JP5954046B2 - 炭化珪素基板の製造方法 - Google Patents
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本実施の形態に係る炭化珪素基板の製造方法によれば、炭化珪素結晶を成長させる工程(S33)における成長容器10内のヘリウムの濃度は、成長容器の温度を上昇させる工程(S20)における成長容器10内のヘリウムの濃度よりも高い。それゆえ、炭化珪素結晶を成長させる工程(S33)において放電の発生を効果的に抑制することができる。
Claims (4)
- 炭化珪素原料および種基板が配置された成長容器を準備する工程と、
前記成長容器の温度を抵抗加熱ヒータで炭化珪素結晶の成長温度範囲の温度まで上昇させる工程と、
前記成長容器の温度を前記成長温度範囲内に維持しつつ、前記種基板上に前記炭化珪素結晶を成長させる工程とを備え、
前記成長容器の温度を上昇させる工程における前記成長容器内の圧力は、前記炭化珪素結晶を成長させる工程における前記成長容器内の圧力よりも高く、
前記成長容器の温度を上昇させる工程において前記成長容器内にはヘリウムよりも原子番号の大きい元素からなるガスを含み、
前記成長容器の温度を上昇させる工程における前記成長容器内のヘリウムの濃度は、前記炭化珪素結晶を成長させる工程における前記成長容器内のヘリウムの濃度よりも低い、炭化珪素基板の製造方法。 - 前記ヘリウムよりも原子番号の大きい元素は、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、およびラドンのいずれかである、請求項1に記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 前記成長容器の温度を上昇させる工程後であって前記炭化珪素結晶を成長させる工程前に、前記成長容器内にヘリウムを導入する工程および前記成長容器内の圧力を低減させる工程を備え、
前記成長容器内にヘリウムを導入する工程は、前記成長容器内の圧力を低減させる工程の前に行われる、請求項1または2に記載の炭化珪素基板の製造方法。 - 前記炭化珪素結晶を成長させる工程において前記成長容器内には窒素ガスを含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
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