JP2013252998A - 炭化珪素結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる炭化珪素結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、混合物を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、炭化珪素粉末前駆体を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程と、炭化珪素粉末14を用いて昇華再結晶法により種結晶12上に炭化珪素結晶13を成長させる工程とを含み、炭化珪素結晶13を成長させる工程に用いられる炭化珪素粉末14の50%以上が6H型のポリタイプを有する炭化珪素結晶13の製造方法である。
【選択図】図4
【解決手段】シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、混合物を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、炭化珪素粉末前駆体を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程と、炭化珪素粉末14を用いて昇華再結晶法により種結晶12上に炭化珪素結晶13を成長させる工程とを含み、炭化珪素結晶13を成長させる工程に用いられる炭化珪素粉末14の50%以上が6H型のポリタイプを有する炭化珪素結晶13の製造方法である。
【選択図】図4
Description
本発明は、炭化珪素結晶の製造方法に関する。
近年、半導体装置の製造に用いられる半導体基板として炭化珪素(SiC)単結晶の利用が進められつつある。SiCは、より一般的に用いられているシリコン(Si)に比べて大きなバンドギャップを有する。そのため、SiCを用いた半導体装置は、耐圧が高く、オン抵抗が低く、また高温環境下での特性の低下が小さい、といった利点を有することから、注目を集めている。
たとえば特許文献1(特許第4427470号公報)には、ハロゲンガス中で2000℃以上の熱処理を行なって硼素濃度を0.11ppmとした高純度炭素粉体を、当該炭素原料よりも低い硼素濃度を有するシリコン原料と混合して、SiC単結晶成長用の原料を作製し、このようにして作製したSiC単結晶成長用の原料を使用して種結晶を用いた通常の昇華再結晶法によって、ポリタイプが4HであるSiC単結晶を作製する方法が開示されている(たとえば特許文献1の段落[0019]および[0020]参照)。
しかしながら、特許文献1の段落[0019]および[0020]に記載された方法においては、SiC単結晶の成長速度が非常に低く、SiC単結晶を効率的に製造することができないという問題があった。
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる炭化珪素結晶の製造方法を提供することにある。
本発明は、シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、混合物を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、炭化珪素粉末前駆体を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程と、炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる工程とを含み、炭化珪素結晶を成長させる工程に用いられる炭化珪素粉末の50%以上が6H型のポリタイプを有する炭化珪素結晶の製造方法である。
ここで、本発明の炭化珪素結晶の製造方法においては、炭化珪素結晶を成長させる工程に用いられる前記炭化珪素粉末の80%以上が6H型のポリタイプを有することが好ましい。
本発明によれば、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる炭化珪素結晶の製造方法を提供することができる。
以下、本発明の炭化珪素結晶成長用の炭化珪素粉末を製造する方法の一例について説明する。なお、後述する各工程の前後には他の工程が含まれていてもよいことは言うまでもない。
<混合物を作製する工程>
まず、図1の模式的断面図に示すように、シリコン小片1と炭素粉末2とを混合して混合物3を作製する工程を行なう。混合物3を作製する工程は、たとえば、シリコン小片1と炭素粉末2とをそれぞれ黒鉛坩堝4に収容し、黒鉛坩堝4中でこれらを混合して混合物3を作製することによって行なうことができる。また、混合物3は、黒鉛坩堝4への収容前に、シリコン小片1と炭素粉末2とを混合して作製されてもよい。
まず、図1の模式的断面図に示すように、シリコン小片1と炭素粉末2とを混合して混合物3を作製する工程を行なう。混合物3を作製する工程は、たとえば、シリコン小片1と炭素粉末2とをそれぞれ黒鉛坩堝4に収容し、黒鉛坩堝4中でこれらを混合して混合物3を作製することによって行なうことができる。また、混合物3は、黒鉛坩堝4への収容前に、シリコン小片1と炭素粉末2とを混合して作製されてもよい。
ここで、シリコン小片1としては、たとえば図2の模式的平面図に示すシリコン小片1の径dが0.1mm以上5cm以下であるものを用いることが好ましく、1mm以上1cm以下であるものを用いることがより好ましい。この場合には、内部まで炭化珪素で構成された高純度の炭化珪素粉末が得られる傾向にある。なお、本明細書において、「径」とは、表面に存在する任意の2点を結ぶ線分のうち最長の線分の長さを意味する。
炭素粉末2としては、平均粒径(個々の炭素粉末2の径の平均値)が10μm以上200μm以下である炭素粉末を用いることが好ましい。この場合には、内部まで炭化珪素で構成された高純度の炭化珪素粉末が得られる傾向にある。
<炭化珪素粉末前駆体を作製する工程>
次に、上記のようにして作製した混合物3を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程を行なう。炭化珪素粉末前駆体を作製する工程は、たとえば、上記のように黒鉛坩堝4に収容されたシリコン小片1と炭素粉末2との混合物3を1kPa以上1.02×105Pa以下、特に10kPa以上70kPa以下の圧力の不活性ガス雰囲気下で2000℃以上2500℃以下の温度に加熱することにより行なうことができる。これにより、黒鉛坩堝4中でシリコン小片1のシリコンと炭素粉末2の炭素とが反応することによって、シリコンと炭素との化合物である炭化珪素が形成されて炭化珪素粉末前駆体が作製される。
次に、上記のようにして作製した混合物3を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程を行なう。炭化珪素粉末前駆体を作製する工程は、たとえば、上記のように黒鉛坩堝4に収容されたシリコン小片1と炭素粉末2との混合物3を1kPa以上1.02×105Pa以下、特に10kPa以上70kPa以下の圧力の不活性ガス雰囲気下で2000℃以上2500℃以下の温度に加熱することにより行なうことができる。これにより、黒鉛坩堝4中でシリコン小片1のシリコンと炭素粉末2の炭素とが反応することによって、シリコンと炭素との化合物である炭化珪素が形成されて炭化珪素粉末前駆体が作製される。
ここで、加熱温度が2000℃未満である場合には、加熱温度が低すぎて、シリコンと炭素との反応が内部まで進行せず、内部まで炭化珪素で形成された高純度の炭化珪素粉末前駆体を作製することができない。また、加熱温度が2500℃を超える場合には、加熱温度が高すぎて、シリコンと炭素との反応が進行しすぎて、シリコンと炭素との反応により形成された炭化珪素からシリコンが脱離するため、内部まで炭化珪素で形成された高純度の炭化珪素粉末前駆体を作製することができない。
なお、上記において、不活性ガスとしては、たとえば、アルゴン、ヘリウムおよび窒素からなる群から選択された少なくとも1種を含むガスを用いることができる。
また、シリコン小片1と炭素粉末2との混合物3の加熱時間は、1時間以上100時間以下であることが好ましい。この場合には、シリコンと炭素との反応が十分に行なわれて良好な炭化珪素粉末前駆体を作製することができる傾向にある。
また、上記の加熱後に雰囲気の圧力を低下する工程を行なうことが好ましい。この場合には、後述する炭化珪素粉末前駆体を構成する炭化珪素結晶粒子のそれぞれの内部まで炭化珪素が形成される傾向が大きくなる。
ここで、雰囲気の圧力を低下する工程において、雰囲気の圧力を10kPa以下の圧力まで低下させる場合には、圧力の低下時間は10時間以下であることが好ましく、5時間以下であることがより好ましく、1時間以下であることがさらに好ましい。圧力の低下時間が、10時間以下である場合、より好ましくは5時間以下である場合、特に1時間以下である場合には、シリコンと炭素との反応により形成された炭化珪素からシリコンが脱離するのを好適に抑制することができるため、良好な炭化珪素粉末前駆体を作製することができる傾向にある。
また、上記のように、雰囲気の圧力を10kPa以下の圧力まで低下した後には、不活性ガスを供給することなどによって雰囲気の圧力を50kPa以上の圧力まで圧力を上昇させた後に炭化珪素粉末前駆体を室温(25℃)まで冷却してもよく、10kPa以下の圧力に保持した状態で炭化珪素粉末前駆体を室温(25℃)まで冷却してもよい。
図3に、炭化珪素粉末前駆体を作製する工程によって作製された炭化珪素粉末前駆体の一例の模式的な平面図を示す。ここで、炭化珪素粉末前駆体6は、複数の炭化珪素結晶粒子5の集合体であって、個々の炭化珪素結晶粒子5が互いに連結することによって構成されている。
<炭化珪素粉末を作製する工程>
次に、上記のようにして作製された炭化珪素粉末前駆体6を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程を行なう。炭化珪素粉末を作製する工程は、たとえば、図3に示される複数の炭化珪素結晶粒子5の集合体である炭化珪素粉末前駆体6を炭化珪素の単結晶若しくは多結晶のインゴット、または炭化珪素の単結晶若しくは多結晶がコーティングされた工具で粉砕することによって行なうことができる。
次に、上記のようにして作製された炭化珪素粉末前駆体6を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程を行なう。炭化珪素粉末を作製する工程は、たとえば、図3に示される複数の炭化珪素結晶粒子5の集合体である炭化珪素粉末前駆体6を炭化珪素の単結晶若しくは多結晶のインゴット、または炭化珪素の単結晶若しくは多結晶がコーティングされた工具で粉砕することによって行なうことができる。
なお、炭化珪素の単結晶若しくは多結晶以外のもので炭化珪素粉末前駆体6の粉砕を行なった場合には、たとえば、塩酸、王水およびフッ酸からなる群から選択された少なくとも1種を含む酸で炭化珪素粉末を洗浄することが好ましい。たとえば炭化珪素粉末前駆体6を鋼鉄製のもので粉砕した場合には、粉砕された炭化珪素粉末に、たとえば、鉄、ニッケル、コバルトなどの金属不純物が混入または付着しやすくなる。そのため、このような金属不純物を除去するために、上記の酸で洗浄することが好ましい。
上記のようにして作製された炭化珪素粉末は、その表面だけでなく内部までも炭化珪素で形成されている傾向が大きくなり、実質的に炭化珪素から構成されている。なお、実質的に炭化珪素から構成されているとは、炭化珪素粉末の99質量%以上が炭化珪素から形成されていることを意味する。
たとえば、従来の特許文献1に記載の方法によって作製された原料においては、その表面部分においては単体炭素からなる不純物の含有量は少ないが、その内部まで合わせると原料を占める単体炭素の含有量は50質量%よりも多くなる。特許文献1においては、原料の表面のみに対してX線回折法による分析が行なわれており、X線の侵入深さを増大させて、その内部までX線回折法による分析が行なわれていなかった。そのため、従来の特許文献1においては、従来の特許文献1に記載の方法によって作製された原料の内部についてはシリコンと炭素との反応が進行しておらず、炭素が単体で存在していることについては気付かれていない。
一方、上記のようにして作製された炭化珪素粉末は、従来の特許文献1に記載の方法によって作製された原料と比較して、その内部まで反応が進んで炭化珪素が形成されていることから、実質的に炭化珪素から構成されたものとすることができる。そのため、上記のようにして作製された炭化珪素粉末は、炭化珪素が高純度に含まれた炭化珪素粉末とすることができる。
また、上記のようにして作製された炭化珪素粉末は、上述のように実質的に炭化珪素から構成されていることから、炭化珪素粉末におけるホウ素の含有量を0.5ppm以下とすることかでき、アルミニウムの含有量を1ppm以下とすることができる。すなわち、上記のようにして作製された炭化珪素粉末におけるホウ素の含有量は、炭化珪素粉末全体の0.00005質量%以下であり、アルミニウムの含有量は炭化珪素粉末全体の0.0001%質量%以下となる。
また、上記のようにして作製された炭化珪素粉末の50%以上、好ましくは80%以上が6H型のポリタイプを有する。このような6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末を50%以上、好ましくは80%以上含む炭化珪素粉末を用いて後述する炭化珪素結晶の成長工程において、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる。
なお、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、炭化珪素粉末に対して粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を行なうことによって、以下の式(I)により算出することができる。
6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)=100×{(6H型のポリタイプのX線回折ピーク強度の大きさ)/(すべてのポリタイプのX線回折ピーク強度の大きさの総和)} …(I)
炭化珪素粉末に含まれる6H型のポリタイプ以外のポリタイプとしては、たとえば15R型および4H型などが挙げられる。
炭化珪素粉末に含まれる6H型のポリタイプ以外のポリタイプとしては、たとえば15R型および4H型などが挙げられる。
また、上記のようにして作製された炭化珪素粉末の平均粒径は10μm以上2mm以下であることが好ましい。炭化珪素粉末の平均粒径が10μm以上2mm以下である場合には、炭化珪素結晶を結晶成長させる際に、炭化珪素粉末の黒鉛坩堝4への充填率を高くすることができるとともに、後述する炭化珪素結晶の成長工程において、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる。なお、炭化珪素粉末の平均粒径は、個々の炭化珪素粉末の径の平均値を意味する。
<炭化珪素結晶を成長させる工程>
次に、上記のようにして作製された炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる工程を行なう。炭化珪素結晶を成長させる工程は、まず、たとえば図4の模式的断面図に示すように、坩堝11の下部に炭化珪素粉末14を設置するとともに、坩堝11の上部に種結晶12を設置する。そして、坩堝11の下部の温度を設定するとともに、坩堝11の上部の温度をそれよりも低く設定することによって、種結晶12の表面上に炭化珪素結晶13を成長させることができる。
次に、上記のようにして作製された炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる工程を行なう。炭化珪素結晶を成長させる工程は、まず、たとえば図4の模式的断面図に示すように、坩堝11の下部に炭化珪素粉末14を設置するとともに、坩堝11の上部に種結晶12を設置する。そして、坩堝11の下部の温度を設定するとともに、坩堝11の上部の温度をそれよりも低く設定することによって、種結晶12の表面上に炭化珪素結晶13を成長させることができる。
ここで、坩堝11の下部の温度は、たとえば2300℃程度に設定することができ、坩堝11の上部の温度は、たとえば2200℃程度に設定することができる。
<作用効果>
本発明の炭化珪素結晶の製造方法においては、炭化珪素粉末の50%以上、好ましくは80%以上が6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末を用いて、昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させていることから、従来の特許文献1に記載の方法よりも、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる。
本発明の炭化珪素結晶の製造方法においては、炭化珪素粉末の50%以上、好ましくは80%以上が6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末を用いて、昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させていることから、従来の特許文献1に記載の方法よりも、炭化珪素結晶の成長速度を高めることができる。
<炭化珪素粉末Aの作製>
まず、シリコン小片として径が1mm以上1cm以下のシリコン小片を複数用意し、炭素粉末として平均粒径が200μmである炭素粉末を用意した。ここで、シリコン小片は、シリコン単結晶引き上げ用純度99.999999999%のシリコンチップとした。
まず、シリコン小片として径が1mm以上1cm以下のシリコン小片を複数用意し、炭素粉末として平均粒径が200μmである炭素粉末を用意した。ここで、シリコン小片は、シリコン単結晶引き上げ用純度99.999999999%のシリコンチップとした。
次に、上記で用意したシリコン小片154.1gと、炭素粉末65.9gとを軽く混練して得られた混合物を黒鉛坩堝に投入した。ここで、黒鉛坩堝は、予め0.013Paのアルゴンガス減圧下で高周波加熱炉で2300℃に加熱し、14時間保持する処理を行なったものを用いた。
次に、上記のように、シリコン小片と炭素粉末との混合物が投入された黒鉛坩堝を電気加熱炉に入れ、一旦0.01Paまで真空引きした後、純度として99.9999%以上のアルゴンガスで置換して電気炉内の圧力を70kPaとした。
次に、図5に示すように、電気炉内の圧力を70kPaに保持した状態でシリコン小片と炭素粉末との混合物が収容された黒鉛坩堝を2300℃に加熱してその温度で20時間保持した。その後、電気炉内の圧力を2分間で10kPaまで減圧した後に黒鉛坩堝の温度を室温(25℃)まで低下させた。なお、図5は、経過時間に対する黒鉛坩堝の温度と電気炉内の圧力のプロファイルを示している。なお、図5においては、黒鉛坩堝の温度の変化が実線で表わされ、電気炉内の圧力の変化が1点鎖線で表わされている。
次に、上記の加熱処理によって作製された炭化珪素粉末前駆体を黒鉛坩堝から取り出した。ここで、炭化珪素粉末前駆体を観察したところ、炭化珪素粉末前駆体は、複数の炭化珪素結晶粒子の集合体であって、個々の炭化珪素結晶粒子が互いに連結することによって構成されていた。
次に、上記のようにして得られた炭化珪素粉末前駆体を炭化珪素多結晶でコーティングされた工具を用いて粉砕することによって炭化珪素粉末Aを作製した。ここで、炭化珪素粉末Aの平均粒径は20μmであった。
上記のようにして得られた炭化珪素粉末Aについて粉末X線回折法により定性分析を行なった。ここで、X線のターゲットをCuにした場合には、X線の侵入深さを10μm以上とすることができるため、炭化珪素粉末Aの内部を構成する成分を特定することができる。
上記の粉末X線回折法(θ−2θスキャン)によって、炭化珪素粉末Aの構成成分の定性分析および定量分析(簡易定量測定)を行なった結果、炭化珪素粉末Aを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率(100×(Cの存在を示すX線回折ピークの積分値)/(炭化珪素粉末Aを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和))は1%未満であることが確認され、炭化珪素粉末Aを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するSiCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率(100×(SiCの存在を示すX線回折ピークの積分値)/(炭化珪素粉末Aを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和))は99%以上であることが確認された。そのため、炭化珪素粉末Aは、その内部までほとんど炭化珪素から形成されており(炭化珪素の含有量99質量%以上)、単体炭素の含有量が1質量%未満である高純度の炭化珪素粉末であると考えられる。
また、炭化珪素粉末Aをグロー放電質量分析法(GDMS)で評価した結果、炭化珪素粉末Aにおけるホウ素の含有量は0.5ppm以下であって、アルミニウムの含有量は1ppm以下であることが確認された。
また、炭化珪素粉末Aをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Aにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、85%であった。
<炭化珪素粉末Bの作製>
電気炉内の圧力を減圧しなかったこと以外は炭化珪素粉末Bと同様にして炭化珪素粉末Bを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
電気炉内の圧力を減圧しなかったこと以外は炭化珪素粉末Bと同様にして炭化珪素粉末Bを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末Bを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は1%未満であって、炭化珪素粉末Bを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するSiCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は99%以上であることが確認された。そのため、炭化珪素粉末Bも、その内部までほとんど炭化珪素から形成されており(炭化珪素の含有量99質量%以上)、単体炭素の含有量が1質量%未満である高純度の炭化珪素粉末であると考えられる。
また、炭化珪素粉末Bをグロー放電質量分析法(GDMS)で評価した結果、炭化珪素粉末Bにおけるホウ素の含有量は0.5ppm以下であって、アルミニウムの含有量は1ppm以下であることが確認された。
また、炭化珪素粉末Bをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Bにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、52%であった。
<炭化珪素粉末Cの作製>
黒鉛坩堝の加熱温度を2000℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Cを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
黒鉛坩堝の加熱温度を2000℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Cを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末Cを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は1%未満であって、炭化珪素粉末Cを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するSiCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は99%以上であることが確認された。そのため、炭化珪素粉末Cも、その内部までほとんど炭化珪素から形成されており(炭化珪素の含有量99質量%以上)、単体炭素の含有量が1質量%未満である高純度の炭化珪素粉末であると考えられる。
また、炭化珪素粉末Cをグロー放電質量分析法(GDMS)で評価した結果、炭化珪素粉末Cにおけるホウ素の含有量は0.5ppm以下であって、アルミニウムの含有量は1ppm以下であることが確認された。
また、炭化珪素粉末Cをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Cにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、85%であった。
<炭化珪素粉末Dの作製>
黒鉛坩堝の加熱温度を2500℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Dを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
黒鉛坩堝の加熱温度を2500℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Dを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末を構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は1%未満であって、炭化珪素粉末Dを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するSiCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は99%以上であることが確認された。そのため、炭化珪素粉末Dも、その内部までほとんど炭化珪素から形成されており(炭化珪素の含有量99質量%以上)、単体炭素の含有量が1質量%未満である高純度の炭化珪素粉末であると考えられる。
また、炭化珪素粉末Dをグロー放電質量分析法(GDMS)で評価した結果、炭化珪素粉末Dにおけるホウ素の含有量は0.5ppm以下であって、アルミニウムの含有量は1ppm以下であることが確認された。
また、炭化珪素粉末Dをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Dにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、85%であった。
<炭化珪素粉末Eの作製>
まず、炭素原料としてハロゲンガス中で2000℃以上の熱処理を行った高純度炭素粉体を用意し、シリコン原料としてシリコン単結晶引き上げ用純度99.999999999%のシリコンチップを用意した。
まず、炭素原料としてハロゲンガス中で2000℃以上の熱処理を行った高純度炭素粉体を用意し、シリコン原料としてシリコン単結晶引き上げ用純度99.999999999%のシリコンチップを用意した。
ここで、炭素原料は、黒鉛坩堝に投入され、黒鉛坩堝とともに、予め0.013Paのアルゴンガス減圧下で、高周波加熱炉で約2200℃に加熱し、15時間保持する処理を行なう前処理が行なわれた。
なお、上記の前処理後の炭素原料およびシリコン原料の硼素濃度は、グロー放電質量分析法(GDMS)で評価した結果、それぞれ、0.11ppm、0.001ppm以下であることが確認された。
また、シリコン原料であるシリコンチップは、主に数mmから十数mmの大きさのものが用いられており、上記の前処理後の炭素原料の平均粒径は92μmであった。
次に、上記の炭素原料およびシリコン原料をそれぞれ65.9g及び154.1gに秤量し、軽く混練した後に、炭素原料とシリコン原料との混合粉を先述の黒鉛坩堝に充填した。
次に、炭素原料とシリコン原料とが収容された黒鉛坩堝を電気加熱炉に投入し、電気炉内の圧力を一旦0.01Paまで真空引きした後、純度として99.9999%以上のアルゴンガスで置換して電気炉内の圧力を80kPaとした。この電気炉内の圧力を調整しながら、1420℃まで加熱し、2時間維持した後に、更に1900℃まで加熱し、3時間維持し、降温した。
上記のようにして得られた炭化珪素粉末Eについて、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末Eを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は50%よりも大きいことが確認された。そのため、炭化珪素粉末Eの炭化珪素粉末の内部は、ほとんど炭素から形成されており、単体炭素の含有量が50質量%よりも大きいと考えられる。
また、炭化珪素粉末Eをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Eにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、17%であった。
<炭化珪素粉末Fの作製>
黒鉛坩堝の加熱温度を1950℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Fを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
黒鉛坩堝の加熱温度を1950℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Fを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末Fを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は50%よりも大きいことが確認された。そのため、炭化珪素粉末Fの内部は、ほとんど炭素から形成されており、単体炭素の含有量が50質量%よりも大きいと考えられる。これは、黒鉛坩堝の加熱温度が低すぎて、シリコンと炭素との反応が内部まで進行しなかったことによるものと考えられる。
また、炭化珪素粉末Fをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Fにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、17%であった。
<炭化珪素粉末Gの作製>
黒鉛坩堝の加熱温度を2550℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Gを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
黒鉛坩堝の加熱温度を2550℃にしたこと以外は炭化珪素粉末Aと同様にして炭化珪素粉末Gを作製し、炭化珪素粉末Aと同一の条件で粉末X線回折法による定性分析および定量分析を行なった。
その結果、炭化珪素粉末Gを構成するすべての成分にそれぞれ対応するX線回折ピークの積分値の和に対するCの存在を示すX線回折ピークの積分値の比率は50%よりも大きいことが確認された。そのため、炭化珪素粉末Gの内部も、ほとんど炭素から形成されており、単体炭素の含有量が50質量%よりも大きいと考えられる。これは、黒鉛坩堝の加熱温度が高すぎて、シリコンと炭素との反応により生成した炭化珪素からシリコンが脱離したことによるものと考えられる。
また、炭化珪素粉末Gをふるいで粒径分布を500μm〜1000μmとした後に、粉末X線回折法(θ−2θスキャン)を用いて、上記の式(I)により、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)を算出した。その結果、炭化珪素粉末Gにおける6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量(%)は、17%であった。
<実施例1>
まず、内径160mmおよび深さ180mmのグラファイト製坩堝の上部に、種結晶として直径150mmの4H型のSiC単結晶(表面がC面、面方位(000−1)面から<11−20>方向に4°オフ、表面CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨)を設置するとともに、原料として当該グラファイト製坩堝の下部に上記のようにして作製した炭化珪素粉末Aを3500g(深さ10cm)設置した。
まず、内径160mmおよび深さ180mmのグラファイト製坩堝の上部に、種結晶として直径150mmの4H型のSiC単結晶(表面がC面、面方位(000−1)面から<11−20>方向に4°オフ、表面CMP(Chemical Mechanical Polishing)研磨)を設置するとともに、原料として当該グラファイト製坩堝の下部に上記のようにして作製した炭化珪素粉末Aを3500g(深さ10cm)設置した。
なお、結晶面および方向を表わす場合に、本来であれば所要の数字の上にバーを付した表現をするべきであるが、表現手段に制約があるため、本明細書においては、所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、所要の数字の前に「−」を付して表現している。
次に、グラファイト製坩堝の外周に断熱材(グラファイト製成形断熱材)を設置した後に、高周波加熱炉に設置した。
次に、グラファイト製坩堝の内部の圧力を1Pa未満となるまで真空排気した後に、グラファイト製坩堝の内部に10体積%の窒素ガスを含むアルゴンガスを導入してグラファイト製坩堝の内部を90kPaの圧力とした。
次に、グラファイト製坩堝の上部の温度を2200℃とし、グラファイト製坩堝の下部の温度を2300℃まで昇温した後に、グラファイト製坩堝の内部の圧力を1時間かけて1kPaまで減圧することによって、種結晶上に4H型のポリタイプの炭化珪素結晶を200時間成長させた。その後、成長させた炭化珪素結晶を冷却した後に、グラファイト製坩堝から取り出した。
表1に、実施例1において、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度と、原料となる炭化珪素粉末Aの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さとを示す。
表1に示すように、実施例1においては、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度は0.2mm/hであり、原料となる炭化珪素粉末Aの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さは1cmであった。
<実施例2>
原料として炭化珪素粉末Aの代わりに炭化珪素粉末Bを用いたこと以外は実施例1と同様にして種結晶上に4H型のポリタイプの炭化珪素結晶を成長させた。
原料として炭化珪素粉末Aの代わりに炭化珪素粉末Bを用いたこと以外は実施例1と同様にして種結晶上に4H型のポリタイプの炭化珪素結晶を成長させた。
表1に、実施例2において、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度と、原料となる炭化珪素粉末Bの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さとを示す。
表1に示すように、実施例2においては、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度は0.18mm/hであり、原料となる炭化珪素粉末Bの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さは2cmであった。
<比較例1>
原料として炭化珪素粉末Aの代わりに炭化珪素粉末Eを用いたこと以外は実施例1と同様にして種結晶上に4H型のポリタイプの炭化珪素結晶を成長させた。
原料として炭化珪素粉末Aの代わりに炭化珪素粉末Eを用いたこと以外は実施例1と同様にして種結晶上に4H型のポリタイプの炭化珪素結晶を成長させた。
表1に、比較例1において、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度と、原料となる炭化珪素粉末Bの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さとを示す。
表1に示すように、比較例1においては、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度は0.05mm/hであり、原料となる炭化珪素粉末Eの表面で再結晶した炭化珪素結晶の高さは5cmであった。
<評価>
表1に示すように、6H型のポリタイプの炭化珪素粉末の含有量が50%以上である炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させた実施例1および実施例2においては、当該含有量が17%である比較例1と比べて、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度が高くなることが確認された。
表1に示すように、6H型のポリタイプの炭化珪素粉末の含有量が50%以上である炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させた実施例1および実施例2においては、当該含有量が17%である比較例1と比べて、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度が高くなることが確認された。
特に、6H型のポリタイプを有する炭化珪素粉末の含有量が80%以上である炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させた実施例1においては、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度が最も高くなることが確認された。
また、比較例1においては、原料となる炭化珪素粉末Eの表面での多孔質状の炭化珪素多結晶の晶出が顕著となり、この原料となる炭化珪素粉末Eの表面に晶出した炭化珪素多結晶と、種結晶上に成長した4H型のポリタイプの炭化珪素結晶とがほぼ接触していた。
また、比較例1においては、この炭化珪素多結晶の晶出に原料ガスが消費されたためか、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度が大幅に低下していた。
また、実施例1および実施例2においては、炭化珪素多結晶の晶出が抑制され、その結果として、種結晶上に成長した炭化珪素結晶の成長速度が低下しなかったものと考えられる。
なお、上記の現象は、炭化珪素結晶の直径が大口径化したとき、具体的には4インチを超えたとき、さらには6インチに達したときに顕著になると考えられる。
以上のように本発明の実施の形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施の形態および各実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明は、炭化珪素結晶の製造方法に好適に利用することができる。
1 シリコン小片、2 炭素粉末、3 混合物、4 黒鉛坩堝、5 炭化珪素結晶粒子、6 炭化珪素粉末前駆体、11 坩堝、12 種結晶、13 炭化珪素結晶、14 炭化珪素粉末。
Claims (2)
- シリコン小片と炭素粉末とを混合して混合物を作製する工程と、
前記混合物を2000℃以上2500℃以下に加熱して炭化珪素粉末前駆体を作製する工程と、
前記炭化珪素粉末前駆体を粉砕して炭化珪素粉末を作製する工程と、
前記炭化珪素粉末を用いて昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素結晶を成長させる工程とを含み、
前記炭化珪素結晶を成長させる工程に用いられる前記炭化珪素粉末の50%以上が6H型のポリタイプを有する、炭化珪素結晶の製造方法。 - 前記炭化珪素結晶を成長させる工程に用いられる前記炭化珪素粉末の80%以上が6H型のポリタイプを有する、請求項1に記載の炭化珪素結晶の製造方法。
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