TW201124546A - Transparent conductive layer manufacturing method and apparatus, sputtering target and transparent conductive layer - Google Patents

Description

201124546 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 透明本導’=，;種_寺性、導電特性等均優良之 法、該透明導電膜之細置、其 ’賤鍍乾及透明導電膜。 【先前技術】 在製造平板顯示器及太陽發電模組的領域，目前已 =!!用透明導電膜中主成分為氧化銦及氧化錫之 〇 (Indmm Tm 0xide)膜。ΙΤ〇膜係以真空蒸鑛法、 歲鍵法等成膜’其中之㈣法在許多場合係使用由ιτ〇 構成之賤錢乾。 在室溫下成膜之ΙΤ0膜，由於係以結晶f與非結晶 λ之狀恶存在，因此並不容易得 性：另-方面，在以臟以上之溫度成膜之=特 係形成結晶狀態，因此具有高導電特性。惟結晶化之ιτ〇 膜，對草酸等弱酸之溶解性低，@此其㈣液必須使用 鹽酸及硫酸等強酸。因此，在ITO膜與其底層膜或其他 配線層等之間，並不容易確保高蝕刻選擇比。 因此，已知有在氬氣等濺錢氣體中混合水蒸氣，以 在非BB开> 之ITO膜成膜之後’使IT〇膜經退火而結晶 化，製成低電阻ΙΤΟ膜之方法（參照專利文獻υ。；^照 此方法，可直接在已成膜狀態（薄膜沉積（as deposition) 狀態）以弱酸蝕刻，因此可得到良好之蝕刻特性。 [先前技術文獻] 專利文獻 4/25 201124546 專利文獻i曰本專利特開2隊i798 落〔 0023〕至〔0026〕） 唬a報（奴 f發明内容】 發明欲解決之課題 會有=二所載之IT。膜之成膜方法， 二:使附著在防黏著板及 原因之問題。此外，導入之水成為發生微塵之 穩定之魏作収虞慮。H亦有可能妨礙成膜室 鑑於上述情形，本發明之 蒸氣，而可形成且右声勺在挺ί、一種不使用水 電膜，性及導電特性之透明導 亀胰及6玄透明導電膜之製造方法。 攻月導 本每明之目的，為提供該不夂 t有良好钱刻特性及導電特性之透明導；：：可形成 導電膜之製造裝置及其濺鑛乾。導電膜’及該透明 解決課題之手段 為達成上述目的，本發明一 膜之製造方法，其中包括在具有革二：二：透明導電 化錫所構成之第=氧成之第1成分、由氧 此、錢、錯、無 '匕=自於鑭、鈥、鋼、銪、 氧化物所構成之第3成分靶。靶藉==的元素或其 在基板上形成氧化銦錫薄膜。9〜又㈣材，而 為達成上述目的，本發明 膜之製造裝置，其呈備月H /八怨，係该透明導電 備I至支持部、及成膜部。 5/25 201124546 上述之腔室係構成為可維持真空狀態。 上述之支持部係用以在上述 上述之成膜部，係且右入^至内支持基板者。 刀、及由氧化錫所構成之第2成霉成之第1成 鏑'銪、釓、铽、鈐、鋁功 、自於鑭、敍、 元素或其氧化物所構成之第3成少1種的 ::支:tt述腔室内濺鑛上述乾材，藉以在由 4支持之基板上形成氧化銦錫薄膜。 支持 為達成上述目的，本發明一 以在基板上藉由嶋形成透V電係用 中包上括第1成分、及第2成分、及第3f且其 上述之第1成分係由氧化銦所構成。 上述之第2成分係由氧化锡所構成。 試、上錯述==選1於鑭、鉞，、銪、亂、 物所構成。 之中至幻種的元素或其氧化 為達成上述目的，本發明 :基板上藉由繼成膜之透明導=之膜係 成分、及第2成分、及第3成分導電膜，其中包括第1 上述之第1成分係由氧化銦所構成。 上述之第2成分係由氧化錫所構成。 铽二述，第3成分係由選自於鑭、斂、鏑、銪 口、鋁、矽、鈦及硼之中至少’ ’’、 物所構成。 1種的兀素或其氧化 【實施方式】 6/25 201124546 發明之實施形態 本發明之一形態的透 妊力呈古知4J· 乃导笔勝之製造方法，JLi勹 括在具妹材之腔室中配置基板之 中包 含由氧化銦所構成之第 v ' /、中上述靶材 志八e A 成分、由氧化錫所構成之第7 成为、及由選自於鑭、敍、 苒：之苐2 矽、鈦及硼之中至少！锸沾_主 釓、錢、！。、鋁、 3此八& 種的7^素或其氧化物所構成之莖 刀。上处靶材係藉由濺鍍，而於A板上刑$ & 銦錫薄膜。 叩么丞板上形成氧化 以上述透明導電膜之制、Α 士、+ 狀態下形成非曰二^广方法，可直接在成膜後之 卜之乳化銦錫薄膜（以下亦稱為 ）。因此，該！了〇獏經_形成圖案時，可 與其他配線層之間之高綱選了：易地確保底層膜 特性。 〈。蝕刻選擇比’故可得良好之蝕刻 再者，上述ΙΤΟ膜可經熱處理（退火处曰 ί予其ί好之導電特性。經熱處理後之⑽膜了二匕在 顧+。。η Γ Γ 47b率特性’因此適於做為平板 *·、、y、态及太發電模組等之透明導電膜。 枯；《形成ίτ()膜之基板為典型之玻璃基板，其他之石夕基 及陶究基板亦可。此外，對熱處理溫度 土 亦可做為有機基板使用。 "、、Γ時 上述之第3成分為可形成對弱酸可溶之ΙΤ〇膜之元 =群。特別是以鏑（Dy)或其氧化物做為上述第3成分 :可袅成比電阻低於300μΩ·〇ιη、導電特性良好之IT〇 勝。 7/25 201124546 ^述靶材濺鍍中所用之氣體，可使用氬氣與氧氣之 ，合氣體。氬氣主要係產生靶用以濺鍍靶材的離子。氧 氣之功能係做為反應性氣體，以調整成膜之IT〇膜之氧 濃度。因此，適當調整氧氣分壓可以形成具有所期望之 導電特性，蝕刻特性之ΙΤΟ膜。 使ΙΤΟ膜結晶化之熱處理溫度（退火溫度 二^上。熱處理溫度低於厦c時，在ιτ〇膜中可 月⑽雜非晶質與結晶。再者，熱處理溫度之上限並益特 」之限^ ’可依ΙΤ0膜成膜之基板等之耐熱性做適當設 71 一

r本發明之一實施形態中之透明導電膜 包含腔室、支持部、成膜部。上述腔室 室空狀態。上述支持部’係用以在上I 由氧第具2有成含八：銦所構成之。成分 ;==:::之:材。上述之成膜部 基板又上形成氧化=材’#以在上述支持部支…

板上：由t::::實施形態中之崎，係用以在J 1成分、及㈣狀⑽1"，其中包括第 久弟2成分、及第3成分。 $之第1成分係由氧化銦所構成。 上述之第2成分係由氧化錫所構成。 8/25 201124546 上述之第3成分係由至少 造之置’可藉由_上述構 因此，該ITO針i 彡成非晶料1το膜。 酸性.峨。而形成圖案時，可使用草酸等弱 易確保高因為在底層膜及其他配線層之間容 、 心擇比，可得良好之_特性。 〔濺邊參照圖式，說明本發明之實施形態。 圖1所示係本發明之一實施形熊 造裝置之概略圖。圖中所 ： 電膜忐胺& m 、. 诉稱成為使透明導 基板s之•面:1鍍裝置100。濺鍍裝置100係具有在 ⑻、負載::導電膜Ο™膜）F成膜之成膜室 可使成第膜Λ101係具備帶有密閉構造之第1腔室11、及 膜室1()1二:二之内 =真空排氣之真空排氣系30。成 同時維賴至所預定之成膜壓力， 分子I )〜、二又，、二排軋系3 0係具有主要泵（渦輪 成=，及使背壓側排氣之輔助泵（旋轉式泵)％。 ^至⑻係具有_陰極2G。㈣陰極2()中

Ux下單獨稱為「乾材」。）21ι以在之 】腔=磁場之磁鐵單元22、及絲21與基板§(及第 至η)之間施加dc電塵之DC電源（省略圖示）。 9/25 201124546 把21如後述，係由銦錫氧化物系之材料所構成。藏鍍陰 極20 ’係做為DC磁控藏鍵（magnetron )型之滅鍍陰極， 設置在第1腔室11之底壁部上。 成膜至101係在第1腔室11之内部具有導入濺鑛用 製程氣體（濺鍍氣體）之氣體導入部4〇。該氣體導入部 40 ’係與由其中未圖示之氣體供給源、流量調整閥等共 同構成氣體導入系。本實施形態中，由氣體導入部4〇 將氬氣（Ar )與氧氣（〇2 )之混合氣體導入第丨腔室i丄 之内。p。上述混合氣體環境中之氧氣分壓，可例如 (2.0X10-3) Pa 以上、1〇Ε_2 ( 1〇χ1〇.2) ρ& 以下。 —成膜室101中亦可再含防黏著板，以防止在第丨腔 至11之内壁及其他構造物上附著成膜材料。在成膜室 ιοί中設置防黏著板，可以抑制第i腔室n受成膜材料 >可染，因此可提高成膜室101之保養作業性。 負載/卸載腔室102，具備帶有密閉構造之第2腔 12、及可使第2腔室12内部真空排氣之直空泵& 卸載腔室⑽係構成為可排氣成為與成膜室ι〇ι内 壓力相同程度之真空度，且可維持該真 腔室1〇2’亦包含未圖示之腔室問門，基板 :至口 =出$ 2腔室12之内部與外部。基板§進 寺’負載，載腔室102内係設定為標準大氣壓。 在成==之賤鑛裝置100 [包含透過閘闕1 在成膜至101與負载/卸載腔室 盤50。載盤50传由去闰-山 之間輸运基板S之 成膜室101與負载/卸載腔室102 考木3又 軾至W間之滑執（省略圖示 10/25 201124546 上直線移動。由負載/卸載腔室1〇2運送至成膜室⑼之 載盤T在往返於成膜室⑻後再返回至負載/卸載腔室 1〇2。基板5係保持在載盤5()之下方面，在成膜室⑼ 中通過濺鍍陰極20之正上方之過程間成膜。 面用之基Μ為玻璃基板。該基板上之成膜 0缘膜:^玻璃板之表面’亦^先在基材上形成之 又’在該絕緣膜之表面上亦可存在鋼等 金屬配線膜。

之「=載盤5〇係在第1腔室11内構成支持基板S 「成膜邻°滅鑛陰極2〇及氣體導入部40係構成 成膜。卩」。上述之成膜部，係在第i腔室 予以雜，藉以在由„5Q所支持 ^ 雷㈣^•、射「4成_陰極20之磁鐵單S 22、DC :楊構成「電漿發生裝置」 體導入部40導入第！妒宏n咖、/王我置知使由乳 之混合氣體）產生電漿，^ ,之氣體（ΑΓ與〇2 〔靶材〕 X稭以形成用來濺鍍靶21之離子。 其次詳細說明|巴2 1。 膜/1=::為在基板8上經由_法形成透明導電 其燒結密度例如為98%。’係B板狀或矩形板狀燒結體’ 本實施形態中革巴21 φ七八, 之第1成分、及由氧“口 =化铜（ΙηΛ)所構成 礼1匕踢（Sn〇)所構成之筮？#八 及做為添加物之第3 W八#。1再战之第2成分、 弟3成分。弟3成分係由選自於鑭（La)、 11/25 201124546 鈦（Nd)、鋼（Dy )、舖 r ρ,、 , (Ζ〇^§(Λ1) ^ 少”種的元素或1氧二)、鈦㈤及蝴⑻之中至 在膜成膜後可以㈣進行非分係對酸可溶，因此 上述構成之J21 :==成膜。 板s上使含上述第，、第2成及膜第:經戏鑛’在基 ^ 1及第3成分之ITO胺ρ 士 T :，此，21之组成可根據欲成膜之ΙΤ〇膜F之,且 成適虽調整。IT〇膜F中之氧濃度，亦可由成膜中成膜 室101内之氧氣分廢調整。 田祕中成膑 重量及氧化錫（第2成分）之標準 重里比為9. 1，但亦可調整為其他例如97 5: 2 圍。:匕外，添加物（第3成分)之添加量，在添 加兀素為α時，可以如下式（1)表示。 〇.lS{a/(In+Sn+a)}s]0〔原子％〕...（1) 又’添加物為氧化物時，在該氧化物為⑹ 加I可以如下式（2)表示 心 ⑽x/(In2〇3 + s,a〇x⑻〔原子 ％〕⑺。 >第3成为之添加量在低於〇」原子％時，非晶相汀 膜難以敎地賴。亦g卩可能有歧為有 晶質混雜的m>膜之虞慮。另—方面，以3=^ 加夏南於〗0原子％時，其製成之汀〇膜難以具有盥導電 透光率等相關之期望特性。第3成分之添加 ΐ選擇：所使用之^素之種類而不同’但可在上述範圍 糟由使用上述令構成之乾21，可以在基板s上使非 12/25 201124546 二==膜)F成膜。成膜後瞬間⑽ 以使1:因此在ΙΤ。❹上形成圖案時，可 使1咖結晶化，可製成比電阻 低 ¥电特性良好之ιτο膜f 〇 〔透明導電膜之製造方法〕 其次再說明本實施形態中透明導電膜之製造方法。 =2所示為其流程圖。本實施形態之透明導電膜之製造 IT=係具有110膜F之膜成膜步驟（步驟ST])、及 膜F之形成圖案步驟（步驟ST2)'及IT〇膜 火步驟（步驟ST3)。 ' (成膜步驟） ΙΤΟ膜F之膜成膜步驟（步驟ST1)中，係使用如圖 :斤示之濺鑛裝置100。參照圖卜送入負載/卸載腔室 〇2之基板S係保持於載盤5〇之下方面。之後，再啟動 二空泵33,使負載/卸載腔室1〇2内排氣。當該負载/ 載腔室102中之壓力與成膜室1〇1中之壓力（例如 〇.67Pa)相同時，開啟閘閥1〇3，將載盤5〇送入成膜室 ιοί内。由負載/卸載腔室102將載盤50送入成膜室'ι〇ι 内之後，再將閘閥103關閉。送入成膜室1〇1内之載盤 50，係於成膜室101直線移動。其中，基板s隨載盤％ 同時一面移動，一面由濺鍍陰極2〇成膜。 在成膜室101内，由氣體導入部4〇以預定之流量導 入濺鍍氣體（Ar+〇2)。該導入之濺鍍氣體，再由靶21 與載盤50間所施加之直流電場與藉由磁鐵單元22於靶 13/25 201124546 S成之固定磁場激發，因此使濺鍍氣體產生電 水7中之離子（特別是Ar離子），因受電場之作 广嶋極20’在…表二 =作 _ +之濺鍍作用在靶21表面激發出之ITO粒 且精由附著、堆積於乾21相對之基板s之表面，因此 板$之表面形成ίΤ0膜F。同時，賤鍍氣體中所含 生成面活性之氧自由基，所生成之高活性氧自由 ::由靶21表面激發出之ΙΤ〇粒子發生反應。因此， ^板！上形成之ΙΊΌ Μ之氧漠度，可由魏氣體中 氧氣之里控制。 本貫施形態中’係絲21之上方使基板§ 一邊通過 一邊成版，即採用所謂通過成膜方式。本實施形態中， ，板S係在成膜室1G1中往社載盤5G去程時成膜，但 =限定為如此，亦可在載盤5Q之回程時成膜，亦可在 2及回程兩者時成膜。此時，基板s係在無加熱（室 服下在成膜室101輸送，但依其須要亦可在濺鍍裝置 100内裝置熱源’在成膜時加熱基板至預定之溫度。 ITO膜F成膜完成之基板s，再與载盤5〇共同經閘 ，1〇3送至負載/卸载腔室1〇2。之後，關閉問闊⑻， 並：負載/卸載腔室102向大氣開放，透過未圖示之門閥 將完成成膜之基板S取出至外部。經由以上之操作，即 可在基板S之表面使非晶形IT〇膜F成膜。 (形成圖案步驟） 、 形成圖案步驟（步驟ST2)，係以濕絲刻法使IT0 膜F形成預定形狀之圖案。在此之前則SIT〇j^F上形 14/25 201124546 成光阻光罩。蝕刻步驟中，係由光阻光罩上方在基板s 之表面塗佈姓刻液，使由光阻光罩之開口部露出之ιτο 膜F溶解。之後，基板S再經洗淨、乾燥步驟，完成IT〇 臈F之圖案形成步驟。 “在本實施形態中，由於以濺鍍裝置1〇〇製造之ιτ〇 艇F為非晶形’因此在該11〇膜F形成圖案之步驟中， "T使用弱I性含草酸之I虫刻液（例如草酸、或關東化學 a 司製造之藥劑（IT〇_〇5N、jT〇_〇6N、IT〇_〇7N)(以上 為商品名））蝕刻IT〇膜F。如此操作，可容易地保持汀〇 膜F之底層膜、及金屬配線層等之間之高㈣選擇比， 因此可具有良好之蝕刻特性。此外，亦顯示ιτ〇膜F在 形成圖案時，可以抑制其產生蝕刻殘渣。 ΙΤΟ膜F之圖案形狀，係依其製成之元件之種類而 不同:例如ΙΤΟ膜在用於液晶顯示器用之畫素電極時， =〇膜F以晝素單位形成圖案。又，ΙΤΌ膜在用於太陽 舍電模組時，IT0膜F形成各個發電單元之 (退火步驟） 退火步驟（步驟ST3)係形成圖案之⑽膜F經退 火（熱處理），使IT0膜F結曰曰曰化。IT〇膜F結晶化之目 的，為減少ITO膜F之比電阻提高其導電特性。 〇膜F之退火步驟，標準係以熱處理 火之條件’可適當地設I可在例如大氣中、 之溫度低於200Χ時’ ΙΤ〇_中可能混雜結 曰曰”非、、、。晶。惟退火溫度之上限並無特別之限定，可依 土板s、ΙΤ0膜F、或在基板s上形成之ιτ〇膜F以外 15/25 201124546 之其他功能性薄膜（絕緣膜、金屬膜）之耐 設定。退火環境之氣體並不岐為大氣，如在、氮氣;亦 Γ ΐίί時間，可依退火溫度設定，標準係設為：退 火之Μ度越兩其退火之時間越短。 以如上之操作即可製成本實施形 (ΙΤΟ膜F)。本實施形態中之透明導電膜， 化姻所構成之第1成分、由氧化錫所構成之第2成分、 及由至少1 種選自 La、Nd、Dy、EU、Gd、Tb、Zr、Ah Si、T!及B之中之元素或其氧化物所構成之第3成分。 以本實施形態透明導電膜之製造方法，可 ^後之狀態形成非晶形之ITOm F。特別是以本實施形 ^ ’不需錢鍍氣體中添加水蒸氣，即可製成非晶形之 胰F。因此，可以防止在濺鍍氣體中添加水蒸氣所 之弊病，例如附著在防黏著板上之ITO膜易輕易地 剝離而產生微塵、妨害成膜室1〇1穩定排氣之作用發生 濺錄壓力不均等。 以本實施形態，可在IT〇m F成膜後經餘刻形成圖 J寺’使用草酸等弱酸性之餘刻液。如此，可以容易地 確保底層膜及其他配線層之間之高蝕刻選擇比，因此可 具有良好之蚀刻特性。 士此外，本貫施形態中IT〇膜F可以熱處理（退火） 、、、《曰曰化，因此可製成具有良好導電特性之ΙΤ〇膜F。以 此製成之ΙΤΟ膜F，可具有在可見光範圍良好之透光率 之特性，因此適於使用於平板顯示器及太陽發電模組等 做為透明導電膜。 16/25 201124546 實施例 (實施例1 ) 铲靶（以下亦稱為「Γ1.5原子%之鏑氧化物，製成濺 Γ之==Dy之ιτο乾」)。再以該添加 厚為圆1之：示之濺鑛裝置在基材上形成膜 尽為1000Α之ΙΤ0膜（以下亦稱為「添加Dy之ίτο 膜」）。其中之成膜條件為Dc功率_w (i卿/咖2)、 乾與基板間之距離（T/S距離）A〗⑻mm、磁鐵之 磁場，小為3GGG、成膜速率（動態速率）為7GA.m/min。 濺錢氣體使用氬氣與氧氣之混合氣體，以不同 壓使複數種ITO膜樣品成膜。其中之氮氣分壓為 (20〇sccm)、氧氣分壓為 〇Pa、l 33xl〇-3pa、2 66xw_3pa、 5.32x10 Pa、7.98><l〇-3pa、1 〇6xi〇-2pa。 測定氧氣分墨為5.32χ i 0-¾下製成之IT〇膜樣品的 X射線繞射強度。測定裝置使用理學公司製造之「Rint〇 (商品名）」。其次，測定各製成之IT〇膜樣品之蝕刻速 率。蝕刻液使用含草酸之藥液（關東化學公司製造之 「ΙΤΟ-06Ν」（商品名））。其次，再使各ΙΤ〇膜樣品在大 氣中、23(TC、1小時之條件下進行退火處理。退火處理 後，測定各ITO膜樣品的X射線繞射強度、比電阻及可 見光（波長400nm至800nm )透光率。比電阻使用三菱 化學公司製造之「Loresta MCP-T35〇 (商品名）」測定。 X射線繞射強度及可見光透光率，各使用氧氣分壓 5.32x10 Pa製成之IT0膜之試樣測定。可見光透光率使 用曰立公司製造之「U-4100」測定。 17/25 201124546 (實施例2) 先在乳化銦錫中加人！原子％之戦化物，製成藏鐘 乾（以下亦稱為「添加B的！ τ 〇 t」）。再以該添加B的 m)把’以如實施例丄之條件使IT〇膜成膜（以下亦稱 為添加Β的ΙΤΟ膜」）。成膜後之添加Β的itq膜，再 以如實施例1之條件各測定其㈣速率、比電阻、透光 率、及退火前後之X射線繞射強度。 (比較例1 ) 先在乳化銦錫中加人5原子％之鈽氧化物，製成賤鍵 (以下亦稱為「添加以的IT0乾」）。再以該添加Ce 的ITO乾’以如實施例丨之條件使加膜成膜（以下亦 稱為添加Ce的IT0膜」）。成膜後之添加⑷勺ιτ〇膜， 再以如實施例1之條件各測定其關速率、比電阻、透 光率、及退火前後之Χ射線繞射強度。 (比較例2 ) 先+以含氧化銦及氧化錫之ΙΤ〇靶，在含氬氣及氧 及水蒸氣之濺鍍氣體中濺鍍，在基板上使Ιτ〇膜成膜（ 下亦稱為「添加Η2〇的ΙΤ0膜」)。成模條件係同實施 1之條件壓力則以不同氧氣分壓成膜複數種η 胺。在此氬氣分壓為0.67 Pa，水蒸氣分壓 2.66xl(T3Pa，氧氣分壓為 oh] 33xi〇.3pa 2 6hi〇3^ ^32xl〇_3Pa。成膜後之添加H2〇的加膜再以如同 粑例1之條件各測定其蝕刻速率、比電阻、透光率、, 退火前後tx射線繞射強度。彳見光透光率係使用氧; 分壓為1.33xl〇-3pa製成之IT〇膜樣品來測定。 18/25 201124546 圖3(A)中係各表示添加Dy的IT〇膜、添加b的ιτ〇 膜、添加Ce白勺ΙΤ0膜及添加Η2〇的ΙΤ〇膜退火前之χ 射線繞射強度’圖3⑻中係各表示退火後之)C射線繞射 強度。如圖3(A)中所示’退火前之ΙΤ〇膜，即在成膜後 瞬間之X射線繞射圖中，顯示有非晶形狀態之波峰㈤〇 pattern )。如圖3(Β)中所示，在ιτ〇結晶中固有之繞 度出現有強的波峰，顯示在退火後㈤膜為結晶相狀態。 其次，圖4(Α)、（Β)為顯示退火前及退火後各仃〇膜 樣口口之比電阻之實驗結果’目4(Α)為退火前、圖 退火後。圖中各描點中，「♦」為添加Η20之ΙΤΟ膜、「_ 為从、加Ce之ΙΤΟ膜、「▲」為添加之ϊτ〇獏、 為添加Β之ΙΤΟ膜（圖5中亦相同）。 、 」

Ce :二有〜之叮〇膜、添加B之ΙΤ〇膜及添加 〃 ' ，均顯不在退火後比退火前具有較低之比 電阻。此係由於比起非晶形1態，、结晶狀態之 ，。退火後之比電阻，在所有之ΙΤ0膜樣品 =

壓為5·32χ10、時最小，添加％之™膜及添H 之1丁〇膜為約300μΩ_，添加Β之ΙΤ〇膜^ 400μΩ.οιη。 联马約 f 一方面，在添加％〇之ΙΤΟ膜中，顯示經退火虛 『、乳氣分堡為133xl().3pa時，可得比電阻的最小值 300μΩ·(；ηι)。亦 ^ ^ , 〈 '、勺 之%之叮〇膜及添加Ce 不相上下之:’具有與添加H20之1το膜之比電阻 其-人，圖5所示係試驗非晶形之各ΙΤ〇膜樣品之蝕 19/25 201124546 ^ 之、°果°其尹確認在添加Dy之IT0膜甲與在添 膜口中ίΤ〇膜中有同等之钱刻速♦。添加β之ίΤ0 率Α古。亥1]速率，係確認較添加私〇之1Τ〇狀钱刻速 ίίοΓ^ 一方面’添加。之ΙΤ〇膜，顯示有較添加 f2化物。二?為低之㈣㈣。此可認為係*於比起办 二乳化物，Ce氧化物較不易溶於弱酸中所致。 圖=顯示退火後各IT〇膜之可見光透光率之實驗 :“確認了添加Dy之ΙΤ0膜及添加Β之ΙΤ〇膜且 =、添加一η2〇之ΙΤ0膜同等之可見光透光率（9〇%以 )°另一方面’確認了添加Ce之ΙΤ〇膜在·_至 600細的範圍下’透光率之減低比其他ιτ〇膜顯著。 的二上：述’本實施例中之添加~㈣0膜及添加Β 膜，可具有與添加η2〇之ΙΤ〇膜同等之姓 2比電阻、可見光透光率。同時，藉由使用添加Dy 厂鍍靶或添加B之濺鍍靶，可穩定地成膜 性 '導電特性及透光特性良好之汀〇膜。、’’、、〃、寺 —以上係說明本發明之實施形態，當然本發明並不限 疋於此，依據本發明之技術精神可做各種變化。 如在上述之實施形態中，添加Dy之賤錢乾中 添加量為1.5原子％’添加b之濺鍍靶中B之添加量 原子％，但並不限定於此。依照此等第3成分之添加旦， 所得ιτο膜之蝕刻速率、比電阻、可見光透光率等7變 化，故可依所要求之特性而適當調整添加量。 20/25 201124546 【圖式簡單說明】 造裝發明之—實施形態中透明導電膜之製 製造明之-實施形態中透明導電膜 圖3所示係本發明之實施例及比較例中IT0膜之X 射線繞射強度分布，㈧係成膜後瞬 士 果，（Β)係退火後測定ΙΤ〇膜之結果。 胰之、，，口 ^=所示係本發明之貫施例及比較例中ΙΤΟ膜之比 電戸及氧刀1：之關係’（Α)係成膜後瞬間測定ΙΤ〇膜之結 果’（Β)係退火後測定ΙΤ〇膜之結果。 、、° 圖5係顯示本發明之實施例及比較例中，ιτ〇膜中餘 划速率與氧分壓關係之實驗結果。 圖6係頌不本發明之實施例及比較例中，ΙΤΟ犋之可 先光透光率之實驗結果。 11 【主要元件符號說明】 第1腔室 12 20 21 22 30 31 32 33 第2腔室 濺鍍陰極 磁鐵單元 真空排氣系 主要泵（渦輪分子泵） 輔助泵（旋轉式泵） 真空泵 21/25 201124546 40 氣體導入部 50 載盤 100 濺鍍裝置 101 成膜室 102 負載/卸載腔室 103 閘閥 F 透明導電膜 S 基板 22/25

Claims (1)

1. 201124546 七、申凊專利範圍： ].導電膜之製造方法，其係將基板配置於含有 ΓΓ八由室内，前卿係包括由氧化銦所構成之第 鉸、：二錫所構成之第2成分、及由選自於鑭、 】 ，乱、錢、錯、紹、石夕、鈦及蝴之中至少 k素或其氧化物所構成之第3成分乾， 2.使其在基板上形成氧 電膜之製造方法，其 T化峨联藉由圖案化’並使 •二！：專利範圍第2項之透明導電膜之製造方法，盆 4. 士 Γ!"之第3成分係鏑或其氧化物。 ’、 ° :奢：：範圍第2項之透明導電膜之 令則述之第3成分係硼或其氧化物。 、 、去H專利範圍第3或第4項之透明導電膜之f、止方 濺錢、。中則述乾材係在氬與氧之混合氣體環境中、進行 6.如申請專利範圍帛5項之透明導 中前述混合氣體環境中^ '衣&方法，其 l.〇E-2Pa以下。 Τ丰飞之刀堡為2忽3Pa以上 λ如申請專利範圍第3或第4項之透 法，其中前述氧化銦g 1 、 電膜之製造方 上。心化_謂之減理溫度為脚U 8·如申請專利範圍第2項之透明導 中前述钱刻液係含有草酸之水溶液。、造方法，其 23/25 201124546 9. 一種透明導電膜之製造裝置，其係具備： 可維持真空狀態之腔室； 配置在前述腔室内用以支持基板之支持部；及 =括由氧化銦所構成之第i成分，由氧化錫所構成之 第2成分，及由選自於鑭、鈦、銷、销、亂、試、梦 1=、Λ及爛之中至少1種的元素或其氧化物所構 — 成分之靶材，在前述腔室内濺鍍前述靶材， 述支持部支持之基板上形成氧化銦錫薄膜 10·=請專利範圍第9項之透明導電膜之製造 盆 具有在前述腔室内將包括氧化性氣 之製私軋肢（process gas)導入之導入 = 議以用來崎述^ 办成離子之電漿產生裝置。 藉由繼用來在基板上形成透明 錫所構成Ϊ第二化=構成之第 κί ί? 選自於鑭、敍、鏑、銪、 式釔、鋁、矽、鈦及硼之中至少丨插沾_主* 其氧化物所構成之第3成分。 纟兀素或 分為選自於鑭、鈦^迷第3成 銥及硼之中至少】種的元素，且 s又 量（α)可以式 』述第3成分之添加 O.k {a/(In+Sn+a)}S 10〔原子％〕 表 。 24/25 201124546 13.如申請專利範圍第u項之_乾，I 分係至少1種選自於鑭、鈥、鏑、銪、、釓：鉉3成 添 :呂:：、鈦㈣之中的氧化物，且 分 加罝（αΟχ)可以數學式 从刀之 0.0-6 S {a〇x/(In2〇3+Sn〇)+a〇^ 6〔原子 表示。 」 導電膜，其係以濺鐘法在基板上成 成分;由氧化一 所構成之第3成分。〉種的“或其氧化物 25/25