CN104746003B - 氧化铟锡低温镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种氧化铟锡低温镀膜方法，所述方法包括以下步骤：在真空腔室里安装氧化铟锡靶材；对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层，所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1；于所述真空腔室内充入氩气及氧气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下，在所述第一膜层上制作第二膜层，所述氩气及氧气的体积比为25~35:1。本发明氧化铟锡低温镀膜方法提高了氧化铟锡膜层的耐渗透、易蚀刻且结晶的特性，保证了产品性能的稳定性及耐候性，提升了产品的质量及使用寿命。

Description

氧化铟锡低温镀膜方法

技术领域

本发明涉及半导体制造的技术领域，特别涉及一种氧化铟锡低温镀膜方法。

背景技术

氧化铟锡薄膜（ITO膜）作为触摸屏和液晶显示器件的关键部分，目前，随着触摸屏的跳线工艺、液晶显示器中Array氧化铟锡的两步骤或多步骤的制作工艺要求以及柔性显示器件的研发，耐渗透易蚀刻且结晶化的氧化铟锡低温镀膜技术成为了产品工艺开发和研究的热点。

发明内容

本发明提出一种氧化铟锡低温镀膜方法，其提高了氧化铟锡膜层的耐渗透、易蚀刻且结晶的特性，保证了产品性能的稳定性及耐候性，提升了产品的质量及使用寿命。

为实现上述发明目的，本发明提供一种氧化铟锡低温镀膜方法，所述方法包括以下步骤：

在真空腔室里安装氧化铟锡靶材；

对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层，所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1；

于所述真空腔室内充入氩气及氧气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下，在所述第一膜层上制作第二膜层，所述氩气及氧气的体积比为25~35:1。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述氧化铟锡靶材的靶材成份质量比例大于90:10，且所述氧化铟锡靶材的靶表面磁场强度大于400高斯。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述真空腔室抽真空的真空度优选为1×10^-3Pa。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述氩气及水蒸气的体积比优选为100:1。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述氩气及氧气的体积比优选为32:1。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述在所述第一膜层上制作第二膜层的步骤之后还包括：

将上述制得的包含第一膜层及第二膜层的氧化铟锡膜层放置于弱酸中进行蚀刻；

将蚀刻好的氧化铟锡膜层放到大气环境的烘箱中，在100~180摄氏度进行退火30~60分钟，得到结晶的氧化铟锡图案。

进一步地，在上述的氧化铟锡低温镀膜方法中，所述退火温度优选为160摄氏度，退火时间优选为60分钟。

本发明氧化铟锡低温镀膜方法提高了氧化铟锡膜层的耐渗透、易蚀刻且结晶的特性，保证了产品性能的稳定性及耐候性，提升了产品的质量及使用寿命。

附图说明

图1为本发明氧化铟锡低温镀膜方法的流程示意图；

图2为图1中氧化铟锡镀层的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1及图2，本发明氧化铟锡低温镀膜方法制得的氧化铟锡膜层包括第一膜层10及设于所述第一膜层10上的第二膜层20。所述方法包括以下步骤：

步骤S101：在真空腔室里安装氧化铟锡靶材；

在具体实现时，所述氧化铟锡靶材的靶材成份质量比例大于90:10，且所述氧化铟锡靶材的靶表面磁场强度大于400高斯。

步骤S102：对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层10，所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1；

在具体实现时，本实施例中，所述真空腔室抽真空的真空度优选为1×10^-3Pa，所述氩气及水蒸气的体积比优选为100:1。

步骤S103：于所述真空腔室内充入氩气及氧气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下，在所述第一膜层10上制作第二膜层20，所述氩气及氧气的体积比为25~35:1。

在具体实现时，在所述氧化铟锡靶材的该靶位关闭水蒸气充入氧气，在其他氧化铟锡靶位充入氩气及氧气，这样就使得第二膜层20在含氧的气氛下成膜，即第二膜层20含微量氧。本实施例中，所述氩气及氧气的体积比优选为32:1。

因此，本发明氧化铟锡低温镀膜方法制得的氧化铟锡膜层，所述第一膜层10含有微量水蒸气，所述第二膜层20含有微量氧，所述氧化铟锡膜层的下方还有其他金属膜层或氧化物膜层等。

其中，由于第二膜层20是在含氧的气氛下成膜，氧原子填补了氧化铟锡中的氧空位，使得其成膜的膜质比较致密；相反，含水蒸气的第一膜层10中，氧化铟锡空缺氧空位，膜质比较疏松。

在进行酸蚀刻、脱膜时以及产品做高温高湿实验时，所述第二膜层20首先接触到这些液体和水份，很容易刻蚀或脱膜掉，而且第二膜层20的膜层比较致密防止了这些液体的渗漏。当这些蚀刻液脱膜液蚀刻到第一膜层10时，这些液体的浓度和温度相比蚀刻第二膜层20有所降低，而所述第一膜层10的膜层比较疏松，也很容易蚀刻和脱膜，这些浓度和温度降低的液体不会对下面的金属有什么影响。因此，本发明氧化铟锡低温镀膜方法制得的氧化铟锡膜层具有耐渗透易蚀刻的特性，可以在弱酸下进行蚀刻，而且该氧化铟锡膜层对其他金属如，MO，AL等刻蚀液、脱膜液、水份等都具有防渗透性，即不会渗透、影响甚至腐蚀到该氧化铟锡膜层下面的膜层。

所述步骤S103之后还包括：

将上述制得的包含第一膜层10及第二膜层20的氧化铟锡膜层放置于弱酸中进行蚀刻；

将蚀刻好的氧化铟锡膜层放到大气环境的烘箱中，在100~180摄氏度进行退火30~60分钟，得到结晶的氧化铟锡图案。

其中，所述弱酸是指相比强酸王水而言含草酸的一类弱酸。所述退火温度优选为160摄氏度，退火时间优选为60分钟。

这样，通过将所述蚀刻好的氧化铟锡膜层退火30~60分钟，可以得到结晶的原子结构，而且退火的温度和时间对氧化铟锡膜层的原子提供了能量，使得氧化铟锡膜层的原子结构得到重新排列，得到结晶的原子结构，保证了产品性能的稳定性及耐候性，提升了产品的质量及使用寿命。

相比于现有技术，本发明氧化铟锡低温镀膜方法提高了氧化铟锡膜层的耐渗透、易蚀刻且结晶的特性，保证了产品性能的稳定性及耐候性，提升了产品的质量及使用寿命。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (5)

1.一种氧化铟锡低温镀膜方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在真空腔室里安装氧化铟锡靶材；

对上述真空腔室抽真空后充入氩气及水蒸气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下制作第一膜层，所述氩气及水蒸气的体积比为90~110:1；

于所述真空腔室内充入氩气及氧气，在真空压力为0.2~0.7Pa的条件下，在所述第一膜层上制作第二膜层，所述氩气及氧气的体积比为25~35:1；

所述氧化铟锡靶材的靶材成份质量比例大于90:10，且所述氧化铟锡靶材的靶表面磁场强度大于400高斯；

所述真空腔室抽真空的真空度优选为1×10^-3Pa。

2.根据权利要求1所述的氧化铟锡低温镀膜方法，其特征在于，所述氩气及水蒸气的体积比优选为100:1。

3.根据权利要求1所述的氧化铟锡低温镀膜方法，其特征在于，所述氩气及氧气的体积比优选为32:1。

4.根据权利要求1~3任一项所述的氧化铟锡低温镀膜方法，其特征在于，所述在所述第一膜层上制作第二膜层的步骤之后还包括：

将上述制得的包含第一膜层及第二膜层的氧化铟锡膜层放置于弱酸中进行蚀刻；

将蚀刻好的氧化铟锡膜层放到大气环境的烘箱中，在100~180摄氏度进行退火30~60分钟，得到结晶的氧化铟锡图案。

5.根据权利要求4所述的氧化铟锡低温镀膜方法，其特征在于，所述退火温度优选为160摄氏度，退火时间优选为60分钟。