉。 15I879.doc